Вы находитесь на странице: 1из 50

0712917

И ИНТЕГРАЛ
l = _ l l l l НАУЧНО-ПРОИЗВОДСТВЕННОЕ ОБЬЕДИНЕНИЕ

Полупроводниковые приборы
и интегральные микросхемы
Краткий каталог

УП "Завод Транзистор"

г. Минск
2007 г.
СИСТЕМА МЕНЕДЖМЕНТА КАЧЕСТВА ПРОЕКТИРОВАНИЯ, РАЗРАБОТКИ И ПРОИЗВОДСТВА ДИСКРЕТНЫХ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ СООТВЕТСТВУЕТ ТРЕБОгШШЯМ
СТБ ИСО 9001-2001 Таблица 1. Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации

Обозначение Единица
IL7660CN КМОП преобразователь напряжения питания Параметр Значение
измерения
Напряжение питания V+ д о +10,5 В
АЛКБ.43132О.074ТУ
КМОП преобразователь напряжения питания из положительного в V+ < 5,5В о т - 0,3 до V+ + 0,3 В
отрицательное. Входному диапазону от +1Т5В до + I 0 B соответствует Входное напряжение выводов LV и OSC от V + - 5 , 5 f l O
V+ > 5,5В В
выходное от - 1,5В до - 10В. V+ + 0,3
*Изготавливаются в корпусе SO-8 и DIP-8 Ток через вывод LV V+ > 3,5В 20 мкА
Рабочий температурный диапазон ТА от 0 до +70 "С
Особенности
Тепловое сопротивление RCJJA 150 "С/Вт
Простое преобразование логического Максимальный температурный диапазон
TsTG от-65 до+150 "С
напряжения + 5В в ± 5В хранения
Простое умножение напряжения (VOUT •= (-) n*VIN)
Типовая эффективность преобразования
напряжения 99,9% Таблица 2. Основные электрические параметры микросхем
Типовая эффективность преобразования
Параметр Режим Обозна­ IL7660 Ед.
мощности 9 8 %
чение Мин Тип Макс изм
Диапазон рабочего напряжения питания от
+ 1,5В до + ЮВ Ток потребления RL= m 1+ - 170 500 мкА
ИМС проста в использовании - требует всего Диапазон низкого
два внешних пассивных элемента напряжения питания
0-С S Т А £ 70°С, R L =10kn, LV к GND Vu+ 1.5 - 3.5 В

Диапазон высокого
Вывод Назначение Обозначение Вывод Назначение Обозначение напряжения питания 0°С 5 Т А < 70°С. R L =10kn, LV в обрыве VH+ 3 - 10 В
1 Не используется NC 5 Выходное напряжение Vour
Положительная обкладка Низкое напряжение Выходное
1оит= 2 0 m A T A = 25°С - 55 100 Ом
2
конденсатора
САР+ 6
питания
LV сопротивление !оит= 20mA, 0°С £ Т д S 70°С ROUT - - 120 Ом

3 Земля GND 7 Генератор OSC


V+ = 2В, loi/r=3mA, LV к GND , 0°С S T A S 70°С - - 300 Ом

Отрицательная обкладка
Частота генератора fosc - 10 - кГц

4 СДР- 8 Напряжение питания V+ Эффективность


конденсатора преобразования по R L =5kO PEF 95 98 - %
мощности
Эффективность
I I I
Преобразователь
преобразования по
напряжению
R L =» VoUTEF 97 99.9 - %
RC-генератор • 2 уровня
V+ = 2V
напряжения р- Импеданс
Zosc - 1.0
- МОм
1 генератора V+ = 5V - 100 - кОм

CSC LV

ЧЕ- Е
ftl
I—в га (1.7860 2
Регулятор Логическая «OUT*
напряжения схема . ГГ IL7660
т_
°2 (2V-.) - (2V<:)

L
Рисунок 1. Блок схема
-Е Т
Описание работы микросхемы
IL7660CN - источник питания, обладающий уникальными преимуществами перед ранее доступными ИМС.
IL7660CN преобразует напряжение питания из положительного в отрицательное. Входному диапазону от -г 1,5В до Схема применения: простой преобразователь Схема применения: удвоение
-НОВ соответствует выходное от -1,5В до - 10В. Для работы микросхемы нужны всего две внешние емкости. Также положительного напряжения в отрицательное удвоение положительного напряжения
ИМС 1L7660CN может быть использована как удвоитель выходного напряжения. При этом входному напряжению
НОВ будет соответствовать выходное напряжение более + 18,6В.
IL7660CN содержит последовательный стабилизатор постоянного напряжения, RC генератор, преобразователь
уровня напряжения, четыре выходных мощных М О П переключателя. Уникальный логический элемент чувствует
отрицательное напряжение на устройстве и обеспечивает, отсутствие прямого смещения на переходе исток- 220108, г. Минск, ул. Корженевского, 16, УП "Завод ТРАНЗИСТОР"
подложка выходного N-каналыюго транзистора. Это гарантирует защиту от защелкивания
Без нагрузки и при напряжении питания 5.0В генератор настроен на частоту ЮкГц. Эта частота может быть Отдел маркетинга: тел./факс (10-37517)212-59-32
уменьшена подключением емкости к выводу "OSC". Также генератор может использовать внешнюю E-mail: market@transistor.com.by; http://www.transistor.by
синхронизацию.
Вывод " L V может быть заземлен для шунтирования внутреннего регулятора напряжения и обеспечения работы
ИМС на низком напряжении питания. Для напряжения петания от 3.5В до 10В вывод " L V " не подключать (для
зашиты от защелкивания).
Прайс-лист на изделия УП «Завод Транзистор» г. Минск с 01.09.2007г. без учета НДС
Наименование продукции Руб. РФ Наименование продукции Руб. РФ Наименование продукции Руб. РФ
КР142ЕН5А 3,18 КР537РУ13 20,27 КА1835РЕ1* 8,81
КР142ЕН8Б 3,18 КР537РУ14А* 8,81 КР1835РЕ2* 25,16
78FXX 1,57 КР537РУ25А 33,40 КР1835РЕ2Б* 21,38
7805AC(Dpak) 1,66 КР537РУ25Б 28,40 КР1858ВМЗ 24,39
7805C(Dpak) 1,58 КР588ВА1 20,27 СТ7071* 3,77
КР1180ЕНХХА(78ХХАС) 3,00 КР588ВА4* 18,96 ВТ8028 1,10
КР1180ЕНХХБ(78ХХС) 2,75 КР588ВП* 10,06 ВТ 300-800 (КУ405Б) 7,85
КР1180ЕНХХВ(78ХХВ) 3,00 КР588ВГ2* 7,55 ВТ 300-600 (КУ405А) 7,38
КР1179ЕНХХА(79ХХАС) 3,00 КР588ВР2* 10,06 ВТА 208-800 (КУ613Б) 8,56
КР1179ЕНХХБ(79ХХС) 2,75 КР588ВР2А* 10,06 ВТА 208-600 (КУ613А) 8,06
КР1179ЕНХХВ(79ХХВ) 3,00 КА588ВС2А* 5,03 КВС111А2* 0,88
KP1181EHXXA(78LXXAC) 0,74 КР588ВС2А* 12,58 KB 109 А* 0,63
КР1199EHXXA(79LXXAC) 0,74 КР588ВС2Б* 12,58 КВ109Б* 0,63
7808С* 2,10 КР588ВС1В 27,05 КВ109Г* 0,44
7806С* 2,10 КР588ВТ1* 11,32 KB109B* 0,63
МА7908* 1,79 КР588ВУ1А 31,80 КВ109В5* 0,31
K1033Ey25T(SO-8) 7,86 КА588ВУ2А-0001* 3,77 КВ109Г5* 0,31
IL1084-XX(K1282) 9,80 КА588ВУ2А-0002* 3,77 КВ109Г5* 0,31
1L317L(K1285) 1,15 КА588ВУ2А-0003* 3,77 КВ109ВГ* 0,63
К1234ЕНЗАЩ1Ы086) 6,01 КА588ВУ2А-0004* 3,77 КВ109ВГ5* 0,38
K1242EPlAT(SO-8) 6,78 КА588ВУ2А-0005* 3,77 КВ121АГ* 0,69
К1242ЕР1АП (2%)TL431C 0,51 КР588ВУ2А-0001* 11,32 КВ121АТ* 0,75
К1242ЕР1БП(1%) 0,76 КР588ВУ2А-0002* 11,32 КВ122А9* 0,88
TL431AC КР588ВУ2А-0003* 11,32 КВ122АГ9* 0,94
К1242ЕР1ВП(0,5%) 0,81 КР588ВУ2А-0004* 11,32 КВ122ВГ9* 0,94
TL431L КР588ВУ2А-0005* 11,32 KB 122 AT* 0,75
К1242ЕР1ГП(2%) 0,75 КР588ВУ2А-0006* 11,32 КВ122В9* 0,75
К1242ЕР1ДП(1%) 0,87 КР588ВУ2А-0007* 11,32 KB 122B* 0,57
К1242ЕР1ЕП(0,5%) 0,95 КР588ВУ2Б-0001* 11,32 КВ131А2* 0.93
К1249ЕР1ЩДОТ-85) 24,80 КР588ВУ2Б-0002* 11,32 КВ131АТ2* 1,07
К1274СП-ХХ (К1А 70ХХ) 1,71 КР588ВУ2Б-0003* 11,32 КВ131АР2* 1,07
КЕ703 (ТВИНС)** 20,80 КР588ВУ2Б-0004* 11,32 KB 134 ATI* 0,82
AMS1117A-XX(TO-220) 4,38 КР588ВУ2Б-0005* 11,32 KB152A* 0,88
AMS1117A-XX(TO-126) 1,76 КР588ВУ2Б-0006* 11,32 KB153A9* 1,01
AMS1117A-XX(TO-92) 1,22 КР588ВУ2Б-0007* 11,32 КВ153Б9* 0,88
AMS1117A-XX(D-PAK) 2,26 КР588ИР1* 13,84 КВ153БП9* 0,88
TL432 1,П КА1004ХЛ20-4* 5,03 КВ153БТ9* 0,94
1L2931AZ-5 1,32 КР1087ЕУ1* 4,65 КД130АС 0,59
IL2931AZ-9 1,32 IL3842 5,58 КД130АС1 0,59
IL2931Z-3.3 1,18 IL3843 5,58 4SKM003* 3,40
1L2931Z-5 1,18 КР1568КН1* 2,39 4SKM0031* 3,52
IL2931Z-9 1,18 IL9005N* 2,52 4SKM004* 4,74
К1235ЕНЗБП 1,32 КА1574ХМ1-002* 2,09 4SKM202* 3,72
(IL2931AZ-3,3) КР1575ХМ1-002* 19,18 4SKM2021* 3,90
КА512ВИ1* 3,77 19,18
КР1575ХМ1-003* Kfl,IJJ2104(SB540) 40,65
КР512ВИ1* 12,58 36,77
КР1823ВГ2 КДШ2114БС9(02РАК) 6,67
КА512ПС13А* 0,50 16,45 6,84
КР1823ХЛ1* КДШ2963АС
КР512ПС6* 2,77
КР1823ХЛ2* 16,45 КДШ2964А 6,88
КР512ПС10 9,77 3,77 7,07
КА1835ВГ1* КДШ2964Б
КР512ПС12 14,07 3,14
КА1835ВГ2* КДШ2965А 7,76
КР537РУЗА* 5,03 2,52
КА1835ВГЗ* КДШ2965Б 7,56
КА537РУ10* 1,26 2,52
КА1835ВГ4* КДШ2966А 13,61
КР537РУ10 24,20 37,50 7,62
КА1835ИД1 КДШ2968АС
КР537РУ10Б 20,27 45,00
КР1835ИД1 КДШ2968БС 8,15
*- изделия, имеющие офаниченный спрос и хранящиеся на СГИ более 1 года.
** - изделия, находящиеся в процессе освоения и отработки технологии изготовления
Прайс-лист на изделия УП «Завод Транзистор» г. Минск с 01.09.2007г. без учета НДС I
Наименование продукции Руб. РФ Наименование продукции Руб. РФ
KT209A* Наименование продукции
0,26 KT3I5B1 0,58
КТ209Б* КТ6109Б 0,55
0,26 КТ315Г1 0,58 КТ6109В
КТ209Б1* 0,20 0,55
КТ315Д1 0,56 КТ6109Г
KT209B 0,55 0,60
КТ315Е1* 0,57 КТ6109Д
КТ209Г 0,56 КТ315Ж1 0,60
КТ209Д 0,49 КТ6110А
0.56 КТ315И1 0,55

Прайс-лист не [ изделия УП «Завод Транзистор» г. Минск с 01.09.2007г. без учета НДС


Наименование продукции Руб. РФ Наименование продукции Руб. РФ Наименование продукции Руб. РФ
КТ732А 10,90 КТ818Б 4,43 КТ872А1 ISO WAT 20,20
КТ733А 10,90 КТ818В 4,94 КТ872Б1 ISO WAT 17,00
КТ738А 9,00 КТ818Г 5,50 КТ872Г1 ISOWAT* 11,69
КТ739А 9,00 КТ819А 4,30 KT913A 148,65
КТ805АМ 5,30 КТ819Б* 2,39 КТ913Б 164,22
КТ805БМ 4,92 КТ819В 4,94 KT913B 178,41
КТ805ВМ 4,92 КТ819Г 5,50 KT916A 150,16
КТ805ИМ 6,27 КТ8212А 4,97 КТ916Б 134,59
КТ8115А 5,74 КТ8212Б 4,67 KT918A-2 7,08
КТ8115Б 4,88 КТ8212В 4,47 КТ918Б-2 5,62
КТ8115В 4,47 КТ8213А 4,97 KT928A* 11,32
КТ8116А 5,74 КТ8213Б 4,67 КТ928Б* 12,58
КТ8116Б 4,88 КТ8213В 4,47 КТ938Б-2* 62,89
КТ8116В 4,47 КТ8214А 4,38 KT939A 192,58
КТ8126А 11,13 КТ8214Б 4,79 KT939A1 54,21
КТ8126Б* 7,55 КТ8214В 5,64 КТ939Б 157,54
КТ814А 1,31 КТ8215А 4,38 KT940A 1,31
КТ814Б 1,31 КТ8215Б 4,79 КТ940Б 1,06
КТ814В 1,38 КТ8215В 5,64 KT940B* 0,64
КТ814Г 1,40 КТ8224А 17,60 KT961A 1,45
КТ815А* 0,83 КТ8224Б 17.60 КТ961Б* 1,26
КТ815Б 1,31 КТ8225А 18,20 KT961B 1,32
КТ815В 1,38 КТ8225Б 17,00 KT969A 1,33
КТ815Г 1,40 КТ8228А 19,85 KT972A 1,98
КТ8156А 7,37 КТ8228Б 19,00 КТ972Б 1,75
КТ8156Б* 6,20 КТ8229А 12,70 КТ972Г 2,10
КТ8156Б ВОЛНА* 6,00 КТ8230А 12,70 KT973A 1,98
КТ8158А 9,75 КТ8247А 7,25 КТ973Б 1,75
КТ8158Б 11,05 КТ8247Б 6,57
КТ8158В 13,20 КТ8248А 11,85
КТ8159А 9,75 КТ8251А 13,45
КТ8159Б 11,05 КТ8261 3,72
КТ8159В 13,20 КТ8271 1,31
КТ816А 1,31 КТ8272 1,31
КТ816Б 1,31 КТ8296А (KSD882) 1,34
КТ816В 1,38 КТ8297А (KSB772) 1,34
КТ816Г 1,40 КТ837А 4,82
КТ8164А 6,12 КТ837Б 4,82
КТ8164Б 5,50 КТ837В 4,82
КТ8164БЭНЭФ 5,50 КТ837Г 4,82
КТ817А 1,31 КТ837Д 4,82
КТ817Б 1,31 КТ837Е 4,82
КТ817В 1,38 КТ837И 4,82
КТ817Г 1,40 КТ837К 4,82
КТ817ГМПОВТ 1,40 КТ837Н 4,82
КТ8170А1* 2,10 КТ837Т 4,82
КТ8170Б1* 2,10 КТ837У 4,82
КТ8176А 4,27 КТ837Ф 5,17
СПЕЦПРЕДЛОЖЕНИЕ
октябрь 2007

транзисторы полевые
КП504В* 105 803 2001 116 150 1,20
Kn723AM(IRFZ44E)* 119 407 2003 66 089 6,90
КП723В* 119 405 2001 728 5,66
КП731Б* 106 902 2000 1 515 4,20
КП737Г* 104 605 2002, 2004 32 658 5,69
КП740Б* 105 402 2002 1 779 4,33
КП745А* 104 901 2002 13 924 6,20
КП745Б* 104 902 1999,2001 3 763 4,50
КП745Г* 104 904 2001,2004 2 121 7,21
КП746Б* 105 002 1999,2001 3414 5,90
КП746В* 105 003 1999 10 268 6,00
КП748Б* 106 802 2000 7 171 3,76
КП749В* 107 206 1999 1 573 4,78
КП750В* 106 003 2002 1 853 8,18
КП750Б* 106 002 1999 2 257 7,55
КП752В* 107 303 1999 877 4,50
КП752Б* 107 302 1999 2 272 4,40
КП753В* 107 403 1999 4 163 4,50
КП753Б* 107 402 2002 2 869 4,40
КП771Б* 106 104 1999,2000 3 343 13,96
КП776Б* 102 402 2002 167 6,00
КП776Г* 102 403 2006 207 8,00
КП777Б* 108 802 2002 2 241 6,00
КП780А* 108 401 2001 1 974 5,00
КП780Б* 108 402 2001 1 288 4,00
IRF510(Kn743A)* 206 701 1998 4 931 5,20
IRF511 (КП743Б)* 206 702 1998 131 2,60
IRF531(Kn745B)* 219 448 1996 8 650 4,50
IRF541*(Kn746B) 205 006 1999 114 5,90
IRF722(Kn751B)* 206 604 1999 1423 4,50
IRFP048* 105 207 2002 333 10,84
IRFZ14(Kn739A)* 219 456 1997 18 576 2,60
IRFZ25 (КП740В)* 205 403 1999 1 468 2,60
IRFZ45(Kn723B)* 219 420 1996 10 443 5,10
IRL530 (КП745Г)* 204 907 1998 250 6,29
транзисторы биполярные
KT209A* 115 501 2002 10 450 0,26
КТ209Б* 115 502 1999 473 880 0,26
КТ209Б1* 115 508 1994 284 643 0,20
KT3102KM* 115 609 2000 70 746 0,35
КТ3107Д* 115 305 1995,2001 9 934 0,36
KT3126A* 113411 1995 234 832 0,20
KT3127A* 113001 1996 14 022 0,31
KT3128A* 113 301 1996 63 968 0,31
КТ3130Ж9* 117 707 2001 44 800 0,25
KT361A2* 115401 2002 13415 0,38
KT361A3* 115413 1997 202 0,30
КТ361Д2* 115405 1995 193 690 0,25
КТ361Ж2* 115 407 1999 10 670 0,25
КТ361И2* 115408 2000 3 159 0,36
KT361K2* 115 409 1995 70 312 0,25
KT384AM-2* 110 902 1998 33 707 5,03
KT385A-2* 111 001 1992 8 670 5,03
KT385AM-2* 111 014 1992 5 050 4,40
КР588ВУ2Б-0005* 134 033 1992 808 11,32
КР588ВУ2Б-0006* 134 034 1993 627 11,32
КР588ВУ2Б-0007* 134 035 1995 362 11,32
КР588ИРГ 134 308 1995 12 342 13,84
СТ7071* 128 201 2004 5 157 3,77

изделия, хранящиеся на складе более года.

