Вы находитесь на странице: 1из 9

73

a 0 D n a 0 1,25  D n
Поток ионов на стенку nu iст  r 2,4  0,52  rcт
.

Для сохранения этого потока концентрация на стенке не может быть
равна нулю и определяется из условия ограничения дрейфовой
ионной скорости при входе в слой пространственного заряда у
k Te  Ti 
стенки значением ионной скорости звука u iст  ,
M

D a n 0  rст   r  k Te  Ti 
nu icт  J1   n 0J 0  ст   .
Da z  Da z   Da z  M

Da
Отсюда определяется точное значение и условный радиус
z
Da
r0  2,4  rст  r Приближенно его можно определить из
z
dn
следующих соображений: вблизи стенки примерно постоянен, и
dr
dn
можно полагать n г р   r ,
dr
kT dn dn kT
nг р    Da    r  ,
M dr dr M
D kT M
отсюда r  kTa M    i ;
in

T=Te+Ti.  i  длина пробега ионов.

8. ОСОБЕННОСТИ ПЛАЗМЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

8.1. Энергетические зоны

В изолированном атоме электроны находятся на дискретных


энергетических уровнях (состояниях), определяемых квантовыми
числами «n» и «l», «j». В твердом теле, вследствие близкого
расположения атомов друг к другу, электроны всех атомов
взаимодействуют друг с другом и каждый уровень изолированного
атома расщепляется на N подуровней, где N  число атомов в
кристалле. Образуется очень тесная, практически сплошная
разрешенная энергетическая зона. Чем слабее связан уровень с
атомом, т. е. чем он выше, тем больше ширина зоны. Зоны
разрешенных энергий отделяются друг от друга запрещенными
74

энергетическими зонами. В начальном невозбужденном состоянии


заполняются самые низкие энергетические зоны. По характеру
заполнения зон и вытекающих отсюда электрических свойств все
вещества делятся на группы:
1. Вещества с неполным заполнением верхней из разрешенных зон,
содержащей электроны. Здесь электроны могут принимать любые
малые доли энергии, переходя на соседние подуровни,
следовательно, и приобретать импульсы для движения  тока.
Типичные представители  щелочные металлы.
2. Вещества, у которых верхняя зона полностью заполнена, но она
перекрывается со следующей свободной зоной, образуя единую,
частично заполненную зону. Это тоже металлы 
щелочноземельные, а также медь, золото и др.
3. Вещества с полностью заполненной так называемой валентной
зоной, отделенной от других свободных зон проводимости.

Если ширина запрещенной зоны между зоной проводимости и


валентной зоны большая (4~5 эВ)  это диэлектрики. У
полупроводников ширина зоны меньше (0,5~1,2 эВ) и при T>0 часть
электронов валентной зоны с определенной вероятностью могут
перейти в зону проводимости. Свободные уровни валентной зоны,
оставленные электронами, называются дырками. Появившиеся в
зоне проводимости электроны и электроны, оставшиеся в валентной
зоне, теперь могут принимать некоторую добавочную энергию и
участвовать в протекании тока через вещество. В валентной зоне
электрический ток имеет характер движения дырки, поочередно
образуемой перескакиваемыми на ее место электронами, т. е.
характер движения положительного заряда.

8.2. Концентрация зарядов


75

При незаполненной энергетической зоне и T>0 часть


электронов переходит на более верхние уровни, оставляя
свободными низкие. Распределение концентрации электронов по
энергиям можно представить в виде dN   F   f    d , где
1
f    v 0  распределение электронов по состояниям,
e kt 1
подчиняющееся сатистике ФермиДирака, F    плотность
квантовых состояний, показывающая, сколько дискретных
подуровней может быть при заданной энергии, учитывая, что
элементарный объем в пространстве импульсов равен h3. Тогда
2 dp
3
2  4 p 2 dp 4 
 3  2 m*   1 2 d .
32
F   d  F p dp  3
 3
h h h
Здесь 2 учитывает, что в одном состоянии может быть два электрона,
p2 1
различающиеся спином,  ; dp  2 m*   1 2 d  , m* 
2 m* 2
эффективная масса заряда;  ф  энергия Ферми или химический
потенциалприращение свободной энергии системы при добавлении
к ней одного электрона, формально рассматривается как энергия
квантового состояния с вероятностью 1/2. Уровень Ферми
определяется из условия нормировки, чтобы сохранялось полное
гр

число зарядов N:  dN   N.
0

а) Собственные полупроводники

В собственных полупроводниках отрицательные носители 


это электроны в зоне проводимости, положительные  дырки в
валентной зоне. Уровень Ферми находится вблизи середины
запрещенной зоны. Энергия обычно отсчитывается от дна валентной
зоны, при этом  v  энергия верхнего уровня валентной зоны,  c 
энергия нижнего уровня зоны проводимости. Плотность квантовых
состояний электронов в зоне проводимости и дырок в валентной
зоне равна

