Profesor: Carlos Valhorrat

Alumna: De Blasis Bárbara

5to Año TM – Viernes

Informe sobre Transistores

 5to Año TM – Viernes [INFORME SOBRE TRANSISTORES]

Indice del Documento:

Indice del Documento:....................................................................................................2
Introducción...................................................................................................................3
¿Que es un transistor?....................................................................................................3
Historia de los transistores..............................................................................................3
Regiones Operativas del transistor.................................................................................4
Tipos de transistores.......................................................................................................5
Los transistores y su simbología.....................................................................................5
TRANSISTORES BJT..........................................................................................................6
Tipos de transistores de unión bipolar.............................................................................6
NPN..........................................................................................................................6
PNP..........................................................................................................................6
Transistor Bipolar de Heterounión............................................................................6
Curva característica de los BJT........................................................................................7
Aplicaciones del BJT, usos y ventajas principales............................................................7
TRANSISTORES FET.........................................................................................................8
Curva característica de los FET.......................................................................................9
Aplicaciones de JFET......................................................................................................11
TRANSISTORES MOSFET................................................................................................12
Curva característica de los MOSFET..............................................................................12
Aplicaciones de los transistores MOSFET.......................................................................14
Ventajas.................................................................................................................14
FOTOTRANSISTOR.........................................................................................................14
Curvas de funcionamiento de un fototransistor.............................................................15
Aplicaciones de Fototransistor......................................................................................15
Links de Noticias de interés sobre el tema tratado.......................................................15
Links de Noticias de interés sobre el tema tratado

Introducción
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¿Que es un transistor?

El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de

amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término "transistor" es la
contracción en inglés de transfer resistor ("resistencia de transferencia").

Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el diseño de
circuitos electrónicos de reducido tamaño, gran versatilidad y facilidad de control.
Vienen a sustituir a las antiguas válvulas termoiónicas de hace unas décadas. Gracias a
ellos fue posible la construcción de receptores de radio portátiles llamados
comúnmente "transistores", televisores que se encendían en un par de segundos,
televisores en color... Antes de aparecer los transistores, los aparatos a válvulas tenían
que trabajar con tensiones bastante altas, tardaban más de 30 segundos en empezar a
funcionar, y en ningún caso podían funcionar a pilas, debido al gran consumo que
tenían.

Historia de los transistores

El transistor se ha venido considerando desde hace tiempos como el mayor invento

realizado en el siglo XX. Este dispositivo electrónico básico, de tres terminales, originó
los circuitos integrados y todos los elementos de la alta escala de integración. Son
muchas las personas y los científicos que aseguran que la era de la comunicación
estableció una base perfecta gracias al transistor.

Este dispositivo fue creado en los Laboratorios Bell de AT&T; los cuales buscaban un
conmutador que reemplazara a los relés y los sistemas de barras, y que se utilizara en
la telefonía. El transistor germina de la unión de tipo PNP o del NPN. Su nombre fue
dado por J.P Pierce. Según Quentin Kaiser sin no se hubiera originado los detectores de
cristal (que eran muy necesarios para el radar de UHF y los microondas) no se hubiera
creado estos transistores con las prestaciones que hoy en día le caracteriza. La patente
de invención estuvo en secreto por siete meses, hasta que se pudo detallar de manera
ordenada el funcionamiento de este dispositivo. La patente fue entregada a Walter

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Brattain y a John Bardeen por su transistor de punta de contacto. En el año 1951 fue
que surgió el transistor de juntura que fue concedida a William Shonckley.

Un idea del comportamiento que realiza el transistor se puede apreciar usando un

indicador de corriente, una fuente de tensión continua y dos resistencias con
interruptores. Las resistencias se deben de conectar entre la base y el colector, y la
fuente entre el emisor y el colector. Con estos dos interruptores totalmente abiertos no
se producirá corriente de base, y el indicador de corriente mostrará una corriente nula.
Ahora bien, para originar una corriente de colector o de base, solamente se debe de
cerrar uno de los interruptores. Y para crear un paso de corriente mucho mayor se
deberá de cerrar los dos interruptores. Es por ello que se llega a la conclusión, de que
el interruptor se comporta como si fuera una resistencia, donde la corriente de base
controla su valor completamente.

