л .я. Ко т енко А.М.

Бревда

КЛАССИФИКА Ц ИЯ, ПРИНЦИПЫ ПОСТРОЕНИЯ СХЕМ.

ПРИНЦИПИАЛЬН ЫЕ СХ ЕМЫ, ЭЛЕМЕНТНАЯ 6А3А.

ИСПОЛЬЗОВАНИ Ю ПОПУЛЯРНЫХ
с РАС ШИРЕННЫМ И
 Л.SI. Котенко А.М. Бревда

IJAflIffPOHHblfl
rflAfl_OHHblfl
AnnAPArw
Издание 2

Под редакцией с.л. Корякина-Черняка,

члена Международной академии
информационных процессов и технологий.

Наука и Техника
санкт-Петербург
2001
Электронные телефонные аппараты. Котенко Л.Я. Бревда д,М./ - еПб: Наука и Техника, 2001.
- 192 стр. с ил.

ISBN 5-94387-036-9

Под редакцией ел. Корякина-Черняка, члена Международной академии

информационных процессов и технологий.

Серия "Радиомастер»

В насmoящем издании рассмотрены принципы пocmроения схем электронных телефонных аппараmoв и приведена их
примерная классификация, основанная на функциональных и сервисных возможнocmях аппаратов Приведен краткий обзор
интегральных микросхем для ЭТА раэличных производителей в СНГ и в зарубежье.
В книге рассмотрены принципы построения основных тpaKmoв электронных телефонных аппаратов. Для тех, кmo
ежедневно испопьзует электронный ТА с расширенными сервисными возможностями, приведены алгоритмы действий,
разъясняются основные термины и обозначения на кнопках такого ТА
Рассмотрены схемы конкретных ЭТА, которые производились в СССр, в СНГ и зарубежными производителями в
период с середины 80-х годов и до настоящего времени. Изложены основы проверки и ремонта ЭТА.
Глава б написана Михаилом Каменецким, а глава 7 - Сергеем Корякиным-Черняком.
Издательство выражает искреннюю признательность Генеральному директору фирмы
VEF- TELEKOM господину Ахмерову Валериану Ишмуратовичу, Генеральному директору Пермского телефон­
ного завода «Телта» господину Садомову Владимиру Николаевичу и Главному конструктору завода «Телта»
господину Хавкину Семену Павловичу за помощь в создании этой книги.
Книга предназначена как для начинающих пользователей электронных телефонных аппаратов, так и
специапистов, занимающихся ремонтом и обслуживанием современной телефонной техниК/).

в подготовке книги принимали участие:

Главный редактор' Корякин-Черняк С Л ,
член Международной академии информационных процессов и технологий

Редактор отдела подготовки иллюстраций Жибловский В.А

Редактор отдела верстки Болдырев к.в.
Научный консуль тант Меленевский д.А
Мукомол Е.А (компьютерная верстка)
Кирилюк С В (дизайн обложки)
Попищук н.А (корректор)

© Авторы
ISBN 5-94387-036-9 © Наука и Техника (оригинал-макет), 2001

9 795943 870360 (812) 567-70-25, (044) 559-27-40 WWW.NIT.ALFACOM.NET

000 «Наука И техника»

Лицензия N!! 000350 от 23 декабря 1999 года
198215, г Санкт-Петербург, ул Подводника Кузьмина, д. 46
Подписано в печать 27 04 01 Формат 6Ох88 8
Бумага газетная. Печать офсетная Объвм 24 п л
Тираж 3000 экз Заказ N!! 202

Отпечатано с готовых диапозитивов

в ФГУП ордена Трудового Красного Знамени «Техническая книга»
Министерства Российской Федерации по делам печати,
телерадиовещания и средств массовых коммуникаций
198005, Санкт-Петербург, Измайловский пр , 29
 Киевскому колледжу (Политехникуму) связи -
колыбели многих связистов не только в Украине.

Связь сегодняшнего дня - непременная составляющая практически любой сферы

человеческой деятельности во всем ее многообразии.
Информация становится основным двигателем прогресса, а средства ее переноса от
источника к потребителю постоянно совершенствуются и все шире распространяются
на всемирной сети связи. Телефонные аппараты, основным назначением которых явля­
ется передача речевой информации между абонентами телефонной сети, сегодня еще
остаются одним из наиболее распространенных и используемых устройств связи, хотя
объем трафика передачи данных сегодня уже превышает объем трафика передачи речи.
На протяжении последних двух десятилетий на всемирной сети Щlблюдается высо­
кий темп роста факсимильной связи, обеспечивающей передачу документальной ин­
формации непосредственно от абонента до абонента телефонной сети в реальном
масштабе времени с высочайшей точностью и достаточно большой скоростью. Этот
вид связи явился мощным конкурентом старейшего вида электросвязи - телеграфа и
вытесняет его из всемирной сети повсеместно.
Широкое распространение персональных ЭВМ и потребность обмена информаци­
ей между ними с использованием сети телефонной связи ПРJ:lвело к революционным
преобразованиям в технике передачи информации, в том числе и речи. Компьютерно­
телефонная интеграция в лице интернет-телефонии (IР-телефонии), явившаяся ре­
зультатом сближения двух магистральных направлений современных технологий -
компьютерной и телекоммуникационной, уже сегодня начинает составлять конкурен­
цию традиционным операторам телефонной связи.
Возможность представления всей подлежащей передаче информации в цифровой
форме, присущая современному развитию техники связи, обеспечивает передачу любой
информации, например речи, текста, данных или изображения с помощью многофунк­
циональных оконечных устройств - терминалов цифровой сети с интеграцией услуг -
цсиа, что на английском языке Integrated Services Digital Network-ISDN. Передача
всей информации (за исключением цветного подвижного изображения), осуществляется
со скоростью 64 кбит/с, что позволяет использовать кабели существующей телефонной
сети. для передачи цветного подвижного изображения применяется широкополосная
ISDN с использрванием для подключения абонента оптоволоконного кабеля.
Широкое распространение на телефонной сети получили также различные концен­
траторы и малые учрежденческие (офисные ) АТС, которые позволяют более эффек­
TиBHo использовать телефонную сеть общего пользования, снимая с нее обслуживание
«внутренней» телефонной нагрузки локальных телефонных сетей.
Такие мини-АТС, вьmолняемые, как правило, полностью электронными, предполагают
использование специальных (системных) телефонных аппаратов, обеспечивающих ПОВЬШlен­
ный сервис абоненту локальной телефонной сети, а иногда предлагающие и услуги ISDN.
Из-за значительного объема материала по электронным ТА и ограниченного объе­
ма книги остановимся только на одном классе абрнентских устройств - телефонных
аппаратах, оставив остальные упомянутые для следующих изданий.

При этом попробуем отразить все многообразие этой продукции (ТА), которое
сейчас существует на рынках стран СНГ, где представлены как изделия всех ведущих
мировых производителей, так и новые разработки предприятий стран бывшего СССР.

Котенко Л.Я.

з
 СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ И ОБОЗНАЧЕНИЙ

ВА - громкоговоритель; КБ - конструкторское бюро;

BF - телефонный капсюль; КЛС - кабельные линии связи;
ВМ - микрофон; КСА - комплект станционного оборудования;
С - конденсатор; КУ - коммутационное устройство;
EL - лампа накаливания; М - мост;
G - батарея, источник питания; м. - модель;

НА - звонок; МБ - местная батарея;

HL - световой индикатор; мт - микротелефон;
К - реле; МТТ - микротелефонная трубка;
L - дроссель, индуктивность; МУ - микрофонный усилитель;
R - резистор; НН - номеронабиратель;
S - кнопка; нч - низкая частота;
ups - фриттер; ОА - основной аппарат;
УО - диод; ОЗУ - оперативное запоминающее устройство;
\ГГ - транзистор; ПВ - приемник вызова;
ХТ - розетка; ПОС - положительная обратная связь;
ZQ - кварцевый резонатор; ПП - печатная плата;
АВУ - абонентская высокочacroтнaя установка; ППЗУ - перепрограммируемое запоминающее
AJI - абонентская линия; устройство;

АОН - автоматический определитель номера; РАТС - районная АТС;

АРУ - автоматическая реryлировка усиления; РП - рычажный переключатель;
АТр - автотрансформатор; РТ - розетка телефонная;
АТС - автоматическая телефонная станция; РТС - ручная телефонная станция;
АУ - авгоматическое устройство; РУ - реryлятор уровня;
БИС - большая ИС; ел - соединительная линия;
БП - блок питания; СТС - сельские телефонные сети;
ВАХ - вольт-амперная характеристика; СУС - станционное устройство спаривания;
ВЛС - воздушные линии связи; Т - трансформатор;
ВОЛС - волоконно-оптические линии связи; ТА - телефонный аппарат;
ВУ - вызывное устройство; ТВУ - тональное ВЫЗЫВНQе устройство;
ВЧ - высокая частота; тч - тональная частота;
ПС - городские телефонные сети; УАТС - учрежденческая АТС;
ДА - дополнительный аппарат; УВЧ - усилитель высоких частот;
ДМ - демодулятор; УНЧ - усилитель низких частот;
ДП - диодная приставка; фр - фриттер;
ДРЦ - диодное разделение цепей; ЦБ - центральная батарея;

ДС - дифференциальная система; ЦП - центральный процессор;

ДТП - диодно-триодная пристаnка; ЦС - центральная станция;
ЗУ - запоминающее устройство; шг - шунтирующая группа;

Иг - импульсная группа; ШК - шунтирующий контакт;

ИК - импульсный контакт; шт - шнур телефонный;
ИМС - интегральная микросхема; ШТР - штепсельная телефонная розетка;
Инд - индуктор; ШТС - шнур телефонный спиральный;
ИС (lC) - интегральная схема; ЭВМ - электронная вычислительная машина;
ИУ - «искусственное ухо»; ЭНН - электронный номеронабиратель.

4
 ГЛАВА
ОБЩИЕ ПРИНЦИПЫ ПОСТРОЕНИЯ СХЕМ
ЭЛЕКТРОННЫХ ТЕЛЕФОННЫХ АППАРАТОВ
Основное назначение ТА любой системы и
схемы построения остается неизменным с мо­
мента его изобретения - преобразование звука
в электрический сигнал для передачи его по
линии (каналу) связи до нужного Вам собесед­
ника и обратного там преобразования.
Кроме этого, ТА должен обеспечить функции
приема вызова, занятия линии, набора номера и
отбоя, Т.е. обеспечить протокол взаимодействия
с сетью.
Следовательно, современный ТА должен пол­
HocTью удовлетворить все эти требования. Если
ТА с механическим (дисковым) номеронабира­
телем, с так называемой классической схемой
для выполнения описанных функций использо­
вал только пассивные элементыI и не потреблял
энергии от телефонной станции в режиме ожи­
дания вызова (отбоя), то электронный ТА, осо­
бенно работающий под управлением специали­
зированного процессора, требует питания в
любом режиме. Это накладывает дополнитель­
ные требования на схемные решения и элемен­
тную базу, используемые при разработке схем
таких аппаратов.
Следует отметить, что требования на потребле­
ние энергии телефонным аппаратом от АТС в
состоянии ожидания вызова довольно жесткие.
Так по ГОСТ 7153-85 (являющимся основным
стандартом на ТА в бывшем СССР, а на сегод­
няшний день - один из базовых технических
документов, используемых в национальных стан­
дартах на ТА в странах СНГ) максимально допу-
ь
~
НА
ТВУ
Рис. 1.1. Структурная схема электронного ТА
1- устройство защиты от перенапряжения и обеспечения
независимой полярности;
2- переключатель режима (РП);
3 - тональное вызывное устройство;
4 - устройство питания схемы управления;
1
стимая величина тока в абонентской линии в со­
стоянии отбоя не должна быть больше 1 МА
это значит, что максимальная мощность, кото­
рую можно использовать для питания устройств
электронного ТА в режиме ожидания вызова не
должна превышать значения 60 мВт для батареи с
напряжением 60 В и примерно 50 мВт для батареи
48 В. Такое значение тока в абонентской линии
обусловлено требованием однозначного определе­
ния состояния ТА со стороны АТс. Перепад зна­
чений тока при снятой и уложенной микротеле­
фонной трубке должен бьnъ более одного порядка
(более чем в 10 раз), тогда АТС четко различает эти
состояния. В режиме набора номера и разговора
ток в АЛ возрастает до значений несколько десят­
ков миллиампер и падение напряжения на ТА со­
ставляет около 10 В. Следовательно, мощность,
потребляемая ТА в этих режимах, возрастает до
нескольких сотен милливатт, что достаточно для
обеспечения нормального функционирования ТА
Во время приема вызова питание схемы ТВУ, как
правило, осуществляется вызьmным током, мощ­
ность которого ограничивается сопротивлением ТА
в этом режиме и по ГОСТ 7153-85 не может пре­
вышать значения 100 мВ А, что полностью удов­
летворит потребность в мощности питания ТВУ и
обеспечит требуемую максимальную громкость аку­
стического СИПIaла вызова (не менее 70 дБ по
шкале А).
Теперь про анализируем по порядку все со­
ставляющие схемы электронного ТА, которая
изображена на рис. 1.1.
® 0
ВМ 2 3
4 5 6
7 8 9
BF * О #
5- разгоаорный узел с усилителями приема-передачи с
противоместной схемой;
б- схема управления, набора номера и памяти;
7- наборная клавиатура.
5
ГЛАВА 1
уCТJЮЙСТВО защиты от перенапряжений и обеспе­
чения независимой полярности должно выполнить
функции защиты всех последующих устройств ТА
от возможного попадания на абонентскую линию
напряжения сети переменного тока 220l1B или воз­
действия на АЛ высоковольтных грозовых разря­
дов. Реализовать эту функцию возможно при по­
мощи различных устройств. Это могут быть диоды,
включенные встречно-параллельно, стабилитроны
или варисторы. В схемах ТА различных производи­
телей встречаются все эти устройства, а также ис­
пользуются, но реже, различные газовые разрядни­
ки.
Функцию обеспечения независимой полярно­
сти питания ТА от полярности проводов АЛ
обеспечивает диодный мост.
Переключатель режима обеспечивает подклю­
чение к АЛ либо ТВУ (режим ожидания вызова
или огБОЯ), либо остальных устройств ТА (ре­
жимы набора номера или разговора). Во мно­
гих схемах современных ЭТА, где применяются
высокоомные ИМС ТВУ с защитой от подра­
батывания при наборе номера переключатель
режима упрощен, а ТВУ остается подключен­
ным к АЛ и во время разговора.
Изменение режима ТА приводит К измене­
нию состояния АЛ, которое воздействует на
станционные устройства АТС, приводя ИХ В со­
ответствующее состояние.
Тональное вызьmное устройство преобразует вы­
зыBHoй сигнал, поступающий от АТС (перемен­
ный ток с частотой от 17 до 50 Гц) в акустический
сигнал типа <<rpeль». Этот сигнал обычно двух- или
трехчастотный. В некоторых моделях современных
Т А пользователь может сам изменять тональность
вызывного сиrнала при помощи специального пе­
реключателя, либо программировать стастатуры.
для многолинейных ТА и аппаратов с устройства­
ми местной связи (интерком) возможность изме­
нения частоты сигнала вызова является обязатель­
ной, так как пользователь должен различать вызов
одной линии от другой. Обычно громкость вызова
изменяется ступенчато (2 или 3 ступени), но в бо­
лее сложных моделях она изменяется автоматичес­
ки с каждой последующей посьmкой от АТС и
таких ступеней может быть пять и более.
Совершенно особо в схеме электронного ТА стоит
устройство mrraния схемы управления в режиме ожи­
дания вызова (отбоя). Ограничение тока в абонентс­
кой линии в этом режиме достигается либо включе­
нием в цепь высокоомного (до 10 МОм) резистора,
либо использованием полевого транзистора. Преоб­
разованное напряжение обеспечивает поддержание
работы схемы управления и памяти как на запрог­
раммированные номера (если в данной схеме они
предусмотрены), так и на последний набранный
номер.
Однако в более сложных и совершенных схемах
электронных ТА, особенно в тех, где имеется жид-
б
кокристаллический дисплей, отображающий теку­
щее время при уложенной микротелефонной труб­
ке, громкоговорящий (повышенной мощности) ре­
жим работы и другие сервисные элементы,
используются дополнительные источники питания
обычно в виде батареи из двух-трех сухих элемен­
тов типа R6 (АА) с суммарным напряжением 3...4,5
В и реже типа «Крона» С напряжением 9 В. В этом
случае поддержание работы схемы управления и
памяти обеспечивается за счет дополнительного ис­
точника, что следует учитывать при эксплуатации
таких ТА
Естественно, что в любом ТА, в том числе и в
электронном, основным устройством является раз­
говорный узел, который должен обеспечить выпол­
HeHиe нескольких главнейших функций:
• организовать переход от двухпроводной АЛ к
четырехпроводной схеме ТА;
• организовать преобразование звуковых колеба­
Hий в изменение электрического тока на пере­
даче (микрофонная цепь) и обратное преобра­
зование на приеме (телефонная цепь), обеспечив
при этом нормальные показатели громкости (эк­
виваленты затухания) передачи и приема, а так­
же возможно наилучшую развязку этих цепей
- противоместный эффект;
• обеспечить наиболее эффективное согласование
схемы ТА с АЛ в диапазоне рабочих частот те­
лефонной связи (0,3 ... 3,4 кГц) при условии до­
вольно большого разброса параметров АЛ, зави­
сящих от ее протяженности и конструкции.
Ввиду того, что в электронных ТА большинство
национальных стандартов запрещает применение
угольных микрофонов, а в телефонной цепи чаще
всего используются малогабаритные электродина­
мические громкоговорители, то обязательными эле­
ментами разговорных узлов становятся усилители
передачи (микрофонный) и приема (телефонный).
Наличие усилителей, имеющих к тому же об­
щий источник питания, налагает на противомест­
ную схему дополнительные требования по развяз­
ке цепей приема и передачи во время разговора.
Как правило, в современных схемах электрон­
ных ТА ДЛЯ этого используются схемы автомати­
ческого «запирания» того направления, которое в
данный момент находится в пассивном состоя­
нии. Например, если говорите вы, то усилитель
приема вашего ТА заперт, а у вашего собеседника
заперт усилитель передачи. Когда говорит ваш собе­
седник, то состояние усилителей в обоих ТА изме­
няется на противоположное. Таким образом дости­
гается наиболее эффективная развязка.
Во многих схемах современных электронных
ТА в составе разговорного узла есть схема авто­
матического регулирования усиления приемного
сигнала (АРУ). Как правило, эти устройства ис­
пользуют в качестве опорного сигнала величину
тока в АЛ и завиСимость усиления уровня приема
 Общие принципы построения ТА

от тока в АЛ имеет такой характер, как это
отображено на рис. 1.2. График построен для
телефонной сети со станционной батареей 60 В и
сопротивлением моста питания 2х500 Ом, но
качественно он останется таким же и при других
значениях напряжения станционной батареи и
сопротивлении моста питания. Таким образом,
достигается постоянство уровня приема незави­
симо от длины АЛ.
В некоторых схемах электронных ТА схема АРУ
управляет также и усилителем передачи (микро­
фонным усилителем), обеспечивая постоянный
уровень сигнала, поступающий от ТА в АЛ.
В первых образцах электронных ТА, схемы
которых строились на дискретных
(диодах, транзисторах и т. д.), количество на­
весных компонентов схемы разговорного
достигало сотни, а печатная плата не
лась в корпус ТА. Однако, с течением времени
производители полупроводниковых приборов
оценили возможности рынка ТА и начали вы­
пуск интегральных специализированных микро­
схем для телефонных аппаратов.
Теперь количество активных навесных дета­
лей в схемах разговорного узла не
двух десятков, а в наиболее совершенных еще в
несколько раз меньше. Это стало возможным
благодаря высокой степени интеграции микро­
схем, разработка которых была осуществлена в
последнее десятилетие.
Следующим, не менее важным, узлом элек­
тронных ТА является схема, обеспечивающая
набор номера и управление схемой ТА при пере­
ходе из одного состояния в другое.
Здесь нам придется напомнить читателю, что
ТА классической электромеханической
«умели» набирать нужный номер только импуль­
сным способом - периодически разрывая и за­
мыкая цепь прохождения тока через аппарат при
помощи механического металлического контак­
та дискового номеронабирателя - импульсного
контакта (ИК). Во время набора любой цифры
номера другой контакт оставался постоянно зам­
кнутым, шунтируя разговорный узел
рующий контакт (ШК).
в первых схемах электронных ТА с кнопоч­
ными номеронабирателями эти контакты были
заменены электронными ключами на транзис­
торах, которые работали под управлением схе­
мы на дискретных элементах, а затем и специ­
альных микросхем набора номера импульсным
способом, на который рассчитаны АТС декад­
но-шаговой, координатной и релейной систем.
Следует отметить, что ПРИIЩИП, по которому ИК
включался в схему ТА, дошие годы (вплmъ до распада
СССР) бьш «лакмусовой бумажкой», позволяющей
различигь ТА отечественного и зарубежного произво­
дителя. Так, в отечественных ТА ИК замыкал АЛ
непосредcmeнно (через внутреннее оопpmивление ЮIЮ­
элементах
ча), а в зарубежных ТА - через разговорный узел либо
специальный резистор.
узла В начале 70-х годов на телефонной сети многих
помеща­ стран началось внедрение электронных АТС, а эк­
сплуатационные предприятия связи (телефонные
компании) уже хорошо освоили многочастотную
систему обмена информационными и управляю­
щими сигналами между станциями. Код «2 из 6»,
использовал ряд частот от 700 до 1700 Гц с интер­
валом 200 Гц и вспомогательную частоту запроса
превышает АОН 500 Гц). При этом встал вопрос об использо­
вании такого же метода передачи управляющих
сигналов и на абонентском участке телефонной
сети. Это стало возможным еще и потому, что к
этому времени бьши разработаны малогабаритные
и малоэнергоемкие устройства, позволяющие полу­
чить ряд высокостабильных по частоте и уровню
токов от одного источника.
Первой из телефонных компаний, которая на­
чала внедрение частотного способа набора номера
на телефонной сети стала американская фирма
«Bell Telephone Со», в лабораториях которой бьши
схемы
разработаны соответствующие станционные и або­
нентские устройства. Способ базируется на частот­
ном кодировании цифр абонентского номера. При
этом используется ряд из 8 частот, разделенных на
две группы:
• нижняя 697, 770, 852, 941 Гц;
• верхняя 1209, 1336, 1477, 1633 Гц.
- шунти­ Соответствие цифр и символов на кнопоч-
ной панели НН частотам показано на рис. 1.3.

Кус.приема ::r ::r L..

::r ::r
2 3
тах --- I
L..
ф
О
L..
ф
(w)
"",...
L..
(w)
(w)
4 5 6
C\J (w) '<:t Ф
I ,... ,... 7 8 9
I
I 697Гц А О
min ---..,--------
I
770Гц 4
2
5
3
6 В
* # б

1 I Рис. 1.3. Соответствие

852Гц 7 8 9 С цифр и символов на
10 20 30 40 50 60 IдЛ,мА
941Гц кнопках частотам при
О D
Рис. 1.2. Зависимость коэффициента * #
частотном способе
усиления приема от тока АЛ а набора номера

7
ГЛАВА 1

Как видно из набора частот (рис. 1.3), ни одна
из них не совпадает с частотами кода «2 из 6», а
также не является частью гармонического ряда.
При нажатии любой из кнопок в линию ухо­
дит двухчастотный сигнал, содержащий по од­
ной частоте нижней и верхней группы. Вид
этого сигнала представлен на рис. 1.4. Длитель­
ность такого сигнала должна быть достаточной
для его идентификации станционными устрой­
ствами и не может быть менее 40 мс.
При этом следует учесть, что сигнал, соот­
ветствующий полному номеру, может переда­
ваться в двух режимах: ручном, при непосред­
ственном наборе номера абонентом, и автомати­
ческом, при повторе последнего набранного
номера или вызове номера из памяти. В первом
Время автоматического набора семизначного
номера частотным способом, независимо от знач­
ности цифр в него входящих, будет (при макси­
мальном интервале между посылками):
t НАБ = t пас х7 +t инг х6 = 40х7 +80х6 = 760(мс);
для aнroматического безинтервального режима:
t НАБ = t[/Oc х7 = 280(мс);
для ручного набора со средним интервалом между
нажатием двух кнопок длительностью 200 мс:
t llAБ = t пас х7 + tПАУЗbl х6 = 40х7 + 200х6 = 1480(мс)
Из эгого расчета видно, что даже при ручном наборе
частотным способом время передачи

случае между сигналами, обозначающими циф­ семизначного номера более, чем в 4 раза меньще
времени передачи такого же номера, составленного из
ры или символы, будут нерегулярные интерва­
лы, а во втором случае, в зависимости от прин­
минимальнозначных цифр, импульсным способом.
ципов организации схемы, интервалы между Именно поэтому, а также еще и потому, что
знаками могут вообще отсутствовать или быть надежность определения при частотном спосо­
регулярными. бе набора выше, чем при импульсном, все со­

Современные электронные АТС одинаково временные электронные ТА имеют в своем со­

воспринимают сигнал частотного набора в лю­ ставе такое устройство наравне с устройством

бом из упомянутых режимов, но при ручном импульсного набора. В первых образцах элект­
режиме следует помнить, что интервал между
ронных ТА эти устройства были отдельными, а
любыми двумя знаками номера не должен быть в схемах современных они объединяются в од­

более 5 с. Невыполнение этого требования при­ ной микросхеме. Переключение из одного ре­
водит к срыву набора номера и потребует от жима в другой осуществляется специальным

Вас произвести «отбой» и вновь занять линию. переключателем «Tone-pulse». Если ваш ТА рабо­
тает в импульсном режиме набора номера, а в
Сравним длительность набора номера им­
процессе соединения необходимо набрать еще не­
пульсным и частотным способом при стандар­
сколько цифр в режиме тонального набора, то во
тной дЛЯ СНГ частоте следования импульсов - многих моделях электронных ТА достаточно на­
10 в секунду, при условии использования кно­
жать кнопку «*» и набирать требуемый номер,
почного номеронабирателя с минимальным
знаки которого будут уже передаваться частот­
нормированным интервалом между знаками
ным кодом. Это бывает нужно, когда вы хотите
номера - 400 мс.
связаться с абонентом офисной станции, в соста­
Рассмотрим случай набора номера, состояще­ ве которой есть соответствующие устройства, и
го из 7 знаков, и для простоты расчета возьмем вы это знаете.
все цифры одинаковыми с минимальным коли­
Таким образом, мы установили, что в составе
чеством импульсов, т. е. 1. Тогда время набора
устройства набора номера имеется две схемы,
такого (111-11-11) семизначного номера импуль­
обеспечивающие взаимодействие с АТС в им­
сным способом будет :
пульсном и -тональном режимах набора. Кро­
ме этого, в составе устройства обязательно есть
tн = т ИМП х 7 + t инг Х 6 = 100 х 7 + 400 х 6 = 31 ОО( МС)
схема, обеспечивающая замыкание и размыка­
ние шлейфа при импульсном способе набора, и
одновременно блокирующая разговорный узел -
режим молчания (mute). Во многих моделях
электронных ТА этот режим можно использо­
вать и во время разговора для кратковременно­

го его прерывания без отбоя. Для этого на ТА

устанавливается отдельная кнопка с соответ­
ствующим обозначением.

Следует помнить, что при нажатии кнопки «mute»

ваш собеседник услышит «тишину» И может поду­
мать, что связь прервалась, поэтому нужно его обя­
зательно предупредить. Однако в моделях ТА после­
Рис. 1.4. Двухчастотный сигнал,
дних лет для этого введена специальная сервисная
соответствующий одной цифре (символу)
функция - «music оп hold». При нажатии кнопки с

8
 Общие принципы построения ТА

этой надписью соединение удерживается электрон­ Если назначение цифровых кнопок постоянно
ной схемой, разговорный узел отключается, а в або­ и неизменно для любой схемы построения ТА, то
нентскую линию и вашему собеседнику транслирует­ назначение кнопок «*» И «#» может изменяться.

ся музыкальный фрагмент, записанный в памяти Сравнение изображений рис. 1.3а и 1.3б пока­
вашего телефона. зывает, что возможен еще один вариант тастату­

ры, который используется в ТА некоторых запад­

В составе устройства обязательно есть элементы
ных странах для передачи буквенно-цифровой
памяти. В простых моделях - это память для
информации в тональном режиме набора при
последнего набранного номера, значность кото­ связи со специальными устройствами (например,
рого может достигать 32 цифр. В более сложных с компьютерным терминалом).
схемах ТА, кроме последнего набранного номе­
Необходимо отметить, что у простейших мо­
ра, в памяти могут храниться наиболее часто ис­
делей электронных ТА с импульсным набором
пользуемые Вами номера. Их количество может повтор последнего набранного номера осуще­
колебаться от 3 до нескольких десятков, а в спе­ ствляется нажатием кнопки «*», а в моделях,
циальных «бизнес-телефонах» и до 200 номеров. которые обеспечивают как импульсный, так и
Вызов этих номеров из памяти и их трансляция тональный набор, эта кнопка служит для изме­
в АЛ осуществляется под управлением специаль­ нения режима набора от импульсного к то­
нальному.
ных кнопок, которых может быть от одной (пря­
мой набор) до трех (набор из памяти). Для вызова из памяти и трансляции в ли­
нию последнего набранного номера использу­
Наиболее сложные ТА имеют в своем составе
ется дополнительная кнопка «Redial», которая
жидкокристаллический (значительно реже свето­
в некоторых моделях (например, в ТА фирмы
диодный) дисплей, на котором отображается ин­
PHILIPS) маркируется «R».
формация о режиме работы ТА, набранный Вами
В принципе, размещение дополнительных
(или звонящий Вам) номер, длительность разго­
кнопок на верхней панели ТА (или на корпусе
вора (таймер), текущее время (часы), а возмож­
аппарата-трубки) может быть произвольным, но
но и календарь. Тогда в схему управления до­
некоторые производители (PHILIPS, SIEMENS,
бавляются элементы, обеспечива:юощие все ВТ) блокируют их в единый комплекс с основ­
перечисленные выше функции. Естественно, что НОй тастатуроЙ.
даже самая простая схема управления - это
В этом случае тастатура ТА может быть раз­
процессор, а при увеличении количества сер­
личной конфигурации (3х5; 4х5; 5х5 и даже 5х6).
висных функций и объема памяти мощность Однако такой путь не всегда экономически и
(быстродействие) этого процессора должна быть конструктивно оправдан, так как для каждой
достаточно высокой, поскольку все операции новой модели ТА требуется своя конфигурация
выполняются в реальном масштабе времени, а тастатуры, в зависимости от объема памяти и
каждая минута занятия телефонной линии дол­ наличия сервисных функций в аппарате.
жна быть оплачена. Полезно запомнить, что при Мы рассмотрели общие принципы и требо­
телефонной связи минутой считается любой вания к построению схем электронных ТА со
интервал времени превышающий т. н. «бесплат­ времени их появления на телефонной сети и до
ное время», которое в различных телефонных настоящих дней.

компаниях (администрациях) устанавливается в В этом разделе не были рассмотрены схемы

пределах 12 ... 18 с, т. е. 0,2 ... 0,3 минуты. электронных ТА с многими другими дополни­
тельными ВОЗМОЖНОстями:
Важным устройством в электронном ТА лю­
бой сложности является КНОПОчная панелъ (тас­ • ТА с громким контролем набора номера и от­
вета вызываемого абонента, «свободные руки»;
татура). Как правило, у большинства аппаратов
она имеет вид, приведенный на рис. 1.3б и пол­ • ТА с громкоговорящей связью, «спикерфон»;
ностью соответствующий рекомендациям Меж­ • многолинейные ТА с возможностью организа­
дународного Союза Электросвязи, а также ции одновременного разговора 3-х абонентов,
European Telecommunications Standards Institute - Ев­ «конференцсвязь» ;
ропейского институга стандартов телекоммуни­ • ТА с визуальным отображением набранного но­
каций. Соответствие кнопок и частот при час­ мера и фиксацией длительности разговора (на­
тотном наборе остается таким же, как и на рис. личие, как правило, жидкокристаллического

1.3а, исключен лишь четвертый столбец. дисплея и схемы поддержки его работы).

На кнопке цифры «5» обязательно должен быть Эти, а также и другие схемы построения ТА
будут рассмотрены в последующих разделах.
рельефный выпуклый элемент, облегчающий
пользование ТА людям с ослабленным зрением.

9
 ГЛАВА
КЛАССИФИКАЦИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ ТА
Предлагаемая далее классификация современ­
ных ТА ни в коем случае не является полной и
исчерпывающей, а также не заменяет собой клас­
сификацию государственного нормативного до­
кумента какой-либо страны.
В предлагаемой классификации основным
признаком принадлежности ТА к той ИЛИ иной
группе принят набор возможностей и уровень
сервиса, предоставляемый пользователю, незави­
сим о от того, В какую сеть включен его аппарат:
общего пользования или локальную офисную.
2. 1. Электронные ТА простейшей схемы
Совершенно закономерным является то, что
первые электронные ТА полностью повторили
схемное построение своих предшественников - ромеханических.
электромеханических аппаратов и их функций.
Начнем с того, что эти ТА имели только
импульсный набор номера, так как в то время
частотный набор на абонентском участке сети
еще не применялся (конец 60-х годов).
Первые электронные номеронабиратели
даже не имели возможности повтора последне­
го набранного номера, так как их схемы вы­
полнялись на дискретных элементах (отдель­
ных транзисторах и диодах), и разместить на
ограниченных размерах память на 5-7 цифр не
представлял ось возможным. Разговорный узел
также ВЫПОЛНЯЛСя на "Отдельных деталях и был
достаточно объемным.
Принимая во внимание, что стоимость элек­
тронных компонентов в то время была доста­
точно высокой и что наладка электронной схе­
мы требовала значительно более высокой
2.2. «Стандартный» электронный ТА
Понятие «стандартный» включает в себя, в
общем случае, множество требований, касаю­
щихся всех свойств изделия, к которому это
понятие относится. В нашем случае это поня­
тие взято в кавычки не в уничижительном смыс­
ле, а только потому, что речь здесь пойдет толь­
ко об обязательном стандартном наборе функций,
которыми должен обладать простой современный
ТА
И снова приходится говорить об устройствах
набора номера, поскольку радикальные меры
10
2
Естественно, что при современном уровне раз­
вития телефонной сети и самих ТА такие воз­
можности, как работа по схеме «Директор-секре­
тарь» , подключение дополнительного ТА ИЛи
звонка не могут служить критериями СЛОЖНОСти
(следовательно и классности) ТА Необходимо
выбрать другие возможности и сервисные услу­
ги, которые и определят принадлеж- НОСть дан­
ного ТА к некоторой условной группе в ряду
современных аппаратов по нашей классифика­
ции.
квалификации работников, цена продажи первых
электронных ТА была намного выше цены элект­
Такие ТА не получили широкого распростране­
ния даже в странах с высокоразвитой электронной
промышленностью. В более позднее время простей­
шие электронные ТА бьши реализованы на базе
ИМС, и производились в основном на предприяти­
ях Гонконга, Тайваня, а позднее в Китае и Малай­
зии. На территории СССР, а затем и в странах СНГ
получили распространение эти ТА, выполненные в
виде телефонов-трубок (моноблочная конструкция)
под условным названием - «ГонконГ», а также не­
которых моделей настольных ТА, например, АТ-
8086.
Необходимо отметить, что эти аппараты по
многим параметрам совершенно не отвечали
требованиям стандартов ни одной страны (в
том числе СССР), а их надежность оказалась
ниже всякой критики, в чем вскоре убедилось
большинство их пользователей.
коснулись их В первую очередь. Связано это с
началом внедрения в «телефоностроение» спе­
циализированных микросхем. Их разработка и
производство начались в начале 70-х годов, когда
электронная промышленность уже хорошо ос­
воила аналогичное производство дЛЯ ЭВМ.
Уже первые образцы электронных номерона­
бирателей на базе микросхем получили возмож­
ность сохранять в памяти последний набраННЬJЙ
номер и транслировать его в линию при нажатии
одной кнопки на тастатуре аппарата. Вначале ячей-
 '«СтандаРТНblЙ» элеКТРОННblЙ ТА

ка памяти ЭНН имела небольшую емкость - до
8 знаков, но со временем объем памяти увеличи­
вался и сейчас у некоторых образцов достигает
знаков. Зачем нужен такой объем памяти поста­
раемся объяснить на следуюшем примере.
Представьте себе, что вы абонент офисной АТС
и вам требуется позвонить по международной сети
абоненту такой же офисной станции в другой стра­
не. Схема набора приведена на рис. 2.1.
Подсчитаем количество знаков, которые дол­
жны сохраняться в памяти при условии,
пауза длительностью порядка трех секунд зани­
Конечно же, все остальные основные функции ТА
должны полностью этим аппаратом выполняться.
32 Существует, по крайней мере, три разновид­
ности построения схем таких электронных ТА.
Они отличаются друг от друга элементной ба­
зой организации узлов аппарата.
Первой по времени создания бьша схема ТА,
в которой разговорный узел оставался полностью
транзисторным, а электронный НН строился на
базе микросхемы с генератором частот тонально­
что го набора в ее составе. Реже наборные узлы стро­
ились на двух микросхемах - отдельно для им­

мает в ней место одного знака: пульсного и тонального набора (например, в

1 + 1 +1 + 4 + 13 + 3 + 1 + 4 = 28
Естественно, что подсчитан сложный вари­
ант, который может иметь место в часы
большей нагрузки на сети, но ведь и потреб­
ность в связи может попасть в этот период.
В другое время может хватить и 24
при другой схеме связи и меньшего их количества.
Здесь мы упомянули о тональном наборе,
следовательно, ЭНН стандартного электронно­
го ТА должен иметь такую функцию. Аппарат
должен предоставить пользователю возможность
оперативного (нажатием одной кнопки) пере­
хода от импульсного к тональному
фиксацией этого в памяти.
Кроме этого, современный электронный ТА
должен иметь функцию кратковременного (нор­
мированного) прерывания цепи постоянного тока
через аппарат «t1ash», которая используется в се­
тях офисных и городских электронных станций
для установления нового соединения
жании прежнего и последующего возврата к нему.
Таким образом, мы определили тот мини­
мальный набор функций, которым должен об­
ладать стандартный простой электронный ТА.
телефоне «Tritel» швейцарской фирмы «Лsсот -
знаков.
Astel»). Следующей была схема ТА, в которой и
разговорный, и наборный узлы базировались на
отдельных специализированных микросхемах. По
наи­
этому принципу построены схемы большинства
современных простых электронных ТА.
В последние годы появились простые и не
знаков, а
совсем простые ТА, в которых применена мик­
росхема, объединяющая в себе функции разго­
ворного и наборного узлов (например, ИМС
L3914 фирмы SGS.THOMSON), хотя все-же
большую популярность получили аппараты с
использованием в качестве наборного узла мик­
роконтроллера с масочным ПЗУ (в большинстве
набору с
своем это микроконтроллеры фирм MOTOROLA
или TOSHIВA).
Необходимо отметить, что практически во
всех схемах электронных ТА, независимо от их
сложности (кроме некоторых простейших), узел
вызывного устройства реализуется на отдель­
ных специализированных микросхемах. Таким
при удер­
образом, схема стандартного электронного ТА
может содержать от двух до четырех имс.

