ВВЕДЕНИЕ………………………………………………………………………….
…………………………………………………………………………………………
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
3.7. Лабораторная работа №1………………………………………………………
5. ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЕ ОБОСНОВАНИЕ.………………….……..
5.1. Расчет себестоимости изготовления методических указаний…..………….
ЗАКЛЮЧЕНИЕ..……………………………………………………………………...
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ...………………………………………………………….
ПРИЛОЖЕНИЕ…..……………………………………………………………………
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
ВВЕДЕНИЕ
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
значительно снизить размеры готового устройства,
уменьшить энергопотребление
компараторы
широтно-импульсные модуляторы
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
таймеры
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
1. Аналитический обзор
1.1. Выбор микроконтроллера
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
литературы, технических описаний и технических коммерческих журналов, а
также демонстрационные консультации.
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
последовательные порты ввода/вывода, RAM, ROM, A/D, D/A и т.д.;
в). Имеет ли он другие периферийные устройства,
которые не нужны;
г). Имеет ли ядро CPU соответствующую пропускную способность, т.е.
вычислительную мощность, позволяющую обрабатывать системные
запросы с учетом программирования на выбранном прикладном языке;
Слишком много - расточительно, слишком мало – не будет работать.
д). Выделено ли в бюджете проекта достаточно средств, чтобы позволить
себе использовать данный микроконтроллер. Чтобы ответить на этот вопрос,
обычно требуются расценки производителя. Если данный микроконтроллер
не приемлем для проекта, все остальные вопросы становятся
несущественными, и вы должны начать поиски другого микроконтроллера.
II. Доступность:
а). Существует ли устройство в достаточных количествах;
б). Производится ли оно сейчас;
в). Что ожидается в будущем;
III. Поддержка разработчика:
а) Ассемблеры.
б) Компиляторы.
в) Средства отладки.
г) Оценочный модуль (EVM).
д) Внутрисхемные эмуляторы.
е) Насадки для логических анализаторов.
ж) Отладочные мониторы.
и) Отладчики программ в исходных текстах.
к) Доска объявлений в On-line (BBS).
л) Исполнительная система реального времени.
м) Примеры применения.
н) Сообщения об ошибках.
о) Утилиты, в том числе "бесплатные" ассемблеры.
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
п) Образцы исходных текстов.
IV. Поддержка применений:
а) Есть ли специальная группа, которая занимается только поддержкой
применений;
б) Есть ли инженеры, техники или продавцы;
в)Насколько квалифицирован поддерживающий персонал, действительно ли он
заинтересован в помощи вам при решении вашей проблемы;
г) Поддерживаются ли телефон и/ или FAX;
V. История производителя:
а) Компетентность, подтвержденная разработками.
б) Надежность микросхем, т.е. качество продукции.
в) Срок поставки.
г) Время работы в этой области.
д) Финансовый отчет.
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
Насколько требователен микроконтроллер к качеству источника питания,
т.е. каков диапазон допустимых уровней напряжения?
Каковы допустимые пульсации напряжения питания?
Какой рабочий ток? Изделие должно работать от сети или от батарей?
Если от батарей, должны ли использоваться перезаряжаемые батареи и если
это так, то каково время работы без перезарядки, и какое для нее требуется
время?
Существуют ли ограничения по размеру, весу, эстетическим параметрам,
таким как, например, форма?
Существуют ли какие-либо специфические требования к условиям
окружающей среды, таким как военные условия, температура, влажность,
атмосфера (взрывоопасная, коррозийная и т.д.), давление/высота?
Будут ли использоваться в системе диски или только Flash или ROM?
Система будет применяться для решения задач в реальном времени, и если
да, собираетесь ли вы создать или приобрести операционное ядро реального
времени или, возможно, будет достаточно простейшего доступного и
широко используемого системного программного обеспечения?
Достаточно ли персонала и времени для разработки вашего собственного
операционного ядра и оправданы ли экономически затраты на такую
разработку?
Как будут оплачиваться авторские права u1080 и программное обеспечение?
Для решения задач реального времени требуется большая исследовательская
работа, чтобы удовлетворить их особым требованиям.
1.1.5. Основные особенности микроконтроллера
Микроконтроллеры в целом можно разделить на группы 8-, 16- и 32-
разрядных по размеру их арифметических и индексных регистров, хотя некоторые
разработчики считают, что 8/16/32 - разрядную архитектуру определяет
разрядность шины.
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
эмуляция особенностей 16/32-раз-рядного микроконтроллера на недорогом 8-
разрядном микроконтроллере, жертвуя размером исполняемого кода и скоростью?
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
образом, работать при более высоких скоростях. Более плотный дизайн также
уменьшает стоимость, т.к. на кремниевой пластине того же размера можно
произвести большее количество чипов.
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
цифроаналоговые преобразователи (D/A), драйверы жидкокристаллического
экрана (LCD) и драйверы вакуумного флуоресцентного экрана (VFD).
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
Есть ли какие-либо специальные команды, которые будут использоваться в
вашей системе, такие как умножение, деление и табличное
интерполирование?
Есть ли какие-либо малопотребляющие режимы для экономии батарейного
питания, такие как остановка, остановка с низким потреблением мощности
и/или ожидание?
Есть ли какие-либо команды битовых манипуляций (установка бита, очистка
бита, тест бита, изменение бита, команды перехода по
установленному/очищенному биту), облегчающие применение
микроконтроллера, или команды манипуляции с битовыми полями?
Реальным критерием производительности является количество тактовых
циклов, требуемое для выполнения задачи, а не количество исполненных команд.
Для справедливого сравнения лучше закодировать одинаковую программу и
сравнить полное число выполненных тактовых циклов и использованных байтов.
Есть ли в карте операционных кодов нереализованные инструкции и что
получится, если они случайно выполнятся? Обработает ли система подобную
ситуацию корректно обработчиком “исключительных” событий или это приведет
к выходу системы из строя?
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
фазированного относительно тактового генератора микроконтроллера) до
выполнения первой команды соответствующего обработчика прерывания.
Всегда имейте в виду, что, хотя долларовый объем вашей покупки может
казаться вам высоким, это всегда относительная величина к общему объему
продаж поставщика.
1.1.10.Литературная поддержка
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
Литература охватывает широкий набор печатных материалов, которые могут
помочь вам сделать правильный выбор. Она включает:
Выпуски производителя, такие как технические описания и рекомендации
по применению, также издания, доступные в местном книжном магазине
и/или библиотеке.
Издания из местного магазина и/или библиотеки не только указывают на
популярность производителя/микроконтроллера, но и публикуют
беспристрастные мнения, если они высказаны независимыми от
производителя авторами.
Для окончательного шага в процессе выбора постройте таблицу, содержащую
рассматриваемые микроконтроллеры в одной графе, а их важные характеристики -
в другой.
Затем приложите бланки технических описаний производителей, чтобы получить
справедливое наглядное сравнение.
Некоторые производители имеют предварительно сделанные сравнительные
описания их микроконтроллеров, которые упростят вашу задачу, но проверьте по
техническим описаниям, все ли новейшие продукты представлены.
Среди возможных характеристик:
Цена (на ожидаемый объем продукции, включая предсказание будущей
цены, т.е. уменьшится ли цена, и как она будет себя вести в процессе
предполагаемого жизненного цикла вашего изделия?),
RAM,
ROM,
EPROM,
EEPROM,
таймер(ы),
A/D,
D/A,
последовательные порты,
параллельные порты,
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
скорость шины (минимальная/максимальная),
специальные команды (умножение, деление и т.д.),
число доступных прерываний,
время отклика прерывания (время от начала прерывания до выполнения
первой команды, управляемой прерыванием),
размер корпуса/тип (керамический DIP или LCC,
пластиковый 0.3" DIP или 0.6" DIP, сжатый DIP (расстояние между
контактами - .071"),
PLCC, PQFP, EIAJQFP, SOIC, BGA;
Некоторые из них используют технологию поверхностного монтажа),
требования по питанию и другие детали, важные для устройства вашей системы.
Если после всего этого у вас в списке все еще больше одного микроконтроллера,
рассмотрите возможности расширения и стоимость. Какие расширения, по
вашему мнению, могут понадобиться в будущих версиях вашего продукта? И
наконец, если два микроконтроллера стоят одинаково, но один предлагает немного
больше возможностей, которые не требуются сегодня, но сделали бы будущие
расширения доступными без добавочных затрат, выбирайте этот
микроконтроллер.
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
другим уровням памяти, реализованным вне процессора и требующим большего
времени для операций обмена информацией:
- кэш-память, служащая для хранения копии информации, используемой в
текущих операциях обмена. Высокое быстродействие кэш-памяти повышает
производительность ЭВМ.
- основная память (оперативная, постоянная, полупостоянная). работающая в
режиме непосредственного обмена с процессором и по возможности
согласованная с ним по быстродействию. Исполняемый в текущий момент
фрагмент программы обязательно находится в основной памяти;
- специализированные виды памяти, характерные для некоторых специфических
архитектур (многопортовые, ассоциативные, видеопамять и др.);
- внешняя память, хранящая большие объемы информации. Эта память обычно
реализуется на основе устройств с подвижным носителем информации
(магнитные и оптические диски, магнитные ленты и др.).
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
состояние, задаваемое входным словом. Минимально допустимый интервал
между последовательными чтениями или записями образует соответствующий
цикл. Длительности циклов могут превышать времена чтения или записи, т. к.
после этих операций может потребоваться время для восстановления
необходимого начального состояния ЗУ
Время чтения, записи и длительности циклов — традиционные параметры. Для
некоторых современных ЗУ они должны быть дополнены новыми. Причиной
является более сложный характер доступа к хранимым данным, когда обращение
к первому слову некоторой группы слов (пакета) требует большего времени, чем
обращение к последующим Для таких режимов вводят параметр времени доступа
при первом обращении (Latency) и темпа передач для последующих слов пакета
(Bandwidth). Темп передач в свою очередь оценивается двумя значениями —
предельным (внутри пакета) и усредненным (с учетом Latency).С уменьшением
пакета усредненный темп снижается, все более отличаясь от предельного.
Помимо указанных основных параметров для ЗУ указывают еще целый набор
временных интервалов. Перечисленные выше динамические параметры являются
эксплуатационными (измеряемыми). Кроме них, существует ряд режимных
параметров, обеспечение которых необходимо для нормального
функционирования ЗУ, поскольку оно имеет несколько сигналов управления, для
которых должно быть обеспечено определенное взаимное расположение во
времени. Для этих сигналов задаются длительности и ограничения по взаимному
положению во времени.
Один из возможных наборов сигналов ЗУ (рис. 4.1. а) включает следующие
сигналы:
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
Рис. 1.1. Типичные сигналы ЗУ (а) и их временные диаграммы (б)
А — адрес, разрядность которого n определяется числом ячеек ЗУ. т. е.
максимально возможным числом хранимых в ЗУ слов. Для ЗУ типично число
ячеек, выражаемое целой степенью двойки. Адрес является номером ячейки, к
которой идет обращение. Очевидно, что разрядность адреса связана с числом
хранимых слов N соотношением и - log2N (имеется в виду максимально
возможное число хранимых слов) Например, ЗУ с информационной емкостью 64К
слон имеет 16-разрядные адреса, выражаемые словами
А = А15А14А13...А0;
CS — (Chip Select) или СЕ (Chip Enable), который разрешает или запрещает
работу данной микросхемы;
R/W — (Read/Write) задает выполняемую операцию (при единичном значении —
чтение, при нулевом — запись);
D1 и DO (Data Input) и (Data Output) — шины входных и выходных данных,
разрядность которых m определяется организацией ЗУ (разрядностью его ячеек).
В некоторых ЗУ эти линии объединены.
Требования к взаимному временному положению двух сигналов (А и В) задаются
временами предустановки, удержания и сохранения.