кс

УП "Завод Транзистор"
220108, Республика Беларусь,
г.Минск, ул. Корженевского, 16

управление сбыта
тел+375 (17) 278-26-36
факс+375 (17) 278-19-15

отдел маркетинга
тел/факс +375 (17) 212-59-32

E-mail: market@transistor.bv
http://www.transistor.by

Страница 4 из 4
КТ385БМ-2* 111 015 1994 4 872 4,65
КТ521Б* 107 702 1999 15 345 0,39
КТ607А-4* 111 103 1993 2 063 40,45
КТ610Б* 110 604 1993 17 001 18,75
КТ6114В* 116 903 2004 41 218 0,43
КТ6114Г 116 904 2003 103 800 0,30
КТ6115Г 116 804 2003 68 250 0,30
КТ6116Б* 118 102 2001 13 850 0,39
КТ624А-2* 111 201 1992 672 5,03
КТ624АМ-2* 111 203 1993 271 7,55
КТ625А-2* 111 301 1992 5 896 3,77
КТ625АМ-2* 111 307 1991 20 310 5,03
КТ646В ВМ* 112 908 1992 46 483 0,35
КТ646В* 112 912 1992 1 819 0,38
КТ8126Б* 106 502 2005 4219 7,55
КТ8156Б ВОЛНА* 119 103 2001 22 884 6,00
КТ8156Б* 119 102 2001 3 485 6,20
КТ815А* 116 202 2001 30 019 0,83
КТ8170А1* 104 702 2004 74 636 2,10
КТ8170Б1* 104 701 2005 1 022 2,10
КТ819Б* 119 302 1999 41 150 2,39
КТ837Х 119913 2002 13 104 3,80
КТ872В* 119 003 2004 278 8,20
КТ872Г1 ISOWAT* 119013 2002 1 722 11,69
КТ872Д* 119 005 1999 2 875 5,00
КТ928А* 111 701 1993 5 484 11,32
КТ928Б* 111 702 1995 11 695 12,58
КТ938Б-2* 112 505 1993 122 62,89
КТ940В* 110403 1999 26 412 0,64
КТ961Б* 103 102 2006 26 570 1,26
IL9005N* 128 304 2002 63 493 2,52
ВС337-40* 213116 2002, 2003 173 221 0,31
диоды, варикапы
КВ109Г5* 100 301 1994 1 382 0,31
4SKM003* 122 601 2001 803 3,40
4SKM0031* 122 602 2001 293 3,52
4SKM004* 122 901 2001 1 678 4,74
4SKM202* 122 701 2001 432 3,72
4SKM2021* 122 702 2001 165 3,90
КВ109В* 100 304 2000 20 254 0,63
КВ109А* 100 328 2004 3 990 0,63
КВ109Б* 100 327 2004 51 820 0,63
КВ109В5* 100 312 1994 49 720 0,31
КВ109ВГ* 100 324 1996 124 920 0,63
КВ109ВГ5* 100 302 1994 68 574 0,38
КВ109Г* 100 325 1994 86 582 0,44
КВ109Г5* 100 313 1994 31 650 0,31
КВ121АГ 100 512 2000 3 844 0,69
КВ121АТ* 100 514 2003 19 902 0,75
КВ122А9* 100 416 2001 64 258 0,88
КВ122АГ9* 100417 2001 13 490 0,94
КВ122АТ* 100410 2001 5 010 0,75
КВ122В* 100 421 1994 3 955 0,57
КВ122В9* 100 419 1994 88 900 0,75
КВ122ВГ9* 100 409 1994 79 496 0,94
КВ131А2* 101 104 1999 4 430 0,93
КВ131АР2* 101 106 2003 5 744 1,07
КВ131АТ2* 101 101 2001 133 573 1,07
КВ134АТ1* 100 602 1996 75 249 0,82
КВ153А9* 101 801 2002 328 1,01
КВ153Б9* 101 804 2002 13 395 0,88
КВ153БП9* 101 806 1995 160 0,88
КВ153БТ9* 101 805 1994 449 0,94
КВС111А2* 101 006 2001 93 092 0,88
КД670* 161 001 2003 390 16,73
КД907Б-1* 120 011 2004 24 5,66
КД907Г-1* 120 012 2000 9 682 8,18
КД917А* 120 201 1994 727 18,87
КД918Б-Г 120 309 1991 20 697 5,03
КД918Г-1* 120 310 1991 17 731 6,29
микросхемы
7806С* 127 984 2006 71 165 2,10
7808С* 229 787 2004 84 796 2,10
МА7908* 227 847 1996 50 930 1,79
КР1087ЕУ1* 128 103 2002,2004 20 355 4,65
КР1568КН1* 128 301 2001 41 880 2,39
КА1004ХЛ20* 148 405 1993 1 696 5,03
КА1835ВГ1* 148 905 1993 389 3,77
КА1835ВГ2* 148 906 1993 319 3,14
КА1835ВГЗ* 149 105 1993 491 2,52
КА1835ВГ4* 149 106 1993 254 2,52
КА1835РЕ1* 148 710 1991 305 8,81
КА512ВИ1* 137 810 1991 440 3,77
КА512ПС13А* 164 301 1995 76 640 0,50
КА537РУ10* 150410 1995 5 854 1,26
КА588ВС2А* 134 130 1993 700 5,03
КА588ВУ2А-000Г 134 061 1991 797 3,77
КА588ВУ2А-0002* 134 062 1991 597 3,77
КА588ВУ2А-0003* 134 063 1991 647 3,77
КА588ВУ2А-0004* 134 064 1991 497 3,77
КА588ВУ2А-0005* 134 065 1991 197 3,77
КР1575ХМ1-002* 162 401 2004, 2005 1 563 19,18
КР1575ХМ1-003* 162 501 1998 1 623 19,18
КР1823ХЛ1* 155 501 2002 2 667 16,45
КР1823ХЛ2* 154 801 2001 2 716 16,45
КР1835РЕ2* 163 101 1991 489 25,16
КР1835РЕ2Б* 163 106 1992 301 21,38
КР512ВИ1* 137 803 2002 4 490 12,58
КР512ПС6* 134 906 1994 2 838 2,77
КР537РУ14А* 150 305 1992 6 532 8,81
КР537РУЗА* 140415 1995 5 364 5,03
КР588ВА4* 150 910 1994 2 346 18,96
КР588ВГГ 134 205 1993 2 284 10,06
КР588ВГ2* 134 510 1995 2 315 7,55
КР588ВР2* 140 904 1996 4 279 10,06
КР588ВР2А* 140 907 1992 568 10,06
КР588ВС2А* 134 105 1994 672 12,58
КР588ВС2Б* 134 106 1994 1 074 12,58
КР588ВТ1* 134 610 1996 1 948 11,32
КР588ВУ2А-000Г 134 041 1993 621 11,32
КР588ВУ2А-0002* 134 042 1993 434 11,32
КР588ВУ2А-0003* 134 043 1993 819 11,32
КР588ВУ2А-0004* 134 044 1993 640 11,32
КР588ВУ2А-0005* 134 045 1993 858 11,32
КР588ВУ2А-0006* 134 046 1992 488 11,32
КР588ВУ2А-0007* 134 047 1991 1 024 11,32
КР588ВУ2Б-0001* 134 029 1993 648 11,32
КР588ВУ2Б-0002* 134 030 1993 242 11,32
КР588ВУ2Б-0003* 134 031 1993 534 11,32
КР588ВУ2Б-0004* 134 032 1993 601 11.32

Страница 3 из 4
СИСТЕМА КАЧЕСТВА ПРОИЗВОДСТВА ДИСКРЕТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
И ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ СООТВЕТСТВУЕТ ТРЕБОВАНИЯМ СТБ ИСО 9001-2001

КОНТРОЛЛЕР ПОСТОЯННОГО НАПРЯЖЕНИЯ И


IL1051 AT ПОСТОЯННОГО ТОКА ДЛЯ ЗАРЯДНЫХ УСТРОЙСТВ
Обеспечивает надёжную работу электронного оборудования при включении питания
или при кратковременных сбоях напряжения питания, увеличивает срок использования
аккумуляторных батарей в средствах мобильной связи и компьютерных системах благодаря
точности отслеживания их состояния.

СТРУКТУРНАЯ СХЕМА SOT23-6

1С Vctrl Vcc ^€

Grid" Vsensc П 5MNHJ


~^z>
Out ictrl SOT23-6

Обозначение Номер
Назначение вывода микросхемы
вывода вывода
Vctrl 01 Инвертирующий вход 1-го операционного усилителя
GND 02 Общий
Out 03 Выход
Ictrl 04 Выход делителя напряжения
Vsense 05 Инвертирующий вход 2-го операционного усилителя
Vcc 06 Напряжение питания

ПРЕДЕЛЬНО-ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ
ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ РЕЖИМОВ ЭКСПЛУАТАЦИИ

Постоянное напряжение питания 14В


Входное напряжение -0,3 до Vcc
Температура перехода 150°С
Рабочая температура среды от 0°С до 85°С
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕП•РЫ МИКРОСХЕМЫ (ТА=25°С, Vcc=5B если другое не оговорено)
Нор мы
Елинииа
Наименование Обозна­ Режим
измере­
параметра чение измерения
ния Не менее Не более

V cc от 2,5В до 14В;
Ток потребления Ice мА 2,0
ТА=0°С-85°С
1,198 1,222 V cc от 2,5В до 12В
Опорное напряжение на
выходе
vref В V cc от 2,5В до 12В;
1,186 1,234
ТА=0°С-85°С
Выходной ток делителя при 10 30
напряжении на выводе lctri - lod мкА
200mV 8 60 ТА=0°С- 85°С
Выходное напряжение
VOL мкА 220 ТА=0°С- 85°С
низкого уровня
СИСТЕМА МЕНЕДЖМЕНТА КАЧЕСТВА ПРОЕКТИРОВАНИЯ. РАЗРАБОТКИ И ПРОИЗВОДСТВА
ДИСКРЕТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
СООТВЕТСТВУЕТ ТРЕБОВАНИЯМ СТБ ИСО 9001-2001

КП5ПА.Б КРЕМНИЕВЫЕ ЭПИТАКСИАЛЬНО ПЛАНАРНЫЕ


ТРАНЗИСТОРЫ С ИЗОЛИРОВАНЫМ ЗАТВОРОМ

АДБК 4 3 2 1 4 0 . 1 1 1 ТУ
ПРЕДНАЗАНАЧЕНЫ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ВЫСОКОВОЛЬНЫХ ДРАЙ­
ВЕРАХ, БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯХ НАПРЯЖЕНИЯ,
ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ АНАЛОГОВЫХ СХЕМАХ И ТЕЛЕКОММУНИКАЦИОН­
НЫХ СИСТЕМАХ.
• Зарубежный а н а л о г - KII511A-TN0535
КП511Б-ТШ)540
* Изготавливается в к о р п у с е КТ-26 (ТО-92).

1 - Исток 2 - Сток 3 - Затвор

ПРЕДЕЛЬНО-ДОПУСТИМЫЕ РЕЖИМЫ ЭКСПЛУАТАЦИИ


Параметры Обозначение Ед. изм Значение
Напряжение сток-исток UCH max В
КП511А 350
КП511Б 400
Напряжение затвор-исток 11зи max В ±20
Постоянный ток стока lc max А 0,14
Импульсный ток стока 1с и max А 0,75
Рассеиваемая мощность Ртах Вт 0,75
Температура перехода Тпер °С 150

ОСНОВНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ П А Р А М Е Т Р Ы (Токр.ср .=25°С)


Параметры Обозначение Ед.изме Режимы измерения Min Max
- рения
Пороговое напряжение 1)зи пор В 1с=1мА, изи=иси 0.8 2.0
Ы<300мкс. Q >50
Сопротивление сток-исток в от­ Ren отк Ом tn<300MKC. Q >50
крытом состоянии
КП511А.Б 1с=100мА, изи=4,5В - 22
КП511А.Б 1с=150мА, изи=10В 22
Остаточный ток стока ICOCT мкА UCH=UCH max, 1)зи=0 - 10
Ток утечки затвора 1з ут нА
иси=0, 1)зи= ±20В . 100
Крутизна ВАХ S А/В tn<300MKC Q >50
U C H = 2 5 B , 1с=100мА 0,125
Прямое напряжение на диоде Unp В Ы<300мкс. Q >50
изи=0, 1с=-150мА 1,2
Время включения * tBWl НС lc= 250мА
Ucn=25B, Rr=25 Ом 16
Время выключения * tBbllOl НС 1с=250мА
Ucn=25B, Rr=25 Ом 17
Входная емкость * Сци пФ U3H=0,Ucn=25B,f=1Mru - 60
Выходная емкость * С22и пФ U3H=0,Ucn=25B,f=1Mrq - 15
Проходная емкость * С^и пФ U3H=0,Ucn=25B,f=1Mrq - 8
Справочные параметры

220108, г.Минск, ул. Корженевского, 16, УП "Завод ТРАНЗИСТОР"


Отдел маркетинга: тел./факс (10-37517) 212-59-32
E-mail: market@transistor.com.by; http://www.transistor.by
СИСТЕМА МЕНЕДЖМЕНТА КАЧЕСТВА ПРОЕКТИРОВАНИЯ, РАЗРАБОТКИ И ПРОИЗВОДСТВА ДИСКРЕТНЫХ ПОЛПРО-
ВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ СООТВЕТСТВУЕТ ТРЕБОВАНИЯМ СТБ ИСО 9001-2001

КП796А.Б.В I МОЩНЫЙ ВЕРТИКАЛЬНЫЙ Р-КАНАЛЬНЫИ

МОП ТРАНЗИСТОР
АДБК 432140.950 ТУ ,#•";

* Зарубежный а н а л о г - IRF9634

* И з г о т а в л и в а е т с я в корпусе КТ-28 (ТО-220). I2"

ПРЕДЕЛЬНО-ДОПУСТИМЫЕ РЕЖИМЫ ЭКСПЛУАТАЦИИ 1. Затвор


Параметры Обозначение Един, Предельные 2. Сток
значения 3. Исток
измер. А Б В
Напряжение сток-исток 1)си max В -250 -300 -200
Напряжение затвор-исток 1)зи max В ±20 ±20 ±20
Постоянный ток стока lc max А -4.1 -3,7 -4,1
Импульсный ток стока 1с и max А -16 -15 -16
Рассеиваемая мощность Ртах Вт 74 74 74
Прямой ток диода Inp. max А -4.1 -3,7 -4,1
Температура перехода Тпер °С 150 150 150

ОСНОВНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (Токр.ср =25°С)

Параметры Обозначение Ед. изме­ Режимы измерения Min Мах


рения
Пороговое напряжение 11зи пор В 1с=-250мкА, 11зи=иси -2.0 -4.0
Сопротивление сток-исток в от­ Ren отк Ом tn <300мкс. Q >50
крытом состоянии 1с=-2.5А,11зи=-10В
КП796А.В 1,0
КП796Б 1,4
Остаточный ток стока КП796А 1с ост мкА 11си=-250В,11зи=0 -25
КП796Б 11си=-300В,11зи=0 - -25
КП796В иси=-200В,11зи=0 -25
Ток утечки затвора 1з ут нА изи=±20В,иси=0 - 100
Крутизна В АХ S А/В tn <300мкс. Q >50
КП796А.В иси=-20В,1с=-4.1А 2,2
КП796Б иси=-30В,1с=-3.7А 2,2
Прямое напряжение диода Unp В Ы <300мкс. Q >50
КП796А.В 1с=-4.1А, 11зи=0 -6.5
КП796Б 1с=-3.7А -6,5
Время задержки включе­ 1зд.вкл/выкл НС tn <300мкс. Q >50
ния/выключения КП796А.В lc=-4.1A, Ucn=-130B
12/34
Rc=310M,Rr=120M
КП796Б lc=-3.7A
Тепловое сопротивление пере­ Rt п-к °С/Вт 1.7
ход-корпус

Входная емкость * Спи пФ изи=0,иси=-25В, - 1000


f=1MI~M
Выходная емкость * С-22И
пФ изи=0,иси=-25В, - 250
ММГц
Проходная емкость * С"12и пФ изи=0,иси=-25В, - 60
ММГц
Справочные параметры
220108, г.Минск, ул. КорженевскогоДб УП "Завод Транзистор"
Отдел маркетинга: т/ф (10-37517) 212-59-32
E-mail: market @ transistor.com.by; www.transistor.by
Содержание
1
О предприятии
Биполярные транзисторы
КТ209, КТ220, КТ3102, КТ3107, КТ3117, КТ3126, КТ3127, КТ3128, КТ3129, КТ3130, КТ3142, КТ315 2
КТ3153, КТ3157, КТ3189, КТ361, КТ368, КТ384, КТ385 3
КТ502, КТ503, КТ520, КТ521, КТ538, КТ607, КТ610, КТ6109, КТ6110 3
КТ6111, КТ6112, КТ6113, КТ6114, КТ6115, КТ6116, КТ6117, КТ6128, КТ6136 4
КТ6137, КТ624, КТ625, КТ634, КТ635, КТ637, КТ645, КТ646, КТ660, КЕ703 4
КТ732, КТ733, КТ738, КТ739, КТ742, КТ805, КТ8126, КТ814, КТ815, КТ816, КТ8164, КТ817 5
КТ8170, КТ8176, КТ8177.КТ818, КТ819, КТ8212, КТ8213, КТ8224, КТ 8228, КТ 8229, КТ8230, КТ8248 5
КТ8270, КТ8271, КТ8272, КТ8290, КТ8296, КТ8297, КТ8301, КТ837, КТ872 6
КТ913, КТ916, КТ918, КТ928, КТ938, КТ939, КТ940, КТ961, КТ969 6