4
  4
 
32 32
F    3
2 m*n    с  1 2 ; Fp     3
2 m*p   v   1 2 .
h h
Статистика для дырок аналогична стиатистике для электронов, т. к.
она определяет вероятность того, что энергетический уровень не
занят электронами.
76

 ф 
1 
f    ф
e kT
, т. к.    ф  kT ;
e kT 1
ф
kT 
  ф  
1 e 1
fp    1  ф
 ф
 ф 
e kT
.
e kT 1 e kT 1 1 e kT

Тогда для концентрации электронов в зоне проводимости получим


гр  12  ф   с ф 
4
 
32  
N n   F   f    d  3 2 m*n
h
    c  e kT d  N c  e kT ,
 0 0
32 32 32
 2 m*n kT  25 
m*   T 
где N c  2   2,5  10  n   
 300 
M3  эффективная
 h2   m
плотность состояний в зоне проводимости.
При вычислении интеграла было использовано соотношение
 ax 
e x1 2 dx 
2a 3 2
. Аналогичный расчет для дырок в валентной зоне
 ф v 
32
 2m *p kT 
дает N p  N ve

kT , где N v  2 
  эффективная плотность
 h2 
состояний в валентной зоне.
В состоянии равновесия Nn= Np, отсюда находится положение
уровня Ферми
ф с  ф v  с   v 3  m*p 
     
N  e kT = N  e kT , ф  *.
 kT ln
c 2 4v  mn 
 g
Подстановка  ф дает
Nn  Np   NcN v 
1 2  kT
e  Ni  собственная
концентрация носителей.  g   c   v  ширина запрещенной зоны.

б) Примесные полупроводники

Для примесного электронного полупроводника условие


нейтральности среды запишется в виде N n  N p  N pд , где N pд 
концентарция положительных ионов донорной примеси. Уровень
Ферми вследствие легкости ионизации доноров должен находиться
вблизи донорного уровня достаточно близко к зоне проводимости, а
при большой концентрации даже входить в нее. Вследствие этого
электроны в зоне проводимости могут быть вырождены и
подчиняться статистике Ферми. Тогда N n  N c F1 2    , где

2 x1 2 dx ф  
F1 2    
 0 1  e x  
 интеграл Ферми.   , при   1
kT
F1 2  e   распределение Больцмана.
77

 -2 -1,8 -1,6 -1,4 -1,2 -1,0 -0,8 -0,6


F1 2 0,129 0,156 0,188 0,227 0,273 0,327 0,391 0,466

 -0,4 -0,2 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0


F 1 2 0,552 0,651 0,765 0,893 1,039 1,200 1,379 1,575

 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 5,0 6,0


F1 2 2,145 2,824 3,607 4,488 5,488 6,545 8,844 11,45

Для концентрации ионизованных атомов доноров можно


записать:
1
N pд  N д ф д , где Nд  полная концентрация донорных примесей
e kT 1
(концентрация оставшихся на донорном уровне электронов равна
Ng
N дn  д ф ).
e kT 1
Для дырок в валентной зоне функцию распределения всегда можно
считать больцмановской изза далекого расположения уровня Ферми
от уровня этих зон. Уравнение баланса запишется в виде
ф v
 ф  с   1
N c F1 2    N ve kT  Ng ф д . Отсюда находится уровень
 kT 
e kT 1
Ферми, а затем и концентрация.
Часто применяют следующие упрощения:
1. При достаточной концентрации примесей концентрацией дырок в
валентной зоне можно пренебречь;
2. Если концентрация доноров не слишком велика, электроны не
будут вырождены;
3. Показатель экспоненты в знаменателе третьего члена обычно
велик, и распределение можно считать тоже больцмановским.
c ф ф д
Тогда можно записать: N  N e  kT  Nдe

kT
n c
д  c kT N c c д
и ф  2

2
ln

, N n  N c N д e kT .
Аналогично при акцепторных примесях не слишком большой
концентрации можно пренебречь концентрацей электронов в зоне
д  v

проводимости и считать N p  NvNд e kT . Во всех случаях
N p N n  N 2i и не зависит от концентрации примесей.
78

Пример: определить положение уровня Ферми и концентрацию


носителей в германии с концентрацией атомов 4,4  1028 м-3 и
концентрацией донорных примесей а) N д  4,4  1022 м-3, б) N д  4,4  1024
м-3. Ширина запрещенной зоны германия при T=300 K,  з  0,803 эВ,
kT=0,0259 эВ, m*n  0,5m , m*p  0,37 m ,  c   д  0,01 эВ.
Определим концентрацию собственных носителей:
 з
1 2  kT = 2,5  1019 м-3, N v  5,6  1024 м-3,
Ni   NcN v  e
32 32
 m*   T 
N c  2,5  1025  n     1,07  1025 м-3. Концентрацией собственных
 m  300 

