Вы находитесь на странице: 1из 125

Кафедра физико-математических дисциплин

Национального университета гражданской защиты Украины

ФИЗИКА
Справочник
Разделы: Магнитное поле. Электромагнетизм.
Колебания, волны и волновые явления.
Элементы квантовой механики.
Физика атома и атомного ядра. Элементы физики твёрдого тела

Харьков 2015
1
Печатается по решению кафедры
физико-математических дисциплин
НУГЗ Украины
Протокол от 26.01.15. №6

Составители: В.Г. Борисенко, Ю.Ф. Деркач, В.И. Кривцова, К.Р. Умеренкова

Рецензенты: кандидат физико-математических наук О.М. Савченко, доцент


кафедры общей физики Харьковского национального универси-
тета им. В. Н. Каразина;
кандидат технических наук, доцент С.В. Говаленков, доцент
кафедры физико-математических дисциплин НУГЗ Украины.

Физика. Разделы: Магнитное поле. Электромагнетизм. Колебания,


волны и волновые явления. Элементы квантовой механики. Физика атома
и атомного ядра. Элементы физики твёрдого тела: справочник./ Составители:
В.Г. Борисенко, Ю.Ф. Деркач, В.И. Кривцова, К.Р. Умеренкова. – Х.:
НУГЗУ, 2015. – 121 с.

В справочнике приведено краткое систематизированное изложение


основных разделов курса общей физики. В каждом разделе даны опре-
деления основных физических понятий, сформулированы основные
физические законы и явления. После каждого раздела приведены при-
меры решения типовых задач. В приложении приведены основные
фундаментальные константы и краткие табличные сведения о числен-
ных значениях физических величин, наиболее часто встречающихся
при решении задач.
Для студентов нефизических специальностей вузов.

2
СОДЕРЖАНИЕ

Предисловие ................................................................................................................. 5
Раздел 4. Магнитное поле. магнитостатика. электромагнетизм ......................... 6
Основные теоретические сведения ....................................................................... 6
4.1 Магнитное поле. Вектор магнитной индукции ............................................ 6
4.2 Закон Био - Савара – Лапласа. Магнитное поле проводника с током ..... 7
4.3 Сила Лоренца. Движение заряженной частицы в однородном
магнитном поле ...................................................................................................... 10
4.4 Закон Ампера. Проводник с током в магнитном поле .............................. 12
4.5 Циркуляция вектора индукции магнитного поля. Магнитный поток .... 14
4.6 Магнитное поле в веществе. Напряжённость магнитного поля .............. 15
4.7 Явление электромагнитной индукции. Закон Фарадея............................. 17
4.8 Самоиндукция и взаимоиндукция. Индуктивность .................................. 19
4.9 Энергия магнитного поля .............................................................................. 20
Примеры решения задач ....................................................................................... 21
Раздел 5. Колебания, волны и волновые явления................................................. 28
Основные теоретические сведения ..................................................................... 28
5.1 Гармонические колебания ............................................................................. 28
5.2 Сложение гармонических колебаний .......................................................... 30
5.3 Свободные колебания ..................................................................................... 33
5.4 Затухающие колебания................................................................................... 35
5.5 Вынужденные колебания ............................................................................... 38
5.6 Волны. Основные свойства волн. Уравнение волны ................................ 40
5.8 Электромагнитные волны .............................................................................. 43
5.9 Волновые процессы. Интерференция света ................................................ 46
5.10 Стоячие волны ............................................................................................... 48
5.11 Понятие о когерентности реальных волн. Интерференция света
в тонких плёнках................................................................................................... 49
5.12 Явление дифракции. Принцип Гюйгенса – Френеля и метод зон
Френеля ................................................................................................................... 51
5.13 Дифракция на щели. Дифракционная решётка ........................................ 53
5.14 Естественный и поляризованный свет. Поляризация света
при отражении от границы раздела двух диэлектриков ................................. 56
5.15 Двойное лучепреломление. Призма Николя. Закон Малюса ................. 58
5.16 Понятия о дисперсии и поглощении света ............................................... 61
Примеры решения задач ....................................................................................... 61
Раздел 6. Элементы квантовой механики. Физика атома и атомного ядра ...... 70
Основные теоретические сведения..................................................................... 70
6.1 Тепловое излучение ........................................................................................ 70
6.2 Внешний фотоэффект. Уравнение Эйнштейна ......................................... 73
6.3 Корпускулярно-волновой дуализм света. Гипотеза де Бройля ............... 75
6.4 Соотношения неопределенностей ............................................................... 76
6.5 Волновая функция. Уравнение Шредингера .............................................. 77
3
6.6 Квантовомеханическое описание атома водорода. Спин электрона ..........78
6.7 Спектр атома водорода ...................................................................................81
6.8 Многоэлектронные атомы ..............................................................................82
6.9 Рентгеновское излучение ..............................................................................85
6.10 Состав атомных ядер .....................................................................................86
6.11 Энергия связи ядер ........................................................................................87
6.12 Радиоактивность ............................................................................................89
Примеры решения задач .......................................................................................91
Раздел 7. Элементы физики твёрдого тела .......................................................... 100
Основные теоретические сведения .................................................................. 100
7.1 Энергетические зоны в кристаллах............................................................ 100
7.2 Распределение Ферми-Дирака. Электропроводность металлов ........... 102
7.3 Собственная электропроводность полупроводников ............................. 105
7.4 Примесная электропроводность полупроводников ................................ 107
7.5 Фотопроводимость ....................................................................................... 110
7.6 Работа выхода. Контактная разность потенциалов ................................. 111
7.7 Электронно-дырочный переход и его выпрямляющие свойства......... 112
Примеры решения задач .................................................................................... 116
Приложение .............................................................................................................. 119
Литература ................................................................................................................ 121

4
ПРЕДИСЛОВИЕ

Физика относится к числу фундаментальных дисциплин и является ба-


зовой для успешного изучения общеинженерных и специальных дисциплин в
техническом вузе. В последнее время преподавание в вузе претерпело суще с-
твенные изменения. В частности, в фазе обучения акцент перемещается из
аудиторной подготовки на самостоятельную подготовку. В этой связи возрас-
тает роль методической и справочной литературы, способствующей более
продуктивной организации самостоятельной работы студентов.
Предлагаемый справочник по физике призван дать систематизированно
и в краткой форме основные сведения о явлениях, определениях, законах и
закономерностях физики, обеспечив тем самым базу для самостоятельной по-
дготовки к решению задач по физике, проведению лабораторных работ и под-
готовке к контрольным работам. С этой целью после каждого раздела пред-
ставлены примеры решения типовых задач по тематике раздела. Рисунки и
таблицы поясняют и дополняют текст.
Необходимые сведения о фундаментальных величинах, физических
константах, свойствах материалов представлены в приложении. Значения фи-
зических величин в справочнике представлено в основном в СИ.
Хотя описание экспериментального материала имеет важную роль в ку-
рсе физике, в справочнике он сознательно опущен. Также опущены и некото-
рые вопросы, которые были рассмотрены в курсе физики средней школы.
Справочник не может служить заменой систематического и полного из-
ложения курса физики и рассчитан на помощь студентам нефизических спе-
циальностей во время самостоятельного изучения дисциплины.
Авторы

5
РАЗДЕЛ 4
МАГНИТНОЕ ПОЛЕ. МАГНИТОСТАТИКА. ЭЛЕКТРОМАГНЕТИЗМ

Размерность
Обозначение величины в СИ
Физическая величина
величины (обозначение
единицы)
Индукция магнитного поля B кг/Ас2 (Тл)
Магнитный момент замкнутого плоского ко-
pm Ам2
нтура с током
Вектор намагниченности J А/м
Напряжённость магнитного поля H А/м
Поток вектора индукции магнитного поля
Ф кгм2/ Ас2 (Вб)
(магнитный поток)
Коэффициент самоиндукции (индуктив-
L кгм2/ А2с2 (Гн)
ность)

Основные теоретические сведения

4.1 Магнитное поле. Вектор магнитной индукции

Источниками магнитного поля являются: движущиеся электрические за-


ряды (проводники с электрическим током, намагниченные тела) и изменяю-
щиеся со временем электрические поля.
Проявляет себя магнитное поле в том, что на движущиеся в нём электри-
ческие заряды, на размещённые в нём проводники с током и намагниченные
тела магнитное поле оказывает силовое воздействие.
Силовой характеристикой магнитного поля называется вектор индукции
B магнитного поля (вектор магнитной индукции). Численное значение ин-
дукции B магнитного поля можно определить как отношение максимального
значения силы Fmax , действующей со стороны магнитного поля на движущий-
ся в нём точечный электрический заряд, к произведению величины заряда q
на скорость v его движения

Fmax
B . (4.1)
qv

Вектор B направлен при максимальном значении силы и положительном


заряде q перпендикулярно к плоскости, в которой расположены векторы v и
Fmax так, что из конца вектора B вращение от направления Fmax к направле-
нию v происходит против часовой стрелки (рис. 4.1).
Применительно к магнитному полю, как и к электрическому, справедлив
принцип суперпозиции: вектор индукции B магнитного поля, порождаемого
6
несколькими источниками, равен векторной сумме
индукций Bi магнитных полей, порождаемых каж-
дым из источников

B   Bi . (4.2)
i
Графически магнитные поля, подобно электри-
ческим, изображают с помощью линий магнитной
индукции. Линией магнитной индукции называется
линия, в каждой точке которой вектор магнитной
индукции B направлен по касательной к ней. Как и в Рис. 4.1
случае электрического поля, число линий магнитной индукции, пересекаю-
щих площадку единичной площади, ориентированную перпендикулярно к
линиям, равно численному значению магнитной индукции. Однако, в отличие
от потенциального электростатического поля, магнитное поле является полем
вихревым и линии магнитной индукции всегда замкнуты.

4.2 Закон Био - Савара – Лапласа. Магнитное поле проводника


с током

Индукция магнитного поля B участка АС длиной l (рис. 4.2) тонкого


проводника с током любой геометрической формы может быть вычислена на
основании принципа суперпозиции как геометрическая сумма магнитных
полей dB , создаваемых всеми элементарными участками тока (элементами
тока), на которые мысленно можно разбить рассматриваемый участок прово-
дника с током, т. е.
B   dB . (4.3)
l


Элементом тока называется вектор Idl равный произведению силы то-

ка I в проводнике на вектор dl элемента длины проводника, совпадающий по
направлению с направлением тока в проводнике.

Вектор индукции dB магнитного поля, создаваемого в вакууме элемен-
том тока Idl (рис. 4.2), определяется законом Био - Савара – Лапласа

0 Idl  r
dB  , (4.4)
4 r 3

где: r  радиус-вектор, проведенный от элемента тока в ту точку, в которой
 
вычисляется dB ; r  | r |; 0  4 10 7 Гн/м называется магнитной посто-
янной (Гн – единица измерения индуктивности).
7
В свою очередь, магнитное поле элемента
тока можно рассматривать как результат нало-
жения магнитных полей, порождаемых всеми
носителями тока данного элемента. Так как все
носители тока имеют, например, в металле оди-
наковые заряды и скорости направленного дви-
жения, то индукцию B магнитного поля одного
движущегося в вакууме заряда q (носителя то-
ка) можно определить как dB / N , где N  коли-
чество носителей тока в данном элементе. Тогда
получим
Рис. 4.2  qv  r
B 0 , (4.5)
4 r 3

где q – заряд с учётом его знака; r  радиус-вектор, проведенный от заряда в


точку пространства, где определяется B ; r – модуль радиус-вектора.
После создания теории относительности было показано, что соотноше-
ние (4.5) обосновывается с помощью этой теории.
Расчёт значений индукций магнитных полей, порождаемых в вакууме
проводниками с током простейших геометрических форм с учётом (4.4) и
(4.3), приводит к следующим результатам.
а) Магнитное поле прямолинейного проводника с током. Магнитная ин-
дукция B поля прямолинейного участка проводника с током I в точке А рас-
положенной на расстоянии R от него в вакууме, равна

0 I
B (cos1  cos 2 ) , (4.6)
4 R
где  1 и  2  углы между элементами тока на концах рассматриваемого учас-
тка и радиус-векторами r1 и r2 соответственно (рис. 4.3). Направление векто-
ра B в любом случае определяется с помощью принципа суперпозиции (4.3),
но для прямолинейного проводника с током может быть определено и с по-
мощью правила правого винта: если при вращении винта, расположенного
соосно с проводником, его поступательное движение совпадает с направлени-
ем тока в проводнике, то направление вектора магнитной индукции совпадает
с направлением движения конца рукоятки винта (рис. 4.3). Линии магнитной
индукции в этом случае представляют собой семейство концентрических
окружностей с центрами на оси проводника (изображены пунктиром).
Если прямолинейный проводник достаточно длинный, то на небольших
расстояниях от него 1  0 , а  2   , и выражение для магнитной индукции
B принимает вид

8
0 I
B . (4.7)
2R

б) Магнитное поле кругового витка


с током. Магнитная индукция B поля на
оси линейного кругового витка радиусом
R с током I на расстоянии h от его
центра в вакууме равна

0 R 2 I
B . (4.8)
2( R 2  h 2 ) 3 / 2

Направление вектора B определя-
ется с помощью правила правого винта
(рис. 4.4): при вращении рукоятки винта
по направлению тока в витке его посту- Рис. 4.3
пательное движение совпадает с направ-

лением вектора B .
В центре витка h  0 и магнитная
индукция равна

0 I
B . (4.9)
2R

Любой плоский контур с током ха-


рактеризуют магнитным моментом, под
которым понимают вектор
  Рис. 4.4
pm  IS , (4.10)

где I  сила тока в контуре, а S  вектор, численно совпадающий с площадью


контура, и направленный перпендикулярно к плоскости контура в соответст-
вии с рассмотренным выше правилом правого винта. С учётом этого, выраже-
ния (4.8) и (4.9) могут быть записаны в векторной форме в виде равенств

0 pm
B (4.11)
2 ( R 2  h 2 )3/ 2
и
  0 p m
B (4.12)
2R 3
соответственно.
9
в) Магнитное поле соленоида. Соленоид представляет собой навитые
вплотную по спирали на цилиндрическую поверхность изолированные друг
от друга витки провода с током (рис. 4.5). Магнитное поле в любой точке на
оси соленоида может быть определено как результат наложения в этой точке
магнитных полей всех витков, что приво-
дит к выражению для индукции магнитного
поля

B  0 nI (cos 1  cos  2 ) , (4.13)
2

где: n  число витков, приходящихся на


Рис. 4.5. единицу длины соленоида; I  сила тока в
соленоиде;  1 и  2  углы, под которыми видны концы соленоида из той то-
чки, в которой определяется B.
Очевидно, что направление вектора B магнитного поля соленоида опре-
деляется с помощью правила правого винта точно так же, как и для кругового
витка с током.
Если диаметр соленоида много меньше его длины, то вдали от краёв со-
леноида  1  0 , а  2   , и выражение для магнитной индукции B прини-
мает вид
B  0 nI , (4.14)

т. е. внутри достаточно длинного соленоида магнитное поле практически од-


нородно.

4.3 Сила Лоренца. Движение заряженной частицы в однородном


магнитном поле
На электрический заряд, движущийся в магнитном поле, действует сила

F  qv  B , (4.15)

где q – заряд с учётом его знака, v  скорость движения заряда, B  индук-


ция магнитного поля. Эту силу обычно называют силой Лоренца. Сила Лоре-
нца всегда перпендикулярна к плоскости, в которой лежат векторы v и B .
Это означает, что сила Лоренца всегда является силой центростремительной,
её действие приводит только к изменению направления скорости движения
заряда. На рис. 4.6, а показано направление вектора силы F , действующей в
магнитном поле на положительный заряд, а на рис. 4.6, б  на отрицательный.
При наличии в пространстве одновременно электрического поля с н а-
пряжённостью E и магнитного поля с индукцией B на движущийся электри-
ческий заряд действует сила
10
F  qE  qv  B , (4.16)

которую принято также называть силой Лоренца.

а б
Рис. 4.6

Действие силы Лоренца при движении заряженной частицы в магнитном


поле изменяет траекторию её движения. В простейшем варианте, когда маг-
нитное поле однородно, возможны следующие случаи.
а) Скорость движения частицы параллельна или антипараллельна напра-
влению магнитного поля (рис. 4.7, а).

а б в
Рис. 4.7

В этом случае угол  между векторами v и B равен нулю или  . В


обоих случаях численное значение силы Лоренца F  qvB sin   0 , а это
означает, что частица движется по направлению вектора магнитной индукции
или против него прямолинейно и равномерно.
б) Скорость движения частицы v перпендикулярна к направлению маг-
нитного поля (рис. 4.7, б). В этом случае сила Лоренца F перпендикулярна к
вектору скорости и является центростремительной силой, а так как векторы
11

v и F перпендикулярны к вектору B , то частица движется по окружности,
плоскость которой перпендикулярна направлению магнитного поля. В зави-
симости от знака заряда вращение частицы происходит по часовой или про-
тив часовой стрелки. Радиус r окружности определяется выражением

mv
r , (4.17)
qB
а период вращения
2 m
T , (4.18)
qB

где m – масса частицы.


в) Скорость движения частицы v направлена к вектору B под произво-
льным углом  (рис. 4.7, в). Это движение можно представить как сумму ра-
ссмотренных выше двух – движения по окружности перпендикулярно B со
скоростью v  v sin  и одновременно равномерного и прямолинейного дви-
жения параллельно B со скоростью v  v cos . Очевидно, что в результате
сложения этих двух движений траектория результирующего движения
представляет собой спираль, радиус которой определяется выражением
(4.17), период вращения  выражением (4.18), а шаг спирали h (рис. 4.7, в)
соотношением
2 m
h vT  v cos  . (4.19)
qB

4.4 Закон Ампера. Проводник с током в магнитном поле


Подход к вычислению силы, действу-
ющей со стороны магнитного поля на лю-
бой участок тонкого проводника с током
(она называется силой Ампера), идентичен
расчёту индукции магнитного поля участка
проводника с током. Сила F , действующая
на участок проводника AC длиной l с током
I, находящийся в магнитном поле, равна ве-
кторной сумме сил dF , действующих на все
элементы тока Idl , на которые мысленно
можно представить разбитым рассматрива-
емый участок проводника (рис. 4.8), т. е.
Рис. 4.8
F   dF . (4.20)
l

12
Закон Ампера устанавливает, что сила dF , которая действует на элемент

тока Idl в магнитном поле с индукцией B , определяется соотношением

dF  Idl  B . (4.21)

Направление вектора силы dF определяется в соответствии с правила-


ми векторного произведения.
Из соотношения (4.21) следует, что численное значение силы F, дейст-
вующей в однородном магнитном поле с индукцией B на прямолинейный
участок проводника длиной l, равно

F  IBl sin  , (4.22)

где   угол между направлением тока в проводнике и вектором B .


В качестве иллюстрации сказанного остановимся на двух примерах –
взаимодействии параллельных проводников с током и действии магнитного
поля на плоскую рамку с током.
С учётом соотношений (4.7), (4.20) и (4.21) можно заключить, что два
прямолинейных параллельных проводника с одинаковыми направлениями
токов притягиваются друг к другу (рис. 4.9), а с противоположными – оттал-
киваются. При этом, если тонкие проводники находятся в вакууме и длина
проводников значительно больше расстояния между ними, на участок прово-
дника длиной l действует сила, равная

0 2 I1 I 2
F l, (4.23)
4 d

где I1 и I 2 - сила тока в проводниках, d - расстояние между ними (рис. 4.9).


На основании последнего равенства устанавливается единица измерения
силы тока в СИ – (А). Ампер – это сила неизменяющегося тока, который, про-
ходя по двум параллельным прямолинейным проводникам бесконечной дли-
ны и ничтожно малого поперечного сечения, расположенными на расстоянии
1 м один от другого в вакууме, вызывает между этими проводниками силу,
равную 2  107 Н на каждый метр длины.
В другом примере, используя соотношения (4.20) и (4.21) можно прийти
к выводу, что на стороны плоской рамки с магнитным моментом pm , нахо-
дящейся в однородном магнитном поле с индукцией B , действуют указанные
на рис. 4.10 силы.
Если угол  между векторами pm и B произвольный, силы F23 и F14
создают вращающий момент
M  pm  B , (4.24)

13
стремящийся развернуть рамку так, чтобы её магнитный момент был парал-
лельным полю. Такое положение рамки соответствует положению устойчиво-
го равновесия.

Рис. 4.9 Рис. 4.10

4.5 Циркуляция вектора индукции магнитного поля. Магнитный


поток

Понятия циркуляции и потока вектора магнитной индукции B (магнит-


ного потока) для магнитного поля определяются так же точно, как и понятия
циркуляции и потока вектора E для электростатического поля, т.е. циркуля-
ция вектора B по произвольному замкнутому контуру равна  Bdl , а маг-
l
нитный поток через произвольную поверхность S равен

Ф   BdS   Bn dS . (4.25)
S S

Однако, магнитное поле, в отличие от электростатического,



является п о-
лем вихревым, а линии вектора магнитной индукции B всегда замкнуты и
значения этих величин в случае магнитного поля определяются иными зако-
номерностями.
Теорема о циркуляции вектора магнитной индукции или закон полного
тока. Циркуляция вектора индукции магнитного поля вдоль произвольного
замкнутого контура в вакууме равна произведению магнитной постоянной  0
на алгебраическую сумму токов, охватываемых этим контуром

14
 Bdl    I
l
0
k
k . (4.26)

В данном соотношении знаки токов


считаются положительными, если их напра-
вление совпадает с направлением поступа-
тельного движения правого винта при вра-
щении его рукоятки по направлению обхода
контура l (указано стрелкой на рис. 4.11). В
противном случае знаки токов отрицатель-
ны. Токи, не охватываемые контуром, на-
пример токи I 4 и I 5 , не учитываются.
Теорема Остроградского - Гаусса для
магнитного потока. Поток вектора магнит-
ной индукции через любую замкнутую по- Рис. 4.11
верхность равен нулю

 B dS  0 .
S
n (4.27)

Очевидно, что данная теорема является


следствием вихревого характера магнитного
поля. Так как линии вектора B непрерывны
(т. е. не имеют ни начала, ни конца), то ко-
личество линий, входящих в замкнутую по-
верхность, всегда равно количеству линий
выходящих из неё (рис. 4.12).
Рис. 4.12

4.6 Магнитное поле в веществе. Напряжённость магнитного поля


Любое вещество, помещённое во внешнее магнитное поле с индукцией
B0 , созданное токами в вакууме, намагничивается и порождает своё магнит-
ное поле с индукцией B . В соответствии с принципом суперпозиции это
приводит к изменению магнитного поля и, при наличии вещества, магнитная
индукция результирующего поля становится равной

B  B0  B . (4.28)

Намагничивание веществ объясняется тем, что магнитные моменты pm


молекул вещества под действием магнитного поля ориентируются преимуще-
ственно по полю (рис. 4.13) (а у некоторых веществ и против него).
15
Рис. 4.13

В связи с этим намагничивание вещества принято характеризовать ве-


ктором намагниченности J , который равен магнитному моменту единицы
объёма вещества
 pmi
(4.29)
J V
,
V

где V - достаточно малый объём (но внутри него должно быть значительное
количество молекул), pm - магнитный момент одной молекулы.
Магнитная индукция B связана с J и в случае однородного и изотропно-
го вещества пропорциональна индукции B0 внешнего магнитного поля, т. е.