EL CK703, uno de los primeros transistores comercializados (1948,

1949)

Regiones Operativas del transistor

• Región de corte: Un transistor esta en corte cuando: corriente de colector

= corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0). En este caso el voltaje entre el
colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentación del circuito.
(como no hay corriente circulando, no hay caída de voltaje, ver Ley de Ohm).
Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0)

• Región de saturación: Un transistor está saturado cuando: corriente de

colector = corriente de emisor = corriente máxima, (Ic = Ie = I máxima). En
este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentación del
circuito y de los resistores conectados en el colector o el emisor o en ambos,
ver ley de Ohm. Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de
base es lo suficientemente grande como para inducir una corriente de colector
β veces más grande. (recordar que Ic = β * Ib)

• Región activa: Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni

en la región de corte entonces está en una región intermedia, la región activa.
En esta región la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la
corriente de base (Ib), de β (ganancia de corriente de un amplificador, es un
dato del fabricante) y de las resistencias que hayan conectadas en el colector y
emisor). Esta región es la más importante si lo que se desea es utilizar el
transistor como un amplificador.

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Tipos de transistores
Existen varios tipos que dependen de su proceso de construcción y de las aplicaciones
a las que se destinan.
Los más comunes y conocidos son:
Transistor Bipolar de Unión (BJT)

Transistor de efecto campo , de unión (JFET)

Transistor de efecto campo , de metal- oxido-semiconductor (MOSFET)

Fototransistor

Los transistores y su simbología

BJT

JFET

MOSFET

FOTOTRANSI
STOR

TRANSISTORES BJT
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Tipos de transistores de unión bipolar

NPN
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P"
se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del
transistor. La mayoría de los transistores bipolares usados hoy en día son NPN, debido
a que la movilidad del electrón es mayor que la movilidad de los "huecos" en los
semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operación.
Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la
"base") entre dos capas de material dopado N. Una pequeña corriente ingresando a la
base en configuración emisor-común es amplificada en la salida del colector.
La flecha en el símbolo del transistor NPN está en la terminal del emisor y apunta en la
dirección en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en
funcionamiento activo.

PNP
El otro tipo de transistor de unión bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refiriéndose
a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos
transistores usados hoy en día son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor
desempeño en la mayoría de las circunstancias.
Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre
dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comúnmente operados con
el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de
alimentación a través de una carga eléctrica externa. Una pequeña corriente
circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde el
emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP está en el terminal del emisor y apunta en la dirección en
que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento
activo.

Transistor Bipolar de Heterounión

El transistor bipolar de heterounión (TBH) es una mejora del BJT que puede manejar
señales de muy altas frecuencias, de hasta varios cientos de GHz. Es un dispositivo
muy común hoy en día en circuitos ultrarrápidos, generalmente en sistemas de
radiofrecuencia.
Los transistores de heterojuntura tienen diferentes semiconductores para los
elementos del transistor. Usualmente el emisor está compuesto por una banda de
material más larga que la base. Esto ayuda a reducir la inyección de portadores
minoritarios desde la base cuando la unión emisor-base está polarizada en directa y
esto aumenta la eficiencia de la inyección del emisor. La inyección de portadores
mejorada en la base permite que esta pueda tener un mayor nivel de dopaje, lo que
resulta en una menor resistencia. Con un transistor de unión convencional, también
conocido como transistor bipolar de homojuntura, la eficiencia de la inyección de
portadores desde el emisor hacia la base está principalmente determinada por el nivel
de dopaje entre el emisor y la base. Debido a que la base debe estar ligeramente
dopada para permitir una alta eficiencia de inyección de portadores, su resistencia es
relativamente alta.

Curva característica de los BJT

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El transistor BJT dispone de dos curvas: la primera se utiliza para definir el

comportamiento de la unión base emisor y la segunda para definir el
funcionamiento entre colector y emisor.

La curva emisor, es similar a la de un diodo normal, con la diferencia de que los

niveles de corriente ahora son muy pequeños en el orden de los µA. Por otra
parte, la curva colector emisor o de salida, nos indica que para cada valor de
corriente de base existirá una corriente de colector que variara dependiendo
del voltaje colector emisor. La curva de salida es probablemente la más
importante de todas, sin embargo resulta a veces demasiado confusa, es por
esto que es común utilizar una formula matemática que recibe el nombre de
ganancia o factor de amplificación:

Este factor nos indica la cantidad de veces que se amplifica la corriente de

base.