Мощные биполярные транзисторы Дарлингтона


КТ8115, КТ8116, КТ8156, КТ8158, КТ8159, КТ8214, КТ8215, КТ8225, КТ8251, КТ972, КТ973 7

Биполярные транзисторы с интегральными антинасыщающими элементами


КТ8247, КТ8261 7

Биполярные транзисторы с демпфирующим диодом


и резистором в цепи эмиттер-база
КТ8224, КТ8228, КТ8248, КТ872 7
Однопереходные биполярные транзисторы
КТ132, КТ133 8

Маломощные n-канальные полевые транзисторы


КП214, КП501, КП502, КП503, КП504, КП505, КП509, КП511, КП523 8

Маломощные р-канальные полевые транзисторы


КП507, КП508 8

Мощные n-канальные полевые транзисторы


КП7129, КП7173, КП723 8
КП726, КП727, КП731, КП737, КП739, КП740, КП741, КП742, КП743.КП744 9
КП745, КП746, КП747, КП748, КП749, КП750, КП751, КП771, КП778, КП780 9
Мощные р-канальные полевые транзисторы
КП7128, КП784, КП785, КП796 Ю

Мощные n-канальные полевые транзисторы, управляемые


логическим уровнем напряжения
КП723Г, КП727В, КП737Г, КП744Г, КП745Г, КП746Г, КП750Г, КП775 10
Варикапы
10
КВ109, КВ121, КВ122, КВ131, КВ134, КВ153, КВ155

Варикапные матрицы
КВС111 11

СВЧ смесительные диоды


КД409 11

Мощные быстродействующие диоды и диодные матрицы


КД638, КД642, КД645, КД667, КД668, КД669, КД670 11
Импульсные диодные матрицы
КД130, КДС627, КДС628, КД629, КД704, КД907, КД908, КД917, КД918 11

Мощные выпрямительно-ограничительные диоды (диоды Зенера)


КД2972 12

Диоды Шоттки
КДШ2101, КДШ2102, КДШ2103, КДШ2104, КДШ2105, КДШ2114, КДШ2122, КДШ2952 12
КДШ2963, КДШ2964, КДШ2965, КДШ2966, КДШ2968, КДШ2970, КДШ297, КДШ298, КД643 12
Мощные тиристоры и триаки
КУ405. КУ713, КУ714, КУ613, КУ903, КУ904 13

Интегральные схемы
Таймеры
КР512ПС5, КР512ПС6, КР512ПС10, КА512ПС13, КР512ВИ1, КА512ВИ1 13
КМОП ОЗУ статического типа
КР537РУЗ, КР537РУ10, КР537РУ13, КР537РУ14. КР537РУ25 13

16-разрядный КМОП микропроцессорный комплект


Серии КР588, КА588, К588 14

ИС музыкального синтезатора
КБ1004ХЛ35-4 14
КМОП ИС для электронных часов
КА1004ХЛ20, КБ1004ХЛ20, КБ1004ХЛ28 14
МП БИС для автомобильной электроники
КР1823ВГ2, КР1823ХЛ1, КР1823ХЛ2 14
МП БИС для персональных ЭВМ
КА1835ИД1, КА1835РЕ1, КР1835РЕ2, КА1858ВМЗ, КР588РЕ1 14
Интегральные стабилизаторы напряжения
Серии КР142, КР1180, КР1179, КР1181, КР1199, К1261 15
К1283, К1285, К1291, К1294, К1234, К1235, К1267, К1268.К1280 15
К1282, К1289, IL2931, К1246, К1247, К1248, К1249, К1254 16
Генераторы мелодии
ВТ8028, ВТ8031 17
Источники опорного напряжения
Серия К1242, К142ЕР2ПИМ 17
Микросхемы вольт -детекторов
Серия 1274 17
ИС для телевидения
ЭКР1087ЕУ1, К1033ЕУ25, IL3842ANF, ЭКР1568, IL3842ANF, IL3844NF, IL3845NF, IL9005N 17
Изделия для телефонии
Серии К1482, К1574, К1575 18
Изделия спецназначения
Биполярные транзисторы
2Т3117, 2Т3133, 2Т3158, 2Т3160, 2Т331, 2Т378, 2Т384, 2Т385, 2Т607, 2Т610, 2Т624 18
2Т625, 2Т633, 2Т634, 2Т635, 2Т637, 2Т649, 2Т652, 2Т672, 2Т913, 2Т916, 2Т928, 2Т939 18

Биполярные высоковольтные транзисторы


2Т8224, 2Т828, 2Т839, 2Т845, 2Т847 19

IGBT транзисторы
2Е802 19
Мощные n-канальные полевые транзисторы
2П771.2П7145, 2П7172 19
Диоды Шоттки
2ДШ2121 19
Импульсные диодные матрицы
2ДС627, 2ДС628, 2Д907, 2Д908, 2Д917, 2Д918 19

Интегральные микросхемы
ТТЛ серии 133, 136, КМОП серия 1564, таймеры серии 512 20
КМОП ОЗУ статического типа
1617РУ13, 1617РУ14, 537РУЗ, 537РУ13, 537РУ14 21
16-разрядный КМОП микропроцессорный комплект
Серии Н588, 588, 1824, 1842 21
Однократно программируемые ПЗУ
M1623PT1, 1623РТ2 21
Стабилизаторы напряжения
Серии 1244, 1252, 1253, 1264 22

Источники опорного напряжения


Серии 142ЕР1, 142ЕР2 22
Фаундри-услуги 23
Корпуса 24
О предприятии
Унитарное предприятие «Завод Транзистор», входящее в состав научно-производственного
объединения «Интеграл», является крупным производителем разнообразных полупроводниковых
приборов.
В 2003 году исполнилось 35 лет со дня основания предприятия. За этот период УП «Завод
Транзистор» прошло путь становления, развития и превращения в современное предприятие по
производству изделий электронной техники, быстро и успешно реагирующее на изменение
конъюнктуры рынка.
Начав производственную деятельность с выпуска германиевых транзисторов, предприятие в
настоящее время производит несколько сотен типономиналов полупроводниковых приборов и
интегральных схем. Более 90% своей продукции завод поставляет на экспорт в страны дальнего
зарубежья (Китай, Тайвань, Южную Корею и др.) и Российскую Федерацию.
На предприятии внедрена организационная система, которая уже на стадии НИОКР позволяет
задействовать производственные подразделения, службы серийного конструкторского и
технологического сопровождения. Это дало возможность сократить сроки от начала разработки до
производства изделий с полутора лет до полугода. Благодаря такой организации, за последние годы
коллективу предприятия удалось на 90% обновить номенклатуру изделий, поставляемых на экспорт.
В настоящее время предприятие обладает основными базовыми технологиями:
• ДМОП-технология с 1,5 мкм проектными нормами изготовления вертикальных мощных МОП-
транзисторов с Ucn = 60.. .800 В;
• Эпитаксиально-планарная технология изготовления кремниевых полупроводниковых
приборов, в том числе мощных высоковольтных транзисторов с UK6 < 1500 В;
• КМОП-технология изготовления БИС, СБИС с 1,5 мкм проектными нормами и двухуровневой
разводкой;
• Биполярная эпитаксиальная технология изготовления интегральных схем с 1,5 мкм
проектными нормами и двухуровневой разводкой;
• Технология изготовления биполярных транзисторов с изолированным затвором;
• ДиодовШотткисимахдо200В.
Предприятие является одним из ведущих производителей дискретных полупроводниковых
приборов на территории СНГ. УП «Завод Транзистор» имеет замкнутый технологический цикл
производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем (начиная с резки
кремниевых слитков и заканчивая сборкой, измерением и испытаниями приборов).
Кристальное производство с объемом производства 330 тысяч пластин в год работает на
установках контактной фотопечати для изделий с проектными нормами >3 мкм и установках
проекционной печати с проектными нормами 1,5-2,0 мкм. Система поддержания параметров
технологического микроклимата позволяет обеспечить в общих производственных помещениях
класс чистоты 10 000 -1000, на рабочих местах 100-10.
Сборочное производство оснащено автоматизированными технологическими установками и
обладает технологией сборки в более чем в 20 типах корпусов: от мини-корпуса КТ-46А (SOT-23) до
64-выводных корпусов для герметизации СБИС.
В состав предприятия входят собственное заготовительное производство, энергетические
подразделения по подготовке энергоносителей и технологических сред, современное
инструментальное хозяйство, обеспечивающее проектирование и изготовление требуемых пресс-
форм и штампов.
Система менеджмента качества проектирования, разработки и производства дискретных
полупроводниковых приборов и интегральных микросхем соответствует требованиям СТБ ИСО
9001-2001.
Товарная номенклатура УП «Завод Транзистор» в настоящее время насчитывает более чем
500 типономиналов разнообразных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.

WWW.TRANSISTOR.BY
ТРАНЗИСТОРЫ

Биполярные транзисторы
Обозначение Прототип Поляр­ Рк UK6 U кэ изб |К п21е икэ 1кбо frp Кш Корпус
ность max max max max max нас Диапазон
раб.
Вт В В В мА В мкА МГц ДБ темпер.
КТ209А PNP 0,2 15 15 10 300 20-60 0,4 Ikar 5,0
КТ209Б 15 15 10 40 120 50
КТ209Б1 15 15 5,0 >12
КТ209В 15 15 10 80-240
КТ209В1 15 15 10 >30
КТ209Г 30 30 10 20+60
КТ209Д 30 30 10 40-120 КТ-26
КТ209Е 30 30 10 80-240 -45+100°С
КТ209Ж 45 45 20 2060
КТ209И 45 45 20 40-120
КТ209К 45 45 20 80-160
КТ209Л 60 60 20 20-60
КТ209М 60 60 20 40120
КТ220А9 KSC1623 NPN 0,2 60 50 5,0 100 90-180 0,3 0,1 250
КТ220Б9 135--270 КТ-46А
КТ220В9 200 -400 -60+85°С
КТ220Г9 300--600
КТ3102АМ ВС547А NPN 0,25 50 50 5,0 200 100--250 0,35 0,05 200 10
КТ3102БМ ВС547В 50 50 200--500 0,35 0,05 200 10
КТ3102ВМ ВС548В 30 30 200- -500 0,35 0,015 200 10
КТ3102ГМ ВС548С 20 20 400--800 1,4 0,015 200 10
КТ-26
КТ3102ДМ ВС549В 30 30 200--500 0,35 0,015 300 4,0
-45+85°С
КТ3102ЕМ ВС549С 20 20 400- 1000 1,4 0,015 300 4,0
КТ3102ЖМ 50 50 100--250 0,35 0,05 200 -
КТ3102ИМ 50 50 200--500 0,35 0,05 200 -
КТ3102КМ 30 30 200--500 0,35 0,015 200 -
КТ3107А PNP 0,3 50 45 5,0 100 70+140 0,2 0,1 250 10
КТ3107Б ВС307А 50 45 120-220 10
КТ3107В 30 25 70-140 10
КТ3107Г ВС308А 30 25 120--220 10
КТ3107Д ВС308В 30 25 180--460 10 КТ-26
КТ3107Е 25 20 120--220 4,0 -60+100°С
КТ3107Ж ВС309В 25 20 180--460 4,0
КТ3107И ВС307В 50 45 180--460 10
КТ3107К ВС308С 30 25 380--800 10
КТ3107Л ВС309С 25 20 380--800 4,0
КТ3117А 2N2221 NPN 0,3 60 60 4,0 400 40-200 0,6 10 200 КТ1-7
КТ3117Б 2N2222 0,3 75 75 100-300 КТ-26
КТ3117А1 0,5 60 60 40-200 -45+85°С
КТ3126А BF506 PNP 0,15 30 3,0 3,0 30 25+100 1,2 0,5 500 5,0 КТ-26
-45+85°С
КТ1-12
КТ3127А 2N4411 PNP 0,1 20 20 3,0 25 25+150 1,0 600 5,0
-45+85°С
КТ1-12
КТ3128А PNP 0,1 40 40 3,0 20 15+150 1,0 700 5,0
-45-85°С
КТ3129А9 PNP 0,1 50 40 5,0 100 30+120 0,2 1,0 200
КТ3129Б9 ВС857А 50 40 80+ 250
КТ-46А
КТ3129В9 ВС858А 30 20 80+250
-60+85°С
КТ3129Г9 ВС858В 30 20 200--500
КТ3129Д9 20 20 200--500
КТ3130А9 BCW71 NPN 0,1 50 40 5,0 100 100--250 0,1 150 -
КТ3130Б9 BCW72 50 40 200--500 150 10
КТ3130В9 BCW32 30 20 200+500 150 10
КТ-46А
КТ3130Г9 20 15 400+1000 300 10
-60-85°С
КТ3130Д9 30 20 200+500 150 4,0
КТ3130Е9 20 15 400+1000 300 4,0
КТ3130Ж9 30 25 100+500 0,3 150 -
КТ1-7
КТ3142А 2N2369 NPN 0,36 40 40 4,5 200 40+120 0,25 0,4 500
-45-85°С
КТ315А1 NPN 0,15 25 25 6,0 100 30+120 0,4 0,5 250
КТ315Б1 0,15 20 20 6,0 100 50+350 0,4 0,5
КТ315В1 0,15 40 40 6,0 100 30+120 0,4 0,5
КТ315Г1 0,15 35 35 6,0 100 50+350 0,4 0,5
КТ315Д1 0,15 40 6,0 100 20+90 0,6 0,6 КТ-26
КТ315Е1 0,15 35 6,0 100 50+350 0,6 0,6 -45+100°С
КТ315Ж1 0,1 20 50 30+250 0,5 0,6
КТ315И1 0,1 60 50 >30 0,9 0,6
КТ315Н1 0,15 20 20 6,0 100 50+350 0,4 0,5
КТ315Р1 0,15 35 35 6,0 100 150+350 0,4 0,5

WWW.TRANSISTOR.BY
ТРАНЗИСТОРЫ

Биполярные транзисторы (продолжение)


Обозначение Прототип Поляр­ Рк U кб U кэ изб 1к п21е икэ 1кбо frp Кш Корпус
ность max max max max max нас Диапазон
раб.
Вт В В В мА В мкА МГц ДБ темпер.
КТ-46А
КТ3153А9/ИМ NPN 0,3 60 50 5,0 400 100-300 0,35 0,05 250
-45+85°С
КТ-26
КТ3157А PNP 0,2 250 250 5,0 30 >50 1,0 0,1 60
-45+100°С
КТ3189А9 ВС847А NPN 0,225 50 45 6,0 100 110+220 0,6 0,015 300 10
КТ-46А
КТ3189Б9 ВС847В 200-450
-60+85°С
КТ3189В9 ВС847С 420-800
КТ361А2 PNP 0,15 25 25 5,0 100 20-90 0,4 1,0 250
КТ361АЗ 25 25 100 20-90 0,4 1,0 150
КТ361Б2 20 20 100 50-350 0,4 1,0 250
КТ361В2 40 40 100 40-160 0,4 1,0 250
КТ361Г2 35 35 100 50-350 0,4 0,1 250
КТ361ГЗ 35 35 100 100-350 0,4 0,1 250
КТ361Д2 40 40 50 20*90 1,0 1,0 250
КТ361ДЗ 40 40 50 20+90 1,0 1,0 150 КТ-26
КТ361Е2 35 35 50 50-350 1,0 1,0 250 -60+100°С
КТ361Ж2 10 10 50 50+350 1,0 1,0 250
КТ361И2 15 15 50 >230 1,0 1,0 250
КТ361К2 60 60 50 50+350 1,0 1,0 250
КТ361Л2 20 20 100 50+350 0,3 0,1 250
КТ361М2 40 40 100 70+160 0,3 0,05 250
КТ361Н2 45 45 50 20+90 0,4 0,1 150
КТ361П2 50 45 50 100+350 0,3 0,05 300
КТ368АМ NPN 0,225 15 15 4,0 30 50+450 0,5 900 3,3
КТ368БМ 0,225 50+450 - КТ-26
КТ368ВМ 0,225 100+450 - КТ-46А
КТ368А9 BF599 0,1 50+300 3,3 -60+100°С
КТ368Б9 0,1 50+300 -
КТ384А-2 NPN 0,2-0,3 30 30 4,0 300 30+180 0,6 10,0 450
б/к
КТ384АМ-2
КТ385А-2 NPN 0,2-0,3 65 65 4,0 300 40+200 0,4 1,0 200
КТ385АМ-2 40+200 б/к
КТ385БМ-2 20+100
КТ502А PNP 0,35 40 25 5,0 150 40+120 0,6 1,0 5,0
КТ502Б 40 25 80+240
КТ-26
КТ502В 60 40 40+120
-45+100°С
КТ502Г 60 40 80+240
КТ502Д 80 60 40+120
КТ502Е 90 80 40+120
КТ503А NPN 0,35 40 25 5,0 150 40+120 0,6 1,0 5,0
КТ503Б 40 25 80+240 КТ-26
КТ503В 60 40 40+120 -45+100°С
КТ503Г 60 40 80+240
КТ503Д 80 60 40+120
КТ503Е 100 80 40+120
КТ520А MPSA42 NPN 0,625 300 300 6,0 500 >40 0,5 100 50 КТ-26*
КТ520Б MPSA43 200 200 0,4 -60+85°С
КТ521А MPSA92 PNP 0,625 300 300 5,0 500 >40 0,5 100 50 КТ-26*
КТ521Б MPSA93 200 200 0,4 -60+85°С
1кэк КТ-26
КТ538А MJE13001 NPN 0,7 600 400 9,0 500 5,0-90 0,5 4,0
100 -45+125°С
КТ607А-4 NPN 1,5 40 35 4,0 150 1000 700
б/к
КТ607Б-4 30 30
КТ610А NPN 1,5 26 26 4,0 300 50+300 500 1000 КТ-16-2
КТ610Б 20+300 700 -45+85°С
КТ6109А SS9012D PNP 0,625 40 20 5,0 500 64+91 0,6 0,1
КТ6109Б SS9012E 78+112
КТ-26
КТ6109В SS9012F 96+135
КТ6109Г SS9012G 112+166 -45+100°С
КТ6109Д SS9012H 144+202
КТ6110А SS9013D NPN 0,625 40 20 5,0 500 64+91 0,6 0,1
КТ6110Б SS9013E 78+112
КТ-26
КТ6110В SS9013F 96+135
-45+100°С
КТ6110Г SS9013G 112+166
КТ6110Д SS9013H 144+202