~. ожидани~ ответа АТС, 8, ожидани~ ответа АМТС,

выход на пауза = 1 знаку пауза до 4-х знаков
АЛ к РАТС
ожидан ие ответа
10 Х ХАВС аЬххххх офисной АТС
~ ~ , " - . r - - - ' ,~ ,"'----:..-'""",,-------
выход N!! I код I номер пауза до З-х знаков
на меж­ тел. ,страны , в 10 млн.
дунар. кон- i И зоны i зоне
сеть тинента

уууу
~
*
переход
на то­
"----v---'
номер
абонента
нальный офисной
набор АТС

Рис. 2.1. Схема набора

11
ГЛАВА 2 Классификация элеКТРОННblХ ТА

2.3. ЭлеКТРОННblЙ ТА с программируемой памятью

Следующей по сложности стала схема электрон­ электронного удержания соединения «hold» снача­
ного аппарата с программируемой памятью на базе ла простая, а затем и с музыкальным заполнением

имс. это стало возможным после того, как бьmи
разработаны малопотребляющие микросхемы, ко­
торые могли работать при значительных разбросах
значений питающего напряжения.
Как уже указывалось в начале первой главы
мощность постоянного тока, потребляемая ТА от
телефонной сети, измещется от значений
мВт в режиме ожидания вызова до нескольких
сотен милливатт в разговорном режиме или при
наборе номера.
Этой мощности должно было хватить для пи­
тания схемы управления, а также
генератора тональных частот набора и памяти.
Основным типом ТА этой группы стал аппа­
рат с памятью на 1О номеров
знаков 16, а затем 20 ... 32.
В связи с появлением программируемой па­
мяти у аппарата появились дополнительные орга­
ны управления - кнопки «тето»,
и т. п. У моделей некоторых фирм эти кнопки
составляли единый блок с основной тастатурой
(PHILIPS), а другие производители ТА размеща­
ли их на корпусе аппарата отдельно (Рапаsопiс).
Запись телефонного номера осуществлялась
при помощи этих кнопок в определенной ин­
струкцией последовательности, а вызов номера
из памяти последовательным нажатием «тето»
(<<auto») и кнопки с номером ячейки
которую он был записан.
В дальнейшем у многих моделей ТА появи­
лись именные кнопки прямого набора «<direct
diаliпg» ), и процесс набора из памяти сокра­
Tилcя до нажатия этой одной кнопки.
у большинства современных ТА количество
именных кнопок невелико (3-5),
у таких моделей как Рапаsопiс кх-Т,
Casio нажатием одной-двух кнопок можно выз­
вать из памяти один из 12 или даже
Появление микросхем со
шой степенью интеграции привело к расшире­
нию сервисных функций электронных ТА.
Кроме функции временного отключения мик­
рофона «mute» и «flash» появляется
«hold-music», которое подтверждает Вашему собе­
седнику, что соединение не прервано, и что Ваш
разговор вскоре продолжится.
Естественно, что музыкальная фраза для этой
функции также должна быть записана в памя­
ти, а для ее воспроизведения используется мно­
гочастотный сигнал, который в этом режиме
50 ... 60 вырабатывает генератор тонального набора под
управлением процессора.
В некоторых моделях этот же генератор ис­
пользуется для выработки акустического сигна­
ла вызова с 2-х или 3-х частотным заполнением.
для питания
Так же, как и стандартные электронные ТА,
аппараты с программируемой памятью могут
быть подразделены на три разновидности в за­
с количеством висимости от элементной базы, использованной
при разработке схемы. Одной из современных
является схема, в которой использована ИМС
большой степени интеграции, объединившей
функции большинства основных узлов ТА -
«store», «auto» наборного и управляюшего.
Примером может служить модель С-508М
фирмы CONCORDE, используюшая микросхему
НТ9215А. Этот ТА имеет три кнопки прямого
набора и еше 10 номеров можно запрограмми­
ровать, используя цифровые кнопки тастатуры.
Начиная с 90-х годов многие производители
микросхем для телефонии начали выпускать так
называемые ИМС «однокристальных» ТА, объе­
(0 ... 9), в динивщие в одном корпусе все без исключения
узлы стандартного электронного ТА. Наиболее
известными из них на рынке стран СНГ явля­
ется серия ИМС фирмы AMS - AS253x, состо­
ящая, на сегодняшний день, из 5 микросхем,
отличающихся между собой перечнем допол­
нительных функций (AS2533, AS2534 и др.), а
также серия ИМС фирмы TEMIC - U37xx
хотя, например, (U3760 и др.). Из стран бывшего социалисти­
ческого блока аналогичную микросхему -
Dusseldorf и
EMZ1422 пытались про изводить лишь на пред­
приятиях СССР. На базе AS2533 фирма
40 номеров.
MATSUSHITA выпускает известный на рынке
средней и боль­ стран СНГ телефонный аппарат модели КX-TSIO,
который обладает памятью на 4+10 номеров и
достаточно полным набором функций, вклю­
чая регулировку уровня громкости приема.
функция

12
 Громкоговорящие элеКТРОННblе аппараТbI

2.4. ЭлеКТРОННblе ТА с функцией «своБОДНblе руки» (hands free)

Дальнейшим развитием и совершенствованием называют у нас, потребовало усложнения схемы

схем современных ТА стали аппараты, реализовав­ управления, а следовательно, применения в элек­

шие функцию «свободные руки», позволившую
пользователю занимать телефонную линию, вести
набор номера и контролировать процесс установ­
ления соединения, не снимая микротелефонную
трубку с аппарата. При этом пользователь мог за­
ниматься своим делом вплоть до ответа вызывае­
мого номера или до появления сигнала «занято»,
что создает дополнительное удобство при частом
пользовании телефоном. Особенно ощутимо преи­
тронных ТА новых ИМС и некоторых измене­
ний в построении схемы.
Как правило, в таких аппаратах акустический
преобразователь вызывного сигнала используется
также в схеме наблюдения, поэтому пришлось
отказаться от пьезоэлектрических преобразовате­
лей типа «buzzer» (пищалка) и применить дина­
мический с более качественными характеристи­
ками. Одновременно пришлось ввести и еще

мушество этой функции, при наличии в сервисном

несколько органов управления - соответствую­

щую кнопку режима и регулятор уровня громко­

наборе ТА такой возможности как «автонабор»,
сти в режиме мониторинга.
обеспечивающей многократный автоматический
Аппараты такого типа выпускаются большин -
повтор ранее набранного номера в случае занятос­
ством ведущих производителей и получили до­
ти ТА вызываемого абонента. Совершенно очевид­
статочно широкое распространение на сети.
но, что при входяшем вызове и разговоре действия
Очевидно, что ТА этой группы сохранили в
пользователя остаются абсолютно такими же, как
своих схемах все возможности и сервисные
и при пользовании всеми предьщущими ТА, т. е.
функции предыдущих, а главное, они стали
со снятием М1Т с аппарата.
последней ступенькой на пути создания гром­
Введение этой функции - мониторинга, как коговорящего аппарата.

ее называют на западе, или наблюдения, как ее

2.5. Громкоговорящие элеКТРОННblе аппараТbI (speakerphone)

Основным препятствием создания телефонно­ пуляций во время разговора, что отвлекало от его
го аппарата с возможностью громкоговорящей содержания и держало человека в постоянном на­

связи без использования микротелефонной труб­ пряжении.

ки бьша акустическая «завязка» между громкого­ Только применение быстродействуюших уп­

ворителем и микрофоном, приводившая к воз­ равляющих устройств в комплексе со специ­
буждению тракта - «зуммированию», делавшему aльHыMи акустическими мерами позволили со­
невозможным ведение разговора в нормальном здать и практически использовать эффективные
режиме. громкоговорящие ТА, лишенные указанного
Приходилось применять различные способы, на­ выше недостатка.

пример, отключения микрофона в режиме слуша­ Остановимся сначала на акустических мерах.

ния и громкоговорителя, когда говорили Вы. Это Принимая во внимание небольшие габаритные
бьuIO неудобно и требовало дополнительных мани- размеры корпуса ТА, а следовательно, и неболь-

Рис. 2.2. Взаимное

расположение динамика и

микрофона в современных
громкоговорящих аппаратах

1 - динамик;
2 - акустическая плоскость динамика;
3 - направление звукового излучения;
4 - микрофон;
5 - акустическая плоскость микрофона;
6 - диаграмма направленности микрофона.

13
ГЛАВА 2 Классификация элеКТРОННblХ ТА
шие расстояния между микрофоном и динамиком
нужно бьшо обеспечить достаточную акустичес­
кую изоляцию одного устройства от другого. Это
достигается специальной конфигурацией внут­
ренней полости корпуса и креплением динамика
и микрофона к корпусу при помоши демпфиру­
ющих (гасящих колебания) крепежных элемен­
тов (резиновых прокладок, шайб и т. п.).
Следующим шагом бьuю создание дешевых мик­
рофонов с достаточной остро направленностью и
динамиков с малой обратной отдачей, это сделало
возможным размещение микрофона и динамика в
корпусе ТА так, чтобы ось звукового излучения
динамика бьmа перпендикулярна акустической оси
микрофона. это показано схематически на рис.
Следует отметить, что болыlшнтво современных
спикерфонов до настоящего времени для обеспече­
ния эффективной работыI схемы усилителей приема
и передачи требовали дополнительного источника
питания, так как мощность постоянного тока, кото­
рую получает ТА от телефонной линии бьша для
них недостаточна. Таким источником чаще всего
является батарея сухих элементов напряжением 4,5
В (реже 9 В), устанавливаемая в специальном отсеке
корпуса ТА В последнее время ведущие производи­
тели выпускают ТА данного класса без требования к
установке батареек, что явилось результатом, в пер­
вую очередь, появлению высокоэффективных ИМС
реryлировки тока питания в AJ1 (у многих контрол­
леров громкой связи данные устройства являются
составной частью ИМС), снижение мощности по-
2.6. СЛОЖНblе элеКТРОННblе ТА с расширеННblМИ ФУНКЦИЯМИ
И дополнитеЛЬНblМИ сеРВИСНblМИ услугами
Каждому из нас, хотя бы раз в жизни, прихо­
дилось бывать в кабинете «большого» человека,
или, значительно чаще, видеть этот кабинет в
кино или по телевидению.
Конечно, наше внимание привлекал ряд теле­
фонных аппаратов на столе или приставной тум­
бе. И чем «больше» был хозяин кабинета, тем
длиннее был ряд телефонов.
Сегодня в кабинетах руководства мы такой_
картины можем не увидеть, особенно если это
касается руководителей современной формации,
знакомых с достижениями в технике связи.
Дело в том, что на сегодня рынок телефон­
ных аппаратов в состоянии предложить пользо­
вателю такие ТА, каждый из которых в состоя­
нии заменить несколько стандартных и, вдобавок,
обеспечить новые функции, которые собственно
ТА и не присущи.
14
требляемой от телефонной сети самим контроллером
и использование динамических головок с высоким
КПД. Однако в этом случае громкость приемного
сигнала ограничена и определяется только воз­
можностью схемы данного ЭТА
Как упоминалось выше, создание современ­
ных спикерфонов потребовало применения быс­
тродействующих элементов схемы упраR1lения,
которые успевали бы отслеживать в реальном
масштабе времени с дискретностью не хуже де­
сятка микросекунд состояние трактов приема и
передачи, «открывая» тот из них, который акти­
вен в данный момент, «закрывая» пассивный.
Конечно, такая задача по плечу только про­
2.2. цессору, причем с достаточно «скромной» такто­
вой частотой, значение которой может быть не
выше 500 кГц.
Совершенно очевидно, что паузы дЛИтеЛЬНOC'IЪю
порядка нескольких десятков микросекунд абсолют­
но не воспринимаются ухом человека при разгово­
ре, поэтому сохраняется восприятие нормального
диалога и не возникает чувство дискомфорта, как
при пользовании громкоговорящими устройствами
С принудительным ручным переключением.
Электронные громкоговорящие ТА получи­
ли широкое распростронение в мире, и их про­
изводят все ведущие фирмы.
в этом разделе речь пойдет о многолинейных
ТА (часто называемыми «офисными ТА»), кото­
рые объединяют своей схемой функции телефон­
ного аппарата и простейшего концентратора.
Такой ТА дает возможность поочередного ав­
тономного пользования любой из линий, кото­
рые к нему подключены; организует переход на
линию с вновь поступившим вызовом без пре­
рывания предьщущего соединения и с возможно­
стью возврата к нему; создает возможность одно­
временного разговора с собеседниками на двух
любых линиях (конференцсвязь для 3-х участни­
ков).
Совершенно очевидно, что такой аппарат дол­
жен иметь развитую систему индикаторов состо­
яния каждой из линий и каждой из функций.
Кроме этого, каждая из линий, включенных в
 СЛОЖНblе элеКТРОННblе ТА

ТА, должна иметь отличный по звучанию акус­
тический вызывной сигнал.
Как правило, эти ТА принадлежат к группе
«спикерфонов», имеют очень развитую память
(вплоть до 200 номеров), и сравнительно мош­
ный микропроцессор. Такие устройства требу­
ют значительно большей мощности источника
питания, чем может обеспечить батарея сухих
кциями АОН, в связи с их особой популярностью
на территории стран СНГ.
Отдельной разновидностью в группе офисных
телефонов являются аппараты, имеющие устрой­
ства для организации внутриофисной громкого­
ворящей связи - «интерком» или В более при­
вычном для нас наименовании - селекторной
связи.

элементов. Поэтому все ТА этой группы осна­

Так как для этой связи используется та же
щены сетевыми блоками питания, мощность
внутриофисная телефонная сеть, что и для вне­
которых может достигать порядка 1О Вт.
шних линий, то интерком организуется по вы­
Для сохранения информации в памяти мно­ сокочастотной двухполосной двухпроводной
гие модели офисных ТА имеют в составе схемы схеме. При такой организации внутриофисной
встроенную литиевую батарею со сроком служ­ связи допускается включение. параллельно на
бы до 7 лет, что обеспечивает сохранность дан­ одну абонентскую линию до 4-х однотипных
ных (актуально для стран СНГ) при внезапных Т А. Такая система, например, реализована фир­
и достаточно длительных отключениях электро­ мой Matsushita в модели Рапаsопiс кх- Т3286.
энергии. В этом случае (при отключении элект­
И, наконец, следует остановиться, хотя бы
роэнергии) ваш офисный телефон превращается в
вкратце, на совершенно особой разновидности
стандартный ТА, включенный в ту линию, кото­
офисных телефонов системных телефон­
рую вы предварительно определили.
ных аппаратах, являющихся непременной со­
Телефоны этой группы с количеством линий ставной частью офисных (<<малых» учрежден­
не более двух, как правило, оснащаются жидко­ ческих) АТС.
кристаллическим дисплеем (одно или двухстро­ Сразу следует оговорить, что подавляюшее
чечным) с емкостью строки до 24-х знаков. В
большинство этих ТА не могут использоваться
большинстве таких моделей в состав схемы вхо­
в телефонной сети общего пользования, а так­
дят часы с календарем (или без него), таймер для же то, что системные аппараты одной фирмы
фиксации длительности занятия линии, фикса­
не могут использоваться совместно с офисны­
ция набранного (или вызванного из памяти) вами
ми АТС другой фирмы.
номера.
Аппараты этого типа имеют широкий набор
Когда количество линий становится более двух,
сервисных функций, количество которых опре­
то дисплей используется редко, а сигнализация
деляется характеристикой офисной станции.
состояний осуществляется светодиодами с разны­
Количество номеров прямого набора (внешних
ми цветами свечения.
и внутренних) у этих ТА может достигать 24, а
Наличие бескассетного (запись/чтение инфор­ при использовании специальных приставок -
мации на ИМС ОЗУ) автоответчика с функция­ консолей (у наиболее развитых современных
ми электронного секретаря, дополнительная бес­ офисных АТС) и 64.
шнуровая трубка (работающая, у наиболее
Большинство моделей системных ТА осна­
современных ТА, в системе ОЕСТ), широкие
щается жидкокристаллическим дисплеем с ко­
сервисные функции, обеспечивающие секрет­ личеством строк от 2 до 4, позволяющих
ность информации и защиту от несанкциониро­
осуществлять пользовательское, а при опреде­
ванного доступа (РIN-код, обеспечиваюший ко­ ленных условиях, и административное про­
дирования речи скремблер и т.д.), при наличии
граммирование своей станции.
и других, указанных в этом разделе возможнос­
В зависимости от схемы офисной станции
тей позволяют выделить офисные ТА в более
системные аппараты могут быть аналоговыми
высокий класс устройств - в класс так называ­
четырехпроводной схемы подключения, циф­
емых «бизнес-телефонов».
ровыми с такой же схемой и цифровыми двух­
Особой разновидностью сложных электрон­
проводными.
ных ТА являются аппараты снеспецифическими
функциями и аппараты «специального' места ус­
Среди ТА сложной схемы построения есть
еше также две группы аппаратов, на которых
тановки».
мы в настоящем издании останавливаться не
Это ТА со встроенными радиоприемником, с
будем. Это ТА со встроенными автоответчика­
устройством определения номера при входящем
ми и так называемые беспроводные ТА, или
вызове (АОН), с направленным функциональ­
радиотелефоны. Эти аппараты будут описаны в
ным назначением, например ТА «для кухни» и
отдельных наших изданиях, которые готовятся
«для спальни». В последующих главах мы рас­
к выпуску.
смотрим некоторые из них, а именно ТА с фун-

15
 ГЛАВА 3

КРАТКИЙ ОБЗОР МИКРОСХЕМ ЭЛЕКТРОННЫХ ТА

3. 1. ПредваритеЛЬНblе замечания

Ввиду того, что разработкой и производством зованы. Такой принцип изложения материала в
интегральных микросхем для электронных ТА настоящем издании является наиболее приемле­
занимается большое количество организаций и мым, т.к. сейчас существует значительное коли­
фирм как на территории СНГ, так и во всем чество специальных изданий по ИМС, в которых
остальном мире, то в настоящем издании мы подробно рассмотрены их структурные схемы,
остановимся на описании, в основном, ИМС, логика работы и электрические параметры.
которые используются в моделях электронных
Последовательность изложения материала в
аппаратов, упоминаемых нами.
этой главе соответствует схеме предыдущей, ко­
В описании ИМС основное внимание обра­ торая опирается на предложенную нами при­

щено на те характеристики и параметры микро­ мерную классификацию электронных телефон­

схем, которые напрямую связаны с функциями ных аппаратов по сложности их схемы и

тех узлов ТА, в которых эти микросхемы исполь- сервисным функциям.

3.2. МикросхеМbI номеронабирателей

3.2. 1. ЭлеКТРОННblе ИМПУЛЬСНblе • возможность сохранения в собственной опера­

номеронабиратели тивной памяти последнего набранного номера
и вызова его оттуда нажатием одной кнопки на
клавиатуре;
Наиболее сложным электромеханическим ус­
тройством в аппаратах классической схемы был • возможнOCTh непрерывноro набора знаков Iюмера
без ожидания окончания набора предьщущеro знака;
дисковый номеронабиратель. Но, как оказалось
в дальнейшем, он первым подвергся «нападе­ • возможность введения нормированной паузы
нию» И был «побежден» средствами и методами между любыми цифрами во время набора;
передового авангарда электронной техники -- • возможность изменения параметров набора (ча­
микросхемами средней степени интеграции. стоты следования импульсов, импульсный ко­
Следует упомянуть, что были попытки раз­ эффициент и других);
работать схему ЭНН на дискретных элементах • возможность введения дополнительных сервис­
(конец 60-х) и на ИМС малой степени интег­ ных функций (например, сохранения в соб­
рации (середина 70-х), но эти схемы не бьши ственной оперативной памяти последнего на­
внедрены в массовое производство из-за гро­
бранного номера и вызова его оттуда нажатием
моздкости и большого энергопотребления. Та­
одной кнопки на клавиатуре, введение памяти
кие устройства применялись только в составе
номеров и многих других).
специализированного оборудования связи --
Все эти преимущества способствуют повы­
различных коммутаторах, пультах и т.п.
шeHию качества связи, так как сокращают ко­
Электронный импульсный НН по сравне­ личество сбоев и ошибок при наборе номера,
нию с дисковым имеет следующие преимуще­
что в свою очередь, снижает нагрузку на при­
ства:
боры АТС и способствует их более эффектив­
• более жесткие требования к параметрам ИМ­ ному использованию.

пульсов -- частоте (периоду) следования и им­ Вопреки мнению многих авторов, что исполь­
пульсному коэффициенту (отношение tразм : t.aм); зование импульсного ЭНН сокращает время на­
• стабильность серийной (межцифровой) паузы; бора, мы считаем это неверным. Время выдачи

16
 МикросхеМbI элеКТРОННblХ номеронабирателей

серии импульсов у ЭНН такое же, как у дисково­ Таблица 3.1

го НН, а межсерийная пауза при непрерывном
Величина
наборе не может быть менее 400 мс. В том случае, Наименованиепараметра
Обозна"
ч_ние
когда набор осуществляется дисковым НН доста­ мин. макс.

точно опытным пользователем или оператором Напряжение питания (В) И"И, 2,5 5,0
эта пауза может составлять реально 250 ... 300 мс,
Входное напряжение низкого
но должна быть не менее 180 мс. Реальный И. 0,0 0,5

выигрыш во времени набора номера, причем в

несколько раз, может дать только тональный спо­
УРО8Ня(В)

Входное напряжение высокого

уровня (В) И'Н И,
.-0,4 И,

соб набора, о чем бьvIO сказано ранее (см. первую

Ток потребления при И, = 5В (мкА) /СС1 - 2
главу).

Ток потребления при И, = 58 (мкА) 'сс:г - 60

Импульсные номеронабиратели Ток потребления в режиме набора,

Рассмотрим одну из первых микросхем ЭНН,
нашедших практическое применение в массовом
производстве телефонных аппаратов - 1008ВЖl.
Эта ИМС выпускалась в начале 80-х заводами
«Гравитон» (г. Черновuы, Украина) и «Экситон»
(г. ПаВllОВСКИЙ Посад, Россия) по КМОП техно­
логии. Внешний вид и uоколевка приведены на
рис. 3.1. ИМС выпускалась в двух модификаuиях:
• КРIО08ВЖI- пластмассовый корпус
• КМIО08ВЖl - металлокерамический корпус.
Основные параметры ИМС 1008ВЖl и неко-
торые основные режимы приведены в таБЛ.l ]3.1.
Кратко рассмотрим основные моменты ра­
боты ЭНН на базе ИМС IО08ВЖ1.
Питание микросхемы в режиме отбоя (ожи­
дания вызова) осуществляется напряжением U2
(конт. 3). При снятии МТТ на конт. 15 подается
сигнаЛ высокого уровня и, одновременно, на
контакт поступает основное напряжение
ния - Ul. При этом, схема начальной установ­
ки переводит все триггеры ИМС
состояние и отключает тактовый генератор.
Нажатие любой из uифровых кнопок тастату­
ры запускает тактовый генератор, формирователь
импульсов опрос.а формирует 3 последовательно­
сти импульсов на контактах столбuов. Одна из
этих последовательностей, соответствующая на­
жатой кнопке, поступает на соответствующий
контакт строки и преобразуется в двоичный код,
И,= 5В(мкА) /cr;VA - 130
Сопротивпение контакта кнопок
(кОм)
Ак - 5
Диапазон рабочих температур ГС) ТА -10 70
Врэмя пайки юнтакта п{и
темпе{Втуре грипся 2lЮ О С (с)
ts - 3
Время начальной установки (мкс) tps - 20
Период следования импульсов (мс) Т 100
DIP22;
Длительность звукового сигнала
подтверждения нажатия (мс)
tT 50 100
который отправляется в оперативную память
ИМС (ОЗУ). Разрешение записи этого кода в
ОЗУ формирует схема защиты от дребезга КОН­
тактов и одновременно на контакте 4 формирует
тональный сигнал подтверждения нажатия кноп­
ки. После этого схема управления дает команду
кодопреобразователю сформировать межсерийную
пита­
паузу в соответствии с запрограммированным ее
значением. По истечении паузы формируется
в исходное
сигнал разрешения считывания из ОЗУ кода чис­
ла (номера кнопки) и запуск триггеров, формиру­
ющих последовательность импульсов на контакте
импульсного ключа(l2). Количество импульсов
равно uифре кнопки, а их скважность определя­
ется выбранным значением импульсного коэф­
фиuиента (контакт ИК). По окончании выдачи
этой серии импульсов тактовый генератор вык­
лючается, и все триггеры пере водятся в исходное

У1 УО Тастатура,строка 1
Тастатура,строки

Напряжение пит.
Звуковое подтверждение нажатия кнопки
2 и 3 [ У2

U2 Х2
Х1
ХО
J Тастатура, столбцы 3,2,1

Тастатура,строка 4 Вых. разг. ключа 2

Напряжение пит. "Земля» (общ.)
Вых. разг. ключа 1
Подкл. частотно-задающ.
Вх. рычажн. перекл.
цепей генератора
Вх. выбора межсер. паузы
Вых. межсер. паузы Вх. выбора импульсного коэффициента
Вых. «ключа подпитки» Вых. импульсн. ключа

Рис. 3.1. Цоколевка корпуса ИМС КР1008ВЖ1

17
ГЛАВА 3 Краткий обзор микросхем элеКТРОННblХ ТА

состояние. Микросхема готова к набору следую­ Следующей в ряду импульсных НН стала ИМС
щего знака номера. 1008ВЖ2, обеспечивающая по сравнению с пре­
дыдущей расширенный набор функций в том
ЭНН на этой микросхеме можно привести в
числе:
исходное состояние и во время набора, если
была нажата не та кнопка или по окончании • совместная работа со схемой управления инди­
набора номера вы получили сигнал «занято». Для кацией;
этого, не укладывая МТТ, Вы должны нажать
• работа с дополнительным запоминающим уст­
кнопку «#» (отбой). ройством значительной емкости (до 2 килобит);
В этом ЭНН кнопка «*» выполняет две фун­
• увеличенная емкость внутреннего ОЗУ
кции. Если ее нажать сразу после снятия МТТ, (24 знака х 4 б 96 б).=
то схема управления сформирует команду вы­
Эта микросхема выполнена по КМОП тех­
зова из ОЗУ последнего набранного номера и
нологии и выпускалась в пластмассовом корпу­
его трансляцию в линию. Если же кнопка «*»
се DIP48 типономиналом КРIОО8ВЖ2 заводом
нажата после любой цифры номера, то этим
«Экситою> Г. Павловский Посад, Россия. Цоко­
мы увеличим длительность межсерийной паузы
левка корпуса lОО8ВЖ2 приведена на рис. 3.3.
на (nx2,6)c, где n - число нажатий кнопки.
Такая длительность межсерийной паузы бывает
нужна, например, при выходе на междугород­

ную (или международную) сеть в часы наи­

большей нагрузки (ЧНН), когда после набора
«8» приходится некоторое время ожидать зум­
мера ответа АМтс. Следует помнить, что каж­
дое нажатие кнопки «*» эквивалентно цифре,
а емкость ОЗУ ИМС lОО8ВЖl составляет 22
знака, т. о. реальная значность номера в этом
случае будет 22-n, где n - число нажатий
кнопки «*».
Указания по программированию величин им­
пульсного коэффициента и межсерийной пау­ а) межсерийной б) импульсного коэффициента.
зы показаны на рис. 3.2. пауэы;

Микросхема lОО8ВЖl достаточно широко

использовалась в ТА завода ВЭф (г. Рига, Лат­ Рис. 3.2. Программирование временных
вия) и других в конце 80-х - начале 90-х.
параметров 1008ВЖ1

Частотно-задающие элементы [ААС F.F

с
Ucc Напр. питания
F W\ Вх ... Прерывание»
тактового генератора F= f=i TON Звук подтв. нажатия КНОпки
Вых. «Задержка» МК
f= F WRM Вх. запись/чтение
Вх. «Отбой» ОЕ
f= F EWR Вых. запись/чтение
Вх. «Отбой гарантированный» OEG ~ 1=: SR Вых. «Сброс»

~
F

Столбцы тастатуры [~i

ОА Вх. информ. от внешн. ОЗУ
1= А1
F F АО
F= N F. А2

~
F f; АЗ
ХЗ
У7
1=: f=! А4
со
У6 А5 Адресные выходы
::; Q k
Строки тастатуры
У5
У4
УЗ
=;
:::;
...
Q
D.
F!
I=!
А6
А7
CS4/A8
=; ~ F!
У2 CS1
У1
= f=! CS2/A10
УО
=; I=! СSЗ/А9

~
Вых. РК
"'i МОМ Вх .• Режим внешн. ОЗУ»
NSA
NSI ~ Вых. информ. в ЗУ
Вых. ИК OW

~
Вх ... Просмотр ЗУ» СН
19
Вых. данных 00 F! ОЗ
02
]
Вых. данных
Земля GNO ~
.J.
19 01

Рис. 3.3. Цоколевка ИМС КР1О08ВЖ2

18
 МикросхеМbI элеКТРОННblХ номеронабирателей

Особенностью этой ИМС является работа с ределяется нажатой кнопкой в соответствии с

расширенной (до 5 х 8) кнопочной тастатурой данными табл. З.2.
и, как уже упоминалось ранее, со схемой уп­ Исходя из максимально возможной длитель­
равления индикацией и внешним ЗУ. ности МСП (программирование МСП осуще­
Импульсный коэффициент может быть уста­ ствляется также при помоши перемычек, как

HOВlleH в пределах от 1 до 2 соответствуюшими это показано на рис. З.6), можно получить ее

перемычками между контактами при частотах сле­ длительность при Т = 100 мс до 2,5 с.
дования импульсов 10, 16, 20 Гц. Заводская на­ Тактовая частота этой ИМС - З2 кГц, что
чальная установка (без схемных перемычек) соот­ определяется номиналами RC цепочки: R=270
ветствует требованиям (Т=100 мс, К=I,5) в СНГ. кОм и С = 47 пФ.
Заводская установка длительности межсерий­ Предельно допустимые значения напряже­
ной паузы - 800 мс (8Т), но ее можно также ний и температур приведены в табл. З.З.
изменить в соответствии с перемычками, пока­
Микросхема 1008ВЖ2 применена в несколь­
занными на рис. З.4.
ких модификациях ТА «Электроника»: ТА-7,
В случае использования внешнего ЗУ можно ТА-8 (варианты 1 и 2) и ТА-I0l.
установить нужную значность записываемого в

память телефонного номера. Заводская установ­

ка дает 8 знаков, а предельное значение соот­
ветствует емкости собственного ОЗУ 1008ВЖ2
и равно 24 знакам.
Если использовать ЗУ емкостью 2к, то в
память можно записать 60 восьмизначных но­
меров, так как эта ИМС обеспечивает доступ к
любому из 60 адресов. При увеличении значно­
сти номера их число в памяти пропорциональ­
но уменьшается. Установка значности, отлич­
ной от 8, производится
показано на рис. 3.5.
Следующей ИМС в ряду серии 1008ВЖ .. ,
стал импульсный номеронабиратель со встроен­
ной памятью (РЗУ) на 10 восемнадцатизначных
номеров и ОЗУ дЛЯ последнего набранного но­
мера емкостью 22 знака.
име 1008ВЖ5 КМОП технологии разрабо­
тана и выпускалась заводом «Родон» (г. Ивано­
Франковск, Украина) в трех типономиналах:
КРI008ВЖ5, 5А и 5Б. Корпус пластмассовый
перемычками, как это типа DIP22. Цоколевка одинакова для всех ти­
по номиналов и приведена на рис. З.6.

При использовании внешнего ЗУ емкостью

1к количество номеров в памяти сокрашается
Таблица 3.2.
вдвое.

Для работы с внешним ЗУ емкостью 2к на СИМВОЛ /(нопки

. Ак Вк Ск Dк

вход МОМ (конт. 29) нужно подать сигнал

Длительность l1Т+ 12Т+ 13Т+ 14Т+ 15Т+
высокого уровня (1), а дЛЯ ЗУ емкостью 1к паузы,МС tмсп tмсп tMcn tмсп tMcn
сигнал низкого уровня (О).
В ЗУ вместо цифры (цифр) номера могут Таблица 3.3.
быть записаны паузы. Длительность паузы оп-
Допустимые
Параметр Обозначение
пределы

Напряжение питания,В И сс 2.5.5

В- Входное напряжение низкого

уровня, В
И. 0,0 .. 0,5
, ,
~ 400 МС J::\ ~ 600 МС J-:::\ Q" 1000 МС "Q Входное напряжение BЫCOKOГU
уровня, В И/Н 5( И сс - 0,4)
~ ---4T----(V ~ ---6T----~
V 10Т V
Рабочий диапазон температур, оС ТА -45 .. +В5

Рис. 3.4. Программирование межсерийной

паузы в 1008ВЖ2 Таблица 3.4.
Потенциалы на входах
Значе-

/О",
Параметр
ние
М;5 (13) /PS (14) DRS (15)

f.:\ 12
~---------v.v
3Н J':::\ f.:\.
~
16 J':::\
зн
---------v.:; 0" 24зн "0 Частоrа следования
импульсов набора
10Гц

20Гц
-
-
-
-
лог. "О"

лог. "1"

1,5 лог. "О" - -

Импульсный коэффициент
1,6 ЛОГ "1" - -
Рис. 3.5. Установка значности номера во Длительность меж- 7Т -. ЛОГ. "О" -
внешнем ЗУ ДЛЯ ИМС 1008ВЖ2 серийной паузы вт лог. "1" -

19
ГЛАВА 3 Краткий обзор микросхем электроннbtх ТА

в схеме этой ИМС предусмотрена возмож­ Таблица 3.5.

ность изменения частоты следования импульсов
Значение
набора, соотношения импульс/пауза - импульс­ Обозна-
Параметр;j:JвЖим
ный коэффициент и межсерийной паузы. Это чение не не
менее болев
достигается заданием определенных потенциалов

на соответствующие входы ИМС, как это пока­ l008ВЖ5А 2,4 4,4

зано в табл. 3.4. Нслряжвнив
Иrx;
питания, В
l008ВЖ5Б 2,7 4,4
Такие значения параметров набора номера
справедливы, если частота тактового генерато­ Входное нслряжениелог «1 .., В И" И~ -0,7 И~ +0,3
ра равна 5,2 кГц, что определяется следующими
Входное нmряжение ЛОГ «О", В И. -0,3 0,7
значениями частотно-задающих элементов:

R1 = 1 МОм; R2 = 670 кОм; С1 = 150 пФ. Выходное нmряжениелог «1". В

И'" 2,0 -
Выходное напряжение лОг «О". В ИЙL - 0,45
Предельно допустимые значения некоторых
параметров и режимов работы ИМС приведе­ Сопротивление натрузки, кОм RL 8,5 9,0
ны в табл. 3.5.
макс потреБЛяемая мощность, мВт РССМАХ - 0,58
На базе этой ИМС другими производителя­
ми выпускались импульсные НН 1064ВЖ5 (з-д Рабочийдиапазон температур, оС ТА -45 70
«Светлана», г. С-Петербург), 1089ВЖl (з-д
Длительность перех прОцесса НН, мс - 15
«Квазар», г. Киев). Более поздней разработкой
КБ з-да «Родон» стали ИМС импульсного на­
бора 1008ВЖ7, которые отличались от ВЖ5
Еще один аналог lОО8ВЖ5 производства з-да
только более широкими пределами выбора им­
«Квазар», отличается от прототипа использовани­
пульсного коэффициента (1; 1,5; 1,6; 2) и меж­
ем корпуса типа DIP24 и, следовательно, изме­
серийной паузы (4Т, 7Т, 8Т), а также отсут­
ненной цоколевкой, которая приведена на рис. 3.7.
ствием памяти на 1О номеров. Тип корпуса, его
Режимы работы этой ИМС и основные парамет­
цоколевка, параметры ИМС и режимы работы
ры ЭНН на ее базе полностью совпадают с ранее
полностью совпадают с данными lОО8ВЖ5.
описанными, отличие только в формировании
Аналог lО64ВЖ7, производства з-да «Свет­ сигнала «отбой», требующего одновременного
лана», также полностью идентичен с описан­ нажатия двух кнопок на тастатуре: «*» И «#».
ной ранее имс.

Строки тастатуры [ :d Уа

Х2 J
Строка тастатуры

Напряжение пит. Ucc It) Х1 Столбцы тастатуры

Звук. подтв. TON ~ ха
Строка УЗ ro NSA Вых. разг. ключа
Выход РП HS со GND «Земля» (общ.)
О
[А2
н.п.
О
Генератор С1 ,.... DRS Выбор частоты импульсов
А1 а. IPS Выбор межсерийной паузы
TEST ~ M/S Выбор импульсного козфф.
н.п. NSI Вых. импульсного ключа

Рис. 3.6. Цоколевка корпуса КР1008ВЖ5

Строки [ У1 Уа Строка

Напряжение питания (-)

У2
Ucc Х2
Х1
]
Столбцы
Звук подтв. TON ха
Строка УЗ
N NSA Выход разг. ключа
Вход РП HS ~ GND «Земля»
а1
Генератор
[ А2
С1
cn н.п.

со DRS Выбор частоты импульсов

А1 О IPS Выбор межсер. паузы
,.... M/S Выбор имп. коэфф.
Н.п. NSI Выход имп. ключа
н.п. Н.п.

Рис. 3.7. Цоколевка корпуса 1089ВЖ2

20
 МикросхеМbI элеКТРОННblХ номеронабирателей

Для простейших и стандартных электронных 1008ВЖ15 (прототип WE9192 B/U), нет выхода
ТА выпускалось большое количество И М С мно­ разговорного ключа, предназначена для теле­

гими зарубежными фирмами. Некоторые из них фонов-трубок;

послужили прототипами описанных выше ИМС 1008ВЖ17 (прототип UM9151::-3) предназначена
производства СНГ. для замены механического НН;
Поскольку основное назначение этих ИМС 1002ХЛ2 (прототип WE9192B/U), возможность
полностью совпадает с ранее описанными, то
программирования произвольной длительнос­
подробное рассмотрение их не при водится.
ти межцифровой паузы нажатием кнопки «по­
Остановимся только на основных отличиях тех
втор».
ИМС, которые подробно не рассматривались:
Теперь остановимся на особенностях исполь­
l008ВЖ10 (прототип KS5851/2) имеет встроенный зования ИМС зарубежного производства, ана­
стабилизатор напряжения, повтор последнего на­ логи которых в СНГ не производились:
бранного N кнопкой «#», программируемая меж­
НМ9100Аl/Сl, замена механического НН;
цифровая пауза 1,6 с вводится нажатием кнопки
«*» (одно нажатие - одна пауза и т.д.), емкость МС145412/413/512Р, наличие памяти на 10 восем­
ОЗУ - 32 знака (пауза = 1 знаку); надцатизначных номеров, одним из них является

последний набранный (обычно в ячейке «О»);

l008ВЖll (прототип КS5805AjВ), имеет встроенный
«*'1> отключает мик­
стабшшзатор; нажатие кнопки МК50981/82, кварцевый резонатор в схеме гене-
рофон (mute), N - кнопка «#»;
повтор последнего ратора (3,58 Гц);

1008ВЖ12 (прототип S2560A/B) - расширенный МК50991/92N, генератор по схеме RC;

диапазон напряжения питания от 1,5 до 12 В; РВМ3915, генератор без навесных элементов
1008ВЖ14 (прототип WE9192B/U), встроенный встроен в ИМС, память на 12 номеров, работа­
стабилизатор напряжения U REF = 4,5 В; ет стастатурой 4 х4;
Таблица 3.6.
Нilnжиеи
Напряжение Емкость Частота
Фирма емкость
Аналоги в СНГ и преl;ЩРИЯТИЯ Тип питания,В встроен- ИМl1.
ТипИМС произво- РЗУ
изготовители корпу;а /-юго ОЗУ, набора,
/JIIIтель (память),
мин. макс.
зн. Гц
3Н.