B  0 J   B0 . (4.30)

Безразмерный коэффициент пропорциональности  зависит от свойств


вещества и называется магнитной восприимчивостью вещества. Эта величи-
на может быть как положительной, так и отрицательной. В однородных и
изотропных веществах с положительным значением  направления векторов
B и B0 совпадают, а с отрицательным – противоположны.
С учётом этого соотношение (4.28) принимает вид

B  B0   B0   B0 , (4.31)

где безразмерная величина

 1  (4.32)

называется магнитной проницаемостью вещества и показывает во сколько


раз магнитная индукция B в веществе отличается от магнитной индукции B0
в вакууме.
16
Следовательно, во всех записанных ранее формулах (формулы 4.4 – 4.9,
4.11 – 4.14) для индукции магнитного поля проводников с током в вакууме в
случаях, если эти токи находятся в каком-либо однородном и изотропном ве-
ществе, в числителе необходимо дополнительно учитывать магнитную про-
ницаемость вещества  .
Наряду с магнитной индукцией магнитное поле описывается вспомогате-
льной величиной – вектором напряжённости магнитного поля H , которая
определяется так, чтобы циркуляция её зависела только от токов проводимос-
ти и не зависела от магнитных свойств вещества. Это требование приводит к
выводу, что напряжённость магнитного поля для однородного и изотропного
вещества равна
B
H . (4.33)
0 

Очевидно, что формулы для расчёта напряжённости магнитного поля


проводников с током различной геометрической формы будут отличаться от
упомянутых абзацем выше формул для расчёта магнитной индукции отсутст-
вием множителя 0  в числителе.
В зависимости от знака и численного значения магнитной восприимчи-
вости  магнитные вещества делят на три группы.
Диамагнетики. У них магнитная восприимчивость  отрицательна и по
модулю равна ~ 105 – 106 .
Парамагнетики. У них магнитная восприимчивость  положительна и
несколько больше по величине ~ 103 – 104 .
Как в диамагнетиках, так и в парамагнетиках, как следует из (4.32), маг-
нитная проницаемость  мало отличается от единицы.
Ферромагнетики. Этот класс веществ называют ещё сильномагнитными
веществами, так как у них  положительно и может достигать значений
~ 102 – 105 . Магнитное поле внутри ферромагнетиков, по сравнению с вне-
шним, может возрастать в тысячи раз. В отличие от диамагнетиков и парама-
гнетиков магнитная восприимчивость  ферромагнетиков не является посто-
янной величиной и зависит от напряжённости намагничивающего поля H .

4.7 Явление электромагнитной индукции. Закон Фарадея

Явление электромагнитной индукции заключается в возникновении элек-


тродвижущей силы (ЭДС индукции) в проводящем контуре при изменении со
временем потока вектора магнитной индукции (магнитного потока) через по-
верхность, ограниченную данным контуром. Возникающий в контуре под
действием ЭДС индукции электрический ток называется индукционным.

17
Направление индукционных токов определяется с помощью правила Ле-
нца: индукционный ток всегда направлен так, чтобы противодействовать
причине, его вызвавшей.
В соответствии с законом Фарадея ЭДС индукции, возникающая в кон-
туре, равна скорости изменения во времени магнитного потока через поверх-
ность, ограниченную контуром


i   . (4.34)
dt

Знак минус в этом выражении отображает правило Ленца.


На рис. 4.14 в качестве примера показано,
что при увеличении индукции магнитного поля
B ( dB  B ) в контуре, в соответствии с прави-
лом Ленца, возникает индукционный ток, пре-
пятствующий увеличению B , т. е. магнитное
поле индукционного тока должно быть направ-
лено противоположно изменению магнитного
поля ( Bi  dB ), а для этого индукционный ток
I i должен протекать в указанном на рисунке на-
правлении.
Возникновение ЭДС индукции в любом замкну-
Рис. 4.14 том контуре, находящемся в переменном магни-
тном поле, Максвелл объяснил тем, что пере-
менное во времени магнитное поле порождает электрическое поле, которое, в
отличие от электростатического поля, является полем вихревым. Линии век-
тора E вихревого электрического поля замкнуты (изображены на рис.4.14
пунктиром) и ЭДС индукции, возникающая в контуре, равна циркуляции век-
тора E вдоль этого контура. С учётом сказанного и определения магнитного
потока (4.25), соотношение (4.34) можно записать в виде равенства отобра-
жающего связь переменного магнитного поля и порождаемого им вихревого
электрического поля

d
 Edl   dt  B dS .
l S
n (4.35)

Вихревое электрическое поле возникает независимо от наличия прово-


дящего контура. Проводящий контур является своеобразным прибором, с по-
мощью которого обнаруживается вихревое электрическое поле – имеющиеся
в проводящем контуре носители тока приходят в направленное движение, что
и представляет собой индукционный ток.
Довольно часто проводящий контур представляет собой систему после-
довательно соединённых витков (соленоид). В этом случае ЭДС индукции  i ,
18
индуцируемая в контуре, равна сумме ЭДС, индуцируемых в каждом из вит-
ков, т. е.
N
dФk d N
i     Фk (4.36)
k 1 dt dt k 1

где N  количество витков в контуре.


Сумма магнитных потоков через все витки

N
   Фk (4.37)
k 1

называется потокосцеплением или полным магнитным потоком. С учётом


этого выражение (4.36) для ЭДС индукции в случае сложного контура при-
нимает вид
d
i   . (4.38)
dt

4.8 Самоиндукция и взаимоиндукция. Индуктивность


В зависимости от причины изменения магнитного потока различают не-
сколько частных случаев электромагнитной индукции – самоиндукцию, вза-
имную индукцию, токи Фуко и т. д.
Самоиндукцией называется возникновение ЭДС индукции в проводящем
контуре в результате изменения со временем силы тока в этом же контуре.
Индукция магнитного поля, порождаемого током, протекающим по контуру,
прямо пропорциональна силе тока. Следовательно, и полный магнитный поток,
пронизывающий этот контур, прямо пропорционален силе тока в нём, т. е.

  LI . (4.39)

Коэффициент пропорциональности L зависит от формы и геометричес-


ких размеров контура, а также от магнитной проницаемости  среды и назы-
вается коэффициентом самоиндукции или индуктивностью контура. Напри-
мер, индуктивность длинного соленоида, когда магнитное поле в нём можно
считать практически однородным, равна

0  N 2 S
L , (4.40)
l

где   магнитная проницаемость среды в соленоиде, N  число витков в


нём, S и l  соответственно его площадь поперечного сечения и длина.

19
В дальнейшем ограничимся случаем, когда  среды не зависит от на-
пряжённости магнитного поля и индуктивность L рассматриваемого контура
величина постоянная. В этом случае, как следует из (4.38), ЭДС самоиндук-
ции определяется выражением
dI
i  L , (4.41)
dt
т. е. зависит только от индуктивности контура и скорости изменения силы то-
ка в нём.
Взаимной индукцией называется возник-
новение ЭДС индукции в проводящем контуре
1 в результате изменения со временем силы
тока в соседнем контуре 2 (рис. 4.15). Объяс-
няется это тем, что часть магнитного потока,
создаваемого током I 2 и пропорциональная
силе этого тока, пронизывает площадь, огра-
ниченную контуром 1. В результате полный
магнитный поток 12 через контур 1 (потоко-
сцепление первого контура со вторым) равно
Рис. 4.15

12  L12 I 2 . (4.42)

Коэффициент пропорциональности L12 зависит от формы контуров, их


ориентации, размеров и числа витков в них, расстояния между контурами,
магнитной проницаемости окружающей среды и называется коэффициентом
взаимной индукции (взаимной индуктивностью).
При изменении силы тока I 2 во втором контуре полный магнитный по-
ток 12 через первый контур изменяется и в нём индуцируется ЭДС (
L12  const ) индукции равная
dI 2
 i1   L12 . (4.43)
dt

Аналогично происходят явления и при изменении силы тока в первом


контуре  во втором контуре возникает ЭДС индукции, при этом L12 = L21 .

4.9 Энергия магнитного поля


Магнитное поле, как и электрическое, обладает энергией. Энергия магни-
тного поля проводящего замкнутого контура с индуктивностью L и током I
равна
LI 2
Wм  . (4.44)
2
20
Объёмная плотность энергии магнитного поля равна энергии магнитно-
го поля в единице объёма и в однородной изотропной неферромагнитной сре-
де с магнитной проницаемостью  определяется соотношением

0  H 2 B2
wм   . (4.45)
2 2 0 

В данном равенстве H и B  численные значения соответственно напряжён-


ности магнитного поля и магнитной индукции в точке пространства, где
определяется wм .
Энергия магнитного поля в любом объёме V равна

0  H 2
Wм   wм dV   dV . (4.46)
V V
2

Примеры решения задач


Пример №1. Магнитное поле проводника с током
Вдоль тонкого проволочного кругового проводника течет ток. Не из-
меняя силы тока и общей длины контура, его форму трансформировали в
квадрат. Во сколько раз изменится магнитная индукция в центре контура?

Решение
Как известно (4.9), величина магнитной
индукции в центре кругового тока равна

0 I
B0  ,
2 R

где R – радиус кругового тока. При указанном


на рис. 4.16 направлении тока, вектор индукции
B0 в центре круга направлен перпендикулярно
плоскости рисунка и “за рисунок”.
Индукция в центре квадрата определяется
как суперпозиция полей, которые создаются ка-
ждой из сторон квадрата отдельно. Согласно за-
кону Био - Савара - Лапласа вектор магнитной
индукции поля, создаваемого каждой из сторон
квадрата, направлен в центре квадрата за “рису-
нок”, поэтому результирующий вектор индукции
направлен так же и равен
Рис. 4.16
21
Bкв  B1  B 2  B3  B4

где B1, B2 , B3 , B4 – магнитные индукции полей, создаваемых сторонами 1-2,


2-3, 3-4, 4-1 квадрата соответственно.
Магнитная индукция поля, создаваемого ограниченным прямолиней-
ным проводником с током, согласно (4.6), равна

0
B I  cos1  cos 2 
4 b

где b  расстояние от проводника до точки, в которой определяется индукция.


В частности, участок 1-2 будет создавать в центре квадрата поле, инду-
кция которого
0  I  I 2
B1  I  cos 45  cos135   0 2cos 45  0 .
4 a / 2 2 a a 2
Действуя аналогично, легко увидеть, что каждой стороной квадрата
создается магнитное поле с таким же значением индукции, а так как направ-
ления всех четырёх векторов совпадают, то индукция результирующего поля
в центре квадрата равна
Bкв  4 B1 .

Так как 4а  2 R , то а   R 2 . Учтя это, получим


40 I 2 2 4
Bкв  4 B1   2 0 I 2.
 2 R  R

Таким образом, в результате трансформации формы контура индукция


магнитного поля в его центре возрастёт в

Bкв 40 2 R 8 2
 2 I 2  2  1,14 раз.
B0  R 0 I 

Пример №2. Движение электрического заряда в магнитном поле


Заряженная частица движется в магнитном поле по окружности радиу-
сом R  4см со скоростью v  10 6 м c . Магнитная индукция поля B  0,3 Тл .
Найти заряд частицы, если известно, что ее кинетическая энергия W  6 кэВ.

Решение
На заряженную частицу, движущуюся в магнитном поле, действует си-
ла Лоренца, равная

22
F  q vB.

Движение частицы по окружности указывает на то, что векторы F , v, B


взаимно перпендикулярны, и данное выражение можно записать в скалярном
виде
F  q vB.

Сила Лоренца является центростремительной силой и поэтому, в соот-


ветствии со вторым законом Ньютона, справедливо равенство

mv 2
q vB  .
R

Учтя, что кинетическая энергия частицы W  mv2 2 , находим заряд частицы

2W
q .
vBR

Подставив числовые данные, имеем

2  1,6 10 19  6 10 3


q 2
 1,6 10 19 Кл .
10  0,3  4 10
6

Итак, частица, движущаяся в магнитном поле, есть электрон.

Пример №3. Контур с током в магнитном поле


Из проволочек длиной l  20 см сделали два контура – круговой и ква-
дратный. Найти моменты сил, которые действуют на каждый контур при по-
мещении их в однородное магнитное поле с индукцией В  0,1 Тл . Плоскости
контуров ориентированы под углом   45 к направлению магнитного поля
и в каждом из них течет ток силой I  2 A.

Решение
На плоский контур с током в однородном магнитном поле действует
момент сил M (4.24), равный

M  pm  B ,

где pm  магнитный момент контура, B  магнитная индукция. Модуль век-


тора момента сил равен

23

M  pm B sin pm B . 
На рис. 4.17 изображено поперечное сечение площади контура плоско-
стью чертежа. В верхней части контура ток направлен „на нас”, в нижней 
„от нас”. Направление вектора pm определяется с помощью правила правого
винта. Из рисунка ясно, что угол между векто-

рами pm и B равен  .
2
Величина магнитного момента

pm  IS ,

где S – площадь контура, I  сила тока в нём. По-


скольку длина кругового контура l известна, то
его радиус r  l 2 , и площадь
Рис. 4.17

l2
Sкр   r 2  .
4

Длина квадратного контура также равна l. Следовательно, длина одной


его стороны а = l / 4 и площадь
l2
Sкв  .
16
Подставив в выражение для модуля момента сил M значения силы тока
и площадей контуров находим, что:
1. на круговой контур действует момент сил, равный

  Il   2  (0,2)
2 2
2
M кр  pm,кр B sin      B sin      0,1 Н  м = 4,5 104 Н  м ;
2  4 2  4  3,14 2

2. на квадратный контур действует момент сил, равный

  Il   2  (0,2)
2 2
2
M кв  pm,кв B sin      B sin      0,1 Н  м = 3,53  104 Н  м
2  16 2  16 2
.
Направления векторов M кр и M кв определяются в соответствии с пра-
вилом векторного произведения (правилом правого винта). В данном случае
направления этих векторов одинаковы, перпендикулярны к плоскости рисун-
ка и направлены «на нас». Эти моменты сил стараются развернуть каждый из

24
рассмотренных контуров так, чтобы их магнитные моменты p м,кр и pm,кв бы-
ли ориентированы параллельно вектору магнитной индукции B .

Пример №4. Явление электромагнитной индукции


В однородном магнитном поле с индукцией В = 0,8 Тл равномерно
вращается рамка с угловой скоростью  = 15 рад/с. Площадь рамки равна
S = 50 см2. Ось вращения находится в плоскости рамки и составляет угол
  300 с направлением вектора магнитной индукции. Найти максимальную
ЭДС индукции в рамке.

Решение
Так как ось рамки направлена под углом  = 30 к направлению вектора
магнитной индукции, то нормаль к рамке будет составлять с вектором маг-

нитной индукции угол   (рис. 4.18). Поэтому наибольший поток через
2
неподвижную рамку (когда вектор n лежит в плоскости проходящей через
направление вектора B и ось вращения) равен


 = BS = BSn = BScos  B ^ n  = BScos ( )
2

При равномерном вращении рамки поток будет


изменяться по гармоническому закону, т. е.


 = BScos (   ) cos t
2

В соответствии с законом Фарадея ЭДС ин-


дукции, возникающая в рамке, равна
 i =  d  BS cos      sin t
dt 2 
Рис. 4.18
Из полученного выражения видно, что ЭДС
принимает максимальное значение при sin t  1, следовательно
 max  BS cos       0,8 15  0,015  0,5  0,09 В.
2 

Пример №5. Явление электромагнитной индукции


Круговой контур радиусом r = 2 см помещен в однородное магнитное поле,
индукция которого B = 103 Тл. Плоскость контура перпендикулярна к напра-
влению вектора магнитной индукции. Сопротивление контура R = 1 Ом. Ка-

25
кой электрический заряд q пройдет через контур при его повороте на угол
 =  2?

Решение
В соответствии с определением (4.25), магнитный поток через поверх-
ность, ограниченную контуром, в случае однородного магнитного поля с век-
тором индукции B равен

 = BS = BSn = BScos  B ^ n  ,

где S =  r 2  площадь контура, а n  единичный ве-


ктор нормали к поверхности контура (рис. 4. 19).
Во время поворота контура из положения 1 в
положение 2 угол между векторами B и n изменяе-
тся, следовательно, изменяется и магнитный поток.
Изменение магнитного потока приводит к возникно-
вению в контуре ЭДС индукции равной, в соответст-
вии с законом Фарадея (4.34),

 i =  d
dt
Рис. 4.19
и индукционного тока, равного

Ii 
i 

,
R Rdt

где R  сопротивление контура.


За всё время поворота индукционным током через контур будет перене-
сен некоторый электрический заряд q равный, с учётом записанного выше со-
отношения,
Ф2
dФ Ф1  Ф2
t2

q   I i dt     .
t1 Ф1
R R

Здесь t1 и t2 - моменты времени, соответствующие началу и окончанию


поворота; Ф1 и Ф2 - магнитные потоки через поверхность контура в эти мо-
менты времени.
Так как угол между векторами B и n в момент времени t1 равен нулю,
а в в момент времени t2 равен  / 2 , значения  1  BS  B r 2 и Ф2  0 . С
учётом этого
26
B r 2 103  3,14  (2 102 ) 2
q   1,26  106 Кл.
R 1

Пример №6. Явление самоиндук-


ции
В замкнутом проводящем контуре,
содержащем активное сопротивление R и
индуктивность L, сила тока равна I0. По
какому закону изменяется со временем
сила тока в контуре после отсоединения
источника тока путём переключения
ключа К из положения а в положение в
(рис. 4.20).
Рис. 4.20
Решение
После переключения ключа в указанном направлении в катушке индук-
тивности возникает ЭДС самоиндукции, равная

 c  L
dI
dt
,

где dI dt  скорость изменения силы тока в контуре.


С другой стороны, в соответствии с законом Ома,  с  IR и поэтому
можем записать
dI
IR   L .
dt

Разделив в этом уравнении переменные, получим

dI R
  dt .
I L

Проинтегрируем обе части уравнения с учётом того, что за время от 0


до t сила тока в контуре изменяется от I0 до I , что можно записать в виде

I t
dI R

I0
I
   dt
L 0
или, после интегрирования,

27
R
ln I  ln I 0   t.
L

Пропотенцировав это уравне-


ние, получим

R
 t
I  I0 e L
,

т. е. сила тока в контуре убывает со


временем по экспоненциальному за-
кону. Это и отображено на графике
рис. 4.21.
Рис. 4. 21

РАЗДЕЛ 5.
КОЛЕБАНИЯ, ВОЛНЫ И ВОЛНОВЫЕ ЯВЛЕНИЯ

Размерность
Обозначение
Физическая величина (обозначение единицы)
величины
величины в СИ
Период колебаний Т с
Частота колебаний  c1
Циклическая (круговая) частота  рад/с
Амплитуда A размерность колеблю-
щейся величины
Начальная фаза 0  рад
Коэффициент затухания  c1
Время затухания  с
Логарифмический декремент за-  безразмерная
тухания

Основные теоретические сведения

5.1 Гармонические колебания


Колебательные движения − это процессы, которые характеризуются
той или иной повторяемостью во времени. Если промежутки повторяемости
одинаковы и на протяжении каждого из них система проходит через одни и те
же промежуточные состояния (т.е. движение полностью повторяется), то ко-
лебания называются периодическими. Время одного полного колебания T на-
зывается периодом колебаний. Количество колебаний в единицу времени на-
зывается частотой колебаний  . Период и частота обратно пропорциональ-
ны друг другу
28
1
T .
 (5.1)

Колебания могут иметь различную физическую природу. Они могут


быть механическими, электромагнитрыми, химическими, биологическими и
т.д. Независимо от природы колебаний, их основные свойства описываются
одинаковыми математическими закономерностями.
Условно, по характеру воздействия на колебательную систему, колеб а-
ния можно подразделить на свободные (незатухающие и затухающие), вын у-
жденные, автоколебания и параметрические колебания.
Свободные колебания возникают в системе, которая после выведения из
состояния равновесия предоставлена самой себе. В отсутствие непотенциаль-
ных сил (трения, сопротивления) в системе реализуются незатухающие коле-
бания, при наличии непотенциальных сил энергия системы уменьшается и
колебания затухают. Вынужденные колебания возникают под действием
внешней периодической силы. Автоколебания возникают когда момент дейс-
твия силы задаётся самой системой. Параметрические колебания возникают
при изменении какого-либо параметра системы.
Наиболее важными с практической точки зрения являются гармониче-
ские колебания. Это периодические колебания, при которых физические ве-
личины, их описывающие, изменяются с течением времени по закону косину-
са или синуса. Уравнение гармонических колебаний имеет вид

x(t )  A cos(t   0 ) (5.2)


или
y(t )  Asin(t   0 ), (5.3)

где x − это колеблющаяся величина (ее содержание определяется физической


природой колебаний), t – время. Величина A называется амплитудой коле-
баний − это модуль максимального значения, которое принимает величина x
во время колебаний. Аргумент ( t   0 ) определяет значение колеблющейся
величины в любой момент времени и называется фазой колебаний, а  0 − на-
чальной фазой. Величина  равна скорости изменения фазы и называется ци-
клической (круговой) частотой. Она связана с частотой и периодом колеба-
ний соотношением
2
  2  . (5.4)
T

Графики гармонических колебаний (5.2) и (5.3) приведены на рис. 5.1.

29
Рис.5.1

Векторная диаграмма гармонических колебаний. Графически гармоническое


колебание можно представить в виде проекции вектора A , равномерно вра-
щающегося в плоскости ( xOy) с угловой
скоростью, равной циклической частоте  ,
на оси координат. При этом длина вектора
равна амплитуде А колебаний (рис. 5.2), а
его угол с осью Ox изменяется во времени
по закону  (t )   t   0 , где  0 − значение
угла в момент времени t0  0 . Тогда
x( t )  Acos t  0  и y( t )  Asin t  0  ,
что совпадает с (5.2) и (5.3) соответственно.
Такое графическое изображение гар- Рис. 5.2
монических колебаний называется методом
векторных диаграмм.

5.2 Сложение гармонических колебаний

Сложение колебаний одного направления и одной частоты. Результат


сложения двух таких колебаний 
x1  t   A1 cos  t   01 
и
x2 t   A2 cos t   02  изображен на векторной диаграмме (рис. 5.3.) и запи-
сывается в виде
x(t )  x1 (t )  x2 (t )  A cos( t   0 ) , (5.5)

где амплитуда результирующего колебания

A2  A12  A22  2 A1 A2 cos( 02   01 ) , (5.6)

30
а начальная фаза
A1 sin  01  A2 sin  02
tg 0  . (5.7)
A1 cos  01  A2 cos  02

Если  02   01  0,  2 ,  4 , , то
колебания происходят в одной фазе
(синфазные колебания). Тогда из (5.6)
следует, что

A  A1  A2 , (5.8)

т.е. амплитуда результирующего коле-


бания равна сумме амплитуд складыва- Рис. 5.3
емых колебаний.
Если  02   01   ,  3 ,  5 , , то колебания происходят в противо-
фазе. Тогда из (5.6) следует, что

A  A1  A2 , (5.9)

т.е. амплитуда результирующего колебания равна разности амплитуд склады-


ваемых колебаний.
Сложение колебаний одного направления с одинаковыми амплитудами
и близкими частотами. Если в системе происходит два таких колебания
x1  t   Acos 1t и x2  t   Acos 2t , то уравнение результирующего движения
будет иметь вид
 1   2
x(t )  2 A0 cos 2 t cos 1 t. (5.10)
2 2
Это негармоническое колебание, амплитуда которого периодически из-
меняется во времени. Зависимость (5.10) изображена на рис. 5.4. Такое коле-
бание называется биением. Циклическая частота, с которой изменяется амп-
литуда, называется частотой биений. Она равна

Рис.5.4

31
б   1  2 ,
(5.11)
а циклическая частота самих колебаний равна

1  2
 . (5.12)
2
Сложение взаимно перпендикулярных колебаний одинаковой частоты.
Если материальная точка одновременно совершает вдоль осей Ox и Oy коле-
 
бания вида x(t )  Ax cos  t   0 x  и y(t )  Ay cos  t   0 y , то уравнение траек-
тории движения материальной точки имеет вид

x2 y2
cos 0 x  0 y   sin 2  0 x  0 y  .
2 xy
2
 2  (5.13)
Ax A y A x A y

В общем случае траектория имеет форму эллипса, повернутого относи-


тельно осей Ox и Oy (рис. 5.5, а). В частных случаях форма траектории зависит
от разности фаз. Например, если колебания синфазны, т.е. 0 x  0 y  2 m, где
m  0,  1,  2... , то эллипс вырождается в отрезок прямой линии, который явля-
ется диагональю прямоугольника, проходящей через первый и третий квадран-
ты (рис. 5.5, б). Если колебания происходят в противофазе, т.е.
0 x  0 y   2m  1  , где m  0, 1,  2,... , то траектория является отрезком пря-
мой линии, проходящей через второй и четвертый квадранты (рис. 5.5, в).

В случае, когда разность фаз 0 x  0 y   2m  1 , где m  0, 1,  2,... , траек-
2
торией будет эллипс (рис. 5.5, г) оси которого ориентированы вдоль направ-
лений Оx и Оy. В последнем случае, если амплитуды одинаковы, эллипс вы-
рождается в окружность.