WWW.TRANSISTOR.BY
ТРАНЗИСТОРЫ

Биполярные транзисторы (продолжение)


Обозначение Прототип Поляр- Рк икб икэ изб 1к п21е икэ 1кбо frp Кш Корпус
ность max max max max max нас Диапазон
раб.
Вт В В В мА В мкА МГц ДБ темпер.
КТ6111А SS9014A NPN 0,45 50 45 5,0 100 60+150 0,3 0,05 150 10
КТ6111Б SS9014B 100+300
КТ6111В SS9014C КТ-26
200-600
КТ6111Г SS9014D 400-1000 -45+85°С
КТ6112А SS9015A PNP 0,45 50 45 5,0 100 60+150 0,7 0,05 100 10
КТ-26
КТ6112Б SS9015B 100*300
КТ6112В SS9015C 200+600 -45+85°С
КТ6113А SS9018D NPN 0,4 30 15 5,0 50 28+45 0,5 0,05 700
КТ6113Б SS9018E 39+60
КТ6113В SS9018F КТ-26
54+80
КТ6113Г SS9018G 72+108 -45+85°С
КТ6113Д SS9018H 97+146
КТ6113Е SS9018I 132+198
КТ6114А SS8050B NPN 1,0 40 25 6,0 1500 85+160 0,5 0,1 100
КТ6114Б SS8050C 1,0 1500 120+200
КТ-26
КТ6114В SS8050D 1,0 1500 160+300
КТ6114Г 0,7 1100 85+160 -45+100°С
КТ6114Д 0,7 1100 120+200
КТ6114Е 0,7 1100 160+300
КТ6115А SS8550B PNP 1,0 40 25 6,0 1500 85+160 0,5 0,1 100
КТ6115Б SS8550C 1,0 1500 120+200
КТ-26
КТ6115В SS8550D 1,0 1500 160+300
КТ6115Г 0,7 1100 85+160 -45+100°С
КТ6115Д 0,7 1100 120-200
КТ6115Е 0,7 1100 160+300
КТ6116А 2N5401 PNP 0,625 160 150 5,0 600 60+240 0,5 0,05 100 8,0 КТ-26
КТ6116Б 2N5400 130 120 40+180 0,1 -45+100°С
КТ6117А 2N5551 NPN 0,625 180 160 6,0 600 80+250 0,2 0,05 100 8,0 КТ-26
КТ6117Б 2N5550 160 140 60+250 0,25 0,1 -45+100°С
КТ6128А SS9016D NPN 0,4 30 20 4,0 25 28+45 0,3 0,1 400 5,0
КТ6128Б SS9016E 39+60
КТ-26
КТ6128В SS9016F 54+80
72+108 -60+100°С
КТ6128Г SS9016G
КТ6128Д SS9016H 97+146
КТ6128Е SS9016I 132+198
1кэг КТ-26
КТ6136А 2N3906 PNP 0,625 40 40 5,0 200 100+300 0,4 250
0,05 -55+100°С
1кэг КТ-26
КТ6137А 2N3904 NPN 0,625 60 40 6,0 200 100+300 0,3 300
0,05 -55+100°С
КТ624А-2 NPN 1,0 30 30 4,0 1000 30+180 0,9 100 450
б/к
КТ624АМ-2
КТ625А-2 NPN 1,0 60 40 4,0 1000 20+200 1,2 30 200
б/к
КТ625АМ-2
КТ634Б-2 NPN 1,2 30 3,0 150 1000 1500 б/к
КТ2-7
КТ635Б 2N3725 NPN 0,5 60 60 5,0 1000 20+150 0,52 30 300
-45+85°С
КТ637А-2 NPN 1,5 30 2,5 200 100 1300
б/к
КТ637Б-2 2000 800
КТ645А NPN 0,5 60 50 4,0 300 20+200 0,5 1,0 250 КТ-26
КТ645Б 40 40 5,0 >80 0,05 -45+85°С
КТ646А 2SC495 NPN 1,0 60 60 4,0 1000 40+200 0,85 10 250 КТ-27*
КТ646Б 2SC496 40 40 >150 0,25 10
-45+85°С
КТ646В 40 40 150+340 0,25 0,05
КТ660А ВС337 NPN 0,5 50 45 5,0 800 110+220 0,5 1,0 200 КТ-26
КТ660Б ВС338 30 30 200+450 -45+85°С
КЕ703А IRGB14C40L 100 370 20000 1,7 1кэк КТ-28-2
при 25
1к=14А -45+150°С

освоение в корпусе КТ-92 (IPAK), КТ-89 (DPAK)

WWW.TRANSISTOR.BY
ТРАНЗИСТОРЫ


Биполярные транзисторы (продолжение)
Обозначение Прототип Поляр­ Рк икб икэ изб IK п21е икэ 1кбо frp Корпус
ность max max max max max нас Диапазон
раб.
Вт В В В мА В мкА МГц темпер.
КТ732А MJE4343 NPN 90 160 160 7,0 16000 >15 2,0 750 1,0 КТ-43
КТ733А MJE4353 PNP 90 160 160 7,0 16000 >15 2,0 750 1,0 -60+100°С
КТ738А TIP3055 NPN 90 100 60 7,0 15000 20+70 1,1 1,0 КТ-43
КТ739А TIP2955 PNP 90 100 60 7,0 15000 20-70 1,1 1,0 -60+125°С
КТ742А-5/ИМ NPN 60 700 600 9,0 1000 6,0-38 400 б/к
КТ742Б-5/ИМ 600 500 5,0-40 -40+100°С
Ukar
КТ805АМ NPN 30 300 160 5,0 5000 >15 1,0 КТ-28-2
КТ805БМ 135 >15
-60+100°С
КТ805ВМ 135 >15 2,5
КТ805ИМ 60 >25 3,0
КТ8126А1 MJE13007 NPN 80 700 400 9,0 8000 8,0-40 1,0 1кэк 4,0 КТ-28-2
КТ8126Б1 MJE13006 600 300 100 -45+100°С
КТ814А PNP 10 40 5,0 1500 40- -275 0,6 50 40
КТ814Б BD136 50 40- -275 КТ-27*
КТ814В BD138 70 40- -275 -60+125°С
КТ814Г BD140 100 30--275
КТ815А NPN 10 40 5,0 1500 40- -275 0,6 50 40
КТ815Б BD135 50 40- -275 КТ-27*
КТ815В BD137 70 40- -275 -60+125°С
КТ815Г BD139 100 30--275
КТ816А PNP 25 40 5,0 3000 25--275 0,6 100 3,0
КТ816Б BD234 45 КТ-27*
КТ816В BD236 60 -60+150°С
КТ816Г BD238 100
КТ8164А MJE13005 NPN 75 700 400 9,0 4000 8,0+40 0,5 100 4,0 КТ-28-2*
КТ8164Б MJE13004 600 300 -45+100°С
КТ817А NPN 25 40 5,0 3000 25+275 0,6 100 3,0
КТ817Б BD233 45
КТ-27*
КТ817В BD235 60
КТ817Г BD237 100 -60+150°С
КТ8170А1, А9 MJE13003 NPN 40 700 400 9,0 1500 8,0+40 0,5 1кэк 4,0 КТ-27*
КТ8170Б1.Б9 MJE13002 600 300 100 КТ-89
-60+100°С
КТ8176А TIP31A NPN 40 60 60 5,0 3000 >25 1,2 1кэо, мА 3,0
КТ-28-2*
КТ8176Б TIP31B 80 80 0,3
КТ8176В TIP31C 100 100 -60+100°С
КТ8177А TIP32A PNP 40 60 60 5,0 3000 >25 1,2 1кэо, мА 3,0 КТ-28-2*
КТ8177Б TIP32B 80 80 0,3
КТ8177В TIP32C 100 100 -60+100°С
КТ818А PNP 60 40 5,0 10000 15J-225 2,0 1000 3,0
КТ818Б 50 20--225 КТ-28-2
КТ818В 70 15--225 -45+100°С
КТ818Г 90 12--225
КТ819А NPN 60 40 5,0 10000 15--275 2,0 1000 3,0
КТ819Б 50 20--275 КТ-28-2
КТ819В 70 15-^275 -45+100°С
КТ819Г 100 12--275
КТ8212А TIP41C NPN 65 100 100 5,0 6000 15--75 1,5 1кэо 3,0 КТ-28-2*
КТ8212Б TIP41B 80 80 400 -60+100°С
КТ8212В TIP41A 60 60
КТ8213А TIP42C PNP 65 100 100 5,0 6000 15+75 1,5 1кэо 3,0 КТ-28-2*
КТ8213Б TIP42B 80 80 400 -60+100°С
КТ8213В TIP42A 60 60
КТ-43
КТ8224А BU2508A NPN 100 1500 700 7,5 8000 4,0+7,0 1,0 1000
-60+125°С
Ьбо КТ-43
КТ8228А BU2525A NPN 125 1500 800 7,5 12000 5,0+9,5 5,0
1,0 -25+125°С
1кэо КТ-43
КТ8229А TIP35F NPN 125 180 180 5,0 25000 15+75 1,8 3,0
1,0 -60+125°С
КТ-43
КТ8230А TIP36F PNP 125 180 180 5,0 25000 15+75 1,8 1,0 3,0
-60+125°С
икэк 1кэк, мА КТ-43
КТ8248А BU2506 NPN 90 700 7,5 5000 3,8+9,0 3,0
1500 1,0 -25+125°С

WWW.TRANSISTOR.BY
Биполярные транзисторы (продолжение)
Обозначение Прототип Поляр­ Рк U кб икэ иэб 1к И21е икэ 1кбо frp Корпус
ность max max max max max нас Диапазон
раб.
Вт В В В мА В мкА МГц темпер.
КТ8270А 1кэк КТ-27
MJE13001 NPN 7,0 600 400 9,0 500 5,0-90 0,5 4,0
100 -45+125°С
КТ8271А BD136 PNP 10 45 45 5,0 1500 >25 0,5 0,1
КТ8271Б BD138 КТ-27
60 60
КТ8271В BD140 80 80 -60+125°С
КТ8272А BD135 NPN 10 45 45 5,0 1500 >25 0,5 0,1
КТ-27
КТ8272Б BD137 60 60
КТ8272В BD139 80 80 -60+125°С

КТ8290А 1кэк КТ-28-2


BUH100 NPN 100 700 400 9,0 10000 >10 1,0
100 -25+125°С
КТ8296А KSD882 NPN 10 40 30 5,0 3000 60-И 20 0,5 100
КТ8296Б 100+200 КТ-27
КТ8296В 160+320 -60+125°С
КТ8296Г 200 +400
КТ8297А KSB772 PNP 10 30 30 5,0 3000 60+120 0,5 100
КТ8297Б 100+200 КТ-27
КТ8297В 160+320 -60+125°С
КТ8297Г 200 +400
КТ8301А-5 NPN 30 160 5,0 10000 >100 0,5 1кэк б/к
Разработка 100 -45+125°С
КТ837А, А1/ИМ PNP 30/25 80 60 15 7500 10+40 2,5 150
КТ837Б, Б1/ИМ 80 60 15 20-80 2,5
КТ837В, В1/ИМ 80 60 15 50+150 2,5
КТ837Г, Г1/ИМ 60 45 15 10 40 0,9
КТ837Д, Д1/ИМ 60 45 15 20-80 0,9
КТ837Е, Е1/ИМ 60 45 15 50+150 0,9
КТ837И, И1/ИМ 45 30 15 20-80 0,5
КТ837К, К1/ИМ 45 30 15 50+150 0,5 КТ-28-2,
КТ837Л, Л1/ИМ 80 60 5,0 10-40 2,5 КТ-92
КТ837М, М1/ИМ 80 60 5,0 20+80 2,5 -60+100°С
КТ837Н, Н1/ИМ 80 60 5,0 50+150 2,5
КТ837П, П1/ИМ 60 45 5,0 10-40 0,9
КТ837С, С1/ИМ 60 45 5,0 50+150 0,9
КТ837Т, Т1/ИМ 45 30 5,0 10-40 0,5
КТ837У, У1/ИМ 45 30 5,0 20-80 0,5
КТ837Ф, Ф1/ИМ 45 30 5,0 50+150 0,5
КТ837Х, Х1/ИМ 100 80 15 >20 0.6
1кэк, мА
КТ872А BU508A NPN 100 1500 700 6,0 8000 0,5 1,0 4,0 КТ-43
КТ872Б BU508 5,0 1,0 -60+125°С
КТ872В 1200 600 >6,0 1,0 0,6
1кэг
КТ913А NPN 4,7 55 55 3,5 500 >20 2500 900 КТ-16-2
КТ913Б 8,0 1000 5000 -45+85°С
КТ913В 12 1000 5000
КТ916А NPN 30 55 55 3,5 2000 25000 1100 КТ-16-2
КТ916Б 40000 900 -60+100°С
КТ918А-2 NPN 2,5 30 2,5 250 2,0 800
б/к
КТ918Б-2 1000
КТ928А 2N2218 NPN 0,5 60 60 5,0 800 20 И 00 1,0 5,0 250
КТ2-7
КТ928Б 2N2219 60 60 50+200 1,0 5,0 250
250 -45+85°С
КТ928В 2N2219A 75 75 100+300 1,0 1,0
КТ938Б-2 NPN 1,5 28 2,5 180 1000 1800 б/к
КТ939А, А1 NPN 4,0 30 30 3,5 400 40-200 1000 2500 КТ-16-2
КТ939Б, Б1 20 200 2000 1500 КТ-16А-2
КТ939В, В1 40+200 1000 2400 -60+100°С
КТ940А BF459 NPN 10 300 300 5,0 100 >25 1,0 0,05
КТ-27*
КТ940Б BF458 250 250
-45+85°С
КТ940В BF457 160 160
КТ961А BD135 NPN 12,5 100 80 5,0 1500 40+100 0,5 10
КТ-27*
КТ961Б BD137 80 60 63+160
-45+85°С
КТ961В BD139 60 45 100+250
КТ-27
КТ969А BF469 NPN 6,0 300 250 5,0 100 50+250 1,0 0,05 60
-45+85°С
освоение в корпусе КТ-92 (IPAK), КТ-89 (DPAK)

WWW.TRANSISTOR.BY
ТРАНЗИСТОРЫ

Мощные биполярные транзисторы Дарлингтона


Обозначение Прототип Поляр­ Рк икб икэ иэб 1к h21e икэ 1кбо frp Корпус
ность max max max max max нас Диапазон
раб.
Вт В В В мА В мкА МГц темпер.
КТ8115А TIP127 PNP 65 100 100 5,0 5000 >1000 2,0 200 4,0
КТ-28-2*
КТ8115Б TIP126 80 80
-60+125°С
КТ8115В TIP125 60 60
КТ8116А TIP122 NPN 65 100 100 5,0 5000 >1000 2,0 200 4,0
КТ-28-2*
КТ8116Б TIP121 80 80
-60+1 25°С
КТ8116В TIP120 60 60
КТ8156А BU807 NPN 60 330 150 6,0 8000 >100 1,5 1000 КТ-28-2
КТ8156Б 200 -60+100°С
КТ8158А BDV65 NPN 90 60 60 5,0 12000 >1000 2,0 400
КТ-43
КТ8158Б BDV65A 80 80
-60+125°С
КТ8158В BDV65B 100 100
КТ8159А BDV64 PNP 90 60 60 5,0 12000 >1000 2,0 400
КТ-43
КТ8159Б BDV64A 80 80
-60+125°С
КТ8159В BDV64B 100 100
КТ8214А TIP110 NPN 50 60 60 5,0 2000 >500 2,5 1000
КТ-28-2*
КТ8214Б TIP111 80 80
-60+100°С
КТ8214В TIP112 100 100
КТ8215А TIP115 PNP 50 60 60 5,0 2000 >500 2,5 1000
КТ-28-2*
КТ8215Б TIP116 80 80
-60+100°С
КТ8215В TIP117 100 100
КТ-43
КТ8225А BU941ZP NPN 155 350 350 5,0 15000 >300 2,7 100
-60+125°С
КТ-43
КТ8251А BDV65F NPN 125 180 180 5,0 10000 >1000 2,0 0,4
-45+125°С
1кэг, мА
КТ972А BD875 NPN 8,0 60 60 5,0 2000 >750 1,5 1,0 200
КТ-27*
КТ972Б 45 45 >750 1,5
КТ972В 60 -45+85°С
60 750-5000 1,5 1,0
КТ972Г 60 60 750-5000 0,95 0,3
1кэг, мА
КТ973А BD876 PNP 8,0 60 60 5,0 2000 >750 1,5 1,0 200 КТ-27*
КТ973Б 45 45 >750 1,5 -45+85°С
КТ973В 60 60 750-5000 1,5 1,0

Биполярные транзисторы с интегральными антинасыщающими элементами


Обозначение Прототип Поляр­ Рк икб икэ иэб 1к п21е икэ 1кэк Корпус
ность max max max max max нас Диапазон
раб. темпер.
Вт В В В мА В мкА
КТ-28-2
КТ8247А BUL45D2 NPN 75 700 400 12 5000 >22 0,5 100
-25+125°С
КТ-27
КТ8261А BUD44D2 NPN 25 700 400 9,0 2000 >10 0,65 50
-25+125°С

Биполярные транзисторы с демпфирующим диодом и резистором в цепи


эмиттер-база
Обозначение Прототип Поляр­ Рк икэк икэ иэб 1к п21е икэ РчЭб Unp Inp Корпус
ность max max max max max нас Диод Диапазон
а раб.темпе
Вт В В В мА В Ом А Р-
В
КТ-43
КТ8224Б BU2508D NPN 100 1500 700 7,5 8000 4,0+9,0 1,5 40-75 2,0 4,5
-60+125°С
КТ-43
КТ8228Б BU2525D NPN 125 1500 800 6,0 12000 5,0+9,5 5,0 40-75 2,0 8,0
-25+125°С
КТ-43
КТ8248А1 BU2506D NPN 90 1500 700 7,5 5000 3,8+9,0 3.0 40-80 2,0 3,0
-25+125°С
КТ-43
КТ872Г BU508D NPN 100 1500 700 6,0 8000 >6,0 0,5 40-80 2,0 4,5
-60+125°С