GENERAL 1008ВЖl *, Экситон (Р),

АУ-5-9151А /NSТRИ- D/Р22 2,5 5,0 22 10 -
Гравитон (У)
MENTS
1008ВЖ5/~Б*, Родон (У)
S25610 АМ/ 1064ВЖ5, ветлана(Р) D/Р18 - 5,5 22 16 или 20 10 х 18
1089ВЖ1, вазар(У)

1008ВЖ12, Элек-троника (Р)

1008ВЖ7*, Родон (У) А-D/Р18,
S256().1J,/B АМ/ - 5,5 20 10 или 20 -
1064ВЖ7, Светлана (Р) В-D/Р24
1089ВЖ2 *, Квазар (У)
KS5851/2 SАМSИNG 1008ВЖ10, Интеграл (Б) D/Р18 2,0 6,2 32 10 или 20 -
1008ВЖll, Интеграл (Б)
KS5854/B SАМSИNG
ВЦ1000А, Элек-троника (Р)
D/Р18 2,5 6,2 17 10 или 20 -

1008ВЖ14, ВЖ15, Элекс(Р) В - 10

WE9192B;U W/NBOND D/Р16 2,5/4,5 5,5 16/31 -
1002ХЛ2, НЗПП(Р) и-ю (20)

ИМ9151-3 ИМС 1008ВЖ17, Интеграл(Б) D/Р16 2,0 5,5 22 10 или 20 -

KS5853 SАМSИNG - D/Р16 2,5 6,2 32 10 или 20 -

НМ91ООА1/С 1 НМС - D/Р18 н.Д. н.Д. 17 10 или 20 -

МСI45412/
МСI45413/ MOTOROLA - D/Р18 н.Д. н. Д. - 10 или 20 10 х 18
МС145512Р

МК50981/82 MOSTEK - D/Р16 н.Д. н.Д. Н. Д. 10 -

МК50991j92N MOSTEK - D/Р18 н.Д. н. д. н.Д. 10 или 20 -

РВМЗ915 ER/CSSON - D/Р18 - 3,0 н.Д. 10 12 х 16

РСDЗЗ20D/Р PH/L1PS** - D/Р18 2,0 6,0 23 10 -

РСD3321D/Р,
22,24 ... 27D/Р PH/L1PS" - D/Р18 2,0 6,0 23 10 или 20

Б - Белоруссия; Р - Россия; У - Украина; * - описана в этой главе.

** - существуют модификации: РСD332ХСD стеклокерамический 18-контактный корпус;
РСD332ХСТ - пластмассовый 20-контактный корпус.
21
ГЛАВА 3 Краткий обзор микросхем элеКТРОННblХ ТА

PCD332XT/P, семейство импульсных НН, все кро­ сигналов ЧНН по ГОСТ 7153-85 должна быть не
ме РСО3327 с кварцевыми (3,58 МГц) резщra­ хуже, чем 1,8%. ±
торами опорного генератора, у PCD3327DjP Параллельно проводились работы по созда­
резонатор керамический на 455 кГц, у имс. 21 .. нию пъезокерамического резонатора на более
и ... 260jP два значения длительности паузы. низкую частоту, что позволило бы упростить
Максимальная потребляемая мощность состав- схему цифрового деления. Такие резонаторы
ляет 100 мВт для всех модификаций. Основные были разработаны на частоты 447 ... 500 Гц и
характеристики ИМС электронных номеронаби­ нашли применение в схемах ЭТА некоторых
рателей «простейших» ЭТА зарубежных произво­ производителей (PHILIPS, Электроника и др.).
дителей и аналогов (где они есть), произведен­ В этом случае коэффициент деления частоты
ных в странах СНГ, приведены в табл. 3.6. уменьшается по сравнению с предыдущим в

(3,58x10 6 )j(447xl0 3 )=8 раз.

В частотном (тональном) способе набора но­
мера используется код 2 из 8 со следующим ря­
3.2.2. УниверсаЛЬНblе (тонально­ дом частот:

импульсные) элеКТРОННblе • строки тастатуры, нижняя группа (LG) час­

номеронабиратели тот - 697, 770, 852 и 941 Гц;
• столбцы тастатуры, верхняя группа (HG) час­
После того, как многочастотный (тональный) тот- 1209, 1336, 1477, и 1633 Гц.
код был успешно внедрен на межстанционном Частоты нижней группы используются во
участке телефонной сети, встал вопрос о разра­ всех ЭТА с частотным набором, а частоты вер­
ботке подобного метода передачи управляющих хней группы полностью используются ТОЛЬКО в
сигналов и на абонентском участке. Кроме явного аппаратах стастатурой 4 х 4. Кодировка цифр
ускорения процесса передачи номера (см. ранее) от 1 дО О, а также кодировка специальных сим­
этот способ значительно повышает надежность волов и дополнительных знаков на тастатуре
связи за счет резкого сокращения количества лож­ для частотного кода 2 из 8 показана в табл. 3.7.
ных соединений, возможных из-за искажений
Кроме требований к стабильности частоты сиг­
номера при импульсном способе набора.
нала набора номера частотным (тональным) спосо­
Поскольку для межстанционного обмена сиг­ бом предъявляются и другие не менее жесткие тре­
налами был принят многочастотный код 2 из 6 с бования. Уровень сигналов нижней группы должен
набором частот 700,900, 1100, 1300, 1700 Гц, где быть в пределах минус 6±2 дБн, а верхней группы
ни одна частота, не является гармоникой (крат­ минус 3±2 дБн. При этом отклонение должно бьпь
ной) другой, то для абонентского учаС1ка при­ одинаковым для обеих групп частот. В зарубежных
шлось создать другой ряд частот, построенный странах действуют несколько другие стандарты по
по такому же принципу, что и предыдущий, но этому показателю, но обязательно требуется, чтобы
отличающиися по номинальным значениям час­ уровни сигналов нижней и верхней группы не от­
тот. Ввиду высоких требований к стабильности личались друг от друга более, чем на 2,1 дБн (на­
частот эта задача оказалась не очень простой и пример: Р lЛ = -11 дБн, а Р ИG = -9 дБн).
нашла свое решение в техническом и экономи­
длительность кодовой посылки должна быть
ческом плане благодаря, как ни странно, телеви­
не менее 40мс. Практически большинство ЭТА
дению. Как оказалось кварцевый резонатор на
с частотным набором обеспечивают длительность
частоту
3,58 МГц, используемый в декодере PALj одной кодовой посылки в пределах 60 ... 80 мс.
SECAM, отлично подошел для генератора номе­
ронабирателя с частотным набором. В сочетании Естественно, что стандартный ЭТА должен
с цифровой схемой деления частоты и последую­ быть универсальным, Т.е. он должен иметь воз­
щей цифровой обработкой сигнала на выходе можность набора как импульсным, так и то­
,'акого генератора получается ряд высокостабиль­ нальным способом. Поэтому схемы первых ЭТА
ных (ДО долей процента) синусоидальных сигна­ с тональным набором строились по принципу,
лов, каждый из которых не является гармоникой показанному на рис. 3.8, с отдельными узлами
другого из этого же ряда. Стабильность частоты набора номера.

Таблица 3.7.
ЦиФра, СИМВОЛ,
1 . 2 3 4 5 6 7 8 9 О # А В С D
знак *
НИЖН.
Час- 697 697 697 770 770 770 852 852 852 941 941 941 697 770 852 941
группа
тота,
Верхн.
Гц 1209 1336 1477 1209 1336 1477 1209 1336 1477 1336 1209 1477 1633 1633 1633 1633
группа

22
 МикросхеМbI элеКТРОННblХ номеронабирателей

Примером такого построения может служить зываются ТА «touch-tone», а частотный способ

схема ЭТА «Tritel» швейцаРСКО-фР1!НЦУЗСКОЙ набора номера обозначается аббревиатурой ОТМР
фирмы Ascom-Astel. (Double Топе Multi Frequency) - дословно по­
РУСGКИ: «двухтональная посьшка многочастот­
Однако последующие шаги в развитии про­
ного кода».
изводства И М С привели к созданию микро­
схем, объединяюших в одном корпусе оба но­ Рассчитаем количество комбинаций частот­
меронабирателя и схему упрамения типом набора. ных посылок при использовании кода 2 из 8.
При этом была обеспечена возможность опера­ Поскольку комбинации отличаются друг от дру­
тивного перехода от импульсного способа набора га только частотами сигналов, а не их поряд­

,номера к частотному без принудительного пере­ ком в комбинации, то число комбинаций опре­
ключения типа набора, установленного в ЭТА. деляется формулой сочетаний из n элементов
Обычно это достигается нажатием кнопки «*» на по m. В нашем случае n = 8, а т = 2. Опуская
тастатуре. На многих моделях ЭТА кнопка имеет вывод, получим в окончательном виде:

надпись TONE.
C~=8!/[2!(8!-2)!]= 28
Такая процедура перехода от импульсного к
тональному набору создает возможность набора Таким образом, использование кода 2 из 8
дополнительного номера офисной (учрежденчес­ позволяет создать и передать 28 частотных по­
сылок отличных друг от друга, а при некоторых
кой) станции, пользования голосовой почтой,
дистанционного упрамения автоответчиком и ухищрениях количество посьшок может быть
передачи данных при связи, например, с бан­ увеличено до 40. Это позволяет передавать не
ковским (или каким-либо другим) терминалом. только цифровую информацию, но и буквенные
сообшения, если использовать латинский алфа­
Автоматический возврат к импульсному спо­
вит, в котором 26 букв. Для этого используется
собу набора осушестмяется сразу же после про­
кнопочная тастатура 4х4 с расположением ли­
цедуры «отбой», независимо от того, как она
тер, указанным на рис. 3.9.
бьша осуществлена: укладыванием микротеле­
фон ной трубки на аппарат, или нажатием спе­ Формирование кодовых посылок, соответ­
циальной кнопки. ствующих литерам, производится при помощи

дополнительных кнопок (А, В, С, О) и 8 циф­

Такие ИМС разрабатывались и производи­
ровых (от 2 до 9) в соответствии с указаниями
лись практически всеми ведушими зарубежны­
в «Руководстве пользователя» для ЭТА с такой
ми фирмами, и на сегодняшний день сушеству­
тастатуроЙ. Таким образом, буквенная частот­
ет порядка сотни образцов. Ввиду этого, в данном
ная посылка может состоять из двух, последо­
издании мы остановимся более подробно только
вательно переданных комбинаций кода 2 из 8.
на ИМС основных разработчиков и производите­
Например, буква «а» может быть передана дву­
лей, а по остальным, нам известным, ограничим­
мя следующими комбинациями:
ся обзором.
• 1 697 + 1633 (А);
Перед тем, как при ступить к описанию конк­
ретных ИМС, следует заметить, что в терминоло­ • 11 697 + 1336 (2).
гии, принятой в США и некоторых других за­ Естественно, что такая система передачи бук­
падных странах, телефонные аппараты с венной информации требует на приемном конце
кнопочной тастатурой и тональным набором на- соответствуюшего декодирующего устройства.

РАЗГОВОРНЫЙ 52 ИМС
СХЕМА
УЗЕЛ ИМП. АВС DEF
УПРАВЛЕНИЯ 1---- НН
<D ® ® ®
ЛИНИЯ ~~===!====~------L---~~=-~==~ GHI JKL MNO
@ ® ® ®
l 51L________
РА5 TUV WXY
2 3 ИМС (1) ® ® ©
cifu 456
7 8 9
ЧАСТОТНЫЙ
НН
®
ОРЕА
@ ® @

* О # Q
Рис. 3.9. Расположение
букв латинского алфавита
Рис. 3.8. Функциональная схема ЭТА с отдеЛЬНblМИ ИМС
на тастатуре ЭТА
дЛЯ импульсного и тонального набора номера

23
ГЛАВА 3 Крат«ий обзор микросхем элеКТРОННblХ ТА

Наиболее мощными разработчиками и произ­ Значения основных параметров при температуре

окружающей среды 25 С приведены в табл. 3.8.
0

водителями ИМС дЛЯ ЭТА с импульсным и час­

тотным номеронабирателем ЯRЛЯются такие извес­ Рабочий диапазон температур ИМС 1008ВЖб на­
тные фирмы, как ходится в пределах от минус 45 до 70 С.
0

SAMSUNG, PHILIPS, UMC,

SGS-THOMSON, MOTOROLA, SANYO, Микросхема КРIО08ВЖ6 выполнена в пласт­
WINBOND. Этот ряд можно было бы продолжать и массовом корпусе типа 2108.22-13 по КМОП­
далее, так как почти каждая фирма, имеющая
технологии. Типовое значение противоперегру­
отношение к разработке и производству ИМС, зочного резистора по цепи питания этой ИМС-
выпустила хотя бы несколько микросхем «diallers 100 Ом (14-й контакт корпуса).
al1d DTMF gel1erators,> - номеронабирателей с ге­
Следующей ИМС импульсно-частотного но­
нератором тональных частот.
меронабирателя идет КРI008ВЖ16, выпускав­
шаяся заводом «Ангстрем» (г. Зеленоград, Рос­
Универсальные НН отечественноro производства
сия). Прототипом этой микросхемы послужила
По аналогии с предыдущим разделом изложе­ ИМС КS5800б ф. SAMSUNG ELECTRONICS.
ние начнем с описания ИМС импульсно-тональ­ Микросхема выполнена по КМОП-технологии
ных НН, про изведенных на территории СНГ. в корпусе типа DIPI8.
Рассмотрим ИМС КРI008ВЖ6, которая выпус­ Используется с кварцевым резонатором
калась заводом «Родою> (г. Ивано-Франковск, 3,58 МГц и может работать стастатурой 4х4.
Украина) в первой половине 90-х. Цоколевка Емкость ОЗУ 32 знака для записи и хранения
корпуса этой микросхемы приведена на рис. 3.10. последнего набранного номера. Цоколевка кор­
Прототипом этой ИМС послужила микросхема пуса приведена на рис. 3.11.
S7230 фирмы SEIKO INSTRUMENTS (Кали­
Сразу же укажем, что прототип выпускался в
форния, США).
двух модификациях: в корпусе DIPI8, цоколевка
Как видно из рис. 3.10, эта микросхема пред­ которого полностью совпадает с изображенной на
назначена для работы стастатурой 5 х 4. Резо­ рис. 3.11, и в корпусе типа SOP20 для поверхно­
натор генератора используется кварцевый 3,58 стного монтажа на печатной плате (KS58006D), у
МГц. Микросхема выполнена по КМОП-тех­ которого назначение контактов от 1 до 11 совпа­
нологии, напряжение питания может быть в дают с изображенным; 12 и 13 контакты не
пределах от 2,7 до 5,5 В, а максимально допу­ используются, а использование контактов с 14 по
стимая рассеиваемая мощность не должна превы­
20 такое же, как у 1008ВЖlб с 12 по 18.
шать 500 мВт.

УО Стр. тастатуры

г ХЗ]
Строки У2
тастатуры УЗ Х2 Столбцы
с.о
У4 Х1
~
тастатуры

Выбор реж. RES ха

Рыч. пер. HS Ш ОР Вых. имп. КЛ.
Упр. реж. MDS со MUTE Вых. разг. кл.
Подтв. нажатия КТ
О GND Земля (общ.)
О
Кварц. резон. [ 01 Vcc Напр. пит.

Способ наб.
00
МО
""" DTMF Вых. тон. сигн.
XMUTE Блок. микр.

Рис. 3.10. Цоколевка корпуса ИМС

КР1008ВЖ6 ,

г
Строки А2 С4
СЗ ]
Столбцы
тастатуры RЗ С2 тастатуры
А4 С1
Выход РП HS ОР Вых. имп. ключа
Выбор К М/В Х MUTE Вых. разг. КЛЮч.
Выбор Т/Р MDS TONE OUT Вых. DTMF
Подключ. [OSCI Vss Напр. пит. (-)
кварц. рез. OSCO VDD Напр. пит. (+)

Рис. 3.11. Цоколевка корпуса ИМС КР1008ВЖ16

24
 МикросхеМbI элеКТРОННblХ номеронабирателей

Таблица З,8,

Значение
Единица
Пара метр Си_ол Выводы
иэмер,
не менее не более

Напряжение питания Исе В 14 2,7 5,5

все, кроме 9 И~ - 0,7

Входное напряжение высокого уровня И/Н В И~ +0,3
9 И~ - 0,3

все, кроме 9 0,3 0,7

Входное напряжение низкого уровня И, В
9 -0,3 0,3

Выходное напряжение высокого уровня Ион В 8,11,12,16,17 2,1 -

Выходное напряжение низкого уровня Иа В 8,11,12,16,17 - 0,65

Нагрузочное сопротивление RL кОм 13 30 -

Нагрузочная емкость С, пФ 13 300 -

Fl 691 703
F2 763 777
F3 844 860
F4 932 950
частоты ВЫХОДНОГО сигнала при режиме тонального набора номера * Гц 13
F5 1197 1221
F6 1323 1349
F7 1463 1491
F8 1617 1649

Выюдное напряжение часmтных составляющих Fl F4 И" В 13 0,20 0,24

Выюдное напряжение часmтных составляющих F5 F8 И й2 В 13 0,28 0,34

Период следования импульсов при импульсном режиме набора номера Т мс 17/16 99 101

Межсерийная пауза при импульсном режиме набора номера I"р мс 17/16 693" 707"

Импульсный коэффициент при импульсном режиме набора номера (1,/1,,,) К - 17/16 1,44 1,56

Длительность двухчастотной поCblЛКИ при режиме тонапьного набора

номера
tDrМF мс 13 80 -
Межсерийная пауза при тональном режиме набора номера tютМF мс 13/12 100" -
Емкость ОЗУ зН 13/17 32 32

Длительность програм паузы tAPp/p с 13/17 2'" 3'"

Примечание:
* При одновременном нажатии 2-х кнопок одного и того же столбца или строки тастатуры;
** При вызове из ОЗУ последнего набранного номера;
*** Единичная пауза равноценна знаку дЛя ОЗУ,

Таблица З,9,
,
Единица Значение
Параметр Символ Выводы Примечание
измер,
, не менее не более

Входное напряжение высокоrv уровня И,н В 1-7,15-18 0,8 ИйО

Входное напряжение низкого уровня И, В 1-7,15-18 Vss 0,2

Входной ток /, мкА 1-4 - 50

ВblXОДНОЙ тОк импульа-юго ключа /а, МА 14 1,7 5,0

ВblXодной ток разговорного кпюча /а2 МА 15 0,5 1,5 при И=2,5В

Время удержания кнопки lко мс 1-7,15-18 23 -

Период следования импульсов набора Т мс 14 98 101

Импульсный коэффициент К - 14 1,5 2,0 про грамм

Длительность двухчастотной посылки набора tDrМF МС 12 110 -

Длительность пауз ы между двухтональными посылками tDrМF мс 12 110 -
Разность уровней час тот столбцов и строк Ре -Р• dБ 1,2 1,0 3,0 приR L 2:5кОм

25
ГЛАВА 3 Краткий обзор микросхем элеКТРОННblХ ТА

Рабочая температура этой ИМС находится в выполнена по КМОП-технологии в пластмассо­

диапазоне от -20 до 70 С, а рабочее напряжение вом корпусе OIP16, используется совместно с
0

может лежать в пределах 2... 6 В. С ЭТОй микросхе­ кварцевым резонатором на 3,58 МГц и может
МОй может использоваться тастатура с отдельными применяться в телефонных схемах, факсах, мо­
кнопками для программирования паузы (длитель­ демах и аппаратуре дистанционного управления.

ностью 3,5 с) между цифрами (группами цифр)
номера и для «отбоя» без укладывания МТТ на
аппарат. При этом длительность разрыва цепи
нормирована и составляет не менее 600 мс, что
почти вдвое превышает требования действующих
нормативных документов и обеспечивает гаранти­
рованный «отбой».
Максимально допустимая мощность рассеивания
500 мВт. Максимальное отклонение частот двухто­
нального сигнала набора номера не превышает зна­
чения 0,75%, что более чем вдвое лучше допуска
ГОСТ 7153-85 (1,8%). Оперативный переход от
импульсного способа набора номера к тональному
осуществляется нажатием кнопки Р (пауза), а воз­
врат к импульсному способу - автоматически сиг­
налом «отбой».
Основные элеl):трические и временные пара­
метры сигналов на контактах корпуса КР1008ВЖ16
при U oo = 3,5 В, ТА = 25 0 С, f KB = з,58 МГц приведены
в табл. 3.9.
Следует указать, что для всех импульсно-час­
тотных ЭНН оперативный (в ходе набора) пере­
ход от одного к другому возможен только,
основной режим, установленный
лем TONE-PULSE, - импульсный. Это вытека­
ет из построения схем абонентских комплектов
АТС (см. книгу «Телефонные сети и аппараты»).
Несколько особняком в ряду частотно-им­
пульсных ЭНН стоит микросхема 1008ВЖ19 с
параллельным 4-х разрядным вводом информа­
ции от микро ЭВМ (контроллера). Эта ИМС
Рабочий диапазон напряжения питания (U oo )
от 2,5 до 5,5 В, а максимальная рассеиваемая
мощность достигает 600 мВт, что обусловлено
ТТЛ - совместимостью ряда входных и выход­
ных цепей этой микросхемы. Цоколевка корпу­
са 1008ВЖ19 показана на рис. 3.12.
Прототипом ЭТОй микросхемы является ИМС
UM91531 фирмы UMC (Тайвань).
В режиме импульсного набора номера могут
быть запрограммированы два значения импуль­
сного коэффициента: 1,5 или 2,0 при одной и
той же частоте следования импульсов - 10 Гц.
Соответствие выходного сигнала входным дан­
ным при тональном и импульсном режимах
набора приведено в таблице 3.10.
Входные данные 00 ... 04 вводятся в микро
ЭВМ. ТТЛ-совместимыми являются выводы со
2-го по 8-й и 13-й, поскольку они связаны с
командами микро-ЭВМ и другими ИС.
Нагрузка выходной цепи двухтонального сиг­
нала набора должна быть не менее 2,2 кОм, и в
этих условиях на выходе в линию сигнал будет
если
находиться в требуемых пределах. Временные
переключате­ параметры импульсов набора - соотношение вре­
мен токовой и безтоковой посьшок (К = М/В)
могут выбираться из двух значений: 1,5 (в боль­
шинстве национальных стандартов стран СНГ)
или 2 (как это принято, например, в Великобри­
тании). Межцифровая пауза при импульсном
Таблица 3.10.

7 В 8 С
СИМВОЛ КнОПКИ

DO
О

О
1

1
2

О
3

1
4

О
5

1
6

О 1 О
9

1
*О
#

1
А

О 1 О
D

1
01 О О 1 1 О О 1 1 О О 1 1 О О 1 1
02 О О О О 1 1 1 1 О О О О 1 1 1 1
D3 О О О О О О О О 1 1 1 1 1 1 1 1
Сигнал на конт.
(',,, .'.)
15
',.f. ',.', ,,.t. ',/, '2", '2-'. '2/' '3/' '3-" '3/' '4"5 '4/' ',/. '2". '3/' '4.(.
Сигнал на КОНТ. 9 10 1 2 3 4 5 6 7 В 9 10 11 12 13 14
за-

(К-ВО имп.) прет

VDD Напр. пит. (+)

Подтв. выб. OTMF МООЕ
Загрузка LATCH 't'-
TONE BbIx.DTMF
Вых. подтвержд.
Выб. К ~ ~ АСК
Выб. режима TjP
00
a:I
со
СЕ
J Разрешение работы
Подключ.

[ <:) OSCI
Входы 01 <:) OSCO кварц. рез.

данных от контр. 02
....
О.
GNO Общий (-)
ОЗ ~ DР Выход имп. НН

Рис. 3.12. Цоколевка корпуса ИМС КР1008ВЖ19

26
 Микросхемы электронных номеронабирателей

наборе близка к 800 мс. При тональном способе Таблица 3.11.

набора длительности посылки и паузы между
Значение
посылками одинаковы и составляют 70 мс. Параметр
Сим· Вы· Приме·
воп воды чание
не менее небопее
Рабочий диапазон температур лежит в преде­
лах от -20 до 70 0 С, при этом сохраняется ста­ Период следования
т 11 99,5 100,5
бильность частот и временных интервалов сигна­ импульса, мс

лов набора номера. Импульсный

коэффициент К!В/М) 11 1,45 1,55
Следующей ИМС тонально-импульсного НН Межцифровая 11
lюр 690 700
рассмотрим микросхему 1008ВЖ27 (рис. 3.13.), пауза. МС (8.10)
производимую по КМОП-технологии АО «Анг­ Длительносгь
стрем» (г. Зеленоград, Россия) в нескольких ти­ двухтоналыюй tDTMF 7 80 100
автома-
mсьUJ<И, IVC
тический
пономиналах:
режим
ДпИТРЛЬНОСГЬ паузы
• КРI008ВЖ27- корпус DIP18; мэждуrю- СЫЛI<ЗАМ tютМF 7 80 120
набора

DTMF,MC
• КФI008ВЖ27 - корпус S020 (поверхностный
Отклонение частот
монтаж); Uоо =з'5В,
с;игнапа DTMF оТ О о1мр 7 - 0,6
R L =51<Dм
номинала, %
• КБlО08ВЖ27 - безкорпусная;
ДлитеЛЫ-ЮС7Ь
• ЛN7202 - корпус DIP18. програМ1Мруемой Iрр l1W1И7 2,2
-
паузЬ/, с
Емкость ОЗУ дЛЯ хранения последнего 'на­
бранного номера - 32 знака (включая и про­
граммируемые паузы между знаками). Длитель­
нуго на 1 по сравнению с изображенным; вывод 15
ность единичной паузы - 2,2 с. Используется
не используется, а назначение выводов 16 ... 20 сдви­
совместно с кварцевым или керамическим ре­
нуго на 2. Электрические и временные параметры
зонатором 3,58 МГц и стандартной тастатуроЙ.
1008ВЖ27 дЛЯ всех ТИПОНОминалов одинаковы и
Рассеиваемая мощность менее 500 мВт, а рабо­
полностью соответствуют требованиям ГОСТ 7153-
чий диапазон напряжения питания находится в
85 для номеронабирателей.
пределах 2... 5,5 В.
Укажем значения некоторых параметров для
Эта микросхема может при меняться как в
импульсного и тонального режимов набора при
телефонных схемах, так и в схемах факсаппара­
t=25"C, сведя их в табл. 3.11.
тов и других устройств, где требуется набор
номера. Прототип-микросхема UM91214jl5B Рабочий диапазон температур этой ИМС нахо­
дится в пределах от -20 до 70 С, а температура
0

фирмы UMC (Тайвань), которая выпускалась в

четырех типономиналах:
хранения может достишть значений от -40 до 125 0 с.
Одной из последних разработок ИМС им­
• UM91214/15A, корпус DIPI6;
пульсно-частотного ЭНН в СНГ стала микро-
• UM91214j15B, корпус DIPI8, есть индикация
,схема 1091ВЖl/2 фирмы <<Электроника» (г. Во­
режима;
ронеж, Россия). Она отличается от ранее
• UM91214jl5C, корпус DIPI8, управление спи­ рассмотренных несколькими особенностями:
керфоном;
• использование керамического резонатора с соб­
• UM91214/15D, корпус DIP20, управление спи­ ственной частотой 480 кГц, что существенно
керфоном и наличие индикации режима. упростило схему получения частотнь~ состав­

В модификации КФIО08ВЖ27, которая ис­ ляющих для набора в тональном режиме;

пользует корпус S020, назначение выводов 1... 5 • наличие встроенной памяти (РЗУ) на 1О номе­
совпадает с изображенным на рис. 3.13; вывод 6 ров до 16 знаков при импульсном наборе и до
не используется; назначение выводов 7... 14 сдви- 15 знаков при тональном.

НК
А4]
Вход РП
Выбор реж. MODE \N RЗ Строки
Подключ. OSC\ А2 тастатуры
кварц, рез. [ OSCO А1
Напр. пит. (-) Vss
Напр. пит. (+) VDD СЗJ
С2
Столбцы
тастатуры
Вых. DУМFРП TONES С1
Разг. кл. Х
MUTE DP Имп. ключа
Индик. реж. MODE OUT MASC Разг. ключ.

Рис. 3.13. Цоколевка корпуса ИМС КР1008ВЖ27

27
ГЛАВА 3 Краткий обзор микросхем элеКТРОННblХ ТА

Микросхема выпускается·по КМОП-техноло­ Таблица З. 12.

гии в трех типономиналах:
ЗН1iНeIIlЩ
КМI091ВЖl, корпус DIPI8, скорость набора в " СИМ- прнме-
парамвтр . вол
Выводы
ч;JJ>lйl1
импульсном режиме 10 импjс; lО91ВЖl 1091B)1(2

КСI09lВЖl, корпус CERDIPI8, остальное, как у

Период
предыдущего; следования Т 14(18) 100 100 или 50
импульmв,МС
КМI091ВЖ2, корпус DIP22, скорость набора в
импульсном режиме выбирается (10 или 20 импjс), Импульсный
K~/МI 14(18) 1,5 1,5или2,0
коэффициент, МС
запоминание номера при положенной микроте­
Межцифровая
лефонной трубке. пауза, мс
/ср 14(18) 800 500

Прототипы этих микросхем - UM91260A дЛЯ Длительносгь

КМI09lВЖl и UM91261 дЛЯ ВЖ2 - изделия фир­ двухтональной tDTMF 12(15) 110 110
ПОСblЛКИ, МС автомати-
мы UMC (Тайвань). Цоколевка корпуса ческий

КМ 109lВЖ2 приведена на рис. 3.14. Цоколевка Длительностъ режим

пауЗbl между набора
корпусов ... 91ВЖl отличается отсутствием выво­ посылками
tDrw: 12(15) 110 110
DTMF, мс
дов для установки скорости набора, второго раз­
говорного ключа, запоминания при положенной Отклонение частот
V
сиг-нала DTMF от дfDтМF 12(15) ±О,З ±О,З оо=З,5В
трубке и сигнала подтверждения нажатия кнопки. R,=5кOM
номинала, %
Режим питания одинаков для всех типономи­
Длительноcrь
налов. Напряжение питания должно быть в пре­ программируемой /рр
14,12
4,1
4,1
(18,15)
делах от 1,8 до 6 В, рассеиваемая мощность по­ паузы, с

рядка 500 мВт, а рабочая температура лежит в

пределах от до +70 с. Напряжение удержания За более подробной информацией отсылаем ин­
0

-20
памяти не менее 1,0 В. тересующихся к изданиям ДОДЭКА, Москва, где с

Временные параметры сигналов импульсного

1994 по 2000 годы в серии «Энциклопедия ремон­
та» вышло несколько справочников по микросхе­
и тонального режимов набора приведены в табл.
мам, в том числе и по ИМС дЛЯ телефонии.
3.12 для обеих, отличающихся модификаций.
На этом рассмотрение ИМС тонально-им­
Универсальные НН фирмы PHILIPS
пульсных номеронабирателей, которые произ­
водятся (или производились) на территории Свой обзор микросхем тонально-импульсных
СНГ завершается. Сейчас мы перейдем к рас­ номеронабирателеj1 зарубежного производства
смотрению таких же микросхем, которые про­
начнем с
фирмы изделий
PHILIPS
изводились (и производятся сейчас) крупней­ SEMICONDUcrORS, как наиболее мощного раз­
шими фирмами зарубежья. работчика и производителя. Первой рассмотрим
одну из ранних разработок ИМС тонально-им­
Принимая во внимание большое число про­
пульсного ЭНН из серии РСО3310. Серия имеет
изводителей, и во много раз большее число раз­
два основных разветвления, обозначаемых окон­
работанныхими ИМС тонально-импульсных
чаниями Р и Т, отличающихся корпусами:
ЭНН, мы остановимся более подробно только
на некоторых из них, но постараемся дать хотя
РСD3310/А/С/E/F/GЛI - все Р, корпус типа SOТl46,
бы краткий перечень некоторых микросхем это­ двадцати контактный ;
го назначения некоторых основных производи­ PCD3310/A/C/E/F/G - все Т, корпус типа S028 или
телей, приведя его в специальном Приложении. SOTI36A, двадцативосьмиконтактный.

С4]
г
Строки R2 С3
Столбцы тастатуры
тастатуры R1 N С2
R4 ~ С1
Вход РП НК са ОР Вых. ИК
'f"'"
Выбор К М/В MUTE ]
Выбор Т имп. DRS
cn
с) XMUTE Выходы разг. кл.

Выбор реж. Т/Р 'f"'" TONE Вых. DTMF

Подключ. [OSCI :Е ОНI 3апомин. при полож. МТТ
резонатора OSCO ~ КЕУ TONE Подтв. нажатия
Напр. пит. (+) Voo 12 Vss Напр. пит. (-)

Рис. 3.14. Цоколевка корпуса ИМС

КМ1091ВЖ2

28
 МикросхеМbI элеКТРОННblХ номеронабирателей

Uоколевка корпусов приведена на рис. 3.15, а и Назначение кнопок пятой строки тастатуры сле­
б соответственно для Р и Т окончаний. Литера «Х» дующее:

на рисунке может быть заменена любой из указан­

р - кнопка программирования и очистки памяти;
ных выше или опущена вообще.
FL - кнопка кратковременного программируемо-
Эта серия ИМС выполнена по КМОП-техно­ го отбоя;
логии и используется совместно с кварцевым или
R кнопка повтора последнего набранного номера;
керамическим резонатором с частотой
3,58 МГц. > кнопка перехода от импульсного к тонально­
му набору при смешанном способе набора.
Диапазон рабочего напряжения 2,5 ... 6,0 В, а
в режиме ожидания 1,8 В. Рабочая температура Необходимо отметить, что у всех микросхем этой
лежит в пределах от -25 до +70 С. Максимально
0
серии объем памяти для последнего набранного но­
допустимая рассеиваемая мощность не превы­ мера - ОЗУ - одинаков и составляет 23 знака.
шает 300 мВт. Сравнение основных функциональных возмож­
В режиме импульсного набора номера мо­ ностей ИМС серии РСО3310 приведено в табл. 3.13.
жет программно устанавливаться частота (пе­ Длительность кратковременного «отбоя»
риод) следования импульсов - 10 или 20 Гц; (Flash) у всех ИМС этой серии одинакова и со­
импульсный коэффициент (отношение tB/t M или ставляет 100 мс. Эта длительность может быть
В/М) - 1,5 или 2; длительность межсерийной аппаратно увеличена подключением к контакту
(межцифровой) паузы - 840 или 500 мс. В FLO микросхемы соответствующей RC цепочки.
режиме тонального набора почти у всех ИМС
В конце этого обзора укажем, что микросхе­
этой серии длительности частотной посылки и
мы серии РСО331 О предъявляют достатечно же­
паузы между посылками одинаковы и состав­
сткие требования к контактному сопротивлению
ляют 70 мс. Максимальное ·отклонение частот
кнопок тастатуры. Контактное сопротивление
от номинального значения не превышает 0,25%
нажатой кнопки не должно превышать значения
для частот нижней группы и 0,45% для частот
2 кОм, а сопротивление ненажатой - должно
верхней группы. Уровни нижней и верхней
быть не менее 1 МОм.
группы отличаются на 2 дБ при выходном со­
противлении в пределах 100 ... 500 Ом. Микро­ В «большой» серии РСОЗ3хх есть еще не­
схемы этой серии работают стастатурой 4х5, сколько ИМС, в составе которых имеется гене­
организация которой показана на рис. 3.16. ратор для организации частотного набора но-

Подкл. КВ. рез. _ _OSCI OSCO Подкл. КВ. рез.

Выб. реж. РО/ОТ MF VDD Напр. ПИТ. (+)
Вых. ТОн. наб. TONE З СЕ Разреш. работы
напр. ПИТ. (-) Vss М1 Вых. разгов. ключа
Уст. ДЛИТ. кр. отб. FLD DP/FLO Вых. имп. кл.
А5 CF/DMODE/FS Выб. параметров набора

СТРОКИ тастатуры

[ А4
RЗ
А2
А1
7 С4
СЗ
С2
С1 J
Столбцы
тастатуры

Подкл. КВ. реЗ. _ _ОSСI osco Подкл. КВ. рез.

Выб. реж. PDjDT MF V DD Напр. ПИТ. (+)
Вых. тон. наб. TONE СЕ Разреш. работы
Н.И. Н.И.

Напр. ПИТ. (-) Vss

Н.И.
Н.И. 7
4
М1
М1
М2
J Выходы разговорных ключей
С1 С2 С3 С4

Уст. ДЛИТ. кр. отб. FLD 1 DPjFLO Вых. имп. кл. I I I I

СТРОКИ
тастатуры
[ А5
А4
CFjDMODE/FS Выб. параметров набора
С4 Столб. тастатуры
А1 - 1 2 3 А

Н,И,
А2 - 4 5 6 В

Строки [ RЗ СЗ RЗ - 7 8 9 С
тастатуры А2
А1
С2
С1 J Столбцы
тастатуры А4

А5
- *
-
о # D
Р FL R >
б

Рис. 3. 15. Цоколевка корпуса ИМС: Рис. 3.16. Организация

а) SOT146 дЛЯ РСDЗЗ 1ОХР; тастатурЬ! при использовании

б) S028( SOT1 З6А) дЛЯ РСDЗЗ 10Хт. микросхеМbI РСDЗЗ 1О

29
ГЛАВА 3 Краткий обзор микросхем элеКТРОННblХ ТА

мера. Как правило, это микросхемы контролле­ то спектр выходных сигналов тональных частот

ров ЭТА, используемые для управления в схемах значительно шире и более насыщен составляю­
более сложных аппаратов. В частности, к ним щими чем в обычных генераторах, рассмотрен­
относятся ИМС РСО3344, РСО3347, РСО3349, ных ранее. На рис. 3.17, а, б, в показана ЦОКО­
которые также как и серия PCD3310 имеют мо­ левка корпусов этих микросхем.

