Circuitos de aplicación con diodos

Unidad 1
Circuitos de aplicación con diodos
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EL DIODO
INTRODUCCION
El diodo ideal es un componente discreto que permite la circulación de corriente
entre sus terminales en un determinado sentido, mientras que la bloquea en el
sentido contrario.

Resistencia nula

Resistencia nula
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DIODO DE UNION PN

Actualmente los diodos se fabrican a partir de la unión de dos materiales

semiconductores de características opuestas, es decir, uno de tipo N y otro de tipo
P. A esta estructura se le añaden dos terminales metálicos para la conexión con el
resto del circuito.

Formación de la unión PN
Se trata de un monocristal de silicio puro, dividido en dos zonas con una
frontera nítida, definida por un plano. Una zona se dopa con impurezas de tipo P y
la otra de tipo N.
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Zona P > átomos del grupo III ( Boro ).

Zona N > átomos del grupo V ( Fósforo ).

Mecanismo de difusión:
Consiste en llevar partículas de donde hay más a donde hay menos. El
efecto es que los electrones y los huecos cercanos a la unión de las dos
zonas la cruzan y se instalan en la zona contraria, es decir:
• Electrones de la zona N pasan a la zona P.
• Huecos de la zona P pasan a la zona N.
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Este movimiento de portadores de carga tiene un doble efecto: en la región

de la zona P cercana a la unión:

• El electrón que pasa la unión se recombina con un hueco. Aparece una

carga negativa
• Al pasar el hueco de la zona P a la zona N, provoca un defecto de carga
positiva en la zona P, con lo que también aparece una carga negativa.

El mismo razonamiento, aunque con signos opuestos puede realizarse para

la zona N.

Carga positiva en la zona N y negativa en la zona P

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Aparece un campo eléctrico desde la zona N a la zona P que se opone al

movimiento de portadores según la difusión, y va creciendo conforme pasan más
cargas a la zona opuesta. Al final la fuerza de la difusión y la del campo eléctrico
se equilibran y cesa el trasiego de portadores.Finalmente:
✓Zona P, semiconductora, con una resistencia RP.
✓Zona N, semiconductora, con una resistencia RN.
✓Zona de agotamiento (deplección): No conductora, puesto que no posee
portadores de carga libres. En ella actúa un campo eléctrico, o bien entre los
extremos actúa una barrera de potencial.
Polarización directa:
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Polarización directa (II):

El potencial aumenta por encima del de barrera → desaparece la zona de

deplección.
1. Electrones y huecos se dirigen a la unión.
2. En la unión se recombinan.
La tensión aplicada se emplea en:
1. Vencer la barrera de potencial.
2. Mover los portadores de carga.
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Polarización inversa

Tensión positiva a la zona N y negativa a la zona P → se retiran portadores

mayoritarios próximos a la unión. Aumenta la anchura de la zona de deplección.
Como en ambas zonas existen portadores minoritarios, su movimiento hacia la
unión crea una corriente, aunque muy pequeña.

Si aumenta mucho la tensión inversa, se produce la rotura por avalancha por

ruptura de la zona de deplección. No significa la ruptura del componente.
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Característica tensión-corriente
La figura muestra la característica V-I (tensión-corriente) típica de un diodo real.

• Región de conducción en polarización directa (PD).

• Región de corte en polarización inversa (PI).
• Región de conducción en polarización inversa.
En el caso de los diodos de Silicio, VON está sobre los 0,7 V.
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Principales características comerciales

1. Corriente máxima en directa, IFmax o IFM (DC forward current): Es la corriente continua
máxima que puede atravesar el diodo en directa sin que este sufra ningún daño. Tres
límites:
• Corriente máxima continua (IFM).
• Corriente de pico transitoria (Peak forward surge current), en la que se especifica
también el tiempo que dura el pico.
• Corriente de pico repetitivo (Recurrent peak forward current), en la que se
especifica la frecuencia máxima del pico.