а б в г
Рис. 5.5

Сложение взаимно перпендикулярных колебаний с кратными частота-


ми. Если частоты колебаний относятся, как целые числа p и q, то траектории
32
движения являются замкнутыми
кривыми, которые названы фи-
гурами Лиссажу. На рис. 5.6
приведены эти фигуры для слу-
чаев, когда 0 x  0 y   2 и от-
ношение частот равняется 2 1
(рис. 5.6, а) и 3 2 (рис. 5.6, б).
а б
Рис. 5.6
5.3 Свободные колебания
Дифференциальное уравнение свободных незатухающих гармонических
колебаний. Уравнения (5.2) и (5.3) являются решениями дифференциального
уравнения, имеющего вид
d 2x
2
  02 x  0 , (5.14)
dt

где x  отклонение колеблющейся величины от равновесного значения, а  0


собственная частота колебаний. Оно называется дифференциальным урав-
нением свободных незатухающих колебаний.
Собственная частота (период) гармонических колебаний зависит от
свойств системы и определяется через ее характеристики. Ниже приведены
примеры некоторых таких колебательных систем.
Упругий маятник. Это материальная точка массой m , которая колебле-
тся на невесомой пружине с коэффициентом упругости k (см. рис. 5.7, а).
Если в системе отсутствуют силы трения, то материальная точка осу-
ществляет гармонические колебания. В этом случае собственная циклическая
частота колебаний равна

k
0  . (5.15)
m

Математический маятник. Это материальная точка массой m , подве-


шенная в поле сил тяготения на невесомой, нерастяжимой нити длиной
(см. рис. 5.7, б). При отсутствии сил трения и малой амплитуде колебаний ма-
ятник осуществляет гармонические колебания. Собственная циклическая час-
тота колебаний математического маятника равна

g
0  , (5.16)

где g − ускорение свободного падения. Таким образом, частота колебаний


математического маятника не зависит от его массы.
33
Физический маятник. Это твердое тело, которое может осуществлять
колебания в поле тяготения вокруг неподвижной горизонтальной оси О´, ко-
торая не проходит через его центр инерции О (см. рис. 5.7, в). При условии
малой амплитуды и отсутствия сил трения эти колебания являются гармони-
ческими. Циклическая частота собственных колебаний физического маятника
равна
g
0  , (5.17)
прив

где g − ускорение свободного падения. Величина прив называется приведен-


ной длиной физического маятника и равна
I
прив  , (5.18)
ma
где I − момент инерции маятника относительно горизонтальной оси, m −
масса маятника, a − расстояние от оси до его центра инерции.

а б в
Рис. 5.7

Идеальный колебательный контур. Это электри-


ческий контур (рис.5.8), состоящий из конденсатора ем-
костью C , катушки индуктивностью L , сопротивление
которого равняется нулю.
В такой системе, при сообщении заряда конденса-
тору, возникают собственные гармонические колебания
заряда, напряжения на пластинах конденсатора, силы
тока и ЭДС самоиндукции и других величин. Собствен- Рис. 5.8
ная циклическая частота этих колебаний равна

34
1
0  ,
LC (5.19)
а период
T0  2 LC . (5.20)

Соотношение (5.20) называется формулой Томсона.


Энергия гармонических колебаний. В механических системах энергия
колебаний состоит из кинетической и потенциальной энергии системы. В от-
сутствие непотенциальных сил каждая из этих составляющих изменяется во
времени, но так, что их сумма сохраняется.
Когда одна из энергий равняется нулю, другая энергия имеет максима-
льное значение, которое совпадает с полной энергией колебаний. Для упруго-
го маятника энергия колебаний находится из выражений

mvm2 kA2 m 02 A2
W   , (5.21)
2 2 2

где A − амплитудное значение координаты, vm − амплитудное значение ско-


рости материальной точки. Формула (5.21) может быть применена также для
нахождения энергии математического маятника.
В колебательном контуре энергия колебаний состоит из энергии элект-
рического поля в конденсаторе и энергии магнитного поля в катушке. В идеа-
льном контуре сумма этих энергий сохраняется и когда одна из них равна н у-
лю, другая достигает максимального значения. Энергия колебаний в контуре
находится из выражений
Qm2 CU m2 LI m2
W   , (5.22)
2C 2 2

где Qm , U m , I m − амплитуды колебаний заряда, напряжения на пластинах


конденсатора и силы тока в контуре. Из последних двух формул следует, что
энергия гармонических колебаний пропорциональна квадрату амплитуды
колеблющейся величины.

5.4 Затухающие колебания


Затухающими называются колебания, амплитуда которых уменьшается
во времени. Причиной затухания является наличие в реальных физических
системах непотенциальных сил, например сил трения или сопротивления.
Вследствие этого происходит уменьшение энергии колебаний за счет преоб-
разования ее в тепло.
Дифференциальное уравнение затухающих колебаний имеет вид

35
d 2x dx
2
 2    02 x  0 , (5.23)
dt dt

где x  отклонение колеблющейся величины от равновесного значения;  0 −


частота собственных незатухающих колебаний. Коэффициент  называется
коэффициентом затухания. Он зависит от характеристик колебательной сис-
темы. Например, для упругого маятника

r
 , (5.24)
2m

где m − масса материальной точки, r − коэффициент вязкого трения. Для


электрического колебательного контура

R
 , (5.25)
2L

где L − индуктивность катушки, R − электрическое сопротивление контура.


Решение дифференциального уравнения (5.23) имеет вид

x(t )  A0 e  t cos(t   0 ) . (5.26)

Это уравнение называется уравнением затухающих колебаний, а его


график приведен на рис. 5.9. Выражение перед косинусом является амплиту-
дой затухаючих колебаний, которая уменьшается со временем по экспонен-
циальному закону
A(t )  A0 e  t , (5.27)

где A0 − амплитуда в начальный момент времени t0  0 . Циклическая частота


затухающих колебаний меньше собственной частоты 0 и равна

   02  2 . (5.28)

Характер движения в системе с затуханием зависит от соотношения ме-


жду  и 0 . Когда   0 (это отвечает слабому затуханию), в системе проис-
ходят затухающие колебания. Если   0 (что отвечает сильному затуханию),
то из (5.28) следует, что движение в системе не имеет колебательного характе-
ра: в системе не происходит ни одного колебания, а система возвращается к
равновесному состоянию. Такое движение называется апериодическим.

36
Рис. 5.9

Характеристики скорости затухания. В качестве таковых используют:


время затухания  , логарифмический декремент затухания  и добротность
Q колебательной системы.
Временем затухания  называется время, за которое амплитуда коле-
баний уменьшается в e раз ( e  2,7 ). Оно связано с коэффициентом затуха-
ния равенством
1
 .
 (5.29)

Логарифмическим декрементом затухания  называется натуральный


логарифм отношения двух амплитуд взятых через один период T

A(t )
  ln ,
A(t  T ) (5.30)

где A(t ) − амплитуда в момент времени t , A(t  T ) − амплитуда в момент


времени t  T . Логарифмический декремент затухания связан с коэффициен-
том затухания  и временем затухания  сооотношениями

T
  T  .
 (5.31)

1
Из последнего уравнения следует, что величина равна количеству

колебаний, которые осуществляются в системе за время затухания  .
Добротностью колебательной системы называется физическая величи-
на, равная произведению 2 на отношение энергии, запасенной в колебате-

37
льной системе (W(t)), к энергии, теряемой системой за один период
(W(t)W(t+T)), т.е.

W (t )
Q  2 .
W (t )  W (t  T ) (5.32)

При небольшом затухании добротность связана с логарифмическим декреме-


нтом затухания соотношением


Q .
 (5.33)

Энергия затухающих колебаний уменьшается во времени пропорциона-


льно квадрату амплитуды колебаний W (t ) A2 (t ) . Тогда из (5.27) следует,что

W (t )  W0 e2  t , (5.34)

где W0 − начальная энергия колебаний.

5.5 Вынужденные колебания


Вынужденные колебания возникают под действием внешней периоди-
ческой силы в механических системах или внешней периодической ЭДС в
электрических контурах.
Дифференциальное уравнение вынужденных колебаний имеет вид

d 2x dx
2
 2   02 x  f m cos t , (5.35)
dt dt

где f m  Fm m  отношение максимальной вынуждающей силы к массе в слу-


чае механических колебаний и f m   m L  отношение максимальной вынуж-
дающей ЭДС к индуктивности в случае электромагнитных колебаний в кон-
туре;   частота вынуждающего воздействия.
Для примера рассмотрим вынужденные колебания упругого маятника.
Если периодическая внешняя сила изменяется со временем по закону
F (t )  Fm cos t , то решение уравнения (5.35) представляет собой сумму

x(t )  xзат  t   xвын  t  , (5.36)

где xзат  t   изменение величины x при затухающих колебаний, а xвын  t  


изменение величины x при установившихся вынужденных колебаниях маят-
38
ника. С течением времени затухающие колебания прекратятся и маятник пе-
рейдет в установившийся режим колебаний с частотой вынуждающей силы.
Уравнение колебаний в установившемся режиме имеет вид

x(t )  À cos  t    , (5.37)

где амплитуда вынужденных колебаний

F0
A , (5.38)
m  2
0  
2 2
 4 
2 2

а сдвиг фаз  между смещением и вынуждающей силой

2 
tg   .
 02 2 (5.39)

Графики À    и     приведены на рис. 5.10.

а б
Рис. 5.10

Как видно из рис. 5.10, а, при установившихся вынужденных колебани-


ях амплитуда смещения достигает максимума при некоторой частоте  р рав-
ной
р   02  2 2 , (5.40)

где  0  циклическая частота свободных незатухающих колебаний.


Явление резкого возрастания амплитуды вынужденных колебаний при
приближении частоты вынуждающей силы к частоте  р называется резонан-

39
сом, а частота  р  резонансной частотой. Максимальная амплитуда при
резонансе равна
F0
Aр  .
2m0 (5.41)

Как следует из рис. 5.10, б, если   0 , то р   0 и   р    2 .

5.6 Волны. Основные свойства волн. Уравнение волны

В простейшем понимании волновое движение (волна) – это распростра-


нение возмущений (колебаний) в пространстве, сопровождающиеся перено-
сом энергии. По физической природе волны бывают упругими (звуковыми),
электромагнитными и др.
По направлению колебаний различают продольные, поперечные и по-
верхностные волны. Продольными называются волны, в которых колебания
происходят вдоль направления их распространения. Поперечными называют-
ся волны, в которых колебания происходят перпендикулярно направлению их
распространения. Поверхностными называются волны, возникающие на по-
верхности раздела сред (воздух – вода и др.)
Монохроматические волны – это волны одной строго определенной ча-
стоты  . Волновой поверхностью монохроматической волны называется по-
верхность, во всех точках которой колебания происходят в одной фазе. По
форме волновых поверхностей различают плоские, сферические, цилиндри-
ческие и др. волны. Скорость, с которой движется волновая поверхность, н а-
зывается фазовой скоростью волны v . Фронтом волны называется геомет-
рическое место точек к которым волна дошла к данному моменту времени.
Кратчайшее расстояние между ближайшими точками пространства, в кото-
рых колебания синфазны, называется длиной волны  . Она равна расстоянию,
проходимому волной за один период Т, т.е.

v
  vT или   . (5.42)

Уравнение плоской бегущей монохроматической волны, распространя-
ющейся вдоль оси Or , имеет вид

  r 
 ( r, t )  A cos   t   0  (5.43)
  v 
или
 (r, t )  A cos(t kr  0 ) , (5.44)

где отсчет времени t происходит от момента начала колебаний в точке r = 0;


 ( r, t ) − отклонение колеблющейся величины от равновесного положения (ее
40
содержание определяется физической природой волн);  – циклическая час-
тота колебаний; r – расстояние от начала координат до точки в которой опре-
деляется  ( r, t ) ;  0 − начальная фаза; знак () соответствует распространению
волны в направлении оси Оr, знак (+)  в противоположном направлении. Ве-
личина k называется волновым числом и равна

 2
k  .
v  (5.45)

На рис. 5.11 показана зависимость (5.43), (5.44). Видно, что длина вол-
ны  указывает на периодичность повторения колебаний в пространстве.

Рис. 5.11

Волновое уравнение – это дифференциальное уравнение, которое опи-


сывает волновое движение в самом общем случае и имеет вид

 2  2  2 1  2
    0. (5.46)
x 2 y 2 z 2 v2 t 2

В частности, уравнение волны (5.43) является одним из решений этого


волнового уравнения.

5.7 Упругие волны


Упругие волны  это механические возбуждения (деформации), распро-
страняющиеся в упругой среде (например, волны в газе, жидкости и твердом
теле). Поскольку в газе и жидкости отсутствуют деформации сдвига, то в них
распространяются только продольные волны сжатия-растяжения. В твердых
телах распространяются как продольные волны, так и поперечные волны (де-
формации сдвига).
В связи с тем, что органами слуха человека воспринимаются волны час-
тот v 16  20000 Гц, этот диапазон условно называют звуковым. Упругие во-

41
лны частотой v  16 Гц называют инфразвуком, а частотой v  20000 Гц –
ультразвуком.
Фазовая скорость распространения продольных упругих волн в вещест-
ве равна
E
vпрод  , (5.47)

где Е  модуль упругости среды, а   плотность невозмущённой среды.


Процесс распространения звуковых волн можно считать адиабатическим, по-
этому можно Е и  в (5.47) выразить через параметры состояния идеального
газа и получить
RT
vпрод   , (5.48)

где   показатель адиабаты (2.28); R  универсальная газовая постоянная;


T  абсолютная температура газа;   молярная масса газа.
Фазовая скорость распространения поперечных упругих волн в одноро-
дной изотропной твердой среде равна

G
vпопер  , (5.49)

где G  модуль сдвига среды, а   плотность невозмущённой среды.


При распространении упругих волн среда обладает дополнительной ме-
ханической энергией  кинетической энергией колеблющихся частиц и поте-
нциальной энергией деформации. Объемная плотность энергии упругой вол-
ны  это механическая энергия единицы объема среды, обусловленная расп-
ространением упругих волн, и равна

w   2 A 2sin 2 ( t  kr ) ,
(5.50)

где   циклическая частота волны, а А  амплитуда волны.


Потоком энергии Ф называется количество энергии dW , переносимое
волной через данную поверхность S за единицу времени, т.е.

dW
 . (5.51)
dt

Вектором плотности потока энергии называется вектор, численно рав-


ный количеству энергии, переносимой волной за единицу времени через еди-
ничную поверхность, перпендикулярную направлению распространения волны
42
и совпадающий по направлению с направлением переноса энергии. Для упру-
гих волн он называется вектором Умова и определяется соотношением

U  wv ,
(5.52)
где v  скорость волны.
Интенсивность упругой волны равна модулю среднего за период значе-
ния вектора Умова, т.е.

1
I  U  wv =  2 A 2v . (5.53)
2
5.8 Электромагнитные волны
Электромагнитными волнами называются возмущения электро-
магнитного поля, т.е. совокупность переменных электрического и магнитнго
полей, которые распространяются в пространстве отдельно от заряда. Создать
такие возмущения можно различными способами: переменными электричес-
кими токами, нагреванием тел, разрядами в газе, торможением быстрых элек-
тронов и др.
Поскольку электрическое поле характеризуется вектором напряженнос-
ти E , а магнитное  вектором напряженности H , то волновое уравнение
(5.46) для электромагнитной волны есть совокупность двух уравнений вида

2E 2E 2E 1 2E


    0, (5.54, а)
x 2 y 2 z 2 v2 t 2

2 H 2 H 2 H 1 2H
 2  2  2 2  0, (5.54, б)
x 2 y z v t

где v  скорость электромагнитной волны.


Если волна распространяется вдоль оси Or, то из уравнений (5.54) сле-
дует, что бегущая плоская электромагнитная волна описывается уравнениями
вида

 r
Е  r , t   Еm cos   t   Еm cos t kr  , (5.55, а)
 v
 r
H  r , t   H m cos   t   H m cos t kr  . (5.55, б)
 v 

где Еm и H m  амплитудные значения векторов E и H .

43
Пространственное распределение векторов E и H для фиксированного
момента времени представлено на рис. 5.12.
Основные свойства электромагнитных волн можно свести к следую-
щим.
1. Электромагнитные волны являются поперечными: векторы E и H
поля волны лежат в плоскости, перпендикулярной к направлению
распространения волны, т.е. к вектору скорости v . Таким образом,
векторы E , H и v образуют правую тройку взаимно перпендикулярных век-
торов.

Рис. 5.12

2. Векторы E и H колеблются синфазно, достигая одновременно амп-


литудных и нулевых значений.
3. Электромагнитные волны распространяются как в веществе, так и в
вакууме.
4. Скорость электромагнитной волны в веществе зависит от диэлектри-
ческой  и магнитной  проницаемостей вещества и равна

1
v= , (5.56)
 0  0 

где  0 электрическая и 0 магнитная постоянные. Скорость электромагнит-


ной волны в вакууме определяется соотношением

1
c=  3  108 м/с, (5.57)
 0 0

а показатель преломления среды


44
c
n=   . (5.58)
v

5. Энергия электромагнитной волны состоит из суммы энергий элект-


рического и магнитного полей. Объемные плотности этих энергий (3.65) и
(4.45) одинаковы, т.е.
 0 E 2 0 H 2    EH
  0 0 . (5.59)
2 2 2

Вектор плотности потока энергии электромагнитной волны опреде-


ляется аналогично вектору Умова. Он называется вектором Пойнтинга и
определяется соотношением
P  EH . (5.60)

Интенсивность электромагнитной волны равна модулю среднего за


период значения вектора Пойнтинга, т.е.

1
I  P  wv =  0 Em2 v . (5.61)
2

Понятие о шкале электромагнитных волн. В зависимости от длины во-


лны электромагнитные волны подразделяют на несколько диапазонов, отоб-
раженных на шкале электромагнитных волн (рис. 5.13): радиоволны, оптиче-
ские волны, рентгеновские лучи и  –лучи.

Рис. 5.13

В свою очередь каждый диапазон подразделяется на несколько поддиа-


пазонов. В частности, в оптическом диапазоне выделяют электромагнитные
волны с длиной волны от 4·107 м до 7,8·107 м, которые воспринимаются
органами зрения человека и называются световыми. Волны с длиной волны
  4 107 м называют ультрафиолетовыми, а с длиной волны   7,8 107 м 
инфракрасными.

45
Для каждого из диапазонов помимо ряда общих свойств присущи и от-
личия  методы получения и регистрации волн, взаимодействие их с вещест-
вом, области применения и т.п.

5.9 Волновые процессы. Интерференция света


Всем волновым процессам, независимо от их природы, присущи ряд
явлений – интерференция, дифракция, поляризация, дисперсия и др. Боль-
шинство этих явлений экспериментально наиболее просто наблюдать в види-
мом диапазоне электромагнитных волн и поэтому рассмотрим их на примере
световых волн.
Световые волны при распространении от разных источников могут на-
кладываться друг на друга. Опыт свидетельствует, что при небольших значе-
ниях интенсивности, волны за областью наложения распространяются так,
как если бы они и не накладывались. Этот экспериментальный факт называе-
тся принципом независимости распространения волн.
В каждой точке области наложения происходит сложение колебаний,
обусловленных накладываемыми волнами. В зависимости от свойств волн во-
зможны два случая: 1) в каждой точке области наложения происходит сложе-
ние интенсивностей накладываемых волн; 2) в области наложения происхо-
дит стойкое, независящее от времени, перераспределение результирующей
интенсивности (в одних точках результирующая интенсивность превосходит
суммарную интенсивность накладываемых волн, в других – меньше её). Пос-
ледний случай называется интерференцией волн.
Более подробно проанализируем
случай наложения гармонических волн,
распространяющихся от двух источни-
ков S1 и S 2 в однородных средах с раз-
ными значениями коэффициентов пре-
ломления n 1 и n 2 в точке M , находя-
щейся в на границы раздела сред
(рис.5.14). Регистрация света любым
прибором, в том числе и человеческим
глазом, определяется вектором напря-
жённости электрического поля свето-
Рис. 5.14
вой волны. Как следует из выражения
(5.6), при наложении гармонических световых волн, распространяющихся от
двух источников, в любой точке наложения результирующая амплитуда н а-
пряжённости электрического поля равна

Em  Em21 + Em2 2 + 2Em1Em 2cos , (5.62)

где Em1 и Em 2  амплитудные значения напряжённости электрического поля


первой и второй волны, а   разность фаз между волнами в этой точке. Из
выражения (5.55) следует, что
46
  (2  1 )t  (k2r2  k1r1 )  (02  01 ) . (5.63)

В этом выражении  1 и  2  циклические частоты обеих волн, k 1 и k 2  их


волновые числа, 01 и 02  начальные фазы, t  время.
Когда разность фаз  беспорядочно и быстро изменяется, среднее
значение cos   0 , Em2  Em21  Em2 2 и результирующая интенсивность света,
которая прямо пропорциональна квадрату амплитуды, равна сумме интенсив-
ностей ( I  I1  I 2 ), т.е. реализуется случай 1.
Для реализации случая 2 необходимо, чтобы в рассматриваемой точке
M разность фаз   const . Только в этом случае результирующая интенсив-
ность, как следует из выражения (5.62), равна

I  I1  I 2  2 I1I 2 cos  (5.64)

и изменяться не будет. Две волны с разностью фаз, независящей от времени,


называются когерентными.
Как видно из выражения (5.63), две гармонические волны когерентны,
если у них одинаковы частоты ( 1  2 ) и разность начальных фаз (02  01 )
не изменяется со временем. Таким образом, явление интерференции происхо-
дит при наложении когерентных волн.
В простейшем случае, когда 02  01  0 , разность фаз определяется
выражением
  k2r2  k1r1 . (5.65)

2 0
Учитывая, что k  и  , последнее выражение можно привести
 n
к виду
2
  (r2 n2  r1n1 ), (5.66)
0

где   длина световой волны в среде с коэффициентом преломления n , а


0  длина этой же волны в вакууме.
Величина, численно равная произведению геометрического пути, про-
ходимого волной, на коэффициент преломления среды, в которой волна расп-
ространяется, называется оптической длиной пути. Разность оптических длин
путей
  r2n2  r1n1 (5.67)

называется ещё оптической разностью хода.

47
Следовательно, разность фаз в какой - либо точке наложения когерент-
ных волн определяется оптической разностью хода, т. е.

2
  . (5.68)
0

Из выражений (5.62), (5.64) и (5.68) вытекают условия наблюдения ин-


терференционных максимумов и минимумов.
Максимумы наблюдаются в тех точках области наложения двух когере-
нтных волн, в которых разность фаз и разность хода удовлетворяют условиям

  2m и   m , (5.69)

где m  0,1,2,3,... порядок интерференционного максимума. В этих точках


результирующая амплитуда Em  Em1  Em2 , а результирующая интенсивность
I  I1  I 2  2 I1I 2 , т. е. превосходит сумму интенсивностей на интерференци-
онный член 2 I1I 2 . Если амплитуды обеих волн одинаковы ( Em1  Em 2 ) , то
Em  2Em1 и I  4 I1 .
Минимумы наблюдаются в тех точках , в которых выполняются условия


  (2m  1) или   (2m  1) , (5.70)
2

где m  0,1,2,3,... порядок интерференционного минимума. В этих точках


результирующая амплитуда Em  Em1  Em 2 , а результирующая интенсивность
I  I1  I 2  2 I1I 2 , т. е. меньше суммы интенсивностей на тот же интерфере-
нционный член 2 I1I 2 . Если амплитуды обеих волн одинаковы, то Em  0 и
I  0.

5.10 Стоячие волны


Стоячая волна образуется в результате наложения двух бегущих гармо-
нических волн с одинаковыми частотами и одинаковыми амплитудами, расп-
ространяющихся навстречу друг другу (чаще всего прямой и отражённой во-
лны) и описывается уравнением

 (r, t )  A cos( t  kr )  A cos( t  kr )  2 A cos kr cos  t . (5.71)

Амплитуда стоячей волны зависит от координаты

Aст  2 Acoskr , (5.72)


48
а частота колебаний такая же, как и частота накладываемых волн.

Рис. 5.15

На рис. 5.15 представлены отклонения колеблющейся величины в стоя-


чей волне от равновесного положения в различные моменты времени. Точки,
в которых амплитуда стоячей волны максимальна ( Aст  2 A ), называются пу-
чностями. Точки, в которых амплитуда стоячей волны минимальна ( Aст  0 ),
называются узлами. Координаты пучностей определяются из условий

kr  m , а узлов - из условий kr   2m  1 , где m  0,1,2,... Из них следует,
2
что расстояния между двумя соседними пучностями также как и двумя сосе-
дними узлами равно  / 2 , а расстояние между соседними пучностью и узлом
равно  / 4 (рис. 5.15). Фаза колебаний во всех точках между соседними узла-
ми, как видно из (5.71), одинакова, а при переходе через узел изменяется на 
.