дификации Р и Т, отличаюшиеся только конст­

Выбор порта дЛЯ РСО3311С осуществляется
рукцией корпусов. В этом случае управление на­
заданием соответствующего потенциала на кон­
бором номера производится по общей шине такт МООЕ (3). Если задана «1» (высокий уро­
контроллера.
вень), то выбран параллельный порт, если «о», то
Поскольку в этой же серии есть модификации последовательный. Режим выходного тонального
контроллеров без встроенного генератора DTMF сигнала для этих ИМС (РСО3311С и 12) задается
сигналов (например, РСО3346), то были разра­ состоянием О4 и О5, как показано в табл. 3.14.
ботаны и выпускались серийно микросхемы ге­
Микросхемы используются совместно с квар­
нераторов многотоновых сигналов, в Т.ч. и DTMF. цевым (или керамическим) резонатором с соб­
Эти ИМС используются при разработке схем ственной частотой 3579545 Гц (3,58 МГц), при
телефонных аппаратов, модемов и факсаппара­ этом «музыкальный» набор частот построен на
тов, где требуются сигналы такого типа. основном тоне близким к 440 Гц (нота «ля»
Рассмотрим две микросхемы такой конфи­ первой октавы) и содержит 2 октавы с полуто­
новым шагом.
гурации, принадлежащие этой же «большой»
серии РСОЗ3хх - PCD3311C и PCD3312. Пер­ Соответствие данных на входе порта и вы­
вая выпускается в двух модификациях - СР в ходного тонального сигнала для частотного на­
четырнадцати контактном корпусе SOT27 и СТ бора приведено в табл. 3.15., а такое же
в шестнадцатиконтактном корпусе SOI6L. соответствие для частот модема (версий реко­

Вторая также имеет два типономинала Р и Т, мендаций IТU) в табл. 3.16.

но в обоих случаях используется 8-контактный Как уже указывалось выше, ряд «музыкаль­
корпус. Обе эти микросхемы работают под уп­ ных» частот содержит 2 октавы, начинаясь с
равлением контроллера по общей шине, причем частоты 622,3 Гц (нота «ре диез» второй окта­
РСО3311 может работать как с последователь­ вы) и оканчиваясь частотой 2489 Гц (нота «ре
ным портом ввода данных, так и с параллель­ диез» четвертой октавы). Как правило этот ряд
ным, а РСО3312 - только с последовательным. частот используется для формирования много­
Формат данных в обоих случаях 8-битный, при­ частотного акустического сигнала вызова и «му­
чем первые два бита (7 и 6) безразличного со­ зыкальной» вставки при электронном удержа­
стояния. Диапазон рабочих напряжений для обе­ нии линии - режим «music-on- HOLD».
их ИМС одинаков: 2,5 ... 6,0 В. Также одинаков
Эти микросхемы работают под управлением
диапазон рабочих температур: минус 25 ... +70 с.
0

телефонного микроконтроллера в схемах слож­

Максимальная рассеиваемая мощность не ных ЭТА разработки конца 80-х и начала 90-х гг.
должна превышать величины 300 мВт. Характе­ Продолжает ряд микросхем импульсно-частот­
ристики сигнала DTMF стандартные по часто­
ных НН серия PCD44xx, в составе которой почти
те и по уровню, а длительность посылки и па­
десяток ИМС этого назначения. Поскольку ос­
узы задаются программно контроллером.
новные электрические параметры этой серии пол­
Поскольку эти ИМС используются не толь­ ностью совпадают с данными серии PCD3310, то
ко для выработки сигналов тонального набора, мы ограничимся только кратким описанием. Все

Таблица 3.13.

Скорость Межцифровая пауза Дпителыюcrь тон. Кlюпки таcrатуры,используемые для

Микросхема ИМПУЛЬСzIОro К(В/М) ИМПУЛЬalОro ПОСblЛки и пf1yзы перехода отимп. ктон. набору
набора, импjc набора, мс при тон. наборе, мс (последовательноcrь нажатия)

РСОЗЗ10 PfГ 10 2 840 70/10 '#А. О", >2)

РСОЗЗ10А PfГ 10 1,5 840 70/10 '# ... 0", >2'
РСОЗЗ10С PfГ 10 2 840 70/10 '#А .. О", >2'
РСОЗЗ10Е PfГ 10(20 2 840 70/10 '#А. О", >2'
РСОЗЗ10F pfГ 10 2 840 60/90 '#А О1), >2'
РСОЗЗ10G PfГ 10 2 840 70/10 А .. О", >"'#2)

РСОЗЗ10Н Р 10 2 840 70/10 '#А .. О", >2'

1) с тональным подтверждением нажатия кнопки;

2) без тонального подтверждения.

за
 Микросхемы электронных номеронабирателей

ТаблицаЗ.14. Таблица З.16.

05 1 1 1 1 1 1
Вид сиrнала нввЫХОД8 ТОНЕ Состояние D4 Состояние 05
D4 О О О О О О

DЗ О О 1 1 1 1
Qцночастотный OTMF
О О
"музыкальный' набор частот 02 1 1 О О 1 1
01 О О О О О О
Двухчастотный OTMF 1 О
DO О 1 О 1 О 1
Модемный и 'музыкальный"наборы Частота сигна ла на
О 1 1300 2100 980 1180 1650 1850
частот вь/ходэ, Гц

Рекомендации 'ТU
V 23 V 21 V.21
"МузыкаЛЬНblЙ" набор частот 1 1 (МСЭ· т)

Примечание: ОТЮlОнение чаcror от номинала не превьnuaет 0,4%.

Таблица З.15.

Символ тастатуры О 1 2 3 4 5 6 7 8 9 А В С D
* #

05 О О О О О О О О О О О О О О О О
Д
D4 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
а

н
03 О О О О О О О О 1 1 1 1 1 1 1 1
н О О
О2 О О 1 1 1 1 О О О О 1 1 1 1
ы
01 О О 1 1 О О 1 1 О О 1 1 О О 1 1
е

00 О 1 О 1 О 1 О 1 О 1 О 1 О 1 О 1

Частоты СИfНала на 941 697 697 697 770 770 770 852 852 852 697 770 852 941 941 941
выходэ, Гц 1336 1209 1336 1477 1209 1336 1477 1209 1336 1477 1633 1633 1633 16З3 1209 1477

Примечание: отклонение частот от номинала не превышает ± 0,25% для нижней группы и ± 0,45% для
верхней.

Подключ. OSCI VDD Напр. пит. (-)

кварц·рез. [ OSCO Vss Напр. пит. (+)
Выб. порта МООЕ

Вых. тон. сиг.

05*
STROBE
TONE
~
01/S0A
] См ниже*
Адрес последовательного порта Ао DO/SCL

Подключ OSCI VDD Напр. пит. (-)

кварц. рез.

Выб. порта
[ OSCO =;;=
МООЕ
... t... Vss
04'
Напр. пит. (+)

05*
Н.И.
==
==
...
(')
Н.И .

STROBE
? (')
Q ОЗ
02 ] См. ниже*
Вых тон. сиг. TONE
i=? CJ 01/S0A
Адрес последовательного порта Ао
1-1:- а. ..J, OO/SCL
-'

б *) DO ••• D5 - шина данных

паралл. порта

Напр пит (-) Vss SOA Данные посл порта

Напр. пит. (+) VDD SCL Такт. част. поел. порта
Подключ OSCI Ао Адрес последовательного порта
кварц рез. [ OSCO TONE Вых тон. сиг

Рис. з. 17. Цоколевка корпусов ИМС

а) РСО ЗЗ11СР;
б) РСО ЗЗ11СТ;
В) РСО ЗЗ12С.

31
ГЛАВА 3 Краткий обзор микросхем электронных ТА

ИМС РСО44хх имеют ОЗУ на 23 знака, незави­ Таблица З. 17.

симо от типа набора, и работают совместно с
Дn"reЛЬНОСТl> Длиren~ffWТЪ
кварцевым резонатором задающего генератора с К-ВО КОН- Тип СИМJ~ и nfЖ3Ы ме:«ЦJ«fJpCU(JЙ
M"KpQCXeMi1
частотой 3,58 МГц (3579545 Гц). Организация Пi'КТО/$ корпуса nf>t 'fоJ!ЭЛЬНйМ n8)fIJblnf>t I'!МJ.
набоfX!. мс набсрв,МС
тастатуры для этих ИМС - 3х5 показана на рис.
РСD4410 18 50Т 102 70 и 140
3. 18 для микросхемы РСО4415АР/АТ, как для 500
50Т
наиболее развитой. РСD4413 18 102 65 840
РСD4413А 18 50Т 102 65 840
При использовании РСО4410Л3Л3А в такой
РСD4415Р 18 50Т 102 70
тастатуре отсутствуют кнопки с символами «»> И 840

«R/AP». Кнопка «*» используется для оператив­ РСD4415Т 20 5020 70 840

ного перехода от импульсного набора к тональ­ РСD4415АР 18 50Т 102 70 840
ному, а кнопка «#» для повтора последнего на­ PCD4415AT 20 5020 70 840
бранного номера и введения паузы между знаками
номера. При использовании ИМС РСО4415/15А собственных колебаний. В качестве ИМС частотно­
кнопка с символом «»> дублирует кнопку «*», а го номеронабирателя рассмотрим микросхему
кнопка «R/AP» - кнопку «#». Требования к кон­ РСО4421Р/Т, которая может работать совместно
тактному сопротивлению кнопок тастатуры такие как с кварцевым резонатором на 3,58 МГц, так и с
же, как и дЛЯ РСО331 О: нажатая кнопка - не керамическим на 447 кГц.
более 2 кОм, не нажатая - не менее 1 МОм.
Как и ранее, окончания Р и Т указывают на тип
Рабочее напряжение должно быть в пределах
корпуса микросхемы: Р - корпус типа S020
2,5 ... 6,0 В (1,8 ... 6,0 В в состоянии ожидания), (SOT163A), 20-ти контактный. В последнем случае
диапазон рабочих температур от -25 дО +70"С, а
контакты 6 и 13 не используются. Поэтому на рис.
предельно допустимая рассеиваемая мощность не
3.20 показана цоколевка только корпуса РСО4421Р.
должна превышать 300 мВт.
Электрические параметры этих микросхем
Частота следования импульсов при импульсном
почти идентичны предыдущим, кроме пони­
наборе 10 ± 0,4 Гц дЛЯ РСО4410, для остальных
женного до 1,6 В минимального напряжения
ИМС этой серии - 10~b? Гц. Отклонение частот питания в режиме ожидания вызова. Также
сигналов тонального набора от номинала не более стандартными являются:
0,25% для нижней группы и не более 0,4% для
верхней. Разность уровней нижней и верхней групп • диапазон рабочих температур;
частот не превышает 2,1 дБ при выходном сопро­ • разность уровней сигналов верхней и нижней
тивлении !ZBblx! =1,1 ...0,5lJKOM. Отличия внутри этой группы частот;

серии показаны в табл. 3. 17. • контактное сопротивление кнопок;

На рис. 3.19 показана цоколевка корпуса • модуль выходного сопротивления;
РСО4415АТ, так как эта ИМС, как это уже
отмечалось ранее, является наиболее развитой
• максимальная рассеиваемая мощность.

в рассматриваемой серии. ИМС этого типа работает стастатурой 4х5 со

стандартной символикой первых 4-х строк. Пятая
Как указывал ось в начале этого раздела в ка­
строка состоит только из кнопок специальных
честве частотозадающего элемента в генераторах
функций в следующем порядке (по столбцам):
ЭНН могут применяться не только кварцевые
или керамические (пъезоэлектрические) резона­ АР-введение дополнительной межцифровой па­
торы на частоту 3,58 МГц, но и керамические узы при наборе длительностью 2 с;
резонаторы на значительно более низкую частоту FL - кратковременный отбой, длительность 100 мс;

С1 С2 СЗ
Подкл. кв. рез. OSCI OSCO Подкл. кв. рез.
Выб. реж. наб. PD/DT MF VDD Напр. пит. (+)
А1 2 З

А2 4 5 6
Вых. сигн. DTMF
Напр. пит. (-)
TONE
Vss ~
tn
СЕ
М1
Разреш. работы
Разгов. ключ
Выб. прогр. пауз. IAP ,.. М2 Блок. микроф.
RЗ ~
А5
7 8 9 DP/FLO] Вых. сигн. имп. наб.
[ А4 ~ DP/FLO и кратк. отб.
*
А4

А5 >
О

FL
#
%
Строки тастатуры RЗ
А2
А1
а
(,)
а.
СЗ
С2
С1
J Столбцы тастатуры

Рис. 3.18. Организация

тастатуры при использовании

микросхемы PCD4415APjAT Рис. 3.19. Цоколевка корпуса ИМС РСD4415АТ

32
 Микросхемы электронных номеронабирателей

R- повтор последнего набранного номера; На этом обзор ИМС тонально-импульсных

DI - отбой без укладывания микротелефона. НН производства PHILIPS Semiconductors мы
закончим, а возможно полный перечень этих
Так как основным отличием этой ИМС от
микросхем будет приведен в конце настоящего
ранее описанных является возможность приме­
издания.
нения резонатора с более низкой частотой соб­
ственных колебаний, то возникает естественный
интерес к тому, как это повлияло на «качество»
Универсальные НН фирмы SAМSUNG
основного «продукта», вырабатываемого микро­
схемой - отклонение частот сигнала DTMF от Сейчас мы перейдем к обзору следующего по
номинальных значений. Величины tlf и tlf/f в значению разработчика и производителя аналогич­
абсолютных значениях приведены в табл. 3.18 ных чипов - SAМSUNG SEМICONDUcrOR INC.
для резонаторов обоих типов. Обзор начнем с простейшей микросхемы то­
Анализируя приведенные выше результаты нального НН, использовавшегося при разра­
видим, что использование низкочастотного ке­ ботке схем «стандартных» ЭТА в конце 70-х. В
рамического резонатора не ухудшило основной то время для разных способов набора номера
показатель сигнала DTMF. Следует указать, что использовались отдельные микросхемы. Одной
значения tlf/f для этого резонатора имеют более из них была ИМС типа KS5809/10jl1. Рабочий
«симметричный» вид, а абсолютные отклонения диапазон напряжений телефонных микросхем
от номинала меньший разброс. Основным же этой фирмы несколько отличается от величин,
преимушеством использования такого резонато­ которые мы указывали дЛЯ ИМС фирмы
ра (кроме его стоимости) является некоторое PHILIPS, и находится в пределах от 2,0 до 5,5
упрошение схем подавления радиопомех, воз­ В, а напряжение в состоянии ожидания вызова
никаюших при работе генератора, за счет резко­ намного ниже, чем у описанных ранее значе­

го (в 8 раз) уменьшения основной частоты. ний, и равно 1,0 В.

В этой серии есть еше один чип такого же
назначения, который так же используется с низ­
кочастотным резонатором: РСО44210Р(Г (корпу­
сасоответственно: SOT38 - 16 контактов
также 16 контактов), отличающийся от описанно­
го применением стандартной тастатуры 4х4.
Так же как и описанные ранее ИМ С, эта
(КS5809) построена по КМОП-технологии и вы­
пускалась в корпусе типа DIP16. Ее цоколевка
и S016L, приведена на рис. 3.21. Микросхема работает со­
вместно с кварцевым резонатором 3,58 МГц, вы­
рабатывая стандартный набор частот DTMF и ис-

Таблица 3.18.
Стандартное
Кварц fc = 3579545 Гц Керамика,fс "" 447 кГц
ЗН<1чение
Группа
частот Откл. от Частота на ОтКЛ. от Orношение дf/f,
Частота, Частота на Отношение
Nef номинала Bыxqцe ИМС, номинала 11(, %
Гц выходе, Гц l1f/fJ %
М, Гц Гц Гц

'1 697 697,0 0,0.. <0,01 696,3 -0,7 -0,11

f2 770 768,8 -1,2 -0,16 768,0 -2,0 -0,25
Нижняя
fЗ 852 850,7 -1,3 -0,16 849,8 -2,2 -0,26
'4 941 944,0 3,0 0,32 943,0 2,0 0,22
'5 1209 1209,3 0,3 0,03 1208,1 -0,9 -0,07
f6 1336 1339,7 3,7 0,27 1338,3 2,3 о, 17
Верхняя
f7 1477 1481,6 4,6 0,31 1480,1 3,1 0,21
'8 1633 1633,0 0,0.. <0,01 1631,4 1,6 -0,10

Напр. пит. (+) V DD TONE Вых. СИГН DTMF

Разр. работы СЕ FLO Вых. кратк. отоб.
[ С1 А1 ]
Столбцы тастатуры С2 А2
СТРОКИ тастатуры
СЗ RЗ
Выб. резонат. OSCS А4
Напр. пит. (-) Vss М1 Разгов. ключ (MUTE)
[ OSCI А5 Строка тастатуры
Подключ. резонат. OSCO
С4 Столбец тастатуры

Рис. 3.20. Цоколевка корпуса ИМС РСD4421 Р

зз
ГЛАВА 3 Краткий обзор микросхем электронных ТА

пользуется стастатурой 4х4. Однако следует ука­ бильности по частоте I{ уровням идентичными
зать, что при использовании этой и других ИМС описанным для предыдущей имс. Цоколевка
ф. SAМSUNG отклонение значений частот сигна­ корпуса DIP18 дЛЯ KS58006 приводится на рис.
ла DTMF на выходе почти вдвое превышает ана­ 3.22. В корпусе S020 не задействованы контак­
логичный параметр микросхем PHILIPS и состав­ ты 12 и 13, поэтому назначение выводов с 1 по
ляет не более 0,6% для частот нижней группы и не 11 совпадает с изображенным, а контактов
более 0,8% для верхней группы частот. 14 ... 20 сдвинуто на 2.
Но эти величины все-таки значительно ниже Кроме описанной ИМС в этой серии
допуска на этот параметр ГОСТ 7153-85, кото­ (KS580 ... ) есть еше целый ряд микросхем ана­
рый равен ±1,8%. Также нужно отметить, что логичного назначения:

разность уровней нижней и верхней групп частот

КS58OO8 - полный аналог описанной, корпус DIP-18;
у микросхем SAMSUNG может достигать 3 дБ,
КS58010-добавлено управление громкой связью-
хотя среднее значение такое же, как у ИМС
спикерфон, DIP- 20;
PHILIPS составляет 2 дЕ.
КS58012/13-управление спикерфоном и добавле­
Следующей рассмотрим ИМС импульсно-час­
на функция электронного удержания линии -
тотного НН типа КS58006ID, которая выпуска­
HOLD, корпус DIP-22;
лась в нескольких типономиналах:
КS58014-спикерфон и сигнал подтверждения на­
KS58006 ] корпус DIPI8;
жатия кнопки, корпус DIP-22;
KS68503N
КS58015ID - формирователь сигналов частотного
KS58006D] корпус S020 - планарный монтаж. набора и однотонных тональных сигналов под
KS68503D управлением контроллера по 4-х битной шине

В составе микросхемы имеется ОЗУ емкос­ (DO ... D3) данных, корпуса DIP14 (KS58015) и
тью 32 знака для запоминания последнего на­ SO-14(KS580 15О).
бранного номера. Режим питания стандартный: Серия KS585 ... начинается микросхемой
от 2,0 до 5,5 В при максимально допустимой KS58500, отличающейся от ИМС предыдущей се­
рассеиваемой мощности 500 мВт. Диапазон ра­ рии только возможностью выбора импульсного
бочих температур от -20 дО 70 С. Длительность
0

коэффициента при импульсном наборе. Осталь­

программируемой межцифровой паузы поряд­ ные ИМС этой серии представляют собой ЭНН
ка 3,5 с. Пауза занимает в ОЗУ объем памяти со встроенной памятью (ОЗУ): от 768 бит (после­
равный одному знаку (4 бита). Чип работает дний набранный номер 32 знака и 10 номеров по
совместно с кварцевым или керамическим ре­ 16 знаков программируются) до 1408 бит (повтор
зонатором с частотой 3,58 мгц и вырабатывает 32 знака и 20 номеров по 16 знаков в программи­
стандартный набор частот с параметрами ста- руемой памяти).

Напр. пит. (-) V DD TON OUT Вых. сигн. DTMF

Инициал. наб. ТО STI Вх. перекл. реж.

Столбцы тастатуры
С1
С2
[
СЗ
А1
А2
RЗ
J Строки тастатуры

Напр. пит. (+) Vss А4

OSCI XMUTE Разг. КЛЮч
Подключ. кварц. рез. [ OSCO С4 Столбец тастатуры

Рис. 3.21. Цоколевка корпуса ИМС KS5809/10/11

С< J
г
А2 СЗ Столбцы
СТРОКИ
тастатуры
RЗ со С2 тастатуры
А4 О С1
Вход РП HS О ОР Вых. имп. ключа
со
Выбор соотнош. М/В It) Х MUTE Вых. разг. ключ.
Выбор реж. наб. MDS сп TONE OUT Вых. сигн. DTMF
[ OSC1 ~ Vss Напр. ПИТ. (-)
Подключ. резонатора OSCO VDD Напр. ПИТ. (+)

Рис. 3.22. Цоколевка корпуса DIP для ИМС КS58006/6850ЗN

34
 Микросхемы электронных номеронабирателей

Более подробно рассмотрим микросхему КS58512N/14N - корпус DIP18, ОЗУ на 10 шест­

KS58531DjN, выпускавшуюся в шести типоно­ надцатизначных номеров;

миналах: ... 31D, ... 35D, ... 36D, ... 31N, ... 35N и KS58517N - корпус DIP20, память на 10 номеров
... 36N. Все ИМС с окончанием D выпускались по 16 знаков, управление спикерфоном, функ­
в корпусах S028, а с окончанием N - в DIP28.
ция электронного удержания линии - «hold»;
Эта микросхема обеспечивает при стандарт­
КS58522N/23N - корпус DIP20, память на 14 но­
ном дЛЯ ИМС SAMSUNG питании (VDD = меров;
= 2,0 ... 5,5 В) следуюшие возможности:
KS58525E/26E/27E/30E - корпус PIP20, память
• формирование стандартных сигналов тонально­ на 14 номеров, управление спикерфоном.
го набора номера, с соотношением дЛительнос­
Все эти микросхемы имеют одинаковое зна­
тей «сигнал/пауза» не менее чем 100/100 мс;
чение предельно допустимой рассеиваемой
• выбор импульсного коэффициента (М/В) при мошности не более 500 мВт, что присуше ИМС
импульсном способе набора номера (2 или 1,5); КМОП технологии. У них один и тот же диа­
пазон рабочих температур от -20 дО +70 С и
0

• формирование сигнала подтверждения нажатия

кнопки; стандартные для изделий фирмы SAMSUNG
показатели стабильности частот сигнала DТМF.
• индикация режима набора;
На этом обзор ИМС импульсно-частотных
• управление внутренней памятью;
ЭНН фирмы SAМSUNG мы завершаем. За более
• хранение и повторное (многократное) воспроиз­
полной информацией интересующиеся могут
ведение последнего набранного номера с коли­
обратиться к уже упомянутым нами справоч­
чеством знаков до 32, в том числе и пр.ограмми­ ным изданиям «Додэка» (Москва).
руемых пауз (дЛительность единичной паузы
порядка 3,5 с);
Универсальные НН фирмы UMC (Taiwan)
• запись в память и вызов из памяти 20 номеров
с количеством знаков до 16; Следующими в нашем обзоре идут ИМС
этого же назначения производства фирмы UMC
• управление спикерфоном.
(Taiwan).
Данная микросхема работает совместно с
кварцевым резонатором 3,58 МГц и мошной Вначале остановимся на общих дЛя всех ИМС
тастатурой (5х8), большинство кнопок которой этой фирмы характеристиках. Напряжение пи­
предназначено для управления специальными
тания микросхем импульсно-частотных номеро­

функциями - спикерфон, hold и рядом других.
На рис. 3.23 представлена цоколевка корпу­
са S028 микросхемы KS58531D/35D/36D.
Назначение контактов корпуса DIP28 дЛЯ
набирателей фирмы UMC лежит в пределах от
2,0 до 5,5 В. Напряжение сохранения памяти
такое же, как у ИМС SAMSUNG, 1,0 В. Диапа­
зон рабочих температур стандартный: от -20 до
+70 с. Максимально допустимая рассеиваемая
0

микросхем KS5853N/35N/36N полностью совпа­ мощность не более 500 МВт. Все микросхемы
дает с изображенным на рисунке. этого назначения выполнены по КМОП техно­
В составе серии KS585xx, кроме описанных логии. В отличие от других фирм UMC не вы­
ИМС, есть еше несколько микросхем, отличия пускала (насколько нам известно) микросхем
которых заключаются в следующем: ЭНН в корпусах для планарного монтажа, а толь-

Столбец тает. С8 С7
Вых. еигн. реж. ON/OFF а С6

Г
со С5 Столбцы
R2 (w) тастатуры
С4
........
Строки RЗ СЗ
а
тастатуры R4 Il) С2
R5 (w)
С1
Сигн. снятия МТТ HS ........ Вых. имп. ключа
а DP
Выб. имп.коэфф. М/В ,.... MUTE ] Вых. р_азг.
Вых.индикации реж. набора MDO (w) XMUTE ключеи

Выб. режима наб. MDS

Il)
TON OUT ВЫХ.еигн. DTMF
сх)
Подкл. кварц. [OSC1 Il) STORE Управл. памятью
резонатора OSCO CI) ЮТ Вых. СИГН.ПОДТ.наж.
Напр. пит. (+) VDD ~ Vss Напр. пит. (о)

Рис. 3.23. Цоколевка корпуса 5028 ИМС К55853 1О

35
ГЛАВА 3 Краткий обзор микросхем электронных ТА

ко в корпусах DIP с различным количеством кон­ Более подробно рассмотрим серию микросхем
тактов. Еще одной особенностью этих ИМС явля­ UM91214/15, состоящую из восьми типономина­
ется совместное использование с керамическим лов:

резонатором ф. Murata на частоту 3,579 МГц. UM91214/15A - корпус DIP16, импульсно-тональ­

Значительное число микросхем ЭНН ф. UMC ный номеронабиратель;
работает с не стандартной тастатурой 4х4, органи­
UМ91214/15B - корпус DIP18, ЭНН с индикаци­
зация которой показана на рис. 3.24, а ИМС более
ей режима набора и сигналом подтверждения
сложные (с памятью на 20 номеров) могут ис­
нажатия кнопки;
пользовать тастатуры типа 5х8, как аналогичные
микросхемы SAMSUNG. У всех ЭНН ф. UMC UМ91214/15C - корпус DIP18, ЭНН с управле­
емкость памяти последнего набранного номера со­ нием спикерфоном;
ставляет 32 знака при импульсном способе набора UМ91214/15D - корпус DIP20, ЭНН с индикацией
и 31 знак - при тональном. Программируемая режима набора, сигналом подтверждения на­
пауза занимает в памяти место одного десятичного
жатия кнопки и управлением спикерфоном.
знака (4 бита) и имеет единичную длительность
Все перечисленные ИМС работают с показанной
2,2 с.
на рис. 3.24 тастатурой и отличаются тем, что при
Нагрузочное сопротивление вЫХОДной цепи импульсном наборе микросхемы ... 14/A/В/C/D, име­
сигнала DTMF составляет величину порядка ют импульсный коэффиuиент (В/М) равный 2, а
5 кОм, а разность уровней частот верхней и частота следования импульсов может быть 10 или 20
нижней групп не превышает 2,5 дБ. Одновре­ Гц, а микросхемы ... 15/A/В/C/D при частоте следова­
менно следует отметить, что использование ке­ ния импульсов 1О Гц могут обеспечивать два значе­
рамического, а не кварцевого резонатора не ния В/М: 2 или 1,5. На рис. 3.25 показана цоколевка
ухудшило стабильности сигналов DTMF по ча­ корпуса DIP20 для ИМС UMC91215D, как наиболее
стоте. Отклонение частот от номинальных зна­ развитой в этой серии
чений для нижней группы не более 0,3%, а для и наиболее соответствующей требованиям норма­
верхней - не более 0,6%. тивных документов, действующих в СНГ. Серия

- 1 2 3 F1 кратковр. отбой (FLASH)

- 4 5 6 F2 гарантированный отбой

- 7 8 9 Р программируемая пауза

- io/T О # АО повтор поел. набр. номера

I I I..L
С1 С2 сз

Рис. 3.24. Организация тастатуры

Рис. 3.26. Упрощенная

Вых. упр. спикер. HFCO HFCI Вх. упр. спикер. структурная схема UМ913148

:111 JСтроки тастатуры

Вход РП IN НК
Вх. выб. реж. MODE IN
Подключ. кварцевого [OSC1 R2
резонатора OSCO
Общий (корпус)
Напряжение питания
Вых. сигн. DTMF TONE OUT
GND
Vee g J Столбцы таетатуры
С1
Вых. разг. ключа DT OUT DPO Вых. имп. ключа
Вх. выб. реж. МООЕ OUT КТО Вых. сигн. подт. наж.

Рис. 3.25. Цоколевка корпуса ИМС UМ91215D

36
 Микросхемы электронных номеронабирателей

UM91234/35/36/37 полностью, вплоть до цоколев­ Как видно из рис.3.27, цоколевка корпуса

КИ, повторяет описанную, а в серии UM91314/15/ DIP28 UM91273 во многих позициях совпадает
16/17 добавлена функция однокнопочного набора с цоколевкой ИМС Ф.SАМSUNG KS58531D,
номера. Емкость памяти ИМС этой сериисоставля­ близкого к описываемой назначения.
ет 3 номера по 16 знаков каждый. Вообще у ИМС этих двух фирм есть много
Упрощенная структурная схема ИМС общего. Поэтому можно встретить модели элек­
UM91314B приведена на рис. 3.26. Модифика­ тронных ТА, где такие микросхемы используют­
цИЯ А, В, С и D в обеих упомянутых выше ся совместно.

сериях имеют такие же отличия, как у UM91214A Среди микросхем ф. UMC, формирующих
и UM91214D. Среди импульсно-тональных ЭНН сигналы частотного набора номера, есть и та­
ф. UMC есть и ИМС такого назначения, рабо­ кие, что обеспечивают только частотный на­
таюшие под управлением контроллера и осуще­
бор - UM95088 в корпусе DIP14, рабочее на­
ствляемого двоичным кодом по последователь­
пряжение в пределах 1,8 ... 5,5 В, стандартная
ному и параллельному интерфейсу. Эти ИМС тастатура 3х4, и такие, что обеспечивают пол­
обычно используются в схемах модемов и факс­ ный набор функций современного ЭТА. Это
аппаратов, т.к. напряжение питания у них дос­
гибридные микросхемы сверхбольшой степени
таточно высоко. Так, у микросхемы UM91260C интеграции - СБИС - с количеством контак­
диапазон рабочих напряжений лежит в пределах тов до 80 и управлением многоразрядным (до
6... 12 В, а максимально допустимая мошность 16) жидкокристаллическим дисплеем - жки.
рассеивания почти в полтора раза выше, чем у
Приведем краткое описание одной из таких
описанных ранее. Еше одной особенностью этой
микросхем - UM93403-01. Микросхема в пла­
ИМС есть то, что сигнал DTMF формируется
стмассовом корпусе типа PLCC80, рабочее на­
вне самого ЭНН отдельной микросхемой.
пряжение в пределах 2,5 ... 5,5 В, емкость ОЗУ 4
В отличие от сказанного, ИМС UM91531 кбита, емкость программируемой памяти 40
(параллельный интерфейс) работает в обычном кбит, встроенный будильник с многотональным
диапазоне рабочих напряжений (2,5 ... 5,5 В) и акустическим сигналом. Встроенный детектор
имеет в своем составе встроенный генератор вызова и формирователь многотонального аку­
сигналов DTMF. Корпус типа DIPI6. стического сигнала вызова, отличного от бу­
Наиболее сложной ИМС ЭНН этой фирмы дильника.

является UM91273, обладаюшая, кроме описан­ Поскольку эта ИМС имеет большой объем
ных для предыдущих микросхем функций, еще памяти и полный набор сервисных функций
и функцией электронного удержания - «hold», ЭТА, то встроенный контроллер имеет собствен­
и памятью на 20 восемнадцатизначных номе­ ный генератор для формирования тактовой ча­
ров. Микросхема выпускается в корпусе типа стоты.
DIP28 и относится к классу наиболее эконо­
Таким образом, совместно с микросхемой
мичных. Диапазон рабочих напряжений 1,8 ... 3,5
используются два кварцевых резонатора:
В, а рассеиваемая мощность не превышает 350
мВт. ИМС работает с мощной клавиатурой (5х8) • ОДИН, для формирования тональных, в том числе и
и поддерживает режим «свободные руки». Цо­ DТМF-сигналов с собственной чаcтoroй 3,58 МГц;
колевка корпуса этой ИМ С представлена на • второй, для формирования тактовой частотыI кон­
рис.3.27. троллера (!;, резонатора не документирована).

Столбец тает. са

~
С7
?=~

А1
Вых. еигн. реж. RO С6
?=~ Столбцы
С5
Строки [ :=~ таетатуры
А2 С4
таетатуры F~ с")
RЗ
А4 F='= ....
N
СЗ
02
Вход РП HКI F!:F
Fi'"
,... С1
Выб. имп. коэфф. M/BI о) DPO Вых. имп. ключа
1=1=
ВЫх. выбр. реж. МООЕО
1= :е MUTE О Вых. разг.ключа
Вх. выбр. реж. МООЕ1 :::;) TONE О Вых. еигн. DTMF
Подкл. кварц.
~ 1 НО1 Вх. эл. удерж.(hоld)
[OSC1 =;!=
резонатора OSCO HDO Вых.эл.удерж.(hоld)
Напр. пит.
Общий
(+) Vee
GND
~~ HFC1
HFCO
Вх. «fгee hапd»
Вых. «fгee hапd»

Рис. 3.27. Цоколевка корпуса ИМС UМ91273

37
ГЛАВА 3 Краткий обзор микросхем электронных ТА

Ввиду того, что работа ЖКИ требует довольно За свою историю ф. WINBOND выпустила
значительной мощности, то для этой функции, а более сотни ИМС ЭНН (включая модифика­
также для питания усилителей мощности звуко­ ции), поэтому мы приведем некоторые из них,
вых сигналов будильника используется дополни­ ставшие особенно популярными в последнее
тельный источник питания обычно в виде бата­ время.

реи из 3 элементов типа АЛ. Упрощенная Наше описание будет представлено в виде
структурная схема UM93403-01 приведена на краткогообзора выполняемых функций трех
рис.3.28. серий ИМ электронных номеронабирателей -
В этой серии, в таком же корпусе, выпускалось W91550, W91570, W91810.
еще несколько микросхем аналогичного назначе­
Серия ИМС W91510 представляет собой им­
ния:
пульсно-частотные ЭНН с встроенными контрол­
• UM93404-01 - полный аналог описанной; лерами ЖКИ, с ОЗУ на 13 ячеек 16-ти значных
• UM93412-01 - управление 12-разрядным ЖКИ. номеров и функцией блокировки набора номера .
Четыре ИМС этой серии имеющие между собой
незначительное функциональное отличие (отли­
Универсальный НН фирмы WINBOND (Taivan) чаются длительностью программируемой паузы

Следующими в нашем обзоре идуг ИМС ЭНН между цифрами набора установленн;ой по умол­
производства фирмы WINBOND (Taiwan). чанию и возможностью программирования сигна­

ла FLASH), «упакованы» в 64-выводные корпуса

Вначале, как обычно, остановимся на общих
и расчитаны на использование с матрицей таста­
для всех ИМС этой фирмы характеристиках.
туры 4х7.
Рабочее напряжение питания микросхем им­
ИМС вьшолняет следующие основные функции:
пульсно-частотных номеронабирателей ф.
WINBOND лежит в пределах от 2,0 до 5,5 В. • набор номера в импульсном и многочастотном
Диапазон рабочих температур стандартный: от - режиме;

до +70 с (температура хранения от -20 до

а

20 • автоматический повтор номера (на 2 последних

150 с). Максимально допустимая рассеиваемая
а

набранных номера) на 32 цифры;

мощность не более 200 МВт. Все микросхемы
• автоматический однокнопочный (прямой) на­
этого типа выполнены по модифицированным
бор номера из памяти (3 ячейки ОЗУ на 16
КМОП технологиям. Емкость тастатуры опреде­
цифр каждая);
ляется количеством сервисных функций и может
достигать матрицы 8хl0. Практически все ИМС • автоматический двухкнопочный набор номера
работают как с кварцевым, так и с керамическим из памяти (10 ячеек ОЗУ на 16 цифр каждая);
резонатором на частоту 3,579 МГц, а некоторые • программирование паузы между цифрами на­
также и с «часовым» кварцевым резонатором на бора (2, 3.6, 4 с);
частоту 32768 Гц (для обеспечения работы часов
• кнопка «секретность» отключения микрофона;
реального времени на ЖКИ при уложенной
МТТ). Сопротивление замкнугого контакта тас­
• программирование времени FlASH (98, 300,
600мс);
татуры должно быть не более 5 кОм.

сегменты ЖКИ

Примечание: контакты 70,71,74

не используются

Рис. 3.28. Упрощенная струюурная схема ИМС UМ9З40З-О 1

 МикросхеМbI элеКТРОННblХ номеронабирателей
• функция блокировки набора номера (например,
при выходе на междугороднюю АТС) после
набора цифр О и/или 9;
• программирование импульсного коэффициента
(1,5 или 2,0);
• встроенный контроллер 10-разрядного ЖКИ с
функцией таймера времени разговора.
Серия ИМС W91570 представляет собой им­
пульсно-частотные ЭИН с встроенными кон­
троллерами 12/16 разрядного ЖКИ, с ОЗУ на 23
ячейки 16-тизначных номеров, а также функци­
ями блокировки набора номера и автоповтора.
Четыре ИМ С этой серии имеют между собой
незначительное функциональное отличие (отли­
чаются значностью дисплея 12 либо 16 цифр и
требованием по напряжению питания батарей­
ки дЛя таймера 1,5 либо 3,0 В), «упакованы» в
80-ти выводные корпуса и рассчитаны на ис­
пользование с матрицей тастатуры 6х10. ИМС
работают с кварцевым (керамическим) резона­
тором для частоты 3,579 МГц, а также с «часо­
вым» кварцевым резонатором частоты 32768 Гц,
(для обеспечения работы часов реального вре­
мени на ЖКИ при уложенной МТТ).
ИМС обеспечивают выполнение следующих
основных функций:
• набор номера в импульсном и тональном режи­
мах;
• автоматический повтор номера (на 3 последних
набранных номера) на 32 цифры;
• автоматический однокнопочный (прямой) либо
двухкнопочный набор номера из памяти
ячеек ОЗУ на 16 цифр каждая);
• программирование скорости набора (1 О
20 имп. В с);
• программирование паузы между цифрами на­
бора (2 или 3,6 с);
• кнопка «секретность» отключения микрофона;
• программирование времени «FLASH» (100, 300,
600 мс);
• функция блокировки набора номера (напри­
мер при выходе на междугородную АТС) после
набора цифр О и/или 9;
• программирование импульсного коэффициен­
та (1,5 или 2,0);
• обеспечивает каскадный и смешанный набор
номера;
• встроенный контроллер 10-разрядного ЖКИ с
функцией таймера времени разговора;
• возможность переключения типа отображения
(на 2 по 12 либо 24 часа в сутки), таймер вре­
мени разговора от' 00:00 до 59:59;
• автоматический повтор (1-кратный) с возможнос­
тью программирования параметров автоповтора).
Серия ИМС W91810 представляет собой им­
пульсно-частотные ЭИН с ОЗУ на 23 ячейки 16-
тизначных номеров, функциями блокировки на­
бора номера и управлением в режиме НANDFRБЕ
с удержанием соединения - HOLD. Девять ИМС
этой серии отличаются между собой 6 параметра­
ми: скоростью набора номера, распределением па­
мяти ОЗУ по типам набора, а также наличием
дополнительнь~ функций - блокировкой набо­
ра, громкоговорящего режима работы, контролем
громкости приема речи и установкой индикации
нажатия кнопки.
В зависимости от наличия вышеуказанных
функций ИМС располагаются в пластмассовых
корпусах с количеством выводов от 22 до 28
(три типономинала) и рассчитаны на использо­
вание с матрицей тастатуры 6х6 либо 7х7. ИМС
работают с кварцевым или керамическим резо­
натором для частоты 3,579 МГц и при этом
выполняют следующие основные функции (ука­
зан максимальный сервисный набор):
• набор номера в импульсном и многочастотном
режимах;
• автоматический повтор номера (на 2 последних
набраннь~ номера) на 32 цифры;
• автоматический однокнопочный (прямой) либо
двухкнопочный набор номера из памяти (в за­
висимости от выбранной ИМС);
• программирование скорости набора (10 или
20 имп. В с);
• кнопка «секретность» отключения микрофона;
(12 • программирование времени «FLASИ» (73, 100,
300, 600мс);
или • функция блокировки набора номера (напр. при
выходе на междугородную АТС) после набора
цифр О и/или 9;
• программирование импульсного коЭффициен­
та (1,5 или 2,0);
• кнопки управления режимом НANDFREE и
ИОLD;
• 4-х уровневый режим управлением громким
приемом (2 кнопки);
• звуковая индикация набора номера и др.
Как уже указывалось в начале этой главы,
более подробно рассматриваются микросхемы
электронных НИ только самых «мощных» про­
изводителей. Поэтому данный раздел мы за­
вершаем. В таблице Приложения 5 приведен
насколько возможно полный перечень ИМС
этого назначения с указанием фирм (предпри­
ятий) изготовителей по состоянию на начало
2000 года.
Упрощенные блок-схемы ИМС серий
W91550DN, W91810N и W91570DN приведены
на рис. 3.29, 3.30 и 3.31 соответственно.
39
ГЛАВА 3 Краткий обзор микросхем электронных ТА

ВЫВО)Jbl КВАРЦЕВОГО
(КЕРАМ.) РЕЗОНАТОРА

xr xr

нкs ВХОДРП
В/М уст. ИмпУЛЬСНОГО КОЭФФИЦИЕНТА
м:JDE ВХОД УСТАНОВКИ РЕЖИМА НН
(ИМl.JЧдcrОТА)

IOCК ВХОД УПРАВЛЕНИЯ БI1OКИPOВКОЙ

ТESТ ВХОД УСКОР. РАБОТЫ НН ПРИ ТECfИР.