2. Tensión de ruptura en polarización inversa (Breakdown Voltage, BV; Peak Inverse

Voltage, PIV): Es la tensión a la que se produce el fenómeno de ruptura por
avalancha.
3. Tensión máxima de trabajo en inversa (Maximun Working Inverse Voltage): Es la
tensión que el fabricante recomienda no sobrepasar para una operación en inversa
segura.
4. Corriente en inversa, IR (Reverse current): Es habitual que se exprese para diferentes
valores de la tensión inversa
5. Caída de tensión en PD, VF (Forward Voltage): A veces no es 0.7 Volts.
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MODELOS DEL DIODO DE UNION PN

Modelos para señales continuas

Válido tanto para señales contínuas como para de muy baja frecuencia.

n, es el factor de idealidad. El valor n se ubica dentro del rango entre 1 y 2.

Depende de las dimensiones del diodo, del material semiconductor, de la magnitud
de la corriente directa y del valor de IS.
• VT, es el potencial térmico del diodo y es función de la constante de Boltzmann
(K), la carga del electrón (q) y la temperatura absoluta del diodo T(K). La siguiente
expresión permite el cálculo de VT:
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• R es la resistencia combinada de las zonas P y N, de manera que V-IR es la

tensión que se está aplicando en la unión PN, siendo I la intensidad que circula
por el componente y V la tensión entre terminales externos.
• IS, es la corriente inversa de saturación del diodo. Depende de la
estructura, del material, del dopado y fuertemente de la temperatura.

Modelo ideal del diodo de unión PN

• Factor de idealidad como la unidad, n=1.
• La resistencia interna del diodo es muy pequeña. la
caída de tensión en las zonas P y N es muy pequeña,
frente a la caída de tensión en la unión PN.
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Modelo lineal por tramos

• En inversa, la corriente a través de la unión es nula.
• En directa, la caída de tensión en la unión PN (VON) es constante e
independiente de la intensidad que circule por el diodo.

Para calcular el valor de VON se considera un diodo de unión PN de silicio. El

potencial térmico a esa temperatura (25 ºC) es VT=25.7 mV. Tomando como
variable independiente la intensidad I, la ecuación ideal del diodo queda:

Por ejemplo, para un intervalo de corrientes 1 mA < I < 1 A se tienen tensiones

0.6 V <VDIODO< 0.77 V.
Estado Modelo Condición
Conducción
BIESTADO
Corte
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✓ Conducción o Polarización Directa "On“. La

tensión es VON para cualquier valor de corriente.
✓ Corte o Polarización Inversa "Off", donde la
corriente es nula para cualquier valor de tensión
menor que VON.

Modelo para pequeñas señales de alterna

Se aplica: La corriente:
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Modelo para pequeñas señales de alterna

Supongamos que conocemos la amplitud de las oscilaciones de la tensión aplicada

(VD) y queremos conocer la amplitud de las oscilaciones de la corriente (ID). El
método de cálculo sería:

Para obtener la solución al problema

citado de una forma más simple se
linealiza la curva del diodo en el entorno
del punto de operación, es decir, se
sustituye dicha curva por la recta que
tiene la misma pendiente en el punto de
operación, según se aprecia en la Figura
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Modelo para pequeñas señales de alterna

A la derivada de la tensión con respecto a la corriente en el punto de operación se

le llama resistencia dinámica del diodo rD, y su expresión puede determinarse a
partir del modelo exponencial del diodo, teniendo en cuenta que si VDQ es mayor
que VT puede despreciarse la unidad frente al término exponencial:

Aproximación de Shockley

Aproximación válida en la región de conducción en polarización directa del diodo.

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DIODOS ZENER
Se aprovecha la tensión inversa de ruptura mediante el control de los niveles de
dopado. Se consiguen tensiones de ruptura de 2 – 200 Voltios y potencias
máximas de entre 0.5 W y 50 W.

El diodo zener se utiliza para trabajar

en la zona de ruptura, ya que mantiene
constante la tensión entre sus
terminales (tensión zener, VZ).

