Бревда
ИСПОЛЬЗОВАНИ Ю ПОПУЛЯРНЫХ
с РАС ШИРЕННЫМ И
Л.SI. Котенко А.М. Бревда
IJAflIffPOHHblfl
rflAfl_OHHblfl
AnnAPArw
Издание 2
Наука и Техника
санкт-Петербург
2001
Электронные телефонные аппараты. Котенко Л.Я. Бревда д,М./ - еПб: Наука и Техника, 2001.
- 192 стр. с ил.
ISBN 5-94387-036-9
Серия "Радиомастер»
В насmoящем издании рассмотрены принципы пocmроения схем электронных телефонных аппараmoв и приведена их
примерная классификация, основанная на функциональных и сервисных возможнocmях аппаратов Приведен краткий обзор
интегральных микросхем для ЭТА раэличных производителей в СНГ и в зарубежье.
В книге рассмотрены принципы построения основных тpaKmoв электронных телефонных аппаратов. Для тех, кmo
ежедневно испопьзует электронный ТА с расширенными сервисными возможностями, приведены алгоритмы действий,
разъясняются основные термины и обозначения на кнопках такого ТА
Рассмотрены схемы конкретных ЭТА, которые производились в СССр, в СНГ и зарубежными производителями в
период с середины 80-х годов и до настоящего времени. Изложены основы проверки и ремонта ЭТА.
Глава б написана Михаилом Каменецким, а глава 7 - Сергеем Корякиным-Черняком.
Издательство выражает искреннюю признательность Генеральному директору фирмы
VEF- TELEKOM господину Ахмерову Валериану Ишмуратовичу, Генеральному директору Пермского телефон
ного завода «Телта» господину Садомову Владимиру Николаевичу и Главному конструктору завода «Телта»
господину Хавкину Семену Павловичу за помощь в создании этой книги.
Книга предназначена как для начинающих пользователей электронных телефонных аппаратов, так и
специапистов, занимающихся ремонтом и обслуживанием современной телефонной техниК/).
© Авторы
ISBN 5-94387-036-9 © Наука и Техника (оригинал-макет), 2001
При этом попробуем отразить все многообразие этой продукции (ТА), которое
сейчас существует на рынках стран СНГ, где представлены как изделия всех ведущих
мировых производителей, так и новые разработки предприятий стран бывшего СССР.
Котенко Л.Я.
з
СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ И ОБОЗНАЧЕНИЙ
4
ГЛАВА 1
Основное назначение ТА любой системы и стимая величина тока в абонентской линии в со
схемы построения остается неизменным с мо стоянии отбоя не должна быть больше 1 МА
мента его изобретения - преобразование звука это значит, что максимальная мощность, кото
в электрический сигнал для передачи его по
рую можно использовать для питания устройств
линии (каналу) связи до нужного Вам собесед электронного ТА в режиме ожидания вызова не
ника и обратного там преобразования. должна превышать значения 60 мВт для батареи с
Кроме этого, ТА должен обеспечить функции напряжением 60 В и примерно 50 мВт для батареи
приема вызова, занятия линии, набора номера и 48 В. Такое значение тока в абонентской линии
отбоя, Т.е. обеспечить протокол взаимодействия обусловлено требованием однозначного определе
с сетью. ния состояния ТА со стороны АТс. Перепад зна
чений тока при снятой и уложенной микротеле
Следовательно, современный ТА должен пол
фонной трубке должен бьnъ более одного порядка
HocTью удовлетворить все эти требования. Если
(более чем в 10 раз), тогда АТС четко различает эти
ТА с механическим (дисковым) номеронабира
состояния. В режиме набора номера и разговора
телем, с так называемой классической схемой
ток в АЛ возрастает до значений несколько десят
для выполнения описанных функций использо
ков миллиампер и падение напряжения на ТА со
вал только пассивные элементыI и не потреблял
ставляет около 10 В. Следовательно, мощность,
энергии от телефонной станции в режиме ожи
потребляемая ТА в этих режимах, возрастает до
дания вызова (отбоя), то электронный ТА, осо
нескольких сотен милливатт, что достаточно для
бенно работающий под управлением специали
обеспечения нормального функционирования ТА
зированного процессора, требует питания в
Во время приема вызова питание схемы ТВУ, как
любом режиме. Это накладывает дополнитель
правило, осуществляется вызьmным током, мощ
ные требования на схемные решения и элемен
ность которого ограничивается сопротивлением ТА
тную базу, используемые при разработке схем
в этом режиме и по ГОСТ 7153-85 не может пре
таких аппаратов.
вышать значения 100 мВ А, что полностью удов
Следует отметить, что требования на потребле летворит потребность в мощности питания ТВУ и
ние энергии телефонным аппаратом от АТС в обеспечит требуемую максимальную громкость аку
состоянии ожидания вызова довольно жесткие. стического СИПIaла вызова (не менее 70 дБ по
Так по ГОСТ 7153-85 (являющимся основным шкале А).
стандартом на ТА в бывшем СССР, а на сегод
Теперь про анализируем по порядку все со
няшний день - один из базовых технических
ставляющие схемы электронного ТА, которая
документов, используемых в национальных стан
изображена на рис. 1.1.
дартах на ТА в странах СНГ) максимально допу-
ь
® 0
ВМ 2 3
~
4 5 6
7 8 9
НА
ТВУ BF * О #
5
ГЛАВА 1
действия на АЛ высоковольтных грозовых разря обычно в виде батареи из двух-трех сухих элемен
дов. Реализовать эту функцию возможно при по тов типа R6 (АА) с суммарным напряжением 3...4,5
мощи различных устройств. Это могут быть диоды, В и реже типа «Крона» С напряжением 9 В. В этом
включенные встречно-параллельно, стабилитроны случае поддержание работы схемы управления и
или варисторы. В схемах ТА различных производи памяти обеспечивается за счет дополнительного ис
телей встречаются все эти устройства, а также ис точника, что следует учитывать при эксплуатации
одной линии от другой. Обычно громкость вызова ную схему дополнительные требования по развяз
изменяется ступенчато (2 или 3 ступени), но в бо ке цепей приема и передачи во время разговора.
лее сложных моделях она изменяется автоматичес Как правило, в современных схемах электрон
ки с каждой последующей посьmкой от АТС и ных ТА ДЛЯ этого используются схемы автомати
таких ступеней может быть пять и более. ческого «запирания» того направления, которое в
Совершенно особо в схеме электронного ТА стоит данный момент находится в пассивном состоя
устройство mrraния схемы управления в режиме ожи нии. Например, если говорите вы, то усилитель
дания вызова (отбоя). Ограничение тока в абонентс приема вашего ТА заперт, а у вашего собеседника
кой линии в этом режиме достигается либо включе заперт усилитель передачи. Когда говорит ваш собе
нием в цепь высокоомного (до 10 МОм) резистора, седник, то состояние усилителей в обоих ТА изме
либо использованием полевого транзистора. Преоб няется на противоположное. Таким образом дости
разованное напряжение обеспечивает поддержание гается наиболее эффективная развязка.
работы схемы управления и памяти как на запрог Во многих схемах современных электронных
раммированные номера (если в данной схеме они ТА в составе разговорного узла есть схема авто
предусмотрены), так и на последний набранный матического регулирования усиления приемного
номер. сигнала (АРУ). Как правило, эти устройства ис
Однако в более сложных и совершенных схемах пользуют в качестве опорного сигнала величину
электронных ТА, особенно в тех, где имеется жид- тока в АЛ и завиСимость усиления уровня приема
б
Общие принципы построения ТА
от тока в АЛ имеет такой характер, как это в первых схемах электронных ТА с кнопоч
отображено на рис. 1.2. График построен для ными номеронабирателями эти контакты были
телефонной сети со станционной батареей 60 В и заменены электронными ключами на транзис
сопротивлением моста питания 2х500 Ом, но торах, которые работали под управлением схе
качественно он останется таким же и при других мы на дискретных элементах, а затем и специ
значениях напряжения станционной батареи и альных микросхем набора номера импульсным
сопротивлении моста питания. Таким образом, способом, на который рассчитаны АТС декад
достигается постоянство уровня приема незави но-шаговой, координатной и релейной систем.
симо от длины АЛ. Следует отметить, что ПРИIЩИП, по которому ИК
В некоторых схемах электронных ТА схема АРУ включался в схему ТА, дошие годы (вплmъ до распада
управляет также и усилителем передачи (микро СССР) бьш «лакмусовой бумажкой», позволяющей
фонным усилителем), обеспечивая постоянный различигь ТА отечественного и зарубежного произво
уровень сигнала, поступающий от ТА в АЛ. дителя. Так, в отечественных ТА ИК замыкал АЛ
В первых образцах электронных ТА, схемы непосредcmeнно (через внутреннее оопpmивление ЮIЮ
которых строились на дискретных элементах
ча), а в зарубежных ТА - через разговорный узел либо
специальный резистор.
(диодах, транзисторах и т. д.), количество на
весных компонентов схемы разговорного узла В начале 70-х годов на телефонной сети многих
достигало сотни, а печатная плата не помеща стран началось внедрение электронных АТС, а эк
лась в корпус ТА. Однако, с течением времени сплуатационные предприятия связи (телефонные
производители полупроводниковых приборов компании) уже хорошо освоили многочастотную
оценили возможности рынка ТА и начали вы систему обмена информационными и управляю
пуск интегральных специализированных микро щими сигналами между станциями. Код «2 из 6»,
схем для телефонных аппаратов. использовал ряд частот от 700 до 1700 Гц с интер
Теперь количество активных навесных дета валом 200 Гц и вспомогательную частоту запроса
лей в схемах разговорного узла не превышает АОН 500 Гц). При этом встал вопрос об использо
вании такого же метода передачи управляющих
двух десятков, а в наиболее совершенных еще в
несколько раз меньше. Это стало возможным сигналов и на абонентском участке телефонной
благодаря высокой степени интеграции микро сети. Это стало возможным еще и потому, что к
схем, разработка которых была осуществлена в этому времени бьши разработаны малогабаритные
и малоэнергоемкие устройства, позволяющие полу
последнее десятилетие.
чить ряд высокостабильных по частоте и уровню
Следующим, не менее важным, узлом элек
токов от одного источника.
тронных ТА является схема, обеспечивающая
набор номера и управление схемой ТА при пере Первой из телефонных компаний, которая на
ходе из одного состояния в другое.
чала внедрение частотного способа набора номера
на телефонной сети стала американская фирма
Здесь нам придется напомнить читателю, что
«Bell Telephone Со», в лабораториях которой бьши
ТА классической электромеханической схемы
разработаны соответствующие станционные и або
«умели» набирать нужный номер только импуль
нентские устройства. Способ базируется на частот
сным способом - периодически разрывая и за
ном кодировании цифр абонентского номера. При
мыкая цепь прохождения тока через аппарат при
этом используется ряд из 8 частот, разделенных на
помощи механического металлического контак
две группы:
та дискового номеронабирателя - импульсного
• нижняя 697, 770, 852, 941 Гц;
контакта (ИК). Во время набора любой цифры
• верхняя 1209, 1336, 1477, 1633 Гц.
номера другой контакт оставался постоянно зам
кнутым, шунтируя разговорный узел - шунти Соответствие цифр и символов на кнопоч-
рующий контакт (ШК). ной панели НН частотам показано на рис. 1.3.
7
ГЛАВА 1
Как видно из набора частот (рис. 1.3), ни одна Время автоматического набора семизначного
из них не совпадает с частотами кода «2 из 6», а номера частотным способом, независимо от знач
также не является частью гармонического ряда. ности цифр в него входящих, будет (при макси
мальном интервале между посылками):
При нажатии любой из кнопок в линию ухо
дит двухчастотный сигнал, содержащий по од
t НАБ = t пас х7 +t инг х6 = 40х7 +80х6 = 760(мс);
ной частоте нижней и верхней группы. Вид
этого сигнала представлен на рис. 1.4. Длитель для aнroматического безинтервального режима:
ность такого сигнала должна быть достаточной
для его идентификации станционными устрой t НАБ = t[/Oc х7 = 280(мс);
ствами и не может быть менее 40 мс.
для ручного набора со средним интервалом между
При этом следует учесть, что сигнал, соот нажатием двух кнопок длительностью 200 мс:
ветствующий полному номеру, может переда
ваться в двух режимах: ручном, при непосред t llAБ = t пас х7 + tПАУЗbl х6 = 40х7 + 200х6 = 1480(мс)
ственном наборе номера абонентом, и автомати
ческом, при повторе последнего набранного Из эгого расчета видно, что даже при ручном наборе
номера или вызове номера из памяти. В первом частотным способом время передачи
случае между сигналами, обозначающими циф семизначного номера более, чем в 4 раза меньще
времени передачи такого же номера, составленного из
ры или символы, будут нерегулярные интерва
лы, а во втором случае, в зависимости от прин
минимальнозначных цифр, импульсным способом.
ципов организации схемы, интервалы между Именно поэтому, а также еще и потому, что
знаками могут вообще отсутствовать или быть надежность определения при частотном спосо
регулярными. бе набора выше, чем при импульсном, все со
бом из упомянутых режимов, но при ручном импульсного набора. В первых образцах элект
режиме следует помнить, что интервал между
ронных ТА эти устройства были отдельными, а
любыми двумя знаками номера не должен быть в схемах современных они объединяются в од
более 5 с. Невыполнение этого требования при ной микросхеме. Переключение из одного ре
водит к срыву набора номера и потребует от жима в другой осуществляется специальным
Вас произвести «отбой» и вновь занять линию. переключателем «Tone-pulse». Если ваш ТА рабо
тает в импульсном режиме набора номера, а в
Сравним длительность набора номера им
процессе соединения необходимо набрать еще не
пульсным и частотным способом при стандар
сколько цифр в режиме тонального набора, то во
тной дЛЯ СНГ частоте следования импульсов - многих моделях электронных ТА достаточно на
10 в секунду, при условии использования кно
жать кнопку «*» и набирать требуемый номер,
почного номеронабирателя с минимальным
знаки которого будут уже передаваться частот
нормированным интервалом между знаками
ным кодом. Это бывает нужно, когда вы хотите
номера - 400 мс.
связаться с абонентом офисной станции, в соста
Рассмотрим случай набора номера, состояще ве которой есть соответствующие устройства, и
го из 7 знаков, и для простоты расчета возьмем вы это знаете.
все цифры одинаковыми с минимальным коли
Таким образом, мы установили, что в составе
чеством импульсов, т. е. 1. Тогда время набора
устройства набора номера имеется две схемы,
такого (111-11-11) семизначного номера импуль
обеспечивающие взаимодействие с АТС в им
сным способом будет :
пульсном и -тональном режимах набора. Кро
ме этого, в составе устройства обязательно есть
tн = т ИМП х 7 + t инг Х 6 = 100 х 7 + 400 х 6 = 31 ОО( МС)
схема, обеспечивающая замыкание и размыка
ние шлейфа при импульсном способе набора, и
одновременно блокирующая разговорный узел -
режим молчания (mute). Во многих моделях
электронных ТА этот режим можно использо
вать и во время разговора для кратковременно
8
Общие принципы построения ТА
этой надписью соединение удерживается электрон Если назначение цифровых кнопок постоянно
ной схемой, разговорный узел отключается, а в або и неизменно для любой схемы построения ТА, то
нентскую линию и вашему собеседнику транслирует назначение кнопок «*» И «#» может изменяться.
ся музыкальный фрагмент, записанный в памяти Сравнение изображений рис. 1.3а и 1.3б пока
вашего телефона. зывает, что возможен еще один вариант тастату
1.3а, исключен лишь четвертый столбец. дисплея и схемы поддержки его работы).
На кнопке цифры «5» обязательно должен быть Эти, а также и другие схемы построения ТА
будут рассмотрены в последующих разделах.
рельефный выпуклый элемент, облегчающий
пользование ТА людям с ослабленным зрением.
9
ГЛАВА 2
КЛАССИФИКАЦИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ ТА
Предлагаемая далее классификация современ Естественно, что при современном уровне раз
ных ТА ни в коем случае не является полной и вития телефонной сети и самих ТА такие воз
исчерпывающей, а также не заменяет собой клас можности, как работа по схеме «Директор-секре
сификацию государственного нормативного до тарь» , подключение дополнительного ТА ИЛи
кумента какой-либо страны. звонка не могут служить критериями СЛОЖНОСти
Совершенно закономерным является то, что квалификации работников, цена продажи первых
первые электронные ТА полностью повторили электронных ТА была намного выше цены элект
схемное построение своих предшественников - ромеханических.