ATS УСТАНОВКА дВТОТдЙМЕРА

RдN S/М ВЫБОР РЕЖИМОВ РАБОТЫ ОЗУ
:i!
.s (Rl .. R4) ~ Q.
НА УПРдВЛЕНИЕ .НдNDFREБo
~
W
~~ ~ s:
bj:: ~
§~ :r
s:
'"~
~~ Т/Р МUТE выход УПРдВЛЕНИЯ РК (РАЗГОВ кл.)
ёX5i:UМN
"" (Сl ... Сб)
НРМ МUТE ВЫХОД РК (РдЗГОВ. ~)

BЫxoдbl УПРАВЛЕНИЯ ГРОМКОСТИ

ВЫХОД
В РЕЖИМЕ .НдNOFREE-
двУХТОНд11ьна-о
СИГНАЛА ОР УПРАВЛЕНИЕ .FLдSН.
ЦИФРО-
отм: дНдI10ГОВЫЙ
НFO ВЫХОД УПРАВЛЕНИЯ .НдNDFЯЕ&
ПРЕОБРдЗОВАТЕЛЬ

Рис. 3.29. Упрощенная блок-схема ИМС серии W91550DN

ВЫВОДЫ КВАРЦЕВОГО
(КЕРАМ) ~ТOPA

хт хт

ВХОДРП

ВХОД YIlРАВЛЕНИЯ

i15ёR ВХОД YIlРАВЛROI.l./ИЙ БЛОКИРОВКОЙ

"iЮN СЧEТ'lИК
(Rl .. R4) МООЕ ВХОД УСТАНОВКИ РЕЖИМА нн
ЧТЕНИЯ/ЗдПИСИ (ТONE/PUlSE)

ёOiIiМN Т/Р МiJiE ВЫХОД УПРАВЛЕНИЯ РК (Рд3ГОВ. кп.)

(Сl ... Сб) кт ЗВУК. И!-ЩИКдЦИЯ НАЖАТИЯ кнопки

JlOГ1IIКA
YIlРАВJБ-IИЯ
DP ВЫХОД YIlРАВЛЕНИЯ ИК
ВЫХОД НFO ВЫХОД YIlРАВЛЕНИЯ .НдNDFЯEE.
РЕЖИМОВ
ДВУХЮНАЛЬНОГО HjPMUТE ВЫХОД РК (Рд3ГОВ. КIlJOi)
(ИМn./ЧдСТОТА)
СИГ1-WlA
KМiJiE ВЫХОДЫ УПРАВЛЕНИЯ ГРОМКОСТИ
ЦИФPQ­ ПРОГРАММ1РУEМ,iЙ } В РЕЖИМЕ ·НдNDFЯЕЕ.
Vl
OТМF AtW10ГОВЫЙ СЧEТ'lИК ВЫХОД УПРАВЛЕНИЯ -МИТЕ-
ПРЕОБРдЗОВдТЕЛЬ СТОЛБЦОВ-КОJЮНOК
v2

Рис. 3.30. Упрощенная блок-схема ИМС серии W91810N

 МикросхеМbI элеКТРОННblХ номеронабирателей

ВЫВОДЫ ГЕНЕРАТОРА ВЫВОДЫ КВАРЦЕВОГО

;АйМЕР~ (КЕРАМ.) P~ТOPA

хт

SEТ АТС УСТАНОВКА ЧАС., МИНУТ

APSEТ РЕЖИМ ЧАСО6 (12/24 ч. В СУТКАХ)

нкs ВХОДРП
НА YГlРАВЛЕНИЕ "НANDFREE.

LOёR вход YГlРд8Л8-IИЯ БJЮ<ИPOВКCXi1

В/М УСТ. ИМПУЛЬС. КOЭФФИЦИ8-IТА

i'ia'I М(Х)Е УСТАН. РЕЖИМА нн (ИМП.ЧАСТОТА)

(R1 ... R4) u :J!

"- ARD УСТ. AВТOnOВТOPA
'"~"-
Ош
'"&w"- .,s~
~~....
О
w
~
s
..
~
~~
'" ёOWМN
Н/PMUТE ВЫХОД РК (РдЗГОВ. КЛЮЧ)

(С1 ... С6) ТjPМЛ'Е ВЫХОД YГlРАВЛЕНИЯ РК

ЛОГИКА
OP/ёiO YГlРАВЛЕНИЕ "FLдSН.

РЕЖИМОВ HFO YГlPАВЛЕНИЕ -НANDFREE.

(ИМП·fЧACТОТА)
ЗВУКОВАЯ ИНДИКАЦИЯ
кт
НАЖАТИЯ кнопки

ВЫХОД КМiJi'E YГlРАВЛЕНИЕ -MUТE·

двухroНАЛЬНОГО
СИГНАЛА ЦИФPQ­ ПРОГРАММИРУЕМЫЙ
DТМF AНдnOГОВЫЙ
ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ

ВЫВОДЫДПЯ(V LCD
v пит. жки v АТС1 $=======t~
И тАйМЕРА V АТС2 УПРАВЛЕНИЯ жки

СР a-I .
ВЫВОДЫ YГlРАВЛЕНИЯ жки
LC. D.
жки

Рис. 3.31. Упрощенная блок-схема ИМС серии W91810N и W91570DN

41
ГЛАВА 3 Краткий обзор микросхем элеКТРОННblХ ТА

3.3. МикросхеМbI устройств приема Вblзова

в этом разделе речь пойдет о микросхемах,
которые заменили один из наиболее «древних»
элементов телефонного аппарата - электромеха­
нический звонок переменного тока. Как извест­
но, вызов от телефонной станции к ТА посыла­
ется переменным током с частотой от 17 до 50 Гц
и напряжением, достигающим на выходе
нию значения в диапазоне 90 ... 130 В. При этом
ток в линии должен быть таким, чтобы макси­
мальная мощность вызывного сигнала не превы­
шала 100 мВт. Отсюда следует, что вызывная цепь
ТА должна быть достаточно высокоомной, при
этом модуль (абсолютное значение) сопротивле­
ния цепи вызова ТА должен быть в диапазоне
4,0 ... 10,0
кОм при частоте вызывного тока 25 Гц.
Поскольку активное сопротивление звоНковой
обмотки в разных модификациях лежало в преде­
лах 500 .. .l500 Ом, а последовательно со звонком
включался конденсатор емкостью 1,0 мкФ, то это
требование выполнялось практически всегда.
Как только вместо звонка стали использо­
вать электронные приборы (транзисторы, 'дио­
ды), то пришлось вводить в вызывную
дополнительные резисторы или уменьшать ем­
ванные ТВУ - встроенные в единую ИМС совме­
стно с другими узлами ТА, выполняющими свои
специфические функции.
Электромеханическое вызывное устройство в
ЭТА уже практически не применяется и из-за
подробного его описания, приведенного прак­
в ли­
тически во всех аналогичных изданиях, мы ос­
танавливаться на нем не будем.
Второй тип вызывного устройства, в соответ­
ствии с указанной ранее последовательностью, по­
лучил широкое распространение с конца 70-х и
до конца 80-х ГГ., а на территории стран бывшего
СССР вплоть до 1992 года. Широкое распростра­
нение (особенно в ЭТА предприятия ВЭФ) полу­
чили разнообразные модификации .ТВУ на основе
распространенной «логической» ИМС типа
561ЛА7. Наибольшее распространение в п ослед­
ние годы получили устройства вызова, реализо­
ванные на базе специализированных ИМ С, и по­
этому их описанию мы уделим основное место. В
самое последнее время все больше распростране­
ние получают интегрированные ТВУ, особенно в
цепь составе с ТА, такие примеры также будут приве­
дены нами в последующем изложении.

кость конденсатора более, чем в два раза. Обыч­

но у современных ЭТА такой конденсатор име­ Микросхемы ТВУ отечествешlOГО производства
ет емкость 0,47мкФ. Но следует заметить, что Рассмотрение микросхем этого назначения нач­
применение в вызывных цепях полевых тран­ нем с КРI008ВЖ4, которая выпускалась заводом
зисторов и микросхем КМОП технологии, об­ «Родон» (Ивано-Франковск, Украина) в конце
ладающих достаточно высоким сопротивлени­ 80-х - начале 90-х гг. Микросхема КМОП тех­
ем, заставило разработчиков вернуться к емкости нологии выпускалась в корпусе DIP14. Напряже­
в цепи вызова величиной в 1 мкФ. ние питания лежит в пределах 6 ... 15 В, а диапа­
зон рабочих температур минус 25 ... 70 С.
0

Первые тональные вызывные устройства (ТВУ)

преобразовывали индукторный вызывной ток с Прототипом послужила микросхема S2561 фирмы
частотой 20 ... 25 Гц в акустический сигнал типа AMI. Цоколевка 1008ВЖ4 приведена на рис. 3.32.
«трель», представляющий собой переменный ток Микросхема, в зависимости от первичной уста­
с частотой 500 ... 2600 Гц, переключаемый от 6 до новки, позволяет воспроизведение 2-х или 3-х то­
25 раз в секунду. Питание такого ТВУ осуществ­ нальной последовательности звуковых частот с соот­
ляется от того же индукторного тока, должным ношениями 5:6, 4:5 или 4:5:6, переключаемых с
образом выпрямленного с понижением напряже­ частотой близкой к 16 Гц. Частоты акустического
ния до величины рабочего напряжения элект­ сигнала вызова близки к значениям 512, 640 и 768
ронных устройств. Сигнал вызова, вырабатывае­ Гц и могут отличаться от указанных в пределах
мый ТВУ, возбуЖДает преобразователь обычно ±10%, т.к. частотозадающие элементы генератора
пьезоэлектрического типа (в некоторых тональной частоты (R и С) обычно используются
ЭТА - электродинамический), который произ­ непрецезионные. Выходной сигнал вызова имеет
водит акустический сигнал такой же структуры, мощность порядка 50... 100мВт, а максимальная рас­
что и электрический. Громкость такого сигнала сеиваемая мощность микросхемы не должна превы­
обычно составляет в максимуме 70 ... 75 дБА (де­ шать значения 300 мВт. Последовательность звуча­
цибел по шкале А) и может регулироваться в ния акустического сигнала вызова в зависимости от
сторону уменьшения плавно или ступенчато установки сигналов на контактах 9 и 10 микросхемы
вплоть до полного выключения. показана в табл. 3.19.
В настоящее время существует четыре типа Если на контакт 5(S) подать сигнал логической
вызывных устройств используемых в ТА (указа­ «1» (не менее 4,75 В), то на выходе микросхемы
ны в порядке эволюции) - электромеханичес­ будет формироваться непрерывный одночастот­
кое, электронное на дискретных элементах и ный сигнал, состоящий из одной частоты - пер­
ИМС общего назначения, ТВУ на специализи­ вой в последовательности, указанной в табл. 3.19.
рованных ИМС и четвертый тип - интегриро-

42
 МикросхеМbI устройств приема Вblзова

Микросхема также обеспечивает возможность Выбор тона звуковых частот вызывного акус­
ступенчатой автоматической регулировки гром­ тического сигнала определяется значением ре­

кости вызывного сигнала (первая посылка вы­ зистора, подключаемого к контакту 4, а частота
зова - самая тихая, вторая - громче, третья и переключений этих частот - емкостью - к кон­
все последующие - наиболее громкие). такту 3. Отношение частот - 31:38. Нагрузка
микросхемы по выходу акустического сигнала
Эта микросхема широко применялась в пер­
вых разработках ЭТА в СССР и СНГ, а возмож­ высокоомная. Обычно используется пьезоэлект­
рический преобразователь с эквивалентной ем­
ность использования в нетелефонных схемах
обеспечила этой ИМС заметное место в различ­ костью порядка 47 нФ и сопротивлением на
ных сигнальных системах. К недостаткам этой частоте 1000 Гц около 3,4 кОм. Если использу­
ется низкоомный громкоговоритель, то необхо­
микросхемы следует отнести необходимость
димо применять понижающий трансформатор и
внешнего моста и стабилизатора напряжения пи­
тания, что усложняет и удорожает схему ТВУ. дополнительную RC цепочку для создания IZI
порядка, указанного выше. Цоколевка корпуса
Последующие образцы микросхем ТВУ стро­
КРI064ППl показана на рис. 3.33.
ились на базе более высокой степени интегра­
Подключение акустического преобразовате-
ции, что значительно упростило схему вызыв­
ля можно осуществить двумя способами:
ного устройства.
Следующим рассмmpим формироваreль вызывно­ • к контактам 2 и 5;
го сигнала - микросхему КРI064IПIl, производившу­ • к контактам 5 и 6.
IOCЯ заводом «Светлана» (Санкт-Петербург, Россия). Во втором случае мощность на преобразова­
Прототипом этой микросхемы послужила ИМС теле будет выше. Однако, если есть необходи­
типа PSB6520 ф. SIEMENS. Микросхема реализо­ мость подключения второго вызывного устрой­
вана в корпусе DIP8, который практически стал ства (например, оптического индикатора), то
базовым для ИМС этого назначения у большин­ используется первый способ, и дополнительное
ства производителей. Основным отличием этой устройство подключается к контактам 2 и 6.
микросхемы от 1008ВЖ4 является наличие встро­ При сопротивлении RT порядка 16 кОм тональ­
енных мостового выпрямителя и стабилитрона, что ные частоты могут принимать следующие зна­

позволило питать ТВУ непосредственно вызывным чения:

током телефонной линии. Предельное значение

• нижняя частота 680 ... 940 Гц;
напряжения переменного тока составляет 56 В. Сле­
дует указать, что использование этой микросхемы
• верхняя частота 830 ... 1150 Гц.
на телефонных сетях СНГ, где напряжение вызыв­ Переключение этих частот осуществляется
ного сигнала в телефонной линии может достигать раз в секунду при емкости C s=68 нФ.
5 ... 10
величины порядка 170 В, без предварительной об­
Таблица 319
работки этого сигнала весьма проблематично, Т.к.
Лorическиif уровень на J(Offraкre Г1оряррк че{JfiДQвения
для прототипа указано, что к его входным контак­
частот акycrичеr;жoro
там можно приложить напряжение 11 О В с часто­ 9 (N2) 1()(m} сигнала
той 50 Гц на время не более 3-х секунд. Хотя время
О 1 640-+768
посьшки вызывного тока от АТС на сетях СНГ не
должно быть более lс, но указанное, трехкратное 1 О 640-->768
превышение вызывного напряжения может приве­

сти к повреждению микросхемы.

1 1 512-->768-+640

Земля (Общий) GND АС1] Частотоза-

Частотоза- [АС2 А1 дающая цепь
дающая цепь А2 С1 тактов. генер.
генер. TDH. частоты С2 ВС Вх. разр. сигнала
Упр. структ. выз. CS N1 ] Выб.последовательности
Вых. акустического сигнала [L2 N2 акуст. сигнала
вызова
вызова L1 Vcc
Рис. 3.32. Цоколевка корпуса ИМС 1008ВЖ4

КР10б4ПП1
Вх. напр. выз. UAC2 UAC1 Вх. напр. выз.
«Земля» (общ.) GND Uoc Подкл. фильтр. С
Подкл. емк. переключ.
CS Uо Инверт. вых. з. ч.
Упр. тоном з. ч. Ат Uo Вых. з. ч.
Рис. 3.33. Цоколевка корпуса ИМС КР1064ПП1

43
ГЛАВА 3 Краткий обзор микросхем элеКТРОННblХ ТА
Обычно RT - переменный резистор, движок
которого выводится наружу корпуса ЭТА, предо­
ставляя пользователю возможность самому выби­
рать тональность акустического сигнала вызова.
Одновременно с описанной микросхемой вы­
пускалась и КРI085ППl (з-д «РодоН», г. Ива­
но-Франковск, Украина), отличавшаяся только
несколько пониженной мощностью вызывного
сигнала. Цоколев- ка этой ИМС полностью со­
впадает с КРI064ПП1, а при RT = 25 кОм ниж­
няя частота лежит в пределах 600 ... 840 Гц,
верхняя - 1830 ... 2150 Гц.
Диапазон рабочих температур этих микро­
схем минус20 ... +70"С, а максимально допусти­
мая мощность порядка 400 ... 600 мВт.
Следующей рассмотрим микросхему
КРI091ГПl производства объединения «Элект­
роника», Россия. Ее прототип - L3240 ф. SGS-
THOMSON MICROELECTRONICS, Франция.
Корпус и цоколевка полностью идентичны опи­
санным для предьщущих микросхем. Основное
положительное отличие - высокое (до 200В)
входное напряжение вызова, а следовательно, и
большая надежность работы в телефонных сетях
СНГ. При RT = 14 кОм и C s=100 нФ генериру­
ются частоты 1,4 ... 2,0 кГц и 2.0 ... 2,66 кГц, пере­
ключаемые 10 раз в секунду. Эта микросхема
имеет несколько большую максимально допус­
тимую мошность - 700 мВт.
Микросхемы формирователя вызывного сигнала
КРI059АПУ2 и ЭКР1436АПl/2 выпускаются АП
КРЕМНИИ (г. Брянск, Россия) и заводом ИНТЕГ­
РAJI (г. Минск, Белоруссия) соответственно. Прото­
тип обеих ML8204/05 фирмы GEC PLESSEY
SEMICONDUCTORS (Великобритания). Корпуса
DIP8, DIP8-A. Напряжение питания не более 30В,
выпрямительный мост и стабилитрон внешние. Цо­
колевка показана на рис. 3.34. Эти микросхемы
имеют возможность запуска по контакту 2 (вход
Напр. питан.
Вх. триггера
Задание f генер. НЧ
Рис. 3.34. Цоколевка корпуса ИМС КР1059АП1/2 и ЭКР1436АП1/2
Линия L1
«Земля» (общ.) GND
Частота переключ. Cs
Тон. частота RT
Рис. 3.35. Цоколевка корпуса ИМС КР5001ГП1 (А,Б,В)
44
триггера) в нетелефонных применениях, например -
в схемах сигнальных устройств. Вырабатьrnaют двух­
тональНЫй сигнал с СОО1Ношением частот f.,lfH= 1,25 в
диапазоне от 0,5 до 2,0 кГц, что определяется значе­
ниями RH и С н . Частота переключений - 10 Гц при
~ порядка 160 кОм и CL порядка 0,5 мкФ. Микро­
схемы имеют защиту от подрабатывания при им­
пульсном наборе номера и при напряжении питания
21 В обеспечивают отдачу мощности на акустический
преобразователь (динамический громкоговоритель с
обмоткой сопротивлением 8 Ом, включенный на
выход 8 через RС-цепочку и понижающий транс­
форматор) порядка 40.. .50 мВт. Рабочий диапазон тем­
ператур (-45 ... +65"С), а максимально допустимая рас­
сеиваемая мощность не должна превышать 400 мВт.
При питании микросхем от отдельного источника
(нетелефонные применения) напряжение питания
должно быть не менее 12 В (максимально 20 В), а
напряжение запуска на контакте 2 порядка
10,5 ... 11,0
В. Микросхемы могут работать и в одно­
тональном режиме без переключения частот. В слу­
чае применения в качестве акустического преобра­
зователя пьезоэлемента он подключается
непосредственно к контакту 8 и шунтируется ем­
костью порядка О,lмкФ для устранения послезву­
чания. В этом случае частоты должны бьпь близ­
кими к 2,0 кГц, т.к. пьезопреобразователи имеют
наибольшую отдачу вблизи этой частоты.
Среди микросхем ТВУ, выпускавшихся в СНГ,
есть и КР5001Шl производства АО АНГСТРЕМ
(г.Зеленоград, Россия), прототип которой LS1240A
ф. SGS THOMSON MICROELECTRONICS,
Франция. По сравнению с описанными выше эта
микросхема имеет меньший ток потребления, что
позволяет параллельное подключение к телефон­
ной линии до 4-х ЭТА. Корпус DIP8, его цоко­
левка приведена на рис.3.35. Микросхема выпус­
калась в трех типономиналах А, Б и В,
отличавшихся только тональными частотами: А -
наиболее высокие; В - самые низкие. В составе
OUТ Вых. сигн. выз.
RC H]
Задание f генер. ВЧ
RH
GND «Земля» (общ.)
L2 Линия
Сф Емкост. филыр
Н.И. Инверт. вых. з. ч.
OUT Вых. сигн. выз.
 МикросхеМbI устройств приема Вblзова

микросхемы есть встроенный выпрямительный Задающий генератор микросхемы имеет часто­

мост, стабилитрон и схема защиты от «щебета»
подработки вызова при наборе номера.
Еще одной особенностью этих микросхем яв­
ляется возможность использования динамичес­
ких громкоговорителей без понижающего транс­
форматора, а только через разделительный
конденсатор. Это следствие применения более
мощного усилителя выходного сигнала, но при
этом нужно использовать динамик с сопротивле­
- ту 64 кГц, что определяется элементами RC це­
почки (R=365 кОм, С=56 пФ), подключаемой к
контакту 4. При напряжении питания порядка 6,0
В и температуре окружающей среды 2SOС мик­
росхема вырабатывает ряд из 7 частот (533-1, 600-2,
667-3, 800-4, 1000-5, 1067-6 и 1333-7 Гц), состав­
ляющих полную гамму. При формировании му­
зыкального фрагмента используются также гар­
моники перечисленныIx выше частот - Д)1Я частот

нием звуковой катушки в пределах от 50 до 533 ... 800 Гц - четвертая гармоника (2132, 2400,
100 Ом. Диапазон рабочих температур минус 2867,3200); Д)1Я частот 1000 ... 1333 - вторая (2006,
0

20 ... +70 С. 2133, 2667 Гц). Такое построение акустического

сигнала придает ему естественность звучания и
Теперь перейдем к обзору микросхем - ТВУ
обеспечивает хорошее слуховое восприятие чело­
основных зарубежных производителей и, как и
веком. Последовательность частот звучания му­
дЛЯ ИМС частотно-импульсных НН, начнем
зыкального фрагмента в зависимости от потен­
его с изделий ф. PHILIPS (Нидерланды).
циала на контактах 12 и 13 микросхемы показано
в табл. 3.20.
Микросхемы ТВУ фирмы PHILIPS Таблица 3.20.
Первой рассмотрим микросхему PCD3360 - Потенциал
многотональное программируемое ТВУ, изго­ 12 13 ПОСледсs<It"eЛЬН<)СГЬ смены Чfl(;7QТ

товленное по КМОП технологии в двух типо­ (ТS2) (TSI)

номиналах: Р и Т, как это принято для многих L(О) L(О) 3,3,3->4,4,4,->2,2,2,-> 7, 7,7->6,6,6
изделий телефонного применения ф. PHILlPS. L(О) Н(1) 1->3,1->3,1->3,1->3,1-->3,1->3,1-->3,1->3
Окончание р обозначает микросхему в корпусе Н(1) L(О) 4->5,4-->5,4-->5,4-->5,4-->5,4-->5,4-->5, 4-->5
DIPI6, а Т - шестнадцатиконтактный корпус Н(1) Н(1) 4,4,4->0-->4,4,4->0-->4,4,4,4,4,4-->0, О
S016L дЛЯ поверхностного монтажа. Цоколев­
ка этих корпусов одинакова и показана на
Таблица 321
рис.3.36. Основной особенностью этой микро­
ПоТfJНЦИЭf! Вре,.м звучания
схемы является возможность формирования
2 (АА2) 3 (АА1) чаСТОТЫ (НОТЫ), мt;
акустического сигнала вызова не только в виде
L(О) L(О) 15
примитивной «трелю>, но И В виде фрагмента
L(О) Н(I)
мелодии, как это будет показано далее. 30
Н(1) L(О) 45
Н(1) Н(1) 60

Разреш. приема выз. FOE FH Выб. верхн.] пределов

П~~~Кd~~~~1f~[RR2 FL Выб. нижн. ~~~~~~XJ'b~~~rO
(tзвуч.) RR1 FOI Вх. линеЙн. СИГН. ВЫЗ.
Подкл,. RC цепи генер-ра 08С Т81 ] Выб. тон. частот и их
Напр. пит. (+) V Т82 чередования в акустическом
oo сигнале вызова
ВЫХ. тон. сигнала TONE Vss Напр. пит. (-)
Подкл. ОПТ. ИНДИК. ОРТ 181 ] Выб. реж. звучания,
У правл. вы б ором ОМ ......--t!===~-"'--' 182 входного и
выходного СОПРОТИВЛ.
ВЫХОДН. СОПРОТИВЛ.

Рис. 3.36. Цоколевка корпуса D/Р16 ИМС РСDЗЗ60Р/Т

11
8 +
1 6

а) ЭлектромаГНИТНblЙ громкогоаоритель б) Пьезоэлектрический излучатель

Рис. 3.37. ТИПОВblе cxeMbI подключения акустических преобразователей к ИМС РСDЗЗ60

45
ГЛАВА 3 Краткий обзор микросхем элеКТРОННblХ ТА

Время звучания каждой частоты зависит от биратель и многотональное вызывное устройство.

потенциалов на контактах 3 и 2 микросхемы, а Серия состоит из более чем десятка типономиналов
длительность музыкального фрагмента зависит микросхем, которые отличаются корпусами и неко­

как от времени звучания составляющих частот, торыми дополнительными функциями. Параметры

так и от его структуры. Зависимость времени ЭНН в этих микросхемах совпадают с описанными
звучания от потенциала на контактах ИМС по­ в предыдущем разделе для серии PCD3310 и оста­
казана в табл. 3.21. навливаться на них здесь не будем. Параметры
При структурах фрагмента, показанных в ТВУ этих микросхем почти полностью идентичны
табл. 3.20 и длительностях однократного звуча­ рассмотренным для PCD3360. Поэтому остановим­
ся только на основных отличиях микросхем внутри
ния частоты (табл. 3.21), минимальная длитель­
ность звучания фрагмента составит 190 м{;, а серии, которые приводятся в таБЛ.3.22.
максимальная - почти 1 с. Режим звучания по В отличие от PCD3360 частотный дискримина­
громкости выбирается заданием потенциала на тор вызывного сигнала PCD3332 может быть на­
контактах 9 и 10 и может быть двояким - с строен в пределах от 14,4 до 68 Гц. Значения
автоматическим нарастанием громкости или с составляющих трехчастотного акустического сиг­

постоянным уровнем. Потенциал на этих кон­ нала вызова приведены в табл. 3.23.
тактах определяет также входное и выходное
Громкость сигнала вызова регулируется элек­
сопротивления ТВУ. Первое может иметь зна­ тронным способом - все микросхемы серии
чение 7; 10.5; 17,5 кОм, а второе - 5, 10, 20 имеют входы кнопок «voI+» и «vol-».
или 40 кОм. Из этого следует, что применение
динамического громкоговорителя в качестве
Кроме указанных в табл. 3.23 частот, микро­
схемы вырабатывают еще несколько специаль­
акустического преобразователя возможно толь­
ных сигналов:
ко совместно с дополнительной согласующей
цепью, при этом сопротивление звуковой ка­ • 2358 гц длительностью 40 мс - подтверждение
тушки динамика должно быть не менее 50 Ом. нажатия кнопок тастатуры, длительностью

В микросхеме PCD3360 предусмотрена за­ 134 мс - ошибка программирования;

щита от подрабатывания во время набора но­ • 806, 899, 1010 гц длительностью 134 мс и паузой
мера импульсным способом - «антищебет». 67 мс - подтверждение правильности програм­
Поскольку В разных странах частота вызывного мирования (разрешение) для 1, 2 и 3 типов аку­
тока разная, то предусмотрена настройка мик­ стических сигналов (табл.3.23) соответственно.
росхемы по нижнему и верхнему пределам ча­
Микросхемы изготавливаются по КМОП тех-
стот от 13,3 до 60 Гц (контакты 15 и 16). При нологии и очень экономичны по потреблению.
частоте 25 Гц и напряжении вызова на входе Напряжение питания лежит в пределах 2,5 ... 6,0 В,
ЭТА порядка 40В напряжение питания будет максимально допустимая мощность рассеяния
около 6,8 В (tраб = 25"С), а вообще VDD=5,8 ... 9 В. всего 125 мВт, при этом максимальная выход­
Максимально допустимая мощность рассеяния ная мощность для любых сигналов, вырабатыва­
этой ИМС 300 мВт, а максимальная мощность, емых схемой, не может быть выше 30 мВт, что
отдаваемая акустическому преобразователю, не
должна превышать 50 мВт. Диапазон рабочих
температур -25 ... +70"с. Микросхема не имеет
встроенного моста питания и стабилизатора на­ Таблица 3.23.
пряжения. На рис.3.37.а и б показаны типовые Типакует,,· Длительность
схемы подключения акустических преобразовате­ '1IЮIЩГО ,"Гц '2' Гц '$ Гц эвУК,МС пауза,мс
лей к PCD3360. сигнала

Особое место в продукции ф. PHILIPS занима­ 1 826 925 1037 30 30

ют микросхемы многофункционального примене­ 2 1037 1161 1297 30 30

ния. Именно к такому типу относятся серия или 3 1297 1455 1621 30 30
«семейство», как его называют сами изготовители
- PCD3332-x - импульсно-частотный номерона-

Таблица 3.22.
}(ьрпус
Н8личие сип/ала Управление cn""ерфо- НОМ ИЛИ
ТИП микросхемы
основн. М{)диф, екл./выкл. ВЫЗОВ кнопок -*-
Наличие сигнала ИCnОЛЬ~.
и-#- "hlilllds free"

РСDЗ332-2Р D/Р28 SOT117·1 есть нет нет

РСDЗ332·2Т S028 SOT136·1 есть нет нет

РСD3З32·3Р D/Р28 SOT117·1 нет есть есть

РСDЗ332·3Т S028 SOT136·1 нет есть есть

PCD3332·SP D/Р28 Son17·1 нет есть нет

PCD3332·ST S028 SОПЗ6-1 нет есть нет

 МикросхеМbI устройств приема Вblзова

требует дополнительных усилителей для акусти­ Цоколевка корпуса КA2411 отличается от при­
ческого сигнала вызова и сигнала ОТМР. Диапа­ веденной на рис. 3.38 лишь назначением контак­
зон рабочих температур стандартный для изделий та 2, к которому подключается резистор, опреде­
PНILIPS минус 25 ... +70·с. В состоянии ожида­ ляющий величину питающего тока ИМС.
ния микросхемы потребляют не более 158 мкВт, Напряжение питания этих микросхем стандарт­
причем минимальное значение напряжения пита­ ное для изделий ф. SAMSUNG - 2,0 ... 5,5 В,
ния может быть не более 1,0 В. диапазон рабочих температур минус 20 ... +70·С, а
максимально допустимая мощность рассеяния
Эти микросхемы разработаны для работы с
мощными (5х6) тастатурами, объединяющими 300 мВт. Нагрузка по выходу звуковых частот
кнопки набора номера и функциональные кноп­ должна быть достаточно высокоомной - пьезоэ­
лектрический преобразователь или динамик,
ки в единый ансамбль.
включенный через согласующую RC цепь и по­
Так же, как и предыдущая, микросхемы
нижающий трансформатор.
РСО3332 требуют внешнего выпрямительного
моста и стабилизатора напряжения.
Следующими в ряду ТВУ ф. SAМSUNG идут
микросхемы КА2418В/28В, отличающиеся от опи­
санных выше тем, что в их составе появляется
Микросхемы ТВУ фирмы SAМSUNG выпрямительный мост и теперь ИМС подключа­
Следующим производителем, ТВУ которого ются непосредственно (но через разделительный
будем рассматривать, является ф. SAMSUNG, в конденсатор емкостью 0,5 ... 1,0 мкФ и резистор
числе изделий которой микросхемы вызывных порядка 1,5 ... 2 кОм) к телефонной линии. Кор­
устройств представлены достаточно широко, а пус DIP8, его цоколевка приведены на рис. 3.39.
их аналоги производились многими другими По структуре выходного сигнала вызова эти ИМС
фирмами. ничем не отличаются от описанных ранее. Таки­
Первой рассмотрим ИМС типа КА2410/11, ми же остаются значения рабочих температур и
выполненную по КМОП технологии и содер­ рассеиваемой мощности.

жащую в своем составе стабилизатор напряже­ При указанных выше значениях R и С схемы
ния, схемы генерации и усиления сигнала вы­ подключения ИМС к телефонной линии напря­
зова. Микросхема выпускается в корпусе DIP8, жение вызова на контактах 1, 8 не должно пре­
ее цоколевка показана на рис. 3.38. вышать 30 В. Кроме этого, входная цепь ЭТА,
Микросхемы вырабатывают акустический использующая такие микросхемы ТВУ должна
сигнал вызова типа двухчастотная трель, со
быть защищена от перенапряжения устройствами

стандартным циклом переключения fH/fB поряд­ (варистор, газовый разрядник и т.п.) с напряже­

ка 10 Гц. Соотношение fH/fB находится в преде­ нием срабатывания не более двукратного значе­
лах 1,25 ... 1,4, а сами частоты могут быть на­ ния U ВЫЗ +U б , что для сетей связи СНГ составляет
строены в пределах 500 ... 2000 Гц в зависимости величину порядка 300 В. Обычно эта величина
от элементов RC цепей, подключаемых к кон­ дЛЯ ЭТА различных фирм составляет 250 ... 360 В
тактам 3, 4 и 7, 8 соответственно для f H и f B • в зависимости от типа ТВУ и величин R и С
схемы подключения его к линии.

КА241 О
Напр. питан. Vcc
(+) SPO Вых. сигн. выз.
Блок выз. CONT
LF1
HF1J
HFO
Задание f генер. ВЧ
Задание f генер. НЧ [ LFO
GND «Земля» (общ.)

Рис. 3.38. Цоколевка корпуса ИМС КА2410

КА2418В
Тел. линия (а) R Т Тел. линия (б)
С
"Земля" (общ.) GND А Емк. фильтра питания
Задание f н C LF АС V ADJ Уст. реж. стаб.
Задание f B R SPO Вых. сигн. вызова
HF

Рис. 3.39. Цоколевка корпуса ИМС КА24188

47
ГЛАВА 3 Краткий обзор микросхем элеКТРОННblХ ТА

Микросхемы ТВУ фирмы MOTOROLA в их составе есть выпрямительные мосты, стаби­

Некоторый интерес представляют микросхе­
мы ТВУ ф. Motorola типов МС34012 и МС34017
с модификациями 1, 2 и 3, отличающимися
частотами звукового сигнала вызова:
• MC34012(l7) - 1 частота порядка
• MC34012(l7) - 2 частота порядка
• MC34012(l7) - 3 частота порядка
Основное отличие этих ТВУ от всех описан-
ных ранее то, что они формируют одночастот­
ный акустический сигнал с изменяющимся во
времени уровнем громкости - «одночастотная
трель». Микросхемы выполнены по КМОП тех­
нологии в корпусах типа DIP8 и отличаются
друг от друга только цоколевкой, которая при­
водится на рис. 3.40 дЛЯ МС34012 и
ветственно.
Как видно из назначения контактов этих ИМС,
они рассчитаны на прямое (с уже описанными
оговорками) подключение к телефонной линии.
лизаторы напряжения и схемы «антищебета» при
паралельном наборе номера импульсным мето­
дом. Микросхемы работают только с пьезопреоб­
разователями. Напряжение питания, как у мно­
1,0 кГц; гих ТВУ других фирм, порядка до 30 В, а
2,0 кГц; мощность рассеяния порядка 250 мВт. Нужно
0,5 кГц. отметить, что одночастотный сигнал вызова не
нашел достаточно широкого распространения в
схемах ЭТА, и описанные микросхемы имели
малое применение по сравнению с другими ТВУ.
Поскольку мы охватили почти весь спектр
построения схем ТВУ, которые применялись и
применяются в современных ЭТА, то на этом
обзор схем вызывных устройств будем считать
34017 соот­ оконченным и перейдем к следующему разделу.
Пример интегрированного ТВУ в составе «одно­
кристального» ТА и конкретную схему реализации
вызывного устройства на основе <<лоrnческой» ИМС,
как и обещали, приведем в следующих главах.

МС34012 (1,2,3)
«Земля» (общ.) . GND ~ [J~ RC OSC Задан. f
[ АС2 ~
Телефон. линия (а.б)
АС1 L...J
Fj'= ] А
С КОНД. фильтра
Задание частоты
Подкл. пьезопреобраз. PSO ~ ~ RC СОМ перекл. громкости
а

Тмеф,".
Подкл. л'"и"'
пьезопреобраз.
Конд. запуска
PSO
L1
[PSO
СВ
IIIMI; I~
МС34017 (1,2,3)

GND
RC OSC
RC
Телефон. линия б
«Земля» (общ.)
Задание
СОМ Задание
f
f перекл. громк.