Estabilización de tensiones

Corriente máxima en inversa

Tensión Zener
Estado Modelo Condición
Conducción P.D. V=VON I>0
Corte I=0 VZ<V<VON
Conducción P.I. V=VZ I<0
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EJEMPLO DE APLICACION DEL DIODO: RECTIFICACION

La energía eléctrica generada en las centrales de potencia es de tipo alterna

sinusoidal.
En ocasiones es necesario una tensión contínua.

Esquema general de la rectificación.

Vi: tensión de entrada.

Vo:tensión de salida.
•RL: resistencia asociada al aparato o "carga" que se conecta al rectificador.
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ESQUEMA BÁSICO. RIZADO DE LA ONDA DE SALIDA

VO = Vi -VON
Para Vi< 0 el diodo está en corte = no existe
corriente

Se intenta que esta onda de salida se

parezca lo más posible a una línea
horizontal.
Siempre existe desviación de la ideal. Se
cuantifica por el rizado de la onda de
salida
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EL CONDENSADOR EN LOS RECTIFICADORES

Funcionamiento en vacío

VD ≤ 0. El diodo nunca
conducirá > C no descarga.
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Funcionamiento en carga

I de carga del Condensador (muy pequeña).

Para vi entre 0<wt</2
I de la resistencia
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Mientras el diodo esté en corte, la parte derecha del circuito se comporta

independientemente con respecto al generador.

Descarga de C a través de RL
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Rectificador onda completa

En semiciclo positivo de la señal: VA es mayor que VC: D1 y D3 no conducen

Circuito equivalente
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Rectificador de onda completa

durante los semiciclos negativos

Mejora con filtrado por

condensador
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Análisis a detalle
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SEMICONDUCTORES
Estructura cristalina del Si intrínseco.
Enlaces covalentes.
Electrones
en
Elemento Grupo
la última
capa
Cd II A 2 e-
Al, Ga, B,
III A 3 e-
In
Si, Ge IV A 4 e-

P, As, Sb VA 5 e-

Se, Te, (S) VI A 6 e-

En un semiconductor intrínseco: n = p = ni
n: número de electrones de conducción por centímetro cúbico
p: número de huecos por centímetro cúbico
ni: Concentración Intrínseca ::::

En el Si la energía del GAP es 1,1 eV

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Semiconductores extrínsecos.
Un semiconductor extrínseco es un monocristal al que se le han añadido impurezas, entonces se dice que está dopado.

Donadoras
Semiconductor
(Si con átomos
extrínseco, tipo N
Pentavalentes (P))
Impurezas

Aceptadoras
(Si con átomos Semiconductor
Trivalentes (B)) extrínseco, tipo P

Se cumple la propiedad que se conoce como ley de acción de masas.::::: np = ni2

Mecanismos de conducción eléctrica: - por difusión (diffusion)
- por deriva (drift)
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Principio físico de la unión PN.

a) Iones y portadores en el semiconductor (los iones
están representados por círculos).
b) Concentración de iones.
c) Concentración de portadores.
d) Densidad de carga (aproximación rectangular).
e) Campo eléctrico.
f) Potencial interno: formación de una barrera de
potencial entre las regiones N y P

..aparece, por tanto, un dipolo de carga entre los dos

lados de la unión que, para simplificar los cálculos,
lo supondremos de forma rectangular.

Cuando este equilibrio se alcanza, aparece la región

de carga espacial o región de transición donde no
hay cargas libres y aparece una diferencia de
potencial entre la región N y la P (en equilibrio
térmico) denominada potencial de difusión, Vbi :
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En una unión P-N polarizada directamente

domina la corriente de difusión sobre la de
arrastre o deriva. Fuerte inyección de huecos
desde la región P hacia la región N, y otra intensa
inyección de electrones desde N hacía P.