WWW.TRANSISTOR.BY
Однопереходныв биполярные транзисторы
Обозначение Прототип Ртах имеж.баз 1э имп. 1э обр. иостат. h тока Корпус
max max Диапазон
ВТ В А мкА В раб. темпер.
КТ132А 2N2646 0,3 35 2,0 12 0,7+3,5 0,56- 0,75 Case22A-01
КТ132Б 2N2647 0,2 0,68- 0,82 -60-125°С
КТ133А 2N4870 0,3 35 1,5 1,0 0,7-2,5 0,56- 0,75 КТ-26
КТ133Б 2N4871 0,70- 0,85 -60+125°С

Маломощные п-канальные полевые транзисторы


Обозначение Прототип Р max 1)зи max UCH max 11зи пор RCH 1с max IOCT S Корпус
Диапазон
Вт В В В Ом мА мкА А/В раб. темпер.
КТ-46А
КП214А9 2N7002LT1 0,2 +40 60 1,0+2,5 7,5 115 1,0 0,08
-55+125°С
КП501А ZVN2120 0,5 ±20 240 1,0+3,0 10 180 10 >0,1
200 10 КТ-26
КП501Б 1,0+3,0
КП501В 200 15 -55+100°С
КТ-26
КП502А BSS124 0,7 ±10 400 1,5+2,5 28 120 1,0 0,1
-55+125°С
КП503А КТ-26
BSS129 1,0 ±20 240 -1,8+ -0,7 20 150 0,1 0,14
Разработка -55+125°С
КП504А, Б BSS88 1,0 ±10 240 0,6+1,2 8,0 250 1,0 0,14
КП504В 0,7 200 8,0 200
КТ-26
КП504Г 0,7 250 10 180
240 8,0 200 -55+125°С
КП504Д 0,7
КП504Е 0,7 240 8,0 200
КП505А, Б BSS295 1,0 ±20 50 0,8--2,0 0,3 1400 1,0 0,5
КТ-26
КП505В 1,0 +20 60 0,8--2,0 0,3 1400 0,5
0,7 8,0 500 -55+125°С
КП505Г +10 0,4--0,8 1,2
КП509А9 BSS131 0,36 ±14 240 0,8--2,0 16 100 0,16
240 8,0 КТ-46А
КП509Б9 0,50 0,6--1,2 250 0,14
КП509В9 0,36 200 16 100 0,06 -55+125°С
0,8--2,0
КП511А TN0535 0,75 ±20 350 0,8--2,0 22 140 10 0,125 КТ-26
КП511Б TN0540 400 -45+125°С
КП523А BSS297A 1,0 ±14 200 0,8+2,0 2,0 480 1,0 0,5 КТ-26
КП523Б 4,0 340 -55+125°С

Маломощные р-канальные полевые транзисторы


Обозначение Прототип Р max изи max 11си max 11зи пор RCH Ic max IOCT S Корпус
Диапазон
Вт В В В Ом мА мкА А/В раб. темпер.
КТ-26
КП507А BSS315 1,0 ±20 -50 -0,8+(-2,0) 0,8 -1100 -1,0 0,25
-55+125°С
КТ-26
КП508А BSS92 1,0 ±20 -240 -0,8+(-2,0) 20 -150 -1,0 0,06
-55+125°С

Мощные n-канальные полевые транзисторы


Обозначение Прототип UCH max RCH Ic max 1)зи max Р max 11зи пор Корпус
Диапазон
В Ом А В Вт В раб. темпер.
КТ-28-2
КП7129А SSU1N60 600 11,5 1,2 ±20 40 2,0+4,0
-55+125°С
КТ-28-2
КП7173А STP4NK60Z 600 2,0 4,0 ±30 70 3,0+4,5
-45+125"С
КП723А IRFZ44 60 0,028 50 ±20 150 2,0+4,0 КТ-28-2
КП723Б IRFZ45 60 0,035
-55+150°С
КП723В IRFZ40 50 0,028
КТ-28-2
КП723АМ IRFZ44E 60 0,023 48 ±20 110 2,0+4,0
-55+150°С

~щ "••"" WWW.TRANSISTOR.BY
8
ТРАНЗИСТОРЫ

!ощные n-канальмые полевые транзисторы (продолжение)


Обозначение Прототип 1)си max Re и Ic max Ызи max Р max изи пор Корпус
Диапазон
В Ом А В Вт В раб. темпер.
КП726А, А1 BUZ90A 600 2,0 4,0 ±20 75 2,0+4,0 КТ-28-2
КП726Б, Б1 BUZ90 1,6 4,5 КТ-90
-55+125°С
КП727А BUZ71 50 0,1 14 ±20 40 2,1+4,0 КТ-28-2
КП727Б IRFZ34 60 0,05 30 88 2,0+4,0 -55+150°С
КП731А IRF710 400 3,6 2,0 ±20 36 2,0+4,0 КТ-28-2
КП731Б IRF711 350 3,6 2,0
-55+125°С
КП731В IRF712 400 5,0 1,7
КП737А IRF630 200 0,4 9,0 ±20 74 2,0+4,0 КТ-28-2
КП737Б IRF634 250 0,45 8,1
-55+125°С
КП737В IRF635 250 0,68 6,5
КП739А IRFZ14 60 0,2 10 ±20 43 2,0+4,0 КТ-28-2
КП739Б IRFZ10 50 0,2 10
-55+150°С
КП739В IRFZ15 60 0,32 8,3
КП740А IRFZ24 60 0,1 17 ±20 60 2,0+4,0 КТ-28-2
КП740Б IRFZ20 50 0,1 17
-55+150°С
КП740В IRFZ25 60 0,12 14
КП741А IRFZ48 60 0,018 50 ±20 190 2,0+4,0 КТ-28-2
КП741Б IRFZ46 50 0,024 150 -55+150°С
КП742А STH75N06 60 0,014 75 ±20 200 2,0+4,0 КТ-43
КП742Б STH80N05 50 0,012 80 -55+125°С
КП743А IRF510 100 0,54 5,6 ±20 43 2,0+4,0 КТ-28-2
КП743Б IRF511 80 0,54 5,6
IRF512 100 -55+150°С
КП743В 0,74 4,9
КП743А1 100 0,54 5,5 ±20 40 2,0+4,0 КТ-27
КП743Б1 1,2+2,0 КТ-89
КП743А9 2,0+4,0 -55+150°С
КП744А IRF520 100 0,27 9,2 ±20 60 2,0+4,0 КТ-28-2
КП744Б IRF521 80 0,27 9,2
IRF522 0,36 8,0 -55+150°С
КП744В 100
КП745А IRF530 100 0,16 14 ±20 88 2,0+4,0 КТ-28-2
КП745Б IRF531 80 0,16 14
IRF532 -55+150°С
КП745В 100 0,23 12
КП746А, А1 IRF540 100 0,077 28 ±20 150 2,0+4,0 КТ-28-2
КП746Б, Б1 IRF541 80 0,077 28 КТ-90
КП746В, В1 IRF542 100 0,1 25 -55+150°С
КТ-43
КП747А IRFP150 100 0,055 41 ±20 230 2,0+4,0
-55+150°С
КП748А IRF610 200 1,5 3,3 ±20 36 2,0+4,0 КТ-28-2
КП748Б IRF611 150 1,5 3,3
КП748В IRF612 2,4 -55+125°С
200 2,6
КП749А IRF620 200 0,8 5,2 ±20 50 2,0+4,0 КТ-28-2
КП749Б IRF621 150 0,8 5,2
КП749В IRF622 200 4,0 -55+125°С
1,2
КП750А, А1 IRF640 200 0,18 18 ±20 125 2,0+4,0 КТ-28-2
КП750Б, Б1 IRF641 150 0,18 18 КТ-90
КП750В, В1 IRF642 200 0,22 16 -55+125°С
КП751А, А1 IRF720 400 1,8 3,3 ±20 50 2,0+4,0 КТ-28-2
КП751Б, Б1 IRF721 350 1,8 3,3 КТ-90
КП751В, В1 IRF722 400 2,5 2,8 -55+125°С
КП771А STP40N10 100 0,04 40 ±20 150 2,0+4,0 КТ-28-2
КП771Б 100 0,055 35
КП771В 125 0,077 30 -55+150°С
КП778А IRFP250 200 0,085 30 ±20 190 2,0+4,0 КТ-43
КП778Б 200 0,12 25
КП778В 250 0,14 23 -55+125°С
КП780А IRF820 500 3,0 2,5 ±20 50 2,0+4,0 КТ-28-2
КП780Б IRF821 450 3,0 2,5
КП780В IRF822 500 4,0 2,2 -55+125°С
КП780А9 IRFU420 500 3,0 2,5 ±20 50 2,0+4,0
КП780Б9 450 3,0 2,5 КТ-89
КП780В9 500 4,0 2,2 -55+125°С
Разработка

WWW.TRANSISTOR.BY
ТРАНЗИСТОРЫ

Мощные р-канальные полевые транзисторы


Обозначение Прототип UCH max Яси Ic max изи max Р max 11зи пор Корпус
Диапазон
В Ом А В Вт В раб. темпер.
КТ-28-2
КП7128Б IRF5210 -100 0,08 -35 ±20 200 -2,<Ч-4,0)
-55+125°С
КТ-28-2
КП784А IRF9Z34 -60 0,14 -18 ±20 88 -2,0: (-4,0)
-55-И 25°С
КТ-28-2
КП785А IRF9540 -100 0,20 -19 ±20 150 -2,0+(-4,0)
-55+150°С
КП796А КТ-28-2
IRF9634 -250 1,0 -4,1 ±20 74 -2,0+(-4,0)
Разработка -55И 50°С

Мощные n-канапьные полевые транзисторы, управляемые логическим уровнем


напряжения
Обозначение Прототип UCH max Ren Ic max Ызи max Р max изи пор Корпус
Диапазон
В Ом А В Вт В раб. темпер.
КТ-28-2
КП723Г IRLZ44 60 0,028 50 ±10 150 1,0+2,0
-55+150°С
КТ-28-2
КП727В IRLZ34 60 0,05 30 ±10 88 1,0+2,0
-55+150°С
КТ-28-2
КП737Г IRL630 200 0,4 9,0 ±10 74 1,0-2,0
-55+150°С
КТ-28-2
КП744Г IRL520 100 0,27 9,2 ±10 60 1.0+2,0
-55+150°С
КТ-28-2
КП745Г IRL530 100 0,16 15 + 10 88 1,0:2,0
-55+150°С
КП746Г IRL540 100 0,077 28 ±10 150 1,0+2,0 КТ-28-2
КП746Г1 КТ-90
-55+150°С
КТ-28-2
КП750Г IRL640 200 0,18 18 ±10 125 1,0-2,0
КТ-90
КП750Г1 IRL640S
-55+125°С
КП775А 2SK2498 60 0,009 50 ±20 150 1,0 2,0 КТ-28-2
КП775Б 55 0,009
-60+125°С
КП775В 60 0,016

Варикапы
Обозначение Прототип Св Кс Uo6p 1обр. QB Корпус
Диапазон
пф В мкА раб. темпер.
КВ109А,АГ,АТ/А9,АГ9,АТ9 ВВ417 2,24 2,74 4,0+5,5 28 0,5 300
КВ109Б,БГ,БТ/Б9,БГ9,БТ9 2,0+2,3 4,56,5 0,5 300
КД-17
КВ109В,ВГ,ВТ/В9,ВГ9,ВТ9 1,9+3,1 4,0+6,0 0,5 160
КТ-46А
КВ109Г/Г9 8,0+17 4,0 0,5 160
7,0+16 0,5 30 -60+100°С
КВ109Д/Д9 2,2
КВ109Е,ЕГ,ЕТ/Е9,ЕГ9,ЕТ9 2,0+2,3 4,5+6,0 0,02 450
КВ121А,АГ,АТ/А9,АГ9,АТ 9 ВВ909 4,3 6,0 7,6 30 0,5 200 КД-17
КВ121Б,БГ,БТ/Б9,БГ9,БТ9 0,5 150 КТ-46А
КВ121В,ВГ,ВТ/В9,ВГ9,ВТ9 0,02 240 -60+100°С
КВ122А,АГ,АТ/А9,АГ9,АТ9 ВВ240 2,24 2,74 4,0+5,5 30 0,2 450
КД-17/КТ-46А
КВ122Б,БГ,БТ/Б9,БГ9,БТ9 2,0+2,3 4,5+6,5 0,02 450
4,0+6,0 0,2 300 -60+100°С
КВ122В,ВГ,ВТ/В9,ВГ9,ВТ9 1,9+3,1
КТ-26
КВ131А2,АР2,АТ2 ВВ112 440+530 18 14 0,25 130
-60+100°С
КТ-26
КВ134А1,АР1,АТ1 18 22 3,0 23 0,05 400
-60+100"С
КВ153А9 ВВ515 1,85 2,25 8,0+9,6 30 0,02 400 КТ-46А
КВ153Б9 1,80+2,60 7,6-10 360 -60+100°С
КВ155А9 ВВ620 2,9-3,4 19,525 30 0,02 245 КТ-46А
КВ155Б9 2,6-3,3 18+25 -25+100°С

Буквы R Т и Г обозначают поставку варикапов следующими комплектами:


Р - комплектами из двух приборов с согласованными характеристиками;
Т - комплектами из трех приборов с согласованными характеристиками;
Г- комплектами из четырех приборов с согласованными характеристиками.

WWW.TRANSISTOR.BY
10
ВАРИКАПЫ И ДИОДЫ

Варикапные матрицы
Обозначение Прототип Св Кс Uo6p. 1обр. Qmin Схема Кол-во Корпус
соединения элементов Диапазон
пФ В мкА раб. темпер.
КВС111А2 ВВ204 29,7 -36,3 2,1 30 1,0 200 Общий катод 2
КВС111Б2 29,7--36,3 2,1 30 1,0 150
КТ-26
КВС111В2 33,0J^36,3 2,1 30 1,0 200
-60-ь100°С
КВС111Г2 33,0--36,0 2,1 30 1,0 150
КВС111Д2 29,0--37,0 1,9 15 0,2 100

Диоды и матрицы / СВЧ смесительные диоды


Обозначение Uo6p. max Inp max (*диф 1обр. Сд Корпус
Диапазон
В мА Ом мкА пФ раб. темпер.
КД-17
КД409А1 24 50 1,0 0,5 <1,5
-60-И 00°С
КД409А9 40 100 0,7 0,5 <1,0 КТ-46А
КД409Б9 50 1,0 <1,5 -60-100°С

Мощные быстродействующие диоды и диодные матрицы


Обозначение Прототип Uo6p max Inp max Unp t обр.вос 1обр. Схема Корпус
соединени Диапазон
В А В НС мкА я раб. темпер.
КД638АС BYV16-200 200 2x8,0 1,25 <35 5,0 Общий КТ-28-2
КД638АС1 катод КТ-90
-60-100°С
Общий КТ-28-2
КД642АС 10JTF20 200 2x10 1,20 <50 100
анод -60-100°С
КД645А MUR860 600 8,0 1,65 <60 100
КТ-28-1
КД645Б 1,40 <160 -25-125°С
Разработка
КД667АС Общий КТ-28-2
MUR3040PT 400 2x15 1,25 <60 10
Разработка катод -60-100°С
КД668АС9 TUP2200 200 2x2,0 1,35 <60 50 Общий КТ-89
КД668БС9 1,2 <150 катод -25-125°С
КД669АС9 TUP2600 600 2x2,0 1,65 <80 100 Общий КТ-89
КД669БС9 1,45 <150 катод -25-125°С
КД670АС91 MURF1660 600 2x8,0 1,65 <80 100 Общий
КТ-90
КД670БС91 1,40 <150 катод
Разработка -25-125°С

Импульсные диодные матрицы


Обозначение Прототип иобр.тах Inp max Unp 1обр. Q (пКл) Схема Кол-во Корпус
соединения элементов Диапазон
В мА В мкА [tBOC (НС)] раб. темпер.
КД130АС 50 300 1,25 1,0 [30] Общий катод 2 КТ-26
КД130АС1 Общий анод -45-85°С
Изолирован. 401.16-3
КДС627А 50 200 1,3 0,1 [40] 8
ДИОДЫ -60-125°С
Общий катод + 402.12-2
КДС628А 50 300 1,3 5,0 [50] 16
общий анод -60-125°С
Два последов, КТ-46А
КД629АС9 BAV84 90 200 1,0 0,1 [100] 2
соедин. диода -60-85°С
КТ-46А
КД704АС9/ИМ BAV70 70 100 1,3 5,0 [6,0] Общий катод 2
-60-85°С
КД907Б-1 40 50 1,0 6,0 400 Общий катод 2
б/к
КД907Г-1 4
КД908А 40 200 1,2 5,0 [30] Общий катод 8 4112.12-1
КД917А 40 200 1,2 5,0 [50] Общий анод 8 4112.12-1
КД918Б-1 40 50 1,0 6,0 850 Общий анод 2
б/к
КД918Г-1 4

WWW.TRANSISTOR.BY
11
диоды

Мощные вьшрямительно-ограничителыше диоды (диоды Зенера)


Обозначение Inp.cp.max 1пр.и.нп. 1обр. Unpo6. иобр.и.п. U пр.и Корпус
Диапазон
А А мА В В В раб. темпер.
КД2972А2 35 180 0,2 22+32 20 1,15
КД2972Б2 0,4 КТ-28-1
40+50 36 1,2
КД2972В2 0,2 15 -60+125°С
18+23 1,1