Рис. 3.40. Цоколевка корпусов ИМС МСЗ4012 (а) и МСЗ4017 (6)

48
 МикросхеМbI громкоговорящего режима

3.4. МикросхеМbI речевого тракта

В наших предыдущих книгах уже упоминались
первые образцы микросхем речевого тракта и поэто­
му наш обзор будет начат именно такими «микро­
схемами». Кавычки здесь употреблены отнюдь не в
уничижительном смысле, а потому, что эти устрой­
ства бьши действительно малы по сравнению со
своими предшественниками - транзисторными уси­
сразу стало сомнительным. Поясним, почему? Как
известно читателю из наших (и других) публика­
ций сопротивление постоянному току питающих
мостов АТС в СНГ составляет 1000 Ом (2х500
Ом) при напряжении станционной батареи 60 В, и
800 Ом (2х400 Ом) - при 48 В. Номинальный ток
питания рассматриваемого усилителя составляет

лителями на дискретных элементах. 50 мА. Попробуем определить, при каком сопро­

тивлении постоянному току абонентской линии
Первыми устройствами такого назначения стали
микрофонные усилители, поскольку замена уголь­ мы обеспечим близкое к указанному значение ра­
ного микрофона более современным и более каче­ бочего тока усилителя. Минимальное сопротивле­
ственным по собственным шумам электретным
ние ТА постоянному току в разговорном режиме
потребовала значительного усиления сигнала на
160 Ом, тогда ток в цепи определится из соотно­
шения:
передаче из-за низкой отдачи микрофонов этого
типа. Кроме этого, нужно бьmо согласовать высо­ 1= Uc,/(Rnм +Rал +RтJ;
кое сопротивление электретного микрофона с теле­
фонной схемой и линией.
1) для Исб=60 В, Rnм =1000 Ом и Rтa =160 Ом
В качестве одной из первых попыток решения получим: 1=60I(l160+RaлJ;
этих проблем рассмотрим аналоговую микросхе­
му микрофонного усилителя типа 1026УНl вы­ 2) для Uсб =48 В, R nм =800 Ом и Rтa = 160 Ом
пускавшуюся в начале 80-х годов заводом «Ро­ получим: 1=481(960+RaлJ.
дон» (г. Черновцы, Украина). Это устройство
представляло собой четырехкаскадный транзис­ Допустим 1=50мА, получим для:
торный усилитель постоянного тока, собранный 1) R(L,=40 Ом; 2) Rал=О Ом.
в стандартном корпусе DIP14 (возможно исполь­
зование корпусов других типов) совместно с вып­ Такой результат указывает на возможность эф­
рямительным мостом и схемой регулировки уси­ фективного использования усилителя только на
ления. Сразу же отметим, что этот усилитель не очень коротких (порядка 0,25 км для первого
допускал прямого подключения электретного случая) абонентских линиях, что сразу практи­
микрофона ко входу, а требовал дополнительно­ чески «убило» эту микросхему, т.к. в силу массо­
го согласования обычно в виде операционного вого еще и сейчас использования АТС старых
усилителя (серии 140 или К513). систем длины АЛ и их сопротивления более чем
на порядок превышают значения 0,25 км и 40
Усилитель имел достаточное (до 40 дБ) уси­
Ом. Не рассматривая цоколевки этой микросхе­
ление для того, чтобы уровень передачи ТА был
мы, укажем только, что ее прототипом послужи­
таким же, как и с угольным микрофоном. Час­
ла ZN470E ф. FERRANТI SEMICONDUCTORS
тотная характеристика этого усилителя в диапа­
(Великобритания).
зоне 0,15 ... 7,5 кГц была прямолинейной с точ­
ностью ±1,0 дБ, а напряжение собственного Следующим рассмотрим микрофонный усили­
шума усилителя (вход закорочен резистором 3,0 тель КA8602DjN ф. SAМSUNG, два типономина­
кОм) не превышало значения 0,13 мВ псоф . Как ла которого отличаются только корпусами: N-KOP-
видим, параметры усилителя достаточно хоро­ пус DIP8, D-корпус S08 для планарного монтажа.
ши, но они достигались при таком значении Цоколевка корпуса КА8602О - на рис. 3.41. Ди­
тока, потребляемого от телефонной линии, что апазон рабочего напряжения микросхемы начи­
широкое применение этого устройства в теле­ HaeTcя со стандартного для изделий SAMSUNG
фонных аппаратах на сети СССР, а затем СНГ, значения 2,0 В, а верхний предел 16,0 В. Усили-

КA8602D

Вх. усилителя (А2-инверт.) [ А1

А2
CR
MUTE
Конденс. фильтра
Блокир. микроф.
Вых.усил. АlО А20 Вых. усилителя
Напр. питан. Vcc GND "Земля» (общ.)

Рис. 3.41. Цоколевка корпуса ИМС КА8602D

49
ГЛАВА 3 Краткий обзор микросхем элеКТРОННblХ ТА

тель имеет достаточно большое (до 28 дБ) усиление
в полосе частот от 200 Гц до почти 7,0 кГц с
неравномерностью частотной характеристики не
хуже, чем ±2,0 дБ. Глубокая обратная связь обес­
печивает низкий процент коэффициента гармо­
ник, что позволяет использовать этот усилитель
схемах ЭТА, тем более еще и потому, что предус­
мотрена цепь блокировки микрофона необходи­
мая при тональном способе набора номера. Мак­
симально допустимая рассеиваемая мощность не
превышает 200 мВт, а диапазон рабочих темпера­
тур -20 ... +70 с.
0
а ~aTeM и схемы подавления местного эффекта. В
настоящее время в состав наиболее сложных ИМС
этого типа входят устройства, управляемые звуко­
вым сигналом (голосами говорящих), которые пол­
ностью закрывают пассивное в данный момент
в направление (передачу или прием), превращая схе­
му ЭТА из дуплексной в симплексную. Поскольку
переключение производится за очень короткий от­
резок времени (порядка десятков микросекунд), то
собеседники этого не замечают и разговор идет
совершенно естественно. Как ни странно, это стало

возможным одновременно с внедрением тонально­

Поскольку практически ни один из произ­ го способа набора номера, Т.к. в составе ЭТА по­
водителей микросхем для телефона не выпус­ ЯВИ.нся генератор с достаточно высокой частотой

кал интегральных схем для усилителей приема
для телефона, как отдельных изделий, то сей­
час мы перейдем к рассмотрению схем, объе­
диняюших в составе одного
ройства речевого тракта современных ЭТА. Такие
микросхемы начали разрабатываться и произво­
диться почти два десятилетия назад, Т.е. в конце
70-х гг. Вначале они представляли собой просто
комплект из двух усилителей и схемы их питания
от телефонной линии. Известны примеры ис­
пользования таких сборок в классических схемах
ТА совместно с телефонным трансформатором,
обеспечивающим переход от двухпроводной ли­
нии к четырехпроводной (прием-передача) схеме
аппарата.
Микросхемы речевого тракта фирмы
По мере совершенствования технологии произ­
водства микросхем и повышения степени их интег­
- (3,58 МГц), необходимой для управления такими
переключениями. Эволюцию микросхем речевого
тракта рассмотрим на примере серии ТЕАI06х
корпуса все уст­
ф. PHILIPS.
В составе серии 8 микросхем (13 типономина­
лов) с питанием от телефонной линии с напряже­
нием станционной батареи 24 ... 60 В. Диапазон
рабочих температур стандартный для изделий этой
фирмы (-25 ... +75Т). Все микросхемы серии обес­
печивают балансное сопротивление отображаю­
шее мосты питания абонентских линий с сопро­
тивлениями постоянному току 2х200 Ом, 2х400
Ом и 2х500 Ом. Основные параметры микросхем
TEAI06x приводятся в табл. 3.24.
Здесь и далее, во всех таблицах, где приводятся
данные по усилению, глубине АРУ или уровню звуко­
PHILIPS вых сигналов в устройствах речевого тракта ЭТА
следует учитывать, что измерения nроводились на
частоте JОООГц, при номинальном значении напря­
жения питания и температуре 25 С!
0

рации в составе ИМС речевого тракта появились

дифференциальные системы на операционных уси­ Изменение напряжения на входе микросхем
лителях, заменившие телефонный трансформатор, в зависимости от тока в линии (lLN) показа­
(ULN )
но на рис. 3.42 для минимальных значений

Таблица 3.24.
Усиление, дБ можетприментъсяс
Прщщлы
Тmо- исв Uшпри Р,,=,,!при АРУ при
tp'" 5'С, МИКРОф. телвф. микрофОНОМ телефОНОМ
юмжал мин., В 'ш"'15мА, В (ш~20 .. .70 мА.
,.,Вт
усили - усили-
дБ
твль тмь ЭЛДин. але/<- пьезо- элдиН8М- пьеэо-
мarн.~ трет, ~/<Т. $Лщ/гн. э. эпектр.

7ЕАI0БJ 24 4,25 750 44... 60 17... 39 5,5... 6,3 да нет нет да да

7ЕАI061 24 4,25 750 30 ... 46 17... 39 5,5... 6,3 нет да да да да

7ЕАI062 36 3,55 650 44 ... 52 20 ... 31 до5,В да нет нет да да

ТЕЛ 1О62Т 36 3,55 450 44 ... 52 20... 31 до5.В да нет нет да да

7ЕАI06З 36 3,70 700 47... 55 23 ... 42 до9,0 да нет нет да да

ТЕЛ 1О6ЗТ 36 3,70 550 47... 55 23.. 42 до9,0 да нет нет да да

7ЕАl004А 36 4,20 700 44 ... 52 20.. 45 5,7... 6,5 да нет нет да да

ТЕЛI064АТ 36 4,20 550 44 ... 52 20...45 5,7... 6,5 да нет нет да да

ТЕЛ 1О66Т 24 4,25 550 44 .. 60 17... 39 5,5... 6,3 да да да да да

7ЕАI067 36 3,65 750 44... 52 20 ...45 5,5... 6,3 да да' да' да да

ТЕЛ 1О67Г 36 3,65 550 44 ... 552 20 . ..45 5,5... 6,3 да да' да' да да

7ЕАI068 24 4,20 750 44 ... 60 17... 39 5,5.. 6,3 да да' да' да да

ТЕЛ 1О66Т 24 4,20 550 44 ... 60 17... 39 5,5... 6,3 да да' да' да да

* со специальным аттенюатором.

50
 МикросхеМbI громкоговорящего режима

ТЕА1062 и максимальных значений ТЕА1063 в ление сигнала DTMF примерно в двадцать раз
диапазоне ILN =20 ... 70 мА, что соответствует тре­ ниже, чем речевого сигнала от микрофона, т.к.
бованиям ГОСТ 7153-85.
Все остальные значе­ усилитель DTMF рассчитан на входной сигнал
ния U LN дЛЯ всей серии ТЕА106Х находятся порядка 170 мВ типичный для частотных НН
внутри заштрихованной области. Цоколевка PHILIPS (например, РСО3326). Пределы регули­
корпусов DIP16, DIP18 и DIP20, используе­ ровки усиления достаточны, чтобы на выходе в
мых в этой серии, показана на рис. 3.43 а, б, в линию (Zл=600 Ом) получить уровень сигнала
соответственно. Цоколевка корпусов S020 дЛЯ DTMF, требуемый по ГОСТ 7153-85.
1063Т и 1064АТ не отличается от соответствую­ Типовая блок-схема применения ТЕАI063 со­
ших DIP20, а дЛЯ ИМС 1067 и 1068Т назначе­ вместно с частотно-импульсным НН серии
ние контактов корпуса S020, где 8 и 13 выводы РСО332Х показана на рис. 3.44, где хорошо вид­
не используются, сдвинуто на один для выво­
но назначение контактов 15, 19 и 20.
дов 9 ... 12 и на два для выводов 14 ... 20, по срав­
Микросхема ТЕАI063 отличается от осталь­
нению с корпусом DIP18 этих микросхем.
ных ИМС этой серии тем, что ее схема АРУ
В составе всех микросхем этой серии есть рассчитана на компенсацию потерь в линии с
усилитель сигналов DTMF и схема формирова­ затуханием до 9,0 дБ, что соответствует длине
ния сигнала MUTE для блокировки микрофон­ абонентской линии около 10 км при использо­
ного усилителя при тональном наборе и переклю­ вании кабеля с медными жилами диаметром 0,6
чения усилителя передачи, т.к. последний
мм. Остальные микросхемы серии рассчитаны на
используется также и при тональном наборе. Уси- компенсацию затухания линии до 6 дБ (в сред­
нем), что отображает линию длиной 4 ... 5 км для
кабеля с жилами диаметром 0,4 ... 0,5 мм соответ­
ULN,B
ственно.
ТЕА 1063 U LN тах
6,5
6,0t...:;;_~",,"

Vdd
~
Q
DTMF t--+i DTMF ~ с')

,... MUTE 14 MUTE 8

- -
,
---4--
~ РD 15 DР ~ тастатура
б SLPE OSC

3,015 20 35

Рис. З.42. Зависимость падения

Рис. З.44. Типовая блок-схема применения
напряжения (U LN ) от линейного тока (/LN)
ТЕА1063
дЛЯ серии ТЕА 106Х

'\J
~
LN SLPE
LN
=н=
'\J SLPE
GAS1 =;;:: AGC
GAS1
GAS2
... ~ N
со
AGC
REG GAS2 -!~
=F'=
....
со
REG
=ф: ОА+ Vcc
ОА Vcc О
GAR 1='?:
О
,... MUTE
ОА-
=Н=
,... MUТE
~~ GAR =:~
MIC-
MIC+ ?=:? :i1- 3 DTMF
IR MIC-
:::::;1=
MIC+ =;;=
:i1- DTMF
РО
SТAB '-'
~F -' VEE =i(=
IR
SТAB VEE
'-
а
б

Линейный вход (+) LN "-./ SLPEJ Задание ирегулиров наПJ:)ЯЖ

Установка усиления [GAS1 !=; F VCC2 других элементов схемы ЭТА
усилителя hередачи GAS2 -! i'" AGC Вход схемы АРУ
Выходы усилителя [ ОА+ R ~ ~ REG Стабилизатор напряжения
приема ОА- Q VCC1 Напряжение питания
Установка усиления усилителя приема GAR ~ ~... РО Вход Сигн блок разг тракта при имп НН
Огранич динам диап ус передачи DLS f=~ i1j MUTE Вход Сигн блок микр усил
Выходы микрофонного усилителя [MM1ICC+- R:f' t- IR Вход усилителя приема
DTMF Вход Сигн частотного НН
Стабилизатор тока STAB~]l VEE Линейный вход (-)
I.!::::==::::Г-
в

Рис. З.4з. Цоколевка корпусов ИМС серии ТЕА 1О6х фИРМbI PH/UPS

51
ГЛАВА 3 Краткий обзор микросхем элеКТРОННblХ ТА

Нужно отметить, что усилители в этих микро- (наличие выхода для включения светодиода-ин-
схемах имеют хорошие АЧХ и низкий коэффи- дикатора состояния МТТ). Микросхемы более
циент нелинейных искажений. Это обусловило экономичны, чем предыдущие. Диапазон рабо-
широкое применение серии не только в телефон- чих температур стандартный (-25 ... 75 С). Ос-
0

ных аппаратах фирмы разработчика, но и в ЭТА новные параметры и возможности приводятся В

других производителей (например, SlEMENS). табл.3.26.
Все микросхемы этой серии требуют внешних Цоколевка ТЕА1112 приводится на рис.3.45,
элементов для противоместной схемы (anti-side- цоколевка TEAl112A полностью совпадает с изоб-
tone bridge), детальные расчеты которой (как и
раженной, только сигналы MMUTE и MUTE
других цепей) хорошо изложены в изданиях ф. инвертированы. Цоколевка корпусов S016 также
PHILIPS (lNTEGRATED CIRCUIТS), к которым
мы и отсылаем особо интересующихся читателей,
т.к. эти издания начиная с 1991 года регулярно
Таблица 3.25.
появляются на рынке технической литературы.

Аналоги этой серии выпускались и выпуска- Аналог

прототип
ются многими производителями в СНГ и Бал- ТИfJJноМlfН8Л корпус npoI1380ДI1TIMI>
тии. Как правило, аналоги не имеют отличий
з-д "Светлана ",
от структурной схемы прототипа и его цоко- ТЕА 1067 КР1064УНl DIP18
СПБ, Россия
левки. В табл.3.25 указаны прототипы и их ана-
CER з-д "Светлана ",
ТЕА 1067 КМ1064УНl
логи И перечислены производители. DIP18 СПБ,Россия

Поскольку правил без исключений не суще- ТЕА 1067 КР1085УНl DIP18

к. ·Родон",
и-Фр., Украина
ствует, то и среди аналогов так же нашлось

исключение: в микросхеме SPS-03 в отличие от о. "Интеtpал ",

ТЕА 1068 ЭКР1436ХА 1 2104. 18-А Г.Минск,
прототипа режимы MUTE и PD активизируют- Белоруссия
ся не высоким уровнем (логическая «1»), а низ-
"КвазаР-МI1КРО-
ким (логический «О»). ТЕА 1068 SPS-03 DIP18 техно", г.КИев,
Украина
В начале 90-х ф. PHILlPS разработала и на-
а.о. "Альфа",
чала выпуск новой серии микросхем речевого ТЕА1068 СТ7071 DIP18
г.Рига, Латвия
тракта ЭТА - ТЕАlllх. В настоящее время

опубликованы описания трех микросхем этой ТЕА 1068 UА02УН 1 DIP18

о. "Квазар ",
г.КИев, Украина
серии, выпускаемых в шести типономиналах,

Микросхемы построены на биполярной основе и а. о. "Ангстрем",

ТЕА 1062 КР1074УН32 DIP16 r. Зел еноtpaД,
отличаются от ИМС предыдущей серии компак- Россия
тностью при сохранении всех функций и нали-
чием дополнительных сервисных возможностей
Таблица 3.26.
Рмакс. Усиление, ДБ
ULN ПРI1 n pl1 Актl1Вl<Зация
'LED при rлубина APYnpl1
ТИПОНОМl1нал Корпус ФУНКЦИИ
ILN =I5мA, В 1/.N=15 ...7бмА,мА tp =75"C, Мl!Kp. ycI1лl1Т. телеф. ycI1Лl1Т. luГ2б... бlмА,дБ
MиTE,lМUТE
мВт

ТЕА1112 DIP16 3,35... 3,95 0,5 ... 19,5 625 50,6 ... 53,0 29,7... 32,7 5,8 1(HIGH)

ТЕА1112А DIP16 3,35... 3,95 0,5 .. 19,5 625 50,6... 53,0 29,7. 32,7 5,8 O(LaN)

ТЕА 1112Т S016 3,70 .. .4,30 0,5... 19,5 400 50,6 ...53,0 30,3 ... 32,3 5,8 1(HIGH)

ТЕАIII2А Т S016 3,70 .. .4,30 0,5 ... 19,5 400 50,6 ... 53,0 30,3 ... 32,3 5,8 O(LaN)

ТЕА11)3 DIP16 3,70 . .4,30 0,5... 19,5 625 50,6... 53.0 30,3 ...32,3 5,8 O(LaN)

ТЕА 1113Т S016 3,70 .. .4,30 0,5 .. 19,5 400 50,6 .53,0 30,3 ...32,3 5,8 O(LaN)

Линейный вход (+) LN ь"'"

F ~ ~ VCC Напряж. питан. (+)
Установка напряж. пит. др. ус-тв ЭТА SLPE ~== GAR Уст. усил. приема
N
,..
Подкл. светодиода I LED ~~ ~ ОА Вых. усилит, приема
Уст. лин. напряжения REG F.~ ,.. VEE Линейный вход (-)
Уст. УСИЛ. передачи ,..
GAS
~:g~J Входы микрофонного усилителя
Блокир. микр. MMUTE ~~ L3
=1
Вх. сигн. тон. НН DTMF
1- : AGC Уст. глубины АРУ
Блокир. микроф. при тон. НН MUTE [L IR Вх усилит. приема

Рис. 3.45. Цоколевка корпуса ИМС ТЕА 1112

52
 МикросхеМbI громкоговорящего режима

совпадает с изображенной. Как видно из табл. 3.26. КА8504 - корпус DIP16, усилитель приема управ­
и рис. 3.45, характеристики имс этой серии не­ ляется током линии.

сколько упрощены и усреднены по сравнению с

На рис. 3.46. приведена цоколевка КА8501А.
ТЕАI06х, что совершенно естественно, Т.К. во всем Напряжение питания микросхем этой серии стан­
мире происходит реконструкция телефонных сетей, дартное для изделий SAМSUNG - не более 6,5 В,
направленная на уменьшение длины абонентских диапазон рабочих температур (-20 ... 70 С), а мак­
О

линий и поэтому не нужны большие запасы усиле­
ния и глубины АРУ дЛЯ компенсации потерь в
линиях. Кроме этого, значительно улучшены ха­
рактеристики акустических преобразователей (мик­
рофона и телефона), что также способствовало уп­
рощению имс.
Также, как и микросхемы речевого тракта пре­
дыдущей серии, ТЕАIIIХ требуют внешних це­
пей противоместной схемы и баланса линии, их
расчет описан в издании ф. PHILIPS - «WirеЬоuпd
telecom» (1995г.).
Микросхемы речевоro тракта фирмы SAМSUNG
Практически все крупные разработчики и про­
изводители микросхем выпускали имс анало­
гичного назначения. Поэтому мы сейчас рассмот­
симально допустимая рассеиваемая мощность при
наибольшей температуре ограничивается значени­
ями порядка 600 мВт дЛЯ КА8503 и 500 мВт для
КA8501A и КА8504.
Микросхемы речевоro тракта фирмы THOMSON
Фирма SGS THOMSON также выпускала имс
речевого тракта. В составе ее продукции представ­
лены как простейшие изделия этого назначения -
LЗ280. корпус DIP14, так и более сложные -
LЗ28IAВ. корпус DIP14 и L328IAD. корпус S014.
Эти микросхемы подобно изделиям PHILIPS пи­
таются от телефонной линии. Первая из упомяну­
тых микросхем требует внешнего стабилизатора, а
вторая - имеет встроенный. Напряжение пита­
ния этих микросхем состаRЛЯет величину порядка

рим несколько таких устройств других зарубежных В, а величина допустимой рассеиваемой

2,5 ... 5,0
фирм. Начнем с изделий ф. SAMSUNG, серии мощности состаRЛЯет 600 МВТ.
КА850х, в составе которой три микросхемы: Цоколевка корпуса L3281AD 1 приводится на
КА8501А - корпус DIP16, встроенный стабилиза­ рис.3.47. В отличие от имс этого назначения
тор напряжения для питания других устройств ф. PHILIPS изделия SGS THOMSON не пре­
ЭТА, схема АРУ; дусматривают устройств для питания других эле­
ментов ЭТА. Учитывая тот факт, что ф. SGS
КА8503 - корпус DIP18, встроенная схема подавле­
THOMSON является ведущим производителем
ния местного эффекга на операционных усилите­
микросхем телефонного назначения во Франции,
ЛЯХ, возможность применения нескольких типов
где требования к устройствам телефонной сети
элекrpoакустических преобразователей (телефон),
общего пользования несколько отличны от тре­
Д)IЯ чего в згой имс усилитель приема имеет три
бован'ий существующих в СНГ (например - но­
выхода с различными сопротивлениями, усили­
минальное значение тока абонентской линии в
тель передачи управляется током линии;

ВХ. микр. усилителя MIC1 MIC2 ВХ. МИкр. УСИЛ.

Напряж. пит. (+) Vce Voo о ВЫХ. стаб. напряж.
Блок. микр. УСИЛ. MUТE MFI Вх. СИГН. DTMF
Рез. ОПОРН. уровня А ВА SPOJ Выходы
Конд. фильтра АРУ CAGC SPI усилит. приема

ВЫХ. АРУ AGCO С АХ Конд.развязки ус. пр.

Рез. контр. тока Rcs АХI Вх.усилит. приема
ВХ. перекл. реж. Z8W V се Напр. пит. (-)
Рис. 3.46. Цоколевка корпуса ИМС КА8501А

Вых. сигн. перед. 80 О .,- IL Уст. тока линии

ВХ. СИГН. приема АI ~ АВА Уст. смещения
«Земля» (Общий) GND FТ"~'t1 <1: LINE+ Линейный вход
ВЫХ. сигн. приема. АО ~*~I се AGC Упр. АРУ
ВЫХ. стабилиз. ZD <--'---'"'-_Н N MUTE
Блокир. микр. ус ИЛ.
Вх. микрофон- [MIC- М ВI Вх. СИГН. подтвержд.
ного усилителя MIC+ L..J....I..-t!:::==..I=::::IJ DTMF Вх. тон. НН

Рис. 3.47. Цоколевка корпуса ИМС LЗ281АD1

53
ГЛАВА 3 Краткий обзор микросхем элеКТРОННblХ ТА

СНГ принято 35 мА, а во Франции - 50 мА), 3. PSM506/A-P и PSM506/A-T, корпуса DIP28(P)

поэтому ИМС этого производителя отличаются и SО28(Т). В составе этой серии более мощный
более высоким уровнем потребления по сравне­ усилитель приема, позволяющий использовать
нию с другими производителями. громкоговоритель динамического типа, и соот­

ветствующая схема переключения МТТ-громко­

говоритель.
Микросхемы речевоro тракта фирмы SIEMENS
Все микросхемы речевого тракта SIEMENS не
Микросхемы этого назначения выпускает и
рассчитаны на организацию питания других эле­
такой мощный производитель, как ф. SIEMENS.
ментов ЭТА. В отличие от них микросхема
Не останавливаясь на подробностях отметим,
ТР5700А ф. NATIONAL SEMICONDUCTOR, об­
что известны по крайней мере три серии ИМС
ладая почти всеми (кроме использования громко­
речевого тракта Siemel1s:
говорителя) характеристиками ИМС SIEMENS,
1. РSВ4400-Р, РSВ4400-Т - корпуса DIP18 и S020 такую схему имеет. Цоколевка корпуса DIP16 этой
соответственно. Микросхемы содержат в своем со­ микросхемы приводится на рис.3.48. Микросхема
ставе усилители: микрофонный, передачи, сигна­ рассчитана на «прямое» питание от телефонной
ла DTMF и приема; схему АРУ, схему формиро­ линии. Температурный режим практически не
вания опорного напряжения и устройства отличается от большинства изделий этого назна­
блокировки разговорного тракта при наборе но­ чения (-20 ... +70 0
С). Максимально допустимая рас­
мера (MUТE и PD). сеиваемая мощность порядка 550 мВт.
2. PSB4500-P и Т, PSB4501-P и Т, корпуса
DIP20(P) и S028(T). Кроме перечисленных для Микросхемы речевого тракта фирмы EXAR
PSB4400 элементов эта серия имеет схему фор­
В заключение этого раздела рассмотрим еще
мирования задержки при наборе номера.
изделия аналогичного назначения ф. ЕXЛR, в
составе KOTOPЬ~ есть несколько микросхем ори­
Таблица 3.27.
гинального построения, использовавшихся на на­
Ng СИМ-
назначение
Ng сим-
назншенне
чальном этапе разработок ЭТА. Эти микросхемы
конт. вол конт. вол
представляют собой набор усилительных уст­
1 Vss налfJ'Ж пиг.(-) 15 ни. не IICП.
ройств, объединенных в единый корпус и имею­
2 М/С+ вх. ""кр. уснл. 16 R/+ вх }СWlит. ПРУема
щих общее устройство питания. В составе серии
3 М/С- вх. ""кр. уснл. 17 R/- вх }СWlит. ПРУема
XR- Т6420-х две микросхемы (х=l, х=2), но три
4 ни. не w;п. 18 R/2 вх. 2-го каск. }С. гр.
типономинала потому, что XR- Т6420-2 выпуска­
5 М/СО вых. ""кр. усил. 19 ни. не IICп.
лась в двух корпусах: DIP24, PLCC28. На рис.3.49
6 ТV/ ВХ рег. ус. перед. 20 RO вых. уснл. приема
представлена цоколевка корпуса PLCC28, а в
7 V
вх. рег. напр. ус.
21 VR1
вх. рег. налр. ус.
табл.3.27 показано назначение контактов.
перед. приема
"
вх. рег. налр. ус. вх. рег. налр. ус.
Назначение контактов XR- Т6420-2 в корпу­
8 V", 22 VR!
перед. приема
се DIP24 то же с учетом используемых в корпу­
-
9 GND общий (земля) 23 RV/ ВХ рег. усил. приема
се PLCC. Среди изделий EXAR есть ИМС
XR- Т5995, представляющая собой полный ре­
вых рег. уснл.
10 EN вх. сит. разреш. 24 RVO
приема
чевой тракт ЭТА подобный многим из описан­
ных ранее. Корпус этой микросхемы DIP16.
11 ни. не w:;n. 25 SP/ вх. ус. tpомюговор.

KOljЦeHC. разв. ус.

12 МИТЕ вх. сит. блокир. 26 CSP
tpомюговор.

13 ТI вх. YCW1. П€pед3Чи 27 Vcc напfJ'Ж. пит. (+)

14 ТО ВЫХ. }Сил пере~чи 28 SPO вые ус. tpомюговор

CSP А12
Vcc RI-
5РО RI+

Вых. усилителя приема [:~g ~~ ~ ~ Резистор АРУ Vss н.и.

MIC+ то
Опорное напряж.
Напряж. пит. (-) Vss 1==';= ~ ~ Резистор рег. тока
MIC- n
Н.и. MUТE
Вых. ус. передачи 5ТО ~~ О F Напр. пит. (+)
Вх. ус. передачи 5TI r-- Вх. ус. приема
Вых. рег. ус. передачи РТО;= ~ ~ ] Вых. стабил. напряж.
Вх. микр. ус. MICI ~ ... i=
Вх. сигн. ТОН. НН DTMF О Вх. сигн. блок.

Рис. З.48. Цоколевка корпуса ИМС ТР5700А Рис. З.49. Цоколевка корпуса
PLCC28 ИМС XR- Т6420-2

54
 МикросхеМbI громкоговорящего режима

3.5. Микросхемы громкоговорящего режима

Особое место среди микросхем речевого тракта
занимают ИМС, обеспечивающие режим «haпd ftee»
и громкоговорящую связь. Эти изделия различных
производителей можно условно подразделить на
две группы: микросхемы, используемые совместно
'с ИМС речевого тракта для М1Т и объединяющие
в своем составе обе схемы - обычную и громкого­
ворящую. Наш обзор продолжим, начав с ИМС
первой группы. Вначале рассмотрим изделия серии
ТЕАI083х ф. PHILIPS, в составе которой три типо­
номинала ИМС:
ТЕА1О83 - корпус DIP8, усилитель громкоговори­
(High) уровнем. Эти ИМС используются, как
правило, совместно с устройствами речевого
тракта серии ТЕАI06х.
Почти аналогичную ТЕАI083 микросхему вы­
пускает ф. Motorola - MC34119PjD. Типономи­
нал Р в корпусе DIP8, а D в корпусе S08. Отли­
чие состоит в том, что изделие Motorola имеет
более низкое выходное сопротивление усилителя,
допускающее работу с громкоговорителями сопро­
тивлением от 8 Ом и выше (типовое значение 32
Ом). Диапазон питающих напряжений 2 ... 16 В,
интервал рабочих температур (-20 ... 70 С). Макси­
0

теля с фиксированным усилением 35 дБ и вне­ мальная рассеиваемая мощность может достигать

шним потенциометром для регулировки гром­ 600 мВт при мощности отдаваемой в нагрузку 32
кости. Напряжение питания стабилизированное Ом ПОРЯдка 400 мВт. Усиление - фиксированной
2,95±0,2 В при ILN =15 мА. Диапазон рабочих величины: 46 дБ. Регулировка усиления потенци­
температур (-20 ... 75 С). Максимальная рассеи­ ометром на входе. Потребление тока в режиме
0

ваемая мощность 500 мВт. блокировки не превышает 100 мкА. В СНГ вы­
пускается два аналога этой микросхемы:
ТЕА1О83А - корпус DIPI6, все параметры те же, но
максимальная рассеиваемая мощность 750 мВт. • КРI064УН2 з-д «Светлана», С-Петербург, Россия;
ТЕАI083АТ - корпус SOI6, максимальная рассеи­ • ЭКР1436УНl о. «Интеграл», Минск, Белоруссия.
ваемая мощность 550 мВт. На рис. 3.51 приведена цоколевка МС33119,
Цоколевка корпуса ТЕАI083 приведена на которая полностью совпадает с цоколевкой упомя­
рис. 3.50. Микросхемы «... А» и « ... АТ», которые нyтых выше изделий. Все описанные микросхемы
выпускаются в шестнадцатиконтактных корпу­ чаще всего используются в ЭТА с функцией «free
сах, имеют еще один вход РО - понижение hand» или, как ее еще называют - «монитор». Эта
напряжения (частичная блокировка) при им­ функция позволяет контролировать состояние ли­
пульсном наборе номера. Таким образом, за­ нии и вести набор не снимая трубку.
действуется 9 контактов, а 7 остаются незадей­ Теперь перейдем к микросхемам, обеспечиваю­
ствованными. щим громкоговорящую связь, основное отличие

Эти микросхемы управляются по входу SE которых состоит в наличии в их составе еще

либо от ЭНН, либо от контроллера ЭТА сигна­
лом логической «1» (High). При сигнале «О»
(Low) усилитель находится в состоянии готов­
ности, но его вход заперт.
Микросхема «... А» отличается от «... АТ» тем,
что сигнал РО должен подаваться высоким
одного усилителя - микрофонного и схемы, обес­
печивающей трансляцию сигнала передачи в теле­
фонную линию. Как правило, современные ИМС
этого назначения оснащаются еще и устройствами
управления усилением голосом, что значительно
снижает возможность акустической завязки трак-

ТЕА1083
Напр. пит. (-) Vss VBB Стабил. напр.
Вх. тел. линии SUP SO Вых. ус. гр-ля
контр. вх. тока SRE SE Вх. сигн. разреш.
Вх. ус. гр-ля 511 512 Вх. ус. гр-ля

Рис. 3.50. Цоколевка корпуса О/Р8 ИМС ТЕА 1083

МС34119
Вх. сигн. блок. СО V02 Вых. усил. (инверт.)
Конденсаторы [С2 GND«3емля» (общий)
фильтра питания С1 Vcc Напр. пит. (+)
Вх. усил. V1 V 01 Вых. усил. (неинв.)

Рис.3.51. Цоколевка корпуса ИМС МС34119

55
ГЛАВА 3 Краткий обзор микросхем элеКТРОННblХ ТА

тов передачи и приема. В качестве при мера рас­ телефон, т.к. это выход усилителя приема, но
смотрим серию ТЕАI09х ф. PHILIPS, состоящую при разрешении включения усилителя громкого­

из шести микросхем, каждая из которых выпуска­ ворителя этот выход переключается на вход пос­

ется в двух типономиналах. ИМС громкой связи леднего, становясь его первым каскадом. Имеет
построены по биполярной технологии и имеют входы для подключения внешних элементов це­

достаточно большое потребление мощности, по­ пей баланса, входного сопротивления и Т.д., ана­
этому большинство ЗТА со спикерфоном требуют логично ТЕА106х. Глубина АРУ составляет 6 дБ,
дополнительного (кроме телефонной линии) ис­ что достаточно для компенсации потерь в линии

точника питания. протяженностью 5 км на базе симметричного

Чаще всего таким источником служит батарея из кабеля с медными жилами диаметром 0,5 мм
трех элементов типа АЛ суммарным напряжением (затухание такой свитой пары жил составляет
4,5 В, значительно реже применяются батареи типа 1,2 дБ/км).
«Крона» с напряжением 9 В. Диапазон рабочих Микросхема ТЕАI096 работает под управле­
температур обычный для изделий PHILIPS: (- нием контроллера или частотно-импульсного

25 ... 7УС). Основные характеристики микросхем этой номеронабирателя.

серии приведены в табл.3.28. Все остальные ИМС серии ТЕА109х исполь­
На рис.3.52 показана цоколевка ТЕАI096. Как зуются только совместно с микросхемами се­

видно из назначения выводов микросхемы, в ней рии ТЕА106х, а ТЕА1095 требует еще и допол­
много общего со схемами речевого тракта серии нительного усилителя гроцкоговорителя, Т.к. в

ТЕА106х. К контактам 25 и 27 подключается ее составе он отсутствует.

Таблица 3.28.

Подавление Мощность в МlIKc. J/OпустиМЭft

Уси.nеlfие Усиление j'D1ЛИТ.
сигнала нагрузке )QfЛИТ. рассеиваемая
r"nоноlvlИНВЛ ТИП Kopt"1JtC8 U88 (/sup=I5мA), В микраф. yC>fЛИТ. приема
неактивн. фОМКОГОOOfJИТSЩI, МQЩIi.
(u'..d"1 м8),дБ (U",r20M8), д5 направл., д5 M8T~' (t"'7S'C), м8т

ТЕА 1093 DIP28 3,6±0, 25 15±0,25 18±0, 25 40 100 900

ТЕА 1093Т S02a 3,6±0, 25 15±0,25 18±0,25 40 100 650

ТЕА 1094 DIP28 5.0' 15±0,25 18,5±0,25 40 200 1000

ТЕА 1094Т S028 5.0' 15±0, 25 18,5±О,25 40 200 625

ТЕА 1094А DIP24 5.0' 15±0,25 18,5±0,25 40 200 900

ТЕА1094АТ S024 5.0' 15±0, 25 18,5±0,25 40 200 600

ТЕА 1095 DIP24 5.0" 15,5 6,5 40 - -400

ТЕА 1095Т S024 5.0" 15,5 6,5 40 - -400

ТЕА 1096 DIP28 3,6100,2 52±1 35±1,5 - 100 900

ТЕА 1096А DIP28 3,6±0, 2 52±1 35±1,5 - 100 900

ТЕА 1096Т S028 3,6±0, 2 52±1 35±1,5 - 100 650

ТЕА 1096АТ S028 3,6±0, 2 52±1 35±1,5 100 650

* указано номинальное значение, пределы: 3... 12В; ** то же, пределы: 2,9 ... 12В; *** R L =50 Ом.

Огр. ампл. усил. DLL/DIL LSI ВХ. уСИЛ. гр-ля

громкогов.
Ус. стаб. напр. VBA ОАМ ВЫХ. yc,np. (инверт.)
Вых. ус. гр-ля QLS GAR Уст. УСИЛ. приема
Контр. лин. напр. REG ОАР ВЫХ.усил.приема
ЛинеЙн. вход (-) VEE BAL2 ] Цепи баланса
Резбнаклона Х-Ки SLPE BAL 1 ПРОТИВОМ. схемы
ста или затора
Стабилиз. напр. V BB MICPJ Входы МИКр. усил.
Подкл. резист. АРУ AGC MICM M-инверт.,Р-не инверт.
Вход лин. СИГН. I LS РО Блок.при импул.НН
ЛинеЙн. вход (+) LN DTMF Вх. СИГН. тон. НН
ВЫХ. опорн напр. Vref MUTE Блок. при тон. НН
Уст. входного СОпр. SIMP GAS Устан. уСИЛ. передачи
ВЫХ. пит. напр. др. устр. VDD OSP ВЫХ. предус. пер.
ВЫКЛ. ус. пр. и DLS/ STAB Уст. опорН. напр.
микр. спикерф. М MUTE

Рис. 3.52. Цоколевка корпуса ИМС ТЕА 1096

56
 МикросхеМbI громкоговорящего режима

Для лучшего понимания работы устройств, • «весовой» схемы, оценивающей состояние трак­
обеспечивающих развязку цепей приема и пе­ та и формирующей входной цифровой сигнал
редачи в громкоговорящих речевых трактах и логической матрицы;
работающих под управлением голосом рассмот­ • голосовых ключей, формирующих смещение
рим упрощенную блок-схему ТЕАI095 представ­
первых каскадов усилителей приема и переда­
ленную на рис. 3.53. чи - управляющие их усилением.