Aplicaciones del BJT, usos y ventajas principales

APLICACIÓN PRINCIPAL VENTAJA USOS

Aislador o Separador Impedancia de entrada Uso general, equipos de

(buffer) alta y de salida baja medida receptores

Amplificador de RF Bajo ruido Sintonizadores de FM,

equipo para

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comunicaciones

Mezclador Baja distorsión de Receptores de FM, y TV ,

intermodulación equipos para
comunicaciones

Amplificador con CAG Facilidad para controlar Receptores generadores

ganancia de señales

Amplificador Cascodo Baja capacidad de Instrumentos de

entrada medición , equipos de
prueba

Troceador Ausencia de deriva Amplificadores de cc,

sistemas de control de
dirección

Resistor variable por Se controla por voltaje Amplificadores

voltaje operacionales, órganos
electrónicos, controlas
de tonos

Amplificador de baja Capacidad pequeña de Audífonos para sordera ,

frecuencia acoplamiento transductores inductivos

Oscilador Mínima variación de Generadores de

frecuencia frecuencia patrón,
receptores

Circuitos MOS Digital Pequeño tamaño Integración a gran

escala, computadoras,
memorias.

TRANSISTORES FET

Con los transistores bipolares observábamos como una pequeña corriente en la base
de los mismos se controlaba una corriente de colector mayor. Los Transistores de
Efecto de Campo son dispositivos en los que la corriente se controla mediante tensión.
Cuando funcionan como amplificador suministran una corriente de salida que es
proporcional a la tensión aplicada a la entrada. Características generales:
Por el terminal de control no se absorbe corriente.
Una señal muy débil puede controlar el componente
La tensión de control se emplea para crear un campo eléctrico.

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Se empezaron a construir en el década del 60. Existen dos tipos de transistores de

efecto de campo los JFET (transistor de efecto de campo de unión) y los MOSFET. Los
transistores MOS respecto de los bipolares ocupan menos espacio por lo que su
aplicación más frecuente la encontramos en los circuitos integrados.
Es un componente de tres terminales que se denominan: Puerta (G, Gate), Fuente (S,
Source), y Drenaje (D, Drain). Según su construcción pueden ser de canal P o de canal
N.

Curva característica de los FET

La curva característica del FET define con precisión como funciona este dispositivo. En
ella distinguimos tres regiones o zonas importantes:
Zona lineal: El FET se comporta como una resistencia cuyo valor depende de
la tensión VGS.
Zona de saturación: A diferencia de los transistores bipolares en esta zona, el
FET, amplifica y se comporta como una fuente de corriente controlada por la
tensión que existe entre Puerta (G) y Fuente(S),VGS.
Zona de corte.- La intensidad de Drenador es nula.

Característica de Salida

Al variar la tensión entre drenador y surtidor varía la intensidad de drenador

permaneciendo constante la tensión entre puerta y surtidor.
En la zona óhmica o lineal se observa como al aumentar la tensión drenador surtidor
aumenta la intensidad de drenador.
En la zona de saturación el aumento de la tensión entre drenador y surtidor produce

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una saturación de la corriente de drenador que hace que esta sea constante. Cuando
este transistor trabaja como amplificador lo hace en esta zona.
La zona de corte se caracteriza por tener una intensidad de drenador nula.
La zona de ruptura indica la máxima tensión que soportará el transistor entre
drenador y surtidor.
Es de destacar que cuando la tensión entre puerta y surtidor es cero la intensidad de
drenador es máxima.
Característica de transferencia

Indican la variación entre la intensidad de drenador en función de la tensión de puerta.

Aplicaciones de JFET

Las aplicaciones genéricas para este tipo de transistores son:

ELECTRONICA ANALOGICA
Para estas aplicaciones de emplean transistores preparados para conducir grandes
corrientes y soportar elevadas tensiones en estado de corte.
• Resistencias variables de valor gobernable por tensión (variando la anchura del
canal).
• Amplificadores de tensión, especialmente en la amplificación inicial de señales
de muy baja potencia.
• Control de potencia eléctrica entregada a una carga.
En el caso de la amplificación los circuitos se diseñan para que el punto de operación
DC del MOS se encuentre en la región de saturación. De este modo se logra una
corriente de drenaje dependiente sólo de la tensión VGS.
ELECTRONICA DIGITAL
Los MOS se emplean a menudo en electrónica digital, debido a la capacidad de trabajar
entre dos estados diferenciados (corte y conducción) y a su bajo consumo de potencia

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de control. Para esta aplicación se emplean dispositivos de muy baja resistencia, de

modo que idealmente pueda considerarse que:
• La caída de tensión en conducción es muy pequeña.
• La transición entre el estado de corte y el de conducción es instantánea.