время предустановки сигнала А относительно сигнала В tSU(A_B) есть интервал
между началами обоих сигналов.
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
Время удержания tH (A - B) — это интервал между началом сигнала А и окон-
чанием сигнала В.
время сохранения tV (A - B) — интервал между окончанием сигнала А и
окончанием сигнала В.
Длительности сигналов обозначаются как tW (индекс от слова Width - ширина).
Для ЗУ характерна такая последовательность сигналов. Прежде) всего подается
адрес, чтобы последующие операции не коснулись какой-либо другой ячейки,
кроме выбранной. Затем разрешается работа микросхемы сигналом CS (CF) и
подается строб чтения/записи R/W (взаимное положение сигналов CS и R/W для
разных ЗУ может быть различным). Если задана, например, операция чтения, то
после подачи перечисленных сигналов ЗУ готовит данные для чтения, что требует
определенного времени. Задний фронт сигнала R/W, положение которого во
времени должно обеспечивать, установление правильных данных на выходе ЗУ.
считывает данные.
Пример временной диаграммы для рассмотренного набора сигналов ЗУ и
операции чтения приведен на рис. 1.1. б.
Индексом А (от слова Access) обозначаются согласно стандарту времена доступа
— интервалы времени от появления того или иного управляющего сигнала до
появления информационного сигнала на выходе. Время доступа относительно
сигнала адреса обозначается, если следовать правилу, как tA(A), но часто просто как
tA. Аналогично этому, время доступа относительно сигнала CS, т. е. tA(CS) часто
обозначается просто как tCS. Время iA называют также временем выборки, а время
tCS - временем выбора.
Кроме отмеченных параметров для ЗУ используется и ряд других (уровни
напряжений, токи, емкости выводов, температурный диапазон и т.д.), которые не
требуют специального рассмотрения, т.к. они традиционны для цифровой
схемотехники. Исключение составляет свойство энергонезависимости, т.е.
способность ЗУ сохранять данные при отключении напряжения питания.
Энергонезависимость может быть естественной, т.е. присущей самим ЗЭ, или
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
искусственной, достигаемой введением резервных источников питания,
автоматически подключаемых к накопителю ЗУ при снятии основного питания.
Классификация ЗУ
Для классификации ЗУ (рис 4.2) важнейшим признаком является способ доступа к
данным.
При адресном доступе код на адресном входе указывает ячейку, с которой ведется
обмен. Все ячейки адресной памяти в момент обращения равнодоступны. Эти ЗУ
наиболее разработаны, и другие виды памяти часто строят на основе адресной с
соответствующими модификациями.
Адресные ЗУ делятся на RAM (Random Access Memory) и ROM (Read-Only
Memory). Русские синонимы термина RAM: ОЗУ (оперативные ЗУ) или ЗУПВ (ЗУ
с произвольной выборкой). Оперативные ЗУ хранит данные, участвующие в
обмене при исполнении текущей программы, которые могут быть изменены в
произвольный момент времени. Запоминающие элементы ОЗУ, как правило, не
обладают энергонезависимостью. В ROM (русский эквивалент — ПЗУ, т. е.
постоянные ЗУ) содержимое либо вообще не изменяется, либо изменяется, но
редко и в специальном режиме. Для рабочего режима это "память только для чтения".
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
Рис 1.2. Классификация полупроводниковых ЗУ.
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
аналогичным поведению статических ЗУ. Такие ЗУ называют
квазистатическими.
Статические ЗУ называются SRAM (Static RAM), а динамические — ORAM
(Dynamic RAM).
Статические ОЗУ можно разделить на асинхронные, тактируемые и синхронные
(конвейерные). В асинхронных сигналы управления могут задаваться как
импульсами, так к уровнями. Например, сигнал разрешения работы CS может
оставаться неизменным и разрешающим на протяжении многих циклов
обращения к памяти. В тактируемых ЗУ некоторые сигналы обязательно должны
быть импульсными, например, сигнал разрешения работы CS в каждом цикле
обращения к памяти должен переходить из пассивного состояния в активное
(должен формироваться фронт этого сигнала в каждом цикле). Этот тип ЗУ
называют часто синхронным. Здесь использован термин "тактируемые", чтобы
"освободить" термин "синхронные" для новых типов ЗУ, в которых организован
конвейерный тракт передачи данных, синхронизируемый от тактовой системы
процессора, что дает повышение темпа передач данных в несколько раз
Подробнее сущность конвейерной организации ЗУ рассмотрена в § 4.8, т. к. она
играет важную роль в повышении быстродействия динамических ЗУ (вариант
SDRAM).
Динамические ЗУ характеризуются наибольшей информационной емкостью и
невысокой стоимостью, поэтому именно они используются как основная память
ЭВМ Поскольку от этой памяти требуется высокое быстродействие, разработаны
многочисленные архитектуры повышенного быстродействия, перечисленные и
классификации. Подробнее эти архитектуры рассмотрены в §4.7.
Статические ЗУ в 4...5 раз дороже динамических и приблизительно во столько же
раз меньше по информационной емкости. Их достоинством является высокое
быстродействие, а типичной областью использования — схемы кэш-памяти.
Постоянная память типа ROM (М) программируется при изготовлении методами
интегральной технологии с помощью одной из используемых при этом масок. В
русском языке ее можно назвать памятью типа ПЗУМ (ПЗУ масочные). Для
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
потребителя это в полном смысле слова постоянная память, т. к. изменить ее
содержимое он не может. В следующих трех разновидностях ROM в обозначениях
присутствует буква Р (от Programmable). Это программируемая пользователем
память (в русской терминологии ППЗУ— программируемые ПЗУ). Ее
содержимое записывается либо однократно (в PROM), либо может быть заменено
путем стирания старой информации и записи новой (в EPROM и EEPROM) В
EPROM стирание выполняется с помощью облучения кристалла
ультрафиолетовыми луча-ми, ее русское название РПЗУ-УФ (репрограммируемое
ПЗУ с УФ-стираннем). В EEPROM стирание производится электрическими
сигналами ее русское название РПЗУ-ЭС (репрограммируемое ПЗУ с
электрическим стиранием). Английские названия расшифровываются как
Electrically Programmable ROM и Electrically Erasable Programmable ROM.
Программирование PROM и репрограмирование EPROM и EEPROM
производятся в обычных лабораторных условиях с помощью либо специальных
программаторов, либо специальных режимов без специальных приборов (для
EEPROM)
Память типа Flash по запоминающему элементу подобна памяти типа EEPROM
(или иначе E2PROM), но имеет структурные и технологические особенности,
позволяющие выделить ее в отдельный вид.
Запись данных и для EPROM и для E2PROM производится электрическими
сигналами.
В ЗУ с последовательным доступом записываемые данные образуют некоторую
очередь. Считывание происходит из очереди слово за словом либо в порядке
записи, либо в обратном порядке. Моделью такого ЗУ является последовательная
цепочка запоминающих элементов, в которой данные передаются между
соседними элементами.
Прямой порядок считывания имеет место в буферах FIFO с дисциплиной "первый
пришел — первый вышел" (First In — First Out), а также в файловых и
циклических ЗУ.
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
Разница между памятью FIFO и файловым ЗУ состоит в том, что и FIFO запись в
пустой буфер сразу же становится доступной для чтения, т. е. поступает в конец
цепочки (модели ЗУ). В файловых ЗУ данные поступают в начало цепочки и
появляются на выходе после некоторого числа обращений, равного числу
элементов в цепочке. При независимости операций считывания и записи
фактическое расположение данных в ЗУ на момент считывания не связано с
каким-либо внешним признаком. Поэтому записываемые данные объединяют в
блоки, обрамляемые специальными символами конца и начала (файлы). Прием
данных из файлового ЗУ начинается после обнаружения приемником символа
начала блока.
В циклических ЗУ слова доступны одно за другим с постоянным периодом,
определяемым емкостью памяти. К такому типу среди полупроводниковых ЗУ
относится видеопамять (VRAM).
Считывание в обратном порядке свойственно стековым ЗУ, для которых
реализуется дисциплина "последний пришел — первый вышел". Такие ЗУ
называют буферами LIFO(Last In — First Out).
Время доступа к конкретной единице хранимой информации в последовательных
ЗУ представляет собою случайную величину. В наихудшем случае для такого
доступа может потребоваться просмотр всего объема хранимых данных.
Ассоциативный доступ реализует поиск информации по некоторому признаку, а
не по ее расположению в памяти (адресу или месту в очереди) В наиболее полной
версии все хранимые в памяти слова одновременно проверяются на соответствие
признаку, например, на совпадение определенных нолей слов (тегов — от
английского слова tag) с признаком, задаваемым входным словом (теговым
адресом). На выход выдаются слова, удовлетворяющие признаку. Дисциплина
выдачи слов, если тегу удовлетворяют несколько слов, а также дисциплина записи
новых данных могут быть разными. Основная область применения ассоциативной
памяти в современных ЭВМ кэширование данных.
Технико-экономические параметры ЗУ существенно зависят от их
схемотехнологической реализации. Но этому признаку также возможна
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
классификация ЗУ. однако удобнее рассматривать этот вопрос применительно к
отдельным типам памяти.
1.4. Организация портов ввода-вывода данных
Микроконтроллеры обычно обращаются к внешним устройства ( ВУ)
аналогично обращению к ячейкам внешнего ЗУ, так что порты ВУ подключаются
к линиям, которые управляют работой памяти. В этом случае процессор не
отличает обращение к ВУ от обращения к ячейке ОЗУ. Преимущество такого
способа подключения ВУ заключается в том, что появляется возможность
использования большого числа команд, предназначенных для обработки
операндов из адресуемой области памяти. Для передачи байта или слова из ВУ в
аккумулятор и обратно, появляется возможность выполнения арифметических и
логических операций с участием данных из ВУ, а также операций пересылок
между любым внутренним регистром и ВУ, между памятью и ВУ, а также из
одного ВУ в другое.
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
– блоки прерываний, последовательного порта и таймера (Interrupt, Serial Port, and
Timer Blocks); тактовый генератор Osc (Oscillator); устройство управления и
синхронизации (Timing and Control);
– регистр команд (Instruction Register); указатель стека SP (Stack Pointer); буфер
(Buffer); счетчик команд PC (Program Counter); инкрементер счетчика команд (PC
Incrementer); регистр указателя данных (DPTR – Data Pointer Register); регистр
адреса программы PAR (Program Address Register);
– оперативное запоминающее устройство RAM (Random Access Memory) с
регистром адресации ОЗУ (RAM Address Register); постоянное запоминающее
устройство ROM (Read Only Memory) или перепрограммируемое постоянное
запоминающее устройство EPROM (Electronic Programming Read Only Memory);
– четыре однобайтовых порта ввода-вывода P0, P1, P2 и P3; каждый порт
включает в себя буфер порта с формирователем PD (Port Drivers) и защелку порта
PL (Port Latch).
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
Рис.2.1. Структурная схема микроконтроллера 80С51
2.1.2. Регистры специальных функций
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
Карта области встроенной в микроконтроллер оперативной памяти, называемой
областью регистров специальных функций (Special Function Registers –SFR),
представлена на рис.1.2.
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
Регистр В. Регистр В используется как источник или как приемник во время
операций умножения и деления. Для других команд он может использоваться как
еще один свободный рабочий регистр.
Слово - состояние программы PSW. Регистр слово - состояние программы
содержит информацию о состоянии программы как это показано на рис.1.3. и в
таблице 1.1.
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
PSW.0 P бит четности (Parity Flag);
устанавливается / сбрасывается
аппаратно каждый цикл команды для
указания нечетного / четного количества
бит, содержащих “1”, в аккумуляторе, то
есть, для проверки на четность;
Битами RS1, RS0 выбираются ячейки памяти, которые будут служить активным
регистровым банком (регистры R0+R7), как показано в таблице 1.2.