В составе этой ИМС есть три основных узла: Рассмотрим назначение некоторых элемен-
• усилитель приема, обеспечивающий компенса­ тов схемы. RС-цепочки с индексами Т и R
цию потерь в абонентской линии (усиление устанавливают пороги чувствительности СООТ7

всего 6,5 дБ, см. табл. 3.28) и являющийся, по ветствующих логарифмический усилителей, а
сути, предусилителем громкоговорителя; емкости с такими же индексами - время вклю­

чения усилителей.
• усилитель передачи, рассчитанный на совмест­
ную работу с микрофоном низкой отдачи (см. Резистор R STAB устанавливает опорное напря­
табл. 3.28) и обеспечивающий усиление рече­ жение в схеме голосовых ключей, а R SWR -
вого сигнала до уровня достаточного для нор­ порог срабатывания ключа приемного тракта.
мальной работы тракта передачи микросхем Емкость C SWТ определяет время переключения
серии ТЕА106х; ключа тракта передачи.

• дуплексный контроллер - схема обеспечиваю­ Схема регулировки уровня громкости при­

щая постоянное наблюдение за состоянием обо­
их трактов и имеющая три рабочих состояния:
• тракт передачи открыт, тракт приема заперт;
• тракт приема открыт, тракт передачи заперт;
• оба тракта при крыты на 50%
режим обоюдной паузы в разговоре.
Описанные режимы реализуются контроллером
при помощи следующих устройств в его соста­
ема построена таким образом, что максималь­
ному значению R YOL соответствует сигнал пол­
ностью закрывающий тракт передачи через
соответствующий ключ. Сигналы MUTE Т и
MUTE R закрывают тракт передачи или при­
их усиления - ема во время набора номера тональным или
импульсным способом соответственно. На этом
обзор громкоговорящих ИМС PHILIPS завер­
шим и перейдем к аналогичным изделиям дру­

ве:
гих производителей.

Рассмотрим микросхему гро~кой связи уп­

• логарифмических усилителей (LOG) с несколь­
кими буферными каскадами (на схеме не пока­ равляемую г.олосом МС34018 ф. MOTOROLA,
которая выпускается в трех типономиналах и
заны), обеспечивающими усиление сигнала в
довольно широко используется в схемах совре­
логарифмическом масштабе до уровня необхо­
менных ЭТА со спикерфоном:
димого ДЛЯ работы последующей схемы;
• МС34018Р- корпус DIP18;
• MC34018DW - корпус S018;
Г~==;;,~;;;.=;;~;;;===~~
15
MUTET
(от КОНТРОЛЛ.)
• MC34018FN - корпус PLCC28.
По назначению контактов цоколевка всех ти­
16 к ТЕА106Х
>-~~- пономиналов полностью совпадает. Микросхема
имеет собственный стабилизатор напряжения и
питается от телефонноj1: линии непосредственно.
CSWT Особенностью этой ИМС является наличие двух
значений питающего напряжения: Усс =5,4 В и
Н Ув =2,9 В. Напряжение 2,9 В используется для
питания первых каскадов усилителей, а также в
качестве опорного напряжения в цепях сравне­

ния. Диапазон рабочих температур (-20 ... 60 0

С).
По применению эта микросхема подобна
ТЕА1093, т.к. используется совместно с ИМС
речевого тракта. Микросхема является усовер­
шенствованным аналогом МС34118, отличаясь от
к усил 5 2 от ТЕА106Х последней только наличием усилителя громкого­
ГРОМКО-
говорит.
++-"+-< ворителя. Цоколевка корпуса S028 показана на
L-------~~~~~~==~t-~M~UTER рис. 3.54. В СНГ (з-д «Светлана», СПБ, Россия)
L -____________-+=~ ____-:--___I (от контролл.)
выпускается аналог МС34118 - КРI064ХАl, ко­
торый можно использовать совместно с
КР1064УН1 так же, как используется МС34118 с
Рис. 3.53. Упрощенная блок-схема ИМС МС34119 P/D.
ТЕА1095

57
ГЛАВА 3 Краткий обзор микросхем электронных ТА

Аналогом MC34018 ЯRЛяется ИМС AN959 фир­ ИМС, поставляемая изготовителем в 52 выводном
мы MATSUSHIТA, торговая марка PANASONIC. корпусе типа TQFP-52 или в 42 выводном SDIP-
Представляет интерес громкоговоряшая 42, обеспечивает все базовые функции интерфейса
ИМС РВМ3911 ф. ERICSSON, в которой уп­ телефонной линии (разговорной схемы), а также
полнодуплексную громкоговоряшую связь с «тон­
равление аттенюаторами передачи и приема
ким» автоматическим регулированием электроаку­
осушествляется цифровым способом с приме­
нением линейного АЦП формируюшего циф­ cтичecKoй обратной связи системы микрофон (М1Т
или внешний) - телефон (М1Т или динамик).
ровой сигнал управления. Задаюший генератор
схемы управления имеет частоту 25 кГц, что МС33215, схема которой приведена на рис. 3.56,
соответствует периоду следования тактовых
содержит в себе следующие основные узлы:
импульсов 40 мкс И В комплексе с «весовой» 1. для обеспечения функций линейного интерфейса:
схемой, подобной использованной в ТЕАI095, • согласование NI по переменному и постоянно­
обеспечивает закрытие пассивного канала и от­
му току, включая регулировку и согласование с
крытие активного незаметно для разговариваю­
полным сопротивления NI (активной и комп­
ших. Микросхема выпускается в корпусе DIP24.
лексной состаRЛяюших);
Цоколевка PBM3911 показана на рис. 3.55.
• устройство эффективного и стабилизированно­
Аттенюаторы 1 и 2 управляют усилением
го питания (отдельно для внешнего микрофона
тракта передачи, а 3 и 4 - усилением тракта
и микрофона М1Т);
приема. Основными задатчиками, кроме уже
упомянутого линейного АЦП, управляюших
• раздельные питаюшие цепи для режима
«speakerphone» и МТТ;
воздействий на схему управления являются де­
текторы огибаюшей в трактах передачи и при­ • раздельные усилители приема и передачи (с
ема масштабируюшие усилители и пороговое дифференциальным входом микрофона);
устройство с большой постоянной времени. • цепь местного эффекта с автоматической регу­
Одной из наиболее мошных ИМС (если не лировкой компенсации затухания М;
самой функционально-производительной) в дан­ • вход MUTE цепи микрофона и телефона;
ном классе устройств на сегодняшний день, яв­
• отдельный вход сигналов ОТМР;
ляется продукт ф. MOTOROLA - МС33215. Эта

Рез. оп. тока R TANC RRANG Рез. усил. пр.

Рез. ус. пер. RTANG АА1 Вх. атт. пр.
Вх. атт перед. ТАI ААО Вых. атт. пр.
Вых. атт. перед ТАО С АС Емк. фильтр. атт.
Вх. дет. перед ТОI VOLI Вх. рег. атт.
Вых. дет. перед. ТОО ТОСI Вых.дет.-комп.пер
Вх. дет. приема АОI GNO «Земля» (общий)
Вых. дет. приема АОО VB Напр.пит. 2,9 В
Вход микр. [ MICI Vcc Напр.пит. 5,4 В
усилит-ля MICO SPAI Вх. уСИЛ.гр-ля
АС цепь деТ.пер. АСто RSI Вх. уст. реж. пит.
Емк.дет.сигн.jшум CSND CpL Емк. пиков огр.
Вх. дет. сигн.jшум SNOI V+ Вх. телеф. ЛИНии
«Земля» (общий) GNO SPAO Вых. усил. гр-ля
-I!::======.i
Рис. 3.54. Цоколевка корпуса ИМС МСЗ4018DW

Рез. уст. оп. напр. R REF Vcc Напряж. питан.(+)

ВХ. блок. микр. MUTE RCosc АС цепь генератора
Вх. опорн. напр. REFI МТНI Вх. напр. порога пер.
Вых. дет. приема LSCPO МСРО Вх. дет.огибающеЙ
Вх. атт. 3 и 4 АТ341 АТ121 Вх. атт 1 и 2
Вых. усил. гр-ля LSO моо Вых. атт. передачи
Вых. усил. приема LSAO МАО Вых. микр. ус-ля
Вых. масшт. усил. пр. LSFO MFO Вых. масшт. микр. ус-ля
Вх. масшт. усил. пр LSFI MICNVI Вх. масшт. микр. ус-ля
Вх.усил.гр-ля LSI BGPO Вых. дет. уровня
Вх. регул приема VDLI CTIM Емк. пост. времени
«Земля» (Общий) GND REFO Вых. опорн. напряж.

Рис. 3.55. Цоколевка корпуса ИМС РВМЗ911

58
 МикросхеМbI громкоговорящего режима

• цепь питания периферийной схемы ТА. Завершая на этом обзор схем громкоговоря -
2. для обеспечения функций работы в режиме щих ЭТА, считаем необходимым отметить не­
сколько общих моментов:
«speakerphone» :
• устройство управления логикой работы; • поскольку усилители громкоговорителей тре­
буют достаточно большой мощности от источ­
• интегрированный усилитель цепи микрофона ника питания, то читатель должен уяснить, что
(с дифференциальным входом) и громкогово­
хороший ТА с функцией «speakerphone» не мо­
рителя;
жет питаться только от телефонной линии с ее
• интегральный переключатель режимов, обеспе­ ограниченными возможностями по мощности
чивающий регулируемое переключение режи­ постоянного тока;
MoB работы;
• время переключения трактов приема-передачи
• устройство слежения за уровнем шума; при разговоре (10 ... 30 мкс) незаметно для собе­
• устройство регулировки «глубины» переключе­ седников, но в значительной степени зависит
ния; от опорного напряжения управляющих элемен­

тов микросхем. Поэтому нужно вовремя заме­

• устройство регулировки паузы при переключе­
нии входов усилителя;
нять батареи в телефонном аппарате, тем более
потому, что они поддерживают нормальное
• детектор звуковой огибающей канала приема.
функционирование и других узлов ЭТА (па­
мять, жидкокристаллический дисплей и т.п.).

ЦЕПЬ ПЕРЕМЕННОГО ЦЕПЬ ПОСТОЯННОГО

ТОКА ТОКА

СИГНАЛЫ АЛ
ДВУХЧАСТОТНОГО
ДЕЛИТЕЛЬ
КОДА
ТОКОВ ПИТАЮЩЕГО
НАПРЯЖЕния

МИКРОФОН
М/Т ТРУБКИ
'------4--1 +
РЕГУЛЯТОР
ТОКОВ И
АПЕНЮАТОР НАПРЯЖЕНиЯ
миКРОФОН
ВНЕШНИЙ (РЕГУЛЯТОР АВТОМАТ ПЕРЕРАСПРЕ· I---+-----+..г-.......
ДЕЛЕНИЯ
ИЗМЕНЕНИЯ УСИЛЕНИЯ)

ВХОДНЫЕ
СИГНАЛЫ
КОНТРОЛЛЕР

НАПРЯЖЕниЕ
1----------...., УПРАВЛЕНИЯ ДУПЛЕКСНОЙ 1-1----------------+--<
СВЯЗЬЮ
ПИТАНИЯ
(ОТТЛ.
ТЕЛЕФОН
ЛИБО ВНЕшнЕЕ)
М/Т ТРУБКи
АПЕНЮАТОР
(РЕГУЛЯТОР АВТОМАТ
ИЗМ УСИЛЕНИЯ ДИНАМИКА)
ГРОМКОГОВОРИТЕЛЬ
ВНЕШНИЙ

AuХlllЗry Iпрut

Рис. 3.56. Упрощенная структурная схема СБИС МСЗЗ215FВ (МСЗЗ215В)

59
ГЛАВА 3 Краткий обзор микросхем элеКТРОННblХ ТА

3.6. Микросхемы телефонных контроллеров (ери)

и «однокристальных» ТА

Этот раздел посвящен обзору довольно слож- =

DIP28, если А Т, то - S028. Основные харак-
ных ИМС современных электронных телефон- теристики приведены в табл. 3.29.
ных аппаратов - управляющим контроллерам,
у всех перечисленных выще микросхем одина-
а также еще более функционально и техноло- ковый диапазон рабочих температур (-25 ... 70·С),
гически насыщенным устройствам - так назы-
максимальная рассеиваемая мощность не превы-
ваемым ИМС «однокристальных» ТА. щает 500 мВт. Все микроконтроллеры этой серии
Как правило, контроллеры в «чистом» виде выполняют свыше восьмидесяти инструкций,
используются ЭТА, насыщенных
в СложfIЫх причем каждая из них выполняется за 1 или 2
многими сервисными функциями. Во многих цикла (инструкции базируются на документе
случаях микросхемы контроллеров объединя- МАВ8048, подробности см. «PHILIPS, Data
ют, кроме функций управления, еще и другие, НапdЬооk,IC03a, 1991»).
например, формирование сигналов DTMF и
На рис. 3.57 показана цоколевка корпуса
импульсного набора, управление жидкокристал-
DIP20 PCD3347P, а на рис. 3.58 типовая блок-
лическим дисплеем, управление работой ОЗУ и
схема применения этой ИМС в схеме телефон-
Т.д. (например, рассмотренные в разделе 3.2 ного аппарата.
микросхемы ф. UMC и WINBOND).
Остальные микросхемы этой серии (кроме
Рассмотрим сначала, в качестве примера, се-
РСО3315 и РСОЗ341) используются в более
мейство (серию) 8-битных телефонных микро-
сложных схемах ЭТА совместно с ИМС внеш-
контроллеров ф. PHILIPS PCD33xxA. В составе ней памяти, драйверами жидкокристаллических
этой серии 8 микросхем КМОП технологии.
дисплеев, часами-календарем и Т.п.
Каждая из них выпускалась (или выпускается) в
Среди изделий других производителей ИМС
корпусах двух типов: если А = Р, то корпус
для электронных телефонных аппаратов мик-

Таблица 3.29.

Памт"Ь частота
К-е о Наличие Наличие
Напряжение 7IJ(ТOBoт
Тип noртов программнот генергтора Пр_чание
пит., В генера тора,
ROМ, RAM, (бит) таймера DTMF
МГц
кбит бит

РСОЗ315 1,8.. 6,0 1,5 160 3(20) 0,1 ... 10 + -

РСОЗ341 2,5 ... 6,0 3,0 224 3(20) 3,58 +

РСОЗ343 2.5 ...6,0 3,0 224 3(20) 0,1 ... 10 + -

РСОЗ344 2,5... 6,0 2,0 224 3(20) 3,58 + +

РСОЗ346 2,5 ..6,0 4,0 128 3(20) 0,45 ... 10 + -
корпуса
DIP20,
РСОЗ347 2,5 .. 6.0 1,5 64 2(12) 3,58 + + 5020
РСОЗ348 1.8... 6,0 8,0 256 3(20) 0,45 .. 10 +

РСОЗ349 2,5 ... 6,0 4.0 224 3(20) 3,58 + +

Г4~;; гv '"1= РО"]

Порт РО РО,5 i=='~ РО,2 Порт РО
биты 4 ... 7 Po,6?~ Q. 1= РО,1 биты 0 ... 3

1-й тест вып. инстр.

РО,7 t=ф:
Т1
r--
~
I=tr vРО,О
F= ~ оо Напр. пит. (+)
Подкл. резонатора или [XTAL 1 == ~ м
~ TONE Вых. частот тон. НН
частоты от внешнего XTAL 1 == ~ м
генератора г= ;= а v
~ 88 Напр. пит. (-)
Перезапуск, прерывание
2-й тест вып. инстр.
RESEТ г= ~
CEfТO!=: [
U
Q.
F#= Р1,3] Порт Р1
trr= Р1,2 биты 1... 3
Порт Р1,бит О Р1,0,- Р1,1

Рис. 3.57. Цоколевка корпуса ИМС РСDЗЗ47Р

Rn

росхемы контроллеров в чистом их виде почти не
встречаются. Большинство фирм предпочитают
производить микросхемы многофункционально­
го назначения. Среди микросхем подобного на­
значения, произведенных в СНГ, можно указать
(на момент написания этого обзора) только одну -
КРI008ВЖЗ, которую выпускал з-д «Экситон»
(г. Павловский Посад, Россия). Хотя основное
назначение этой КМОП микросхемы - управле­
ние индикацией, но она, кроме этого, обеспечи­
вает взаимодействие между узлами ЭТА. Такто­
вый генератор имеет частоту 32768 Гц (т.н. часовой
кварц), что и используется в схеме часов и тай­
мера продолжительности разговора. Микросхема
выпускается в 48-контактном корпусе и МОжет
управлять как светодиодным, так и жидкокрис­
таллическим дисплеем. Напряжение питания
2,5 ... 5,0 В, а диапазон рабочих температур (-
45 ... 80 0
С) допускает использование ИМС в аппа-
ратах наружной установки (например, в таксофо­
нах).
Следует еще упомянуть о применении в ТА
универсальных микроконтроллеров,
нашли особенно широкое использование в ТА с
функцией автоматического определения номера
(АОН). Данные ТА выпускаются многими фир­
мами стран СНГ в основном на базе универ­
сальных микроконтроллеров фирм
ZILOGH, а также их многочисленных аналогов,
производимых, в. том числе и в странах СНГ.
Рассмотрим в краткой форме основные характе­
ристики микроконтроллера КР1816ВЕЗ9 (аналог
8039 ф. INTEL) используемый в много­
функциональном устройстве KVINTA,
ренном в главе 4.
ИМС однокрисгальной микро-ЭВМ КР1816ВЕ39
производимая на предприятии КВАЗАР (Украи­
на), выполнена по п-канальной МОП технологии в
4О-выводном корпусе. ИМС имеет в своем составе
процессор, работаюший на частоте 11.0 МГц, внут­
реннее ОЗУ на 128 байт, два 8-разрядных порта
ввода-вывода, таймер, устройство прерывания
другие блоки. Адресная шина и интерфейс процес-
Рис. 3.58. Типовая блок-схема применения РСDЗЗ47D
Микросхемы телефонных контроллеров (ери)
сора позволяет работать с внешним ПЗУ объемом до
двух кбаЙт. В связи с достаточным кОличеством ли­
тературы по данному вопросу (например Справочник
по однокристальным микро-ЭВМ, 1994г. Издатель­
ство «Бином», Москва), а также в связи с более
конкретным описанием работы КР1816ВЕ39 в соста­
ве устройства в следующих главах здесь наше описа­
ние мы закончим.
В последние годы благодаря многочисленным
технологическим достижениям, в первую очередь
микроэлектроники, нередки случаи объединения
всех основных узлов телефона в единой БИС или
даже СБИС, которую условно принято называть
«ОДНОКРИСТaJIЬНЫЙ» ТА (Siпglе Chip Теlерhопе IC).
В данном разделе, в обзорном виде рассмотрим
ИМС «однокристальных)> ТА фирм ТEМIK и AМS.
ИМС «однокристальных» ТА ф. AMS пред­
ставлены на сегодня несколькими сериями. Рас­
смотрим одну из них, включаюших четыре ба­
зовых микросхемы - AS2533, AS2534B, AS2535 и
AS2536, отличаюшихся, в основном, наличием
памяти прямого и двухкнопочного набора, ее
которые
количественным соотношением в разных ИМС
и небольшой разницей в дополнительных сер­
висных функциях.
ИМС предназначены для работы в диапазоне
INTEL и температур (-25 ... +70 0 С) при рекомендованном
рабочем напряжении от 4 до 5 В и выпускаются
в 28 выводных корпусах типа SOIC или DIP.
Микросхемы обеспечивают следуюшие ос­
новные функции:
рассмот­
• импульсный и частотный набор номера;
• повтор последнего набранного номера (ОЗУ на
31 цифру);
• память прямого набора (одвокнопочный на­
бор) номера до 12 ячеек ОЗУ на 21 цифру (для
каждой ИМС число ячеек разное);
• память двухкнопочного набора номера до 10
ячеек ОЗУ на 21 цифру (для каждой ИМС чис­
и ло ячеек разное);
питание
MUTE РСDЗЗ47Р ~r++-t-f
РО контрол.
DTMF иНН
тастатура
З,58МГц
ВЫЗОВ
61
ГЛАВА 3 Краткий обзор микросхем элеКТРОННblХ ТА

• программировани:е режима работы (выбор импуль­ компенсацией потерь в АЛ - динамический или

сного коэффициента - 33/66 или 40/60, скорости пьезоэлектрический телефон.
набора - lO или 20 импульсов в секунду и др.); Импульсно-частотный номеронабиратель по­
• возможность выбора диапазона компенсации за­ зволяет изменять соотношение импульсного ко­

тухания АЛ; эффициента (1,5 или 2,0) и скорость импульс­

ного набора номера (10 или 20 имп. В с). ОЗУ
• возможность оперативного изменения громко­
сти приема с помощью кнопок (<Vol +/-» (5 последнего набранного номера имеет емкость
ступеней реryлировки в диапазоне l3.5 дБ); на 31 цифру. Существует также возможность
выбора времени запроса услуг АТС-94, 250 или
• трехтональный генератор ТВУ с частотным дис­ 600 мс И звуковой индикации нажатия кнопок.
криминатором.
Электронное двухтональное вызывное уст­
Цоколевка корпуса DIP28 ИМС AS2533 по­
ройство расчитаное на работу с низкоомным
казана на рис. 3.59.
мощным динамиком содержит перестраиваемый
Несколько ИМС «однокристальных» ТА про­ RC-генератор и дискриминатор напряжения
изводит также и ф. TEMIC (Германия), здесь сигнала вызова.
мы рассмотрим в обзорном плане одну из них - Работа внутренних делителей ИМС опреде­
U3760MB. ляется внешним кварцевым или керамическим
Микросхема U3760MB, выпускаемая изгото­ резонатором на частоту 3,5795 МГц. Микросхе­
вителем в 40-выводном корпусе SDIP и 44-вы­ ма позволяет подключать тастатуру с макси­
водном SS044, обеспечивает работу с низко­ мальным полем - 4х4 и работает при окружа­
вольтным напряжением питания. Поэтому ющей температуре от (-25 до 75 0 С).
соответствует строгим предписаниям американ­
Цоколевка корпусов SDIP40 и SS44 ИМС
ского стандарта при работе нескольких, вклю­
U3760MB показана на рис. 3.60.
ченных параллельно, телефонных аппаратов.
Как и любая другая ИМС «однокристального» На этом рассмотрение ИМС телефонных кон­
ТА, микросхема включает в себя все необходи­ троллеров и одно кристальных ТА завершается.
мые функциональные блоки: разговорный узел Заканчивая наш краткий обзор микросхем, ис­
со схемой согласования с линией, импульсно­ пользуемых в электронных ТА, мы еще раз хо­
частотный номеронабиратель и тональное вы­ тим напомнить читателям, что этот обзор нико­

зывное устройство. им образом не претендует на обсолютную полноту,

а является только «введением В предмет». Более
Разговорный узел помимо про чего позволя­
полные и современные сведения по ИМС для
ет подключать любые типы микрофонов, а уси­
телефонии Вы найдете в соответствующих спра­
литель приемного модуля с автоматической
вочных изданиях.

ВХОД распознавания тока дл LS ,....-Гг~,=;]-,,"!n АI ВХОД приемных сигналов

Установка УРОВНЯ сигналов OTMF MFL ===S LI ВХОД управления током АЛ
ВЫХОД подключения телефона (с импеданс 140 300 Ом) АО =! V ss Отрицательный вход питающего напряжения
Напряжение питания (+) ~o =j CS Выход шунтирования (аналогичный выходу разг ключа РК)
Аналогова~=~;~:~~:::~г~Л~~:;:l A~~~ ~ ~ ~~ J Входы подключения (дифференц ) электретн микрофона
Вход подключения конденсатора комплексного импеданса СI а? It) LED ВЫХОД подключения индикатора режима MUTE
Выход генератора ТВУ МО N 1 FCI Вход дискриминатора ТВУ
Вход выбора уровня компенсации затухания АЛ LLC ~ А1 ]
Вход РП и выход импульсного набора номера (ИК) HS/DP .... А2
ВХОД подключения кварцевого (керам) резонатора ose RЗ ВХОДЫ подключения тастатуры (строки)
ВХОД выбора режимов работы номеронабирателя МОDЕ А4

Входы подключения тастатуры (столбцы) [ g~ g~ J Входы подключения тастатуры (столбцы)

Рис. 3.59. Цоколевка корпуса ИМС АS25ЗЗ
 МикросхеМbI телефОННblХ контроллеров (ери)

ш А4
Входы тастатуры (строки)
C1L... ....
Входы таСТа1УРЫ (столбцы)

Выход звуковой индикации

[
С2 ~~

С3 F;=
~1*8 АЯ 32 ]

нажатия КНОПКИ (кроме FLACH,REDIAl)

Входы подключения KBaPtteBOro [
ИЛи керам. резонатора 3,579545 МГц
кт ~=ф
ХТ '- .....
ХТ ~~
~~ ~~
..,~ МООЕ
ВЫХОД импульсного ключа
ВХОД выбора режимов работы номеронабирателя
Выход сигналов DTMF MFO 1- ВМ Цепь программирования имп. коэффициента

Общий "Земля" rGND2 L.. F" нкs Вход рычажного переключателя (РП)

Инверсный вход микрофонного усилителя

LGND1 r-
MIC 1
~
L...
V oo 2
Voo 1
] Питание цепи номеронабирателя

Прямой вход микрофонного усилителя MIC2 го OUT Выход пьезоизлучателя ТВУ

Выход предусилителя передачи MICO ~ АСК АС-генератор для ТВУ
Положительный ВЫВОД питающего напр. VL ~ VRING Питание ТВУ (после стабилизации напр. вызова до ЗОВ)
ВХОД регулировки импеданса ПО пост. току RDC VRIAC Питание ТВУ
rn= AGC Цепь регул пр./перед для разных АЛ (от коротких до длинных)
Вход цепи регулировки линейных усилителей
Цепь балансного контура
NC
nN I ~A Вход регулировки гистерезиса ТВУ
ВЫХОД балансного контура
ВЫВОД ДЛЯ тестирования
VI
MUTE
14 ST
PRIVACY Вход MUTE
ВЫВОД дЛЯ тестирования VBG АЕСО1 Выход приемного усилителя (телефон)
Вход приемного усилителя (телефон) RECIN -I.!:====r- АЕСО2

а)

Входы тастатуры (столбцы) [

С1
С2
сз
=!=
=~
\J
~ А4
А3
А2
J Входы тастатуры (строки)

NC =1= F А1
NC =-= F NC
NC = ОР ВЫХОД импульсного ключа
ВЫХОД звуковой индикации
нажатия кнопки (кроме FLACH,REDIAL)
ВХОДЫ подключения кварцевого [
кт
хт
'" МООЕ
ВМ
Вход выбора режимов работы номеРОНf,бирателя
Цепь программирования имп. коэффициента
или керам. резонатора 3,579545 МГц ХТ HKS Вход рычажного переключателя (РП)
aI ~ NC
Выход сигналов DTMF MFO
Общий "Земля" rGND2
LGND1
:Е
Q
10
F.
~ V oo 2
VDo 1
J Питание цепи номеронабирателя

Инверсный ВХОД МИКРОфОННОГО усилителя

Прямой ВХОД МИКРОфОННОГО усилителя
MIC1
MIC2
1'0
со)
;:)
R
1,,;:
OUT
АСК
ВЫХОД пьеэоизлучателя ТВУ
АС-генератор для ТВУ
Выход предусилителя передачи MICO VRING Питание ТВУ (после стабилизации напр. вызова до 30В)
Положительный ВЫВОД питающего напр. VL F. VRIAC Питание ТВУ
Вход регулировки импеданса ПО пост. току АОС
I=i AGC Цепь регул. пр./перед. для разных АЛ (от коротких до длинных)
ВХОД цепи регулировки линейНыХ усилителей nN ТНА Вход регулировки гистереЗиса ТВУ
Цепь балансного контура VI 19 ST ВЫХОД балансного контура
Вывод для тестирования MUTE
F! PRIVACY Вход MUTE
ВЫВОД для тестирования VBG ~ АЕСО1 ВЫХОД приемнога усилителя (телефон)
Вход приемнога усилителя (телефон) RECIN
19 RI'C02

б)

Рис. 3.60. Цоколевки корпусов ИМС ИЗ760МВ

а) корпус $D1P40
б) корпус $$44

БЗ

СОВРЕМЕННЫЕ ЭТА ПРОИЗВОДСТВА СТРАН
СНГ И БАЛТИИ
4. 1. Телефонные аппараты фирмы Телта
Несмотря на экономический кризис и мощ­
ный натиск зарубежных производителей, со­
здавший невиданную ранее на
СССР конкуренцию на рынке телефонных ап­
паратов, основные разработчики и производи­
тели ТА продолжают свою деятельность. Са­
мый мощный разработчик и производитель ТА
в СССР - Пермский телефонный завод сохра­
нил свои позиции и в СНГ, хотя и в новом
обличии. Теперь это фирма Телта, в составе
которой есть исследовательские лаборатории,
конструкторское бюро и завод. Телта занимает­
ся как разработкой и выпуском новых совре­
менных аппаратов, так и совершенствованием
ранее разработанных и серийно выпускаемых
аппаратов, таких привычных пользователю
всей территории СНГ.
Именно поэтому, мы начнем обзор с продук­
ции этой фирмы, следуя принятой ( см. гл.2)
нами УСЛОВI;lОЙ классификации ЭТ А.
Вначале рассмотрим типичные образцы про­
стейших электронных аппаратов «Телта
«Телта 204», отличающихся конструкцией корпу­
са и расположением кнопок номеронабирателя
«<Телта 201» - НКИ (3х4) , «Телта 204» - «Су­
венир - Н» С расположением кнопок по круту).
4. 1. 1. ТелефОННblЙ аппарат
«Телта 201»
Принципиальная схема «Телта
дена на рис. 4.1. Остановимся на элементной
базе и общих принципах
построения схемы.
Первое, что следует указать - это построение
разговорного тракта полностью на дискретных
активных элементах - транзисторах (VТ2 ... VТ6),
резисторах и емкостях, образующих схему по­
давления местного эффекта и обеспечения балан­
са линии. Прием вызова и набор номера органи­
зован на микросхемах КРI064ППl
КРIО08ВЖl (001) соответственно. В качестве
электроакустического преобразователяиспользо­
ван пьезоэлектрический элемент типа ПВА-l
(BQ1) с простейшей схемой регулировки громко­
сти вызывного сигнала типа «трель», работающей
по принципу: «включено-выключено». Импульс-
64
ГЛАВА 4
ный И разговорный ключи выполнены на элект­
ронных ключах КРI0114КТIА (0А2, ОА3 -
территории
импульсный ключ, ОА4 - разговорный). Диоды
УО 1 и УО2 обеспечивают независимость от по­
лярности линейных проводов, а схема из диода
УО3, стабилитронов УО4, УО5 и полевого тран­
зистора VТl осуществляет стабилизацию напря­
жения питания микросхемы номеронабирателя
001. Работа микросхем ТВУ (ОАl) и ЭНН (001)
этих типономиналов достаточно описана в пре­
дыдущей главе настоящего издания, и на этом
останавливаться не будем. Рассмотрим общие мо­
менты работы этОго ТА в целом, учитывая, что
набор номера осуществляется только импульс­
ным способом.
на
1. Питание 001 в состоянии ожидания вызо­
ва (или отбоя) осуществляется по цепи:
a~R2~VD1~VD3~VТ1~RI0~001.3~
~001.13(14,15,17,6)~VD5~VD2~R3~б
(или наоборот б~ ... а, при обратной полярности
201» и ПРОВОдОВ). Эта цепь обеспечивает сохранение в
ОЗУ 001 последнего набранного номера и под­
держивает режим готовности микросхемы. Ре­
зистор R3 со значительным сопротивлением (100
кОм) ограничивает ток в линии до значений, не
превышающих разрешенных ГОСТ 7153 (в дан­
ном конкретном случае до величины порядка
0,3 ... 0,4 мА), а схема стабилизации защищает
001 от перенапряжения при приеме вызова.
2. При поступлении вызова по цепи:
а~Rl~ОАl.l~ОАl.8~Сl~R4~SВ1.l~б
ОАl запитывается от индукторного тока и
201» приве­ вырабатывает сигнал вызова типа «трель», час­
тоты которого (и время их звучания) определя­
ются R5 и С2. В составе ОАl есть выпрями­
тельный мост и стабилизатор напряжения,
поэтому схема вызова практически не связана с
остальными узлами ТА.
3. В состоянии «телефонная трубка поднята»
резистор R3 закорачивается контактами SB 1.1,
а контакты SB2 отключают 001.6 от общего
(ОАl) и про вода и подключают его к цепи питания
(см. 1), по которой теперь поступает ток вели­
чиной 20 ... 70 мА, в зависимости от сопротивле­
ния шлейфа абонентской линии.
4. При наборе номера с 001.12 поступают
импульсы, количество которых определяется на-
 ТелефОННblе аппараТbI ФИРМbI Телта

жатой кнопкой тастатуры. Эти импульсы управ­ Несколько слов о дизайне и механической
ляют работой импульсного ключа (DА2, DА3), конструкции аппаратов «Телта 201» и «Тел та
закорачивающего линейные про вода на время t зам . 204». Нужно отметить неплохую цветовую гам­
и размыкая их на время t разм . Эти времена уста­ му пластмассы корпусов и трубок и хорошую
навливаются такими, чтобы их отношение - компоновку обоих моделей. Если бы еще и
tразм/tзам.=1,5, а их сумма - t разм .+ tзам.=100 мс. Во повысить качество сборки и точность подгонки
время передачи серии импульсов одной цифры соединений, то можно было бы аппараты оце­
номера с DА1.18 на разговорный ключ DА4 по­ нить в 70 ... 75 баллов по стобальной шкале.
дается потенциал, открывающий ключ. Это бло­
По своим техническим характеристикам
кирует разговорный тракт (в основном его при­
сходны с описанными моделями и аппараты
емную схему) и предотвращает треск в телефоне
«Спектр» моделей 201 и 202. У них также толь­
во время набора номера. В то время (t зам ), когда ко импульсный набор номера, запоминание и
линейные провода закорачиваются через DА2 и автоматический повтор последнего набранного
DA3, питание 001 поддерживает емкость С6, номера значностью до 22 цифр, стандартная
разряжаясь по цепи:
3х4 кнопочная тастатура. В Отличие от описан­
C6(+)-7Rl0-7DD1.1-7DD1.17-7 общий провод. ной схемы «Телта 201, 204» эти модели защи­
щены от пере напряжения на AJ1 варисторами,
Таким образом, в телефоне будет прослуши­ а импульсный ключ совмещен с мостом. Мо­
ваться только один довольно слабый щелчок в дель 202 отличается от 201 возмОЖНОСтью регу­
момент снятия блокирующего потенциала. Кро­ лировки абонентом громкости приема регуля­
ме этого, телефон защищен от акустических уда­ тором на трубке (типа 10 по кодировке
ров (попадания на провода AJ1 грозовых разря­ изготовителя). Компоновка корпусов отличает­
дов или большого переменного напряжения) ся от моделей «Телта», а цветовая гамма прак­
стабилитроном УD6. тически та же, Т.е. вы можете выбрать аппарат
почти любого, от белого до черного цвета.
Такова, в общих чертах, техническая характе­
ристика этого простейшего, по нашей классифи­ Следующим рассмотрим аппарат модели
кации, телефонного аппарата, который по клас­ «Спектр 203», который можно отнести уже к
сификации ГОСТ 7153 относится ко второму простым (а не простейшим по нашей класси­
классу сложности. фикации), хотя по ГОСТ 7153 он также второго

х
R4 С1 1мК/25OV Dд2 КР1014КТ1А VD1
А1 1 2 КД24ЗВ
430 ОА1 КР1064ПП1
68k 3
1 GN LN2 8 сз
LN1 У 6
22МК/25V
2 + 7
av R7
С2
560k Dд3
Линия С OUТ2
68 КР1014КТ1А
АТС
2
R
R5 3
б б Б 10k У 6
5В1.1 8 Х 7 VD2
рт-4 КД24ЗВ

ОО1 КР1008ВЖ1
22 УО х2
21
Х/У

У1 Х1
20

2 у2 ХО
19

5 У3
12
NSI
13 М/5 U2 3

15 нs U1
14 IPS

7 АС av 17

18 7
R NSд

А8 R9
220k 390k

Рис. 4.1. Принципиальная электрическая схема ТА "Телта 201»

65
. 202
ГЛАВА 4 Современные ЭТА производства стран СНГ и Балтии

класса. При сохранении только импульсного на­
бора номера этот аппарат получил дополнитель­
ную сервисную функцию, т.к. в нем применена
микросхема НН типа КР1008ВЖ5А, обладающая
кроме ОЗУ на 22 знака, еще и встроенной памя­
тью на 10 восемнадцатизначных номеров. Ди­
зайн корпуса и трубки тот же, что и предыдущих
моделей.
4. 1.2. ТелефОННblЙ аппарат
«Спектр 209»
Следующая модель в этой серии
209»,стандартный телефонный аппарат по на­
шей классификации, имеющий универсальный
частотно-импульсный НН на базе микросхемы
КРIО08ВЖб (см.гл.3).
Принuипиальная схема аппарата «Спектр
209» приведена на рис. 4.2. Отметим несколько
ключевых моментов построения схемы
аппарата:
пульсный), ОА4 (разговорный, понижающий на­
пряжение питания разговорного тракта). На вре­
мя замыкания проводов AJ1 импульсным клю­
чом режим питания микросхемы 002
поддерживается емкостью С9. Режим набора но­
мера осигнален светодиодом УО13. Общая схе­
ма стабилизации напряжения организована на
транзисторах VТl, VТ2 и стабилитронах УО4,
УО5 и VОб. Нужно отметить, что громкость
СИгнала вызова в ЭТОй модели ЭТА регулируется
плавно переменным резистором R3. Первичная
вызывная цепь и схема организации вызывного
сигнала не отличаются от описанной для «Телта
201». Способ набора номера задается переклю­
чателем SA2: положение Р - импульсный на­
- «Спектр бор, F - частотный. Напомним читателю, что
оперативный (во время набора) переход возмо­
жен только от импульсного к частотному, когда
переключатель SA2 в положении Р. Этот пере­
ход осуществляется после нажатия кнопки Т на
тастатуре. Импульсный способ восстанавливает­
ся автоматически после «отбоя» любым спосо­
этого бом: укладыванием МТТ или нажатием кнопки.