носителей можно пренебречь, т. к. она в обоих случаях существенно


меньше концентрации доноров.
При определении уровня Ферми будем считать электронный газ
в зоне проводимости невырожденным. Тогда
д  с kT N c
а)  ф  2
 ln
2 Nд
= 0,656 эВ, б)  ф  0,775 эВ (энергию
отсчитываем от верхнего уровня валентной зоны).
В первом случае уровень Ферми располагается ниже уровня
донорных примесей, во втором  практически с ним совпадает,
поэтому в обоих случаях доноры будут почти полностью
ионизованы Nn~ Nд.
Для уточнения значения концентраций запишем уравнения
c ф 1
  ф д 
баланса: N n  N ce kT  N д  e kT


 1


.
Отсюда сначала определяется уточненное значение уровня Ферми,
затем концентрация носителей.
а)  ф  0,66 эВ, N n  4,4  1022 м-3, N p  1,4  1016 м-3.
б)  ф  0,78 эВ, N n  2,7  1024 м-3, N p  2,1  1014 м-3.

8.3. Уравнение движения (плотность тока)

Основные типы столкновений подвижных зарядов в


полупроводнике  это столкновения с фононами решетки и
ионизированными примесями. Вследствие большой частоты
столкновений для уравнений движения применимо диффузионное
приближение:  
jn   e n N n E  eD n N n , jp   e p N p E  eD p N p .
В примесных полупроводниках в зависимости от типа
примесей одним из этих уравнений пренебрегают. Ионные же
остатки примесей не могут перемещаться по кристаллу.
e e
  *  подвижность носителей,
m  эф
*
m
79

 kT kT 
D   коэффициент диффузии,
e m*
  среднее время релаксации функции распределения носителей.
Электропроводность полупроводника определятся
выражением
e2 N n  n e2 N p  p
  e n N n  e p N p   . Здесь также обычно
m*n m*p
рассматривают только один член.
В общем случае подвижность является функцией концентрации
примесей, температуры и электрического поля:   f  N  , T, E  .
Обычно по известным экспериментальным значениям эти функции
представляют в виде аналитических выражений. Так, для кремния
зависимость подвижности от концентрации примесей (до 10 20 см-3)
имеет вид:
0 ,146 1
  
0,88Tн 
 2,33  N 
 n  88  T’ 0,57 8
 7,4  10 T 1   ,
  1,26  1017 Tн2, 4  
 
 0 ,146 1
  
0,88Tн 
N
 p  54,3  Tn 0,57  1,36  108 T  2,23 1     ,
  2,35  1017 Tн2, 4  
 
см 2 T
здесь    ,  N    см 3 ,  T  K , Tн  .
Вс 300
Зависимость подвижности от напряженности электрического
 1 
  E 
поля обычно берут в виде  E   0  1   E   . Для кремния   2 ,
 0 

E 0  1,95  104 В см  для электронов и   1 , E 0  0,8  104 В см  для


дырок.
При полях E  E 0 носители на длине пробега набирают
энергию, близкую к тепловой. Дальнейшее увеличение поля
приводит к насыщению скорости и энергии носителей из-за
усиления взаимодействия, связанного с испусканием фононов и
ударной ионизацией.

8.4. Уравнение непрерывности.


Рекомбинация носителей
N n N p
t
 div N n Vn   g n  rn , t
 
 div N p Vp  g p  rp ,

g и r  число генераций и рекомбинаций носителей в единице


объема. При термодинамическом равновесии g = r, поэтому в правой
части уравнений непрерывности записывают только их разность от
равновесных значений:
80

g n  rn  
N N
n p  N 2i   g p  rp , где   время жизни носителя,

p  N n  Ni   n N p  Ni 
определяемое как процессом прямой электроннодырочной
рекомбинацией, так и рекомбинацией через примеси и дефекты:

1 1 N N0 2 1 1  N N0 2
  Cp Na ; 

 C n N g ; для кремния  n 0  6,6  10 4 c
n  n0 p  p0
,  p 0  3,95 10 4 c , N 0  7,1  1015 см 3 , C p  2,3  10 31 1 см 6 с ,
C n  10 31 1 / см 6 c .

8.5. Уравнение Пуассона. Явления на контактах

При отсутствии квазинейтральности в полупроводнике


появляется внутреннее электрическое поле, подчиняющееся
e
уравнению Пуассона:  2    n  p  N*  , где N *  N д  N a .
0
Такое поле возникает вблизи контакта полупроводников разных
типов, либо контакта металл  полупроводник при выравнивании
уровня Ферми в соседних
областях.

Часть носителей за счет диффузии перейдет в более бедную


соседнюю область, но возникающая при этом контактная разность
потенциалов будет препятствовать их дальнейшему переходу.
Решение уравнения Пуассона определяет толщину переходных слоев
и распределение концентрации в них. Для решения уравнения
Пуассона переходная область разбивается на ячейки, в одномерном
81

случае чаще используют метод прогонки, при сложных границах в


двумерном случае применяют итерационные методы.