Таблица 2.2
Выбор регистрового банка
Указатель стека (Stack Pointer – SP). Регистр указателя стека имеет ширину 8
бит. Используется для указания на вершину стека в операциях записи в стек и
чтения из него.
Он инкрементируется на единицу перед сохранением данных при выполнении
команд PUSH и CALL. Неявно используется такими командами, как RET, RETI,
POP.
Стек может находиться в любом месте внутренней памяти данных, однако
указатель стека после сброса инициализируется с адреса 07Н (область стека в этом
случае начинается с адреса 08Н).
Указатель данных (Data Pointer – DPTR). Регистр указателя данных DPTR
состоит из старшего байта (DPH) и младшего байта (DPL). Его основная функция
состоит в хранении 16-разрядного адреса. К нему можно обращаться, как к 16-
разрядному регистру или как к двум независимыми 8-разрядным регистрам.
Порты P0 – P3. Функционально любой порт состоит из буфера и SFR - защелки.
Соответственно P0, P1, P2, и P3 являются SFR - защелками портов 0, 1, 2, и 3.
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
Запись логической единицы в любой бит SFR - защелки порта (P0, P1, P2, или P3)
вызывает появление высокого состояния на соответствующем выводе порта.
Запись нуля вызывает появление низкого состояния.
Когда порт используется как вход, то внешнее состояние вывода порта
сохраняется в SFR - защелке порта. То есть, если внешнее состояние вывода порта
низкое, соответствующий бит SFR - защелки порта будет содержать 0; если
внешнее состояние высокое, то бит будет содержать 1).
Буфер данных последовательного интерфейса (Serial Data Buffer – SDB).
Последовательный буфер фактически состоит из двух отдельных регистров:
буфера передачи и буфера приема.
При записи данных в SBUF они помещаются в буфер передатчика
последовательного порта и сохраняются для последующей передачи. Запись байта
в буфер передатчика приводит к автоматической инициализации начала передачи
этого байта.
При чтении SBUF считывается содержимое буфера приемника последовательного
порта. Наличие буферного регистра приемника позволяет совмещать операцию
чтения из SBUF ранее принятого байта с приемом очередного. Если к моменту
окончания приема очередного байта предыдущий не был считан из SBUF, то он
будет потерян.
Основные регистры таймеров в 80C51. Регистровые пары (TH0, TL0) и
(TH1, TL1) образуют 16 - разрядные счетные регистры для таймеров / счетчиков 0
и 1, соответственно.
Регистр управления в 80C51. Регистры специальных функций IP, IE,
TMOD, TCON, SCON, и PCON содержат биты управления и состояния для
системы прерываний, таймеров / счетчиков, и последовательного порта. Подробно
они описаны в последующих параграфах этой главы.
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
Микроконтроллер 80С51 имеет в своем составе четыре двунаправленных порта
ввода-вывода P0, P1, P2 и P3. Каждый порт включает в себя защелку (Port Latch)
порта (регистры специальных функций SFR от P0 до P3), выходной
формирователь (Output Driver) и входной буфер порта (Input Buffer).
Выходные формирователи портов P0 и P2 и входные буферы порта P0
используются в обращениях к внешней памяти. В этом случае порт P0 служит как
мультиплексируемая по времени шина адреса/данных. Он выставляет на шину
младший байт адреса внешней памяти, а порт P2 выводит старший байт адреса
внешней памяти (в том случае, если адрес 16-разрядный). В противном случае, на
выводах порта P2 постоянно выводится содержимое регистра P2 из области SFR.
Все выводы порта P3 многофункциональны. Они являются не только выводами
порта, но и имеют альтернативные функции, сведенные в таблицу 1.3.
Таблица 2.3
Альтернативное назначение битов регистра порта P3
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
2.1.2.2. Конфигурация портов ввода / вывода
На рисунках 2.4 – 2.5 показаны структурные схемы типовой
защелки бита порта и буфера ввода / вывода для каждого из
четырех портов.
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
Рис.2.5. Структурная схема защелки бита и буфера
ввода / вывода портов P1 и P3
Защелка бита (один бит в SFR защелке порта) представлена как триггер D - типа,
который будет защелкивать уровень сигнала внутренней шины (Int. Bus) по
сигналу “запись в защелку” (Write to Latch) от CPU. Входной сигнал на выводе
порта направляется на внутреннею шину по сигналу "чтение вывода" (Read Pin)
от CPU. Часть команд, для того чтобы прочитать порт используют сигнал "чтение
защелки" (Read Latch), а остальные – сигнал "чтения вывода" (Read Pin).
Как видно из рис.1.4, выходные формирователи портов P0 и P2 подключаются к
внутренней шине адреса/данных (ADDR/Data) сигналом Control внутреннего
управления для организации доступа к внешней памяти. Отметим, что при
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
обращении к внешней памяти содержимое SFR регистра P2 остается неизменным,
а во все биты SFR регистра P0 записываются логические единицы.
Как видно из рис.1.5, если битовая защелка регистра P3 установлена в 1, то
уровень сигнала на выводе порта (P3.X Pin) определяется сигналом,
обозначенным как “альтернативные выходные функции” (Alternate Output
Function). В действительности, по умолчанию, выводы порта всегда настроены на
“альтернативные входные функции” (Alternate Input Function).
Порты P1, P2, и P3 имеют внутренние подтягивающие резисторы, а порт P0 имеет
выводы с открытым стоком. Каждая линия ввода / вывода может независимо
использоваться как вход или выход. Отметим, что выводы порты P0 и P2 не могут
использоваться для общих задач ввода / вывода, когда эти порты служат как шина
адреса/данных для организации обращений к внешней памяти во время обычной
работы.
Чтобы использоваться линию ввода / вывода как вход, бит защелки порта должен
содержать логическую 1, которая закрывает полевой транзистор (FET) в выходном
формирователе. Тогда, для портов P1, P2 и P3, уровень сигнала на выводе порта
подтягивается вверх слабым внутренним подтягивающим резистором (Internal
Pullup) и может контролироваться мощным внешним источником.
Порт P0 отличается от прочих портов, так как его внутренние подтягивающие
резисторы являются неактивными во время нормальной работы порта.
Подтягивающий полевой транзистор FET в выходном формирователе порта P0
(см. рис.1.4) используется только тогда, когда порт генерирует логические 1 во
время доступа к внешней памяти. В остальных случаях подтягивающий полевой
транзистор выключен. Следовательно, линии порта P0, которые используются как
линии вывода / вывода, являются линиями с открытым стоком. Запись логической
1 в битовую защелку заставляет оба выходных полевых транзисторов закрыться,
так что вывод порта переходит в неопределенное состояние (третье состояние, z-
состояние). В этом случае он может использоваться как высокоимпедансный вход.
Поскольку порты P1, P2 и P3 имеют встроенные внутренние подтягивающие
резисторы, то их иногда называют "квазидвунаправленными" портами. Когда они
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
сконфигурированы как входы, то уровень сигнала на выводе порта подтягивается
вверх, однако внешним источником может быть опущен вниз. Порт P0, с другой
стороны, рассматривается как "полный" двунаправленный, потому что, когда он
сконфигурирован как вход, то переходит в состояние с высоким входным
импедансом.
При сбросе микроконтроллера 80C51 во все защелки портов записываются
логические 1. Если впоследствии в защелку порта записан 0, то она может быть
вновь переконфигурирована как вход записью в нее логической 1.
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
Рис.2.6. Структурная схема встроенных подтягивающих резисторов
портов P1 и P3 в NMOS устройствах 80C51
Транзистор Enhancement Mode FET включается на 2 периода тактового
генератора, после того как сигнал Q защелки бита переходит из 0 в 1.
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
Параллельно встроенному подтягивающему резистору находится полевой
транзистор в режиме обогащенного канала (Enhancement Mode FET), который
активизируется в течение фазы S1 всякий раз, когда бит порта выполняет переход
от 0 к 1. В течение этого интервала времени, когда вывод закорочен на землю,
дополнительный транзистор обеспечивает дополнительный выходной ток порядка
30 mA.
В CMOS устройствах 80C51 подтягивающий резистор состоит из трех полевых
транзисторов с каналом p-типа (pFET). Заметим, что n-канальный полевой
транзистор (nFET) включается, когда к его затвору прикладывается логическая 1,
и выключается, когда к его затвору прикладывается логический 0. Транзистор
pFET является его противоположностью: он открыт, когда к затвору приложен 0, и
закрыт, когда на затворе 1.
Транзистор pFET1 на рис.1.7 – это транзистор p-типа, который включается на 2
периода тактового генератора после того как сигнал Q защелки бита переходит из
0 в 1. Включение pFET1 через инвертор включает полевой транзистор pFET3
(маломощный подтягивающий резистор). Этот инвертор и полевой транзистор
pFET3 формируют защелку, которая удерживает логическую 1.
Заметим, что, если на выводе формируется логическая 1, то отрицательная помеха
на выводе от некоторого внешнего источника может выключить полевой
транзистор pFET3, переводя вывод в неопределенное состояние. Для
восстановления исходного состояния служит транзистор pFET2. Это полевой
транзистор с каналом p-типа является очень слабым подтягивающим резистором,
который включается всякий раз, когда n-канальный полевой транзистор nFET
выключается, как это заложено в классическом варианте CMOS. Его мощность
равна 1/10 от мощности транзистора pFET1. Однако его мощности хватает для
восстановления логической 1 на выходе порта в случае ее потери из-за сбоя.
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
ТТЛ или NMOS схемами. И NMOS и CMOS выводы могут управляться выходами
открытым коллектором и с открытым стоком, однако заметим, что переход от
логического 0 к логической 1 не будет быстрым.
В NMOS устройствах, в случае, если вывод управляется выходом с
открытым коллектором, переход от 0 к 1 будет должен управляться относительно
слабым полевым транзистором в режиме обедненного канала (Depletion Mode
FET), как показано на рис.1.6. В устройствах CMOS, входной 0 выключает p-
канальный полевой транзистор pFET3, оставляя только маломощный
подтягивающий транзистор pFET2, который и управляет переходом.
Выходные буферы порта P0 могут управлять каждый до 8 ТТЛ входов.
Однако, для управления NMOS входами требуются внешние подтягивающие
резисторы, за исключением, когда порт P0 используется как шина адреса/данных
(ADDRESS / DATA) при обращениях к внешней памяти.
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
DEC Decrement DEC P2
DJNZ Decrement and jump if not zero DJNZ P3, LABEL
MOV PX.Y,C Move carry bit to bit Y of Port X MOV P2.7,C
CLR PX.Y Clear bit Y of Port X CLR P3.6
SET PX.Y Set bit Y of Port X SET P3.6
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
Всякий раз, когда используется 16-разрядный адрес, старший байт адреса
помещается в порт P2, где он удерживается в течение всего цикла чтения
или записи. Отметим, что формирователи порта P2 используют мощные
подтягивающие резисторы все время, когда они генерируют биты адреса,
являющимися логическими 1. Это происходит в течение выполнения
команды MOVX @DPTR. Во время этой процедуры защелка порта P2 из
области SFR не должна содержать логических 1, и содержимое порта P2
SFR не изменяется. Если внешний цикл памяти немедленно не
сопровождается другим внешним циклом памяти, неизмененное
содержимое порта P2 SFR вновь появится в следующем цикле.
Если используется 8-битный адрес (MOVX @Ri), то содержимое порта P2
SFR остается на выводах порта P2 во всех внешних циклах памяти. Это
облегчит пролистывание страниц памяти.
В любом случае, младший байт адреса является мультиплексированным по
времени с байтом данных в порту P0. Сигналы адреса / данных управляют
обоими полевыми транзисторами в выходных буферах порта P0. Таким
образом, в этом случае выводы порта P0 не являются выходами с открытым
стоком, и не требуют внешнего подтягивающего резистора.