5.11 Понятие о когерентности реальных волн. Интерференция света


в тонких плёнках
В силу ряда причин световые волны от обычных источников (за исклю-
чением лазерных) не когерентны. Они немонохроматические, спектр их цик-
 
лических частот имеет определённую ширину от   до   . Однако
2 2
и такую волну, как показывают соответствующие расчёты, в течении проме-
49

жутка времени  ког  можно считать приблизительно монохроматической

(её обычно называют квазимонохроматической) с циклической частотой  .
Этот промежуток времени  ког называется временем когерентности. Расстоя-
ние lког  c ког (с  скорость света), проходимое волной за время когерентнос-
ти, называется длиной когерентности.
Выше сказанное объясняет ряд методов получения когерентных свето-
вых волн от обычных источников. Суть их сводится к разделению световой
волны на две части (или несколько волн). Если эти волны после прохождения
ими разных оптических путей накладываются, то наблюдается их интерфере-
нция. Однако, при этом оптическая разность хода должна оставаться меньшей
длины когерентности.
Именно такой процесс реализуется при интерференции света в тонких
плёнках. Если на тонкую прозрачную плёнку толщиной d с коэффициентом
преломления n падает параллельный пучок 1 квазимонохроматического све-
та с длиной волны  , то в результате отражения света от верхней и нижней
граней плёнки образуются два пучка 1' и 1'' (рис. 5.16), которые после нало-
жения интерферируют.

Рис. 5.16

Результат интерференции определяется оптической разностью хода, рав-


ной
  
  (OC  CB)n  ( ON  )  2d n 2  sin 2    2dn cos   . (5.73)
2 2 2

В (5.73) учтено, что при отражении света на верхней грани плёнки от


среды с большим коэффициентом преломления (оптически более плотной
среды) фаза отражённой волны скачком изменяется на  , что эквивалентно

оптическому пути .
2
В случае выполнения условия (5.69), т. е. когда

50
 
  2d n 2  sin 2   2dncos   m , (5.74)
2 2

световые пучки 1' и 1'' усиливают друг друга, и наблюдается максимум – по-
верхность плёнки имеет цвет, соответствующий длине волны  , удовлетво-
ряющей условию (5.74).
В случае же выполнения условия (5.70), когда

  
  2d n 2  sin 2    2dn cos     2m  1 , (5.75)
2 2 2

световые пучки 1' и 1'' ослабляют друг друга и наблюдается минимум – плён-
ка тёмная.

5.12 Явление дифракции. Принцип Гюйгенса – Френеля и метод зон


Френеля

В узком смысле под дифракцией волн (света) понимают огибание ими


препятствий, проникновение волн в область геометрической тени. Дифракция
наблюдается на преградах, линейные размеры которых сравнимы с длиной
волны. Между явлениями интерференции и дифракции нет принципиального
физического различия – оба явления сводятся к перераспределению интенси-
вности волн в пространстве в результате их суперпозиции. Если эти волны
возбуждаются конечным числом дискретных когерентных источников – го-
ворят об интерференции волн. Если же волны возбуждаются непрерывно рас-
положенными когерентными источниками говорят о дифракции волн. Раз-
личают два вида дифракции: дифракцию в сходящихся лучах (дифракцию
Френеля) и дифракцию в параллельных лучах (дифракцию Фраунгофера).
Во многих случаях вид дифракционной картины можно обосновать с по-
мощью приближенного метода – принципа
Гюйгенса – Френеля. Суть этого принципа сво-
дится к следующему.
1. Элементы dS любой замкнутой поверх-
ности S , окружающей источник волн S0 (рис.
5.17), можно считать когерентными точечными
источниками вторичных волн.
2. Результирующую амплитуду, а, следова-
тельно, и интенсивность, в любой точке наблю-
дения M можно рассчитать как результат ин-
терференции вторичных волн от всех элемен-
тов dS поверхности S . При этом предполагает-
ся, что амплитуда волны от каждого вторично-
Рис. 5.17 го источника: пропорциональна его площади
dS ; обратно пропорциональна расстоянию r от
51
dS до точки наблюдения; монотонно уменьшается от максимального значе-
ния до нуля, если угол  между внешней нормалью к поверхности dS и на-

правлением от неё в точку наблюдения увеличивается от нуля до ; если
2
часть поверхности S занята непрозрачными экранами, то закрытые ими вто-
ричные источники волн не излучают.
С целью упрощения сложения вторичных волн Френель предложил в ка-
честве замкнутой поверхности S выбирать волновую поверхность (в этом
случае все вторичные источники синфазны) и разбивать её на зоны так, чтобы

оптическая разность хода от краёв соседних зон отличалась на . Эти зоны
2
называются зонами Френеля.
В этом случае фазы колебаний, возбуждаемых соседними зонами в точке
наблюдения, отличаются на  , и результирующая амплитуда Em определяет-
ся соотношением
Em  Em1  Em2  Em3  Em4  Em5  ... , (5.76)

где Em1, Em 2 ,...  амплитуды от первой, второй и т. д. зон.

Рис. 5.18

На рис. 5.18 приведен пример разбиения на зоны Френеля сферической


волновой поверхности S для световой волны от точечного источника света
S0 . В этом случае радиусы зон Френеля равны

ir0 R
i  , (5.77)
r0  R

52
а площади зон практически одинаковы и определяются соотношением

 r0 R
Si  , (5.78)
r0  R

где: i  номер зоны, r0  расстояние от вершины волновой поверхности O до


точки наблюдения M , R радиус волновой поверхности,   длина световой
волны. Следовательно, в этом случае влияние площади зон на изменение ам-
плитуд можно не учитывать.

5.13 Дифракция на щели. Дифракционная решётка

Дифракция на щели и дифракционной решётке наблюдается в паралле-


льных лучах. Экспериментально это можно осуществить двумя способами:
либо источник света и точка наблюдения расположены от преграды настоль-
ко далеко, что лучи, падающие на преграду, и лучи, идущие от преграды в то-
чку наблюдения, практически параллельны (рис. 5.19, а); либо точечный ис-
точник света (рис. 5.19, б) расположен в фокальной плоскости одной собира-
ющей линзы (при этом лучи падают на преграду параллельным пучком), а
дифракционная картина наблюдается на экране, который расположен в фока-
льной плоскости другой собирающей линзы (в любой точке экрана линза со-
бирает параллельные лучи).

б
Рис. 5.19

53
В случае, когда на узкую и длинную прямоугольную щель ширины b пе-
рпендикулярно к её поверхности падает параллельный пучок квазимонохро-
матического света с длиной волны  (рис. 5.20, а), дифракционная картина
имеет вид светлых и тёмных полос (максимумов и минимумов интенсивности
света I ), ориентированных параллельно щели (рис. 5.20, б, а). При этом ма-
ксимумы и минимумы расположены по обе стороны от центрального макси-
мума симметрично.

а б в
Рис. 5.20

Минимумы наблюдаются под углами  , которые удовлетворяют усло-


вию
b sin   m , (5.79)

а максимумы – условию (приблизительно)


b sin   (2m  1) , (5.80)
2

где m  1,2,3,... . Из рис. 5.20 ясно, что b sin    есть ничто иное как оптичес-
кая разность хода между лучами, приходящими в точку наблюдения от краёв
щели. Сами же условия (5.79) и (5.80) могут быть получены путём разбиения
фронта волны, совпадающего с плоскостью щели, на зоны Френеля и учёта
соотношения (5.76).
54
Одномерная дифракционная решётка представляет собой систему из бо-
льшого числа N одинаковых щелей шириной b , расположенных в одной
плоскости, и разделённых одинаковыми между собой непрозрачными для
света промежутками шириной a . Сумма ширины щели и непрозрачного
промежутка d  b  a называется параметром (периодом, постоянной, ша-
гом) дифракционной решётки.
Очевидно, что в случае дифракционной решётки (рис. 5.21, а) при тех же
исходных условиях, что и для щели, дифракционные картины от всех щелей
накладываются и в дополнение к этому, так как волны от всех щелей когерен-
тны, происходит их интерференция.

а б в
Рис. 5.21
В результате этого дифракционная картина изменяется (рис. 5.21, б, в).
Под углами наблюдения  , удовлетворяющих условию

d sin   n , (5.81)

где n  0,1,2,3,... , волны от разных щелей приходят со сдвигом фаз   2n


и колебания, вызванные ими, складываются. В этих местах результирующая
амплитуда колебаний Em увеличивается в N раз по сравнению с амплитудой
Em1 от одной щели (т. е. Em  NEm1 ), а результирующая интенсивность I  в
N 2 раз по сравнению с интенсивностью I1 от одной щели (т. е. I  N 2 I1 )
(рис.5.21). Максимумы, удовлетворяющие условию (5.81), называются глав-
ными максимумами.
Между соседними главными максимумами при выполнении условия

55

d sin    k , (5.82)
N

где k  1,2,3,... (но k  0, N ,2 N ,3N ,... ), расположены N  1 добавочных мини-


мумов и N  2 добавочных максимумов. Интенсивность добавочных макси-
мумов не превышает несколько процентов от интенсивности главных и на
фоне главных они практически не заметны. Но наличие добавочных миниму-
мов и максимумов обуславливает сужение главных, в результате чего дифра-
кционная картина по сравнению с картиной от одной щели отличается гораз-
до большей чёткостью – вместо слабых по интенсивности и широких макси-
мумов в случае одной щели, в случае решётки наблюдаются узкие и интенси-
вные светлые линии, разделённые широкими, практически тёмными проме-
жутками.
Следует подчеркнуть, что под углами наблюдения, удовлетворяющими
условию минимумов (5.79) от одной щели, и в случае дифракционной решёт-
ки будут минимумы, которые называются главными минимумами.

5.14 Естественный и поляризованный свет. Поляризация света при


отражении от границы раздела двух диэлектриков

В обычных источниках света (за исключением лазеров) атомы излучают


независимо друг от друга. Свет от них представляет собой результат наложе-
ния излучений множества атомов и поэтому в нём все направления колебаний
вектора E в плоскости, перпендикулярной направлению распространения лу-
ча равновероятны (рис. 5.22, а). Такой свет называется естественным или не-
поляризованным.
При определённых условиях можно получить свет, в котором направле-
ние колебаний вектора E как-то упорядочено и такой свет называется поляри-
зованным.

а б в
Рис. 5.22

Возможны следующие варианты упорядочения.


В плоскости, перпендикулярной направлению распространения луча, ве-
ктор E колеблется вдоль одного направления. Такой свет называется плоско
56
поляризованным или линейно поляризованным (рис. 5.22, б). Плоскость, про-
ходящая через направление колебаний вектора E и направление распростра-
нения луча, называется плоскостью колебаний или плоскостью поляризации.
В плоскости, перпендикулярной направлению распространения луча, ве-
ктор E вращается и одновременно изменяется по величине так, что конец его
описывает эллипс. Такой свет называется эллиптически поляризованным
(рис. 5.22, в).
В выше упомянутой плоскости вектор E вращается, не изменяясь по ве-
личине, конец его описывает окружность. Такой свет называется поляризо-
ванным по кругу или циркулярно поляризованным.
Если же в плоскости, перпендикулярной направлению распространения
луча, для вектора E существует какое-то преимущественное направление ко-
лебаний, свет называется частично поляризованным.
Существует несколько способов преобразования естественного света в
плоско поляризованный. Применяемые для этого приборы называются поля-
ризаторами. При падении естественного света на поляризатор пропускается
свет с колебаниями вектора E в каком-то одном направлении, а в направле-
нии перпендикулярном к нему  задерживается.
Брюстер установил, что при отражении естественного света от границы
раздела двух прозрачных диэлектриков при угле падения  Бр , удовлетворяю-
щем условию
tg Бр  n21 , (5.83)

где n21  n2 / n1  относительный показатель преломления второй среды отно-


сительно первой, отражённый свет плоско поляризован с направлением коле-
баний вектора E , перпендикулярным к плоскости падения (рис. 5.23).

Рис. 5.23

При этом угол между отражённым и преломлённым лучами прямой.


Этот экспериментальный факт называется законом Брюстера. Преломлённый
свет частично поляризован с преимущественным направлением колебаний
вектора E , лежащим в плоскости падения.
57
5.15 Двойное лучепреломление. Призма Николя. Закон Малюса

При прохождении света через некоторые прозрачные анизотропные


кристаллы световой луч расщепляется на два луча (рис. 5.24). Это явление на-
зывается двойным лучепреломлением. Двояко преломляющие кристаллы под-
разделяются на одноосные и двухосные. Ограничимся рассмотрением лишь
одноосных кристаллов. В таких кристаллах имеется одно направление, назы-
ваемое оптической осью, при распространении света вдоль которого двойно-
го лучепреломления не происходит. На рис. 5.24 оптическая ось OO кристал-
ла показана пунктирной линией. Плоскость, проходящая через оптическую
ось и направление распространения луча света, называется главным сечением
или главной плоскостью кристалла.

Рис. 5.24

В одноосных кристаллах оба луча являются плоско поляризованными с


взаимно перпендикулярными направлениями колебаний вектора E . Коэффи-
циент преломления nо одного из лучей не зависит от направления распрост-
ранения в кристалле. Этот луч называется обыкновенным, его принято обоз-
начать индексом o. Другой луч называется необыкновенным, его коэффици-
ент преломления ne при изменении направления распространения изменяет-
ся, этот луч обозначают индексом e. Направление колебаний вектора E в
обыкновенном луче перпендикулярно главному сечению, а в необыкновен-
ном – совпадает с главным сечением. У некоторых кристаллов один из лучей
поглощается сильнее другого. Это явление называется дихроизмом.
Очевидно, что оптически анизотропные двояко преломляющие кри с-
таллы могут быть использованы для изготовления поляризаторов. Для этого
один из плоско поляризованных пучков света, распространяющихся в кри с-
талле, необходимо убрать. Реализовать это можно двумя способами.
1. Использовать двояко преломляющие кристаллы с сильно выражен-
ным дихроизмом в видимой части спектра и подбирать их толщину так, что-
бы один из лучей полностью поглощался.. Так, кристалл турмалина толщиной
1 мм практически полностью поглощает обыкновенный луч, а в кристаллах
сульфата йодистого хинина (герапатита) один из лучей поглощается при тол-
щине всего 0,1 мм. Последнее вещество широко используется для изготовле-
ния больших по площади и сравнительно дешёвых поляризаторов, называе-
мых поляроидами. Поляроид представляет собой прозрачную плёнку, напри-
58
мер целлулоида, в которую в большом количестве введены мелкие, опреде-
лённым образом ориентированные, кристаллики герапатита.
2. Изготавливать с использованием двояко преломляющих кристаллов,
не обладающих сильным дихроизмом, специальные призмы, в которых один
из лучей отводится в сторону. Устройство таких призм подобно широко рас-
пространённой призме Николя (николю). Эта призма представляет собой
определённым образом обработанный кристалл исландского шпата, разрезан-
ный по диагонали и склеенный затем прозрачным для света веществом  ка-
надским бальзамом. Коэффициент преломления nб канадского бальзама удо-
влетворяет условию ne < nб < nо . Поэтому на границе с ним обыкновенный
луч претерпевает полное внутреннее отражение и отводится в сторону, а из
николя выходит лишь необыкновенный луч (рис. 5.25).

Рис. 5.25

Любой поляризационный прибор (поляризатор) можно использовать и


для анализа степени поляризации падающего на него света. В этом случае тот
же самый прибор называется анализатором.
Предположим, что в качестве анализатора используется призма Николя.
В призме любое направление колебаний вектора E раскладывается на два на-
правления – в плоскости главного сечения и перпендикулярно к ней. Поэто-
му, если на призму падает естественный свет, в котором все направления к о-
лебаний вектора E в плоскости, перпендикулярной лучу равновероятны, то
суммарные составляющие амплитуд вектора E по этим направлениям одина-
ковы. Следовательно, в идеализированном случае, когда отражение и погло-
щение света в призме отсутствуют, интенсивности лучей обыкновенного и
необыкновенного одинаковы и равны половине интенсивности I падающего
на неё света, т. е.
I
Ie  Io  . (5.84)
2
Таким образом, так как из призмы выходит лишь необыкновенный луч,
то интенсивность света на выходе анализатора будет равна половине интен-
сивности падающего.

59
Иная картина наблюдается при падении на анализатор плоско поляризо-
ванного света (рис.5.26, а). В этом случае при тех же идеализированных усло-
виях, как видно из рис. 5.26, б (на этом рисунке луч света распространяется от
нас и его направление показано крестом, пунктирная линия OO отображает
направление оптической оси анализатора) амплитудные значения вектора н а-
пряжённости электрического поля обыкновенного и необыкновенного лучей
равны Eem  Em cos  и Eom  Em sin соответственно. Здесь Em – амплитуд-
ное значение напряжённости электрического поля в падающем на призму
плоско поляризованном свете,  – угол между плоскостью колебаний в па-
дающем свете и главным сечением анализатора.

а б
Рис.5. 26
Следовательно, в случае падения на анализатор плоско поляризованного
света с интенсивностью I , интенсивность света на его выходе определяется
соотношением
I e  I cos2  . (5.85)

Данное соотношение является математической записью закона Малюса.


Оптическую анизотропию можно получить искусственно путём дефор-
мации прозрачных для света изотропных тел или создания в них электричес-
кого или магнитного поля.
Возникновение оптической анизотропии под воздействием электричес-
кого поля называется эффектом Керра. Возникающая в этом случае разница
между коэффициентами преломления обыкновенного и необыкновенного лу-
чей пропорциональна квадрату напряжённости электрического поля в веще-
стве
no  ne  kE 2 , (5.86)

а оптическая ось параллельна полю.

60
Важно отметить, что данный эффект практически безинерционный и
возникает или исчезает через 1013  1010 с после включения или выключения
поля.

5.16 Понятия о дисперсии и поглощении света

Дисперсией света называется зависимость показателя преломления n


вещества от частоты  света. Дисперсия вещества характеризуется функцией
n  f ( ) , типичный вид которой представлен на рис. 5.27 сплошной линией.
Данную зависимость можно разбить на
три характерных области. В пределах облас-
тей аб и вг с увеличением частоты света по-
казатель преломления вещества возрастает.
Такая дисперсия называется нормальной. В
пределах области бв увеличение частоты
света приводит к уменьшению показателя
преломления вещества и такая дисперсия на-
зывается аномальной. Область аномальной
дисперсии находится вблизи частоты 0 , ра-
вной собственной частоте колебаний вален-
тных электронов вещества. Таких областей в
зависимости от природы вещества может
Рис. 5.27 быть несколько.
Поглощение света веществом наиболее интенсивно в области аномаль-
ной дисперсии. Зависимость показателя поглощения света веществом  от
частоты показана на рис. 5.27 пунктирной линией.
Интенсивность света при прохождении через вещество в соответствии с
законом Бугера – Ламберта уменьшается по экспоненциальному закону

I  I 0e x , (5.87)

где I 0 и I – значения интенсивности света соответственно на входе в погло-


щающий слой и на выходе из него,  – коэффициент поглощения вещества, x
– толщина слоя. Из соотношения (5.87) следует, что коэффициент поглоще-
ния обратно пропорционален толщине слоя, в пределах которого интенсив-
ность света уменьшается в e раз.

Примеры решения задач

Пример 1. Гармонические колебания и их характеристики


Тело массой m = 10 г выполняет собственные гармонические колебания
 
по закону x  0,1cos  4 t   , м. Определить: а) амплитуду колебаний;
 4

61
б) период колебаний; в) начальную фазу колебаний; г) значение фазы через
2 секунды; д) максимальное значение скорости и ускорения; е) максимальное
значение возвращающей силы.

Решение
Уравнение гармонических колебаний в соответствии с (5.2) имеет вид

x  A cos( t   0 ) .

Сравнивая это уравнение с конкретным уравнением колебаний в усло-


вии задачи видим, что:
а) амплитуда колебаний равна А = 0,1 м;
б) круговая частота   4 с1, поэтому из выраженич (5.4) период ко-
лебаний равен
T  2   0,5 с.


в) Начальная фаза колебаний  0  .
4
г) Значение фазы в произвольный момент времени t равно


 t   0  4 t  ,
4

а через промежуток времени t =2с


 t   
0
t  2c
 4  2 
4
1
8  .
4

д) Скорость – это первая производная от кинематического уравнения


движения по времени, т.е.

   
v  x   0,1  4  sin  4 t     0,4  sin  4 t   м/с.
 4  4

Максимальное значение скорости достигается при условии

 
sin  4 t    1 ,
 4
т.е.
vmax   0,4  1,256 м с .

62
Ускорение – это вторая производная по времени от уравнения движения
или первая производная от скорости, т.е.

   
a  v  x   0,4  4  cos  4 t    1,6 2  cos  4 t   м/с2.
 4  4

Максимальное значение ускорения достигается при условии

 
cos  4 t    1
 4
т.е.
a max  1,6 2 15,8 м/с2.

е) Если известно ускорение, то сила, в соответствии со вторым законом


Ньютона (1.24), равна
 
F  ma  1,6m 2  cos  4 t   Н.
 4

Максимальное значение возвращающей силы достигается при условии


 
cos  4 t    1
 4
т.е.
Fmax  m amax 1,6m 2  1,6  0,01 3,142  0,158 Н.
Пример 2. Сложение колебаний одинакового направления.
Записать уравнение движения, которое является результатом сложения
двух гармонических колебаний одного направления с одинаковыми амплит у-
дами А = 0,02 м и одинаковыми периодами Т = 8 с. Разность фаз колебаний
равна    4 .

Решение
В нашем случае круговая частота колебаний равна

2 2  1
1   2      с .
T 8 4

Положив начальную фазу первого колебания  01  0 получим началь-


ную фазу второго колебания  02   4 . Тогда, согласно (5.2) уравнения двух
складываемых колебаний запишем в виде

63

x1  0,02cos t м,
4
 
x 2  0,02cos  t   м.
4 4

Векторная диаграмма сложения таких колебаний подобна представлен-


ной на рис. 5.3. В нашем случае это будет ромб, диагональ которого согласно
(5.6), равна амплитуде результирующего колебания


A  A12  A22  2 A1 A2 cos  02   01   A1 2 1  cos  02   01   
     2
 0,02 2  1  cos     0,02 2 1    0,0336 м.
  4   2 

Начальная фаза результирующего колебания определяется в соответст-


вии с формулой (5.7), т.е.


A sin  01  A sin  02 sin 0  sin
1
tg 0   4   0, 414 .
A cos  01  A cos  02  1 2
cos0  cos
4

Следовательно,

 0  arctg 0,414  22,5  .
8

Таким образом, уравнение результирующего колебания имеет вид

 
x  0,0336cos  t   м.
4 8

Пример 3. Затухающие колебания


Определить логарифмический декремент затухания и добротность ко-
лебательного контура, состоящего из катушки индуктивностью
L = 2 мГн, конденсатора ёмкостью C = 0,2 мкФ и сопротивления R = 1 Ом.

Решение
При наличии сопротивления R в колебательном контуре происходят за-
тухающие колебания заряда q, зависимость которого от времени t согласно
(5.26) имеет вид
q  q0e  t cos  t Кл,
64
где q0  заряд в начальный момент времени t  0 ;   R 2L  коэффициент
затухания (5.25);    02  2  циклическая частота затухающих колебаний,
определяемая согласно (5.28).
Логарифмический декремент затухания связан с периодом колебаний и
коэффициентом затухания соотношением (5.31) и равен

  T .

Учитывая, что циклическая частота собственных колебаний при отсут с-


твии сопротивления в контуре определяется из (5.23) и равна  0  1 LC ,
получим выражение для циклической частоты затухающих колебаний в виде

1 R2
   2.
LC 4 L

Зная циклическую частоту легко определить, согласно (5.4), период затухаю-


щих колебаний
2 2
T  .
 1 R2

LC 4 L2

Подставив  и T , выраженные через параметры колебательного контура, в


формулу для  , получим

R  1  
    0,0314 .
L 1 R2 2  103 1 12 100
 
LC 4 L2 2 103  0,2 106 4  2  103 

Логарифмический декремент затухания обратно пропорционален числу коле-


баний, за которые амплитуда колебаний уменьшится в е раз.
Зная логарифмический декремент затухания, можно определить, согла-
сно (5.33), добротность контура

 L 1 R2 1 L R2
Q      100 ,
 R LC 4 L2 R C 4

что по физическому содержанию пропорционально числу колебаний, за кото-


рые амплитуда колебаний уменьшится в е раз.

65
Пример 4. Интерференция света от двух когерентных источников
На две узкие параллельные щели в экране (опыт Юнга) падает монохро-
матический пучок света, длина волны которого   600 нм (рис. 5.28). Расс-
тояние между щелями d = 1 мм. На экране, размещённом на расстоянии
l = 3 м от отверстий, наблюдается интерференционная картина. Описать вид
интерференционной картины и определить положение первых трех светлых
полос.