Диоды Шоттки
Обозначение Прототип Inp.max 1имп. шах Uo6p. max Постоянное прямое 1обр. Корпус
напряжение диода Диапазон
раб. темпер.
А А В Unp., В Inp A мА
КДШ2101А-5 SB140 1,0 40 40 0,57 1,0 0,5
КДШ2101Б-5 SB160 60 0,66 б/к
КДШ2101В-5 SB1100 100 0,97
КДШ2102А-5 SB240 2,0 50 40 0,52 2,0 0,5
КДШ2102Б-5 SB260 60 0,66 б/к
КДШ2102В-5 SB2100 100 0,77
КДШ2103А-5 SB340 3,0 150 40 0,55 3,0 0,5
КДШ2103Б-5 SB360 60 0,58 0,5 б/к
КДШ2103В-5 SB3100 100 0,85 0,6
КДШ2104А-5 SB540 5,0 250 40 0,55 5,0 0,5
КДШ2104Б-5 SB560 60 0,67 0,5 б/к
КДШ2104В-5 SB5100 100 0,8 0,6
КТ-26
КДШ2105В 1N5819 1,0 10 40 0,60/0,80 1,0/2,0 1,0
-45+100°С
КДШ2114АС9 6CWQ06F 2x3,0 42 60 0,58/0,79 3,0/6,0 3,0
КТ-89
КДШ2114БС9 6CWQ04F 40 0,55/0,71
6CWQ10F 100 -45+125°С
КДШ2114ВС9 0,85/1,05
КДШ2122А-5 SB0545 0,5 5,0 45 0,6 0,5 0,6 б/к
б/к
КДШ2952А-5 80 100 0,6 1,0 2,0
-45+125°С
КТ-28-2
КДШ2963АС PBYL1025 2x10 200 30 0,49/0,58 10/20 1,5
45+125°С
КДШ2964А 12TQ060 15 220 60 0,62/0,82 0,8 КТ-28-1
15/30
КДШ2964Б 12TQ045 250 45 0,56/0,71 1,75 -45+125°С
КДШ2965А 20TQ060 20 350 60 0,64/0,84 1,8 КТ-28-1
20/40
КДШ2965Б 20TQ045 400 45 0,57/0,73 2,7 -45+125°С
КТ-28-1
КДШ2966А SC200S45 50 1150 45 0,65 50 5,0
45+125°С
КДШ2968АС 25CTQ45 2x15 250 45 0,56/0,71 15/30 1,5
КТ-28-2
КДШ2968БС 30CTQ060 60 0,62/0,82
-45+125°С
КДШ2968ВС 100 0,8/1,05
КД2970А MBR10100 10 150 100 0,85/1,05 10/20 0,8
КТ-28-1
КД2970Б MBR1060 60 0,68/0,86
45 -45+125°С
КД2970В MBR1045 0,63/0,75
КДШ297АС MBR1545 2x7,5 150 45 0,55/0,70 7,5/15 0,8
КТ-28-2
КДШ297БС MBR1560 60 0,67/0,85
MBR15100 100 0,80/1,0 -45+125°С
КДШ297ВС
КДШ297АС91 MBRB1545 2x7,5 150 45 0,55/0,70 7,5/15 0,8
КТ-90
КДШ297БС91 MBRB1560 60 0,67/0,85
КДШ297ВС91 100 -45+125°С
MBRB15100 0,80/1,0
КДШ298АС 15CTQ45 2x5,0 120 45 0,55/0,71 5,0/10 0,8
КТ-28-2
КДШ298БС 60 0,67/0,85 1,0
1,0 -45+125°С
КДШ298ВС 100 0,80/1,05
КД643АС MBR2045 2x10 150 45 0,63/0,75 10/20 0,8
КТ-28-2
КД643БС MBR2060 60 0,68/0,86
100 -45+125°С
КД643ВС MBR20100 0,85/1,05
КД643АС91 MBRB2045 2x10 150 45 0,63/0,75 10/20 0,8
КТ-90
КД643БС91 MBRB2060 60 0,68/0,86
КД643ВС91 MBRB20100 100 0,85/1,05 -45+125°С

WWW.TRANSISTOR.BY
12
ТИРИСТОРЫ И ТРИАКИ

ill

Мощные тиристоры и триаки


Обозначение Прототип иобр.тах ПОСТ, ТОК В Защитный 1обр. Ток Ток вкл. Пост. Имп. ток Корпус
открытом показатель удержания 1вк отпирающий управления Диапазон
состоянии 'уд ток тиристором раб.
loc.max, управляющего •у, и, темпер.
мА электрода
В А I2t. A2c мА мА А
ly, от, мА
Тиристоры Uo6p
600 8,0 21 2,0 КТ-28-2
КУ405А BT300-600R <0,5 <100 <120 <30
КУ405Б 800 -45+100°С
BT300-800R
КУ713А 600 40 1060 <0,1 <100 <100 <50 4,0 КТ-43
КУ713Б 800 -45+100°С
изс
КТ-43
КУ714А 1200 25 265 <0,2 <80 <100 <60 2,0
КУ714Б -45+100°С
1600

Триаки изс
600 21 <0,5 2,0 КТ-28-2
КУ613А ВТА208-600В 8,0 <90 <60 <50
КУ613Б ВТА208-800В 800 -45+100°С
КУ903А 600 40 880 <0,1 <80 <100 <50 8,0 КТ-43
КУ903Б 800 -45+100°С
КУ904А 1200 25 265 <0,2 <100 <120 <100 2,0 КТ-43
КУ904Б 1600 -45+100°С

Интегральные схемы / Таймеры


Обозначение Прототип Функциональное назначение Диапазон Тип корпуса
раб.
темпер.
КР512ПС5 Временное устройство с переменным коэффициентом деления -45+85°С 2102.14-1
КР512ПС6 Временное устройство с переменным коэффициентом деления -45+85°С 2102.14-1
КР512ПС10 Временное устройство с переменным коэффициентом деления -60+100°С 238.16-2
Схема управления шаговым двигателем для электронно-механических
кварцевых часов со звуковым сигналом, встроенным стабилизатором
КА512ПС13А-Е е1444 -10+85°С 4103.8-1
питания генератора, обеспечивающим повышенную точность хода при
разряде элементов питания
КР512ВИ1 МС146818 Таймер часов реального времени -10+70°С 239.24-2
КА512ВИ1 Таймер часов реального времени -10+70°С 4222.48-2

Длительность сигнала Частота следования сигналов Динамический ток


управления шаговым управления шаговым потребления
двигателем двигателем
tw, мс при f= 32768Гц fc, Гц lcco, мкА
КА512ПС13А 31,25 0,5
КА512ПС13Б 46,8 0,5
КА512ПС13В 15,6 0,5 <1,8
КА512ПС13Г 46,8 0,025
КА512ПС13Д 31,25 0,025
КА512ПС13Е 1000,0 0,5

КМОП ОЗУ статического типа


Обозначение Прототип Организация Время выборки Динамический Ток потребления Диапазон Тип
адреса ток в режиме хранения рабочих корпуса
потребления Ices, мА температур
бит tA(A), не lcco, мА
КР537РУЗА НМ6504-5 4096 х 1 230 5,0 0,001 -10+70°С 2107.18-1
КР537РУ10 НМ6516-5 2048 х 8 180 60 0,4
-10+70°С 239.24-2
КР537РУ10Б 210 70 1,0
КР537РУ13 НМ6514-5 1024x4 160 50 0,005
-10+70°С 2107.18-1
КР537РУ13А 95
КР537РУ14А НМ6504-5 4096 х 1 100 35 0,005
-10+70°С 2107.18-1
КР537РУ14Б 130
КР537РУ25А CY6116-55C 2048 х 8 50 50 0,01
КР537РУ25Б НМ65161-5 65 -10+70°С 239.24-2
КР537РУ25В 80

WWW.TRANSISTOR.BY
13
ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ

16-разрядный КМОП микропроцессорный комплект


Серии КР588, КА588, К588

Обозначение Функциональное назначение Типы корпусов


Диапазон рабочих температур -10*70С°
КР588 КА588 К588
ВА1АБ 8-разрядный магистральный приемо-передатчик 2121.28-4
ВА4 Асинхронный адаптер дистанционной связи 2205.48-1
ВПАВ Системный контроллер 2204.42-2 4222.48-2
ВГ2 Контроллер ЗУ 2107.18-1
ВР2ДВ Арифметический умножитель 16x16 239.24-2
ВС1А-Е Арифметическое устройство микропроцессора 2204.42-2 429.423
ВС2А-В Арифметическое устройство микропроцессора 2204.42-2 4222.48-2
ВТ1 Селектор адреса 2204.42-2
ВУ1А.Б Устройство микропрограммного управления 2204.42-2
микропроцессором
ВУ2А-В Устройство микропрограммного управления 2204.42-2 4222.48-2
микропроцессором

ИС музыкального синтезатора
Обозначение Функциональное назначение Корпус

КБ1004ХЛ35-4 Универсальный базовый одноголосый музыкальный синтезатор для воспроизведения музыкальных


б/к
фрагментов или синтезирования звуковых сигналов на базе заданного ряда частот и длительностей

КМОП ИС для электронных часов


Обозначение Размер Число ЖКИ Выполняемые Мульти- Ток Корпус Примечание
(Прототип) кристалла контакт­ функции плекс- питан. Диапазон
ных ность без раб.
Разряд­ Указа­ Транс- Будиль­ Формат
площа­ нагр. темпер.
тели порант
док мкА
ность ы ник 12ч/24ч
мм
+ 4222.48-2 11ифровая
КА1004ХЛ20 8 7 6 24ч 1/2 1,5
-10^55°С подстройка
+ Цифровая
КБ1004ХЛ20-4 4,75x5,15 47 8 7 6 24ч 1/2 1,5 б/к
подстройка
КБ1004ХЛ28-4 2,05x1,8 27 4 1 12ч 1/2 1,5 б/к
(KS5199A)

МП БИС для автомобильной электроники


Обозначение Функциональное назначение Диапазон Тип корпуса
раб. темпер.
КР1823ВГ2 Контроллер управления блоком индикации для сельхозмашин 2121.28-4
КР1823ХЛ1 Для контроля и управления электронных систем сельхозмашин -25+85°С 2205.48-1
КР1823ХЛ2 Многофункциональная цифровая схема 2121.28-4
238.16-2
IL497 Контроллер электронного зажигания автомобиля с датчиком Холла на входе -40+125°С 4307.16-А
б/к

МП БИС для персональных ЭВМ


Обозначение Функциональное назначение Диапазон Тип корпуса
раб. темпер.
КА1835ИД1 КМОП БИС для управления мультиплексным ЖКИ -10V70rC 4233Ю.64-1
П З У масочные
КА1835РЕ1 КМОП масочное ПЗУ (16К х 16) емкостью 262 144 бит 4192Ю.24-1
КР1835РЕ2А.2Б КМОП масочное ПЗУ (128К х 8) емкостью 1 Мбит 2121.28-4
-10+70°С
КР1858ВМЗ Универсальный КМОП микропроцессор с системой команд Z-80 2123.40
КР588РЕ1 КМОП ПЗУ (4К х 16) с унифицированным интерфейсом емкостью 65 536 бит 239.24-1

• WWW.TRANSISTOR.BY
14
ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ

Интегральные стабилизаторы напряжения


Обозначение Прототип Функциональное назначение Корпус
Выходное напряжение / Максимальный выходной ток
КР142ЕН5А Стабилизатор напряжения положительной полярности (5,0В; 1,5А)
КТ-28-2
КР142ЕН8Б Стабилизатор напряжения положительной полярности (12В; 0,7А)
КР1180ЕН5А-В, А1-В1 7805 АС,С,В Стабилизатор напряжения положительной полярности (5,0В; 1,0А)
КР1180ЕН6А-В, А1-В1 7806 АС,С,В Стабилизатор напряжения положительной полярности (6,0В; 1,0А)
КР1180ЕН8А-В, А1-В1 7808 АС,С,В Стабилизатор напряжения положительной полярности (8,0В; 1,0А)
КР1180ЕН9А-В. А1-В1 7809АС,С,В Стабилизатор напряжения положительной полярности (9,0В; 1,0А)
КР1180ЕН10Б, Б1 Стабилизатор напряжения положительной полярности (10В; 1,0А) КТ-28-2
КР1180ЕН12А-В, А1-В1 7812АС,С,В Стабилизатор напряжения положительной полярности (12В; 1,0А) КТ-89
КР1180ЕН15А-В, А1-В1 7815 АС,С,В Стабилизатор напряжения положительной полярности (15В; 1,0А)
КР1180ЕН18А-В, А1-В1 7818АССВ Стабилизатор напряжения положительной полярности (18В; 1,0А)
КР1180ЕН20А-В, А1-В1 7820АСС.В Стабилизатор напряжения положительной полярности (20В; 1,0А)
КР1180ЕН24А-В, А1-В1 7824 АС,С,В Стабилизатор напряжения положительной полярности (24В; 1,0А)
КР1179ЕН5А,Б,В 7905 АС,С,В Стабилизатор напряжения отрицательной полярности (5,0В; 1,0А)
КР1179ЕН6А,Б,В 7906АССВ Стабилизатор напряжения отрицательной полярности (6,0В; 1,0А)
КР1179ЕН8А,Б,В 7908АС,С,В Стабилизатор напряжения отрицательной полярности (8,0В; 1,0А)
КР1179ЕН9А,Б,В 7909 АС,С,В Стабилизатор напряжения отрицательной полярности (9,0В; 1,0А)
КР1179ЕН12А,Б,В 7912 АС,С,В Стабилизатор напряжения отрицательной полярности (12В 1,0А) КТ-28-2
КР1179ЕН15А,Б,В 7915АС,С,В Стабилизатор напряжения отрицательной полярности (15В 1,0А)
КР1179ЕН18А,Б,В 7918АС,С,В Стабилизатор напряжения отрицательной полярности (18В 1,0А)
КР1179ЕН20А.Б.В 7920 АС,С,В Стабилизатор напряжения отрицательной полярности (20В 1.0А)
КР1179ЕН24А,Б,В 7924 АС,С,В Стабилизатор напряжения отрицательной полярности (24В 1,0А)
КР1181ЕН5А.Б 78L05AC.C Стабилизатор напряжения положительной полярности (5,0В; 0,1А)
КР1181ЕН6А.Б 78L06AC.C Стабилизатор напряжения положительной полярности (6,0В; 0,1А)
КР1181ЕН8А.Б 78L08AC.C Стабилизатор напряжения положительной полярности (8,0В; 0,1А)
КР1181ЕН9А.Б 78L09AC.C Стабилизатор напряжения положительной полярности (9,0В; 0,1А)
КТ-26
КР1181ЕН12А.Б 78L12AC.C Стабилизатор напряжения положительной полярности (12В; 0,1А)
КР1181ЕН15А.Б 78L15AC.C Стабилизатор напряжения положительной полярности (15В; 0,1А)
КР1181ЕН18А.Б 78L18AC.C Стабилизатор напряжения положительной полярности (18В; 0,1А)
КР1181ЕН24А.Б 78L24ACC Стабилизаюр напряжения положительной полярности (24В; 0,1А)
КР1199ЕН5А.Б 79L05AC.C Стабилизатор напряжения отрицательной полярности (5,0В; 0,1А)
КР1199ЕН6А.Б 79L06ACC Стабилизатор напряжения отрицательной полярности (6,0В; 0,1А)
КР1199ЕН8А.Б 79L08ACC Стабилизатор напряжения отрицательной полярности (8,0В; 0,1А)
КР1199ЕН9А.Б 791 09 АС,С Стабилизатор напряжения отрицательной полярности (9,0В; 0,1А)
КТ-26
КР1199ЕН12А.Б 79L12ACC Стабилизатор напряжения отрицательной полярности (12В 0,1А)
КР1199ЕН15А.Б 79L15AC.C Стабилизатор напряжения отрицательной полярности (15В 0.1А)
КР1199ЕН18А.Б 79L18AC.C Стабилизатор напряжения отрицательной полярности (18В 0,1А)
КР1199ЕН24 А.Б 79L24AC.C Стабилизатор напряжения отрицательной полярности (24В 0,1А)
К1261ЕН5П 78F05C Стабилизатор напряжения положительной полярности (5,0В; 1,0А)
К1261ЕН6П 78F06C Стабилизатор напряжения положительной полярности (6,0В; 1,0А)
К1261ЕН8П 78F08C Стабилизатор напряжения положительной полярности (8,0В; 1,0А)
К1261ЕН9П 78F09C Стабилизатор напряжения положительной полярности (9,0В; 1,0А)
КТ-27
К1261ЕН12П 78F12C Стабилизатор напряжения положительной полярности (12В; 1,0А)
К1261ЕН15П 78F15C Стабилизатор напряжения положительной полярности (15В; 1,0А)
К1261ЕН18П 78F18C Стабилизатор напряжения положительной полярности (18В; 1,0А)
К1261ЕН24П 78F24C Стабилизатор напряжения положительной полярности (24В; 1,0А)
К1283ЕН1.5П UR233 Стабилизатор напряжения положительной полярности (1,5В; 8,0мА)
К1283ЕН1.8П Стабилизатор напряжения положительной полярности (1,8В; 8,0мА)
К1283ЕН2.5П Стабилизатор напряжения положительной полярности (2,5В; 8,0мА)
КТ-27
К1283ЕН2.85П Стабилизатор напряжения положительной полярности (2,85В; 8,0мА)
К1283ЕНЗ.ЗП Стабилизатор напряжения положительной полярности (3,3В; 8,0мА)
К1283ЕН5П Стабилизатор напряжения положительной полярности (5,0В; 8,0мА)
К1285ЕР1П LM317 Регулируемый, положительной полярности (1,2 +37В; 0,1А) КТ-26
К1291ЕФ1П IL2596 Регулируемый импульсный стабилизатор напряжения положительной
полярности Ucc=40B, lo=3,0A
К1291ЕКЗ.ЗП Импульсный стабилизатор напряжения положительной полярности 1501.5-А
К1291ЕК5П Ucc=40B, lo=3,0A
К1291ЕК12П
К1294ЕЕ1Р TSM1051 ИМС зарядного устройства Ucc=12B, 1вх=100пА 2101.8-А
Стабилизаторы напряжения положительной полярности с низким остаточным напряжением
К1234ЕНЗАП IL1086-3.3 3,3В 1,5А КТ-28-2
К1235ЕНЗАГЦБП) IL2931Z(AZ)-3,3 3,3В 0,1А КТ-26
К1267ЕН5П LM2940CT-5 5,0В 1,0А
КТ-28-2
К1267ЕН12П LM2940CT-12 12В; 1,0А
К1268ЕНЗАП LP2954IT -3,3 3,3В 0.25А
КТ-28-2
К1268ЕН5П LP2954IT -5 5,0В 0.25А
К1280ЕНЗ.ЗП IL3480 3,3В 0,1А
КТ-26
К1280ЕН5П 5,0В 0,1А

WWW.TRANSISTOR.BY
15
ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ

Интегральные стабилизаторы напряжения (продолжение)