В течение времени, когда младший байт адреса присутствует на выводах
порта P0, сигнал ALE (Address Latch Enable – разрешение фиксации адреса)
разрешает запись этого байта в защелку адреса. Байт адреса защелкивается
при отрицательном перепаде сигнала ALE. Затем, в цикле записи, байт
данных, который будет записан, появляется в порте P0 непосредственно
перед тем, как активируется сигнал WR , и остается там до тех пор, пока
сигнал WR не деактивируется. В цикле чтения, входной байт принимается
в порт P0 непосредственно перед тем, когда строб чтения RD
деактивируется.
В течение любого обращения к внешней памяти, CPU записывает 0FFH в
защелку порта P0 SFR. Таким образом, какая-либо стертая информация из
защелок порта P0 SFR, может быть сохранена.
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
Обращение к внешней памяти программ происходит в двух случаях: всякий
раз, когда сигнал EA активен; или всякий раз, когда счетчик команд (PC)
содержит адрес, которое больше чем 0FFFH. Это сделано для того, чтобы в
версиях микроконтроллера без встроенного ПЗУ обеспечить доступ к
нижним 4 К программ из внешней памяти.
Когда CPU работает от внешней памяти программ, все 8 бит порта P2
выделяются для функции вывода и не могут использоваться для
универсальных целей ввода/вывода. Во время выборки из внешней памяти
программ, биты порта P2 выводят старший байт счетчика команд PC.
Отметим, что в это время формирователи порта P2 используют мощные
подтягивающие резисторы для генерации единичных бит адреса из счетчика
команд.
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
Рис.2.8. Пространство памяти программ микроконтроллера
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
может быть расширена до 64 Кбайт за счет подключения микросхем внешней
памяти программ.
Внутренняя память программ КР1816ВЕ51 и КР1830ВЕ51 представляет
собой ПЗУ, формируемое при изготовлении микроконтроллера. Внутренняя
память программ микроконтроллера КМ1816ВЕ751 является
перепрограммируемым постоянным запоминающим устройством (ППЗУ) с
ультрафиолетовым стиранием.
Таким образом, для микроконтроллеров КР1816ВЕ51, КМ1816ВЕ751 и
КР1830ВЕ51 адресуемая внутренняя и внешняя память программ разделены в
соотношении 4 K + 60 К.
Микроконтроллеры КР1816ВЕ31 и КР1830ВЕ31 не имеют внутренней
памяти программ и могут работать только с внешней памятью емкостью до 64
Кбайт.
С точки зрения программы, имеется только один вид памяти программ
объемом до 64 К. Тот факт, что в ряде микроконтроллеров он образуется
комбинацией двух областей, находящихся в микроконтроллере и вне его (в
соотношении 4 К + 60 К), для программ неощутим, поскольку процессор
автоматически выбирает байт из нужного массива в соответствии с его адресом.
Сигналом, стробирующим выборку и ввод байта из внешней памяти
программ в микроконтроллер является сигнал PSEN . Для микроконтроллера,
содержащих внутреннюю память программ, PSEN формируется только в том
случае, если адрес в счетчике команд превосходит максимальный адрес
внутренней памяти программ 0FFFH . То есть для выборок из внутренней памяти
программ сигнал PSEN не формируется.
Для микроконтроллера, не имеющих внутренней памяти программ, PSEN
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
Отличительной особенностью микроконтроллеров семейства 80C51
является возможность работы как с внутренней, так и с внешней памятью
программ (см. рис.4.1). Микроконтроллеры этого семейства имеют вывод EA , с
помощью которого можно запретить работу внутренней памяти программ, для
чего необходимо подать на вывод EA напряжение логического "0". При этом
внутренняя память программ отключается и, начиная с нулевого адреса, все
обращения происходят к внешней памяти программ с формированием сигнала
PSEN . В случае, если EA =1, работают и внутренняя и внешняя память программ.
Для микроконтроллера, не имеющих внутренней памяти программ, для
нормальной работы всегда необходимо задавать EA =0.
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
RG. Старший байт адреса находится на выходах порта Р2 в течение всего времени
обращения к ПЗУ. Сигнал PSEN разрешает выборку байта из ПЗУ, после чего
выбранный байт поступает на порт Р0 80C51 и вводится в микроконтроллер.
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
Рис.2.10 Циклы работы с внешней памятью программ
На рис.4.3 использованы обозначения:
PCL OUT – выдача младшего байта счетчика команд PC;
PCH OUT – выдача старшего байта счетчика команд PC;
D – периоды, в течение которых данные с P0 вводятся в микроконтроллер.
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
Рис.2.11. Циклы работы с внешней памятью программ без выполнения команды
MOVX
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
На рис.4.4 и 4.5 использованы обозначения:
PCL OUT – выдача младшего байта счетчика команд PC;
PСН OUT – выдача старшего байта счетчика команд PC;
DPH – старший байт регистра указателя данных DPTR, который
используется в качестве регистра косвенного адреса в командах MOVX A,@DPTR
и MOVX @DPTR,A;
Р2 SFR – защелки порта Р2;
INS IN – ввод байта инструкции из памяти программ;
ADDR OUT – выдача младшего байта адреса внешней памяти данных из
регистров R0, R1 или регистра DPL.
Задний фронт ALE стробирует адрес на порте Р0. В этот момент адрес
гарантированно установлен.
Если выполняется команда MOVX (см. рис. 4.5), два сигнала PSEN не
формируются, т. к. порт Р0 освобождается для адресации и обмена данными с
внешней памятью данных.
Когда микроконтроллер работает с внутренней памятью программ, PSEN не
формируется и адрес на портах Р0 и Р2 не выдается. Тем не менее, сигнал ALE
будет формироваться дважды в каждом машинном цикле всегда за исключением
случая команды MOVX (в этом случае один сигнал ALE пропускается). Таким
образом, в том случае, если не используются команды MOVX, сигнал ALE может
быть задействован в качестве выходного синхросигнала микроконтроллера.
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
микроконтроллеров, имеющих внутреннюю память программ: КМ1816ВЕ751,
КР1816ВЕ51, КР1830ВЕ51.
При работе с внешней памятью программ выдача младших разрядов адреса
(А0...А7) осуществляется через порт Р0 (Р0.0...Р0.7). При этом адрес фиксируется
по сигналу ALE, а команды принимаются по сигналу PSEN . Старшие разряды
адреса A8...A15 выдаются через P2 (P2.0...P2.7).
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
Рис.2.14. Функциональная схема регистра КР580ИР82
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
(управление 3-м
состоянием)
10 0V – Общий
11 STB Вход Стробирующий
сигнал
12 – 19 Q7 – Q0 Выход Информационная
шина
20 UCC – Напряжение
питания +5V±5%
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
При обращении к внешней памяти или устройству микроконтроллер в
начальный период цикла выполнения микрокоманды выдает на шину
адреса/данных младший байт адреса ячейки памяти или устройства, который
передается на шину адреса с помощью регистра КР580ИР82. В качестве
стробирующего сигнала используется сигнал ALE микроконтроллера. Разрешение
доступа к шине адреса и отключение от нее (переход выходов в z-состояние)
осуществляется путем заземления вывода OE регистра.
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
Логическому “0” соответствует состояние МДП - транзистора без заряда
электронов на границе раздела диэлектриков. При этом передаточная
характеристика смещается в область высоких пороговых напряжений. Режим
вытеснения заряда из подзатворного диэлектрика называют режимом стирания.
Стирание заряда можно обеспечить двумя способами. В ППЗУ с
электрическим стиранием на затвор подают импульс напряжения отрицательной
полярности амплитудой 20 – 40V, вытесняющий электроны из слоя раздела в
подложку. В ППЗУ с ультрафиолетовым стиранием процесс восстановления
(стирания) осуществляется с помощью ультрафиолетового (УФ) излучения. При
длительном воздействии УФ - излучения заряд электронов с границы раздела
диэлектриков рассасывается в подложку в результате усиления теплового
движения за счет полученной энергии от источника УФ - излучения.
БИС К573РФ5 и К573РФ6 относятся к группе ППЗУ с записью
электрическими импульсами и стиранием УФ - излучением. Эти микросхемы
имеют организацию 2K 8 бит и 8K 8 бит соответственно. По внешним
сигналам они совместимы с ТТЛ - микросхемами, что наряду с байтовой
организацией обуславливает их широкое применение в различных
микропроцессорных устройствах.
Условное графическое обозначение микросхем приведено на рис.4.8 и
рис.4.9, а назначение выводов БИС К573РФ5 и К573РФ6 сведено в таблицы 4.2 и
4.3 соответственно.
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
Рис.2.15. Условное графическое обозначение ППЗУ К573РФ5
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
Таблица 2.6
Назначение выводов ППЗУ К573РФ5
Таблица 2.7.
Назначение выводов ППЗУ К573РФ6
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
При чтении из ППЗУ после фиксирования адреса искомой ячейки во
входном регистре БИС ее выходы D0 – D7 переходят в третье состояние, а
считанный из ячейки байт данных размещается во внутреннем выходном
регистре. На выходах ППЗУ D0 – D7 он появится при активном сигнале OE ,
разрешающем выдачу считанного байта в магистраль (шину) данных.
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
Рис.2.16. Схема подключения внешнего 8K ППЗУ типа К573РФ6
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
Старшие разряды адреса (A8 – A10) для К573РФ5 и (A8 – A12) для
К573РФ6 вырабатываются портом P2 микроконтроллера и не нуждаются в
запоминании во внешнем регистре.
Таким образом, на адресные входы ППЗУ (A0 – A10 для К573РФ5 и A0 –
A12 для К573РФ6) поступает младший байт адреса, зафиксированный в регистре
КР580ИР82, и старшие разряды адреса, зафиксированные в порте P2
микроконтроллера.
Данные, выбранные из ячейки по этому адресу, поступают на выход ППЗУ
по сигналу PSEN микроконтроллера, выводящего выходные буферы БИС ППЗУ из
третьего состояния.
Байт данных, выставленный ППЗУ на шину адреса/данных, вводится в
микроконтроллер через порт P0.
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
2.6. Подключение внешнего оперативного запоминающего устройства
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
Внутренняя память данных микроконтроллера состоит из двух областей:
128 байт оперативной памяти (ОЗУ) с адресами 0 – 7FH и области регистров
специальных функций, занимающей адреса 80 H – FFH. Распределение
пространства внутренней памяти данных показано на рис. 5.1. Физически
внутреннее ОЗУ данных и область регистров специальных функций являются
отдельными устройствами.
Все ячейки внутреннего ОЗУ данных могут адресоваться с
использованием прямой и косвенной адресации (режимы адресации приведены
в описании системы команд микроконтроллера [1]). Кроме того, внутреннее
ОЗУ данных имеет следующие особенности.
Младшие 32 байта внутреннего ОЗУ данных сгруппированы в 4 банка по 8
регистров в каждом (БАНК0 – БАНКЗ). Команды программы могут обращаться к
регистрам, используя их имена R0 – R7. Два бита PSW (указатели банка рабочих
регистров RS0 и RS1) определяют, с регистрами какого банка производятся
манипуляции. Наличие такого механизма работы с ячейками ОЗУ позволяет
экономить память программ, т. к. команды, работающие с регистрами R0 – R7,
короче команд, использующих прямую адресацию.
Следующие после банков регистров внутреннего ОЗУ данных 16 байт
(адреса 20H – 2FH) образуют область ячеек, к которым возможна побитовая
адресация. Набор команд микроконтроллера содержит значительное количество
инструкций, позволяющих работать с отдельными битами, используя при этом
прямую адресацию. Эти 128 бит, составляющих рассматриваемую область
внутренней ОЗУ данных, имеют адреса 00H – 7FH и предназначены для работы с
такими инструкциями.