TRANSISTORES MOSFET

Curva característica de los MOSFET

El FET de semiconductor–oxidometal, o MOSFET posee cuatro electrodos llamados
“fuente” “compuerta” “drenaje” y “sustrato”. A diferencia del JFET, FET de juntura o
simplemente FET o transistor de efecto de campo, la compuerta está aislada
galvánicamente del canal. Por esta causa, la corriente de compuerta es
extremadamente pequeña, tanto cuando la tensión de compuerta es positiva como
cuando es negativa. La idea básica se puede observar en la figura 1, en donde se
muestra un corte de un MOSFET de empobrecimiento de canal N. Se compone de un
material N (silicio con impurezas dadoras) con una zona tipo P a la derecha y una
compuerta aislada a la izquierda. A similitud de una válvula electrónica, en donde los
electrones libres circulan desde el cátodo a la placa, en un MOSFET circulan desde el
terminal de “fuente” al de “drenaje”, es decir desde abajo hacia arriba en el dibujo. En
la válvula lo hacen por el vacío y en el MOSFET por el silicio tipo N. La zona P se llama
sustrato (algunos autores la llaman cuerpo) y opera como si fuera una pared que
presenta una dificultad a la circulación electrónica. Los electrones deben pasar por un
estrecho canal entre la compuerta y el sustrato. La idea es que el silicio tipo N es un
buen conductor, pero en la zona del sustrato se agregan impurezas tipo P que cancelan
esa conductividad haciendo que esa zona sea aisladora.

Sobre el canal se agrega una delgada capa de dióxido de silicio (vulgarmente vidrio)
que opera como aislante. Sobre esta finísima capa de vidrio se realiza una metalización
que opera como compuerta. Dado que la compuerta es aislada, se puede colocar en
ella un potencial tanto negativo como positivo, tal como se puede observar en la figura
2:
• a) Tensión de puerta negativa
• b) Tensión de puerta positiva

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En la parte (a) se muestra un MOSFET de empobrecimiento con una tensión de

compuerta negativa.
La alimentación VDD, obliga a los electrones libres a circular desde la fuente hacia el
drenaje. Estos circulan por el canal estrecho a la izquierda del sustrato P. La tensión de
compuerta controla el ancho del canal. Cuanto más negativa sea la tensión de
compuerta, menor será la corriente que circula por el MOSFET debido a que el campo
eléctrico empuja a los electrones contra el sustrato. Inclusive una tensión
suficientemente negativa podrá, eventualmente, cortar la circulación de corriente.
Cuando se pone tensión positiva en la compuerta, el canal N tiene toda su capacidad
libre y el MOSFET se comporta como una llave cerrada. En las curvas de la figura 3 se
puede observar el paralelismo extremo entre una válvula y un MOSFET. En “a” se
puede observar la familia de curvas para diferentes tensiones de compuerta.

La corriente de drenaje se mantiene prácticamente constante independientemente de

la tensión de “drenaje-fuente”, salvo en la zona inicial que se llama zona óhmica y que
no es utilizada cuando el transistor funciona como llave.
La familia de curvas se suele dividir en dos secciones. Las que están por debajo de cero
y hasta VGSoff se llama sección de empobrecimiento y las que están por encima
sección de enriquecimiento. Esto significa que el canal no sólo se puede angostar; en
efecto, si se colocan tensiones positivas en la compuerta las lagunas del sustrato son
repelidas y el canal se ensancha.
En “b” se puede observar la curva de transferencia de un MOSFET de empobrecimiento
en donde Idss es la corriente de drenaje con la puerta en cortocircuito.
Como la curva se extiende hacia la derecha, ésta no es la máxima corriente de drenaje.
En efecto, tensiones positivas de compuerta generan una corriente de drenaje mayor.