Рис. 5.28

Решение
В точке O , находящейся в центре экрана, наблюдается максимум инте-
рференции, так как оптический путь лучей от обеих щелей S1 и S 2 до этой
точки одинаков.
При удалении точки наблюдения M вверх или вниз от точки O опти-
ческая разность хода между лучами, равная   r2  r1 постепенно возрастает
(предполагаем, что свет распространяется в воздухе, коэффициент преломле-
ния которого практически равен единице). Следовательно, в местах экрана,
удовлетворяющих условиям (5.69), наблюдаются максимумы, а в местах, где
выполняются условия (5.70) – минимумы. В результате, в случае монохрома-
тического света, интерференционная картина будет иметь вид светлых и тём-
ных полос, расположенных симметрично относительно центра экрана, что и
отображено на рис. 5.28.
Координаты максимумов определим из условия (5.69)

  r2  r1  m ,

выразив оптическую разность хода  через расстояния, приведенные в усло-


вии задачи. Из геометрии рис. 5.28 ясно, что
66
2
 d
r  L x  ,
1
2 2

 2
2
 d
r  L x  .
2
2 2

 2

Найдем разность этих величин

2 2
 d  d
r  r  L   x    L2   x    2dx ,
2
2
1
2 2

 2  2

которую можно записать в виде

 r2  r1  r2  r1   2dx .
Поскольку r2  r1  L , то можно использовать приближение r2  r1  2L . Тогда
получим, что оптическая разность хода равна

d
x. r2  r1 
L
Подставив это соотношение в условие наблюдения максимума, получим

d
xmax  m
L
откуда
L
xmax  m.
d

Координаты первых трех максимумов соответствуют значениям


m = 1,2,3. С учётом этого, имеем

6  107  3
xmax 1   1  1,8 мм;
103

xmax 2  1,8  2  3,6 мм;

xmax 3  1,8  3  5,4 мм.

67
Пример 5. Интерференция света в тонких плёнках
На мыльную пленку ( n = 1,33) падает белый свет под углом  / 4 . При
какой наименьшей толщине пленки отраженные лучи будут желтого цвета
(   6 105 см) ?

Решение
Чтобы отражённые от плёнки лучи (рис. 5.11) были жёлтыми, должны
выполняться условия (5.74) максимумов

 
2d n2  sin 2    2m
2 2

для длины волны  , соответствующей жёлтому цвету.


Наименьшая толщина пленки, при которой наблюдается максимум,
отвечает условию m = 0, то есть уравнению


2d min n2  sin 2   .
2

Из данного уравнения находим минимальную толщину плёнки

 6  107
d min    1,3 107 м.
4 n  sin  4 1,33  0,5
2 2 2

Пример 6. Дифракция света на дифракционной решётке


На дифракционную решётку длиной l  16 мм, имеющей N  3000 ще-
лей, падает нормально монохроматический свет с длиной волны   550 нм.
Определить: число главных максимумов k, наблюдаемых в спектре; угол  max
, под которым наблюдается последний максимум.

Решение
Углы  наблюдения главных максимумов удовлетворяют условию
(5.81)

d sin   n ,
l
где d   период решетки, n  0,1,2,... – порядок максимума. Дифракци-
N
онный максимум наибольшего порядка nmax наблюдается под углом

 max  и потому
2
d sin  max l 16 103
nmax     9,697.
  N 550 109  3000

68
Порядок максимума – число обязательно целое, следовательно, nmax  9

(даже под максимально возможным углом наблюдения условие для деся-
2
того максимума не выполняется). Главные максимумы расположены симмет-
рично по обе стороны от центрального. Поэтому общее количество главных
максимумов (с учётом центрального) равно

k  2nmax  1  2  9  1  19 .

Угол  max , под которым наблюдается максимальный порядок, находим


из записанного выше условия d sin max  nmax  , откуда

nmax  N 9  550  109  3000


 max  arcsin  arcsin 3
 6808 .
l 16 10

Пример 7. Поляризация света


Интенсивность естественного света после прохождения через два нико-
ля уменьшилась в 8 раз (рис. 5.29). Пренебрегая поглощением и отражением
света, определить угол  между главными сечениями николей.

Решение
После прохождения естественного света через поляризатор (первый ни-
коль) свет поляризуется и, в отсутствии отражения и поглощения, его интен-
1
сивность, согласно (5.84), уменьшается в два раза, то есть I1  I 0 , где
2
I 0  интенсивность света на входе в поляризатор (рис.5.29).

Рис. 5.29

На второй николь падает уже плоско поляризованный свет, интенсив-


ность которого на выходе из него (анализатора) определяется в соответствии
с законом Малюса (5.85), т.е.
69
1
I 2  I1 cos 2   I 0 cos 2  ,
2

где I1  интенсивность света на входе во второй николь,   угол между


главными сечениями николей.
Из последнего уравнения находим, что

I2
cos   2 ,
I0

а угол между главными сечениями николей равен

I2 1 
  arccos 2  arccos 2  600  .
I0 8 3

РАЗДЕЛ 6
ЭЛЕМЕНТЫ КВАНТОВОЙ МЕХАНИКИ.
ФИЗИКА АТОМА И АТОМНОГО ЯДРА

Размерность
Обозначение
Физическая величина (обозна-чение едини-
величины
цы) вели-чины в СИ
Интегральная интенсивность излучения R кг/с3 (Дж/м2с, Вт/м2)
Спектральная интенсивность излучения r кг/мс3 (Дж/м3с, Вт/м3)
Постоянная радиоактивного распада  с1
Активность радиоактивного препарата A с1 (Бк)
Поглощённая доза излучения Dпогл м2/с2 (Гр)
Экспозиционная доза излучения Dэксп Ас/кг (Кл/кг)
Эквивалентная доза Dэкв Ас/кг (Зв)

Основные теоретические сведения

6.1 Тепловое излучение


Тепловым излучением называется электромагнитное излучение, возни-
кающее за счет энергии теплового движения атомов или молекул излучающе-
го тела. Термин люминесценция определяет все иные виды излучения за иск-
лючением теплового.
Опыт показывает, что тепловое излучение является единственным ви-
дом излучения, которое может находиться в термодинамическом равновесии
с излучающим телом. Это означает, что если внутрь замкнутой оболочки с
70
абсолютно зеркальными стенками и постоянной температурой поместить те-
ло, то между телом и излучением, заполняющим оболочку, установится рав-
новесие – убыль внутренней энергии тела на тепловое излучение будет ком-
пенсироваться поглощением телом такого же количества энергии излучения,
падающего на него. Спектр теплового излучения сплошной.
Количественно тепловое излучение характеризуют физическими вели-
чинами – интегральной интенсивностью излучения (энергетической светимо-
стью) и спектральной интенсивностью излучения (спектральной плотностью
энергетической светимости).
Интегральной интенсивностью излучения называется физическая вели-
чина, численно равная энергии электромагнитных волн, излучаемой во всем
интервале длин волн (от 0 до ) с единицы поверхности тела за единицу
времени, т.е.
dW
R(T )  , (6.1)
dSdt

где dW  энергия, излучаемая телом при постоянной температуре T за время


dt с площади dS поверхности тела. Интегральная интенсивность излучения
является функцией температуры тела, а также зависит от его природы.
Спектральной интенсивностью излучения называется физическая вели-
чина, численно равная энергии электромагнитных волн, излучаемой в единич-
ном интервале длин волн с единицы поверхности тела за единицу времени, т.е.

dW ,  d 
r ( , T )  , (6.2)
dSdtd 

где dW ,  d   энергия излучения в элементарном интервале длин волн d ,


взятом в окрестности длины волны  , с площади dS за время dt при темпе-
ратуре тела T . Спектральная интенсивность излучения является функцией
длины волны  и температуры T тела, а также зависит от природы тела.
Из определений данных величин ясна связь между ними, а именно

R(T )   r ( , T )d .
0
(6.3)

Любое тело не только излучает, но и поглощает электромагнитное из-


лучение, падающее на него. Количественно поглощающие свойства тел хара-
ктеризуют спектральным коэффициентом поглощения (поглощательной спо-
собностью).
Спектральным коэффициентом поглощения называется безразмерная
физическая величина  ( ,T ) , равная отношению энергии электромагнитного
излучения dWпогл, поглощённой телом в узком интервале длин волн (от  до
  d  ), к энергии dWпад , падающей на него в этом же интервале длин волн
71
dWпогл
 ( , T )  .
(6.4)
dWпад

Спектральный коэффициент поглощения является функцией длины во-


лны  и температуры T тела, а также зависит от его природы.
Абсолютно черным телом называется тело, которое полностью погло-
щает все падающее на него электромагнитное излучение, т.е. для такого тела
 ( ,T )  1 .
Тело, для которого спектральный коэффициент поглощения не зависит
от длины волны, называется серым телом.
Чтобы получить теоретическую формулу для спектральной интенсив-
ности излучения абсолютно черного тела, Планку в 1900 году пришлось отка-
заться от представлений классической физики и предположить, что излучение
электромагнитных волн происходит не непрерывно, а в виде отдельных пор-
ций энергии  (квантов), пропорциональных частоте излучения 

  hv , (6.5)

где h = 6,6261034 Дж·с – постоянная Планка. Полученная формула для спек-


тральной интенсивности излучения абсолютно чёрного тела названа форму-
лой Планка и имеет вид:

2 hc 2 1
rачт ( , T )  , (6.6)
5 hc
e  kT
1

где c = 3108 м/с – скорость света в вакууме, k = 1,38 1023 Дж/К – постоянная
Больцмана,   длина волны, Т – температура абсолютно черного тела по
шкале Кельвина. График зависимости rачт ( ,T ) от  для трёх значений тем-
пературы представлен на рис. 6.1.
Для любого тела между фу-
нкциями r ( ,T ) и  ( ,T ) сущест-
вует связь, которая была установ-
лена Кирхгофом и называется за-
коном Кирхгофа: отношение спек-
тральной интенсивности излуче-
ния к спектральному коэффициен-
ту поглощения не зависит от при-
роды тела и равняется спектраль-
ной интенсивности излучения аб-
солютно черного тела, т.е.

Рис. 6.1

72
r ( , T )
 r ( , T ) .
 ( ,T ) ачт (6.7)

Это означает, что тело, которое сильнее поглощает электромагнитное


излучение, сильнее его и излучает.
Формула Планка (6.6) позволяет получить законы Стефана-Больцмана и
Вина, установленные экспериментально ранее вывода самой формулы.
Подставив значение rачт ( ,T ) в выражение (6.3) и выполнив интегриро-
вание получим, что
Rачт (T )   T 4 . (6.8)

Это соотношение называется законом Стефана-Больцмана: интеграль-


ная интенсивность излучения абсолютно черного тела прямо пропорциональ-
на четвертой степени его абсолютной температуры. Коэффициент пропорци-
ональности  = 5,67 108 Вт/м2К 4 – постоянная Стефана-Больцмана.
Исследовав функцию (6.6) на экстремум получим закон смещения Вина:
длина волны, на которую приходится максимальное значение спектральной
интенсивности излучения абсолютно черного тела, обратно пропорциональна
его абсолютной температуре
b
m  , (6.9)
T

где b =2,89·10 3 м·K – постоянная Вина.

6.2 Внешний фотоэффект. Уравнение Эйнштейна

Кроме теплового излучения одним из явлений, подтверждающим кор-


пускулярные свойства света, является внешний фотоэффект, заключающий-
ся в эмиссии электронов (их называют фотоэлектронами) из вещества под
действием света.
Наиболее просто наблюдать явление фотоэффекта можно с помощью
фотоэлемента, представляющего собой баллон, из которого откачан воздух, с
впаянными в него двумя электродами – катодом и анодом. Свет через специа-
льное окошко освещает катод и выбивает из него электроны, которые под
действием электрического поля перемещаются к аноду, а гальванометр (G)
фиксирует фототок в цепи (рис. 6.2, а).
Зависимость силы I фототока от напряжения U между катодом и
анодом называется вольтамперной характеристикой. Характерный её вид
изображён на рис. 6.3; правая часть соответствует ускоряющему фотоэлект-
роны напряжению ( рис. 6.2, а), левая часть – тормозящему (рис. 6.2, б).
Установленные экспериментально закономерности явления внешнего
фотоэффекта сводятся к следующему:

73
1) максимальная энергия фотоэлектронов прямо пропорциональна час-
тоте света, облучающего вещество;
2) число фотоэлектронов, эмитируемых веществом за единицу времени
(фототок насыщения I нас ), пропорционально интенсивности света;
3) для каждого вещества существует так называемая красная граница
фотоэффекта  частота облучающего света, ниже которой фотоэффект пре-
кращается.

a б
Рис. 6.2

Все эти закономерности были


объяснены Эйнштейном на основе ква-
нтовой теории света, в соответствии с
которой свет не только излучается, но
и распространяется и поглощается от-
дельными порциями энергии, равными
h . Эта порция во всех процессах ведёт
себя как неделимая частица и называе-
тся фотоном. При внешнем фотоэффе-
кте, например, из металла, электрон
проводимости, поглощая один из фо-
тонов облучающего металл света, по-
Рис. 6.3 лучает его энергию h . Часть этой эне-
ргии тратится на то, чтобы электрон
мог покинуть металл (выполнить так называемую работу выхода А, которая
является характерным параметром для каждого вещества), а часть запасается в
виде кинетической энергии фотоэлектрона. Сказанное можно записать в виде
уравнения получившего название уравнения Эйнштейна для внешнего фото-
эффекта и фактически отображающего закон сохранения энергии.

74
2
mvmax
h  A  , (6.10)
2
2
mvmax
Кинетическая энергия является максимально возможной для
2
данной частоты  света при условии, что электрон при движении его в вещес-
тве к поверхности дополнительно не теряет какой-то части из полученной
энергии h в результате случайных столкновений.
Из уравнения (6.10) следует  при уменьшении частоты облучающего
света по линейному закону уменьшается и максимальная кинетическая энер-
гия фотоэлектронов и, при частоте

А
 кр  , (6.11)
h

она становится равной нулю. Эта частота и является красной границей внеш-
него фотоэффекта. Если частота света становится меньшей, чем  кр, внешний
фотоэффект становится невозможным, так как энергия, которую получает
электрон проводимости при поглощении фотона, недостаточна для преодоле-
ния сил, удерживающих его в веществе.
Если к электродам фотоэлемента приложено тормозящее напряжение
(рис. 6.2, б), то, по мере его увеличения, фототок уменьшается и при каком-
то значении становится равным нулю (силы тормозящего поля возвращают
фотоэлектроны назад к катоду). Это напряжение называется задерживающим
и, очевидно, удовлетворяет условию

mvmax
2
eU з  . (6.12)
2
6.3 Корпускулярно-волновой дуализм света. Гипотеза де Бройля

Из рассмотренного выше следует, что свет (электромагнитное излуче-


ние) в одних явлениях (интерференция, дифракция, поляризация и др.) прояв-
ляет себя как волновой процесс, а в других (тепловое излучение, внешний
фотоэффект, явление Комптона и др.) – как поток дискретных частиц  фо-
тонов. Фотон имеет энергию  ф

 ф  hv , (6.13)

массу mф
ф hv
mф   (6.14)
с 2
с2
75
и импульс рф

hv h
рф  mфс   ,
с  (6.15)

где ,  – частота и длина волны электромагнитного излучения, h – постоян-


ная Планка, с – скорость света. Из теории относительности следует, что ф о-
тон, в отличие от обычных частиц, не может находиться в состоянии покоя
(его масса покоя равняется нулю).
Следовательно, свет (электромагнитное излучение) является сложным
явлением, которое одновременно объединяет в себе свойства электромагни-
тной волны и потока дискретных частиц  фотонов. Такое объединение
свойств называется корпускулярно-волновым дуализмом.
Основополагающей в квантовой механике является идея де Бройля о
том, что корпускулярно-волновой дуализм, установленный для света, имеет
универсальный характер, т.е. любая частица с импульсом р обладает и волно-
выми свойствами, причем длина волны  связана с импульсом движущейся
частицы так же, как и для фотона

h h
  , (6.16)
p mv

где m – масса частицы, v – ее скорость. Такие волны называются волнами


де Бройля.
Длины волн де Бройля для микрочастиц сравнимы с периодами имеющи-
хся периодических структур, например, расстояниями между узлами кристалли-
ческой решетки. Поэтому их волновые свойства обнаруживаются эксперимен-
тально, в частности, в опытах по дифракции электронов и других микрочастиц
на кристаллах. У макроскопических тел волновые свойства в экспериментах не
проявляются, так как длины волн де Бройля для таких тел очень малы.

6.4 Соотношения неопределенностей


Волновые свойства микрочастиц вносят ограничения в возможность
применять к ним некоторые понятия классической физики. Эти ограничения
определяются соотношениями неопределенностей Гейзенберга, под которы-
ми, например, для координат и импульса понимают неравенства
x  px  ,
2
y  p y  , (6.17)
2
z  pz  ,
2
76
где: x, y, z – неопределенности координат микрочастицы; px, py, pz –
неопределенности проекций ее импульсов на оси x, y, z; величина
h
  1,055  1034 Дж∙с и так же называется постоянной Планка.
2
Соотношение Гейзенберга показывает, что, в отличие от классической
механики, координаты микрочастицы и проекции ее импульса на соответст-
вующие оси не могут одновременно иметь значения в точности равные x и px,
y и py, z и pz. Чем более точно определено положение микрочастицы (чем ме-
ньше значения x, y, z), тем большую неопределённость имеют значения
проекций ее импульса на эти оси (тем больше значения px, py, pz).
Соотношение неопределенностей для энергии и времени имеет вид
W  t  , (6.18)

где W  неопределенность энергии микрочастицы, находящейся на протя-


жении времени t в состоянии с энергией W. Энергия частицы в данном сос-
тоянии может быть определена тем с меньшей неопределённостью, чем д о-
льше она находится в этом состоянии.

6.5 Волновая функция. Уравнение Шредингера


В связи с невозможностью одновременного определения точных значе-
ний координат и импульсов микрочастиц, в квантовой механике используется
статистический подход к описанию их движения. Для этого используется во-
лновая функция (пси-функция)  (x, y, z, t), являющаяся в общем случае функ-
цией координат и времени. Квадрат модуля этой функции  2 определяет
плотность вероятности (вероятность, отнесенную к единице объема) нахо-
ждения частицы в соответствующем месте пространства. Тогда, вероятность
dw того, что частица находится в элементе объема dV равна

dw   dV ,
2
(6.19)

а вероятность нахождения w в конечном объеме V

w   V .
2
(6.20)
V

Волновая функция (x, y, z, t) является основной характеристикой сос-


тояния микрообъектов и определяется в результате решения основного урав-
нения квантовой механики – уравнения Шредингера.
В случае, когда нерелятивистская частица движется в стационарном
силовом поле и имеет потенциальную энергию Wп (x, y, z), волновая функция
(x, y, z) находится из стационарного уравнения Шредингера, имеющего вид

77
 2  2  2 2m
   2 W  Wп   0 , (6.21)
x 2 y 2 z 2

где m – масса частицы, – постоянная Планка, W – полная энергия частицы.


Из множества решений уравнения Шредингера необходимо отобрать
волновые функции, удовлетворяющие требованиям:
 функции должны быть конечными, однозначными и непрерывными;
также непрерывными должны быть первые производные этих функций;
функции должны удовлетворять условию нормировки

w    2 dV  1 . (6.22)
0

С физической точки зрения равенство единице вероятности нахождения


микрочастицы в бесконечном объеме эквивалентно факту её существования.
Таким образом, в квантовой механике нельзя определить точное место
нахождения частицы в пространстве или траекторию её движения, а можно
лишь определить с какой вероятностью частица может быть обнаружена в ра-
зных местах пространства.

6.6 Квантовомеханическое описание атома водорода. Спин электрона

В начале XX столетия было установлено, что атом любого вещества со-


стоит из положительно заряженного ядра и отрицательно заряженных элект-
ронов. При этом почти вся масса атома сосредоточена в ядре и размеры ядра
(~ 10 15 м) намного меньше размеров атома (~ 10 10 м).
Число Z электронов в атоме совпадает с номером, под которым данный
химический элемент внесен в таблицу Д. И. Менделеева и называется зарядо-
вым числом. Так как атом нейтрален, то заряд ядра равен  Ze (суммарному
заряду всех электронов, входящих в состав данного атома, с противополож-
ным знаком).
Попытки установить закономерности движения электронов атома в по-
ле ядра с использованием законов классической физики не увенчались успе-
хом. Правильные результаты, согласующиеся с результатами экспериментов,
были получены только с помощью квантовой механики.
Простейшим атомом является атом водорода, который состоит из одно-
го протона, составляющего ядро атома, и электрона, движущегося в электри-
ческом поле ядра. Водородоподобными являются ионы He+, Li++, Be+++, в сос-
тав которых входят ядро с зарядом +Ze и один электрон.
Решение стационарного уравнения Шредингера для водородоподобного
атома приводит к следующим выводам.
1. При энергии W < 0 электрон входит в состав атома, возможные зна-
чения его энергии квантуются (принимают дискретные значения) и опреде-
ляются соотношением
78
1 me Z 2 e4
Wn   2 , (6.23)
n 8 02 h 2

где e и me соответственно заряд и масса электрона, 0 – электрическая посто-


янная, h – постоянная Планка, n – главное квантовое число, определяющее
возможные значения энергии и принимающее значения 1, 2, 3, ... ,  . Наиме-
ньшее значение энергии W1 (при n = 1) отвечает основному (невозбуждённо-
му) состоянию атома. Если атом изолирован от внешних воздействий, то в
основном состоянии он находится бесконечно долго. Все значения энергии с
n >1 соответствуют возбужденным состояниям атома. Во всех этих состоя-
ниях атом находится ограниченное время. Время жизни атома в возбужден-
ных состояниях составляет  108 с. Наибольшее значение энергии Wmax при n
  отвечает ионизации атома, т.е. отрыву от него электрона. Свободный
электрон может иметь любые (непрерывные) значения энергии большие или
равные нулю.

Рис. 6.4

Совокупность возможных значений энергий электрона образует его


энергетический спектр, представленный на рис. 6.4. Таким образом, энерге-
тический спектр электрона, который входит в состав атома, дискретный; эне-
ргетический спектр свободного электрона сплошной.

79
2. Орбитальные моменты импульса L и магнитные моменты P m элек-
трона в атоме, обусловленные его движением в электрическом поле ядра,
квантуются и могут принимать числовые значения

L l  l  1 (6.24)
и
e
Pm  l  l  1  l  l  1  Б , (6.25)
2me
e Дж
где  Б   9,27  1024 – магнетон Бора, l – орбитальное (азимуталь-
2me Тл
ное) квантовое число, которое при фиксированном значении числа n может
принимать значения l = 0, 1, 2, ..., (n 1), т.е. всего n значений. Условно при-
нято состояния с значениями орбитальных квантовых чисел l, равными 0, 1, 2,
3, 4, 5,… обозначать соответственно буквами s, p, d, f, g, h… и называть их s -
состоянием (l = 0), p - состоянием (l = 1), d - состоянием (l = 2) и т. д.
3. Проекции орбитальных моментов импульса и магнитных моментов
на некоторое направление z, например, на направление внешнего магнитного
поля, также квантуются и могут принимать числовые значения соответственно

Lz  m (6.26)
и
Pm z  mБ , (6.27)

где m – магнитное квантовое число, которое при фиксированном значении чис-


ла l может принимать значения m  0,  1,  2, ... ,  l , т.е. всего 2l  1 значений.
4. Набор волновых функций для разных состояний позволяет рассчи-
тать плотность вероятности пребывания электрона в разных местах простран-
ства вокруг ядра для основного и возбужденных состояний атома.
Экспериментальные факты и теоретические исследования релятивистс-
кой квантовой механики привели к выводу, что электрон имеет собственные
момент импульса Ls и магнитный момент Ps, которые, в отличие от орбита-
льных моментов, называются спиновыми. Числовые значения спиновых мо-
ментов определяются соответственно формулами

Ls  s  s  1 (6.28)
и
e
Ps  s  s  1  s  s  1 2 Б , (6.29)
me

1
где s спиновое квантовое число, для электрона оно равно .
2
80
Проекции спиновых моментов на заданное направление могут прини-
мать значения
Lsz  ms (6.30)
и
Psz  ms 2Б , (6.31)

где ms – магнитное спиновое число (слово “магнитное” часто не употребля-


1 1
ют), которое может принимать два значения:  и  .
2 2
Отметим, что спиновые моменты имеют и другие элементарные части-
цы (протоны, нейтроны, фотоны и другие). Частицы с полуцелыми значени-
ями спина названы фермионами, а с целыми и равными нулю – бозонами.
Свойства этих частиц существенно отличаются.
Таким образом, состояние электрона в атоме однозначно определяется
набором четырёх квантовых чисел: n, l, m, ms.