ле, а только потому, что речь здесь пойдет толь воила аналогичное производство дЛЯ ЭВМ.
ко об обязательном стандартном наборе функций, Уже первые образцы электронных номерона
которыми должен обладать простой современный бирателей на базе микросхем получили возмож
ТА ность сохранять в памяти последний набраННЬJЙ
И снова приходится говорить об устройствах номер и транслировать его в линию при нажатии
набора номера, поскольку радикальные меры одной кнопки на тастатуре аппарата. Вначале ячей-
10
'«СтандаРТНblЙ» элеКТРОННblЙ ТА
ка памяти ЭНН имела небольшую емкость - до Конечно же, все остальные основные функции ТА
8 знаков, но со временем объем памяти увеличи должны полностью этим аппаратом выполняться.
вался и сейчас у некоторых образцов достигает 32 Существует, по крайней мере, три разновид
знаков. Зачем нужен такой объем памяти поста ности построения схем таких электронных ТА.
раемся объяснить на следуюшем примере.
Они отличаются друг от друга элементной ба
Представьте себе, что вы абонент офисной АТС зой организации узлов аппарата.
и вам требуется позвонить по международной сети
Первой по времени создания бьша схема ТА,
абоненту такой же офисной станции в другой стра
в которой разговорный узел оставался полностью
не. Схема набора приведена на рис. 2.1. транзисторным, а электронный НН строился на
Подсчитаем количество знаков, которые дол базе микросхемы с генератором частот тонально
жны сохраняться в памяти при условии, что го набора в ее составе. Реже наборные узлы стро
пауза длительностью порядка трех секунд зани ились на двух микросхемах - отдельно для им
уууу
~
*
переход
на то
"----v---'
номер
абонента
нальный офисной
набор АТС
11
ГЛАВА 2 Классификация элеКТРОННblХ ТА
Следующей по сложности стала схема электрон электронного удержания соединения «hold» снача
ного аппарата с программируемой памятью на базе ла простая, а затем и с музыкальным заполнением
имс. это стало возможным после того, как бьmи «hold-music», которое подтверждает Вашему собе
разработаны малопотребляющие микросхемы, ко седнику, что соединение не прервано, и что Ваш
разговор вскоре продолжится.
торые могли работать при значительных разбросах
значений питающего напряжения. Естественно, что музыкальная фраза для этой
функции также должна быть записана в памя
Как уже указывалось в начале первой главы
ти, а для ее воспроизведения используется мно
мощность постоянного тока, потребляемая ТА от
гочастотный сигнал, который в этом режиме
телефонной сети, измещется от значений 50 ... 60 вырабатывает генератор тонального набора под
мВт в режиме ожидания вызова до нескольких
управлением процессора.
сотен милливатт в разговорном режиме или при
В некоторых моделях этот же генератор ис
наборе номера.
пользуется для выработки акустического сигна
Этой мощности должно было хватить для пи ла вызова с 2-х или 3-х частотным заполнением.
тания схемы управления, а также для питания
Так же, как и стандартные электронные ТА,
генератора тональных частот набора и памяти. аппараты с программируемой памятью могут
Основным типом ТА этой группы стал аппа быть подразделены на три разновидности в за
рат с памятью на 1О номеров с количеством висимости от элементной базы, использованной
знаков 16, а затем 20 ... 32. при разработке схемы. Одной из современных
является схема, в которой использована ИМС
В связи с появлением программируемой па
большой степени интеграции, объединившей
мяти у аппарата появились дополнительные орга
функции большинства основных узлов ТА -
ны управления - кнопки «тето», «store», «auto» наборного и управляюшего.
и т. п. У моделей некоторых фирм эти кнопки
Примером может служить модель С-508М
составляли единый блок с основной тастатурой
фирмы CONCORDE, используюшая микросхему
(PHILIPS), а другие производители ТА размеща
НТ9215А. Этот ТА имеет три кнопки прямого
ли их на корпусе аппарата отдельно (Рапаsопiс). набора и еше 10 номеров можно запрограмми
Запись телефонного номера осуществлялась ровать, используя цифровые кнопки тастатуры.
при помощи этих кнопок в определенной ин Начиная с 90-х годов многие производители
струкцией последовательности, а вызов номера микросхем для телефонии начали выпускать так
из памяти последовательным нажатием «тето» называемые ИМС «однокристальных» ТА, объе
(<<auto») и кнопки с номером ячейки (0 ... 9), в динивщие в одном корпусе все без исключения
которую он был записан. узлы стандартного электронного ТА. Наиболее
известными из них на рынке стран СНГ явля
В дальнейшем у многих моделей ТА появи
ется серия ИМС фирмы AMS - AS253x, состо
лись именные кнопки прямого набора «<direct ящая, на сегодняшний день, из 5 микросхем,
diаliпg» ), и процесс набора из памяти сокра отличающихся между собой перечнем допол
Tилcя до нажатия этой одной кнопки. нительных функций (AS2533, AS2534 и др.), а
у большинства современных ТА количество также серия ИМС фирмы TEMIC - U37xx
именных кнопок невелико (3-5), хотя, например, (U3760 и др.). Из стран бывшего социалисти
ческого блока аналогичную микросхему -
у таких моделей как Рапаsопiс кх-Т, Dusseldorf и
EMZ1422 пытались про изводить лишь на пред
Casio нажатием одной-двух кнопок можно выз
приятиях СССР. На базе AS2533 фирма
вать из памяти один из 12 или даже 40 номеров.
MATSUSHITA выпускает известный на рынке
Появление микросхем со средней и боль стран СНГ телефонный аппарат модели КX-TSIO,
шой степенью интеграции привело к расшире который обладает памятью на 4+10 номеров и
нию сервисных функций электронных ТА. достаточно полным набором функций, вклю
чая регулировку уровня громкости приема.
Кроме функции временного отключения мик
рофона «mute» и «flash» появляется функция
12
Громкоговорящие элеКТРОННblе аппараТbI
шие функцию «свободные руки», позволившую тронных ТА новых ИМС и некоторых измене
пользователю занимать телефонную линию, вести ний в построении схемы.
набор номера и контролировать процесс установ Как правило, в таких аппаратах акустический
ления соединения, не снимая микротелефонную преобразователь вызывного сигнала используется
трубку с аппарата. При этом пользователь мог за также в схеме наблюдения, поэтому пришлось
ниматься своим делом вплоть до ответа вызывае отказаться от пьезоэлектрических преобразовате
мого номера или до появления сигнала «занято», лей типа «buzzer» (пищалка) и применить дина
что создает дополнительное удобство при частом мический с более качественными характеристи
пользовании телефоном. Особенно ощутимо преи ками. Одновременно пришлось ввести и еще
микрофона в современных
громкоговорящих аппаратах
1 - динамик;
2 - акустическая плоскость динамика;
3 - направление звукового излучения;
4 - микрофон;
5 - акустическая плоскость микрофона;
6 - диаграмма направленности микрофона.
13
ГЛАВА 2 Классификация элеКТРОННblХ ТА
шие расстояния между микрофоном и динамиком требляемой от телефонной сети самим контроллером
нужно бьшо обеспечить достаточную акустичес и использование динамических головок с высоким
кую изоляцию одного устройства от другого. Это КПД. Однако в этом случае громкость приемного
достигается специальной конфигурацией внут сигнала ограничена и определяется только воз
ренней полости корпуса и креплением динамика можностью схемы данного ЭТА
и микрофона к корпусу при помоши демпфиру
Как упоминалось выше, создание современ
ющих (гасящих колебания) крепежных элемен ных спикерфонов потребовало применения быс
тов (резиновых прокладок, шайб и т. п.).
тродействующих элементов схемы упраR1lения,
Следующим шагом бьuю создание дешевых мик которые успевали бы отслеживать в реальном
рофонов с достаточной остро направленностью и масштабе времени с дискретностью не хуже де
динамиков с малой обратной отдачей, это сделало сятка микросекунд состояние трактов приема и
возможным размещение микрофона и динамика в передачи, «открывая» тот из них, который акти
корпусе ТА так, чтобы ось звукового излучения вен в данный момент, «закрывая» пассивный.
динамика бьmа перпендикулярна акустической оси
Конечно, такая задача по плечу только про
микрофона. это показано схематически на рис. 2.2. цессору, причем с достаточно «скромной» такто
Следует отметить, что болыlшнтво современных вой частотой, значение которой может быть не
спикерфонов до настоящего времени для обеспече выше 500 кГц.
ния эффективной работыI схемы усилителей приема
Совершенно очевидно, что паузы дЛИтеЛЬНOC'IЪю
и передачи требовали дополнительного источника порядка нескольких десятков микросекунд абсолют
питания, так как мощность постоянного тока, кото
но не воспринимаются ухом человека при разгово
рую получает ТА от телефонной линии бьша для ре, поэтому сохраняется восприятие нормального
них недостаточна. Таким источником чаще всего диалога и не возникает чувство дискомфорта, как
является батарея сухих элементов напряжением 4,5 при пользовании громкоговорящими устройствами
В (реже 9 В), устанавливаемая в специальном отсеке
С принудительным ручным переключением.
корпуса ТА В последнее время ведущие производи
Электронные громкоговорящие ТА получи
тели выпускают ТА данного класса без требования к
ли широкое распростронение в мире, и их про
установке батареек, что явилось результатом, в пер
изводят все ведущие фирмы.
вую очередь, появлению высокоэффективных ИМС
реryлировки тока питания в AJ1 (у многих контрол
леров громкой связи данные устройства являются
составной частью ИМС), снижение мощности по-
Каждому из нас, хотя бы раз в жизни, прихо в этом разделе речь пойдет о многолинейных
дилось бывать в кабинете «большого» человека, ТА (часто называемыми «офисными ТА»), кото
или, значительно чаще, видеть этот кабинет в рые объединяют своей схемой функции телефон
кино или по телевидению. ного аппарата и простейшего концентратора.
Конечно, наше внимание привлекал ряд теле Такой ТА дает возможность поочередного ав
фонных аппаратов на столе или приставной тум тономного пользования любой из линий, кото
бе. И чем «больше» был хозяин кабинета, тем рые к нему подключены; организует переход на
длиннее был ряд телефонов. линию с вновь поступившим вызовом без пре
рывания предьщущего соединения и с возможно
Сегодня в кабинетах руководства мы такой_
стью возврата к нему; создает возможность одно
картины можем не увидеть, особенно если это
касается руководителей современной формации, временного разговора с собеседниками на двух
обеспечить новые функции, которые собственно Кроме этого, каждая из линий, включенных в
ТА и не присущи.
14
СЛОЖНblе элеКТРОННblе ТА
ТА, должна иметь отличный по звучанию акус кциями АОН, в связи с их особой популярностью
тический вызывной сигнал. на территории стран СНГ.
Как правило, эти ТА принадлежат к группе Отдельной разновидностью в группе офисных
«спикерфонов», имеют очень развитую память телефонов являются аппараты, имеющие устрой
(вплоть до 200 номеров), и сравнительно мош ства для организации внутриофисной громкого
ный микропроцессор. Такие устройства требу ворящей связи - «интерком» или В более при
ют значительно большей мощности источника вычном для нас наименовании - селекторной
питания, чем может обеспечить батарея сухих связи.
15
ГЛАВА 3
3. 1. ПредваритеЛЬНblе замечания
Ввиду того, что разработкой и производством зованы. Такой принцип изложения материала в
интегральных микросхем для электронных ТА настоящем издании является наиболее приемле
занимается большое количество организаций и мым, т.к. сейчас существует значительное коли
фирм как на территории СНГ, так и во всем чество специальных изданий по ИМС, в которых
остальном мире, то в настоящем издании мы подробно рассмотрены их структурные схемы,
остановимся на описании, в основном, ИМС, логика работы и электрические параметры.
которые используются в моделях электронных
Последовательность изложения материала в
аппаратов, упоминаемых нами.
этой главе соответствует схеме предыдущей, ко
В описании ИМС основное внимание обра торая опирается на предложенную нами при
пульсов -- частоте (периоду) следования и им Вопреки мнению многих авторов, что исполь
пульсному коэффициенту (отношение tразм : t.aм); зование импульсного ЭНН сокращает время на
• стабильность серийной (межцифровой) паузы; бора, мы считаем это неверным. Время выдачи
16
МикросхеМbI элеКТРОННblХ номеронабирателей
точно опытным пользователем или оператором Напряжение питания (В) И"И, 2,5 5,0
эта пауза может составлять реально 250 ... 300 мс,
Входное напряжение низкого
но должна быть не менее 180 мс. Реальный И. 0,0 0,5
У1 УО Тастатура,строка 1
Тастатура,строки
Напряжение пит.
Звуковое подтверждение нажатия кнопки
2 и 3 [ У2
U2 Х2
Х1
ХО
J Тастатура, столбцы 3,2,1
17
ГЛАВА 3 Краткий обзор микросхем элеКТРОННblХ ТА
состояние. Микросхема готова к набору следую Следующей в ряду импульсных НН стала ИМС
щего знака номера. 1008ВЖ2, обеспечивающая по сравнению с пре
дыдущей расширенный набор функций в том
ЭНН на этой микросхеме можно привести в
числе:
исходное состояние и во время набора, если
была нажата не та кнопка или по окончании • совместная работа со схемой управления инди
набора номера вы получили сигнал «занято». Для кацией;
этого, не укладывая МТТ, Вы должны нажать
• работа с дополнительным запоминающим уст
кнопку «#» (отбой). ройством значительной емкости (до 2 килобит);
В этом ЭНН кнопка «*» выполняет две фун
• увеличенная емкость внутреннего ОЗУ
кции. Если ее нажать сразу после снятия МТТ, (24 знака х 4 б 96 б).=
то схема управления сформирует команду вы
Эта микросхема выполнена по КМОП тех
зова из ОЗУ последнего набранного номера и
нологии и выпускалась в пластмассовом корпу
его трансляцию в линию. Если же кнопка «*»
се DIP48 типономиналом КРIОО8ВЖ2 заводом
нажата после любой цифры номера, то этим
«Экситою> Г. Павловский Посад, Россия. Цоко
мы увеличим длительность межсерийной паузы
левка корпуса lОО8ВЖ2 приведена на рис. 3.3.
на (nx2,6)c, где n - число нажатий кнопки.
Такая длительность межсерийной паузы бывает
нужна, например, при выходе на междугород
~
F
~
F f; АЗ
ХЗ
У7
1=: f=! А4
со
У6 А5 Адресные выходы
::; Q k
Строки тастатуры
У5
У4
УЗ
=;
:::;
...
Q
D.
F!
I=!
А6
А7
CS4/A8
=; ~ F!
У2 CS1
У1
= f=! CS2/A10
УО
=; I=! СSЗ/А9
~
Вых. РК
"'i МОМ Вх .• Режим внешн. ОЗУ»
NSA
NSI ~ Вых. информ. в ЗУ
Вых. ИК OW
~
Вх ... Просмотр ЗУ» СН
19
Вых. данных 00 F! ОЗ
02
]
Вых. данных
Земля GNO ~
.J.
19 01
18
МикросхеМbI элеКТРОННblХ номеронабирателей
/О",
Параметр
ние
М;5 (13) /PS (14) DRS (15)
f.:\ 12
~---------v.v
3Н J':::\ f.:\.
~
16 J':::\
зн
---------v.:; 0" 24зн "0 Частоrа следования
импульсов набора
10Гц
20Гц
-
-
-
-
лог. "О"
лог. "1"
19
ГЛАВА 3 Краткий обзор микросхем электроннbtх ТА
Строки тастатуры [ :d Уа
Х2 J
Строка тастатуры
Строки [ У1 Уа Строка
20
МикросхеМbI элеКТРОННblХ номеронабирателей
Для простейших и стандартных электронных 1008ВЖ15 (прототип WE9192 B/U), нет выхода
ТА выпускалось большое количество И М С мно разговорного ключа, предназначена для теле
МСI45412/
МСI45413/ MOTOROLA - D/Р18 н.Д. н. Д. - 10 или 20 10 х 18
МС145512Р
PCD332XT/P, семейство импульсных НН, все кро сигналов ЧНН по ГОСТ 7153-85 должна быть не
ме РСО3327 с кварцевыми (3,58 МГц) резщra хуже, чем 1,8%. ±
торами опорного генератора, у PCD3327DjP Параллельно проводились работы по созда
резонатор керамический на 455 кГц, у имс. 21 .. нию пъезокерамического резонатора на более
и ... 260jP два значения длительности паузы. низкую частоту, что позволило бы упростить
Максимальная потребляемая мощность состав- схему цифрового деления. Такие резонаторы
ляет 100 мВт для всех модификаций. Основные были разработаны на частоты 447 ... 500 Гц и
характеристики ИМС электронных номеронаби нашли применение в схемах ЭТА некоторых
рателей «простейших» ЭТА зарубежных произво производителей (PHILIPS, Электроника и др.).