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Aplicaciones de los transistores MOSFET

La forma más habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo CMOS,
consistentes en el uso de transistores pMOS y nMOS complementarios. Véase
Tecnología CMOS
Las aplicaciones de MOSFET discretos más comunes son:
• Resistencia controlada por tensión.
• Circuitos de conmutación de potencia (HEXFET, FREDFET, etc).
• Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.

Ventajas

La principal aplicación de los MOSFET está en los circuitos integrados, p-mos, n-mos y
c-mos, debido a varias ventajas sobre los transistores bipolares:
• Consumo en modo estático muy bajo.
• Tamaño muy inferior al transistor bipolar (actualmente del orden de media
micra).
• Gran capacidad de integración debido a su reducido tamaño.
• Funcionamiento por tensión, son controlados por voltaje por lo que tienen una
impedancia de entrada muy alta. La intensidad que circula por la puerta es del
orden de los nanoamperios.
• Un circuito realizado con MOSFET no necesita resistencias, con el ahorro de
superficie que conlleva.
• La velocidad de conmutación es muy alta, siendo del orden de los
nanosegundos.
• Cada vez se encuentran más en aplicaciones en los convertidores de alta
frecuencias y baja potencia

FOTOTRANSISTOR

Un fototransistor es una combinación integrada de fotodiodo y transistor

bipolar npn (sensible a la luz) donde la base recibe la radiación óptica. Existen
transistores FET (de efecto de campo), que son muy sensibles a la luz.
La radiación luminosa se hace incidir sobre la unión colector base cuando éste
opera en la RAN. En esta unión se generan los pares electrón - hueco, que
provocan la corriente eléctrica.
El funcionamiento de un fototransistor viene caracterizado por los siguientes
puntos:

♦ Al exponer el fototransistor a la luz, los fotones entran en contacto con la

base del mismo, generando huecos y con ello una corriente de base que hace
que el transistor entre en la región activa, y se presente una corriente de
colector a emisor. Es decir, los fotones en este caso, reemplazan la corriente
de base que normalmente se aplica eléctricamente. Es por este motivo que a
menudo la patilla correspondiente a la base está ausente del transistor. La
característica más sobresaliente de un fototransistor es que permite detectar
luz y amplificar mediante el uso de un sólo dispositivo. (Ib=0)

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♦ La sensibilidad de un fototransistor es superior a la de un fotodiodo, ya que

la pequeña corriente fotogenerada es multiplicada por la ganancia del
transistor.

Curvas de funcionamiento de un fototransistor

Las curvas de funcionamiento de un fototransistor son las que aparecen en la

siguiente grafica. Como se puede apreciar, son curvas análogas a las del
transistor BJT, sustituyendo la intensidad de base por la potencia luminosa por
unidad de área que incide en el fototransistor.

Curva de funcionamiento típico de un fototransistor

Aplicaciones de Fototransistor
El fototransistor es muy utilizado para aplicaciones donde la detección de iluminación
es muy importante. Como el fotodiodo, tiene un tiempo de respuesta muy corto, solo
que su entrega de corriente eléctrica es mucho mayor.

Links de Noticias de interés sobre el tema tratado

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Se encontró un nuevo aislante para los transistores

http://www.madrimasd.org/cienciaysociedad/entrevistas/quien-es-
quien/pdf/38.pdf

Transistores fotofónicos en supercomputadoras del futuro

http://www.laflecha.net/canales/ciencia/los-superordenadores-del-futuro-
usaran-transistores-fotonicos

Transistores Orgánicos

http://www.softwarelibre.net/transistores_org%C3%A1nicos_el_futuro

La era del transistor

http://www.pagina12.com.ar/imprimir/diario/suplementos/futuro/13-2086-2009-
01-31.html

Bibliografía utilizada
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• Material extraído de Google, en especial paginas de electrónica.

• Revista Muy Interesante

Reflexión personal acerca del

tema
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Transistores me resulto un tema un tanto difícil de comprender, debido a su

complejidad, y también debía reforzar mis conocimientos previos en diodos
para poder desarrollarme con más soltura en el desarrollo del tema.

La realización de este trabajo fue meramente informativa, me sirvió para hacer

un propio apéndice sobre las características principales de los transistores, su
utilización y ventajas. Por otro lado, me resulto interesante la evolución de este
dispositivo, ya que permitió gracias al desempeño y la ingeniería de muchos
profesionales, a los dispositivos que conocemos hoy en día, y que por ejemplo
vemos cotidianamente.

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