Область регистров специальных функций содержит защелки портов,
регистры таймеров/счетчиков, регистры управления и т.п. Эти регистры
допускают только прямую адресацию. Двенадцать байт в области регистров
специальных функций допускают как байтовую, так и побитовую адресацию.
Побитовую адресацию допускают те регистры специальных функций, чей адрес
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
заканчивается 000В. Биты в рассматриваемой области регистров специальных
функций имеют адреса 80H – F7H.
Организации работы нижних 128 байт встроенной памяти
микроконтроллера выполнена следующим образом.
Память данных, расположенная на кристалле микроконтроллера, состоит
из регистра адреса ОЗУ, дешифратора, собственно ОЗУ и указателя стека.
Регистр адреса ОЗУ предназначен для приема и хранения адреса
выбираемой с помощью дешифратора ячейки памяти, которая может содержать
как бит, так и байт информации.
ОЗУ представляет собой 128 восьмиразрядных регистров, предназначенных
для приема, хранения и выдачи различной информации.
Указатель стека представляет собой восьмиразрядный регистр ,
предназначенный для приема и хранения адреса ячейки стека, к которой было
последнее обращение. При выполнении команд LCALL, ACALL содержимое
указателя стека увеличивается на 2. При выполнении команд RET, RETI
содержимое указателя стека уменьшается на 2. При выполнении команды PUSH
direct содержимое указателя стека увеличивается на 1. При выполнении
команды POP direct содержимое указателя стека уменьшается на 1. После
сброса в указателе стека устанавливается адрес 07 H, что соответствует началу
стека с адресом 08H.
Обращение к внутреннему ОЗУ данных всегда осуществляется с
использованием 8-разрядного адреса. При включении питания содержимое ОЗУ
будет иметь случайное значение.
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
емкость до 64 Кбайт. Пространства внутренней и внешней памяти данных не
пересекаются, т.к. доступ к ним осуществляется с помощью разных команд. Для
работы с внешней памятью данных существуют специальные команды MOVX,
которые не влияют на внутреннюю память данных микроконтроллера.
Таким образом, в системе могут одновременно присутствовать внутренняя
память данных с адресами 00 H – FF H и внешняя память данных с адресами 0000 H
– FFFF H . Обращение к ячейкам внешней памяти данных осуществляется только с
использованием косвенной адресации по регистрам R0 и R1 активного банка
регистров внутреннего ОЗУ (команды типа MOV @Ri) или по регистру
специальных функций DPTR (команды типа MOV @DPTR). Соответственно в
первом случае будет формироваться 8-разрядный, а во втором случае 16-
разрядный адреса внешней памяти данных.
При обращениях к внешней памяти данных адрес выводится через порт P0
(младший байт) и порт P2 (старший байт) микроконтроллера. Обмен байтом
данных (запись и чтение) производится через порт P0 микроконтроллера, т. е. порт
P0 используется как шина адреса/данных в режиме мультиплексирования.
Считывание данных из внешней памяти данных в микроконтроллер
производится с помощью выходного сигнала RD , а запись данных из
микроконтроллера во внешнюю память данных с помощью выходного сигнала
WR .
Каждый тип внешней памяти (память программ, память данных) может
быть добавлен независимо от другого и каждый использует те же адреса и шины
данных, но различные сигналы управления.
Таким образом, в микроконтроллере предусмотрена возможность
расширения памяти данных путем подключения внешних устройств емкостью до
64 Кбайт. При этом обращение к внешней памяти данных возможно только с
помощью команд MOVX.
Команды MOVX @Ri,A и MOVX A,@Ri формируют восьмиразрядный
адрес, выдаваемый через порт P0. Команды MOVX @DPTR,A и MOVX @A,DPTR
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
формируют 16-разрядный адрес, младший байт которого выдается через порт P0,
а старший – через порт P2.
Байт адреса, выдаваемый через порт P0, должен быть зафиксирован во
внешнем регистре по спаду сигнала ALE, т. к. в дальнейшем линии порта P0
используются как шина данных, через которую байт данных принимается из
памяти при чтении или выдается в память данных при записи. При этом чтение
стробируется сигналом микроконтроллера RD , а запись – сигналом
микроконтроллера WR . При работе с внутренней памятью данных сигналы RD и
WR не формируются.
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
Аналогичным образом может быть выполнена внешняя память данных
емкостью до 64 Кбайт.
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
Рис.2.19. Цикл записи во внешнюю память данных
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
P0 с помощью команд MOVX @Ri,A и MOVX A,@Ri. Для работы с внешним
ОЗУ объемом свыше 256 байт (до 64 Кбайт) используются команды MOVX
A,@DPTR и MOVX @DPTR,A. При этом выдача младших разрядов адреса (A0 …
A7) и обмен данными осуществляются через порт P0 (Р0.0 ... Р0.7). Старшие
разряды адреса А8 ... А15 выдаются через порт P2 (P2.0 ... P2.7). При этом адрес
А7. . .А0 фиксируется по спаду сигнала ALE, а прием и выдача данных
стробируются сигналами RD и WR .
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
Его применение аналогично внешнему регистру адреса внешнего ПЗУ,
описанному в п.4.3.1. Подробное описание регистра, его условное графическое
обозначение и функциональная схема приведены в п.4.3.1 и представлены на
рис.4.6 и 4.7.
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
микросхем со сравнительно небольшим быстродействием, но существенно
меньшим уровнем потребляемой мощности (К537, К581, К561, К176). Эта
особенность КМДП-микросхем обуславливает их перспективность для
применения в устройствах с существенно ограниченным энергоресурсом, а также
для построения энергонезависимых ОЗУ.
Среди статических микросхем памяти наиболее развитым функциональным
составом обладает серия КМДП-микросхем К537.
Функциональный ряд серии включает более 15 типов микросхем,
отличающихся информационной емкостью (от 1К до 16К), организацией
(одноразрядная и байтовая), быстродействием (более чем в 5 раз), уровнем
потребляемой мощности.
Общими свойствами микросхем серии К537 являются: единое напряжение
питания 5В, ТТЛ-уровни входных и выходных сигналов, выход с тремя
состояниями, высокая помехоустойчивость, допустимая значительная емкость
нагрузки (200 пФ и более), небольшое энергопотребление, причем при хранении
почти на три порядка меньше, чем при обращении, способность сохранять
записанную информацию при пониженном до 2...3 В напряжении питания.
Эту способность КМДП-микросхем всех серий широко используют
для придания устройствам памяти свойства энергонезависимости, т. е.
свойства сохранять информацию при сбоях и отключении питания. С этой целью
в блоке статического ОЗУ к выводам питания микросхем через ключ, например
полупроводниковый диод, подключают низковольтный буферный источник
питания с напряжением 2...3 В. При нормальном режиме питания диод закрыт, а
при выключении основного питания диод открывается и подключает к
микросхемам буферный источник напряжения. В это время следует обеспечить
изоляцию накопителя по информационным цепям запрещающим значением
уровня на входе CS , чтобы не повредить хранящуюся информацию.
Некоторые микросхемы статических ОЗУ зарубежного производства
снабжены встроенными в корпус гальваническими элементами, как, например,
микросхема MK48Z02 (информационная емкость 2K 8 бит) с двумя литиевыми
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
элементами. В этой микросхеме на одном с ОЗУ полупроводниковом кристалле
изготовлены устройство индикации уровня напряжения питания и устройство
переключения питания на резервное. Расчетное время сохранения информации в
аварийном режиме составляет десятки лет. Известны разработки таких же
микросхем памяти с емкостью 8К и 32К.
В устройствах памяти на микросхемах серии К537 для снижения
потребляемой мощности следует предусмотреть возможность автоматического
переключения питания микросхем в режиме хранения с основного источника 5В
на маломощный буферный источник напряжения, который обеспечивает питание
только микросхем ОЗУ на уровне, достаточном для сохранения информации. Так,
для микросхемы КР537РУ8 допускается снижать напряжение до 3В, а для
микросхемы К537РУ9 – до 3,3В.
Организация внешнего ОЗУ микропроцессорной системы существенно
упрощается при применении микросхем памяти со словарной организацией. В
серии К537 микросхемы этого типа представлены тремя БИС КР537РУ8, К537РУ9
и КР537РУ10, имеющих байтовую организацию.
Эти микросхемы имеют организацию 2K 8 бит. По внешним сигналам они
совместимы с ТТЛ-микросхемами, что наряду с байтовой организацией
обуславливает их широкое применение в различных микропроцессорных
устройствах.
Условное графическое обозначение микросхем КР537РУ8, К537РУ9 и
КР537РУ10 приведено на рис.2.20 и рис.2.21, а назначение выводов БИС сведено
в таблицы 2.8 и 2.9.
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
Рис.2.20. Условное графическое обозначение ОЗУ КР537РУ8 и К537РУ9
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
Таблица 2.8.
Назначение выводов ОЗУ КР537РУ8 и К537РУ9
Вывод Обозначение Тип вывода Функциональное
назначение
8 – 1, A0 – A10 Вход Адрес ячейки
23 – 19 памяти
9 – 11, DIO0 – DIO7 Вход / Выход Входные /
13 – 17 выходные данные
18 CS Вход Выбор
микросхемы
20 OE Вход Разрешение
выдачи
информации
21 W R Вход Выбор
записи / чтения
12 0V – Общий
24 UCC – Напряжение
питания +5V±5%
Таблица 2.9.
Назначение выводов ОЗУ КР537РУ10
Вывод Обозначение Тип вывода Функциональное
назначение
1 – 8, A0 – A10 Вход Адрес ячейки
19, 22, 23 памяти
9 – 11, DIO0 – DIO7 Вход / Выход Входные /
13 – 17 выходные данные
18 CS Вход Выбор
микросхемы
20 OE Вход Разрешение
выдачи
информации
21 W R Вход Выбор
записи / чтения
12 0V – Общий
24 UCC – Напряжение
питания +5V±5%
Для обращения к БИС для записи или считывания одного байта информации
необходимо подать разрешающий обращение сигнал CS с нулевым уровнем и
сигнал W R с соответствующим режиму уровнем: при записи – 0, при
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
считывании – 1. Особенностью микросхем является наличие сигнала OE
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
отрицательного перепада сигнала OE = CS . Существует возможность
стробирования выходной информации сигналом OE , подаваемым с некоторой
задержкой относительно сигнала CS . В этом случае при OE = 1, т.е. до момента
подачи этого сигнала, выходы находятся в третьем состоянии даже при CS =0
(см. табл. 2.10). Только в момент поступления сигнала OE выходы переходят в
функциональное состояние: спустя некоторое время задержки на выходах
появится считываемая информация.
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
В схеме на рис.2.22 полагается, что работа микроконтроллера
осуществляется от внутренней памяти программ – EA = 1, а выводы P3.6 и P3.7
микроконтроллера имеют альтернативное значение: P3.6 – WR , а P3.7 – RD .
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
Чтение байта информации из БИС ОЗУ производится следующим
образом:
– на входах А0 – А10 микросхемы КР537РУ8, как описано выше,
устанавливается адрес необходимой ячейки;
– микроконтроллером подается сигнал сигнала OE = 0 разрешения выдачи
информации из ОЗУ, при этом выводы DIO КР537РУ8 выводятся из третьего
состояния;
– байт данных, выставленный ОЗУ КР537РУ8 на шину данных (выводы
DIO0 – DIO7), вводится в микроконтроллер через порт P0.
Таким образом, в схеме на рис. 5.7 управление записью/чтением
информации осуществляется путем использования только двух ее входов: W R –
управление направления передачи информации и OE – управление третьим
состоянием выводов ОЗУ. Чтение производится по сигналу OE = 0 , а запись в
ОЗУ – W R = 0. Сама БИС всегда находится в выбранном состоянии: CS = 0.