дителей и аналогов (где они есть), произведен В этом случае коэффициент деления частоты
ных в странах СНГ, приведены в табл. 3.6. уменьшается по сравнению с предыдущим в
Таблица 3.7.
ЦиФра, СИМВОЛ,
1 . 2 3 4 5 6 7 8 9 О # А В С D
знак *
НИЖН.
Час- 697 697 697 770 770 770 852 852 852 941 941 941 697 770 852 941
группа
тота,
Верхн.
Гц 1209 1336 1477 1209 1336 1477 1209 1336 1477 1336 1209 1477 1633 1633 1633 1633
группа
22
МикросхеМbI элеКТРОННblХ номеронабирателей
,номера к частотному без принудительного пере ком в комбинации, то число комбинаций опре
ключения типа набора, установленного в ЭТА. деляется формулой сочетаний из n элементов
Обычно это достигается нажатием кнопки «*» на по m. В нашем случае n = 8, а т = 2. Опуская
тастатуре. На многих моделях ЭТА кнопка имеет вывод, получим в окончательном виде:
надпись TONE.
C~=8!/[2!(8!-2)!]= 28
Такая процедура перехода от импульсного к
тональному набору создает возможность набора Таким образом, использование кода 2 из 8
дополнительного номера офисной (учрежденчес позволяет создать и передать 28 частотных по
сылок отличных друг от друга, а при некоторых
кой) станции, пользования голосовой почтой,
дистанционного упрамения автоответчиком и ухищрениях количество посьшок может быть
передачи данных при связи, например, с бан увеличено до 40. Это позволяет передавать не
ковским (или каким-либо другим) терминалом. только цифровую информацию, но и буквенные
сообшения, если использовать латинский алфа
Автоматический возврат к импульсному спо
вит, в котором 26 букв. Для этого используется
собу набора осушестмяется сразу же после про
кнопочная тастатура 4х4 с расположением ли
цедуры «отбой», независимо от того, как она
тер, указанным на рис. 3.9.
бьша осуществлена: укладыванием микротеле
фон ной трубки на аппарат, или нажатием спе Формирование кодовых посылок, соответ
циальной кнопки. ствующих литерам, производится при помощи
РАЗГОВОРНЫЙ 52 ИМС
СХЕМА
УЗЕЛ ИМП. АВС DEF
УПРАВЛЕНИЯ 1---- НН
<D ® ® ®
ЛИНИЯ ~~===!====~------L---~~=-~==~ GHI JKL MNO
@ ® ® ®
l 51L________
РА5 TUV WXY
2 3 ИМС (1) ® ® ©
cifu 456
7 8 9
ЧАСТОТНЫЙ
НН
®
ОРЕА
@ ® @
* О # Q
Рис. 3.9. Расположение
букв латинского алфавита
Рис. 3.8. Функциональная схема ЭТА с отдеЛЬНblМИ ИМС
на тастатуре ЭТА
дЛЯ импульсного и тонального набора номера
23
ГЛАВА 3 Крат«ий обзор микросхем элеКТРОННblХ ТА
УО Стр. тастатуры
г ХЗ]
Строки У2
тастатуры УЗ Х2 Столбцы
с.о
У4 Х1
~
тастатуры
Способ наб.
00
МО
""" DTMF Вых. тон. сигн.
XMUTE Блок. микр.
г
Строки А2 С4
СЗ ]
Столбцы
тастатуры RЗ С2 тастатуры
А4 С1
Выход РП HS ОР Вых. имп. ключа
Выбор К М/В Х MUTE Вых. разг. КЛЮч.
Выбор Т/Р MDS TONE OUT Вых. DTMF
Подключ. [OSCI Vss Напр. пит. (-)
кварц. рез. OSCO VDD Напр. пит. (+)
24
МикросхеМbI элеКТРОННblХ номеронабирателей
Таблица З,8,
Значение
Единица
Пара метр Си_ол Выводы
иэмер,
не менее не более
Fl 691 703
F2 763 777
F3 844 860
F4 932 950
частоты ВЫХОДНОГО сигнала при режиме тонального набора номера * Гц 13
F5 1197 1221
F6 1323 1349
F7 1463 1491
F8 1617 1649
Период следования импульсов при импульсном режиме набора номера Т мс 17/16 99 101
Межсерийная пауза при импульсном режиме набора номера I"р мс 17/16 693" 707"
Импульсный коэффициент при импульсном режиме набора номера (1,/1,,,) К - 17/16 1,44 1,56
Примечание:
* При одновременном нажатии 2-х кнопок одного и того же столбца или строки тастатуры;
** При вызове из ОЗУ последнего набранного номера;
*** Единичная пауза равноценна знаку дЛя ОЗУ,
Таблица З,9,
,
Единица Значение
Параметр Символ Выводы Примечание
измер,
, не менее не более
25
ГЛАВА 3 Краткий обзор микросхем элеКТРОННblХ ТА
может лежать в пределах 2... 6 В. С ЭТОй микросхе кварцевым резонатором на 3,58 МГц и может
МОй может использоваться тастатура с отдельными применяться в телефонных схемах, факсах, мо
кнопками для программирования паузы (длитель демах и аппаратуре дистанционного управления.
ностью 3,5 с) между цифрами (группами цифр) Рабочий диапазон напряжения питания (U oo )
номера и для «отбоя» без укладывания МТТ на от 2,5 до 5,5 В, а максимальная рассеиваемая
аппарат. При этом длительность разрыва цепи мощность достигает 600 мВт, что обусловлено
нормирована и составляет не менее 600 мс, что ТТЛ - совместимостью ряда входных и выход
почти вдвое превышает требования действующих ных цепей этой микросхемы. Цоколевка корпу
нормативных документов и обеспечивает гаранти са 1008ВЖ19 показана на рис. 3.12.
рованный «отбой». Прототипом ЭТОй микросхемы является ИМС
Максимально допустимая мощность рассеивания UM91531 фирмы UMC (Тайвань).
500 мВт. Максимальное отклонение частот двухто
В режиме импульсного набора номера могут
нального сигнала набора номера не превышает зна быть запрограммированы два значения импуль
чения 0,75%, что более чем вдвое лучше допуска сного коэффициента: 1,5 или 2,0 при одной и
ГОСТ 7153-85 (1,8%). Оперативный переход от той же частоте следования импульсов - 10 Гц.
импульсного способа набора номера к тональному Соответствие выходного сигнала входным дан
осуществляется нажатием кнопки Р (пауза), а воз ным при тональном и импульсном режимах
врат к импульсному способу - автоматически сиг набора приведено в таблице 3.10.
налом «отбой».
Входные данные 00 ... 04 вводятся в микро
Основные элеl):трические и временные пара ЭВМ. ТТЛ-совместимыми являются выводы со
метры сигналов на контактах корпуса КР1008ВЖ16 2-го по 8-й и 13-й, поскольку они связаны с
при U oo = 3,5 В, ТА = 25 0 С, f KB = з,58 МГц приведены командами микро-ЭВМ и другими ИС.
в табл. 3.9.
Нагрузка выходной цепи двухтонального сиг
Следует указать, что для всех импульсно-час нала набора должна быть не менее 2,2 кОм, и в
тотных ЭНН оперативный (в ходе набора) пере этих условиях на выходе в линию сигнал будет
ход от одного к другому возможен только, если
находиться в требуемых пределах. Временные
основной режим, установленный переключате параметры импульсов набора - соотношение вре
лем TONE-PULSE, - импульсный. Это вытека мен токовой и безтоковой посьшок (К = М/В)
ет из построения схем абонентских комплектов могут выбираться из двух значений: 1,5 (в боль
АТС (см. книгу «Телефонные сети и аппараты»). шинстве национальных стандартов стран СНГ)
Несколько особняком в ряду частотно-им или 2 (как это принято, например, в Великобри
пульсных ЭНН стоит микросхема 1008ВЖ19 с тании). Межцифровая пауза при импульсном
параллельным 4-х разрядным вводом информа
ции от микро ЭВМ (контроллера). Эта ИМС
Таблица 3.10.
7 В 8 С
СИМВОЛ КнОПКИ
DO
О
О
1
1
2
О
3
1
4
О
5
1
6
О 1 О
9
1
*О
#
1
А
О 1 О
D
1
01 О О 1 1 О О 1 1 О О 1 1 О О 1 1
02 О О О О 1 1 1 1 О О О О 1 1 1 1
D3 О О О О О О О О 1 1 1 1 1 1 1 1
Сигнал на конт.
(',,, .'.)
15
',.f. ',.', ,,.t. ',/, '2", '2-'. '2/' '3/' '3-" '3/' '4"5 '4/' ',/. '2". '3/' '4.(.
Сигнал на КОНТ. 9 10 1 2 3 4 5 6 7 В 9 10 11 12 13 14
за-
[ <:) OSCI
Входы 01 <:) OSCO кварц. рез.
данных от контр. 02
....
О.
GNO Общий (-)
ОЗ ~ DР Выход имп. НН
26
Микросхемы электронных номеронабирателей
DTMF,MC
• КФI008ВЖ27 - корпус S020 (поверхностный
Отклонение частот
монтаж); Uоо =з'5В,
с;игнапа DTMF оТ О о1мр 7 - 0,6
R L =51<Dм
номинала, %
• КБlО08ВЖ27 - безкорпусная;
ДлитеЛЫ-ЮС7Ь
• ЛN7202 - корпус DIP18. програМ1Мруемой Iрр l1W1И7 2,2
-
паузЬ/, с
Емкость ОЗУ дЛЯ хранения последнего 'на
бранного номера - 32 знака (включая и про
граммируемые паузы между знаками). Длитель
нуго на 1 по сравнению с изображенным; вывод 15
ность единичной паузы - 2,2 с. Используется
не используется, а назначение выводов 16 ... 20 сдви
совместно с кварцевым или керамическим ре
нуго на 2. Электрические и временные параметры
зонатором 3,58 МГц и стандартной тастатуроЙ.
1008ВЖ27 дЛЯ всех ТИПОНОминалов одинаковы и
Рассеиваемая мощность менее 500 мВт, а рабо
полностью соответствуют требованиям ГОСТ 7153-
чий диапазон напряжения питания находится в
85 для номеронабирателей.
пределах 2... 5,5 В.
Укажем значения некоторых параметров для
Эта микросхема может при меняться как в
импульсного и тонального режимов набора при
телефонных схемах, так и в схемах факсаппара
t=25"C, сведя их в табл. 3.11.
тов и других устройств, где требуется набор
номера. Прототип-микросхема UM91214jl5B Рабочий диапазон температур этой ИМС нахо
дится в пределах от -20 до 70 С, а температура
0
НК
А4]
Вход РП
Выбор реж. MODE \N RЗ Строки
Подключ. OSC\ А2 тастатуры
кварц, рез. [ OSCO А1
Напр. пит. (-) Vss
Напр. пит. (+) VDD СЗJ
С2
Столбцы
тастатуры
Вых. DУМFРП TONES С1
Разг. кл. Х
MUTE DP Имп. ключа
Индик. реж. MODE OUT MASC Разг. ключ.
27
ГЛАВА 3 Краткий обзор микросхем элеКТРОННblХ ТА
-20
памяти не менее 1,0 В. тересующихся к изданиям ДОДЭКА, Москва, где с
С4]
г
Строки R2 С3
Столбцы тастатуры
тастатуры R1 N С2
R4 ~ С1
Вход РП НК са ОР Вых. ИК
'f"'"
Выбор К М/В MUTE ]
Выбор Т имп. DRS
cn
с) XMUTE Выходы разг. кл.
28
МикросхеМbI элеКТРОННblХ номеронабирателей
Uоколевка корпусов приведена на рис. 3.15, а и Назначение кнопок пятой строки тастатуры сле
б соответственно для Р и Т окончаний. Литера «Х» дующее:
СТРОКИ тастатуры
[ А4
RЗ
А2
А1
7 С4
СЗ
С2
С1 J
Столбцы
тастатуры
Н,И,
А2 - 4 5 6 В
Строки [ RЗ СЗ RЗ - 7 8 9 С
тастатуры А2
А1
С2
С1 J Столбцы
тастатуры А4
А5
- *
-
о # D
Р FL R >
б
29
ГЛАВА 3 Краткий обзор микросхем элеКТРОННblХ ТА
мера. Как правило, это микросхемы контролле то спектр выходных сигналов тональных частот
ров ЭТА, используемые для управления в схемах значительно шире и более насыщен составляю
более сложных аппаратов. В частности, к ним щими чем в обычных генераторах, рассмотрен
относятся ИМС РСО3344, РСО3347, РСО3349, ных ранее. На рис. 3.17, а, б, в показана ЦОКО
которые также как и серия PCD3310 имеют мо левка корпусов этих микросхем.
Таблица 3.13.
за
Микросхемы электронных номеронабирателей
05 1 1 1 1 1 1
Вид сиrнала нввЫХОД8 ТОНЕ Состояние D4 Состояние 05
D4 О О О О О О
DЗ О О 1 1 1 1
Qцночастотный OTMF
О О
"музыкальный' набор частот 02 1 1 О О 1 1
01 О О О О О О
Двухчастотный OTMF 1 О
DO О 1 О 1 О 1
Модемный и 'музыкальный"наборы Частота сигна ла на
О 1 1300 2100 980 1180 1650 1850
частот вь/ходэ, Гц
Рекомендации 'ТU
V 23 V 21 V.21
"МузыкаЛЬНblЙ" набор частот 1 1 (МСЭ· т)
Таблица З.15.
Символ тастатуры О 1 2 3 4 5 6 7 8 9 А В С D
* #
05 О О О О О О О О О О О О О О О О
Д
D4 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
а
н
03 О О О О О О О О 1 1 1 1 1 1 1 1
н О О
О2 О О 1 1 1 1 О О О О 1 1 1 1
ы
01 О О 1 1 О О 1 1 О О 1 1 О О 1 1
е
00 О 1 О 1 О 1 О 1 О 1 О 1 О 1 О 1
Частоты СИfНала на 941 697 697 697 770 770 770 852 852 852 697 770 852 941 941 941
выходэ, Гц 1336 1209 1336 1477 1209 1336 1477 1209 1336 1477 1633 1633 1633 16З3 1209 1477
Примечание: отклонение частот от номинала не превышает ± 0,25% для нижней группы и ± 0,45% для
верхней.
Выб. порта
[ OSCO =;;=
МООЕ
... t... Vss
04'
Напр. пит. (+)
05*
Н.И.
==
==
...
(')
Н.И .
STROBE
? (')
Q ОЗ
02 ] См. ниже*
Вых тон. сиг. TONE
i=? CJ 01/S0A
Адрес последовательного порта Ао
1-1:- а. ..J, OO/SCL
-'
31
ГЛАВА 3 Краткий обзор микросхем электронных ТА
С1 С2 СЗ
Подкл. кв. рез. OSCI OSCO Подкл. кв. рез.
Выб. реж. наб. PD/DT MF VDD Напр. пит. (+)
А1 2 З
А2 4 5 6
Вых. сигн. DTMF
Напр. пит. (-)
TONE
Vss ~
tn
СЕ
М1
Разреш. работы
Разгов. ключ
Выб. прогр. пауз. IAP ,.. М2 Блок. микроф.
RЗ ~
А5
7 8 9 DP/FLO] Вых. сигн. имп. наб.
[ А4 ~ DP/FLO и кратк. отб.
*
А4
А5 >
О
FL
#
%
Строки тастатуры RЗ
А2
А1
а
(,)
а.
СЗ
С2
С1
J Столбцы тастатуры
32
Микросхемы электронных номеронабирателей
Таблица 3.18.