Cuando se polariza inversamente la unión

aumenta el campo eléctrico en la región de
transición. No va acompañado de un aumento de
la corriente en el sentido de N a P, ya que no hay
portadores a los que arrastrar. El campo eléctrico
se limita a impedir la difusión de mayoritarios
(huecos de P a N y electrones de N a P), y la
corriente sigue siendo nula como en equilibrio. De
ahí el efecto rectificador de la unión PN.
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Modelo más real del diodo >>> Modelo exponencial

Ecuación del diodo

 VD VT 
I D = I S  e − 1
 

a) b)
a) Característica ID versus VD del diodo real
b) considerando que Vz toma un valor tan negativo que nunca se alcanza, puede
aproximarse de una forma analítica, que se denominará modelo exponencial del diodo

Is: corriente inversa de saturación del diodo,

 :factor de idealidad (1)
VT tensión térmica, aprox. 25mV
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Modelo dinámico del Diodo.

Diodo más Real >>Efecto capacitivo
Una consecuencia de la variación del campo eléctrico en la unión, cuando se
aplica una tensión de polarización, es la variación del espesor de la región de
transición. Se forma una estructura capacitiva (condensador o capacidad).

CD = CS + C j

En polarización directa suele dominar Cs (capacidad de difusión), debido a

su comportamiento exponencial, mientras que en inversa domina Cj
(capacidad de transición).
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Pérdidas en diodos
• Son de dos tipos:
- Estáticas en conducción (en bloqueo son despreciables)
- Dinámicas

Pérdidas estáticas
Forma de onda frecuente
iD
iD

ideal

rd Potencia instantánea perdida en conducción:

pDcond (t) = vD (t)·iD (t) = (V + rd · iD(t)) · iD(t)
V
Potencia media:
PDcond = V·IM + rd · Ief2
T



1 IM : Valor medio de iD(t)
PDcond = pDcond (t )·dt
T Ief : Valor eficaz de iD(t)
0
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Circuitos con diodos: Fuente de alimentación

Aplicaciones del diodo rectificador

1. Conversión de tensión alterna a tensión continua: Fuente de alimentación

2. Detector de envolvente
3. Circuitos recortadores y circuitos fijadores de nivel
4. Aproximación de funciones con diodos
5. El diodo como elemento de protección

Aplicaciones del diodo Zener

1. Estabilizador de tensión con diodos Zener

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Circuito rectificador de media onda (IDEAL)

a) Circuito rectificador de media onda. b) Señal aplicada al circuito. c) Circuito

equivalente para los semiciclos positivos. d) Idem para los negativos
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Circuito rectificador de media onda (más REAL)

iD

rd
V

a) Estructura física del diodo de unión PN. b) Símbolo del diodo real. c) Circuito equivalente. d) Característica
corriente-tensión en continua (fuente dependiente). e) Dependencia de CD con la tensión
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Conversión de tensión alterna a tensión continua: Fuente de alimentación

Esquema de una fuente de alimentación

Rectificador
de media onda

Rizado:

VM  T
Vo 
RL C
con (t3-t2)>>(t2-t1)

a) Circuito rectificador de media onda seguido de filtro de

condensador. b) Tensión de salida. c) Corriente por el diodo
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Esquema de una fuente de alimentación con rectificación de onda completa

Rizado VM  T
Rectificador de onda completa Vo 
filtro
2RL C

a) Con transformador de toma intermedia.

b) Con puente de diodos
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Aplicaciones del diodo Zener:

Regulador lineal de tensión o Estabilizador de tensión.

Estabilizador de tensión con diodo zener

Se toma la salida entre terminales del zener, y se diseña el circuito para que este diodo
siempre opere en la región de ruptura. Los cambios en la carga o en el generador
provocarán variaciones en la corriente por el diodo pero siempre dentro de la región de
ruptura.
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Como en la región de ruptura la característica es casi vertical,

aunque haya grandes variaciones en la corriente, la variación
de tensión en terminales del zener será pequeña.
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Análisis del Circuito:

Diseño: Escoger adecuadamente la Rs

de polarización:

I Z = IS − I L
VSmín − VZmín VZmín 
VS − VZ VZ I Zmín = −
IZ = − R Smáx R Lmín 
RS RL 
VSmáx − VZmáx VZmáx 
 1 1  VS I Zmáx = −

I Z = −VZ  +  + R Smín R Lmáx 
 RS R L  RS

gráficamente
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Ejercicio:
En un circuito regulador de tensión como el mostrado en la figura encontrar la resistencia de polarización Rs teniendo en cuenta
los datos que se dan:

R L = 10 
VZ = 4 V
I zmín = 10mA
I zmáx = 1A

VSmín − VZmín VZmín   V − VZ VZ

I Zmín = −   I Zmín = Smín −
R Smáx R Lmín   R Smáx RL
 → Se considera que V y R son constantes → 
VSmáx − VZmáx VZmáx  VSmáx − VZ VZ
Z L
= − I
I Zmáx Zmáx = −
R Smín R Lmáx   R Smín RL

R Smáx = 9,75 → I Zmín = 10mA e I Zmáx = 0,72A

Con los datos del enunciado →   → cumple las condiciones
R
 Smín = 7,85 → I Zmín = 100mA e I Zmáx = 1A 

Finalmente se elige una resistencia de polarización con un valor intermedio → R S = 8

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Circuitos recortadores y circuitos fijadores de nivel

Los circuitos recortadores, también denominados limitadores de amplitud, se utilizan para
eliminar la parte de la señal que se encuentra por encima, o por debajo, de un cierto
nivel de referencia.

Circuitos recortadores. a) Con diodos y fuentes de tensión. b) Con diodos zener. c) Forma de onda
de salida. Para el circuito a)
Para el circuito b)
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El diodo como elemento de protección

La máxima tensión que se puede aplicar a la entrada de muchos CI está limitada a unos
pocos voltios. Por tanto, hay que limitar la tensión máxima en la entrada del circuito.
Una forma de conseguirlo es colocando en su entrada un recortador de tensión
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El diodo como elemento de protección

Otra aplicación del diodo como elemento de protección es frecuente en

circuitos con cargas inductivas
Si no existiera el diodo, al abrirse el interruptor
se generaría una tensión muy elevada y
negativa en bornes de la bobina, puesto que:

que provocaría un arco voltaico entre los

El diodo como elemento de protección
terminales del interruptor para mantener la
en circuitos inductivos corriente a través de ella. La repetición de esta
chispa acabaría dañando el interruptor.

El diodo se conecta para proteger al interruptor.

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Ejercicio:
En la figura 1 se muestra un circuito con un diodo. Si la curva característica ideal del diodo es la que se muestra en la figura 2
hallar el punto de trabajo Q del diodo, es decir la tensión VD y la corriente ID cuando está en reposo.

Circuito equivalente utilizando Thevenin

 20V 40
Tensión de Thevenin (salida en circuito abierto) → VAB = VTH =  20 = V
 10 + 20 3

Re sistencia Thevenin (fuentes de tensión independientes en cortocircuito) → R = 50 


TH
3

3 4
recta de carga → I D = − VD +
50 5 I DQ  850mA

VDQ  0,811V
ecuación de la recta → I D = 7,6VD − 5,32
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Ejercicio:
En la figura 1 se muestra un circuito limitador con diodos. Si la curva característica ideal del diodo es la que se muestra en la figura 2
dibujar la forma de onda en Vo (t) indicando las tensiones relevantes.
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Ejercicio:
Encontrar la función de transferencia Vo(t)=f(Vi(t) del circuito con diodo que se observa con el modelo ideal del diodo que se propone.

El circuito con el modelo del diodo propuesto quedaría:

D no conduce mientras Vi ( t )  10,7V → I D = 0A → Vo ( t ) = Vi ( t )

Vi ( t ) − 10,7V 
ID (t) = 
D conduce cuando Vi ( t )  10,7V → 110  → Vo ( t ) = 0,1Vi ( t ) + 9,63
Vo ( t ) = Vi ( t ) − 100I D ( t )