6.7 Спектр атома водорода

При переходе атома из одного энергетического состояния в другое из-


лучается или поглощается один фотон, энергия которого равняется разности
энергий в данных состояниях
h  Wn i  Wn k . (6.32)

При Wni > Wnk происходит излучение фотона, при Wni < Wnk – его пог-
лощение. Уравнение (6.32) в квантовой механике называется правилом час-
тот Бора. Учтя в этом уравнении соотношение (6.23) для Wn , приходим к
выводу, что возможные частоты излучения (или поглощения) водородоподо-
бного атома определяются соотношением

me Z 2 e4  1 1   1 1
  2 3  2  2   Z 2R  2  2  , (6.33)
8 0 h  ni nk   ni nk 

mee4
где R  2 3  3,293  1015 c1 – постоянная Ридберга, nk – главное квантовое
8 0 h
число состояния, на которое происходит переход, ni – главное квантовое чис-
ло состояния, из которого происходит переход.
Рассчитанные с помощью формулы (6.33) частоты излучения атомов
водорода (Z = 1) очень хорошо согласуются с экспериментальными данными.
Группу линий излучения, возникающих при переходе на данный энергетиче-
ский уровень из всех более высоких энергетических уровней, относят к одной
спектральной серии. Эти серии названы в честь ученых, которые впервые и с-
следовали их.
81
Частоты серии Лаймана (переходы на энергетический уровень с n = 1)

1 1
  R  2  2 , n  2,3,4,... (6.34)
1 n 

Частоты серии Бальмера (переходы на энергетический уровень с n = 2)

1 1
  R  2  2 , n  3,4,5,... (6.35)
2 n 

Частоты серии Пашена (переходы на энергетический уровень с n = 3)

1 1
  R  2  2 , n  4,5,6... (6.36)
3 n 

Переходы электронов между энергетическими уровнями, соответству-


ющие данным сериям, показаны на рис 6.4. Наиболее высокие частоты излу-
чения принадлежат серии Лаймана и находятся в ультрафиолетовой области
спектра, частоты серии Бальмера  в видимой, частоты серии Пашена  в ин-
фракрасной. В других сериях частоты еще меньше.

6.8 Многоэлектронные атомы


Все другие атомы, кроме атома водорода и водородоподобных, имеют в
своём составе несколько электронов, что приводит к необходимости учёта
взаимодействия электронов, входящих в состав атома, не только с ядром , но
и друг с другом. В результате квантовомеханическая теория многоэлектрон-
ных атомов более сложна, чем водородоподобных. Однако и для многоэлект-
ронных атомов в первом приближении можно считать, что каждый электрон в
атоме находится в своём квантовом состоянии, которое характеризуется че-
тырьмя квантовыми числами n, l , m, ms . Но, в отличие от водородоподобных
атомов, в многоэлектронных атомах энергия электронов зависит не только от
n, но и от других квантовых чисел, в наибольшей степени от главного n и
орбитального l. В атомах химических элементов с порядковыми номерами
1  Z  18 в состояниях с большим значением числа n энергия больше, а при фи-
ксированном числе n – энергия больше в состояниях с большим l. При Z > 18
этот порядок может нарушаться.
Распределение электронов по состояниям в многоэлектронных атомах
регулируется двумя закономерностями:
 с увеличением атомного номера Z , а, следовательно, и с увеличением
числа электронов в атоме, заполняются состояния с возможно меньшими зн а-
чениями энергии;
 при заполнении электронных состояний выполняется принцип Паули.
82
Применительно к электронам, входящим в состав многоэлектронного
атома, принцип Паули заключается в следующем: в атоме в каждом из возмо-
жных электронных состояний может находиться не более одного электрона.
Другими словами  в атоме не может быть двух электронов, состояния кото-
рых характеризуются набором четырёх одинаковых квантовых чисел
n, l , m, ms (разные состояния должны отличаться значением хотя бы одного
квантового числа).
Электронные состояния в многоэлектронном атоме группируют по зна-
чениям квантовых чисел n и l. Электроны с одинаковым значением главного
квантового числа n относят к одной оболочке, электроны с одинаковыми зна-
чениями квантовых чисел n и l – к одной подоболочке. В зависимости от
значений чисел n и l приняты следующие обозначения оболочек и подобо-
лочек:
а) при значениях чисел n равных 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7…оболочки обознача-
ются буквами K, L, M, N, O, P, Q,… соответственно;
б) подоболочки в любой оболочке (при любом значении главного кван-
тового числа n) обозначаются теми же буквами s, p, d, f, g, h…, что и состоя-
ния, соответствующие значениям 0, 1, 2, 3, 4, 5…орбитального квантового
числа l.
В соответствии с обеими закономерностями заполнение электронных
состояний в атомах по мере увеличения их номера в таблице Д. И. Менделее-
ва происходит в следующем порядке: 1s, 2s, 2p, 3s, 3p, 4s, 3d, 4p, 5s, 4d, 5p, 6s,
4f, 5d, 6p, 6d, 7s и соответствует увеличению энергии этих состояний.
Из принципа Паули, с учётом возможных значений в атоме квантовых
чисел n, l , m, ms следует: в оболочке с главным квантовым числом n наибо-
льшее возможное количество электронов равно 2n 2 ; в подоболочке с орбита-
льным квантовым числом l  2(2l  1) . В качестве примера в таблице 1 пока-
заны значения квантовых чисел n, l , m, ms в различных электронных состоя-
ниях для оболочек K, L, M и максимально возможное количество электронов
в этих оболочках, а также в s, p и d состояниях (подоболочках).
Соответствующий анализ показывает, что суммарные момент импульса
и магнитный момент всех электронов полностью застроенной подоболочки
равны нулю. Электроны атома какого-либо химического элемента, входящие
в состав s и p подоболочек с наибольшим значением квантового числа n на-
зываются валентными. Эти электроны имеют наибольшую энергию, удалены
от ядра на наибольшие расстояния и наиболее слабо связаны с ним. Магнит-
ный момент атома определяется, в основном, суммарными магнитными мо-
ментами (как орбитальными так и спиновыми) электронов не полностью за-
строенной внешней оболочки (ядерными моментами в первом приближении
можно пренебречь).
Только с помощью квантовой механики удалось понять причину подо-
бия химических и физических свойств элементов одной и той же группы. При
взаимодействии атомов в первую очередь во взаимодействие вступают наи-
83
более удалённые от ядер электроны, т. е. валентные электроны. А у атомов
одной и той же группы заполнение подоболочек валентными электронами
одинаково, что и обуславливает подобие их свойств.

Таблица 1
Maкс.
Maкс. кол.
кол. эл-в
Оболочка n l m ms Подоболочка эл-в в подо-
в оболоч-
болочке
ке
K 0 +1/2,
1 0 1s 2 2
1/2
L 0 +1/2,
0 2s 2
1/2
1 +1/2,
1/2
2 8
0 +1/2,
1 2p 6
1/2
+1 +1/2,
1/2
M 0 +1/2,
0 3s 2
1/2
1 +1/2,
1/2
0 +1/2,
1 3p 6
1/2
+1 +1/2,
1/2
2 +1/2,
3 18
1/2
1 +1/2,
1/2
0 +1/2,
2 3d 10
1/2
+1 +1/2,
1/2
+2 +1/2,
1/2

Например, в атомах группы щелочных металлов во внешней, не полно-


стью застроенной подоболочке, находится по одному электрону (водород, Z =
1, состояние 1 s 1 ; литий, Z = 3, состояния 1s 2 2s1 ; натрий, Z = 11, состояния
1s 2 2s 2 2 p6 3s1 ; калий, Z = 19, состояния 1s 2 2s 2 2 p6 3s 2 3 p6 4s1 ); все эти атомы
одновалентные и т. д.

84
6.9 Рентгеновское излучение

Рентгеновским излучением на-


зываются электромагнитные волны с
длиной волны от 1014 м до 107 м.
Как правило, рентгеновские
лучи получают с помощью рентгено-
вской трубки (рис. 6.5), представля-
ющей собой баллон, из которого от-
качан воздух и впаяно два электрода
– катод и анод (антикатод). Между
катодом и анодом прикладывают
ускоряющую разность потенциалов Рис. 6.5
порядка десятков или сотен кило-
вольт. Эмитируемые катодом и ускоренные электрическим полем электроны
при бомбардировке вещества анода резко тормозятся и излучают рентгеновс-
кие лучи.
Различают рентгеновское излучение двух типов – тормозное и харак-
теристическое. Спектр тормозного рентгеновского излучения сплошной
(рис. 6.6, сплошные линии) и не зависит от природы вещества, которое бом-
бардируют электроны.
Объясняется это тем, что каждый из
электронов, пройдя в ускоряющем его элект-
рическом поле разность потенциалов U ,
приобретает кинетическую энергию Wк  eU
и при столкновении с анодом частично излу-
чает её в виде фотона с энергией h , а части-
чно передаёт аноду в виде тепла Q , что экви-
валентно равенству

eU  h  Q. (6.37)
Рис. 6.6
Очевидно, что максимальная частота
тормозного рентгеновского излучения при фиксированном значении ускоря-
ющего напряжения U будет в случае, когда Q  0 . Она определяется равенст-
вом

h max  eU (6.38)

и не зависит от материала катода. Длина волны, соответствующая  max , ми-


нимальна и будет равна

85
hc
 min  , (6.39)
eU

где c - скорость света. Эта длина волны называется коротковолновой грани-


цей сплошного рентгеновского спектра.
Характеристическое рентгеновское излучение имеет линейчатый
спектр, состоящий из набора интенсивных узких линий (рис. 6.6, пунктирные
линии). Этот набор индивидуален (характерен) для каждого химического
элемента, входящего в состав вещества катода.
Характеристическое рентгеновское излучение возникает при значите-
льной кинетической энергии бомбардирующих электронов, когда они выби-
вают электроны, принадлежащие атомам тормозящего вещества, из внутрен-
них оболочек K, L, M,… На вакантные места переходят электроны атомов, на-
ходящиеся на более высоких энергетических уровнях и в результате, в соот-
ветствии с правилом частот Бора (6.32), излучаются фотоны рентгеновского
диапазона с энергией, характерной для данного химического элемента. В свя-
зи с этим линии характеристического рентгеновского спектра группируют в
несколько серий, которые обозначают буквами K, L, M,… У разных химичес-
ких элементов однотипные серии линий отличаются тем, что у атомов более
тяжелых элементов они смещены в сторону более высоких частот. Частоты 
однотипных характеристических линий для разных химических элементов
определяются законом Мозли

  a  Z  b , (6.40)

где a и b  константы (для каждой серии различные), определяемые экспери-


ментально для каждой однотипной линии, Z – номер химического элемента в
таблице Д. И. Менделеева.

6.10 Состав атомных ядер


Как уже отмечалось, заряд ядра численно равен модулю суммарного
отрицательного заряда | Ze | всех электронов атома, т. е.  Ze , где число
Z  зарядовое число данного химического элемента.
Масса ядра mя отличается от массы атома ma на суммарную массу Zme
всех электронов, входящих в состав атома – mя  mа  Zme  mа . Для удобства
массу атомов и ядер измеряют в атомных единицах массы –
1 а.е.м.  1.66056 1027 кг. Опыты свидетельствуют, что массы ядер всех хи-
мических элементов, измеренные в а.е.м., мало отличаются от целых чисел.
Целое число, наиболее близкое к массе атома выраженной в а.е.м., называется
массовым числом ( A ).

86
Ядра атомов обозначают химическим символом элемента, которому
они принадлежат, внизу слева указывают значение зарядового числа Z , а
вверху справа (или вверху слева) значение массового числа A . Например, яд-
ро атома цезия следует записать 133
55 Cs или 55 Cs
133
.
В 1932 г. было установлено, что в состав ядер входят частицы двух видов
 протоны ( р ) и нейтроны ( n ), объединяемые общим названием – нуклоны.
Протон – 11 p – стабильная элементарная частица с зарядом
1
e  1,6  1019 Кл, массой mp  1,6726  1027 кг, спином , имеет магнитный
2
момент, время жизни в свободном состоянии превышает 1030 лет.
Нейтрон – 01n – электрически нейтральная элементарная частица с мас-
1
сой mn  1,675 1027 кг, спином , несмотря на отсутствие электрического за-
2
ряда имеет магнитный момент, нестабильна (среднее время жизни в свобод-
ном состоянии ~ 15,3 минуты).
Так как значения масс протона и нейтрона очень близки к 1 а.е.м., то
массовое число A ядра равно числу нуклонов в нём. Следовательно, число
протонов в ядре совпадает с числом электронов в атоме и равно Z , а число
нейтронов, входящих в состав ядра, равно A  Z .
Ядра с одинаковым зарядовым числом Z , но разными значениями мас-
сового числа A называются изотопами. К настоящему времени установлено
около 300 стабильных изотопов и более 1000 радиоактивных.
В природе встречаются химические элементы с зарядовыми числами Z
от 1 до 92, остальные химические элементы с значениями Z от 93 до 107 бы-
ли получены искусственно.

6.11 Энергия связи ядер


Между нуклонами в ядре действуют очень большие силы притяжения,
которые относят к сильному взаимодействию и которые, вопреки кулоновским
силам отталкивания между протонами, удерживают нуклоны в составе ядра.
Энергия связи нуклонов в ядре численно равна работе, которую необхо-
димо выполнить для разделения ядра на образующие его протоны и нейтроны и
удаление их друг от друга на расстояния, на котором они не взаимодействуют.
Согласно теории относительности энергия покоящейся частицы
W  mc 2 , где с – скорость света в вакууме, m  масса частицы. С учётом этого
энергию связи ядра можно определить как разницу суммарной энергии покоя-
щихся невзаимодействующих нуклонов и энергии покоящегося ядра и запи-
сать

 
Wсв   Zmp   A  Z  mn   mя c 2 , (6.41)

87
где Z и A  зарядовое и массовое числа данного ядра.
Величина m =  Zmp +  A  Z  mn   mя называется дефектом массы ядра.
Wсв
Энергия связи, приходящаяся на один нуклон и равная , называется
A
удельной энергией связи.
Наибольшая удельная энергия связи в ядрах химических элементов
средней части таблицы Д. И. Менделеева с значениями массовых чисел A от
30 до 130 и составляет  8,6 МэВ. При перемещении к краям таблицы удель-
ная энергия связи уменьшается, достигая  7,5 МэВ для урана и  1,1 МэВ
для тяжёлого водорода 12 H .

Рис. 6.8.

Wсв
Зависимость удельной энергии связи ( ) от массового числа A пред-
A
ставлена на рис. 6.8. Из этой зависимости следует, что при двух процессах –
синтезе (слиянии) лёгких ядер и делении тяжёлых – выделяется громадное
количество ядерной энергии (равное, в расчёте на один нуклон, разности зна-
чений удельных энергий связи в исходных и конечных продуктах реакции).
Первый процесс реализуется при термоядерных реакциях в недрах звёзд и
взрыве водородной бомбы, второй – при взрыве атомной бомбы и в атомных
реакторах (в последнем случае он носит управляемый характер).

88
6.12 Радиоактивность

Радиоактивностью называется способность одних атомных ядер само-


произвольно превращаться в другие ядра с испусканием частиц.
Радиоактивные процессы, происходящие как с существующими в при-
роде ядрами (естественная радиоактивность), так и полученными искусственно
(искусственная радиоактивность), описываются общими закономерностями.
Закон радиоактивного распада: количество нераспавшихся ядер радио-
активного вещества уменьшается с течением времени по экспоненциальному
закону
N  N 0 e  t , (6.42)

где: N  количество ядер в произвольный момент времени t ; N 0  количест-


во ядер в начальный момент времени t0  0 ;   постоянная распада, зави-
сящая от природы радиоактивного вещества.
1
Среднее время жизни радиоактивных ядер   .

Очевидно, что количество ядер, распавшихся за время t , равно

N0  N  N0 1  e  t  . (6.43)

Период полураспада T равен времени, в течение которого распадается


половина первоначального количества ядер. Период полураспада и постоян-
ная распада связаны соотношением

ln 2 0,693
T  . (6.44)
 

Периоды полураспада известных к настоящему времени радиоактивных


веществ лежат в пределах от 3 107 с до 5  1015 лет.
Активность радиоактивного препарата равна числу происходящих в
препарате распадов за единицу времени и равна произведению постоянной
распада на число нераспавшихся ядер

A  N . (6.45)

В СИ активность измеряется в беккерелях (Бк). 1Бк равен активности


препарата, в котором за одну секунду происходит один распад. На практике
чаще пользуются внесистемной единицей измерения активности – кюри (Ки),
которая в 3,7 1010 раз больше чем 1 Бк.
В природе существует несколько видов радиоактивных процессов:
 - распад – испускание ядром  - частицы (ядра гелия 24 He );
89
 - распад включает: испускание ядром электрона ( 10 e )  электронный
распад; испускание ядром позитрона ( 10 e )  позитронный распад; захват яд-
ром орбитального электрона К-захват;
спонтанное деление ядер;
протонная радиоактивность – испускание ядром одного или двух про-
тонов ( 11 p ).
В большинстве случаев радиоактивный распад сопровождается  - из-
лучением – коротковолновым электромагнитным излучением (  < 1013 м) с
большой проникающей способностью. Потоки излучаемых при радиоактив-
ном распаде частиц и  - излучения действуют на атомы и молекулы облуча-
емого вещества, в частности, ионизуют их. Это действие количественно оце-
нивают дозой излучения ( D ).
Экспозиционная доза ( Dэксп ) является мерой ионизационного действия
рентгеновского и  - излучения в воздухе и равна отношению суммарного за-
ряда всех ионов одного знака  Q , созданных при полном торможении вто-
ричных электронов и позитронов, образующихся в элементарном объёме, к
массе воздуха  m в этом объёме

Dэксп =
Q . (6.46)
m

В СИ экспозиционная доза измеряется в Кл/кг. Для измерения экспози-


ционной дозы на практике часто пользуются внесистемной единицей – рент-
геном (Р), 1P = 2,57976 104 Кл/кг.
Величина, равная энергии ионизирующего излучения, поглощённой
единицей массы облучаемого вещества, называется поглощённой дозой
( Dпогл ) . В СИ поглощённая доза измеряется в греях (Гр). 1 Гр равен энергии в
1Дж, поглощённой массой в 1кг.
При радиоактивном облучении живых организмов, в том числе и лю-
дей, могут возникать биологически неблагоприятные последствия, которые
зависят не только от поглощённой дозы, но и от вида излучения. В связи с
этим сравнивают биологические эффекты, вызываемые любыми ионизирую-
щими излучениями, с эффектами от рентгеновского и  -излучений. Коэф-
фициент, который показывает во сколько раз радиационная опасность в слу-
чае постоянного облучения человека (при сравнительно малых дозах) данным
видом излучения выше, чем в случае рентгеновского или  - излучения при
одинаковой поглощённой дозе, называется коэффициентом качества излуче-
ния ( K ) . Для рентгеновского и  - излучений K  1 , а для всех других излу-
чений устанавливается на основании радиобиологических данных.
Эквивалентная доза Dэкв определяется как произведение поглощённой
дозы Dпогл на коэффициент качества излучения K , т. е
90
Dэкв  Dпогл K . (6.47)

Эквивалентная доза имеет ту же размерность что и поглощённая. В СИ еди-


ница измерения эквивалентной дозы называется зиверт (Зв). Один зиверт со-
ответствует поглощённой дозе в один грей при K  1 .
При одновременном воздействии нескольких видов излучения эквива-
лентная доза Dэкв   Dпогл, i K i .
i

Примеры решения задач


Пример 1. Тепловое излучение
Оценить диаметр d медного провода, который используется для изгото-
вления плавкого предохранителя на ток силой I m  5 А. Температура плавле-
ния меди равняется Tпл  1356 К, удельное сопротивление при этой темпера-
туре составляет   0,1 мкОм∙м. Считать, что теплоотдача идет в основном
через излучение, которое близко к излучению абсолютно черного тела. На к а-
кую длину волны  m при максимально возможной силе тока приходится ма-
ксимум спектральной интенсивности излучения?

Решение
Если в электрической цепи сила тока I , то в предохранителе за время t , в
соответствии с законом Джоуля-Ленца (3.94), выделяется количество теплоты

Q  I 2 Rt ,

где R  сопротивление предохранителя. При диаметре провода d и длине l ,


сопротивление предохранителя (3.76)

l
R .
d 2
4

Согласно условию задачи теплота Q отводится от предохранителя за


счет излучения. В стационарном состоянии, когда температура T предохрани-
теля постоянна, Q равняется энергии, излучаемой предохранителем, т.е.

I 2 Rt   T 4 dlt .

Количество излучаемой предохранителем теплоты рассчитано согласно


закону Стефана-Больцмана (6.8) в предположении, что тепловая энергия излу-

91
чается лишь через боковую поверхность предохранителя с площадью  dl (как
правило d << l и излучением торцов предохранителя можно пренебречь).
Из последнего уравнения вытекает, что при увеличении I увеличивает-
ся и температура T предохранителя. Но она может возрастать лишь до тем-
пературы плавления Tпл . Поэтому данное уравнение при максимальной силе
тока I m , с учетом выражения для сопротивления R предохранителя, прини-
мает вид
l
I m2  t   T пл4  dlt .*)
d 2

4
Отсюда следует, что диаметр провода

4 I m2  4  52  0,1  106
d3  3  1,7  104 м.
  T пл
2 4 2 8
3,14  5,67 10 1356 4

Длину волны  m при температуре предохранителя, равной Tпл , можно расс-


читать, воспользовавшись законом смещения Вина (6.9),

b 2,89  103
m   2,14  10 6 м.
Tпл 1356

Пример 2. Внешний фотоэффект


На катод фотоэлемента падает монохроматический свет с длиной волны
  4,2 107 м. При задерживающем напряжении между катодом и анодом
фотоэлемента U з  0,8 В фототок прекращается. Определить работу выхода
A электронов из катода и красную границу  êð фотоэффекта.
Решение
Ток в фотоэлементе прекращается при условии (6.12), когда электроны
с максимальной кинетической энергией не могут преодолеть тормозящее их
электрическое поле (рис. 6.2, б), существующее между катодом и анодом, т.е.
при условии
mv 2max
 eU з .
2
*) Важно заметить, что предохранитель не только излучает энергию, но и поглощает
её от окружающей среды. Поэтому количество теплоты, которое передаётся от предохра-
нителя окружающей среде, равно разности этих энергий, т. е.
Q =  (Tпл4  Tк4 ) dl .
Но так как температура окружающей среды комнатная Tк и значительно меньше
Tпл , то в записанном уравнении значением T по сравнению с Tпл4 можно пренебречь.
к
4

92
Следовательно, уравнение Эйнштейна (6.10) можно записать в виде

mvmax
2
h  A   A  eU з .
2

c
Учтя, что   , где c  3 108 м/с, из данного уравнения находим работу вы-

хода

c  34 3  108 19  19


A  h  eU з   6,63  10  1,6  10  0,8  Дж  3,45  10 Дж = 2,16 еВ
  4,2 10 7

.

Красная граница фотоэффекта связана с работой выхода соотношением (6.11)


c
 кр = = A h , откуда
 кр
hc 6,626 1034  3  108
 кр   19
 5,76  107 м.
A 3,45 10

Пример 3. Внешний фотоэффект


Определить постоянную Планка h , если известно, что фотоэлектро-
ны, выбитые из поверхности металла светом с частотой  1  2,2 1015 с1, пол-
ностью задерживаются тормозящим напряжением U з1  6,6 В, а выбитые све-
том с частотой  2  4,6 1015 с 1  напряжением U з2  16,5 В.

Решение
Соответственно с разъяснениями, приведенными в примере 2, уравне-
ние Эйнштейна для каждой из двух частот облучения можно записать в виде

h1  A  eU з1 ,

h 2  A  eU з2 .
Вычтя из второго уравнения первое, получим

h  2 1   e U з2  U з1  ,

откуда

e U з2  U з1  1,6  1019 16,5  6,6 


h   6,6  1034 Дж с.
 2  1  4,2  2,2  10 15

93
Пример 4. Волновые свойства микрочастиц, соотношение неопреде-
лённостей
Найти длину волны де Бройля  электрона в кинескопе телевизора, ес-
ли ускоряющее напряжение в кинескопе U  20 кВ. Оценить также, есть ли
необходимость учитывать соотношение неопределенностей к этим электро-
нам при условии, что сфокусированный пучок электронов на экране должен
давать световое пятно с диаметром не большим чем d  105 м. Путь, кото-
рый проходят электроны в кинескопе, составляет S  35 см.