Стандартное
Кварц fc = 3579545 Гц Керамика,fс "" 447 кГц
ЗН<1чение
Группа
частот Откл. от Частота на ОтКЛ. от Orношение дf/f,
Частота, Частота на Отношение
Nef номинала Bыxqцe ИМС, номинала 11(, %
Гц выходе, Гц l1f/fJ %
М, Гц Гц Гц
зз
ГЛАВА 3 Краткий обзор микросхем электронных ТА
пользуется стастатурой 4х4. Однако следует ука бильности по частоте I{ уровням идентичными
зать, что при использовании этой и других ИМС описанным для предыдущей имс. Цоколевка
ф. SAМSUNG отклонение значений частот сигна корпуса DIP18 дЛЯ KS58006 приводится на рис.
ла DTMF на выходе почти вдвое превышает ана 3.22. В корпусе S020 не задействованы контак
логичный параметр микросхем PHILIPS и состав ты 12 и 13, поэтому назначение выводов с 1 по
ляет не более 0,6% для частот нижней группы и не 11 совпадает с изображенным, а контактов
более 0,8% для верхней группы частот. 14 ... 20 сдвинуто на 2.
Но эти величины все-таки значительно ниже Кроме описанной ИМС в этой серии
допуска на этот параметр ГОСТ 7153-85, кото (KS580 ... ) есть еше целый ряд микросхем ана
рый равен ±1,8%. Также нужно отметить, что логичного назначения:
В составе микросхемы имеется ОЗУ емкос (DO ... D3) данных, корпуса DIP14 (KS58015) и
тью 32 знака для запоминания последнего на SO-14(KS580 15О).
бранного номера. Режим питания стандартный: Серия KS585 ... начинается микросхемой
от 2,0 до 5,5 В при максимально допустимой KS58500, отличающейся от ИМС предыдущей се
рассеиваемой мощности 500 мВт. Диапазон ра рии только возможностью выбора импульсного
бочих температур от -20 дО 70 С. Длительность
0
Столбцы тастатуры
С1
С2
[
СЗ
А1
А2
RЗ
J Строки тастатуры
С< J
г
А2 СЗ Столбцы
СТРОКИ
тастатуры
RЗ со С2 тастатуры
А4 О С1
Вход РП HS О ОР Вых. имп. ключа
со
Выбор соотнош. М/В It) Х MUTE Вых. разг. ключ.
Выбор реж. наб. MDS сп TONE OUT Вых. сигн. DTMF
[ OSC1 ~ Vss Напр. ПИТ. (-)
Подключ. резонатора OSCO VDD Напр. ПИТ. (+)
34
Микросхемы электронных номеронабирателей
миналах: ... 31D, ... 35D, ... 36D, ... 31N, ... 35N и KS58517N - корпус DIP20, память на 10 номеров
... 36N. Все ИМС с окончанием D выпускались по 16 знаков, управление спикерфоном, функ
в корпусах S028, а с окончанием N - в DIP28.
ция электронного удержания линии - «hold»;
Эта микросхема обеспечивает при стандарт
КS58522N/23N - корпус DIP20, память на 14 но
ном дЛЯ ИМС SAMSUNG питании (VDD = меров;
= 2,0 ... 5,5 В) следуюшие возможности:
KS58525E/26E/27E/30E - корпус PIP20, память
• формирование стандартных сигналов тонально на 14 номеров, управление спикерфоном.
го набора номера, с соотношением дЛительнос
Все эти микросхемы имеют одинаковое зна
тей «сигнал/пауза» не менее чем 100/100 мс;
чение предельно допустимой рассеиваемой
• выбор импульсного коэффициента (М/В) при мошности не более 500 мВт, что присуше ИМС
импульсном способе набора номера (2 или 1,5); КМОП технологии. У них один и тот же диа
пазон рабочих температур от -20 дО +70 С и
0
функциями - спикерфон, hold и рядом других. набирателей фирмы UMC лежит в пределах от
2,0 до 5,5 В. Напряжение сохранения памяти
На рис. 3.23 представлена цоколевка корпу
такое же, как у ИМС SAMSUNG, 1,0 В. Диапа
са S028 микросхемы KS58531D/35D/36D.
зон рабочих температур стандартный: от -20 до
Назначение контактов корпуса DIP28 дЛЯ +70 с. Максимально допустимая рассеиваемая
0
микросхем KS5853N/35N/36N полностью совпа мощность не более 500 МВт. Все микросхемы
дает с изображенным на рисунке. этого назначения выполнены по КМОП техно
В составе серии KS585xx, кроме описанных логии. В отличие от других фирм UMC не вы
ИМС, есть еше несколько микросхем, отличия пускала (насколько нам известно) микросхем
которых заключаются в следующем: ЭНН в корпусах для планарного монтажа, а толь-
Столбец тает. С8 С7
Вых. еигн. реж. ON/OFF а С6
Г
со С5 Столбцы
R2 (w) тастатуры
С4
........
Строки RЗ СЗ
а
тастатуры R4 Il) С2
R5 (w)
С1
Сигн. снятия МТТ HS ........ Вых. имп. ключа
а DP
Выб. имп.коэфф. М/В ,.... MUTE ] Вых. р_азг.
Вых.индикации реж. набора MDO (w) XMUTE ключеи
35
ГЛАВА 3 Краткий обзор микросхем электронных ТА
ко в корпусах DIP с различным количеством кон Более подробно рассмотрим серию микросхем
тактов. Еще одной особенностью этих ИМС явля UM91214/15, состоящую из восьми типономина
ется совместное использование с керамическим лов:
- 4 5 6 F2 гарантированный отбой
- 7 8 9 Р программируемая пауза
I I I..L
С1 С2 сз
36
Микросхемы электронных номеронабирателей
сериях имеют такие же отличия, как у UM91214A Среди микросхем ф. UMC, формирующих
и UM91214D. Среди импульсно-тональных ЭНН сигналы частотного набора номера, есть и та
ф. UMC есть и ИМС такого назначения, рабо кие, что обеспечивают только частотный на
таюшие под управлением контроллера и осуще
бор - UM95088 в корпусе DIP14, рабочее на
ствляемого двоичным кодом по последователь
пряжение в пределах 1,8 ... 5,5 В, стандартная
ному и параллельному интерфейсу. Эти ИМС тастатура 3х4, и такие, что обеспечивают пол
обычно используются в схемах модемов и факс ный набор функций современного ЭТА. Это
аппаратов, т.к. напряжение питания у них дос
гибридные микросхемы сверхбольшой степени
таточно высоко. Так, у микросхемы UM91260C интеграции - СБИС - с количеством контак
диапазон рабочих напряжений лежит в пределах тов до 80 и управлением многоразрядным (до
6... 12 В, а максимально допустимая мошность 16) жидкокристаллическим дисплеем - жки.
рассеивания почти в полтора раза выше, чем у
Приведем краткое описание одной из таких
описанных ранее. Еше одной особенностью этой
микросхем - UM93403-01. Микросхема в пла
ИМС есть то, что сигнал DTMF формируется
стмассовом корпусе типа PLCC80, рабочее на
вне самого ЭНН отдельной микросхемой.
пряжение в пределах 2,5 ... 5,5 В, емкость ОЗУ 4
В отличие от сказанного, ИМС UM91531 кбита, емкость программируемой памяти 40
(параллельный интерфейс) работает в обычном кбит, встроенный будильник с многотональным
диапазоне рабочих напряжений (2,5 ... 5,5 В) и акустическим сигналом. Встроенный детектор
имеет в своем составе встроенный генератор вызова и формирователь многотонального аку
сигналов DTMF. Корпус типа DIPI6. стического сигнала вызова, отличного от бу
Наиболее сложной ИМС ЭНН этой фирмы дильника.
является UM91273, обладаюшая, кроме описан Поскольку эта ИМС имеет большой объем
ных для предыдущих микросхем функций, еще памяти и полный набор сервисных функций
и функцией электронного удержания - «hold», ЭТА, то встроенный контроллер имеет собствен
и памятью на 20 восемнадцатизначных номе ный генератор для формирования тактовой ча
ров. Микросхема выпускается в корпусе типа стоты.
DIP28 и относится к классу наиболее эконо
Таким образом, совместно с микросхемой
мичных. Диапазон рабочих напряжений 1,8 ... 3,5
используются два кварцевых резонатора:
В, а рассеиваемая мощность не превышает 350
мВт. ИМС работает с мощной клавиатурой (5х8) • ОДИН, для формирования тональных, в том числе и
и поддерживает режим «свободные руки». Цо DТМF-сигналов с собственной чаcтoroй 3,58 МГц;
колевка корпуса этой ИМ С представлена на • второй, для формирования тактовой частотыI кон
рис.3.27. троллера (!;, резонатора не документирована).
Столбец тает. са
~
С7
?=~
А1
Вых. еигн. реж. RO С6
?=~ Столбцы
С5
Строки [ :=~ таетатуры
А2 С4
таетатуры F~ с")
RЗ
А4 F='= ....
N
СЗ
02
Вход РП HКI F!:F
Fi'"
,... С1
Выб. имп. коэфф. M/BI о) DPO Вых. имп. ключа
1=1=
ВЫх. выбр. реж. МООЕО
1= :е MUTE О Вых. разг.ключа
Вх. выбр. реж. МООЕ1 :::;) TONE О Вых. еигн. DTMF
Подкл. кварц.
~ 1 НО1 Вх. эл. удерж.(hоld)
[OSC1 =;!=
резонатора OSCO HDO Вых.эл.удерж.(hоld)
Напр. пит.
Общий
(+) Vee
GND
~~ HFC1
HFCO
Вх. «fгee hапd»
Вых. «fгee hапd»
37
ГЛАВА 3 Краткий обзор микросхем электронных ТА
Ввиду того, что работа ЖКИ требует довольно За свою историю ф. WINBOND выпустила
значительной мощности, то для этой функции, а более сотни ИМС ЭНН (включая модифика
также для питания усилителей мощности звуко ции), поэтому мы приведем некоторые из них,
вых сигналов будильника используется дополни ставшие особенно популярными в последнее
тельный источник питания обычно в виде бата время.
реи из 3 элементов типа АЛ. Упрощенная Наше описание будет представлено в виде
структурная схема UM93403-01 приведена на краткогообзора выполняемых функций трех
рис.3.28. серий ИМ электронных номеронабирателей -
В этой серии, в таком же корпусе, выпускалось W91550, W91570, W91810.
еще несколько микросхем аналогичного назначе
Серия ИМС W91510 представляет собой им
ния:
пульсно-частотные ЭНН с встроенными контрол
• UM93404-01 - полный аналог описанной; лерами ЖКИ, с ОЗУ на 13 ячеек 16-ти значных
• UM93412-01 - управление 12-разрядным ЖКИ. номеров и функцией блокировки набора номера .
Четыре ИМС этой серии имеющие между собой
незначительное функциональное отличие (отли
Универсальный НН фирмы WINBOND (Taivan) чаются длительностью программируемой паузы
Следующими в нашем обзоре идуг ИМС ЭНН между цифрами набора установленн;ой по умол
производства фирмы WINBOND (Taiwan). чанию и возможностью программирования сигна
сегменты ЖКИ
• функция блокировки набора номера (например, Серия ИМС W91810 представляет собой им
при выходе на междугороднюю АТС) после пульсно-частотные ЭИН с ОЗУ на 23 ячейки 16-
набора цифр О и/или 9; тизначных номеров, функциями блокировки на
бора номера и управлением в режиме НANDFRБЕ
• программирование импульсного коэффициента
с удержанием соединения - HOLD. Девять ИМС
(1,5 или 2,0);
этой серии отличаются между собой 6 параметра
• встроенный контроллер 10-разрядного ЖКИ с ми: скоростью набора номера, распределением па
функцией таймера времени разговора.
мяти ОЗУ по типам набора, а также наличием
Серия ИМС W91570 представляет собой им дополнительнь~ функций - блокировкой набо
пульсно-частотные ЭИН с встроенными кон ра, громкоговорящего режима работы, контролем
троллерами 12/16 разрядного ЖКИ, с ОЗУ на 23 громкости приема речи и установкой индикации
ячейки 16-тизначных номеров, а также функци нажатия кнопки.
• программирование скорости набора (1 О или • функция блокировки набора номера (напр. при
20 имп. В с); выходе на междугородную АТС) после набора
цифр О и/или 9;
• программирование паузы между цифрами на
бора (2 или 3,6 с); • программирование импульсного коЭффициен
та (1,5 или 2,0);
• кнопка «секретность» отключения микрофона;
• кнопки управления режимом НANDFREE и
• программирование времени «FLASH» (100, 300, ИОLD;
600 мс);
• 4-х уровневый режим управлением громким
• функция блокировки набора номера (напри
приемом (2 кнопки);
мер при выходе на междугородную АТС) после
набора цифр О и/или 9; • звуковая индикация набора номера и др.
39
ГЛАВА 3 Краткий обзор микросхем электронных ТА
ВЫВО)Jbl КВАРЦЕВОГО
(КЕРАМ.) РЕЗОНАТОРА
xr xr
нкs ВХОДРП
В/М уст. ИмпУЛЬСНОГО КОЭФФИЦИЕНТА
м:JDE ВХОД УСТАНОВКИ РЕЖИМА НН
(ИМl.JЧдcrОТА)
ВЫВОДЫ КВАРЦЕВОГО
(КЕРАМ) ~ТOPA
хт хт
ВХОДРП
ВХОД YIlРАВЛЕНИЯ
хт
нкs ВХОДРП
НА YГlРАВЛЕНИЕ "НANDFREE.
ВЫВОДЫДПЯ(V LCD
v пит. жки v АТС1 $=======t~
И тАйМЕРА V АТС2 УПРАВЛЕНИЯ жки
СР a-I .
ВЫВОДЫ YГlРАВЛЕНИЯ жки
LC. D.
жки
41
ГЛАВА 3 Краткий обзор микросхем элеКТРОННblХ ТА
42
МикросхеМbI устройств приема Вblзова
Микросхема также обеспечивает возможность Выбор тона звуковых частот вызывного акус
ступенчатой автоматической регулировки гром тического сигнала определяется значением ре
кости вызывного сигнала (первая посылка вы зистора, подключаемого к контакту 4, а частота
зова - самая тихая, вторая - громче, третья и переключений этих частот - емкостью - к кон
все последующие - наиболее громкие). такту 3. Отношение частот - 31:38. Нагрузка
микросхемы по выходу акустического сигнала
Эта микросхема широко применялась в пер
вых разработках ЭТА в СССР и СНГ, а возмож высокоомная. Обычно используется пьезоэлект
рический преобразователь с эквивалентной ем
ность использования в нетелефонных схемах
обеспечила этой ИМС заметное место в различ костью порядка 47 нФ и сопротивлением на
ных сигнальных системах. К недостаткам этой частоте 1000 Гц около 3,4 кОм. Если использу
ется низкоомный громкоговоритель, то необхо
микросхемы следует отнести необходимость
димо применять понижающий трансформатор и
внешнего моста и стабилизатора напряжения пи
тания, что усложняет и удорожает схему ТВУ. дополнительную RC цепочку для создания IZI
порядка, указанного выше. Цоколевка корпуса
Последующие образцы микросхем ТВУ стро
КРI064ППl показана на рис. 3.33.
ились на базе более высокой степени интегра
Подключение акустического преобразовате-
ции, что значительно упростило схему вызыв
ля можно осуществить двумя способами:
ного устройства.
Следующим рассмmpим формироваreль вызывно • к контактам 2 и 5;
го сигнала - микросхему КРI064IПIl, производившу • к контактам 5 и 6.
IOCЯ заводом «Светлана» (Санкт-Петербург, Россия). Во втором случае мощность на преобразова
Прототипом этой микросхемы послужила ИМС теле будет выше. Однако, если есть необходи
типа PSB6520 ф. SIEMENS. Микросхема реализо мость подключения второго вызывного устрой
вана в корпусе DIP8, который практически стал ства (например, оптического индикатора), то
базовым для ИМС этого назначения у большин используется первый способ, и дополнительное
ства производителей. Основным отличием этой устройство подключается к контактам 2 и 6.
микросхемы от 1008ВЖ4 является наличие встро При сопротивлении RT порядка 16 кОм тональ
енных мостового выпрямителя и стабилитрона, что ные частоты могут принимать следующие зна
КР10б4ПП1
Вх. напр. выз. UAC2 UAC1 Вх. напр. выз.
«Земля» (общ.) GND Uoc Подкл. фильтр. С
Подкл. емк. переключ.
CS Uо Инверт. вых. з. ч.
Упр. тоном з. ч. Ат Uo Вых. з. ч.