• возможность набора номера импульсным или ча­

стотным (тональным) способом фиксировано, а
также смешанным способом - импульсно-час­ 4.1.3. ТелефОННblЙ аппарат
тотным - оперативным переходом в ходе набора; «Телта 214»
• хранение в ОЗУ последнего набранного номе­
ра и его автоматический повтор;
Продолжим обзор изделий ф. ТЕЛТА описа­
• возможность введения паузы между любыми циф­
нием схемы ЭТА модели «Телта 214», изобра­
рами номера длительностью порядка 2хп, где п­
женной на рис. 4.3. Эта модель вправе назы­
количество нажатий соответствующей кнопки;
ваться современным телефонным аппаратом,
• использование тастатуры 5х4, в которой кнопки т.к. обеспечивает пользователю достаточное ко­
5-й строки относятся к сервисным функuиям. личество сервисных функций:
Поскольку ИМС КР1008ВЖб используется со­ • набор номера импульсным или частотным спо­
вместно с кварцевым (или керамическим) резона­ собом и возможность смешанного набора;
тором 3,58 МГц, постольку частотные составляю­
• хранение в ОЗУ последнего набранного номера
щие отличаются высокой стабильностью по частоте
до 22 цифр и его автоматическое повторение;
и уровню. В связи с частотным способом набора в
схеме ЭТА появляется еще одна, очень важная • программируемая память на 13 номеров, в том
цепь блокировки - блокировка микрофона. Это числе три номера одно кнопочного набора
необходимо потому, что в этом случае тракт набо­ (кнопки М1, М2, М3 тастатуры);
ра номера полностью совпадает с трактом переда­ • программирование с тастатуры структуры вы­
чи разговорных токов (исходящий разговорный зывного сигнала и управление его громкостью;
сигнал), и если микрофон или микрофонный уси­
• кратковременный (порядка 100 мс) разрыв
литель не будет заперт (или обесточен), то одно­
шлейфа для вызова дополнительных сервисных
временно с сигналом набора номера в линию бу­
функций, если телефон включен в электрон­
дут поступать мешающие набору сигналы от
ную АТС (кнопка R тастатуры);
разговоров и других шумов в помещении.
• введение программируемой паузы требуемой
Эту функuию выполняет транзистор VТ9, от­
длительности между любыми знаками номера;
крывающийся сигналом с 002.12. Время дей­
ствия этой функции несколько превышает (на • регулировка громкости.

5... 7 мс) время частотной посылки, соответству­ Если учесть, что все это обеспечивается од­
ющей одной цифре номера (в данном случае 80 ной единственной микросхемой, то справедли­
мс) или время трансляции всего номера при вость нашего определения полностью обосно­
вызове его из ОЗУ. вана. Двадцативосьмиконтактная ИМС серии
AS253x представляет собой однокристальную
Импульсный и разговорный ключи реализо­
ваны на полевых транзисторах ОАl, ОА2 (им- схему ЭТА, содержащую в своем составе:

бб
 r--------------------------------------------
1 Плата 3.129
-------------------------------------------
1 I
Плата 3.190 -<f-
Х1
---, б

~',;
: ii ОО2
, m КР1008ВЖб

й-< 1
1
1
1
1
УО

У1
х2 20

~
1 1 1
Х1

:,!
19

= хо 18

~ NSд j-..:.:1б=___ _ _ _---'

А16
W2 У4

~ б
1
1
1 ХТ4 I 6 N51 ~17=---------J
Н5

__1 L._ _~---, 7 DТМF~1з=-------~-__,

А27 С1О
-,- 14
СОА ТON 8 С12 RЗО

1::91115
А8

~~~

~щ ~
A2 5 ХТ5
,~ '
) !~ *~:
~
~VD1З
~VТБD"О
А24
~
"1--D. UА26

O~
VТ71..... А28
I 15 Vo

9 по
А29
фi
ffi

а
-е.

,, ______ -Г~C1~
4
з R L VD7
о

А' VТ2
Jc
~,_________
11 '11
~'I ~
'"

~RЗ <

~___ t:,)п.'
1 1")(57---===:-
м'б: --
,)m ' ------- Q)
"

~4
--- --- ~
Q)

~
---- --------- __
1
___ ___ ___ _ _ _ _.L
___ ~)П"
)')'"
1
"1
,:
1
1
1
-е.
-§
Рис. 4.2. Схема электрическая принципиальная ТА "Спектр 209»
~
фi
о) ::5
...... Q!
 ~
о)
со
»
~
~

:-~6-M~-~- -B,F-:
А29 Х4 11 ~ ~ 11 >-
-- - - ----- - --- -- -- -- -- -------- -- - - -- ---- --- -- --- -----: --
r - - - - -
СI А5 А9 А27. -< 1

: ХI '-±~ ~:'(1 СЗ~~9~ А22 -.IСII

*1 *1' С12 =+~17 т.1.T:~'2 Тел.МИ~
МИ~1 ~ Тел.
ВМ:
1 1

А ~5AI,1
А2
I
А10 ~ А14 С4 С5 RЗ4 1·W IT г--
1 4
Г
~ .J З г- С6 Т МИ$.2~ МИ!!!.:..__ЗГ _
1 2 I ; 2 1 1
1 1 + 2 1 1 2 1

а I ЛИНИЯ
З

L-Ы ~ ООAS25ЗЗ RЗО ~

>- t;l
~ VDЗ [1~ А33 Х5
--- 1 3 2 1
.1.
VТ4 fl ____
~ ~ Й ~ А11 ~ •-< ~ ~
'
"- 1 1 L 1 2, ..):: VD6 1 ___________ _ ____________ _

<с-о" , •••, , 'л ,.,~ '"

1
~ ~ +-If-g--1
/1 RUI
~ 21 FCI
щд'"
LEDfL.- 1
J
:
З
~,,1, ",,-' ,-~ ~ ~, ~
;."" ~
г'-" А21V~ ю, ~: ~'"~ ~'"~ Г"~'" Г"]
N'

"- +'
'
•,
,
J: ,-'
А6
m
R2З
, ~
·'1
"'+
МI,~,С\' 4 -4-~
-...L Ж-.
ttt::
~~ А1"
"".- "., '-"- ct>
ffi
RЗА2 З ~ t-o--1 t-o~ r-oJ
- - J I , 27 U 1 7 2 5 6 7

-C:::}J
5А ~
~:..!~
R17
АI АО З ~Д"СI +
А4
t:!!L 2 9
о ~ """--1
N --'- --'- --'- ~
ГI"r- А12 А18 ~ С7 5ТВ C4~С4 Г З МОО Е ГI О ~
1.2 ,.-, - 28 95 5
5 6 6 I
r--
R4 ,; : 1- 2:
~ -г>- ~, С2 tтбё1~ r-o~..., r-o~""1 t-o~1 Г" 1
" 6 13
ct>
А5 СI
'--- 8 9
1 ,,;, "" : ,
А7 VТ7 CI~А1 ~ --J '~
си
4 , - - ...2.. 1 1
jl
r-- I
~ ~ ~l' ~t
А20 \' VD8 ~
25
10
С5
А1А2118tТ9'R2А3
20
1
1
1
1
1 р V';::
т оV
VD9
!.........;-'-~
r-o ...,
А1 :t;!
А4 Ф 'А19 Е
H5/DP
RЗ А4
А4 ~ МООЕ
1 1
--J
I _
-5
VТЗ
VТI
h. 9 17 1 1 >
I LLC 1 5 RD Vol
-.. 12 1 1 --'- --'- о
МООЕ
05С I t-o ..., t-o~ ~
l(о~ ,,
ВО2 X2.~ ~l 1 1 гl
26 V 11 1 1

Q =Т= С2 8 55 МО AgndMFL 2 I 11 1I -l
D:J

g
Udd

g
ХЗ
',
VDI
А8
+

1·
VDI"c1
41
j
15
L....
CL
T
--

ТС10 ~
CI ВОI --'-
ТС18
VD10W

~М2l~З
""1
~,;
~---L...

111
~
I
~---L...
P.T

r
~~
МI
....L..

МА
с')

~
tb
с')

-ь
~

~
~
Рис. 4.3. Схема электрическая принципиальная ТА «Телта 214»
~
~
~
~
 ТелефОННblе аппараТbI ФИРМbI Телта

• устройство формирования сигнала вызова и ис­ 4.1.4. ТелефОННblЙ аппарат

точник питания для внешнего усилительного
«Спектр 00 1»
каскада на транзисторе VТ1;
• схему контроля линейного тока; Завершая обзор изделий Пермского завода,
• схему контроля состояния переключателя SA1 - отметим, что в последнее время на рынке теле­
(<трубка снята - положена»; фонных аппаратов появились ЭТА так называе­
• схему дуплексного речевого тракта с внешним
мого бизнес класса моделей «Спектр 001» и
балансным контуром и противоместным узлом; «Спектр 101». Эти аппараты по классификации
ГОСТ 7153 относятся к нулевому и первому клас­
• универсальный электронный номеронабиратель
су сложности, имеют большой набор сервисных
с выходами управления внешними импульсным
функций (у «Спектр 001» вплоть до АОН) и
(DА1) и разговорным (VТ7) ключами;
большой объем nрограммируемой памяти (до 40
• ОЗУ емкостью 22 знака (88 бит) и программи­ двенадцатизначных номеров у модели «101» и 77
руемая память на 13 номеров по 21 знаку (1092 шестнадцатизначных у модели «001»).
бита);
Электронный ТА бизнес-класса «Спектр 001»
• устройство формирования программируемой меж­ по своим возможностям и сервисным функци­
цифровой паузы длительностью порядка 2,2 .. .2,5 с; ям отвечает современным требованиям к аппа­
• интерфейс тастатуры 4х4; ратам класса «свободные РУКИ». Принципиаль­
ная схема ЭТА «Спектр 001» при водится на
• схему выбора способа набора.
рис.4.4 а и б. Отметим, что аппарат полностью
Схема ЭТА· «Телта 214» в целом защищена построен на микросхемах и остальных деталях
от перенапряжений варисторами RU1 и RU2 произведенных на территории СНГ.
по входным цепям и стабилитронами УD5,
Основу ЭТА составляет аналоговый процес­
УD13 (цепь вызова); УD8, УD14 цепи питания
DD. Одновременно все эти элементы ВЫПОлня­ сор КМ1816ВЕ48(дl) изготовленный по КМОП
технологии и логические ИМС серии К561. В
ют роль ограничителя амплитуд приемного
качестве драйвера ЖКИ использована
тракта, не допуская возникновения акустичес­
КР1008ВЖЗ(Д2), а поскольку ее управление
ких ударов в телефоне. Схема стабилизации
требует сигналов ТТЛ логики, то использована
напряжения питания построена на транзисто­
согласующая микросхема К561ПУ4 дЛЯ перехо­
рах VТ2 ... VТ6 и стабилитроне УD8 и поддержи­
да КМОП~ТТЛ.
вает напряжение в пределах 2,5 ... 5,5 В при ли­
нейном токе 20 ... 70 мА. Поддержка напряжения Разговорный узел МТТ выполнен на ИМ С
питания 00 при отбое или при ожидании вы­ КР1038ХП1 (см. гл.3) с внешними R и С баланса
зова осуществляется по цепи: линии и подавления местного эффекта (плата А2).
Схема работает с двумя генераторами - 3,58 Гц для
a~ R2~R5~ УD3 ... YD7~ VТ2 ... VТ6~ формирования сигналов набора в частотном и им­
~DD1~DD26~ ~YD3 ... YD7 ~ R6~б. пульсом режимах (резонатор BQ1) и 32768 Гц для
работы часов и таймера (резонатор BQ2). Структура
При этом ток, потребляемый из АЛ, не пре­ акустического сигнала вызова программируется
вышает значения 0,5 мА. Если МТТ снята, то пользователем. Питание аппарата ввиду значитель­
ограничивающие резисторы R2 и R5 из цепи ного потребления мощности осуществляется от сети
исключаются, устанавливается рабочее значе­ переменного тока 220В, 50 Гц через блок питания
ние линейного тока и нормальный режим пи­ (плата АЗ) и устройство согласования и сигнализа­
тания схемы. При поступлении вызывного сиг­ ции (плата 968). для обеспечения работы ЭТА в
нала от АТС активизация вызывной функции случае кратковременного пропадания сети приме­
DD происходит по цепи: не на батарея (GB) из трех элементов типа А-316,
обеспечивающая 5 минут работы в режиме разгово­
a~C1~R5~VD13~R9~DD21~ ра или набора номера. При поступлении вызова в
~DD25~VD3 ... VD7~R6~б. аварийном режиме акустический сигнал отсутству­
ет, вызов поступает только на светодиод (УО4).

Во время импульсного набора номера режим И последнее: все упомянутые в обзоре модели
питания 00 поддерживается зарядом емкости С8. ЭТА «Спектр» и «Телта» могут работать с АТС с
напряжением станционной батареи 60 или 48 В
абсолютно одинаково.

69
 ~
»
~
А'4 ,О ~

,з

11

g
~
ct>
s:
~
ct>
си
~
-5
о
------1
~
'~
--- ---- А8 1
1
--- 1
, D:J
А2

т5"
',8
'УХ17 Х'9
g
хр,

-.Lc, УО
од
1 BF
I ТЭМК-ЗТ ----------------Ji,7 ~b;B 1'20------------ с)

~
IЗзоо KG512A 4 1 ------~------- - --. - .-, tb
х"тз
с)

;о2м" I~~BMK -ь
С1 tb
XS12
... 1000мк :t
БВk ез,с4
ТУ (')

r::__ ~____ _
з
2омкI 1ООмк хр,
~
О,068мас

;,l~_,"-
XS13 ХР5

________________________ 1 Х'4

·
-2208
~
АЗ

~
-----
Рис. 4.4.8. Схема электрическая принципиальная ТА "Спектр 001»
~
~
 v
J1 Ф 4 51фl8 9 -'(
112 з14 51вt7181910 _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _

Х5у
з14 51617 elg о 1112113~4115161171B~9
X9
12 Плата 991

8д

'1 7~
Г
б 9 3 8 11 14 15 1б С10 13 17
А5 412 VD4 118 19

~~
ДЛ307БМ 0,5~Ш-4
А1
А17
51k 200k 3
II.~ 1:::::::::. 200k
2
~
ОТК. УГП "J/
51
61-
т-а-; ~ ~iMK Вкл, ут 1
11 52
12 DD1 311 5 ......
~o
D51
RдM
VD1 Q~б 51k ~21 Д DD2 2
А15
fЩ2J ~
VD2
КД521д
~
VD10

I
КД521д
КД521 Д 17 DD1 2 3 10 4
~1 -ю
~2
11 2 51k 10 9
~2 o~ 9

А9 А13 ~
б 1
~3 1.!.!L...!; DD2,1 81 14 10
2~

~А7 I
~4 2 ~2
D1 А24 11
~5 3~ ~ ~ 39 ТО Р Р1 330 АЗ2
~,..w.-
Г
1~ DA8
6
~6
3
4~ 13
~ I ~ Т1 1 1 [ А28 'ззо' 1
5~ Р10 27 11 1 B~ .!Lг-
1~~ 6~ Р11 28 2 2 10 2 L-
2,4k D2
4 3 3 14 МК XfY 2 129 11 11
2 22 9 7 д.-l. 5ik CLR Р12
29 9 3 />З/Е
3 28 10 10
.g. 13 DE

±1'~, I
4 4 8
3 19 10 VDб
КД521д
Р13 ~~ 5 5 7
4 ;=~MK С12
t'
VD12
д2/Е
Д1/Е
4 27
Р14 32
5 .!L 47MKl f!. КС10бд АЗ9
18 f - 1 2б 525 е)
11 '20 С51
CS2 DD11
' Г4О
б
INT
UCC
Р15
Р1б 33
б
7 7
б б
5 7
б
L..,
+11
11
18
5А
С11/Б
С12/С
47 25 9 ~Ok
~
/' -----.l.
7 4б 24
С3 4

ii Р17 34 С13/В
11 8 8 L..o---- ЕХ

~
......!.Q 2L W/R ЕМд 8
20 МОН 45 23
О,Об8мк А1;[
51k
01
с4
r: UDD
GNT

55
""""р2

Р20
~
Н
5 ~ t>
DD4
2
L..
24

21 KDE
С21/Д
С22
С23/11
С31
СЗ2/12
44
43
42
41
22
21
20
19
5
~~! 1~1 Г11- А "
~~
f-.2 t> 4
D54 РАОМ Р21 Г-
О 7
О52

Т
2~
:-
~дo o~ ..d1
22
2 СА1 Р22
~ D55
8 Е СЗ3
40
39
18
17 111"1" 11"2-1113- it- A
- mt
?~ ?~ 9~ ч~ ~
Р23
~ ~ г--
D1 С41/13
15
3~ ~Д1 1~ ~;, В01 Р24
1 1 9 D1 RG 1Ц ~ t> 19 00 С42
38 1б
~ D2
1~ ~д2 2~ зб 2 rt-'W 2~ 37 15
1 ('!)
~
D4 Р25
~ f-- б С43/14
-е.
О2
4~ ~дЗ 3~ ...--3 37 3
3~ fL2 17 D1 CS1 3б 14
r,~4- 1~5- l1~б- 161- В -
~ t>
СА2
~
, D3 Р2б D3
~Д4 f!L-.4 38 4 4Д...i 35 13

~
"ро ~ f--
y~ y~ y~ ?~
CS2/15
~ С 4 Р27 D4
г" V ~д5
~Дб
5~
б~
I22
С5
-РМЕ ~ ~ А/5
~ t>
г- 12
10 1б D2 CS3
Сб1/1б
34
33
12
11
2

~Д7 fШ---l О ci..!.! t> 15 D3 32 10

r,~7-

~'
D53
7 Сб2
31 1;8- 1- с -
АО ~ ..2- 9
~Д8 12 080
y~ ?~
К ~
Сб3/17 r,(
1 yl- yl- ('!)
4
t-4 D1 Т
1 rL---4- ..L-# д9 2
13 D81 WR О 7 23 MD С71
30 8
3
2~ ~Д10 б 8
~
29 7
~ D4
5 14 D82 Т/5 22 \l)
, D2 C72J18
б
6
3~ r-- 3 .ц, АН5 28
I&~#- 1 (
15 083
7
8
~ D3
'5 4 fl.L--1- _~ DE
4
5
1б
17
D84
D85
ALE
PROG
25 б
5 5 01
С73
27
С81
2б
5
4
r,1-"-
y~
/,~O-
y~ y~ 5
~
~
с
V ~CS
б 18 086
А21 гi A [ А29
КН5 СВ2
СВ3
25 3
4
-§
2L Up 7 19 D87 20k
200k
- С15
'--
VD14".VD17 \l)

б 7~B02 ~
8 КД923д

~
111.10 А23 гщ 1122
- 5;iМ
VD14 VD15 VD1б VD17
IJ.. 300k 200k
- 11 197~34
300k ~ 17 ~~

10 10 1 9 7 1 2 3 4
-е.
-5
Рис. 4.4. б. Схема электрическая принципиальная ТА «Спектр 001 ~
mt
~
...
~
Q1
ГЛАВА 4 COBpeMeHHble ЭТА производства стран СНГ и Балтии

4.2. ТелефОННblе аппараТbI других производителей на

территории СНГ
Начиная со второй половины 80-х годов, на но поскольку они достаточно подробно освещены
территории СССР (затем в СНГ) некоторые в наших предьщущих изданиях, то здесь на них

заводы производители электронных микросхем останавливаться не будем.

(з-д «Экситою>, Павловский посад, з-д «Родою>,
Ивано-Франковск) одновременно с этим раз­
работали и выпускали небольшими сериями ряд 4.2.2. Телефонный аппарат
простейших ЭТА. Схемы этих аппаратов бази­
«Теллур 202»
ровались только на отечественных элементах, а

поскольку в то время их было немного, то схе­

мы разных разработчиков отличались очень Остановимся на еще одной модели ЭТА, от­
мало. Тем более, что почти все разработчики с носяшейся к «переходному периоду» СССР-СНГ:
небольшими вариациями повторяли схему ЭТА «Теллур 201, 202». Первая модификация этой мо­
на базе микросхемы импульсного НН 1008ВЖl дели выпускалась на зарубежных прототипах мик­
и ТВУ - 1008ВЖ4. ДЛЯ примера приведем не­ росхем НН и ТВУ - АУ-5-9151А и S2561. Разго­
сколько таких схем. ворный тракт организован на базе ИМС ф.
PHILIPS - ТЕАI062. Вторая модификация вы­
полнена полностью на элементах собственного
4.2. 1. ТелефОННblЙ аппарат производства, в т.ч. разговорный тракт - 1064УНl
«Электроника ТА-5121ИН» (или все остальные аналоги ТЕАI062, см. гл.3
настоящего издания). Принципиальная схема ТА
«Теллур 202» приведена на рисА.6. Сразу укажем
На рис. 4.5 представлена схема электронного на то, что схема имеет достаточно много совпа­

ТА модели «Электроника ТА-5121ИН». Узлы при­ дений в организации цепей со схемой ТА «Телта
ема вызова и набора номера реализованы на 201, 204». Отличия состоят в следующем:
вышеупомянутых микросхемах, а разговорный • наличие внешнего выпрямительного моста и
узел с противоместной схемой на транзисторах
стабилизатора напряжения в узле ТВУ, т.к.
КТ315 и КТ361 (VТl ... YT4 пл.А3). Стабилизатор 1008ВЖ4 не имеет в своем составе этих эле­
схемы питания - схема на транзисторе КТ361, ментов;
диоде KD512 и стабилитронах КС510 (VТl,
• организация разговорного узла на ИМС вместо
VD5 ... VD7 пл.А2).
отдельных транзисторов;
Импульсный и разговорный ключи реализо­
• наличие защиты от перенапряжения по входу.
ваны на токовых ключах 1014KTIA и транзис­
Использование 1064УНl внесло новое каче­
торах КТ315 (DD2 ... DD5, VТl,2 пл. Аl).
- появилась схема ком­
ство в работу аппарата
По входной цепи аппарат защищен от пере­ пенсации затухания линии (АРУ), изменяющая
напряжений на линии варистором СН2-1-180 усиление трактов передачи и приема (при зна­
(RUl пл. А2), а микросхема НН дополнительно чениях внешних элементов, приведенной схе­
еще и стабилитроном КСI06Аl (VD6 пл. Аl). мы) в пределах ±3 дБ, если затухание АЛ не
Поддержание ОЗУ в режиме ожидания и работы превышает 6 дБ.
DDl при наборе номера обеспечивает емкость
Аппарат работает с АТС, у которых напря­
500 мкФ И схема дополнительного стабилизато­
жение станционной батареи 60 или 48 В абсо­
ра на транзисторе КТ315 (С3, VТ2 пл. Аl). Под­
лютно одинаково. Тастатура стандартная 3х4.
заряд этой емкости в режиме ожидания проис­
ходит по цепи через резистор 200 кОм,
шунтирующий контакты 2, 3 РП (Rl пл. А2). В
этом режиме ЭТА потребляет из абонентской 4.2.3. Телефонные аппараты
линии ток порядка 0,2 ... 0,3 мА, что вполне до­ «Элетон 206», «Контакт 20 1»,
пустимо по ГОСТ 7153. «Контакт 202»
Эга модель выпускалась также и в модифика­
ции <,Элеюроника ТА-5121-01ИН», отличавшейся Приведем схемы еще нескольких аппаратов.
только тем, что в разговорном узле использовалась Аппарат «Элетон 206» - завод «Родою>, Ивано­
вместо отдельных транзисторов транзисторная сбор­ Франковск, рис. 4.7; аппарат «Контакт 201,
ка типа A2l1D, а телефон бьUI защищен фритге­ 202» - завод «Киевприбор», рисА.8. Этот пере­
ром. Изменена также конструкция корпуса и МТТ. чень можно было бы продолжать достаточно
долго, т.к. разработок было много, но почти все
Следует отметить, что выпускались и другие
они не дошли даже до малосерийного выпуска,
модели ЭТА (или комбинированные - транс­
оставшись в единичных опытных экземплярах.
форматорно-электронные) этого наименования,

72
 -A~ - А2 КОММУТАцI10ННО-Вl.iЗЫВНОЁ Vёп.ОЙСтl!о
1
А1 номеРОН~~~Р;;еЛ~ - - - - - - - - - -

-
7 1 1
;: ОО2
v DD4
I 200k :

1
1
~
КР1О14КТ1А YD1
Кд1О2А А6
б60k 01
КР1014КТ1Д
02 I~5:/ ХР1 '1 2 3 ХР7 '
:
Х51

).2
ХР5
8Т-4

+---.___....,,0"18 V г1"' , 'i " 1 рП1

.--JI yt:
1 ' ,
.Q§Jx 03 Х52

0
1
: ~, ХР8 : 2_
у I
У об
XS16' Аиl I

~ 04 07 I ХР2 СН2-1180 ХР9 I а_

Сl РП2
~
05 Х :"' 2 :
XS17' . ~'1.0MK 1 3 I
А1
б80k
11105 ' / _ ХР3 I ХРl О I
З

'-
VТ2 ' ) ,
t-1---l" DDЗ
КР1О14КТ1Д УО4
КДS21А
КТЗ1SГ
Х529 i ХР2'г ~XP11 i
01 02 КС212Ц

ХР12
lсз
~
О" У 03 :
51k
1 об 02 I VD8
1
, 04
у

Т
500
М'
I КС522д
XS20

,,,
07 А2

~
Х
05
YD2
УDб
КС106дl 01
2k
>-'
Х56
КД102А
8 12 2
6 А7 ~ )-!-
ХS1З

1015
,
9_13 3
5 VDЗ
VDб ~ l С5 ХР15) ~

~,
КД521 А
XS18 : ХР4 КС510Д
'6 _6 , VТ1 аТ 5 МК
КТЗб18
11',, DD1
КР1008ВЖl
4 I

, неб
СЗ ~ х
, ,,, VD5 I
~
Аl0 11 20 ~~~" ~Г-

~~
1214 4 Об КС510А
U1 А5
С7
"G
, 14
'Р5
DD5
КР1О14КТ1Д ,
I
С2
5t.AK А3 R4
б80k
220k 11

11 6800 А12' ХР16

г-----
Х57

~
'7 _7_ 13
~

ХР17 '~Х58
М/5 " m 820 10'
-~5
1,2k

г+ ООl А1, XP~'8

08 Ij 03

nЗП-5
16: ОЕ
,, ",
'~'§
, 17 L ' "
У 06

ХР19 ВО1
ОУ А7
КР1О08ВЖ 4 'r--

А2С1
680k 04 07 '

с2
05 G2 ,
' G1
S10

А14 :J ~
' N1 03 ,
U2
' U 04
07 ,

ВСЗ об А13 ХР20 Х511

: ov
УЗ

У2
'
:
а----------~
ХР5
N2
L1

200
820,
, -5
~----------------- ХБ14у,.Уm
~ttJ
У1
'
' L2
, :
:
УО
07 Х512: 6ХР21 ,
АС

,''
'---
),, g
r -1- t _______ ~'_ !~':' __ --- ~
гг
,, г-------------------------------------------- XS23 XS2B
, А2 А5 АЗ РАЗГОВОРНЫЙ УЗЕЛ : РТШК-4 РТШ-4
~

1',
3-1 ,, 11 15k 3БО 1
, ~
,,
jJ:4
,,
,,
,,
~
5,1k С3
50...,,,
1

,,
1 ), ('!)
~(
:з::

~
з7 ,, 3 1з
Q)
,
3* ,,, 2 ~
'''О

:т
, Н
~
А8
5,1k
на
14
15
А7
51
d
"о
н' н'
~',з_,1 II
2 3 14
-.l
15 16 17 18 19 110111112 113 114115116
13

:_-------------------------------------------
4

~
-, -, -, -,

~
'--1 -1 Г~l -1
~ Рис. 4.5. Схема электрическая принципиапьная ТА «Электроника ТА-5121ИН»
~
~ С1 U2 RЗ
~
~
~11{
19101
КД906А 10
~
~

~~ЖЗЗ F
1 VD4 RЗ7
~ 1 Ч 4 К КС21ЗБ 6BOk
~ F
~2Б

~
а CD

I -Lc ·",;;г
О С20
"F со
~
10п
RЗ6 RЗ4
ci3

Т
1 МК
L1 6 24k
ЛИНИЯ /250V
НА1 C::J
АТС

~~ I~RЗ5
L2 7 200k

i
~
~
4

КР100ВВЖ1 CI)
Х/У Х2 21 (J)
Х1 20 ~
6 2 У2 ХО 19 АВ -5
~
47k
5 5 УЗ VОЗ ""*"
1З M/S
КС512д f5
~
1(зел)
А27 ... А29 'PS '"
U2, 100k с)
ОО2 U1 BF1
-6--" ПДК-1 а!
Q)
с)
С10 2 (КР)
С16
~ АС 91 ОА5 ~
Q)

~~C С11 КР1014

RЗО УКТ1Вr~
:з::

~A ----.:=~'I ~в
I1n Jtj4
~
А25
220k
А24
З90k Q
560k ____ V
Х 6
7 ~

~
~
Рис. 4.6. Схема электрическая принципиальная ТА «Теллур 202» ~
~
 r--------A,-I
----::-:1

I*C
"а
,,-
,---, 1 '18 -- - - - -- - - ---- -- -- - --- - - - -- ---
1
1
1
1
2,З,6,7
VS1
DA2

U7 а
------------- ---1--1 ---------------::-------
т~ ~,~ ;~~,~

VD9 1ЗОМ
1 1,2,7,В КН-201Д 45 г- -, DD2 КС510Д DA6
1-'1' S
1 'А10' , КР100ВВЖ5 КР10В5У1
I 5БОk : : з 22. УО Х/У Х1 .21 7 15 Vcc
З,4,5,6 +--+-+--&1-="'-,"--<
1 1
1 ,

'
У1 Х1 ,20 : 6, А22
15k
R2З
130k
7 15- [>
1 "6"1. 1б : 1з 6• 2 1 У2 ХО 119 ~ 5,
'---o--t<: -,
1 ,4! 5,vз 12
Sд1 3
С11

1 1 СВ -.J О,1мк 11 9 Збk

Г ~ ~ ,
"1"1 : з 1 10 IO,068MIC 1В 1,B-CJSТ;­ А24 ~1~7_ _ _ _- [ : ]

1 1 VD5 ~ Т Ucc
А16

~l
З,9k С12 FF 16 + ~

A1~
!J 4,7мк
~X~/~~K~ _ ":<~B~-~ _:
, _ _ _--" RC106A 2
~C6 КР1014КТ1В А20 "1 15+
~ 4,7мк
: ,.",
147М" ~_ _-,,6-1

~
NS
-----------.1 VDЗ
I(] I(] 13
1P~
22k 10 OV
14
RЗ1
10k

'~I I~
VD7 VD6 А17

~
КД521 В

~
DA 1 VD4 14 М/С
КД521 В КД521 В
IOR1B А25 1О0п

j:l';
КР1064ПП1 ДЛЗ07БМ 560k г­
15 R27 г-
560k
В IVДCГF
t-L- с4
А2В r'l RЗО '§
0,047мк 20 ~ 15k

~
910 то,ЗЗМК
А2
47k
C5r---1~

~
~_151 АТ
L
B1

1S17t1B 11------- .1 _______ ...1 -5

~
1 5 Г"'УО 11k 510k
1
г--

~ttJ
_ ВО1 • 1 SB1 .. 5812 !... • 1 7
'=' ДП-4 С1 ~DCI 1-nV~ R1З
510k
15
- - - _ ... - - - -1 1 д4 - 1
12 10".Т
1------
13 1
1
_L' ___ _ 1
1 1
з б

дз 1 : ~ c.2d c.z~
"З"
......
о-
g
д'h~7Бf;r;r 1 1 1 1 "4"
......
"6" ~
~
сз ВМ BF
1 1 1 ......
:.е 7 ". ..L о КЭ Д.1: 2 5 о-

~
о- ~--------------~-4~~ 1 1
1 1 "В"
......
"9"
ffi
470f~C46BA
ВО2 1
СДШ-4 1 1 1 о-;
RЗ VD2 1 1 1
16
~(
......"#" ~
1 -----------
14
1
А6
1--------------- 4
о-

:g~
1 200
_________________________
~ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ J1

~
d
1:)
Рис. 4.7. Схема электрическая принципиальная телефонного аппарата "Элетон 206»
~
~
u1 ~
.....
Q) ~
)::;

хр,
~
х, ~
QАЗ4
"" / ,1-
1 '"
КДС111Д
I
,
U".

I
5БОk
S1 512

","
ш-~Чг~'
г--------------~~-------------------------
: 12
,, ,, : +7,08 24k
I эРе
DA2
КР1014КТ1В 1 . - -
I
--
I
:
I
элеl(Тронная
ра JГОlюрная Аl1
5'3 Е1]
"41 ~Ч"
г-'- г-'- г-'-С>- "6"

_ _ _ _ _ _ 1_

,, ХР2
I
I
:
160k

VТ2
КТЗ 13069
О А13
470 -h 1/2 П А15
.ф.КG13ЗА 470
А16
470
-'-

г
"71-r "·1"СС>-
-'- -'-
"9' JY1
, : xs
~
vз 2 У2
~ , : -)-~'c:~~--+--+_.....:~~~
'З ""':""':_.L'4--
~
КС508д "*"1
Г-'-.,.J r "0"1
г-'-.,..
"#"
NS'

,,: :'""
-'-.,.J

11:
....LG11 ОА17
---Г--О ,15м" 2,2k
+и

у
~Y3
3 V
NSA

,, ""
"''''ri\ нс'
. . . \.:f) АЛ307БМ ~~~~'~
___ ::' ~J~'~--~--~---~~.....:
~
~12
DDЗ 2

~H"
АР5 &
вм I!~ __ I I I з ~c I '
~
ЗЗОk
v' +1,48 I ,

КС50ад ~TEST А 9
МКЭ-84
--- --, Х4
RЗ3 1 С21 ~DI

I
А2 \ ?t>,
,,
ЗЗОk 1 О,О68мк
~f1- RЗ4 П
B~;' г-------'

~
10' SAl
+0,98 А19
'5 ОА' TON
4
580kU
BF' 14 11
1RS

,,
ТЭМК-З-I I '3 М/С
С3 А18 I ~RЗ2 16 С22
, DV
~ I
11 47щ
ТВУ 7r- - Х5
62 !.L I

,,
)47k
АС С
,зо

f-<
11.
VO,
Тонально­
вызывное
, -1,48 I DA3
КР1014КТ1В SД2 ...L. (1).
,
УСТРОЙСТ8Р

I+3,2В 1 С1Вl.
I<Д5218 I 5,2кГц
(J)
~ ,,
4,71.'11(
I

~
I
I С19 DDЗ
~ L___
1
VD3 4700 8 13
,
DD' I
I
1<Д52'B
-5
1
КР100В8Ж4 "8bI..:loe"
АР'
I 'il GВ ' С2О о

~1
I PЦ32"r-__4_70.0~~--4_~

x~
----------,,
~
+6,78 С15
А3 I
~и
~
С2 I 22
33' А7 I
I Х7 УГП
,
I
6,71 GB2 DD4 ttJ
А5 L.'.!.j ВС
g
9'0 А23 А24
Е Усилитель
С4 180k
Сl
Аl.
910 'О. ГРОМКОГО80РЯ' I
, РЦЗ2 К5б1Лдl

tfJ
I F3
'мк ,О 180k I ВП·2
щего приема
1-'-""-Il-'-оН...----I N2 А2 V4
I
КG10бд с)

VТ4
С5 I ( Х9
N' ~ А9
С2 I
>.3,5В VТ3
ttI
?
56
I КТ3130Б9
, I ~31;ОБ91
'3 /:I20k I Q)
t---+---~ ov А,
+1,38 +0,68. A2~
s С6
I
с)
'2 I
АС2 С,
r , -ь
2,2k

~
I А25 С17
АС'
0,011.11( А22
vs ~~i:K 4,7м!(

:~~4
100Гц
I
I
470
КС466В;Г А26 47' Q)
200
:з::
50l(ГЦ I
I
I
Общ А27
I КР1014КТ18

~
L ___________________________________ J
~
-----------------------------------------

Рис. 4.8. Схема электрическая принципиальная телефонных аппаратов "Контакт-20 1", "Контакт-202»
~
~
~
 ТА завода VEF и его преемников

4.3. ТелефОННblе аппараТbI предприятия VEF- TRANZ/STORS

и преемника его производства фИРМbI VEF- TELEKOM

4.3.1. ТА выпуска 90-х годов. • прослушивание сигналов АТС в межсерийных

паузах;
Телефонные аппараты
«Rita 201», «Rita 202», • световую индикацию разговорного режима;

• световую индикацию, дублирующую вызывной

«Rita 203» сигнал;

• хранение последнего набранного номера его по-

Одними из первых в СССР схемы ЭТА были втор, запрет повтора;

разработаны, а сами аппараты серийно выпус­ • отключение ТВУ;

кались латвийским объединением VEF - Valsts • работу через АВУ и блокиратор;
Elektrotchniska Fabrika (в переводе с латышско­ • подключение дополнительного вызывного уст­
го - Государственная Электротехническая Фаб­
ройства и др. функции.
рика) , в состав которого входило несколько
предприятий. Конструктивной особенностью данных мо­
делей является использование движкового пе­
Завод VEF-TRANZISTORS, ЯВllЯющийся одним
реключателя режимов работы (РП), располо­
из таких предприятий, традиционно занимался про­
женного на боковой поверхности корпуса и
изводством широко известных радиоприемников и
обеспечивающего независимое управление ра­
радиомагнитол с аббревиатурой VEF, а также, тоже
ботойТА - без необходимости укладывание
довольно известных в бывшем СССР, электронных
МТТ в держатель ТА, как в большинстве ана­
телефонных аппаратов- VEF ТА-12, VEF ТА-З2,
логичных моделей.
серии моноблочных ТА - VEF ЮТА-201, VEF
GUNTA-202, VEF INТА-20З и др. В 1998 году пред­ Во всех ТА этой серии используется унифи­
цированная электрическая схема, построенная
приятие VEF-TRANZISTORS бьmо преобразовано
в фирму VEF-TELEKOM. на основе ЭНН на базе ИМС 1008ВЖ5 (рас­
смотренной в главе З), а также разговорного
В этой главе будут рассмотрены некоторые
узла и ТВУ на дискретных элементах.
ТА последних лет, выпускавшиеся предприяти­
ем VEF-TRANZISTORS и выпускаемые сегод­ При переключении ТА в режим набора номера

ня преемником его производства - фирмой контакт SI.1 РП закорачивает резистор Rl, огра­
ничивающий ток в режиме ожидания вызова, а
VEF-TELEKOM.
контакт S 1.2 переводит ОЗ в разговорный режим.
Начнем нашу характеристику некоторых об­
В этот момент на выводе NSP/ОЗ устанавливается
разцов выпускаемой продукции вышеуказанных
уровень лог. «1», открывающий разговорный ключ
предприятий с рассмотрения серии ЭТА моно­
05, который в свою очередь подключает к NI
блочной конструкции. так называемых телефо­
схему разговорного узла. Два плеча выпрямитель­
нов-трубок, производимых до середины 90-годов.
ного моста на О 1 и 02 одновременно выполняют
Серия телефонных аппаратов VEF RlTA-2S1, VEF
функцию импульсного ключа. После нажатия кно­
GUNТA-2S2, VEF INТA-2S3 бьmа разработана на