Обозначение Прототип Функциональное назначение Корпус
Выходное напряжение / Максимальный выходной ток
Стабилизаторы напряжения положительной полярности с низким остаточным напряжением
К1282ЕР1П IL1084 Регулируемый, 11вх=10В; 5,0А
К1282ЕНЗ.ЗП, П1 3,3В 5,0А
К1282ЕН5П, П1 5,0В 5,0А
КТ-28-2
К1282ЕН8П, П1 8,0В 5.0А 1501.5-4
К1282ЕН9П, П1 9,0В 5,0А
К1282ЕН12П, П1 12В; 5,0А
К1282ЕН15П, П1 15В; 5,0А
К1289ЕНЗ.ЗП, П1 78Rxx 3,3В 1,0А
К1289ЕН5П, П1 5,0В 1.0А
К1289ЕН8П, П1 8,0В 1.0А КТ-28-2
К1289ЕН9П, П1 9,0В 1,0А 1501.5-4
К1289ЕН12П, П1 12В; 1,0А
К1289ЕН15П, П1 15В; 1,0А
Разработка
IL2931Z(AZ)-5,0 5,0В 0,1А
IL2931T(AT)-5,0 5,0В 0,1А КТ-26
IL2931Z(AZ)-9,0 9,0В 0,1А КТ-28-2
IL2931T(AT)-9,0 9,0В 0,1А
Мощные стабилизаторы напряжения положительной полярности
К1246ЕР1П 2.61-И2В; -10.1А 1505Ю.7А
К1247ЕР1С 1,25+ЗОВ; 8,0А КТ-9
К1248ЕР1П 1,5+ЗОВ; -5.5А КТ-28-2
К1249ЕР1П 1,25+ЗОВ; 3,0А КТ-28-2
Стабилизаторы напряжения положительной полярности с низким напряжением насыщения
К1254ЕР1П AMS1117A Регулируемый 1,25В; 1,0А КТ-28-2
К1254ЕР1П1 Регулируемый 1,25В; 1,0А КТ-27
К1254ЕР1Т Регулируемый 1,25В; 1,0А КТ-89
К1254ЕН1АП AMS 1117А-1.5 1,5В 1,0А КТ-28-2
К1254ЕН1АП1 1,5В 1,0А КТ-27
К1254ЕН1АТ 1,5В 1,0А КТ-89
К1254ЕН1БП AMS 1117А-1.8 1,8В 1,0А КТ-28-2
К1254ЕН1БП1 1,8В 1,0А КТ-27
К1254ЕН1БТ 1,8В 1,0А КТ-89
К1254ЕН1ВП AMS1117A-1.8 1,2В 1,0А КТ-28-2
К1254ЕН1ВП1 1,2В 1.0А КТ-27
К1254ЕН1ВТ 1,2В 1,0А КТ-89
К1254ЕН2АП AMS 1117A-2.5 2,5В 1,0А КТ-28-2
К1254ЕН12АП1 2,5В 1.0А КТ-27
К1254ЕН12АТ 2,5В 1,0А КТ-89
К1254ЕН2БП AMS 1117А-2.85 2,85В; 1,0А КТ-28-2
К1254ЕН2БП1 2,85В; 1.0А КТ-27
К1254ЕН2БТ 2,85В; 1,0А КТ-89
К1254ЕНЗАП AMS 1117A-3.3 3,3В 1,0А КТ-28-2
К1254ЕНЗАП1 3,3В 1,0А КТ-27
К1254ЕНЗАТ 3,3В 1,0А КТ-89
К1254ЕН5П AMS 1117А-5,0 5,0В 1,0А КТ-28-2
К1254ЕН5П1 5,0В 1,0А КТ-27
К1254ЕН5Т 5,0В 1.0А КТ-89
Обозначение Погрешность Температурный Обозначение Погрешность Температурный
выходного диапазон выходного диапазон
напряжения напряжения
КР1180ЕНХХА.А1 (78ХХАС) 2,0% Ткорп.= -10°-- +70°С К1235ЕНЗАП 5,0%
КР1180ЕНХХБ.Б1 (78ХХС) 4,0% К1235ЕНЗБП Тср.= -40° + +125°С
Ткорп.= -10°- - +70°С 3,8%
КР1180ЕНХХВ.В1 (78ХХВ) 4,0% Ткорп.= -45° - - +70°С К1246ЕР1П 0,5% Ткорп.= -10°--+125°С
КР1179ЕНХХА (79ХХАС) 2,0% Ткорп.= -10°-- +70°С К1247ЕР1С 1,0% Ткорп.= -10°--+100°С
КР1179ЕНХХБ (79ХХС) 4,0% Ткорп.= -10°- - +70°С К1248ЕР1П 1,0% Ткорп.= -10° - - +100°С
КР1179ЕНХХВ (79ХХВ) 4,0% Ткорп.= -45° - - +70°С К1249ЕР1П 1,0% Ткорп.= -10° - -+100°С
КР1181ЕНХХА (78LXXAC) 5,0% К1254ЕР(Н)ХХХ 1,0% Ткорп.= -10°--+100°С
КР1181ЕНХХБ (78LXXC) 10% Тср.= -10°+ +70°С
К1267ЕНХХП 3,0% Ткр.= -10о + +125°С
КР1199ЕНХХА (79LXXAC) 5,0% К1268ЕНХХП 1,0% Ткр.= -40° + +125°С
КР1199ЕНХХБ (79LXXC) 10% Тср.= -10°-г+70"С
К1280ЕНХХП (IL3480) 4,0% Ткорп.= -10°-- +70°С
K1261EHXXn(78FXXC) 4,0% Ткорп.= -10° i+70"С К1282ЕНХХП.П1 (IL1084) 1,0% Ткорп.= -10° - +125°С
IL2931Z(T) 5,0% К1283ЕНХХП (UR233) 1,0% Ткорп.= -10° +125°С
IL2931AZ (AT) 3,8% Тср.= -40°н-+125°С
К1289ЕН12П.П1 (78Rxx) 2,0% Ткорп.= -25° - +85°С
К1234ЕНЗАП 1,0% Ткорп.= 0° ++125°С К1291ЕКХХП 4,0% Ткорп.= -45° - +125°С

WWW.TRANSISTOR.BY
ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ

Генераторы меяодтт
Обозначение Максимальное число Ucc Ice, мкА Корпус
мелодий (нот) воспроизведение остановка Диапазон
В мелодии раб. темпер.
КТ-26
ВТ8028-ХХ 16(64) 1,3-3,3 60 0,5
-10+50°С
КТ-26
ВТ8031-ХХ 2(127) 1,3-3,3 1,0 0,5
-10+50°С
XX - номер кодировки, определяющий мелодии

Источники опорного напряжения


Обозначение Прототип Функциональное Основные характеристики Диапазон Тип корпуса
назначение раб. темпер.
К1242ЕР1(А-В)П TL431 Регулируемый Входное напряжение: (UREF )= 2,44 + 2,55В -10+70°С
КТ-26
К1242ЕР1(Г-Е)П стабилитрон Макс, напряжение катод-анод: (UKA)= 37B -45+85°С 4303Ю.8-А
К1242ЕР1(А-В)Т Ток катода: (lK) =1,0 + 150мА -10+70°С
Входное напряжение: (UREF ) = 1,228 * 1,252В
Регулируемый
К142ЕР2ПИМ TL432 Макс, напряжение катод-анод: UKA • 18В -10+70°С КТ-26
стабилитрон
Ток катода: 1 к =1,0 + 100мА

Микросхемы вольт «детекторов


Обозначение Прототип Напряжение Макс, входное Макс, выходной ток Рассеиваемая Ток Корпус
детектирования напряжение низкого уровня мощность потребления Диапазон
иотп., В Ui max, В I ol max, мА Ртах, ВТ Ice, мкА раб. темпер.
К1274СП21П KIA7021 2,03- "2,17 1,0 + 15 <16 0,5 50 КТ-26
К1274СП23П KIA7023 2,23- -2,37 -25+70°С
К1274СП25П KIA7025 2,43- -2,57
К1274СП27П KIA7027 2,63- -2,77
К1274СП29П KIA7029 2,83- -2,97
К1274СП31П KIA7031 3,03- -3,17
К1274СПЗЗП KIA7033 3,23- -3,37
К1274СП36П KIA7036 3,53- -3,67
К1274СП37П KIA7037 3,63- -3,77
К1274СП39П KIA7039 3,83 -3,97
К1274СП42П KIA7042 4,13 --4,27
К1274СП45П KIA7045 4,43 4,57

ИС для телевидения
Обозначение Прототип Функциональное Основные характеристики Диапазон Тип корпуса
назначение раб. темпер.
Схема управления Ucc= 8,0 * 14В
импульсным Ток потребления:
ЭКР1087ЕУ1 TDA4605-02 стабилизатором 0+70°С 2101.8-А
- при запуске <1,5мА
- включенной микросхемы <6,0мА
Широтно-импульсный Ucc= 7,0 + 25В
модулятор для Ток потребления: -до включения <1,0мА 2101.8-А,
К1033ЕУ25Р источников питания 0+70°С
UC3843 - после включения <17мА 4303Ю.8-А
К1033ЕУ25Т
Порог срабатывания Vth= 7,8 + 9,0В
ШИМ 0 + 94%
Декодер диапазонов Ucc= 10,8 + 13,2В
ЭКР1568КН1 телевизионных устройств Ice <20мА -10+70°С 2101.8-А
Uo = -0,3 + Ucc+0,3B
Широтно-импульсный Ucc= 11,5 +25В
модулятор для Ток потребления: - до включения <1,0мА
IL3842ANF UC3842 источников питания - после включения <17мА 0+70°С 2101.8-А
Порог срабатывания Vth= 14,5+ 17,5В
ШИМ 0 + 94%
Широтно-импульсный UCC» 11,5 +25В
модулятор для Ток потребления: - до включения <1,0мА
IL3844NF UC3844 источников питания - после включения <17мА 0+70°С 2101.8-А
Порог срабатывания Vth= 14,5+ 17,5В
ШИМ 0 + 50%
Широтно-импульсный Ucc= 11,5 + 25В
модулятор для Ток потребления: - до включения <1,0мА
IL3845NF UC3845 источников питания - после включения <17мА 0+70-С 2101.8-А
Порог срабатывания Vth= 7,8 + 9,0В
ШИМ 0 + 50%
Декодер диапазонов Ucc=4,5 + 5,5B
IL9005N телевизионных устройств 1сс<15мА -10+70°С 2101.8-А
Uo=-0,3 + Ucc + 0,3В

WWW.TRANSISTOR.BY
17
Изделия для телефонии
Обозначение Функциональное Основные характеристики Диапазон Тип
назначение раб. корпуса
темпер.
Электронный фильтр U3cmax=-150B, Unp=2,0B
К1482ФП1Т 4303Ю.8-А
импульсов избыточного 1уд=150мА, 1удар.н.ос=5,0А
напряжения для защиты -45+850С
К1482ФП1Р 2101.8-А
телефонных линий
КА1574ХМ1-002 Транскодер адаптивной Ucc = 4,75-5,25В; 1сс<100мА
дифференциальной импуль- Количество каналов преобразований - 2 -10+70°С 2121.28-4
сно-кодовой модуляции
КР1575ХМ1-002 Схема управления Ucc = 4,75 4-5,25В; 1сс<100мА
дельта -кодеком Количество каналов преобразований - 2
Разрядность ЦАП и АЦП - 8 -10+70°С 2121.28-4
Количество режимов работы - 2
Тактовая частота преобразований -150кГц
КР1575ХМ1-003 Схема блока управления Ucc = 4,75 + 5,25В; 1сс<100мА
цифровым телефонным Количество каналов передачи - 1
аппаратом Количество режимов работы - 2 -10+70°С 2121.28-4
Тактовая частота преобразований- 500кГц
Частота следования информационного сигнала - 32кГц

Изделия спецназначения / Биполярные транзисторы


Обозначение Полярность Рк икб U кэ изб 1к п21е икэ 1кбо frp Корпус
max max max max max нас Диапазон
Вт В В В мА В мкА МГц раб. темпер.
КТ1-7
2Т3117А NPN 0,3 60 60 4,0 400 40-200 0,5 5,0 300
-60+125°С
КТЮ-27-3
2Т3133А NPN 0,3 50 45 4,0 300 25-100 0,65 10 200
-60+125°С
2Т3133А-2 NPN 0,3 50 45 4,0 300 25+100 0,65 10 200 б/к
2Т3158А-2 NPN 0,05 50 50 4,0 400 50-И 80 0,8 5,0 200 б/к
2Т3160А-2 NPN 0,3 50 4,0 300 30-150 0,6 10 200 б/к
2Т331Б-5 NPN 15 15 15 3,0 20 30-70 0,05 450 б/к
2Т378Д-5, Е-5 NPN 0,5 60 60 4,0 400 60+140 0,75 0,1 300 б/к
2Т384А-2 NPN 0,3 30 30 5,0 300 30+180 0,53 10 450
б/к
2Т384АМ-2
2Т385А-2 NPN 0,3 60 5,0 300 30+150 0,65 10 200
б/к
2Т385АМ-2
2Т607А-4 NPN 1,5 40 35 4,0 150 1000 700 б/к
2Т610А NPN 1,5 26 26 4,0 300 50+250 1000 КТ-16-2
2Т610Б 20+250 700 -60-125°С
2Т624А-2 NPN 1,0 30 30 4,0 1000 30+180 0,87 100 450
б/к
2Т624АМ-2
2Т625А-2 NPN 1,0 60 5,0 1000 30+120 0,65 30 200
2Т625АМ-2 30+120 0,65
б/к
2Т625Б-2 20+120 0,7
2Т625БМ-2 20+120 0,7
2Т633А NPN 0,36 30 4,5 200 40+140 0,5 3000 500 КТ2-7
-60-125°С
2Т634А-2 NPN 1,2 30 3,0 150 500 1500 б/к
2Т635А NPN 0,5 60 60 5,0 1000 25+150 0,5 10 250 КТ2-7
-60+125°С
2Т637А-2 NPN 1,5 30 2,5 200 100 1300 б/к
2Т649А-2 NPN 1,5 30 2,5 200 20+90 200 1300 б/к
2Т652А NPN 1,0 50 45 4,0 1000 25+100 0,65 30 200 КТЮ-27-3
2Т652А-2 б/к
-60+125°С
2Т672А-2 NPN 1,0 50 4,0 1000 30+120 0,6 10 200 б/к
2Т913А NPN 4,7 55 55 3,5 500 >20 10000 900
КТ-16-2
2Т913Б 8,0 1000 20000
-60+125°С
2Т913В 12 1000 20000
2Т916А NPN 30 55 55 3,5 2000 25000 1100 КТ-16-2
-60+125°С
2Т928А NPN 0,5 60 60 5,0 800 30-100 0,6 5,0 300 КТ2-7
2Т928Б 50 200 -60+125°С
2Т938А-2 NPN 1,5 28 2,5 180 1000 2000 б/к
2Т939А, А1 NPN 4,0 30 30 3,5 400 40+200 1000 2500 КТ-16-2
КТ-16А-2
-60+125°С

WWW.TRANSISTOR.BY
18
ИЗДЕЛИЯ СПЕЦНАЗНАЧЕНИЯ

Биполярные высоковольтные транзисторы


Обозначение Прототип Поляр­ Рк UK6 икэ изб 1к п21е икэ нас 1кбо Корпус
ность max max max max max Диапазон
Вт В В В А В мА раб. темпер.
2Т8224А-5 NPN 65 1500 700 5,0 10 3,5-10 2,0 0,2 б/к
2Т828А/ИМ 2Т828А, Б NPN 50 1400 700 5,0 5,0 >2,25 3,0 0,2
КТ-9
2Т828Б/ИМ 1200 600
-60-125°С
Разработка
2Т839А/ИМ 2Т839А NPN 65 1500 700 5,0 10 >5,0 0,2 КТ-9
Разработка -60-125°С
2Т845А/ИМ 2Т845А NPN 50 700 400 4,0 5,0 15-100 1,5 КТ-9
Разработка -60-125°С
икэг UK30
2Т847А-5/ИМ NPN 125 650 гр 8,0 15 >8,0 1,5 5,0 б/к
390

IGBT транзисторы
Обозначение Прототип Рк икэ изб 1к икэ нас 1кэк Корпус
max max max max Диапазон
Вт В В мА В мА раб. темпер.
2Т802А-5 IRG4DC30 50 600 ±20 23 2,7 0,25 б/к

Мощные n-канальные полевые транзисторы


Обозначение Прототип UCH max RCH Ic max изи max Р max 11зи пор Корпус
Диапазон
В Ом А В Вт В раб. темпер.
2П771А STP40N10 100 0,045 40 •20 150 2,0-4,0 КТ-28-2
2П771А91 КТ-90
2П771А-5, А-6 б/к
-60+100°С
2П7145А/ИМ, А-5/ИМ IRFP250 200 0,085 30 ±20 150 2,0*4,0 КТ-9
2П7145Б/ИМ 0,1 26 б/к
-60-125°С
2П7172А ТО-254
100 0,05 30 ±20 125 2,0-4,5
Разработка -60-125°С

Диоды Шоттки
Обозначение Inp.max 1имп. max Uo6p. max Постоянное прямое I обр. Корпус
напряжение диода Диапазон
раб. темпер.
А А В Unp„ В Inp.A мА
2ДШ2121 АС/ИМ 2x5,0 50 100 0,8 5,0 0,2 КТ-9
2ДШ2121А-5/ИМ б/к
-60-125°С

Импульсные диодные матрицы


Обозначение Uo6p. Inp max Unp 1обр Q (пКл) Схема Количество Корпус
max соединения элементов Диапазон
мА В мкА [tBOC раб. темпер.
В (не)]
Изолирован, 401.16-3
2ДС627А 50 200 0,85-1,15 2,0 [40] 8
диоды -60+125°С
Общий катод+ 402.12-2
2ДС628А 50 300 0,95+1,25 5,0 [50] 16
общий анод -60+125°С
2Д907Б-1 40 50 1,0 5,0 500 Общий катод 2
2Д907Г-1 б/к
4
2Д908А 50 200 1,2 5,0 [30] Общий катод 8 4112.12-1
2Д908А1 Н04.16-2В
-60-125°С
2Д917А 50 200 0,87+1,17 5,0 [50] Общий анод 8 4112.12-1
2Д917А1 Н04.16-2В
-60+125°С
2Д918Б-1 40 50 1,0 5,0 850 Общий анод 2
б/к
2Д918Г-1 4