Рис. 3.33. Цоколевка корпуса ИМС КР1064ПП1
43
ГЛАВА 3 Краткий обзор микросхем элеКТРОННblХ ТА
Линия L1 L2 Линия
«Земля» (общ.) GND Сф Емкост. филыр
Частота переключ. Cs Н.И. Инверт. вых. з. ч.
Тон. частота RT OUT Вых. сигн. выз.
44
МикросхеМbI устройств приема Вblзова
нием звуковой катушки в пределах от 50 до 533 ... 800 Гц - четвертая гармоника (2132, 2400,
100 Ом. Диапазон рабочих температур минус 2867,3200); Д)1Я частот 1000 ... 1333 - вторая (2006,
0
11
8 +
1 6
45
ГЛАВА 3 Краткий обзор микросхем элеКТРОННblХ ТА
постоянным уровнем. Потенциал на этих кон нала вызова приведены в табл. 3.23.
тактах определяет также входное и выходное
Громкость сигнала вызова регулируется элек
сопротивления ТВУ. Первое может иметь зна тронным способом - все микросхемы серии
чение 7; 10.5; 17,5 кОм, а второе - 5, 10, 20 имеют входы кнопок «voI+» и «vol-».
или 40 кОм. Из этого следует, что применение
динамического громкоговорителя в качестве
Кроме указанных в табл. 3.23 частот, микро
схемы вырабатывают еще несколько специаль
акустического преобразователя возможно толь
ных сигналов:
ко совместно с дополнительной согласующей
цепью, при этом сопротивление звуковой ка • 2358 гц длительностью 40 мс - подтверждение
тушки динамика должно быть не менее 50 Ом. нажатия кнопок тастатуры, длительностью
Таблица 3.22.
}(ьрпус
Н8личие сип/ала Управление cn""ерфо- НОМ ИЛИ
ТИП микросхемы
основн. М{)диф, екл./выкл. ВЫЗОВ кнопок -*-
Наличие сигнала ИCnОЛЬ~.
и-#- "hlilllds free"
требует дополнительных усилителей для акусти Цоколевка корпуса КA2411 отличается от при
ческого сигнала вызова и сигнала ОТМР. Диапа веденной на рис. 3.38 лишь назначением контак
зон рабочих температур стандартный для изделий та 2, к которому подключается резистор, опреде
PНILIPS минус 25 ... +70·с. В состоянии ожида ляющий величину питающего тока ИМС.
ния микросхемы потребляют не более 158 мкВт, Напряжение питания этих микросхем стандарт
причем минимальное значение напряжения пита ное для изделий ф. SAMSUNG - 2,0 ... 5,5 В,
ния может быть не более 1,0 В. диапазон рабочих температур минус 20 ... +70·С, а
максимально допустимая мощность рассеяния
Эти микросхемы разработаны для работы с
мощными (5х6) тастатурами, объединяющими 300 мВт. Нагрузка по выходу звуковых частот
кнопки набора номера и функциональные кноп должна быть достаточно высокоомной - пьезоэ
лектрический преобразователь или динамик,
ки в единый ансамбль.
включенный через согласующую RC цепь и по
Так же, как и предыдущая, микросхемы
нижающий трансформатор.
РСО3332 требуют внешнего выпрямительного
моста и стабилизатора напряжения.
Следующими в ряду ТВУ ф. SAМSUNG идут
микросхемы КА2418В/28В, отличающиеся от опи
санных выше тем, что в их составе появляется
Микросхемы ТВУ фирмы SAМSUNG выпрямительный мост и теперь ИМС подключа
Следующим производителем, ТВУ которого ются непосредственно (но через разделительный
будем рассматривать, является ф. SAMSUNG, в конденсатор емкостью 0,5 ... 1,0 мкФ и резистор
числе изделий которой микросхемы вызывных порядка 1,5 ... 2 кОм) к телефонной линии. Кор
устройств представлены достаточно широко, а пус DIP8, его цоколевка приведены на рис. 3.39.
их аналоги производились многими другими По структуре выходного сигнала вызова эти ИМС
фирмами. ничем не отличаются от описанных ранее. Таки
Первой рассмотрим ИМС типа КА2410/11, ми же остаются значения рабочих температур и
выполненную по КМОП технологии и содер рассеиваемой мощности.
жащую в своем составе стабилизатор напряже При указанных выше значениях R и С схемы
ния, схемы генерации и усиления сигнала вы подключения ИМС к телефонной линии напря
зова. Микросхема выпускается в корпусе DIP8, жение вызова на контактах 1, 8 не должно пре
ее цоколевка показана на рис. 3.38. вышать 30 В. Кроме этого, входная цепь ЭТА,
Микросхемы вырабатывают акустический использующая такие микросхемы ТВУ должна
сигнал вызова типа двухчастотная трель, со
быть защищена от перенапряжения устройствами
стандартным циклом переключения fH/fB поряд (варистор, газовый разрядник и т.п.) с напряже
ка 10 Гц. Соотношение fH/fB находится в преде нием срабатывания не более двукратного значе
лах 1,25 ... 1,4, а сами частоты могут быть на ния U ВЫЗ +U б , что для сетей связи СНГ составляет
строены в пределах 500 ... 2000 Гц в зависимости величину порядка 300 В. Обычно эта величина
от элементов RC цепей, подключаемых к кон дЛЯ ЭТА различных фирм составляет 250 ... 360 В
тактам 3, 4 и 7, 8 соответственно для f H и f B • в зависимости от типа ТВУ и величин R и С
схемы подключения его к линии.
КА241 О
Напр. питан. Vcc
(+) SPO Вых. сигн. выз.
Блок выз. CONT
LF1
HF1J
HFO
Задание f генер. ВЧ
Задание f генер. НЧ [ LFO
GND «Земля» (общ.)
КА2418В
Тел. линия (а) R Т Тел. линия (б)
С
"Земля" (общ.) GND А Емк. фильтра питания
Задание f н C LF АС V ADJ Уст. реж. стаб.
Задание f B R SPO Вых. сигн. вызова
HF
47
ГЛАВА 3 Краткий обзор микросхем элеКТРОННblХ ТА
МС34012 (1,2,3)
«Земля» (общ.) . GND ~ [J~ RC OSC Задан. f
[ АС2 ~
Телефон. линия (а.б)
АС1 L...J
Fj'= ] А
С КОНД. фильтра
Задание частоты
Подкл. пьезопреобраз. PSO ~ ~ RC СОМ перекл. громкости
а
Тмеф,".
Подкл. л'"и"'
пьезопреобраз.
Конд. запуска
PSO
L1
[PSO
СВ
IIIMI; I~
МС34017 (1,2,3)
GND
RC OSC
RC
Телефон. линия б
«Земля» (общ.)
Задание
СОМ Задание
f
f перекл. громк.
48
МикросхеМbI громкоговорящего режима
В наших предыдущих книгах уже упоминались сразу стало сомнительным. Поясним, почему? Как
первые образцы микросхем речевого тракта и поэто известно читателю из наших (и других) публика
му наш обзор будет начат именно такими «микро ций сопротивление постоянному току питающих
схемами». Кавычки здесь употреблены отнюдь не в мостов АТС в СНГ составляет 1000 Ом (2х500
уничижительном смысле, а потому, что эти устрой Ом) при напряжении станционной батареи 60 В, и
ства бьши действительно малы по сравнению со 800 Ом (2х400 Ом) - при 48 В. Номинальный ток
своими предшественниками - транзисторными уси питания рассматриваемого усилителя составляет
КA8602D
49
ГЛАВА 3 Краткий обзор микросхем элеКТРОННblХ ТА
тель имеет достаточно большое (до 28 дБ) усиление а ~aTeM и схемы подавления местного эффекта. В
в полосе частот от 200 Гц до почти 7,0 кГц с настоящее время в состав наиболее сложных ИМС
неравномерностью частотной характеристики не этого типа входят устройства, управляемые звуко
хуже, чем ±2,0 дБ. Глубокая обратная связь обес вым сигналом (голосами говорящих), которые пол
печивает низкий процент коэффициента гармо ностью закрывают пассивное в данный момент
ник, что позволяет использовать этот усилитель в направление (передачу или прием), превращая схе
схемах ЭТА, тем более еще и потому, что предус му ЭТА из дуплексной в симплексную. Поскольку
мотрена цепь блокировки микрофона необходи переключение производится за очень короткий от
мая при тональном способе набора номера. Мак резок времени (порядка десятков микросекунд), то
симально допустимая рассеиваемая мощность не собеседники этого не замечают и разговор идет
превышает 200 мВт, а диапазон рабочих темпера совершенно естественно. Как ни странно, это стало
тур -20 ... +70 с.
0
Поскольку практически ни один из произ го способа набора номера, Т.к. в составе ЭТА по
водителей микросхем для телефона не выпус ЯВИ.нся генератор с достаточно высокой частотой
кал интегральных схем для усилителей приема - (3,58 МГц), необходимой для управления такими
для телефона, как отдельных изделий, то сей переключениями. Эволюцию микросхем речевого
час мы перейдем к рассмотрению схем, объе тракта рассмотрим на примере серии ТЕАI06х
диняюших в составе одного корпуса все уст
ф. PHILIPS.
ройства речевого тракта современных ЭТА. Такие В составе серии 8 микросхем (13 типономина
микросхемы начали разрабатываться и произво лов) с питанием от телефонной линии с напряже
диться почти два десятилетия назад, Т.е. в конце нием станционной батареи 24 ... 60 В. Диапазон
70-х гг. Вначале они представляли собой просто рабочих температур стандартный для изделий этой
комплект из двух усилителей и схемы их питания фирмы (-25 ... +75Т). Все микросхемы серии обес
от телефонной линии. Известны примеры ис печивают балансное сопротивление отображаю
пользования таких сборок в классических схемах шее мосты питания абонентских линий с сопро
ТА совместно с телефонным трансформатором, тивлениями постоянному току 2х200 Ом, 2х400
обеспечивающим переход от двухпроводной ли Ом и 2х500 Ом. Основные параметры микросхем
нии к четырехпроводной (прием-передача) схеме TEAI06x приводятся в табл. 3.24.
аппарата.
Здесь и далее, во всех таблицах, где приводятся
данные по усилению, глубине АРУ или уровню звуко
Микросхемы речевого тракта фирмы PHILIPS вых сигналов в устройствах речевого тракта ЭТА
следует учитывать, что измерения nроводились на
По мере совершенствования технологии произ
частоте JОООГц, при номинальном значении напря
водства микросхем и повышения степени их интег
жения питания и температуре 25 С!
0
Таблица 3.24.
Усиление, дБ можетприментъсяс
Прщщлы
Тmо- исв Uшпри Р,,=,,!при АРУ при
tp'" 5'С, МИКРОф. телвф. микрофОНОМ телефОНОМ
юмжал мин., В 'ш"'15мА, В (ш~20 .. .70 мА.
,.,Вт
усили - усили-
дБ
твль тмь ЭЛДин. але/<- пьезо- элдиН8М- пьеэо-
мarн.~ трет, ~/<Т. $Лщ/гн. э. эпектр.
ТЕЛ 1О67Г 36 3,65 550 44 ... 552 20 . ..45 5,5... 6,3 да да' да' да да
ТЕЛ 1О66Т 24 4,20 550 44 ... 60 17... 39 5,5... 6,3 да да' да' да да
* со специальным аттенюатором.
50
МикросхеМbI громкоговорящего режима
ТЕА1062 и максимальных значений ТЕА1063 в ление сигнала DTMF примерно в двадцать раз
диапазоне ILN =20 ... 70 мА, что соответствует тре ниже, чем речевого сигнала от микрофона, т.к.
бованиям ГОСТ 7153-85.
Все остальные значе усилитель DTMF рассчитан на входной сигнал
ния U LN дЛЯ всей серии ТЕА106Х находятся порядка 170 мВ типичный для частотных НН
внутри заштрихованной области. Цоколевка PHILIPS (например, РСО3326). Пределы регули
корпусов DIP16, DIP18 и DIP20, используе ровки усиления достаточны, чтобы на выходе в
мых в этой серии, показана на рис. 3.43 а, б, в линию (Zл=600 Ом) получить уровень сигнала
соответственно. Цоколевка корпусов S020 дЛЯ DTMF, требуемый по ГОСТ 7153-85.
1063Т и 1064АТ не отличается от соответствую Типовая блок-схема применения ТЕАI063 со
ших DIP20, а дЛЯ ИМС 1067 и 1068Т назначе вместно с частотно-импульсным НН серии
ние контактов корпуса S020, где 8 и 13 выводы РСО332Х показана на рис. 3.44, где хорошо вид
не используются, сдвинуто на один для выво
но назначение контактов 15, 19 и 20.
дов 9 ... 12 и на два для выводов 14 ... 20, по срав
Микросхема ТЕАI063 отличается от осталь
нению с корпусом DIP18 этих микросхем.
ных ИМС этой серии тем, что ее схема АРУ
В составе всех микросхем этой серии есть рассчитана на компенсацию потерь в линии с
усилитель сигналов DTMF и схема формирова затуханием до 9,0 дБ, что соответствует длине
ния сигнала MUTE для блокировки микрофон абонентской линии около 10 км при использо
ного усилителя при тональном наборе и переклю вании кабеля с медными жилами диаметром 0,6
чения усилителя передачи, т.к. последний
мм. Остальные микросхемы серии рассчитаны на
используется также и при тональном наборе. Уси- компенсацию затухания линии до 6 дБ (в сред
нем), что отображает линию длиной 4 ... 5 км для
кабеля с жилами диаметром 0,4 ... 0,5 мм соответ
ULN,B
ственно.
ТЕА 1063 U LN тах
6,5
6,0t...:;;_~",,"
Vdd
~
Q
DTMF t--+i DTMF ~ с')
3,015 20 35
'\J
~
LN SLPE
LN
=н=
'\J SLPE
GAS1 =;;:: AGC
GAS1
GAS2
... ~ N
со
AGC
REG GAS2 -!~
=F'=
....
со
REG
=ф: ОА+ Vcc
ОА Vcc О
GAR 1='?:
О
,... MUTE
ОА-
=Н=
,... MUТE
~~ GAR =:~
MIC-
MIC+ ?=:? :i1- 3 DTMF
IR MIC-
:::::;1=
MIC+ =;;=
:i1- DTMF
РО
SТAB '-'
~F -' VEE =i(=
IR
SТAB VEE
'-
а
б
Рис. З.4з. Цоколевка корпусов ИМС серии ТЕА 1О6х фИРМbI PH/UPS
51
ГЛАВА 3 Краткий обзор микросхем элеКТРОННblХ ТА
Нужно отметить, что усилители в этих микро- (наличие выхода для включения светодиода-ин-
схемах имеют хорошие АЧХ и низкий коэффи- дикатора состояния МТТ). Микросхемы более
циент нелинейных искажений. Это обусловило экономичны, чем предыдущие. Диапазон рабо-
широкое применение серии не только в телефон- чих температур стандартный (-25 ... 75 С). Ос-
0
ТЕА1112 DIP16 3,35... 3,95 0,5 ... 19,5 625 50,6 ... 53,0 29,7... 32,7 5,8 1(HIGH)
ТЕА1112А DIP16 3,35... 3,95 0,5 .. 19,5 625 50,6... 53,0 29,7. 32,7 5,8 O(LaN)
ТЕА 1112Т S016 3,70 .. .4,30 0,5... 19,5 400 50,6 ...53,0 30,3 ... 32,3 5,8 1(HIGH)
ТЕАIII2А Т S016 3,70 .. .4,30 0,5 ... 19,5 400 50,6 ... 53,0 30,3 ... 32,3 5,8 O(LaN)
ТЕА11)3 DIP16 3,70 . .4,30 0,5... 19,5 625 50,6... 53.0 30,3 ...32,3 5,8 O(LaN)
ТЕА 1113Т S016 3,70 .. .4,30 0,5 .. 19,5 400 50,6 .53,0 30,3 ...32,3 5,8 O(LaN)
52
МикросхеМbI громкоговорящего режима
совпадает с изображенной. Как видно из табл. 3.26. КА8504 - корпус DIP16, усилитель приема управ
и рис. 3.45, характеристики имс этой серии не ляется током линии.
линий и поэтому не нужны большие запасы усиле симально допустимая рассеиваемая мощность при
ния и глубины АРУ дЛЯ компенсации потерь в наибольшей температуре ограничивается значени
линиях. Кроме этого, значительно улучшены ха ями порядка 600 мВт дЛЯ КА8503 и 500 мВт для
рактеристики акустических преобразователей (мик КA8501A и КА8504.