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
3.1. Исследование работы микроконтроллера с RAM и портами
ввода/вывода данных
Лабораторнаяработа№1
Изучение работы RAM
Цель работы: Изучение работы RAM
На рис.3.1 представлена схема подключения внешней памяти данных с
использованием адресного регистра КР580ИР82 и БИС ОЗУ КР537РУ8.
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
Младшие разряды (A0 – A7) адреса ячейки данных выдаются микроконтроллером
через порт P0. Поскольку порт P0 используется также для ввода данных в
микроконтроллер, шина адреса/данных демультиплексируется – младший байт
адреса фиксируется в регистре-защелке КР580ИР82 по сигналу ALE
микроконтроллера, стробирующего вход STB регистра.
Старшие разряды адреса (A8 – A10) для КР537РУ8 вырабатываются портом P2
микроконтроллера и не нуждаются в запоминании во внешнем регистре.
Таким образом, на адресные входы ОЗУ (A0 – A10) поступает младший байт
адреса, зафиксированный в регистре КР580ИР82, и старшие разряды адреса,
зафиксированные в порте P2 микроконтроллера.
Рассмотрим запись байта информации в ОЗУ КР537РУ8. В этом случае CS =0и
OE = 1, т.е. выходы микросхемы находятся в третьем состоянии и не мешают
передачи информации от микроконтроллера в ОЗУ. Вход чтения / записи W R
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
– микроконтроллером подается сигнал сигнала OE = 0 разрешения выдачи
информации из ОЗУ, при этом выводы DIO КР537РУ8 выводятся из третьего
состояния;
– байт данных, выставленный ОЗУ КР537РУ8 на шину данных (выводы DIO0 –
DIO7), вводится в микроконтроллер через порт P0.
Таким образом, в схеме на рис. 5.7 управление записью/чтением информации
осуществляется путем использования только двух ее входов: W R –
управление направления передачи информации и OE – управление третьим
состоянием выводов ОЗУ. Чтение производится по сигналу OE = 0 , а запись
в ОЗУ – W R = 0. Сама БИС всегда находится в выбранном состоянии: CS
= 0.
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
Приступая к выполнению данной лабораторной работы необходимо запустить
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
Для работы необходимо загрузить схему исследования. Нажать кнопку
откроется окно Sample далее выбираем MCU Sample Circuits - 805x Samples -
RAMController
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
В данной схеме вместо контроллера 8051 использован контроллер 8052, который
по характеристикам схож с 8051, также в этой схеме исключён регистр, поэтому
адрес ячеек, куда записываются данные, отправляется непосредственно сразу в
RAM. Контроллер формирует сигнал записи и сразу после этого в ячейку RAM с
этим адресом контроллер отправляет данные на запись.
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
(MOV P.0 ,#1AH, где P.0 – порт вывода микроконтроллера, ,#1AH – адрес ячейки)
VCC
BUS1
5V
BUS2 BUS1
U2
40 38 U1
P1B0T2 VCC 10 11
41 P1B1T2EX P0B0AD0 37 A0 DQ0
42 36 9 A1 DQ1 12
P1B2 P0B1AD1 8 13
43 P1B3 P0B2AD2 35 A2 DQ2
44 34 7 A3 DQ3 15
P1B4 P0B3AD3 6 16
1 P1B5MOSI P0B4AD4 33 A4 DQ4
2 32 5 A5 DQ5 17
P1B6MISO P0B5AD5 4 18
3 P1B7SCK P0B6AD6 31 A6 DQ6
4 30 3 A7 DQ7 19
RST P0B7AD7 25
5 P3B0RXD EAVPP 29 A8
7 27 24 A9
P3B1TXD ALEPROG 21
8 P3B2INT0 PSEN 26 A10
9 25 23 A11
P3B3INT1 P2B7A15 2
10 P3B4T0 P2B6A14 24 A12
11 P3B5T1 P2B5A13 23
12 22 27 W
P3B6WR P2B4A12
13 P3B7RD P2B3A11 21
14 20 22 G
XTAL2 P2B2A10 20
15 XTAL1 P2B1A9 19 E1
16 18 26 E2
GND P2B0A8
8052 HM1-65642-883
GND
BUS2 XLA1
Address Data 1
F
C Q T
BUS2
BUS1
WRITING READING
$MOD52 ; This includes 8052 definitions for the metalink assembler
W equ P2.1 ;Write Enable (active low)
G equ P2.0 ;Output Enable (active low)
E2 equ P2.2 ; Enable/disable the RAM chip
READ equ P2.3
WRITE equ P2.4
ADDR equ P0 ;Address lines
IO equ P1 ;IO lines
MOV ADDR,#0FFH
MOV IO,#0FFH
CLR E2
SETB G
CLR W
CLR READ
CLR WRITE
; WRITE VALUE 55H INTO ADDRESS 1AH
MOV ADDR,#1AH
MOV IO,#55H
SETB E2
SETB WRITE
CLR READ
CALL DELAY
CLR E2
CLR WRITE
CLR READ
CALL DELAY
; WRITE VALUE 22H INTO ADDRESS 1BH
MOV ADDR,#1BH
MOV IO,#22H
SETB E2
SETB WRITE
CLR READ
CALL DELAY
CLR E2
CLR WRITE
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
CLR READ
CALL DELAY
MOV ADDR,#0FFH
MOV IO,#0FFH
; READ THE VALUE 55H FROM ADDRESS 1AH
SETB W
CLR G
MOV ADDR,#1AH
SETB E2
SETB READ
CLR WRITE
CALL DELAY
CLR E2
CLR READ
CLR WRITE
CALL DELAY ; READ THE VALUE 89H FROM ADDRESS 1CH
SETB W
CLR G
MOV ADDR,#1CH
SETB E2
SETB READ
CLR WRITE
CALL DELAY
CLR E2
CLR READ
CLR WRITE
CALL DELAY
; READ THE VALUE 22H FROM ADDRESS 1BH
SETB W
CLR G
MOV ADDR,#1BH
SETB E2
SETB READ
CLR WRITE
CALL DELAY
CLR E2
CLR READ
CLR WRITE
CALL DELAY
JMP $
DELAY:MOV A,#01H
LOOP:MOV R0,#0FFH
DJNZ R0,$
DEC A
JNZ LOOP
RET
HALT: JMP $
END
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
из области SFR, то есть порт ввода / вывода, регистр управления, регистр статуса, и т.д.(128–
255).
@Ri 8 – битный адрес ячейки внутреннего ОЗУ (0 – 255), адресуемый косвенно через регистры R1
или R0.
#data 8 – битная константа, включенная в команду.
#data 16 16 – битная константа, включенная в команду.
addr 16 16 – битный адрес.
Используется командами LCALL и LJMP. Адрес может находиться в любом месте 64 К
пространства памяти программ.
addr 11 11 – битный адрес.
Используется командами ACALL и AJMP. Адрес должен находиться внутри одной страницы
памяти программ объемом 2 К относительно адреса команды, следующей за командой ACALL
или AJMP.
rel Знаковый 8 – битный адрес относительного смешения.
Используется командами SJMP и всеми командами перехода по условию. Адрес ограничен
диапазоном от -128 до +127 байт относительно адреса команды, следующей за командой
условного перехода.
bit Непосредственно адресуемый бит (0 – 7) ячейки внутреннего ОЗУ или бит регистра
специального назначения из области SFR. Используется битовыми командами процессора,
такими как SETB и CPL.
Операнды Операция
Мне Число байт Число
моника тактов
Арифметические операции
ADD A, Rn Add register to Accumulator 1 12
ADD A, direct Add direct byte to Accumulator 2 12
ADD A, @Ri Add indirect RAM to Accumulator 1 12
ADD A, #data Add immediate data to Accumulator 2 12
ADDC A, Rn Add register to Accumulator with carry 1 12
ADDC A, direct Add direct byte to Accumulator with carry 2 12
ADDC A, @Ri Add indirect RAM to Accumulator with carry 1 12
ADDC A, #data Add immediate data to Accumulator with carry 2 12
SUBB A, Rn Subtract Register from Accumulator with borrow 1 12
SUBB A, direct Subtract direct byte from Accumulator with borrow 2 12
SUBB A, @Ri Subtract indirect RAM from Accumulator with borrow 1 12
SUBB A, #data Subtract immediate data from Accumulator with borrow 2 12
INC A Increment Accumulator 1 12
INC Rn Increment register 1 12
INC direct Increment direct byte 2 12
INC @Ri Increment indirect RAM 1 12
DEC A Decrement Accumulator 1 12
DEC Rn Decrement Register 1 12
DEC direct Decrement direct byte 2 12
DEC @Ri Decrement indirect RAM 1 12
INC DPTR Increment Data Pointer 1 24
MUL AB Multiply A and B 1 48
DIV AB Divide A by B 1 48
DA A Decimal Adjust Accumulator 1 12
Логические операции
ANL A, Rn AND Register to Accumulator 1 12
ANL A, direct AND direct byte to Accumulator 2 12
ANL A, @Ri AND indirect RAM to Accumulator 1 12
ANL A, #data AND immediate data to Accumulator 2 12
ANL direct, A AND Accumulator to direct byte 2 12
ANL direct, #data AND immediate data to direct byte 3 24
ORL A, Rn OR register to Accumulator 1 12
ORL A, direct OR direct byte to Accumulator 2 12
ORL A, @Ri OR indirect RAM to Accumulator 1 12
ORL A, #data OR immediate data to Accumulator 2 12
ORL direct, A OR Accumulator to direct byte 2 12
ORL direct, #data OR immediate data to direct byte 3 24
XRL A, Rn Exclusive-OR register to Accumulator 1 12
XRL A, direct Exclusive-OR direct byte to Accumulator 2 12
XRL A, @Ri Exclusive-OR indirect RAM to Accumulator 1 12
XRL A, #data Exclusive-OR immediate data to Accumulator 2 12
XRL direct, A Exclusive-OR Accumulator to direct byte 2 12
XRL direct, data Exclusive-OR immediate data to direct byte 3 24
CLR A Clear Accumulator 1 12
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
CPL A Complement Accumulator 1 12
RL A Rotate Accumulator left 1 12
RLC A Rotate Accumulator left through the carry 1 12
RR A Rotate Accumulator right 1 12
RRC A Rotate Accumulator right through the carry 1 12
SWAP A Swap nibbles within the Accumulator 1 12
Команды пересылок данных
MOV A, Rn Move register to Accumulator 1 12
MOV A, direct Move direct byte to Accumulator 2 12
MOV A, @Ri Move indirect RAM to Accumulator 1 12
MOV A, #data Move immediate data to Accumulator 2 12
MOV Rn, A Move Accumulator to register 1 12
MOV Rn, direct Move direct byte to register 2 24
MOV Rn, #data Move immediate data to register 2 12
MOV direct, A Move Accumulator to direct byte 2 12
MOV direct, Rn Move register to direct byte 2 24
MOV direct, direct Move direct byte to direct 3 24
MOV direct, @Ri Move indirect RAM to direct byte 2 24
MOV direct, #data Move immediate data to direct byte 3 24
MOV @Ri, A Move Accumulator to indirect RAM 1 12
MOV @Ri, direct Move direct byte to indirect RAM 2 24
MOV @Ri, #data Move immediate data to indirect RAM 2 12
MOV DPTR, #data16 Load Data Pointer with a 16-bit constant 3 24
MOVC A, @A+DPTR Move Code byte relative to DPTR to Accumulator 1 24
MOVC A, @A+PC Move Code byte relative to PC to Accumulator 1 24
MOVX A, @Ri Move external RAM (8-bit addr) to Accumulator 1 24
MOVX A, @ DPTR Move external RAM (16-bit addr) to Accumulator 1 24
MOVX A, @Ri,A Move Accumulator to external RAM (8-bit addr) 1 24
MOVX DPTR, A Move Accumulator to external RAM (16-bit addr) 1 24
PUSH direct Push direct byte onto stack 2 24
POP direct Pop direct byte from stack 2 24
XCH A, Rn Exchange register with Accumulator 1 12
XCH A, direct Exchange direct byte with Accumulator 2 12
XCH A, @Ri Exchange indirect RAM with Accumulator 1 12
XCHD A, @Ri Exchange low-order digit indirect RAM with 1 12
Accumulator
Команды обработки бит данных
CLR C Clear carry 1 12
CLR bit Clear direct bit 2 12
SETS C Set carry 1 12
SETS bit Set direct bit 2 12
CPL C Complement carry 1 12
CPL bit Complement direct bit 2 12
ANL C, bit AND direct bit to carry 2 24
ANL C, /bit AND complement of direct bit to carry 2 24
ORL C, bit OR direct bit to carry 2 24
ORL C, /bit OR complement of direct bit to carry 2 24
MOV C, bit Move direct bit to carry 2 12
MOV bit, C Move carry to direct bit 2 24
JC rel Jump if carry is set 2 24
JNC rel Jump if carry not set 2 24
JB rel Jump If direct bit is set 3 24
JNB rel Jump if direct bit is not set 3 24
JBC bit, rel Jump if direct bit is set and clear bit 3 24
Команды вызова подпрограмм и возврата
ACALL addr11 Absolute subroutine call 2 24
LCALL addr16 Long subroutine call 3 24
RET Return from subroutine 1 24
RETI Return from interrupt 1 24
Команды безусловных переходов
AJMP addr11 Absolute jump 2 24
LJMP addr16 Long jump 3 24
SJMP rel Short jump (relative addr) 2 24
JMP ©A+DPTR Jump indirect relative to the DPTR 1 24
Команды условных переходов
JZ rel Jump if Accumulator is zero 2 24
JNZ rel Jump if Accumulator is not zero 2 24
CJNE A, direct, rel Compare direct byte to Accumulator and jump if not 3 24
equal
CJNE A, #data, rel Compare immediate to Accumulator and jump if not 3 24
equal
CJNE Rn, #data, rel Compare immediate to register and jump if not equal 3 24
CJNE @Ri, #data, rel Compare immediate to indirect and jump if not equal 3 24
DJNZ Rn, rel Decrement register and jump if not zero 2 24
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
DJNZ direct, rel Decrement direct byte and jump if not zero 3 24
NOP No operation 1 12
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
3.2.1 Лабораторнаяработа№2
Изучение работы ROM
Цель работы: Изучение работы ROM
На рис.2 и рис.3 представлены схемы подключения внешней памяти
программ с использованием адресного регистра КР580ИР82 и БИС ППЗУ
К573РФ5 и К573РФ6.