Решение
Согласно соотношению (6.16) длина волны де Бройля   h mv . Кине-
тическая энергия электрона равна работе сил ускоряющего электрического
поля, т.е.
mv 2
 eU ,
2

где e  заряд электрона, m  его масса. Отсюда скорость электрона

2eU
v .
m

С учетом формулы де Бройля, получим

h 6,626  1034
   8,68  1012 м.
2eUm 2  1,6  1019  9,1  1031  2  104

Для ответа на второй вопрос предположим, что электрон, пройдя си с-


тему устройств кинескопа (см. рис. 6.9.), должен попасть в точку О экрана.
Согласно условию задачи отклонения x электронов от точки О в любом
направлении, например, относительно вертикальной оси x, не должно превы-
шать d 2 , т.е. x  d 2 .
Из соотношения неопределенностей (6.17) следует, что xmvx  2 ,
откуда неопределенность в скорости vx электрона в направлении оси x

vx ~  .
2mx md

Вследствие этой неопределенности скорости возможные случайные от-


клонения электрона от точки О на расстояние

94
x ~ vx .

Рис. 6.9

Время движения  электрона от фокусирующей системы к экрану равно

S S
  .
v 2eU
m

Учитывая в выражении для x соотношения, определяющие значения


vx и  , имеем
S 1,055 1034  35  102
x ~   4,84  108 м.
5 19 31
d 2emU 10  2  1,6  10  9,1  10  2  10 4

Таким образом, случайные отклонения x электронов от точки О за


счет неопределенности в скорости на два порядка меньше допустимого
d
( x   5  106 м). Следовательно, при движении электронов в кинескопе те-
2
левизора соотношение неопределенностей не проявляется, поэтому его учи-
тывать нет необходимости, а движение электронов можно описывать, пользу-
ясь законами классической физики.

Пример 5. Атом водорода


Вычислить длины волн спектральных линий, которые наблюдаются в
спектре газообразного атомарного водорода, при возбуждении его потоком
электронов с кинетической энергией Wк = 12,5 еВ.

Решение
Согласно (6.23) электроны, входящие в состав атомов водорода, имеют
дискретные значения энергии

95
1 me e 4
Wn    .
n 2 8 0 2 h 2
Спектр возможных значений энергий электронов схематически изобра-
жён на рис. 6.4. В невозбужденном состоянии электроны имеют наименьшее
значение энергии W1 , которое отвечает значению главного квантового числа
n1  1 .
В результате бомбардировки невозбужденных атомов водорода потоком
электронов с кинетической энергией Wк электроны, входящие в состав атомов
водорода, переходят в возбужденные состояния с энергией Wnx , которым отве-
чает некоторое значение главного квантового числа n x . Для нахождения зна-
чения Wnx , а соответственно и n x , можно воспользоваться законом сохранения
энергии, который для данного случая записывается в виде уравнения

1 me e4 1 me e4 me e4 1
Wк  Wnx  W1   2  (   ) = (1  ),
n x 8 02 h 2 n12 8 02 h 2 8 02 h 2 nx 2

откуда
mee 4
8 0 2 h 2
nx  .
mee4
 Wк
8 0 2 h 2

Воспользовавшись табличными данными, вычислим величину

me e 4 9,110 31  (1,6 10 19 ) 4


 12 2 34 2
 21,69 10 19 Дж = 13,56 еВ,
8 0 h
2 2
8  (8,85  10 )  ( 6,626  10 )

а также
13,56
nx   3,58.
13,56  12,5

Таким образом, электроны, принадлежащие атомам водорода, перехо-


дят в возбужденные состояния со значением главного квантового числа
nx  3  n3 . Из этих состояний электроны переходят в состояния с меньшими
энергиями W2 и W1 . Но состояния с энергией W2 являются также возбужден-
ными и из них электроны переходят в стационарные состояния с энергией W1 .
В соответствии с (6.33) атомы водорода при этих переходах излучают фотоны
с частотами

96
 1
 31  R 1  ,
 32 

 1
 21  R 1  ,
 22 

1 1
 32   32  R   2 ,
2 3 
2

где R  3,293 1015 с 1  постоянная Ридберга.


c
Учитывая, что   , находим длины волн излучаемых в этом случае

спектральных линий

c 3  108
 31    1,03  107 м,
 1  1
R 1  2  3,293  1015 1  2 
 3   3 

c 3  108
 21    1,22  107 м,
 1  1
R 1  2  3,293  1015 1  2 
 2   2 

c 3  108
 32    6,56  107 м.
 1 1  1 1
R  2  2  3,293  1015  2  2 
2 3  2 3 

Пример 6. Атом водорода


Атом водорода, который находится в состоянии покоя, излучает фотон,
отвечающий главной линии серии Лаймана. Какую скорость при этом приоб-
ретает атом?

Решение
Спектральные линии серии Лаймана (6.34) обусловлены переходом
электронов в атомах водорода из возбужденных состояний в не возбужден-
ное, для которого значения главного квантового числа n1  1.
Главная линия серии имеет наименьшую частоту и возникает в резуль-
тате перехода электронов из энергетического уровня ближайшего к невозб у-
жденному, т.е. из уровня с квантовым числом n2  2 (см. рис. 6.4). При этом,
в соответствии с правилом частот Бора (6.32), излучается фотон с энергией

97
mee4  1
h 21  W2  W1   1  .
8 0 2 h2  22 

Данный фотон имеет импульс mф c , где с  скорость света. Массу mф


фотона определим из соотношения теории относительности, связывающего
массу частицы с ее энергией  h 21  mфc 2 , откуда

h 21
mф  .
c2
Атом водорода представляет собой замкнутую систему, поэтому им-
пульс его до излучения фотона (он равняется нулю, так как атом находится в
состоянии покоя) и после его излучения должен оставаться неизменным, т.е.

0  mфc  mH v,

где mH  масса атома водорода. Отсюда

mф c
v .
mH
Знак “  “ указывает на то, что в результате излучения фотона атом во-
дорода приобретает скорость, направленную противоположно направлению
движения фотона.
Определив массу фотона из первых двух соотношений и подставив её
значение в последнее выражение, получаем численное значение скорости
движения атома

 1  1
mee4 1  2  9  1031 (1,6  1019 ) 4 1  2 
v  2   2   3,26 м/с.
8 0 h сmH
2 2
8  (8,85 10 ) (6,626 10 ) 3 108 (1,0078 1,6606)10 27
12 2 34 2

Пример 7. Энергия связи ядра


Энергия связи ядра, в состав которого входит N p  3 протона и N n  4
нейтрона, равняется Wсв  39,3 МэВ. Определить массу m нейтрального ато-
ма с таким ядром. Какой химический элемент имеет такое ядро?

Решение
Энергия связи ядра определяется с помощью уравнения (6.41)

Wсв =  N p m p + N n mn   mя  с 2 .

Из данного уравнения вытекает, что масса ядра


98
Wcв 27 27 39,3 106
mя = N p m p + N n mn  2  3  1,6736 10  4 1,675 10  
с 1,6  1019  (3 108 ) 2
 1,165 1026 кг.

Масса атома m включает в себя еще массу Z электронов (зарядовое чи-


сло Z  N p ), которые входят в его состав  Zme  3  9,1 1031  2,73  1030 кг.
Масса этих электронов более чем в 4000 раз меньше массы ядра, т.е. на массу
атома практически не влияет и m  mя .
Так как 1 а.е.м. = 1,661 1027 кг, то масса атома с таким ядром, выра-
1,165 10 26
женная в атомных единицах массы, равна  7 . Такое ядро имеет
1,66110 27
химический элемент литий 3 Li 7 с зарядовым числом Z  3 и массовым чис-
лом A  7 .

Пример 8. Радиоактивность
Период полураспада изотопа свинца 82 Pb 210 равен T  6,93 108 с. Опреде-
лить время t, на протяжении которого распадается 2/5 начального количества
N 0 ядер данного радиоактивного изотопа.

Решение
Количество ядер, распадающихся за время t, определяется в соответст-
вии с соотношением (6.43), т.е. N 0  N  N 0 1 e t . Отсюда относительное ко-
личество ядер  N 0  N  N 0 , распавшихся за время t , равно

N0  N 2
 1  et  ,
N0 5
откуда
5
ln
t 3.

Учтя связь (6.44) между периодом полураспада T и постоянной  ра-


диоактивного распада   0,693 T , находим, что

5 5
T ln 6,93 108 ln
t 3 3  5,108  108 c  16,2 лет .
0,693 0,693

99
РАЗДЕЛ 7
ЭЛЕМЕНТЫ ФИЗИКИ ТВЁРДОГО ТЕЛА

Основные теоретические сведения

7.1 Энергетические зоны в кристаллах


В кристаллах энергетические состояния электронов определяются взаи-
модействием их не только с ядрами и электронами своих атомов, но и с элект-
рическим полем кристаллической решетки. В результате этого взаимодействия
энергетические уровни электронов расщепляются и вместо какого-то одного
дискретного энергетического уровня, характерного для изолированного атома,
образуется N очень близко расположенных друг возле друга энергетических
уровней (рис. 7.1), где N – количество атомов в кристалле. Совокупность
этих уровней образуют энергетическую зону. Эти энергетические зоны разде-
лены значениями энергий, которые электроны принимать не могут. Эти облас-
ти энергий называют запрещенными зонами. Более всего расщепляются энер-
гетические уровни валентных электронов (они образуют валентную зону) и
свободных от электронов энергетических уровней, находящихся над ними.В
єтих зонах соседние уровни отстоят друг от друга приблизительно на ~ 1023
эВ.. Расщепление энергетических уровней внутренних электронов намного ме-
ньше, чем валентных, так как взаимодействие их с кристаллическим полем ре-
шётки намного слабее. Поэтому внутренние электроны атомов в кристаллах
ведут себя практически так, как и в изолированных атомах.

Рис. 7.1

Ширина энергетических зон валентных электронов и запрещенных зон


по порядку величины приблизительно одинакова и равна нескольким элект-
рон-вольтам.
Разрешенные энергетические зоны в твердом теле могут быть заполне-
ны электронами по-разному. В предельных случаях энергетические зоны мо-
100
гут быть заполнены электронами полностью или быть полностью свободны-
ми. Чтобы перевести электрон из нижней энергетической зоны в соседнюю
верхнюю, необходимо затратить энергию, равную ширине W запрещенной
зоны, расположенной между ними. Эту энергию называют еще энергией ак-
тивации, которая составляет в разных материалах величину от десятых до не-
скольких электрон-вольт.
Для перехода между соседними уровнями внутри зоны необходима
энергия намного меньше, порядка ~ 1023 эВ. Для этого достаточно энергии,
которую получает электрон под действием электрического поля при незначи-
тельной разности потенциалов, которая приложена к кристаллу. Для перевода
электрона между зонами этой энергии недостаточно.
Различие в электрических свойствах твердых тел объясняется в зонной
теории различным заполнением валентными электронами энергетических зон
и их взаимным расположением. Примеры заполнения зон при Т = 0 К приве-
дены на рис.7.2.
В металлах возможны два варианта заполнения энергетических уров-
ней валентными электронами.
1. Валентные электроны заполняют энергетические уровни зоны части-
чно (рис.7.2, а), поэтому под действием электрического поля, создаваемого ка-
ким-либо источником, валентные электроны изменяют свою энергию и пере-
ходят на более высокие энергетические уровни данной зоны. Другими слова-
ми, под действием электрического поля валентные электроны приходят в на-
правленное движение, т.е. образуют электрический ток. Энергетическая зона, в
которой находятся эти электроны, называется еще и зоной проводимости.

а б в г
Рис. 7.2

2. В некоторых металлах (Be, Cd, Mg, Zn) энергетическая зона валент-


ных электронов заполнена полностью, но она перекрывается с расположен-
ной над ней свободной от электронов энергетической зоной (рис.7.2, б), воз-
никшей в результате расщепления возбужденных энергетических уровней
101
атомов. Ясно, что в этом случае влияние электрического поля на валентные
электроны не отличается от рассмотренного выше.
В диэлектриках энергетические зоны не перекрываются. Валентная зо-
на полностью заполнена электронами, а выше расположенная зона, свободная
от электронов (рис.7.2, в). Ширина ∆W запрещенной зоны, разделяющей ва-
лентную и свободную зоны, больше 3 эВ, поэтому внешнее электрическое
поле не может перевести электроны из валентной зоны в свободную зону.
Недостаточно для этого и энергии теплового возбуждения. В результате под
влиянием электрического поля энергия валентных электронов не может изме-
няться (не возникает их упорядоченного движения) и такие материалы не об-
ладают электропроводностью.
Заполнение энергетических зон в химически чистых полупроводниках
при температуре Т = 0 К такое же, как и в диэлектриках. Различие с диэлект-
риками заключается лишь в ширине запрещенной зоны W  в полупровод-
никах она меньше ( W < 3 эВ), чем в диэлектриках (рис.7.2, г). В результате
при температуре Т > 0 К часть электронов валентной зоны за счет энергии те-
плового возбуждения переходит в свободную зону, в связи с чем её ещё назы-
вают, подобно металлам, зоной проводимости.
Переход валентного электрона в свободную зону означает разрыв ков а-
лентной связи между соседними атомами в кристаллической решетке, в кото-
рой задействованы как раз валентные электроны. На разорванную связь мо-
жет перейти валентный электрон из соседней связи, данная связь восстанови-
тся, но разорванная связь переместится на соседнее место. Разорванная связь
называется дыркой, направление движения её противоположно направлению
движения валентного электрона, который переходит с одной разорванной
связи на другую.
В результате хаотичного движения свободные электроны встречаются с
дырками. При этом свободный электрон может быть захвачен вакантным ме-
стом, связь восстанавливается, но при этом одновременно исчезают свобод-
ный электрон и дырка (электрон переходит из зоны проводимости в валент-
ную зону). Этот процесс называется рекомбинацией носителей тока. В полу-
проводнике процессы генерации (возникновения) носителей тока и их реко-
мбинации (исчезновения) идут непрерывно. При постоянной температуре по-
лупроводника между этими процессами устанавливается динамическое рав-
новесие и характерная для данной температуры концентрация электронов и
дырок. Эта концентрация носителей тока называется равновесной (темновой).
Следует отметить, что в беспримесном (чистом) полупроводнике сво-
бодные электроны и дырки возникают и исчезают всегда парами и поэтому их
концентрация одинакова, т. е. n  p .

7.2 Распределение Ферми-Дирака. Электропроводность металлов


Статистические закономерности для квантовых и классических частиц
отличаются. Обусловлено это тем, что энергетический спектр классических
102
частиц непрерывный, т. е. число возможных энергетических состояний G бе-
сконечно. В результате отношение числа классических частиц в системе n
(оно всегда конечно) к G равно нулю. В случае же квантовых частиц (напри-
мер, электронов проводимости в металлах) энергетический спектр дискрет-
ный, в результате чего G конечно и значения n и G сопоставимы. Такие си-
стемы частиц называются вырожденными, а отношение n G называется кри-
терием невырожденности.
Так как электрические свойства кристаллов определяются электронами
валентной зоны, ознакомимся с энергетическими состояниями и статистичес-
кими закономерностями на примере электронов проводимости металлов.
В результате взаимодействия валентных электронов с положительно за-
ряженными узлами кристаллической решётки их потенциальная энергия
отрицательна, то есть валентные электроны (электроны проводимости) нахо-
дятся в своеобразной потенциальной яме глубиной Wпот , зависящей от приро-
ды металла. Заполнение энергетических уровней валентной зоны начинается
от дна ямы (рис. 7.3, а), и в соответствии с принципом Паули на каждом из
подуровней может находиться не более двух электронов с противоположно
направленными спинами. Энергия этих электронов, отсчитанная от дна ямы,
представляет собой их кинетическую энергию.
Электроны обладают полу-
целым спином, т.е. являются фе-
рмионами. Для таких систем (фе-
рмионов), распределение частиц
по энергетическим состояниям
описывается распределением Фе-
рми- Дирака

1
f (W )  W 
, (7.1)
e kT
1

где f (W )  вероятность заполне-


ния уровня с энергией W , T  а б
температура (по шкале Кельвина), Рис. 7.3
k - постоянная Больцмана,  
уровень химического потенциала.
Из (7.1) видно, что при T  0 К применительно к электронам проводи-
мости металла f (W )  1 для W   и f (W )  0 для W   (рис 7.3, б). Следо-
вательно, при T  0 К уровень химического потенциала  соответствует наи-
большей кинетической энергии электрона в металле. Эта энергия называется
ещё энергией Ферми WF .

103
При T  0 К зависимость
f (W ) представлена на
(рис. 7.4, б) и для W   , как
следует из (7.1), значение
1
f (W )  . Следовательно,
2
уровень химического потен-
циала  можно определить и
как энергетический уровень,
вероятность заполнения кото-
1
рого при T  0 К равна . Да-
2
же при T  1000 К энергия те-
плового движения kT  0,09
эВ, в то время как для метал-
а б лов WF составляет величину
Рис. 7.4 порядка нескольких эВ. Поэ-
тому при нагревании металла лишь незначительная часть электронов, зани-
мающих узкую энергетическую полосу порядка kT , изменяют свою энергию
и переходят на энергетические уровни выше уровня Ферми WF (рис 7.4, а, б).
Заполнение же энергетических уровней, расположенных на несколько kT
ниже уровня Ферми, не изменяется (рис 7.4, а, б). В результате средняя энер-
гия электронов проводимости при нагревании металла, а, следовательно, и
скорость их хаотического движения почти не изменяются.
Только с помощью квантовой теории удалось объяснить электрические
свойства металлов, наблюдаемые в эксперименте, в частности, зависимость
сопротивления металлов от температуры. Квантовая теория для удельной
электропроводности  металлов приводит к соотношению

e2 nF
 , (7.2)
mvF

где: e  заряд электрона; m  его эффективная масса (учитывающая влияние


на движение электрона электрического поля кристаллической решётки); n 
концентрация электронов проводимости; F  длина свободного пробега эле-
ктронов, имеющих энергию Ферми; vF - их скорость.
Сопротивление металлов квантовая теория объясняет рассеянием элек-
тронных волн (волн де Бройля) на дефектах кристаллической решётки. Дефе-
кты возникают, в основном, по двум причинам: из-за тепловых колебаний уз-
лов кристаллической решётки и из-за наличия в металле примесей.

104
1
Соответственно и удельное сопротивление металла   можно усло-

вно представить в виде двух слагаемых: T  обусловлено рассеянием на не-
однородностях, возникающих в результате тепловых колебаний узлов кри с-
таллической решётки и пр  обусловлено рассеянием на примесях. Соответ-
ствующие расчёты показывают, что при сравнительно высоких температурах
преимущественную роль играет T и при этом длина свободного пробега
1
электронов F . При низких температурах F
T
от T практически не зависит, превалирует рассе-
яние на примесях, и F зависит от их концентра-
ции. Другие величины в (7.2), за исключением
F , от T не зависят или зависят незначительно.
Таким образом, с учётом сказанного из (7.2) сле-
дует: в области высоких температур удельное со-
противление металла линейно зависит от темпе-
ратуры, а в области низких  от температуры не
зависит и определяется концентрацией примеси, Рис. 7.5
что и показано на рис. 7.5.

7.3 Собственная электропроводность полупроводников


Полупроводники считаются чистыми, если относительная концентра-
ция атомов примеси в них не превышает 108  109  %. Электропроводность
таких полупроводников называется собственной.
При температуре T  0 К чистые полупроводники электропроводнос-
тью не обладают. Заполнение энергетических зон в них при этой температуре
показано на рис.7.6, а. Все энергетические уровни валентной зоны полностью
заполнены электронами, уровни свободной зоны не заняты, уровень химичес-
кого потенциала  расположен посредине запрещённой зоны. На этом же
рисунке сверху, на примере одного из наиболее распространённого полупро-
водника германия, показана схема ковалентной связи между атомами. Этот
полупроводник 4-х валентный и каждый атом, находящийся в узле кристал-
лической решётки, связан с 4-мя ближайшими атомами. При этом в связи ме-
жду двумя соседними атомами задействованы от каждого атома по одному
валентному электрону. В результате при T  0 К все валентные электроны за-
действованы в связях между атомами кристалла, т. е. носителей тока при
T  0 К нет, что и обуславливает отсутствие электропроводности.
С увеличением температуры заполнение энергетических зон изменяется
(рис.7.6, б): часть электронов переходит из валентной зоны в зону проводи-
мости (незначительным смещением уровня  , происходящем при этом, мо-
жно пренебречь). На схеме связей (рис.7.6, б, сверху) эти переходы соответс-
105
твуют разрыву связей, в результате чего возникают носители тока – свобод-
ные электроны и дырки, электропроводность становится отличной от нуля.

а б
Рис. 7.6

Концентрация электронов проводимости n и дырок p пропорциональна


вероятности заполнения энергетических уровней вблизи дна зоны проводи-
мости и с увеличением температуры T кристалла, как следует из распределе-
ния Ферми-Дирака, возрастает по экспоненциальному закону

W

n p e 2 kT
, (7.3)

W
где W  ширина запрещённой зоны ( W    ), k  постоянная Больц-
2
мана.
При наличии электрического поля возникает направленное движение
электронов, находящихся в зоне проводимости. Эти электроны порождают
электронную составляющую собственной проводимости (проводимость n-
типа). Под влиянием электрического поля движутся и дырки, но в направле-
нии, противоположном направлению движения электронов. Дырки ведут себя
как положительно заряженные носители тока и обуславливают дырочную со-
ставляющую собственной проводимости (проводимость р-типа). Направлен-
ное движение дырок возможно вследствие наличия в валентной зоне не заня-
тых энергетических уровней (часть электронов из этой зоны перешла в сво-
106
бодную зону). В результате удельная электропроводность  чистого полуп-
роводника может быть представлена как сумма двух слагаемых   n , обусло-
вленной электронами, и  p , обусловленной дырками, т. е.    n   p .
Каждое из слагаемых (  n и  p ) можно определить, как и для металлов, с
помощью соотношения (7.2). Однако у чистых полупроводников зависимость
удельной электропроводности от температуры носит иной характер, чем у ме-
таллов. Обусловлено это тем, что, в отличие от металлов, в случае полупрово-
дников концентрация носителей тока, как n так и р, экспоненциально зависит
от температуры (7.3) и в выражении (7.2) более слабой зависимостью от T
других величин можно пренебречь. С учётом этого из (7.2) следует, что при
увеличении температуры Т удельная электропро-
водность чистого полупроводника возрастает по
экспоненциальному закону, т. е.

W

   0e 2 kT
. (7.4)

В полулогарифмической системе коорди-


нат зависимость удельной электропроводности
чистых полупроводников от температуры (зави-
симость ln  1 T  ) отображена на рис. 7.7.
Рис. 7.7

7.4 Примесная электропроводность полупроводников


Электропроводность полупроводников можно изменять путём введения
в них примесей. Проанализируем влияние примесей на электропроводность
на примере того же полупроводника германия.
Если небольшое количество атомов германия заменить атомами 5-ти
валентного вещества (мышьяка, сурьмы, фосфора), то один из электронов
примесного атома не будет задействован в связи (рис. 7.8, а) и его гораздо ле-
гче оторвать от атома примеси. Это означает, что энергетические уровни дан-
ных электронов при T  0 К находятся вблизи дна свободной зоны и для их
перевода в свободную зону нужна энергия Wд заметно меньшая, чем для
перевода электронов из валентной зоны ( Wд  W ). Уровень химического
потенциала при T  0 К расположен посредине между уровнем примеси и ни-
жним уровнем свободной зоны. При сравнительно небольшом повышении
температуры (T > 0K), переходы электронов из уровней примеси в свободную
уже происходят, в то время как переходы электронов из валентной зоны в
свободную в заметном количестве ещё не возможны (рис. 7.8, б).

107
а б
Рис. 7.8.