рофона и телефона), что также способствовало уп
рощению имс.
Микросхемы речевоro тракта фирмы THOMSON
Также, как и микросхемы речевого тракта пре
дыдущей серии, ТЕАIIIХ требуют внешних це Фирма SGS THOMSON также выпускала имс
пей противоместной схемы и баланса линии, их речевого тракта. В составе ее продукции представ
расчет описан в издании ф. PHILIPS - «WirеЬоuпd лены как простейшие изделия этого назначения -
telecom» (1995г.). LЗ280. корпус DIP14, так и более сложные -
LЗ28IAВ. корпус DIP14 и L328IAD. корпус S014.
Эти микросхемы подобно изделиям PHILIPS пи
Микросхемы речевоro тракта фирмы SAМSUNG таются от телефонной линии. Первая из упомяну
Практически все крупные разработчики и про тых микросхем требует внешнего стабилизатора, а
изводители микросхем выпускали имс анало вторая - имеет встроенный. Напряжение пита
гичного назначения. Поэтому мы сейчас рассмот ния этих микросхем состаRЛЯет величину порядка
53
ГЛАВА 3 Краткий обзор микросхем элеКТРОННblХ ТА
CSP А12
Vcc RI-
5РО RI+
MIC+ то
Опорное напряж.
Напряж. пит. (-) Vss 1==';= ~ ~ Резистор рег. тока
MIC- n
Н.и. MUТE
Вых. ус. передачи 5ТО ~~ О F Напр. пит. (+)
Вх. ус. передачи 5TI r-- Вх. ус. приема
Вых. рег. ус. передачи РТО;= ~ ~ ] Вых. стабил. напряж.
Вх. микр. ус. MICI ~ ... i=
Вх. сигн. ТОН. НН DTMF О Вх. сигн. блок.
Рис. З.48. Цоколевка корпуса ИМС ТР5700А Рис. З.49. Цоколевка корпуса
PLCC28 ИМС XR- Т6420-2
54
МикросхеМbI громкоговорящего режима
Особое место среди микросхем речевого тракта (High) уровнем. Эти ИМС используются, как
занимают ИМС, обеспечивающие режим «haпd ftee» правило, совместно с устройствами речевого
и громкоговорящую связь. Эти изделия различных тракта серии ТЕАI06х.
производителей можно условно подразделить на
Почти аналогичную ТЕАI083 микросхему вы
две группы: микросхемы, используемые совместно
пускает ф. Motorola - MC34119PjD. Типономи
'с ИМС речевого тракта для М1Т и объединяющие нал Р в корпусе DIP8, а D в корпусе S08. Отли
в своем составе обе схемы - обычную и громкого
чие состоит в том, что изделие Motorola имеет
ворящую. Наш обзор продолжим, начав с ИМС
более низкое выходное сопротивление усилителя,
первой группы. Вначале рассмотрим изделия серии
допускающее работу с громкоговорителями сопро
ТЕАI083х ф. PHILIPS, в составе которой три типо
тивлением от 8 Ом и выше (типовое значение 32
номинала ИМС: Ом). Диапазон питающих напряжений 2 ... 16 В,
ТЕА1О83 - корпус DIP8, усилитель громкоговори интервал рабочих температур (-20 ... 70 С). Макси
0
шним потенциометром для регулировки гром 600 мВт при мощности отдаваемой в нагрузку 32
кости. Напряжение питания стабилизированное Ом ПОРЯдка 400 мВт. Усиление - фиксированной
2,95±0,2 В при ILN =15 мА. Диапазон рабочих величины: 46 дБ. Регулировка усиления потенци
температур (-20 ... 75 С). Максимальная рассеи ометром на входе. Потребление тока в режиме
0
ваемая мощность 500 мВт. блокировки не превышает 100 мкА. В СНГ вы
пускается два аналога этой микросхемы:
ТЕА1О83А - корпус DIPI6, все параметры те же, но
максимальная рассеиваемая мощность 750 мВт. • КРI064УН2 з-д «Светлана», С-Петербург, Россия;
ТЕАI083АТ - корпус SOI6, максимальная рассеи • ЭКР1436УНl о. «Интеграл», Минск, Белоруссия.
ваемая мощность 550 мВт. На рис. 3.51 приведена цоколевка МС33119,
Цоколевка корпуса ТЕАI083 приведена на которая полностью совпадает с цоколевкой упомя
рис. 3.50. Микросхемы «... А» и « ... АТ», которые нyтых выше изделий. Все описанные микросхемы
выпускаются в шестнадцатиконтактных корпу чаще всего используются в ЭТА с функцией «free
сах, имеют еще один вход РО - понижение hand» или, как ее еще называют - «монитор». Эта
напряжения (частичная блокировка) при им функция позволяет контролировать состояние ли
пульсном наборе номера. Таким образом, за нии и вести набор не снимая трубку.
действуется 9 контактов, а 7 остаются незадей Теперь перейдем к микросхемам, обеспечиваю
ствованными. щим громкоговорящую связь, основное отличие
либо от ЭНН, либо от контроллера ЭТА сигна одного усилителя - микрофонного и схемы, обес
лом логической «1» (High). При сигнале «О» печивающей трансляцию сигнала передачи в теле
(Low) усилитель находится в состоянии готов фонную линию. Как правило, современные ИМС
ности, но его вход заперт. этого назначения оснащаются еще и устройствами
управления усилением голосом, что значительно
Микросхема «... А» отличается от «... АТ» тем,
снижает возможность акустической завязки трак-
что сигнал РО должен подаваться высоким
ТЕА1083
Напр. пит. (-) Vss VBB Стабил. напр.
Вх. тел. линии SUP SO Вых. ус. гр-ля
контр. вх. тока SRE SE Вх. сигн. разреш.
Вх. ус. гр-ля 511 512 Вх. ус. гр-ля
МС34119
Вх. сигн. блок. СО V02 Вых. усил. (инверт.)
Конденсаторы [С2 GND«3емля» (общий)
фильтра питания С1 Vcc Напр. пит. (+)
Вх. усил. V1 V 01 Вых. усил. (неинв.)
55
ГЛАВА 3 Краткий обзор микросхем элеКТРОННblХ ТА
тов передачи и приема. В качестве при мера рас телефон, т.к. это выход усилителя приема, но
смотрим серию ТЕАI09х ф. PHILIPS, состоящую при разрешении включения усилителя громкого
из шести микросхем, каждая из которых выпуска ворителя этот выход переключается на вход пос
ется в двух типономиналах. ИМС громкой связи леднего, становясь его первым каскадом. Имеет
построены по биполярной технологии и имеют входы для подключения внешних элементов це
достаточно большое потребление мощности, по пей баланса, входного сопротивления и Т.д., ана
этому большинство ЗТА со спикерфоном требуют логично ТЕА106х. Глубина АРУ составляет 6 дБ,
дополнительного (кроме телефонной линии) ис что достаточно для компенсации потерь в линии
видно из назначения выводов микросхемы, в ней рии ТЕА106х, а ТЕА1095 требует еще и допол
много общего со схемами речевого тракта серии нительного усилителя гроцкоговорителя, Т.к. в
Таблица 3.28.
* указано номинальное значение, пределы: 3... 12В; ** то же, пределы: 2,9 ... 12В; *** R L =50 Ом.
56
МикросхеМbI громкоговорящего режима
Для лучшего понимания работы устройств, • «весовой» схемы, оценивающей состояние трак
обеспечивающих развязку цепей приема и пе та и формирующей входной цифровой сигнал
редачи в громкоговорящих речевых трактах и логической матрицы;
работающих под управлением голосом рассмот • голосовых ключей, формирующих смещение
рим упрощенную блок-схему ТЕАI095 представ
первых каскадов усилителей приема и переда
ленную на рис. 3.53. чи - управляющие их усилением.
В составе этой ИМС есть три основных узла: Рассмотрим назначение некоторых элемен-
• усилитель приема, обеспечивающий компенса тов схемы. RС-цепочки с индексами Т и R
цию потерь в абонентской линии (усиление устанавливают пороги чувствительности СООТ7
всего 6,5 дБ, см. табл. 3.28) и являющийся, по ветствующих логарифмический усилителей, а
сути, предусилителем громкоговорителя; емкости с такими же индексами - время вклю
чения усилителей.
• усилитель передачи, рассчитанный на совмест
ную работу с микрофоном низкой отдачи (см. Резистор R STAB устанавливает опорное напря
табл. 3.28) и обеспечивающий усиление рече жение в схеме голосовых ключей, а R SWR -
вого сигнала до уровня достаточного для нор порог срабатывания ключа приемного тракта.
мальной работы тракта передачи микросхем Емкость C SWТ определяет время переключения
серии ТЕА106х; ключа тракта передачи.
ве:
гих производителей.
57
ГЛАВА 3 Краткий обзор микросхем электронных ТА
Аналогом MC34018 ЯRЛяется ИМС AN959 фир ИМС, поставляемая изготовителем в 52 выводном
мы MATSUSHIТA, торговая марка PANASONIC. корпусе типа TQFP-52 или в 42 выводном SDIP-
Представляет интерес громкоговоряшая 42, обеспечивает все базовые функции интерфейса
ИМС РВМ3911 ф. ERICSSON, в которой уп телефонной линии (разговорной схемы), а также
полнодуплексную громкоговоряшую связь с «тон
равление аттенюаторами передачи и приема
ким» автоматическим регулированием электроаку
осушествляется цифровым способом с приме
нением линейного АЦП формируюшего циф cтичecKoй обратной связи системы микрофон (М1Т
или внешний) - телефон (М1Т или динамик).
ровой сигнал управления. Задаюший генератор
схемы управления имеет частоту 25 кГц, что МС33215, схема которой приведена на рис. 3.56,
соответствует периоду следования тактовых
содержит в себе следующие основные узлы:
импульсов 40 мкс И В комплексе с «весовой» 1. для обеспечения функций линейного интерфейса:
схемой, подобной использованной в ТЕАI095, • согласование NI по переменному и постоянно
обеспечивает закрытие пассивного канала и от
му току, включая регулировку и согласование с
крытие активного незаметно для разговариваю
полным сопротивления NI (активной и комп
ших. Микросхема выпускается в корпусе DIP24.
лексной состаRЛяюших);
Цоколевка PBM3911 показана на рис. 3.55.
• устройство эффективного и стабилизированно
Аттенюаторы 1 и 2 управляют усилением
го питания (отдельно для внешнего микрофона
тракта передачи, а 3 и 4 - усилением тракта
и микрофона М1Т);
приема. Основными задатчиками, кроме уже
упомянутого линейного АЦП, управляюших
• раздельные питаюшие цепи для режима
«speakerphone» и МТТ;
воздействий на схему управления являются де
текторы огибаюшей в трактах передачи и при • раздельные усилители приема и передачи (с
ема масштабируюшие усилители и пороговое дифференциальным входом микрофона);
устройство с большой постоянной времени. • цепь местного эффекта с автоматической регу
Одной из наиболее мошных ИМС (если не лировкой компенсации затухания М;
самой функционально-производительной) в дан • вход MUTE цепи микрофона и телефона;
ном классе устройств на сегодняшний день, яв
• отдельный вход сигналов ОТМР;
ляется продукт ф. MOTOROLA - МС33215. Эта
58
МикросхеМbI громкоговорящего режима
• цепь питания периферийной схемы ТА. Завершая на этом обзор схем громкоговоря -
2. для обеспечения функций работы в режиме щих ЭТА, считаем необходимым отметить не
сколько общих моментов:
«speakerphone» :
• устройство управления логикой работы; • поскольку усилители громкоговорителей тре
буют достаточно большой мощности от источ
• интегрированный усилитель цепи микрофона ника питания, то читатель должен уяснить, что
(с дифференциальным входом) и громкогово
хороший ТА с функцией «speakerphone» не мо
рителя;
жет питаться только от телефонной линии с ее
• интегральный переключатель режимов, обеспе ограниченными возможностями по мощности
чивающий регулируемое переключение режи постоянного тока;
MoB работы;
• время переключения трактов приема-передачи
• устройство слежения за уровнем шума; при разговоре (10 ... 30 мкс) незаметно для собе
• устройство регулировки «глубины» переключе седников, но в значительной степени зависит
ния; от опорного напряжения управляющих элемен
СИГНАЛЫ АЛ
ДВУХЧАСТОТНОГО
ДЕЛИТЕЛЬ
КОДА
ТОКОВ ПИТАЮЩЕГО
НАПРЯЖЕния
МИКРОФОН
М/Т ТРУБКИ
'------4--1 +
РЕГУЛЯТОР
ТОКОВ И
АПЕНЮАТОР НАПРЯЖЕНиЯ
миКРОФОН
ВНЕШНИЙ (РЕГУЛЯТОР АВТОМАТ ПЕРЕРАСПРЕ· I---+-----+..г-.......
ДЕЛЕНИЯ
ИЗМЕНЕНИЯ УСИЛЕНИЯ)
ВХОДНЫЕ
СИГНАЛЫ
КОНТРОЛЛЕР
НАПРЯЖЕниЕ
1----------...., УПРАВЛЕНИЯ ДУПЛЕКСНОЙ 1-1----------------+--<
СВЯЗЬЮ
ПИТАНИЯ
(ОТТЛ.
ТЕЛЕФОН
ЛИБО ВНЕшнЕЕ)
М/Т ТРУБКи
АПЕНЮАТОР
(РЕГУЛЯТОР АВТОМАТ
ИЗМ УСИЛЕНИЯ ДИНАМИКА)
ГРОМКОГОВОРИТЕЛЬ
ВНЕШНИЙ
AuХlllЗry Iпрut
59
ГЛАВА 3 Краткий обзор микросхем элеКТРОННblХ ТА
Таблица 3.29.
Памт"Ь частота
К-е о Наличие Наличие
Напряжение 7IJ(ТOBoт
Тип noртов программнот генергтора Пр_чание
пит., В генера тора,
ROМ, RAM, (бит) таймера DTMF
МГц
кбит бит
Rn
Микросхемы телефонных контроллеров (ери)
росхемы контроллеров в чистом их виде почти не сора позволяет работать с внешним ПЗУ объемом до
встречаются. Большинство фирм предпочитают двух кбаЙт. В связи с достаточным кОличеством ли
производить микросхемы многофункционально тературы по данному вопросу (например Справочник
го назначения. Среди микросхем подобного на по однокристальным микро-ЭВМ, 1994г. Издатель
значения, произведенных в СНГ, можно указать ство «Бином», Москва), а также в связи с более
(на момент написания этого обзора) только одну - конкретным описанием работы КР1816ВЕ39 в соста
КРI008ВЖЗ, которую выпускал з-д «Экситон» ве устройства в следующих главах здесь наше описа
(г. Павловский Посад, Россия). Хотя основное ние мы закончим.
питание
З,58МГц
ВЫЗОВ
61
ГЛАВА 3 Краткий обзор микросхем элеКТРОННblХ ТА
ш А4
Входы тастатуры (строки)
C1L... ....
Входы таСТа1УРЫ (столбцы)
С3 F;=
~1*8 АЯ 32 ]
Общий "Земля" rGND2 L.. F" нкs Вход рычажного переключателя (РП)
а)
NC =1= F А1
NC =-= F NC
NC = ОР ВЫХОД импульсного ключа
ВЫХОД звуковой индикации
нажатия кнопки (кроме FLACH,REDIAL)
ВХОДЫ подключения кварцевого [
кт
хт
'" МООЕ
ВМ
Вход выбора режимов работы номеРОНf,бирателя
Цепь программирования имп. коэффициента
или керам. резонатора 3,579545 МГц ХТ HKS Вход рычажного переключателя (РП)
aI ~ NC
Выход сигналов DTMF MFO
Общий "Земля" rGND2
LGND1
:Е
Q
10
F.