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
Рис.3.3. Схема подключения внешнего 8K ППЗУ типа К573РФ6
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
Старшие разряды адреса (A8 – A10) для К573РФ5 и (A8 – A12) для К573РФ6
вырабатываются портом P2 микроконтроллера и не нуждаются в запоминании во
внешнем регистре.
Таким образом, на адресные входы ППЗУ (A0 – A10 для К573РФ5 и A0 – A12 для
К573РФ6) поступает младший байт адреса, зафиксированный в регистре
КР580ИР82, и старшие разряды адреса, зафиксированные в порте P2
микроконтроллера.
Данные, выбранные из ячейки по этому адресу, поступают на выход ППЗУ по
сигналу PSEN микроконтроллера, выводящего выходные буферы БИС ППЗУ из
третьего состояния.
Байт данных, выставленный ППЗУ на шину адреса/данных, вводится в
микроконтроллер через порт P0.
Студент при выполнении работы должен знать основы алгебры логики, таблицы
истинности элементарных логических элементов, иметь представление об
интегральных микросхемах, иметь навыки работы в программе Multisim10.1
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
Для работы необходимо загрузить схему исследования. Нажать кнопку
откроется окно Sample далее выбираем MCU Sample Circuits - 805x Samples –
ROM.
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
Появится схема, имеющая следующий вид:
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
Вывод: Временные диаграммы, полученные в САП «Multisim10» при
исследовании работы ROM совпадают с временными диаграммами, полученными
при самостоятельном анализе.
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
4. РАЗРАБОТКА ИНСТРУКЦИИ ПО ОХРАНЕ ТРУДА ДЛЯ
ОПЕРАТОРОВ ПЭВМ
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
* перерыв на обед - 1 час (с 12.00 до 13.00);
* технический перерыв 15 минут (через каждые полчаса непрерывной работы).
4.1.4. Работа оператора ПЭВМ относится к категории работ, связанных с
опасными и вредными условиями труда. В процессе труда на оператора ПЭВМ
оказывают действие следующие опасные и вредные производственные
факторы:
- физические:
* повышенные уровни электромагнитного излучения;
* повышенные уровни рентгеновского излучения;
* повышенные уровни ультрафиолетового излучения;
* повышенный уровень инфракрасного излучения;
* повышенный уровень статического электричества;
* повышенные уровни запыленности воздуха рабочей зоны;
* повышенная влажность воздуха рабочей зоны;
* пониженная подвижность воздуха рабочей зоны;
* повышенный уровень шума;
* пониженный уровень освещенности;
* повышенный уровень прямой блесткости;
* повышенный уровень отраженной блесткости;
* неравномерность распределения яркости в поле зрения;
* повышенная яркость светового изображения;
* повышенный уровень пульсации светового потока;
* повышенное значение напряжения в электрической цепи, замыкание которой
может произойти через тело человека;
- психофизиологические:
* физические перегрузки;
* длительные статические нагрузки;
* нервно-психические перегрузки;
* интеллектуальные нагрузки;
* напряжение зрения;
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
* напряжение внимания;
* эмоциональные нагрузки;
* монотонность труда;
* большой объем информации обрабатываемой в единицу времени.
4.1.2. Средствами индивидуальной защиты оператора являются; белый х/б халат с
антистатической пропиткой, экранный защитный фильтр масса "полная
защита", специальные спектральные очки.
4.1.3. ПЭВМ может являться причиной пожара, т.к. при его эксплуатации может
возникнуть искра от короткого замыкания, поэтому необходимо соблюдать
требования электробезопасности.
4.1.4. Пострадавший (оператор) или свидетель происшествия обязаны уведомить
администрацию о возникшем несчастном случае, неисправности оборудования.
4.1.5. Оказание первой (доврачебной) помощи имеют право лица обученные
оказанию первой помощи.
4.1.6. Оператор ПЭВМ обязан соблюдать правила личной гигиены, с
требованиями которых он был ознакомлен в процессе обучения безопасным
приемам труда.
4.1.7. За нарушение требований инструкции работник привлекается к следующим
видам ответственности: дисциплинарной, уголовной, материальной, в
соответствии с нормативными актами.
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
4.2. Требования безопасности перед началом работы.
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
* наличии информации о результатах аттестации условий труда на данном
рабочем месте или при наличии информации о несоответствии параметров
данного оборудования требованиям санитарных норм;
* наличии защитного экранного фильтра класса "полная защита";
* включенном заземляющем проводнике защитного фильтра;
* отсутствии неисправности оборудования;
* наличии защитного заземления устройств ПЭВМ и ВДТ;
* наличии углекислотного или порошкового огнетушителя и аптечки первой
помощи;
* соблюдении гигиенических норм размещения ВДТ (при однорядном
расположении менее 1м от стен, при расположении рабочих мест в колонну на
расстоянии менее 1,5м, при размещении на площади менее 6 кв.м. на одно
рабочее место, при рядном размещении дисплеев экранами друг к другу).
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
4.3. Требования безопасности во время работы.
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
* загромождать верхние панели устройств бумагами и посторонними предметами;
* допускать захламленность рабочего места бумагой в целях недопущения
накапливания органической пыли;
* производить отключение питания во время выполнения активной задачи;
* производить частые переключения питания;
* допускать попадание влаги на поверхность системного блока (процессора),
монитора, рабочую поверхность клавиатуры, дисководов, принтеров и др.
устройств;
* включать сильно охлажденное (принесенное с улицы в зимнее время)
оборудование;
* производить самостоятельно вскрытие и ремонт оборудования;
* превышать величину количества обрабатываемых символов свыше 30 тыс. за 4
часа работы.
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
4.4. Требования безопасности в аварийных ситуациях.
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
4.5. Требования безопасности после окончания работы.
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
5. ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЕ ОБОСНОВАНИЕ
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
компьютером и системой компьютерного моделирования «Electronics
Workbench».
Эффективность внедрения системы компьютерного моделирования
«Electronics Workbench» в учебный процесс прослеживается невооруженным
взглядом, ведь тем самым повышается уровень подготовки будущего специалиста.
Внедрение и использование компьютерных систем носит социально-
экономический характер.
Компьютерное моделирование – это перспективная и всегда новая область
для изучения и анализа, поэтому рассматриваемый вопрос актуален не только для
отдельно взятого студента или курсанта, но и для общества в целом.
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
возникают. Затраты на их формирование считаются неизрасходованными
затратами, поскольку они являются активами фирмы, которые принесут выгоду в
будущих периодах.
5.1.1.Сырье и материалы.
5.1.8.Общепроизводственные расходы.
5.1.9.Общехозяйственные расходы.
5.1.10.Потери от брака.
5.1.12.Коммерческие расходы.
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
Рассчитаем себестоимость изготовления методических указаний к
лабораторным работам способом прямого расчета.
Таблица 5.1.1
№п/п Показатели Единица измерения Количество
1 Количество специалистов чел 1
2 Расходы на зарплату руб/час 150
3 Количество часов работы специалиста
час 108
4 Стоимость ноутбука Dell I-1520
руб 30880
5 Стоимость МФУ Canon I-SENSYS MF4018
руб 6572
6 Потребляемая мощность ноутбука Dell
I-1520 Вт 90
7 Количество часов работы ноутбука Dell
I-1520 час 108
8 Потребляемая мощность МФУ Canon
I-SENSYS MF4018 Вт 462
9 Количество часов работы МФУ Canon
I-SENSYS MF4018 час 9
10 Расходы на распечатку одного листа А-4 руб 0,9
11 Количество листов в метод.указании шт 54
12 Количество методических указаний шт 1
13 Расходы на амортизацию оргтехники (из
расчета 18% в год) руб 278,14
14 Расходы на электроэнергию (по тарифу
2,57руб.х кВт/час) руб 36,7
15
Прочие расходы (из расчета 0,1% от Sизг ) руб
0,001 х Sизг
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
В данной работе были рассмотрены основные аспекты компьютерного
моделирования электротехнических и схемотехнических схем. Первая часть
работы посвящена теоретическому анализу аналоговой схемотехники, а именно
основополагающим принципам работы аналоговых устройств и области их
применения. Во второй части была рассмотрена система компьютерного
моделирования «Electronics Workbench», ее история, функциональность и
порядок проведения работы для разработки любой электро- и схемотехнической
схемы. Значимой частью работы является практическое руководство по
моделированию аналоговых устройств в среде программы «Electronics
Workbench».
В целом, разработано и реализовано методическое указание к лабораторным
работам по курсу "Аналоговая схемотехника" с использованием программы
«Electronics Workbench», детально рассмотрена и проверена работа
интегрирующей и дифференцирующей RC-цепей, транзисторного автогенератора,
трехкаскадного транзисторного усилителя, триггера Шмидта, различных схем с
применением операционных усилителей, приведены характеристики снятые с
выходов устройств.
В экономической части работы произведено технико- и социально-
экономическое обоснование внедрения и использования компьютерных систем
моделирования в учебном процессе. Рассчитана себестоимость изготовления
методических указаний. Показана эффективность такого внедрения для
повышения уровня подготовки будущего специалиста.