На схеме связей (рис. 7.8, б), сверху) данные переходы соответствуют


отрыву электронов от атомов примеси и превращению их в свободные, т. е.
эти электроны становятся электронами проводимости. Атомы примеси в ре-
зультате потери одного из валентных электронов превращается в положите-
льно заряженные ионы. Такая примесь поставляет электроны проводимости и
называется донорной Полупроводники с электронной проводимостью полу-
чили название полупроводников n-типа. При достаточно низких температурах
T электропроводность таких полупроводников определяется соотношением,
аналогичным (7.4), т.е.
Wд

 пр e 2 kT
, (7.5)

где N д - концентрация атомов донорной примеси.


С увеличением температуры энергетические уровни атомов примеси
истощаются, т. е. не занятые в связях валентные электроны всех атомов при-
меси переходят в зону проводимости. При дальнейшем увеличении темпера-
туры концентрация электронов проводимости благодаря наличию примеси
перестаёт изменяться и примесная проводимость достигает максимального
значения  0пр . Но при этом, в зависимости от соотношения между величина-
ми Wд и W , могут начаться переходы электронов из валентной зоны в зону
проводимости и на примесную проводимость начнет накладываться собст-
венная. На рис.7.9, а представлена зависимость концентрации электронов в
донорном полупроводнике от температуры. Участок аб соответсвует иониза-
ции атомов примеси, бв – области истощения, вг – переходам электронов из
валентной зоны в зону проводимости. В результате при достаточно высоких
108
температурах удельная электропроводность примесного полупроводника
определяется выражением

W

   пр   0e 2 kT
. (7.6)

Зависимость удельной электропроводности примесных полупроводни-


ков от температуры в полулогарифмической системе координат представлена
на рис. 7.9, б.

а б
Рис. 7.9

В пределах участка бв (в зависимости от соотношения между W и Wд


его может и не быть) концентрация носителей тока остаётся постоянной и с
ростом температуры удельная электропроводность примесного полупровод-
ника, по тем же причинам что и в металлах, уменьшается.
Если в 4-х валентном полупроводнике небольшое количество атомов
основного вещества заменить атомами 3-х валентной примеси (например, ин-
дия, алюминия или бора), то в месте нахождения каждого атома примеси одна
из связей с 4-мя ближайшими атомами полупроводника окажется не запол-
ненной. Этим, не занятым электронами вакантным связям, локализованным
возле атомов примеси, соответствует определённая энергия – так называемые
локальные энергетические уровни атомов примеси. Расположены они немно-
го выше верхнего уровня валентной зоны, а уровень химического потенциала
при T = 0К расположен посредине между ними и верхним уровнем валентной
зоны (рис.7.10, а). При T > 0K К на вакантное место возле атома примеси мо-
жет перейти электрон из любой соседней связи, что и показано на верхней ча-
сти рис. 7.10, б. На энергетической диаграмме такие переходы соответствуют
переходу электронов из валентной зоны на локальные уровни атомов примеси
и появлению в валентной зоне вакантных мест – дырок. Атомы примеси при
этом преобразуются в отрицательно заряженные ионы. Примесь такого типа

109
называется акцепторной (она поставляет носители тока дырки), а полупрово-
дники с дырочной проводимостью – полупроводниками p-типа.

а б
Рис. 7.10

Очевидно, что зависимость от температуры удельной электропроводно-


сти полупроводников с акцепторной примесью описывается теми же выраже-
ниями (7.5) и (7.6), что и для полупроводников с донорной примесью. Однако
в них вместо значений N д и Wд необходимо иметь в виду соответственно
значения N а (концентрацию атомов акцепторной примеси ) и Wа (разницу
между локальными уровнями акцепторной примеси и верхним уровнем вале-
нтной зоны).

7.5 Фотопроводимость

Переход электронов из валентной зоны в зону проводимости может


происходить не только за счет энергии теплового возбуждения, но и за счет
некоторых других источников энергии. Важным в практическом отношении
является случай, когда такой переход происходит за счет энергии электрома-
гнитных волн (света), которые поглощаются полупроводником. В результате
при облучении полупроводника светом концентрация носителей тока по сра-
внению с равновесной (темновой), которая соответствует данной температ у-
ре, возрастает. Это явление называется внутренним фотоэффектом.
Чтобы внутренний фотоэффект происходил, энергия h фотона света
должна быть, в случае беспримесного полупроводника, не меньше ширины
110
W запрещенной зоны, т.е. h  W . Наименьшая частота  кр , при которой
этот процесс возможен, называется красной границей внутреннего фотоэф-
фекта и в записанном выше соотношении отвечает знаку равенства, т. е.

h кр  W . (7.7)

Носители тока, возникающие в результате внутреннего фотоэффекта,


называются фотоносителями (фотоэлектронами и фотодырками). В отличие
от равновесных (темновых) носителей тока фотоносители являются неравно-
весными. При прекращении облучения полупроводника светом они рекомби-
нируют и концентрация носителей тока возвращается к равновесной.
Фотоносители тока увеличивают электропроводность полупроводника
(по сравнению с равновесной) и эта добавка электропроводности называется
фотопроводимостью.
Явление внутреннего фотоэффекта широко используется в технике для
регистрации электромагнитных волн, а также для непосредственного преоб-
разования световой энергии в электрическую.

7.6 Работа выхода. Контактная разность потенциалов


Под работой выхода понимают энергию, необходимую для удаления
электрона из электрически нейтрального тела в вакуум без изменения его тем-
пературы. Электроны могут удаляться с любого энергетического уровня
(рис. 7.11, а) и для этого необходима разная энергия. Можно обосновать, что
температура тела будет оставаться постоянной, если электроны с разных уров-
ней удалять в такой пропорции, как если бы удаление происходило с уровня
химического потенциала  . Это означает, что как для металлов (рис. 7.11, а) ,
так и для полупроводников(рис. 7.11, б) работа выхода определяется выраже-
нием

A    Wп  WF . (7.8)

Работа выхода зависит как от природы вещества, так и от состояния его


поверхности и для разных веществ колеблется в пределах нескольких элект-
рон-вольт.
Электроны могут совершать работу выхода за счёт различных источни-
ков энергии: под действием электромагнитного облучения (внешний фотоэф-
фект); в результате бомбардировки вещества быстрыми электронами (втори-
чная электронная эмиссия); в результате получения тепловой энергии крис-
таллической решёткой (термоэлектронная эмиссия) и т. д.
Из распределения Ферми – Дирака следует, что вероятность выхода
A

электрона из металла или полупроводника в вакуум пропорциональна ~ e , kT

т. е. тем больше, чем меньше работа выхода и выше температура вещества.


111
Поэтому в случае контакта, например, между двумя металлами, находящими-
ся при одинаковой температуре, в первоначальный момент возникает более
интенсивный переход электронов из металла с меньшей работой в металл с
большей работой выхода.

а б
Рис.7.11

В результате приконтактная область первого металла заряжается поло-


жительно (в ней возникает недостаток электронов), а второго – отрицательно
(в ней возникает избыток электронов), в области контакта возникает разность
потенциалов. Данная разность потенциалов препятствует преимущественно-
му переходу электронов из первого металла во второй. При термодинамичес-
ком равновесии уровни химических потенциалов 1 и  2 контактирующих
проводников выравниваются, встречные потоки электронов уравновешиваю-
тся, разность потенциалов между проводниками принимает установившееся
значение и называется внешней контактной разностью потенциалов. Чис-
ленно внешняя контактная разность потенциалов зависит от разности работ
выхода и определяется соотношением.

A1  A 2
к  e . (7.9)

7.7 Электронно-дырочный переход и его выпрямляющие свойства

Электронно-дырочный переход (или p–n переход) представляет собой


контакт (границу раздела) двух областей одного и того же полупроводника с
различным типом проводимости – дырочной (p-типа) и электронной (n-типа).
Рассмотрим более подробно процессы, происходящие в области конта-
кта, на примере симметричного перехода, при котором концентрация носите-
лей тока в обеих областях одинакова (n = p).
112
Сначала предположим, что контакт между n и p областями отсутствует.
Заполнение энергетических зон в этом случая при T >0 K отображено для
полупроводника n-типа на рис. 7.8, б, а для полупроводника p-типа – на
рис. 7.10, б. В каждой из областей кроме основных носителей тока (электро-
нов в области с донорной примесью и дырок в области с акцепторной приме-
сью) есть незначительное количество и неосновных носителей – дырок в по-
лупроводнике n–типа и электронов в полупроводнике p–типа. Наличие неос-
новных носителей тока обусловлено переходами электронов в каждой облас-
ти полупроводника из валентной зоны в зону проводимости, происходящих в
небольших количествах при рабочих температурах.

а б в

Рис. 7.12

Если привести рассматриваемые области в контакт (рис. 7.12, а), то во-


зникнет диффузионный поток основных носителей тока из области, в которой
концентрация носителей больше, в область, где она меньше (электронов из
полупроводника n–типа в полупроводник p–типа, а дырок – в противополо-
жном направлении). Диффузионные потоки основных носителей порождают
электрический ток в указанном на рис. 7.12, а направлении (его называют
диффузионным или основным  I осн ), а в области контакта возникают неком-
пенсированные электрические заряды – положительные ионы донорной при-
меси в полупроводнике n–типа и отрицательные ионы акцепторной примеси
в полупроводнике p–типа. Данные заряды порождают в области контакта раз-
ность потенциалов  , т.е. электрическое поле с вектором напряжённости Eк
в указанном на рис. 7.12, а направлении. Это поле затрудняет перемещение
основных носителей тока через контактную область и по мере увеличения
 основной ток уменьшается.
Одновременно через область контакта перемещаются и неосновные
носители тока (электроны из полупроводника p–типа в полупроводник n–
типа, а дырки – в противоположном направлении). Ток, обусловленный пере-
113
мещением неосновных носителей тока, называется дрейфовым или неоснов-
ным – I неосн и направлен он противоположно основному. Существующее в
области контакта электрическое поле не препятствует перемещению неосно-
вных носителей тока и поэтому дрейфовый ток от значения  не зависит.
После достижения динамического равновесия между потоками основ-
ных и неосновных носителей (равенства основного и неосновного токов 
I осн  I неосн  I 0 ) уровни Ферми в обеих областях выравниваются (рис. 7.12, а).
При этом разность потенциалов  достигает значения контактной разности
A1  A 2
потенциалов к  e и устанавливается определённая глубина
d  d1  d2 проникновения в обе области полупроводника контактного поля,
зависящая от концентрации основных носителей тока и контактной разности
потенциалов. В данном слое концентрация основных носителей тока намного
меньше, сопротивление его по сравнению с сопротивлением остальных час-
тей полупроводника значительно больше (ионы примесей находятся в узлах
кристаллической решётки и носителями тока не являются) и поэтому этот
слой называется запорным.
Величину основного и неосновного токов в равновесном состоянии
можно оценить, учтя влияние на них контактного электрического поля. Нали-
чие поля приводит к изменению энергии электронов и дырок в контактной
области, в результате чего в области p–n перехода энергетические уровни ис-
кривляются и возникает, как для электронов, так и для дырок, потенциальный
барьер высотой e к . На рис. 7.12 потенциальные барьеры изображены для
электронов. Сила основного тока I осн пропорциональна вероятности преодо-
ления данного барьера основными носителями и, как следует из распределе-
 eк
ния Ферми-Дирака, пропорциональна ~ e . Сила неосновного тока I неосн
kT

от высоты барьера e к не зависит, а определяется лишь концентрацией не-


основных носителей. Следовательно, для равновесного состояния можно за-
писать
eк

I осн  ce kT
 I неосн  I 0 , (7.10)

где с – константа.
Если к p–n переходу приложить внешнее напряжение U (разность поте-
нциалов), то оно будет падать, в основном, в области контакта, так как сопро-
тивление её значительно больше, чем остальной части полупроводника. В ре-
зультате на величину, равную eU , изменится высота потенциального барьера.
На эту же величину изменится и положение уровня химического потенциала.
Изменение высоты барьера приведёт к изменению основного тока, а неоснов-
ной ток останется таким же, каким был и в равновесном состоянии. Равновес-
ное состояние будет нарушено, через p–n переход потечёт электрический ток.

114
В случае, если внешнее напряжение, приложенное к p–n переходу, име-
ет полярность, изображённую на (рис. 7.12, б) (к полупроводнику р-типа под-
ключен

плюс, а к полупроводнику n-типа  минус), то вектор напряжённости
E внешнего электрического поля будет направлен противоположно вектору
напряжённости Eк контактного поля. При такой полярности внешнего на-
пряжения высота потенциального барьера уменьшится и станет равной
eк  eU , основной ток увеличится и результирующий ток I через p – n
переход будет определяться соотношением

( eк eU ) eU

I  ce kT
 I0  I0( e kT
1) , (7.11)

т.е. с увеличением U ток I возрастает по экспоненциальному закону. Внеш-


нее напряжение такой полярности называется прямым или пропускным.
Изменение полярности внешнего
напряжения (рис. 7.12, в) на противо-
положную (к полупроводнику р-типа
подключен минус, а к полупроводнику
n-типа – плюс) приведёт к увеличению
высоты потенциального барьера и
уменьшению по сравнению с равнове-
сным значением силы основного тока.
В результате направление результиру-
ющего тока I через p-n переход изме-
няется и величина его определяется
соотношением

( eк eU ) eU
 
Рис. 7.13 I  ce
 I0  I0( e  1 ) (7.12)
kT kT

.
Из (7.12) следует, что при внешнем напряжении с данной полярностью,
называемом обратным или запорным, с увеличением U результирующий ток
I стремится к  I 0 , т. е. остаётся незначительным (концентрация неосновных
носителей тока во много раз меньше концентрации основных).
Таким образом, p–n переход обладает односторонней проводимостью –
в одном направлении электрический ток пропускает, а в другом – практичес-
ки не пропускает. Зависимость электрического тока I от приложенного к p–n
переходу внешнего напряжения U изображена для обеих полярностей на рис.
7.13. Эта зависимость называется вольтамперной характеристикой p–n пере-
хода. Участок резкого возрастания тока I при увеличении обратного напря-
жения соответствует пробою p–n перехода.
Электронно-дырочные переходы являются основными элементами во
многих полупроводниковых приборах, заменивших собой радиолампы и поз-
115
воливших перейти к микросхемам. В результате резко увеличилась надёж-
ность и время безотказной работы разнообразной аппаратуры, многократно
увеличилось её быстродействие, уменьшилось потребление электроэнергии,
вес, геометрические размеры и другие важные характеристики.

Примеры решения задач

Пример 1. Внешняя контактная разность потенциалов


Определить внешнюю контактную разность потенциалов между двумя
металлами при температуре, равной абсолютному нулю, если глубины потен-
циальных ям равны Wп1  18 эВ и Wп2  16 эВ, а энергии Ферми соответствен-
но WF 1  14 эВ и WF 2  11 эВ.

Решение
В верхней части рис. 7.14 представлены металлы 1 и 2 до и после их со-
прикосновения. В нижней части этого же рисунка в соответствии с данными
задачи приведены схемы зависимости потенциальной энергии электрона от
его места нахождения и положение уровней Ферми в обоих металлах.

а б
Рис. 7.14

В отсутствии контакта между металлами (рис. 7.14, а) уровень Ферми


в первом металле расположен выше, чем во втором и работа выхода, в соответ-
ствии с её определением (7.8), из металла 1 ( A1  Wп1  WF 1 ) меньше, чем из
металла 2 ( A2  Wп2  WF2 ) . Поэтому после их соприкосновения часть электро-
нов из первого металла перейдёт на свободные энергетические уровни второго.
В результате в равновесном состоянии, когда встречные потоки электронов
уравновешиваются, значения энергий Ферми в обоих металлах устанавливаю-
тся на одном уровне (рис. 7.14, б) и между металлами возникает внешняя кон-
тактная разность потенциалов, которая, согласно с выражением (7.9), равна

116
A2  A1 (Wп2  WF 2 )  (Wп1  WF 1 ) 16  11  18  14  1,6 10
19

к    1 В
e e 1,6 1019

Пример 2. Распределение Ферми - Дирака


Определить вероятности f1 и f 2 заполнения электронами двух энерге-
тических уровней в металле, расположенных на W1  0,01 эВ и W2  0,1 эВ
ниже уровня Ферми, при температуре t  27 С.

Решение
В соответствии с распределением Ферми – Дирака (7.1) можно запи-
сать, что вероятности заполнения данных в условия задачи энергетических
уровней определяются равенствами

1 1
f1  (WF  W1 ) WF
и f2  (WF  W2 ) WF
,
e kT
1 e kT
1

где T  (t  273) К – температура металла по шкале Кельвина.


Подставив численные значения, получим, что

1 1
f1  0 ,011
 ,610
 19  0,595 и f2  0 ,11  19
 ,610
 0,979 .
 23
 27273  23
 27273
1 1
1,3810 1,3810
e e
Таким образом, при температуре близкой к комнатной, энергетические
уровни с энергией меньшей от энергии Ферми всего на 0,1 эВ практически
полностью заполнены.

Пример 3. Электропроводность полупроводников


Найти энергию активации W , необходимую для образования пары
электрон – дырка в чистом полупроводнике, если его сопротивление изменяе-
тся в 10 раз при изменении его температуры от t1  20 0С до t2  3 0С.

Решение
В соответствии с соотношением (3.76) сопротивление R полупроводни-
кового образца прямо пропорционально его удельному сопротивлению 
(коэффициент пропорциональности z зависит от геометрических размеров
образца). Учтя связь  с удельной электропроводностью  (3.74) и экспоне-
нциальную зависимость (7.4)  чистого полупроводника от температуры,
можно записать, что сопротивления R1 и R2 образца при разных температурах
определяются выражениями
z z z z
R1`  z1   и R2  z 2   ,
1 
W
2 
W

 0e 2 kT1
 0e 2 kT2

117
где T1  t1  273 и T2  t2  273  температуры образца по шкале Кельвина.
Разделив второе равенство на первое ( R2 > R1 ) и, прологарифмировав
его, получаем

R 2 W 1 1
ln     ,
R1 2k  T2 T1 

откуда энергия активации

R2
2k ln
R1 2  1,38  1023 ln 10
W    2,18  1019 Дж  1,36 эВ.
1 1 1 1
 
T2 T1 270 293

Пример 4. Фотопроводимость полупроводников


Энергия активации германия W  0,74 эВ. Вычислить порог чувстви-
тельности по частоте и длине волны для германиевого фоторезистора. Будет
ли чувствительным этот фоторезистор к видимому свету?

Решение
Частота света  кр , соответствующая красной границе внутреннего фо-
тоэффекта, связана с шириной W запрещённой зоны соотношением (7.7),
откуда
W 0,74 1,6 1019
 кр   34
 1,79  1014 Гц.
h 6,626 10

Из связи длины волны с частотой (5.42) следует, что длина волны  кр


красной границы

c 3  108
кр    1,68  106 м,
 кр 1,79 10 14

где с - скорость света.


Вывод: фоторезистор из германия чувствителен к видимому свету во
всём диапазоне длин волн, так как красная граница внутреннего фотоэффекта
для германия находится в инфракрасной области спектра.

118
ПРИЛОЖЕНИЕ

1. Основные физические константы (округленные данные)



Физическая константа Обозначение Значение
п/п
1 Ускорение свободного падения g 9,81 м/с2
2 Гравитационная постоянная G 6,67 ∙ 10–11 м3/кг∙ с2
3 Скорость света в вакууме c 2.998 ∙ 108 м/с
4 Постоянная Авогадро NА 6,02 ∙ 1023 моль-1
5 Универсальная газовая постоянная R 8,31 Дж/моль∙ К
6 Постоянная Больцмана k 1,38 ∙ 10–23 Дж/К
7 Элементарный заряд e 1,60 ∙ 10–19 Кл
8 Масса покоя электрона me 9,109 ∙ 10–31 кг
9 Масса покоя протона mp 1,6725 ∙ 10–27 кг
10 Масса покоя нейтрона mn 1,6748 ∙ 10–27 кг
11 Атомная единица массы а.е.м. 1,6597 ∙ 10–27 кг
12 Электрическая постоянная ε0 8,85 ∙ 10–12 Ф/м
13 Магнитная постоянная 0 12,56∙10–7 Гн/м

2. Показатели преломления
Материал n Материал n
Алмаз 2,42 Сероуглерод 1,63
Вода 1,33 Скипидар 1,48
Лёд 1,31 Стекло 1,5-1,9

3. Работа выхода электронов из металла, эВ


Металл А Металл А
W 4,5 Ag 4,74
W+Cs 1,6 Li 2,4
W+Th 2,63 Na 2,3
Pt+Cs 1,40 K 2,0
Pt 5,3 Cs 1,9

4. Периоды полураспада некоторых радиоактивных элементов


Элемент T Элемент T
Ca 45 164 сут Ra 226 1590 лет
20 88

Sr 90 28 лет U 235 7,1  10 8 лет


38 92

Po210 138 сут U 238 4,5 10 9 лет


84 92

Rn222 3,82 сут


86

119
5. Массы некоторых изотопов, а. е. м.
Изотоп Масса Изотоп Масса Изотоп Масса
H 1 1,00783 Be 9 9,01218 Si 30 29,97377
1 4 14

H 2 2,01410 B 10 10,01294 Ca 40 39,96257


1 5 20

H3 3,01605 C12 12,0 Co56 55,93984


1 6 27

He3 3,01603 N 13 13,00574 Cu 63 62,92960


2 7 29

He4 4,00260 N 14 14,00307 Cd 112 111,90276


2 7 48

Li 6 6,01512 O17 16,99913 Hg 200 199,96832


3 8 80
7 7,01693 23 22,99413 235 235,04393
3 Li 12 Mg 92U

Be7 7,01693 Mg 24 23,98504 U 238 238,05353


4 12 92

Be8 8,00531 Al 27 26,98154


4 13

6. Множители и приставки для образования десятичных кратных


и дольных единиц и их наименование
Приставка № Приставка
№ Множи- Множи-
назва- обозна- п/ назва- обозна-
п/п тель тель
ние чение п ние чение
1 экса Э 1018 9 деци д 10–1
2 пета П 1015 10 санти с 10–2
3 тера Т 1012 11 мили м 10–3
4 гига Г 109 12 микро мк 10–6
5 мега М 106 13 нано н 10–9
6 кило к 103 14 пико п 10–12
7 гекто г 102 15 фемто ф 10–15
8 дека да 101 16 атто а 10–18

7. Греческий алфавит
№ Обозначение № Обозначение
Название букв Название букв
п/п букв п/п букв
1 A, α альфа 13 Ν, ν ню
2 В, β бета 14 Ξ, ξ кси
3 Г, γ гамма 15 О, ο омикрон
4 Δ, δ дельта 16 П, π пи
5 Е, ε эпсилон 17 Р, ρ ро
6 Ζ, ζ дзета 18 Σ, σ сигма
7 Н, η эта 19 Т, τ тау
8 Θ, θ тета 20 Υ, υ ипсилон
9 Ι, ι йота 21 Ф, φ фи
10 Κ, κ каппа 22 Х, χ хи
11 Λ, λ ламбда 23 Ψ, ψ пси
12 М, μ мю 24 Ω, ω омега

120
ЛИТЕРАТУРА

1. Савельев И. В. Курс общей физики. Т. 1-4.  М.: КноРус, 2009.


2. Кучерук І.М. та ін. Загальний курс фізики. Т. 1-3. – Київ: Техніка, 1999.
3. Яворский Б.М., Детлаф А.А., Лебедев А.К. Справочник по физике. М.: Мир
и образование., 2006.
4. Физическая энциклопедия. Под ред. А.М. Прохорова, М.: Советская
энциклопедия, 1988.
5. Горбачук І.Т. Загальна фізика (збірник задач). Київ: Вища школа, 1993.

121
Учебное издание

Борисенко Виталий Григорьевич


Деркач Юрий Федорович
Кривцова Валентина Ивановна
Умеренкова Ксения Ростиславовна

ФИЗИКА
Разделы: МАГНИТНОЕ ПОЛЕ. ЭЛЕКТРОМАГНЕТИЗМ.
КОЛЕБАНИЯ, ВОЛНЫ И ВОЛНОВЫЕ ЯВЛЕНИЯ.
ЭЛЕМЕНТЫ КВАНТОВОЙ МЕХАНИКИ.
ФИЗИКА АТОМА И АТОМНОГО ЯДРА.
ЭЛЕМЕНТЫ ФИЗИКИ ТВЁРДОГО ТЕЛА

Справочник

Подписано к печати 23.01.15. формат 60 х 84 1/16.


Бумага 80 г/м2. Печать ризограф. Условн.-печ. лист. 7,6.
Тираж изд. № 127/14. Зак. № 716/14.
Сектор редакционно-издательской деятельности
Национального университета гражданской защиты Украины
61023, г. Харьков, ул. Чернышевская, 94

122
123
124