~ V oo 2
VDo 1
J Питание цепи номеронабирателя
б)
БЗ
ГЛАВА 4
Вначале рассмотрим типичные образцы про (или наоборот б~ ... а, при обратной полярности
стейших электронных аппаратов «Телта 201» и ПРОВОдОВ). Эта цепь обеспечивает сохранение в
«Телта 204», отличающихся конструкцией корпу ОЗУ 001 последнего набранного номера и под
са и расположением кнопок номеронабирателя держивает режим готовности микросхемы. Ре
«<Телта 201» - НКИ (3х4) , «Телта 204» - «Су зистор R3 со значительным сопротивлением (100
венир - Н» С расположением кнопок по круту). кОм) ограничивает ток в линии до значений, не
превышающих разрешенных ГОСТ 7153 (в дан
ном конкретном случае до величины порядка
64
ТелефОННblе аппараТbI ФИРМbI Телта
жатой кнопкой тастатуры. Эти импульсы управ Несколько слов о дизайне и механической
ляют работой импульсного ключа (DА2, DА3), конструкции аппаратов «Телта 201» и «Тел та
закорачивающего линейные про вода на время t зам . 204». Нужно отметить неплохую цветовую гам
и размыкая их на время t разм . Эти времена уста му пластмассы корпусов и трубок и хорошую
навливаются такими, чтобы их отношение - компоновку обоих моделей. Если бы еще и
tразм/tзам.=1,5, а их сумма - t разм .+ tзам.=100 мс. Во повысить качество сборки и точность подгонки
время передачи серии импульсов одной цифры соединений, то можно было бы аппараты оце
номера с DА1.18 на разговорный ключ DА4 по нить в 70 ... 75 баллов по стобальной шкале.
дается потенциал, открывающий ключ. Это бло
По своим техническим характеристикам
кирует разговорный тракт (в основном его при
сходны с описанными моделями и аппараты
емную схему) и предотвращает треск в телефоне
«Спектр» моделей 201 и 202. У них также толь
во время набора номера. В то время (t зам ), когда ко импульсный набор номера, запоминание и
линейные провода закорачиваются через DА2 и автоматический повтор последнего набранного
DA3, питание 001 поддерживает емкость С6, номера значностью до 22 цифр, стандартная
разряжаясь по цепи:
3х4 кнопочная тастатура. В Отличие от описан
C6(+)-7Rl0-7DD1.1-7DD1.17-7 общий провод. ной схемы «Телта 201, 204» эти модели защи
щены от пере напряжения на AJ1 варисторами,
Таким образом, в телефоне будет прослуши а импульсный ключ совмещен с мостом. Мо
ваться только один довольно слабый щелчок в дель 202 отличается от 201 возмОЖНОСтью регу
момент снятия блокирующего потенциала. Кро лировки абонентом громкости приема регуля
ме этого, телефон защищен от акустических уда тором на трубке (типа 10 по кодировке
ров (попадания на провода AJ1 грозовых разря изготовителя). Компоновка корпусов отличает
дов или большого переменного напряжения) ся от моделей «Телта», а цветовая гамма прак
стабилитроном УD6. тически та же, Т.е. вы можете выбрать аппарат
почти любого, от белого до черного цвета.
Такова, в общих чертах, техническая характе
ристика этого простейшего, по нашей классифи Следующим рассмотрим аппарат модели
кации, телефонного аппарата, который по клас «Спектр 203», который можно отнести уже к
сификации ГОСТ 7153 относится ко второму простым (а не простейшим по нашей класси
классу сложности. фикации), хотя по ГОСТ 7153 он также второго
х
R4 С1 1мК/25OV Dд2 КР1014КТ1А VD1
А1 1 2 КД24ЗВ
430 ОА1 КР1064ПП1
68k 3
1 GN LN2 8 сз
LN1 У 6
22МК/25V
2 + 7
av R7
С2
560k Dд3
Линия С OUТ2
68 КР1014КТ1А
АТС
2
R
R5 3
б б Б 10k У 6
5В1.1 8 Х 7 VD2
рт-4 КД24ЗВ
ОО1 КР1008ВЖ1
22 УО х2
21
Х/У
У1 Х1
20
2 у2 ХО
19
5 У3
12
NSI
13 М/5 U2 3
15 нs U1
14 IPS
7 АС av 17
18 7
R NSд
А8 R9
220k 390k
65
. 202
ГЛАВА 4 Современные ЭТА производства стран СНГ и Балтии
класса. При сохранении только импульсного на пульсный), ОА4 (разговорный, понижающий на
бора номера этот аппарат получил дополнитель пряжение питания разговорного тракта). На вре
ную сервисную функцию, т.к. в нем применена мя замыкания проводов AJ1 импульсным клю
микросхема НН типа КР1008ВЖ5А, обладающая чом режим питания микросхемы 002
кроме ОЗУ на 22 знака, еще и встроенной памя поддерживается емкостью С9. Режим набора но
тью на 10 восемнадцатизначных номеров. Ди мера осигнален светодиодом УО13. Общая схе
зайн корпуса и трубки тот же, что и предыдущих ма стабилизации напряжения организована на
моделей. транзисторах VТl, VТ2 и стабилитронах УО4,
УО5 и VОб. Нужно отметить, что громкость
СИгнала вызова в ЭТОй модели ЭТА регулируется
плавно переменным резистором R3. Первичная
вызывная цепь и схема организации вызывного
4. 1.2. ТелефОННblЙ аппарат
сигнала не отличаются от описанной для «Телта
«Спектр 209» 201». Способ набора номера задается переклю
чателем SA2: положение Р - импульсный на
Следующая модель в этой серии - «Спектр бор, F - частотный. Напомним читателю, что
209»,стандартный телефонный аппарат по на оперативный (во время набора) переход возмо
шей классификации, имеющий универсальный жен только от импульсного к частотному, когда
частотно-импульсный НН на базе микросхемы переключатель SA2 в положении Р. Этот пере
КРIО08ВЖб (см.гл.3). ход осуществляется после нажатия кнопки Т на
Принuипиальная схема аппарата «Спектр тастатуре. Импульсный способ восстанавливает
209» приведена на рис. 4.2. Отметим несколько ся автоматически после «отбоя» любым спосо
ключевых моментов построения схемы этого бом: укладыванием МТТ или нажатием кнопки.
аппарата:
5... 7 мс) время частотной посылки, соответству Если учесть, что все это обеспечивается од
ющей одной цифре номера (в данном случае 80 ной единственной микросхемой, то справедли
мс) или время трансляции всего номера при вость нашего определения полностью обосно
вызове его из ОЗУ. вана. Двадцативосьмиконтактная ИМС серии
AS253x представляет собой однокристальную
Импульсный и разговорный ключи реализо
ваны на полевых транзисторах ОАl, ОА2 (им- схему ЭТА, содержащую в своем составе:
бб
r--------------------------------------------
1 Плата 3.129
-------------------------------------------
1 I
Плата 3.190 -<f-
Х1
---, б
~',;
: ii ОО2
, m КР1008ВЖб
й-< 1
1
1
1
1
УО
У1
х2 20
~
1 1 1
Х1
:,!
19
= хо 18
А16
W2 У4
~ б
1
1
1 ХТ4 I 6 N51 ~17=---------J
Н5
1::91115
А8
~~~
~щ ~
A2 5 ХТ5
,~ '
) !~ *~:
~
~VD1З
~VТБD"О
А24
~
"1--D. UА26
O~
VТ71..... А28
I 15 Vo
9 по
А29
фi
ffi
а
-е.
,, ______ -Г~C1~
4
з R L VD7
о
А' VТ2
Jc
~,_________
11 '11
~'I ~
'"
~RЗ <
~___ t:,)п.'
1 1")(57---===:-
м'б: --
,)m ' ------- Q)
"
~4
--- --- ~
Q)
~
---- --------- __
1
___ ___ ___ _ _ _ _.L
___ ~)П"
)')'"
1
"1
,:
1
1
1
-е.
-§
Рис. 4.2. Схема электрическая принципиальная ТА "Спектр 209»
~
фi
о) ::5
...... Q!
~
о)
со
»
~
~
:-~6-M~-~- -B,F-:
А29 Х4 11 ~ ~ 11 >-
-- - - ----- - --- -- -- -- -- -------- -- - - -- ---- --- -- --- -----: --
r - - - - -
СI А5 А9 А27. -< 1
А ~5AI,1
А2
I
А10 ~ А14 С4 С5 RЗ4 1·W IT г--
1 4
Г
~ .J З г- С6 Т МИ$.2~ МИ!!!.:..__ЗГ _
1 2 I ; 2 1 1
1 1 + 2 1 1 2 1
а I ЛИНИЯ
З
"- +'
'
•,
,
J: ,-'
А6
m
R2З
, ~
·'1
"'+
МI,~,С\' 4 -4-~
-...L Ж-.
ttt::
~~ А1"
"".- "., '-"- ct>
ffi
RЗА2 З ~ t-o--1 t-o~ r-oJ
- - J I , 27 U 1 7 2 5 6 7
-C:::}J
5А ~
~:..!~
R17
АI АО З ~Д"СI +
А4
t:!!L 2 9
о ~ """--1
N --'- --'- --'- ~
ГI"r- А12 А18 ~ С7 5ТВ C4~С4 Г З МОО Е ГI О ~
1.2 ,.-, - 28 95 5
5 6 6 I
r--
R4 ,; : 1- 2:
~ -г>- ~, С2 tтбё1~ r-o~..., r-o~""1 t-o~1 Г" 1
" 6 13
ct>
А5 СI
'--- 8 9
1 ,,;, "" : ,
А7 VТ7 CI~А1 ~ --J '~
си
4 , - - ...2.. 1 1
jl
r-- I
~ ~ ~l' ~t
А20 \' VD8 ~
25
10
С5
А1А2118tТ9'R2А3
20
1
1
1
1
1 р V';::
т оV
VD9
!.........;-'-~
r-o ...,
А1 :t;!
А4 Ф 'А19 Е
H5/DP
RЗ А4
А4 ~ МООЕ
1 1
--J
I _
-5
VТЗ
VТI
h. 9 17 1 1 >
I LLC 1 5 RD Vol
-.. 12 1 1 --'- --'- о
МООЕ
05С I t-o ..., t-o~ ~
l(о~ ,,
ВО2 X2.~ ~l 1 1 гl
26 V 11 1 1
Q =Т= С2 8 55 МО AgndMFL 2 I 11 1I -l
D:J
g
Udd
g
ХЗ
',
VDI
А8
+
1·
VDI"c1
41
j
15
L....
CL
T
--
ТС10 ~
CI ВОI --'-
ТС18
VD10W
~М2l~З
""1
~,;
~---L...
111
~
I
~---L...
P.T
r
~~
МI
....L..
МА
с')
~
tb
с')
-ь
~
~
~
Рис. 4.3. Схема электрическая принципиальная ТА «Телта 214»
~
~
~
~
ТелефОННblе аппараТbI ФИРМbI Телта
Во время импульсного набора номера режим И последнее: все упомянутые в обзоре модели
питания 00 поддерживается зарядом емкости С8. ЭТА «Спектр» и «Телта» могут работать с АТС с
напряжением станционной батареи 60 или 48 В
абсолютно одинаково.
69
~
»
~
А'4 ,О ~
,з
11
g
~
ct>
s:
~
ct>
си
~
-5
о
------1
~
'~
--- ---- А8 1
1
--- 1
, D:J
А2
т5"
',8
'УХ17 Х'9
g
хр,
-.Lc, УО
од
1 BF
I ТЭМК-ЗТ ----------------Ji,7 ~b;B 1'20------------ с)
~
IЗзоо KG512A 4 1 ------~------- - --. - .-, tb
х"тз
с)
;о2м" I~~BMK -ь
С1 tb
XS12
... 1000мк :t
БВk ез,с4
ТУ (')
r::__ ~____ _
з
2омкI 1ООмк хр,
~
О,068мас
;,l~_,"-
XS13 ХР5
________________________ 1 Х'4
·
-2208
~
АЗ
~
-----
Рис. 4.4.8. Схема электрическая принципиальная ТА "Спектр 001»
~
~
v
J1 Ф 4 51фl8 9 -'(
112 з14 51вt7181910 _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _
Х5у
з14 51617 elg о 1112113~4115161171B~9
X9
12 Плата 991
8д
'1 7~
Г
б 9 3 8 11 14 15 1б С10 13 17
А5 412 VD4 118 19
~~
ДЛ307БМ 0,5~Ш-4
А1
А17
51k 200k 3
II.~ 1:::::::::. 200k
2
~
ОТК. УГП "J/
51
61-
т-а-; ~ ~iMK Вкл, ут 1
11 52
12 DD1 311 5 ......
~o
D51
RдM
VD1 Q~б 51k ~21 Д DD2 2
А15
fЩ2J ~
VD2
КД521д
~
VD10
I
КД521д
КД521 Д 17 DD1 2 3 10 4
~1 -ю
~2
11 2 51k 10 9
~2 o~ 9
А9 А13 ~
б 1
~3 1.!.!L...!; DD2,1 81 14 10
2~
~А7 I
~4 2 ~2
D1 А24 11
~5 3~ ~ ~ 39 ТО Р Р1 330 АЗ2
~,..w.-
Г
1~ DA8
6
~6
3
4~ 13
~ I ~ Т1 1 1 [ А28 'ззо' 1
5~ Р10 27 11 1 B~ .!Lг-
1~~ 6~ Р11 28 2 2 10 2 L-
2,4k D2
4 3 3 14 МК XfY 2 129 11 11
2 22 9 7 д.-l. 5ik CLR Р12
29 9 3 />З/Е
3 28 10 10
.g. 13 DE
±1'~, I
4 4 8
3 19 10 VDб
КД521д
Р13 ~~ 5 5 7
4 ;=~MK С12
t'
VD12
д2/Е
Д1/Е
4 27
Р14 32
5 .!L 47MKl f!. КС10бд АЗ9
18 f - 1 2б 525 е)
11 '20 С51
CS2 DD11
' Г4О
б
INT
UCC
Р15
Р1б 33
б
7 7
б б
5 7
б
L..,
+11
11
18
5А
С11/Б
С12/С
47 25 9 ~Ok
~
/' -----.l.
7 4б 24
С3 4
ii Р17 34 С13/В
11 8 8 L..o---- ЕХ
~
......!.Q 2L W/R ЕМд 8
20 МОН 45 23
О,Об8мк А1;[
51k
01
с4
r: UDD
GNT
55
""""р2
Р20
~
Н
5 ~ t>
DD4
2
L..
24
21 KDE
С21/Д
С22
С23/11
С31
СЗ2/12
44
43
42
41
22
21
20
19
5
~~! 1~1 Г11- А "
~~
f-.2 t> 4
D54 РАОМ Р21 Г-
О 7
О52
Т
2~
:-
~дo o~ ..d1
22
2 СА1 Р22
~ D55
8 Е СЗ3
40
39
18
17 111"1" 11"2-1113- it- A
- mt
?~ ?~ 9~ ч~ ~
Р23
~ ~ г--
D1 С41/13
15
3~ ~Д1 1~ ~;, В01 Р24
1 1 9 D1 RG 1Ц ~ t> 19 00 С42
38 1б
~ D2
1~ ~д2 2~ зб 2 rt-'W 2~ 37 15
1 ('!)
~
D4 Р25
~ f-- б С43/14
-е.
О2
4~ ~дЗ 3~ ...--3 37 3
3~ fL2 17 D1 CS1 3б 14
r,~4- 1~5- l1~б- 161- В -
~ t>
СА2
~
, D3 Р2б D3
~Д4 f!L-.4 38 4 4Д...i 35 13
~
"ро ~ f--
y~ y~ y~ ?~
CS2/15
~ С 4 Р27 D4
г" V ~д5
~Дб
5~
б~
I22
С5
-РМЕ ~ ~ А/5
~ t>
г- 12
10 1б D2 CS3
Сб1/1б
34
33
12
11
2
~'
D53
7 Сб2
31 1;8- 1- с -
АО ~ ..2- 9
~Д8 12 080
y~ ?~
К ~
Сб3/17 r,(
1 yl- yl- ('!)
4
t-4 D1 Т
1 rL---4- ..L-# д9 2
13 D81 WR О 7 23 MD С71
30 8
3
2~ ~Д10 б 8
~
29 7
~ D4
5 14 D82 Т/5 22 \l)
, D2 C72J18
б
6
3~ r-- 3 .ц, АН5 28
I&~#- 1 (
15 083
7
8
~ D3
'5 4 fl.L--1- _~ DE
4
5
1б
17
D84
D85
ALE
PROG
25 б
5 5 01
С73
27
С81
2б
5
4
r,1-"-
y~
/,~O-
y~ y~ 5
~
~
с
V ~CS
б 18 086
А21 гi A [ А29
КН5 СВ2
СВ3
25 3
4
-§
2L Up 7 19 D87 20k
200k
- С15
'--
VD14".VD17 \l)
б 7~B02 ~
8 КД923д
~
111.10 А23 гщ 1122
- 5;iМ
VD14 VD15 VD1б VD17
IJ.. 300k 200k
- 11 197~34
300k ~ 17 ~~
10 10 1 9 7 1 2 3 4
-е.