В разделе безопасности работы рассмотрены вопросы, связанные с охраной
здоровья и мерами безопасности при работе на компьютере, также была
разработана инструкция по охране труда для операторов ПЭВМ.
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
На основании всего вышеизложенного становится очевидным, что
моделирование электронных схем с использованием компьютерных программ,
рассмотренное в данной работе, является очень перспективным. Так как для
разработки, имитации и анализа электронных схем, включающих в свой состав
любые аналоговые устройства, макетирование схем таким способом происходит
намного быстрее и безопаснее. Ознакомившись с методическим указанием,
студент (курсант) может самостоятельно выполнить ряд лабораторных работ,
приобрести тем самым навыки, как при работе с аналоговыми устройствами, так и
при работе с компьютером и системой компьютерного моделирования
«Electronics Workbench».
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1. Баскаков С.И. Радиотехнические цепи и сигналы. – M.: Высш. шк., 1988.
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
16. Цвелая И. А. Использование системы компьютерного моделирования
Electronics Workbench при изучении электро—технических дисциплин в
неинженерных ВУЗах http://bitpro.aha.ru/ITO/ITO98/2/TSVELAJA.html
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
ПРИЛОЖЕНИЕ 1
Adder — сумматор.
AC (Alternating Current) — переменный ток.
ADC (Analog-to-Digital Converter) — АЦП, аналого-цифровой преобразователь.
Analysis — раздел служит для проведения различного рода анализов схем.
Buffer — буфер.
Bus — шина, магистраль.
Chip — микросхема, чип.
Circuit — раздел, позволяющий вращать, менять свойства, приближать и отдалять
элементы схемы.
Clear — очистка, сброс в нуль.
Clock — тактовый, тактирующий сигнал.
CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) — комплементарная МОП
технология (КМОП).
Coder (encoder) — шифратор, кодер.
Comparator — компаратор.
Converter — преобразователь.
Counter — счетчик.
DAC (Digital-to-Analog Converter) — ЦАП, цифро-аналоговый преобразователь.
DC (Direct Current) — постоянный ток.
Decoder — дешифратор, декодер.
Delay — задержка.
DIP Switches — малогабаритные выключатели, смонтированные в корпусе типа
DIP.
Driver — выходной буфер, драйвер.
Edit — с помощью этого раздела пользователь осуществляет редактирование и
работу с текущем документом. Опции раздела позволяют копировать, удалять,
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
перемещать элементы или блоки схемы. Кроме того возможна настройка
визуальных параметров схемы (расположение и ориентация элементов схемы,
настройка цветов и шрифта, поиск и другие стандартные функции).
EWB — Electronics Workbench.
File — организация работы с файлами. С помощью этого раздела меню
пользователь осуществляет работу с файлами (открытие, создание, распечатку
файлов и прочее).
Female — разъем-розетка, гнездо.
GND (Ground) — общий провод схемы, «земля».
Inverter — инвертор.
I/O (Input/Output) — ввод/вывод (В/В), вход/выход.
Jumper — съемная перемычка, соединяющая штыревые контакты на плате,
джампер.
LCD (Liquid Crystal Display) — жидкокристаллический дисплей, индикатор.
Line driver — драйвер линии, буфер.
Male — разъем-вилка, штекер.
Monostable multivibrator — ждущий мультивибратор, одновибратор.
Multivibrator — мультивибратор.
Parity — четность, паритет.
Plug — разъем типа вилка.
Preset — предварительная установка.
Pull-up Resistor — нагрузочный резистор, включаемый между выходом
микросхемы и шиной питания.
Receiver — приемник, входной буфер.
Schmitt trigger — триггер Шмитта.
Slot — щелевой разъем для подключения печатных плат с разъемом в виде
печатных проводников, слот.
Socket — контактирующее устройство для установки микросхем на плату, сокет.
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
Terminator — оконечное согласующее устройство на линии связи (обычно —
резистор).
TR (Terminate Resistor) — нагрузочный резистор для линии связи.
Transceiver — приемопередатчик, трансивер, двунаправленный буфер.
Transmitter — передатчик, выходной буфер.
Trigger — триггер.
ТхС (Transmitted Clock) — передаваемый синхросигнал.
TxD (Transmitted Data) — передаваемые данные.
V — напряжение (Voltage), вольт (Volt).
Window — раздел предназначен для настройки экранных настроек при работе с
документами.
ZIF (Zero Insertion Force) — разъем или сокет с нулевым усилием вставки.
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
Выборка — мгновенное значение аналогового сигнала, которому ставится в
соответствие цифровой код.
Гига- (Г) — приставка для обозначения миллиарда, 109.
Данные — передаваемая в закодированном виде цифровая информация.
Дорожки — проводники на поверхности печатной платы, для передачи сигналов и
подачи питания.
Единичный сигнал — то же, что положительный сигнал.
Задержка — временной сдвиг между входным и выходным сигналами устройства,
узла, микросхемы.
Задний фронт сигнала (спад) — переход сигнала из активного уровня в
пассивный.
Импульс — сравнительно короткий сигнал.
Инверсный выход — выход, выдающий сигнал инверсной полярности по
сравнению со входным сигналом.
Инвертирование или инверсия сигнала — изменение полярности сигнала.
Интерфейс — соглашение об обмене между электронными устройствами.
Включает в себя требования по электрическому, логическому и конструктивному
сопряжению устройств.
ИС — интегральная микросхема, ИМС (1С), чип.
Кабель — один или несколько проводов в общей оболочке, используемые для
передачи сигналов.
Карта — электронное устройство, выполненное на печатной плате.
КЗ — короткое замыкание.
Кило- (к) — приставка для обозначения тысячи, 103.
КМОП — комплементарная технология МОП (CMOS).
Контактные площадки — проводники на поверхности печатной платы, к которым
припаиваются выводы радиоэлементов и микросхем.
Линия (линия связи) — проводник (электрический или оптоволоконный),
передающий сигнал.
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
Меандр — сигнал со скважностью, равной двум, то есть длительность импульсов
равна длительности паузы между ними.
Мега- (М) — приставка для обозначения миллиона, 106.
Микро- (мк) — приставка для обозначения одной миллионной доли, 10-6.
Милли- (м) — приставка для обозначения одной тысячной доли, 10 .
МОП — полупроводниковая технология на основе полевых транзисторов типа
«металл — окисел — полупроводник» (MOS).
Мультиплексирование — передача различных сигналов по одной линии (шине) в
разные моменты времени.
Нагрузочная способность — параметр выхода микросхемы, характеризующий
величину выходного тока, которую может выдать в нагрузку данный выход без
нарушения его работы. Чаще всего нагрузочная способность прямо связана с
коэффициентом разветвления.
Нано- (н) — приставка для обозначения одной миллиардной доли, 10-9.
Нулевой сигнал — то же, что отрицательный сигнал.
Обратная связь — передача сигнала или его части с выхода схемы на ее вход или
один из ее входов.
Опорное напряжение — напряжение эталонного уровня, с которым сравнивается
входной сигнал (в АЦП), или из которого формируется выходной сигнал (в ЦАП).
Отрицательный сигнал (сигнал отрицательной полярности, нулевой сигнал) —
сигнал, активный уровень которого — логический нуль. То есть единица — это
отсутствие сигнала, нуль — сигнал пришел.
Пассивный уровень сигнала — уровень, в котором сигнал не выполняет никакой
функции.
Перепад (переход) сигнала — переключение сигнала из нуля в единицу или из
единицы в нуль, то же что фронт сигнала.
Передний фронт сигнала — переход сигнала из пассивного уровня в активный.
Пико- (п) — приставка для обозначения одной триллионной доли, 10-12.
Погрешность абсолютная — разность между измеренной величиной и ее
истинным значением (погрешность измерения); разность между сформированной
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
величиной и требуемым ее значением (погрешность формирования, погрешность
воспроизведения).
Погрешность относительная — отношение абсолютной погрешности к
требуемому (или истинному) значению данной величины. Часто измеряется в
процентах.
Положительный сигнал (сигнал положительной полярности, единичный сигнал)
— сигнал, активный уровень которого — логическая единица. То есть нуль — это
отсутствие сигнала, единица — сигнал пришел.
Помехи — паразитные сигналы, накладывающиеся на информационные сигналы
и искажающие их. Помехи могут наводиться извне (электромагнитным полем), а
также возникать в цепях питания.
Помехозащищенность — параметр, характеризующий величину входного сигнала
помехи, который еще не может изменить состояние выходных сигналов.
Определяется разницей между напряжением UJH И порогом срабатывания
(помехозащищенность единичного уровня), а также разницей между порогом
срабатывания и Un, (помехозащищенность нулевого уровня).
Принципиальная схема — наиболее подробная схема электронного устройства с
указанием всех элементов, связей, входов и выходов, выполненная в соответствии
со стандартом.
Прямой выход — выход, выдающий сигнал положительной полярности.
Разъем — разъемное контактирующее устройство из двух частей (розетка и
вилка), служащее для передачи сигналов и питания электронных схем.
Розетка (гнездо) — часть разъема, в контакты которого входят контакты вилки
(штекера).
САПР — системы автоматизированного проектирования.
Синхронизация — обеспечение согласованной во времени работы нескольких
устройств, например, по общему тактовому сигналу.
Синхросигнал — то же, что тактовый сигнал.
Скважность — отношение периода следования импульсов к длительности этих
импульсов.
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
Сокет (Socket) — то же, что колодка, контактирующее устройство-гнездо, в
которое устанавливается микросхема с возможностью простой ее замены.
Спад сигнала — то же, что задний фронт сигнала (обычно — отрицательный
фронт).
Строб (стробируюшнй сигнал) — управляющий сигнал, который своим уровнем
определяет момент выполнения элементом или узлом его функции. В более общем
смысле строб — это любой синхронизирующий сигнал, тактовый сигнал.
Стробирование — согласование во времени работы узлов и устройств с помощью
строба.
Структурная схема — упрощенная схема электронного устройства, показывающая
только основные узлы и важнейшие связи между ними.
Схема — электронный узел, устройство, а также их изображение на чертеже.
Такт — то же что тактовый сигнал, а также период тактового сигнала.
Тактовый сигнал — управляющий сигнал, который своим фронтом определяет
момент выполнения элементом или узлом его функции. Иногда то же, что и
стробирующий сигнал.
Тера- (Т) — приставка для обозначения триллиона, 1012.
Точность — показатель близости функционирования данного устройства к идеалу,
обычно измеряется с помощью величины погрешности.
Узел — часть электронного устройства, выполняющая четко выделенную
функцию или несколько взаимосвязанных функций.
Устройство (электронное) — функционально (а иногда и конструктивно)
законченная электронная схема.
Фронт сигнала — переход сигнала из нуля в единицу или из единицы в нуль,
иногда в более узком значении «передний положительный фронт».
Функциональная схема — не слишком подробная схема электронного устройства,
показывающая подробно только схемы отдельных, принципиально важных узлов
устройства.
ЦАП — цифро-аналоговый преобразователь (DAC), преобразующий входной
цифровой код в величину аналогового сигнала (тока или напряжения).
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата
Цепочка — последовательное соединение нескольких узлов (или устройств), при
котором выходы предыдущего узла соединяются со входами последующего узла.
Также цепочкой называют любое соединение электронных компонентов
(например, RC цепочка, LC-цепочка).
Цикл — последовательность обмена сигналами, в течение которого выполняется
только одна операция.
Шина — группа сигнальных линий, объединенных по какому-то принципу,
например, шиной называют сигналы, соответствующие всем разрядам какого-то
двоичного кода (шина данных, шина адреса). Иногда шиной называют также
провод питания («шина питания») и общий провод («шина земли»).
Лист
ФЭВТиСВ.160905.029.УК
Изм. Лист. № докум. Подп. Дата