WWW.TRANSISTOR.BY
19
ИЗДЕЛИЯ СПЕЦНАЗНАЧЕНИЯ

Интегральные микросхемы

ТТЛ Серия 133

Обозначение Прототип Функциональное назначение Диапазон Тип корпуса


раб.
темпер.
133 ЛА1 SN5420 Два логических элемента "4И-НЕ"
133ЛА2 SN5430 Логический элемент "8И-НЕ"
133 ЛАЗ SN5400 Четыре логических элемента "2И-НЕ"
133ЛА4 SN5410 Три логических элемента "ЗИ-НЕ"
Два логических элемента "4И-НЕ" с большим коэффициентом
133 ЛА6 SN5440
разветвления по выходу
Два логических элемента "4И-НЕ" с открытым коллекторным выходом и
133ЛА7 SN5422
повышенной нагрузочной способностью
133 ЛА8 SN5401 Четыре логических элемента "2И-НЕ" с открытым коллекторным
выходом 401.14-4
-60+125°С
133ЛА15 SN5400 Элемент сопряжения МОП ЗУ-ТТЛ 401.14-5М
(Четыре логических элемента "2И-НЕ")
133 ЛД1 SN5460 Два четырехвходовых логических расширителя по "ИЛИ"
133ЛДЗ Восьмивходовый расширитель по "ИЛИ"
133 ЛР1 SN5450 Два логических элемента "2-2И-2ИЛИ-НЕ",
один расширяемый по "ИЛИ"
Логический элемент "2-2-2-ЗИ-4ИЛИ-НЕ" с возможностью
133 ЛРЗ SN5453
расширения по "ИЛИ"
Логический элемент "4-4И-2ИЛИ-НЕ" с возможностью
133 ЛР4 SN5455
расширения по "ИЛИ"

ТТЛ Серия 136

Обозначение Прототип Функциональное назначение Диапазон Тип корпуса


раб.
темпер.
136 ЛА1 SN54L20 Два логических элемента "4И-НЕ"
136 ЛА2 SN54L30 Логический элемент "8И-НЕ"
136 ЛАЗ SN54L40 Четыре логических элемента "2И-НЕ"
136 ЛА4 SN54L10 Три логических элемента "ЗИ-НЕ"
136 ЛН1 Шесть логических элементов "НЕ"
401.14-4
136 ЛР1 SN54L50 Два логических элемента "2-2И-2ИЛИ-НЕ" -60+125°С
401.14-5М
136 ЛРЗ SN54L53 Логический элемент "2-2-2-ЗИ-4ИЛИ-НЕ"
136 ЛР4 SN54L55 Логический элемент "4-4И-2ИЛИ-НЕ"
136 ТВ1 SN54L72 J-K триггер
136 ТМ2 SN54L74 Два D-триггера
136 ТР1 R-S триггер

КМОП Серия 1564

Обозначение Прототип Функциональное назначение Диапазон Тип корпуса


раб.
темпер.
1564ИВЗ 54НС147 Шифратор приоритетов 10-4 402.16-32
1564ИП5 54НС280 9-разрядная схема контроля четности 401.14-5М
1564ИП7 54НС243 Четырехшинный передатчик 402.16-32
1564ИР8 54НС164 8-разрядный последовательный сдвиговый регистр 402.16-32
1564ЛА2 54НС30 Логический элемент "8И-НЕ" -60:125°С 401.14-5М
1564ЛН1 54НС04 Шесть логических элементов "НЕ" 401.14-5М
1564ЛР11 54НС51 2 логических элемента "2И-ИЛИ-НЕ" 401.14-5М
1564ТЛ2 54НС14 Шесть триггеров Шмитта-инверторов 401.14-5М
1564ТМ5 54НС77 Четыре D-триггера 401.14-5М

Таймеры
Обозначение Функциональное назначение Диапазон Тип корпуса
раб.
темпер.
512ПС5 Временное устройство с переменным коэффициентом деления -60+85°С 401.14-5М
512ПС6 Временное устройство с переменным коэффициентом деления -60+85°С 401.14-5М
512ПС8 Временное устройство с коррекцией -60+85°С 402.16-23
512ПС10 Временное устройство с переменным коэффициентом деления -60+100°С 402.16-23
512ПС11 Преобразователь "Частота-код" -60-125°С 429.42-5

WWW.TRANSISTOR.BY
20
ИЗДЕЛИЯ СПЕЦНАЗНАЧЕНИЯ

КМОП ОЗУ статического типа


Обозначение Организация Время выборки Динамический ток Ток потребления Диапазон Тип корпуса
адреса, потребления, в режиме хранения, раб. темпер.
бит tA(A), не Icco, мА Ices, мА
1617РУ13А 1024x4 140 55 0,001
-60+85°С 427.18-1.02
1617РУ13Б 180
1617РУ14А 4096 х 1 140 55 0,001 427.18-1.02
-60+85°С
1617РУ14Б 180
537РУЗА 4096 х 1 230 20 0,001
-60+85°С 427.18-2.03
537РУЗБ 150
537РУ13 1024x4 160 60 0,01 427.18-2.03
-60+85°С
Н537РУ13 0,05 Н09.18-1В
537РУ14А 4096 х 1 80 35 0,005 427.18-2.03
537РУ14Б 130 -60+85°С 427.18-2.03
Н537РУ14А/Б 80/130 Н09.18-1В

16-разрядный КМОП микропроцессорный комплект


Серии Н588. 588

Обозначение Функциональное назначение Типы корпусов


Диапазон рабочих температур: -60-И25°С
Н588 588
ВА1,А,Б 8-разрядный магистральный приемопередатчик Н09.28-1В 4119.28-3.01
ВАЗ Усилитель-ограничитель 402.16-21
ВПАВ Системный контроллер Н14.42-1В 429.42-5
ВГ2 Контроллер ЗУ Н09.18-1В 427.18-1
ВГЗ Код контроллера последовательного интерфейса Н14.42-2В 429.42-5
ВГ4 Контроллер аналого-цифрового преобразователя Н16.48-1В 4134.48-2
ВГ5 Контроллер цифро-аналогового преобразователя Н16.48-1В 4134.48-2
ВГ6.ВГ7 Контроллер оконечного устройства Н16.48-1В 4134.48-2
ВИ1 Схема таймера Н14.42-1В 429.42-5
ВН1 Схема управления прерыванием Н14.42-1В 4119.28-3.01
ВР2,А,В Арифметический умножитель 16x16 Н14.42-1В 4118.24-1
ВС2А-В Арифметическое устройство микропроцессора Н14.42-1В 429.42-5
ВТ1 Селектор адреса Н14.42-1В 429.42-5
ВТ2 Схема управления памятью Н16.48-1В 4134.48-2
ВУ2А-В Устройство микропрограммного управления микропроцессором Н14.42-1В 429.42-5
ИР1 Многофункциональный буферный регистр Н09.28-1В 4119.28-1.01
ИР2 12-разрядный адресный регистр 4119.28-1.01

Серия 1824
Обозначение Функциональное назначение Диапазон Тип корпуса
раб. темпер.
1824ВР21 Арифметический умножитель 1 6 x 1 6 -60+125°С 4131.24-3
1824ВУ21 Устройство микропрограммного управления микропроцессора -60+125°С 429.42-5
1824ВС21 Арифметическое устройство микропроцессора -60+125°С 429.42-5

Серия 1842
Обозначение Функциональное назначение Диапазон Тип корпуса
раб. темпер.
1842ВГ1 Кодек последовательного интерфейса -60+85°С 429.42-5
1842ВГ2 Контроллер ЗУ оконечного устройства -60^85°С 4134.48-2

Однократно программируемые ПЗУ


Обозначение Прототип Организация Время выборки Ток потребления Ток потребления Диапазон Тип
адреса в режиме хранения раб. корпуса
бит t A(A), не Icco, мА Ices, мА темпер
М1623РТ1А НМ6616 2048 х 8 100 0,04
-60+85°С 210Б.24-1
М1623РТ1Б 140
1623РТ2А НМ6664 8192 х 8 100 50 0,04
-60+85°С 4119.28-6
1623РТ2Б 140

WWW.TRANSISTOR.BY
21
ИЗДЕЛИЯ СПЕЦНАЗНАЧЕНИЯ

Стабилизаторы напряжения
Обозначение Прототип Функциональное назначение Краткая характеристика Тип
корпуса

1244ЕНХХТ 78ХХ Серия стабилизаторов напряжения положительной ивых = 5,0; 6,0; 8,0; 9.0; 12; 15;
полярности с расширенным диапазоном температур 4116.4-3
18; 24В, (1,5 А) Т = -60-125°С
1252ЕР1Т LM117 Регулируемый стабилизатор напряжения с Ывых 1,2-37 В,
расширенным диапазоном температур Т = -60+125°С
4116.4-3
(1.5 А)
1253ЕИХХТ 79ХХ Серия стабилизаторов напряжения отрицательной ивых = 5,0; 6,0 8,0; 12; 15; 18;
полярности с расширенным диапазоном температур
4116.4-3
24В, (1,5 А) Т = -60-И25°С
1264ЕНХХПИМ LT1083 Серия стабилизаторов напряжения положительной ивых = 2,5; 2,85; 3,3; 5,0; 9,0;
Разработка полярности с низким остаточным напряжением 12В (7,0 A) Uds>1,7B
КТ-9
Т = -60 + 125°С
1264ЕР1ПИМ 11вых = 1,25В регулируемый

Источники опорного напряжения


Обозначение Прототип Функциональное Краткая характеристика Диапазон Тип
назначение раб. темпер корпуса

142ЕР1УИМ Т431 Регулируемый Минимальное напряжение стабилизации:


142ЕР1Н4ИМ стабилитрон UKmin = 2,47 ~ 2,52В Н02.8-2В
-60-125°С
Максимальное напряжение катод-анод: б/к
UxAmax = 36В, Ток катода: lK= 1,0 -г ЮОмА
142ЕР2УИМ Т432 Регулируемый Минимальное напряжение стабилизации:
142ЕР2Н4ИМ стабилитрон UKm,n= 1,228 - И ,252В Н02.8-2В
-60-125°С
Максимальное напряжение катод-анод: б/к
UKAmax = 16В, Ток катода: l K = 1.0 - ЮОмА

WWW.TRANSISTOR.BY
22
ФА УНДРИ-УСЛУГИ
Располагая развитым основным и вспомогательным производством, предприятие своевремен­
но обеспечивает выполнение договорных обязательств по поставкам изделий, а также выполнение
заказов по документации заказчика.

1. ОСНОВНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ ОБРАБОТКИ ПЛАСТИН

Интегральные микросхемы Полупроводниковые приборы


- дмоп
- кмоп - БТИЗ(ЮВТ)
- Биполярная - Эпитаксиально-планарная
- Диоды Шоттки

2. СБОРКА И ТЕСТИРОВАНИЕ КОРПУСОВ


для ИМС и ППП

*• ^
^9ж

ТО 220 ТО-126 ТО-92 DIP -8 (42) ТО-3

щ
DPAK (D-PAK) Sot-23 1РАК SMDI(2) ТО-218

3. СОПУТСТВУЮЩИЕ УСЛУГИ

изготовление и поставка кремниевых подложек и эпитаксиальных структур;

изготовление рамок выводных для сборки транзисторов и ИМС;

изготовление кремниевых пластин (0 76, 100 мм);

высокотемпературная обработка кварцевого стекла;

изготовление пресс-форм и штампов.

WWW.TRANSISTOR.BY
23
КОРПУСА
КТ-28-2 (ТО-220АВ)

А
ql Размеры
мм
D Г min max
А 4.2 4.8
В 5.9 6.8
b 0.6 0.8
0Р Т с 2.3 2.6
D 10.3 10.7
Е В Е 15.2 15.9
q е 2.2 2.6
F 1.1 1.2
L 12.5 14.5
_L L1
Р
3.06
3.6
3.54
3.72
Q 0.55 0.75
L L1T q 15.785 16.215
q1 2.6 3
b
е с

КТ-28-1 (ТО-220АС)

— ^ — —-^—
ql В E Размеры
min
MM
max
} A 4.2 4.8
- В 5.9 6.8
Jl
i 6k:\®P I 11 ...
b
с
0.6
2.3
0.8
2.6
D 10.3 10.7
Е 'в E 15.2 15.9
q e 2.2 2.6
F 1.1 1.2
• t и
L
L1
12.5
3.06
14.5
3.54
t v 1

1
P
Q
3.6
0.55
3.72
0.75
1 q 15.785 16.215
1 q1 2.6 3
1 b
* $ 3
—^-
с
-"• -~m—
WWW.TRANSISTOR.BY
25
КТ-27(ТО-126)

А
мм
Размеры
min max
- А 2.5 2.8
b 0.88
\0Р с 0.9 1.5
D 7.4 7.8
Е 10.6 11
е 2.2 2.4
L 15.6 16.4
L1 2.54
Р 3.05 3.2
Q 0.6
Q Q1 3.6 4

" С

КТ-43 (ТО-218)

А
D F мм
Размеры
L А
min
4,9
max
5
ql b 1 1,2
[ V С 2,2 2,8

т
Е1
\0Р
D
Е
14,8
20,1
15,2
20,5
Е1 12,5 12,7
е 5,4 5,6
5 I? I F 1,98 2,1
L 14 15
L1
L L1 1,5 1,9
Р 4 4,2
Q 0,5 0,6
b Q q1 4 4,1
С

WWW.TRANSISTOR.BY
26
КТ1-12(ТО-72)

мм
Размеры
min max
b 0.5
D 4.95
Е 5.3
L 12.5 14.5
Р 5.84
Р1 2.2 2.6
I 0.94 1.12

i i к 0.88 1.12
а 40° 50°

КТ-26 (ТО-92)

з:

LI

мм
Размеры
min max
Е 4.6 5.1
Ь 0.5
D 4.6 5
d 1.25 1.65
А 3.5 3.8
е 1.2573 1.2827
L 12.5 14.5
L1 2
Q 0.5

WWW.TRANSISTOR.BY
27
KT-90 (SMD-220) D2PAK
#
С
H
В
R .E. MM
Размеры
min max
чN
> / "" 1 A 8.49 8.71
' 4
1 В 9.92 10.28
С 4.25 4.55
D 1.15 1.4

E 1.1 1.3
F 0.71 0.85
G 5.08
_ 1 2 3 H 2.3 2.5
(УЭ J 0.46 0.6
К 4.76 5.24
1 I ^
L 2.54
• • R 6.89 7.11
F_ L S 1.45 1.55
U 2.3 2.7
£-
. G . V - 1.4

КТ-89 (ТО-252АА) DPAK

MM
Размеры
min max
> A 5.99 6.22
В 6.37 6.73
С 2.23 2.37
D 0.71 0.85
E 0.46 0.61
F - 1.05
G 4.58
H 0.9 1.0
J 0.46 0.61
LJ К 2.65 2.9
L 2.24 2.34
R 5.21 5.39
S 0.7 1.0
U 0.51 -
V 1.15 1.25

WWW.TRANSISTOR.BY
28
KT-92(TO-251AA)IPAK

мм
Размеры
min max
А 5.99 6.22
В 6.37 6.73
С 2.23 2.37
D 0.71 0.85
Е 0.46 0.61
F - 1.05
G 4.58
Н 0.9 1.0
J 0.46 0.61
К 9.19 9.41
L 2.24 2.34
R 5.21 5.39
S 2.0 2.6
V 1.15 1.25

КТ-9 (ТО-3)

мм
Размеры
min max
А - 39.15
В - 26.5
С - 10.2
D 0.98 1.05
Е 1.52 1.6
G 10.8 11.2
К 11 13
L 16.7 17.1
N 19.75 20.05
и 29.9 30.1
V 4.1 4.22
О 5.0 5.08

WWW.TRANSISTOR.BY
29
4303Ю.8А (SO-8, MS-012AA)

MM
Размеры
min max
± A 1.35 1.75
EL A1 0.1 0.25
3xB=B В 0.35 0.51
С 0.19 0.25
D 4.8 4.95
ffi Ш i Ш t E 3.86 4.0
8 7 I 6 5
! e 1.27
LJ
r t x H
К
5.8

-
3.81
6.2

J ,1 i L 1.1
r 6 0 8°
Зоно
ключо
/ Ш Ш!Ш i .
. D .

KT-46A (SOT-23)

— кEL~
1- .
I
I
T

I
D E1
I
1
I i 1

e e

MM
Размеры
min max
A 0.75 0.95
A1 0.84 1.1
b 0.38 0.46
С 0.5 0.65
D 1.2 1.4
D1 2.1 2.5
E 2.8 3
e 0.85 1.05
L 0.4 0.6
Q 0.09 0.15

;• WWW.TRANSISTOR.BY
30
;
Case 22A-01

MM
Размеры
mn
i max
b 0.5
D 4.95
i i i E 5.3
L 12.5 14.5
P 5.84
PI 2.2 2.6
J 0.94 1.12
к 0.88 1.12
i i a 40- 50°

KT1-7(TO-18)

-i—h

[Ti rh rh

i i

MM
Размеры
min max
b 0.5
D 4.95
E 5.3
L 12.5 14.5
P 5.84
PI 2.2 2.6
J 0.94 1.12
к 0.88 1.12
a 40° 50°

WWW.TRANSISTOR.BY
31
Подписано в печать 20.07.2007 г.
Формат 6 0 x 8 4 / 8 . Гарнитура «Arial». Бумага мелованная.
Печать офсетная. Тираж 3 0 0 0 экз. Заказ 917.

Отпечатано в УП «Интегралполиграф».
Лицензия на право осуществления полиграфической
деятельности № 0 2 3 3 0 / 0 1 3 3 1 8 6 от 30.04.2004 г.

220108, г. Минск, ул. Корженевского, 16-101


Тел.: (017) 212-29-32, 212-29-51
e-mail: sapun@list.ru
8
УП "Завод Транзистор"
220108, Республика Беларусь, г.Минск
ул. Корженевского, 16
телетайп: 252169 РОМБ

управление сбыта
тел+375(17)278-26-36
факс+375 (17) 278-19-15

отдел маркетинга
тел/факс +375 (17) 212-59-32

фирменный магазин
Тел+375(17)278-09-05

E-mail: market@transistor.by
http://www.transistor.by
ГУРосНИИИТиАП Ассоциация МВТК

Федеральный информационный фонд отечественных и


иностранных каталогов на промышленную продукцию

Каталог был представлен на выставке


«Chip-Expo - 2007»
(Электроника, компоненты,
оборудование, технологии)

Каталог включен в базу данных


«Федерального информационного фонда
отечественных и иностранных каталогов на
промышленную продукцию»
Россия, 105679, Москва, Измайловское шоссе, 44,
Тел./факс (095)366-5200, 366-7008, 365-5445. e-mail:; fkataIog@mail.ru,
www.ffpk.ru

Электронная копия издания изготовлена с целью её включения в базы


данных Федерального информационного фонда отечественных и
иностранных каталогов на промышленную продукцию, которые
формируются в соответствии с Постановлением Правительства РФ от 24
июля 1997 г. № 950 и Постановлением Правительства РФ от 31 декабря 1999
г. № 2172-р и зарегистрированы Комитетом по политике информатизации
при Президенте РФ под №№ 39-50.

2007 год