-5
Рис. 4.4. б. Схема электрическая принципиальная ТА «Спектр 001 ~
mt
~
...
~
Q1
ГЛАВА 4 COBpeMeHHble ЭТА производства стран СНГ и Балтии
ТА модели «Электроника ТА-5121ИН». Узлы при дений в организации цепей со схемой ТА «Телта
ема вызова и набора номера реализованы на 201, 204». Отличия состоят в следующем:
вышеупомянутых микросхемах, а разговорный • наличие внешнего выпрямительного моста и
узел с противоместной схемой на транзисторах
стабилизатора напряжения в узле ТВУ, т.к.
КТ315 и КТ361 (VТl ... YT4 пл.А3). Стабилизатор 1008ВЖ4 не имеет в своем составе этих эле
схемы питания - схема на транзисторе КТ361, ментов;
диоде KD512 и стабилитронах КС510 (VТl,
• организация разговорного узла на ИМС вместо
VD5 ... VD7 пл.А2).
отдельных транзисторов;
Импульсный и разговорный ключи реализо
• наличие защиты от перенапряжения по входу.
ваны на токовых ключах 1014KTIA и транзис
Использование 1064УНl внесло новое каче
торах КТ315 (DD2 ... DD5, VТl,2 пл. Аl).
- появилась схема ком
ство в работу аппарата
По входной цепи аппарат защищен от пере пенсации затухания линии (АРУ), изменяющая
напряжений на линии варистором СН2-1-180 усиление трактов передачи и приема (при зна
(RUl пл. А2), а микросхема НН дополнительно чениях внешних элементов, приведенной схе
еще и стабилитроном КСI06Аl (VD6 пл. Аl). мы) в пределах ±3 дБ, если затухание АЛ не
Поддержание ОЗУ в режиме ожидания и работы превышает 6 дБ.
DDl при наборе номера обеспечивает емкость
Аппарат работает с АТС, у которых напря
500 мкФ И схема дополнительного стабилизато
жение станционной батареи 60 или 48 В абсо
ра на транзисторе КТ315 (С3, VТ2 пл. Аl). Под
лютно одинаково. Тастатура стандартная 3х4.
заряд этой емкости в режиме ожидания проис
ходит по цепи через резистор 200 кОм,
шунтирующий контакты 2, 3 РП (Rl пл. А2). В
этом режиме ЭТА потребляет из абонентской 4.2.3. Телефонные аппараты
линии ток порядка 0,2 ... 0,3 мА, что вполне до «Элетон 206», «Контакт 20 1»,
пустимо по ГОСТ 7153. «Контакт 202»
Эга модель выпускалась также и в модифика
ции <,Элеюроника ТА-5121-01ИН», отличавшейся Приведем схемы еще нескольких аппаратов.
только тем, что в разговорном узле использовалась Аппарат «Элетон 206» - завод «Родою>, Ивано
вместо отдельных транзисторов транзисторная сбор Франковск, рис. 4.7; аппарат «Контакт 201,
ка типа A2l1D, а телефон бьUI защищен фритге 202» - завод «Киевприбор», рисА.8. Этот пере
ром. Изменена также конструкция корпуса и МТТ. чень можно было бы продолжать достаточно
долго, т.к. разработок было много, но почти все
Следует отметить, что выпускались и другие
они не дошли даже до малосерийного выпуска,
модели ЭТА (или комбинированные - транс
оставшись в единичных опытных экземплярах.
форматорно-электронные) этого наименования,
72
-A~ - А2 КОММУТАцI10ННО-Вl.iЗЫВНОЁ Vёп.ОЙСтl!о
1
А1 номеРОН~~~Р;;еЛ~ - - - - - - - - - -
-
7 1 1
;: ОО2
v DD4
I 200k :
1
1
~
КР1О14КТ1А YD1
Кд1О2А А6
б60k 01
КР1014КТ1Д
02 I~5:/ ХР1 '1 2 3 ХР7 '
:
Х51
).2
ХР5
8Т-4
.--JI yt:
1 ' ,
.Q§Jx 03 Х52
0
1
: ~, ХР8 : 2_
у I
У об
XS16' Аиl I
Сl РП2
~
05 Х :"' 2 :
XS17' . ~'1.0MK 1 3 I
А1
б80k
11105 ' / _ ХР3 I ХРl О I
З
'-
VТ2 ' ) ,
t-1---l" DDЗ
КР1О14КТ1Д УО4
КДS21А
КТЗ1SГ
Х529 i ХР2'г ~XP11 i
01 02 КС212Ц
ХР12
lсз
~
О" У 03 :
51k
1 об 02 I VD8
1
, 04
у
Т
500
М'
I КС522д
XS20
,,,
07 А2
~
Х
05
YD2
УDб
КС106дl 01
2k
>-'
Х56
КД102А
8 12 2
6 А7 ~ )-!-
ХS1З
1015
,
9_13 3
5 VDЗ
VDб ~ l С5 ХР15) ~
~,
КД521 А
XS18 : ХР4 КС510Д
'6 _6 , VТ1 аТ 5 МК
КТЗб18
11',, DD1
КР1008ВЖl
4 I
, неб
СЗ ~ х
, ,,, VD5 I
~
Аl0 11 20 ~~~" ~Г-
~~
1214 4 Об КС510А
U1 А5
С7
"G
, 14
'Р5
DD5
КР1О14КТ1Д ,
I
С2
5t.AK А3 R4
б80k
220k 11
~
'7 _7_ 13
~
ХР17 '~Х58
М/5 " m 820 10'
-~5
1,2k
nЗП-5
16: ОЕ
,, ",
'~'§
, 17 L ' "
У 06
ХР19 ВО1
ОУ А7
КР1О08ВЖ 4 'r--
А2С1
680k 04 07 '
с2
05 G2 ,
' G1
S10
А14 :J ~
' N1 03 ,
U2
' U 04
07 ,
У2
'
:
а----------~
ХР5
N2
L1
200
820,
, -5
~----------------- ХБ14у,.Уm
~ttJ
У1
'
' L2
, :
:
УО
07 Х512: 6ХР21 ,
АС
,''
'---
),, g
r -1- t _______ ~'_ !~':' __ --- ~
гг
,, г-------------------------------------------- XS23 XS2B
, А2 А5 АЗ РАЗГОВОРНЫЙ УЗЕЛ : РТШК-4 РТШ-4
~
1',
3-1 ,, 11 15k 3БО 1
, ~
,,
jJ:4
,,
,,
,,
~
5,1k С3
50...,,,
1
,,
1 ), ('!)
~(
:з::
~
з7 ,, 3 1з
Q)
,
3* ,,, 2 ~
'''О
:т
, Н
~
А8
5,1k
на
14
15
А7
51
d
"о
н' н'
~',з_,1 II
2 3 14
-.l
15 16 17 18 19 110111112 113 114115116
13
:_-------------------------------------------
4
~
-, -, -, -,
~
'--1 -1 Г~l -1
~ Рис. 4.5. Схема электрическая принципиапьная ТА «Электроника ТА-5121ИН»
~
~ С1 U2 RЗ
~
~
~11{
19101
КД906А 10
~
~
~~ЖЗЗ F
1 VD4 RЗ7
~ 1 Ч 4 К КС21ЗБ 6BOk
~ F
~2Б
~
а CD
I -Lc ·",;;г
О С20
"F со
~
10п
RЗ6 RЗ4
ci3
Т
1 МК
L1 6 24k
ЛИНИЯ /250V
НА1 C::J
АТС
~~ I~RЗ5
L2 7 200k
i
~
~
4
КР100ВВЖ1 CI)
Х/У Х2 21 (J)
Х1 20 ~
6 2 У2 ХО 19 АВ -5
~
47k
5 5 УЗ VОЗ ""*"
1З M/S
КС512д f5
~
1(зел)
А27 ... А29 'PS '"
U2, 100k с)
ОО2 U1 BF1
-6--" ПДК-1 а!
Q)
с)
С10 2 (КР)
С16
~ АС 91 ОА5 ~
Q)
RЗО УКТ1Вr~
:з::
~A ----.:=~'I ~в
I1n Jtj4
~
А25
220k
А24
З90k Q
560k ____ V
Х 6
7 ~
~
~
Рис. 4.6. Схема электрическая принципиальная ТА «Теллур 202» ~
~
r--------A,-I
----::-:1
I*C
"а
,,-
,---, 1 '18 -- - - - -- - - ---- -- -- - --- - - - -- ---
1
1
1
1
2,З,6,7
VS1
DA2
U7 а
------------- ---1--1 ---------------::-------
т~ ~,~ ;~~,~
VD9 1ЗОМ
1 1,2,7,В КН-201Д 45 г- -, DD2 КС510Д DA6
1-'1' S
1 'А10' , КР100ВВЖ5 КР10В5У1
I 5БОk : : з 22. УО Х/У Х1 .21 7 15 Vcc
З,4,5,6 +--+-+--&1-="'-,"--<
1 1
1 ,
'
У1 Х1 ,20 : 6, А22
15k
R2З
130k
7 15- [>
1 "6"1. 1б : 1з 6• 2 1 У2 ХО 119 ~ 5,
'---o--t<: -,
1 ,4! 5,vз 12
Sд1 3
С11
1 1 VD5 ~ Т Ucc
А16
~l
З,9k С12 FF 16 + ~
A1~
!J 4,7мк
~X~/~~K~ _ ":<~B~-~ _:
, _ _ _--" RC106A 2
~C6 КР1014КТ1В А20 "1 15+
~ 4,7мк
: ,.",
147М" ~_ _-,,6-1
~
NS
-----------.1 VDЗ
I(] I(] 13
1P~
22k 10 OV
14
RЗ1
10k
'~I I~
VD7 VD6 А17
~
КД521 В
~
DA 1 VD4 14 М/С
КД521 В КД521 В
IOR1B А25 1О0п
j:l';
КР1064ПП1 ДЛЗ07БМ 560k г
15 R27 г-
560k
В IVДCГF
t-L- с4
А2В r'l RЗО '§
0,047мк 20 ~ 15k
~
910 то,ЗЗМК
А2
47k
C5r---1~
~
~_151 АТ
L
B1
~ttJ
_ ВО1 • 1 SB1 .. 5812 !... • 1 7
'=' ДП-4 С1 ~DCI 1-nV~ R1З
510k
15
- - - _ ... - - - -1 1 д4 - 1
12 10".Т
1------
13 1
1
_L' ___ _ 1
1 1
з б
дз 1 : ~ c.2d c.z~
"З"
......
о-
g
д'h~7Бf;r;r 1 1 1 1 "4"
......
"6" ~
~
сз ВМ BF
1 1 1 ......
:.е 7 ". ..L о КЭ Д.1: 2 5 о-
~
о- ~--------------~-4~~ 1 1
1 1 "В"
......
"9"
ffi
470f~C46BA
ВО2 1
СДШ-4 1 1 1 о-;
RЗ VD2 1 1 1
16
~(
......"#" ~
1 -----------
14
1
А6
1--------------- 4
о-
:g~
1 200
_________________________
~ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ J1
~
d
1:)
Рис. 4.7. Схема электрическая принципиальная телефонного аппарата "Элетон 206»
~
~
u1 ~
.....
Q) ~
)::;
хр,
~
х, ~
QАЗ4
"" / ,1-
1 '"
КДС111Д
I
,
U".
I
5БОk
S1 512
","
ш-~Чг~'
г--------------~~-------------------------
: 12
,, ,, : +7,08 24k
I эРе
DA2
КР1014КТ1В 1 . - -
I
--
I
:
I
элеl(Тронная
ра JГОlюрная Аl1
5'3 Е1]
"41 ~Ч"
г-'- г-'- г-'-С>- "6"
_ _ _ _ _ _ 1_
,, ХР2
I
I
:
160k
VТ2
КТЗ 13069
О А13
470 -h 1/2 П А15
.ф.КG13ЗА 470
А16
470
-'-
г
"71-r "·1"СС>-
-'- -'-
"9' JY1
, : xs
~
vз 2 У2
~ , : -)-~'c:~~--+--+_.....:~~~
'З ""':""':_.L'4--
~
КС508д "*"1
Г-'-.,.J r "0"1
г-'-.,..
"#"
NS'
,,: :'""
-'-.,.J
11:
....LG11 ОА17
---Г--О ,15м" 2,2k
+и
у
~Y3
3 V
NSA
,, ""
"''''ri\ нс'
. . . \.:f) АЛ307БМ ~~~~'~
___ ::' ~J~'~--~--~---~~.....:
~
~12
DDЗ 2
~H"
АР5 &
вм I!~ __ I I I з ~c I '
~
ЗЗОk
v' +1,48 I ,
КС50ад ~TEST А 9
МКЭ-84
--- --, Х4
RЗ3 1 С21 ~DI
I
А2 \ ?t>,
,,
ЗЗОk 1 О,О68мк
~f1- RЗ4 П
B~;' г-------'
~
10' SAl
+0,98 А19
'5 ОА' TON
4
580kU
BF' 14 11
1RS
,,
ТЭМК-З-I I '3 М/С
С3 А18 I ~RЗ2 16 С22
, DV
~ I
11 47щ
ТВУ 7r- - Х5
62 !.L I
,,
)47k
АС С
,зо
f-<
11.
VO,
Тонально
вызывное
, -1,48 I DA3
КР1014КТ1В SД2 ...L. (1).
,
УСТРОЙСТ8Р
I+3,2В 1 С1Вl.
I<Д5218 I 5,2кГц
(J)
~ ,,
4,71.'11(
I
~
I
I С19 DDЗ
~ L___
1
VD3 4700 8 13
,
DD' I
I
1<Д52'B
-5
1
КР100В8Ж4 "8bI..:loe"
АР'
I 'il GВ ' С2О о
~1
I PЦ32"r-__4_70.0~~--4_~
x~
----------,,
~
+6,78 С15
А3 I
~и
~
С2 I 22
33' А7 I
I Х7 УГП
,
I
6,71 GB2 DD4 ttJ
А5 L.'.!.j ВС
g
9'0 А23 А24
Е Усилитель
С4 180k
Сl
Аl.
910 'О. ГРОМКОГО80РЯ' I
, РЦЗ2 К5б1Лдl
tfJ
I F3
'мк ,О 180k I ВП·2
щего приема
1-'-""-Il-'-оН...----I N2 А2 V4
I
КG10бд с)
VТ4
С5 I ( Х9
N' ~ А9
С2 I
>.3,5В VТ3
ttI
?
56
I КТ3130Б9
, I ~31;ОБ91
'3 /:I20k I Q)
t---+---~ ov А,
+1,38 +0,68. A2~
s С6
I
с)
'2 I
АС2 С,
r , -ь
2,2k
~
I А25 С17
АС'
0,011.11( А22
vs ~~i:K 4,7м!(
:~~4
100Гц
I
I
470
КС466В;Г А26 47' Q)
200
:з::
50l(ГЦ I
I
I
Общ А27
I КР1014КТ18
~
L ___________________________________ J
~
-----------------------------------------
Рис. 4.8. Схема электрическая принципиальная телефонных аппаратов "Контакт-20 1", "Контакт-202»
~
~
~
ТА завода VEF и его преемников
ня преемником его производства - фирмой контакт SI.1 РП закорачивает резистор Rl, огра
ничивающий ток в режиме ожидания вызова, а
VEF-TELEKOM.
контакт S 1.2 переводит ОЗ в разговорный режим.
Начнем нашу характеристику некоторых об
В этот момент на выводе NSP/ОЗ устанавливается
разцов выпускаемой продукции вышеуказанных
уровень лог. «1», открывающий разговорный ключ
предприятий с рассмотрения серии ЭТА моно
05, который в свою очередь подключает к NI
блочной конструкции. так называемых телефо
схему разговорного узла. Два плеча выпрямитель
нов-трубок, производимых до середины 90-годов.
ного моста на О 1 и 02 одновременно выполняют
Серия телефонных аппаратов VEF RlTA-2S1, VEF
функцию импульсного ключа. После нажатия кно
GUNТA-2S2, VEF INТA-2S3 бьmа разработана на
пок тастату