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Tarea No.1
Docente:
Ing. Francisco Alfredo de León Torres
GRUPO 2
Presentado por:
W AB
V B −V A =
q0
Los protones están unidos al núcleo de los átomos por lo que no se mueven como
los electrones; sin embargo, los semi conductores permiten el "desplazamiento" de
portadores libres produciendo así, una corriente. Es este, básicamente, el
funcionamiento de los transistores y de las celdas fotovoltaicas.
4- Establezca el concepto de resistividad eléctrica, cuáles son sus unidades y en
forma tabular muestre valores característicos de sustancias importantes.
El primer y el segundo color nos dan las primeras dos cifras del valor de la resistencia;
el tercer color nos da el número por el que se multiplicarán el valor obtenido con las dos
primeras cifras y el último color nos da la tolerancia: o sea el porcentaje del valor de la
resistencia que, sumado y restado con nuestra resistencia, nos da el intervalo de valores
entre los cuales trabaja nuestra resistencia.
Ejemplos:
Negro-café-rojo-plateado:
R= 100 Ω tolerancia=10%
Rojo-anaranjado-amarillo-dorado:
R= 230,000 Ω tolerancia=5%
Verde-azul-morado-dorado:
R= 560, 000,000 Ω tolerancia=5%
Gris-blanco-verde-plateado:
R= 8, 900,000 Ω tolerancia=10%
Amarillo-morado-azul-dorado:
R= 47, 000,000 Ω tolerancia=5%
Azul-negro-rojo-plateado:
R= 6,000 Ω tolerancia=10%
Una fuente de corriente ideal es la que nos suministra una intensidad constante
independientemente del valor de la tensión en sus terminales.
¿Bajo qué circunstancias se puede considerar como tal una fuente real?
Una fuente de corriente real estará constituida, por una fuente de corriente ideal con
una resistencia interna conectada en paralelo.
Por lo que podemos concluir entonces que para que una fuente de corriente continua
ideal se considere una como fuente real se debe conectar en paralelo una resistencia
que se conoce como resistencia interna.
7- Que es una fuente ideal de voltaje para continua y bajo qué circunstancias se
puede considerar como tal una fuente real.
¿Qué es una fuente ideal de voltaje para continua? Nos referimos a aquellas fuentes
cuya tensión entre sus terminales es independiente de la corriente que pasa por ella.
¿Bajo qué circunstancias se puede considerar como tal una fuente real? Diremos que
una fuente de tensión ideal para continua se puede considerar como una fuente de
tensión real si esta fuente de tensión ideal es conectada en serie a una resistencia,
resistencia a la que llamaremos resistencia interna.
8- Describa las propiedades más importantes de una señal exponencial,
incluyendo el concepto de constante de tiempo, y sus aplicaciones. Desarrolle
un ejemplo.
−R
t
L
i=I 0 e
Dónde:
R: resistencia
L: inductancia
T: tiempo
−1
t
v=V 0 e RC
Dónde:
R: resistencia
C: capacitancia
T: tiempo
Ejemplo:
9- Describa las propiedades más importantes de una señal sinusoidal incluyendo
los valores medio y eficaz. Desarrolle un ejemplo.
Φ: es el ángulo de fase inicial (ángulo para el cual la función se anula, tendiendo a hacerse
positiva). Se expresa en rad
T: Periodo
f: Número de ciclos que se repite la onda en la unidad de tiempo. Según esto, se podrá
escribir: f * T = 1 de donde la frecuencia es la inversa del período.
Valor de cresta a cresta: Diferencia algebraica entre el valor máximo y mínimo. También se
le llama valor de pico a pico, y es siempre un número positivo.
Valor medio: Promedio integral en un período.
Valor eficaz: Se define el valor eficaz como el valor cuadrático medio o la raíz cuadrada del
valor medio del cuadrado de la función en un período.
12- Explique el concepto de fuente de corriente dependiente y aplíquelo en un ejemplo
desarrollado.
Un elemento lineal es un elemento pasivo que tiene una relación tensión corriente lineal. La
relación tensión corriente lineal (homogeneidad significa que la multiplicación de la
corriente que pasa por el elemento por una constante K da por resultado en que la diferencia
de potencial a través del mismo elemento quede multiplicada por la misma constante K. Se
puede decir que en los circuitos lineales los valores de las fórmulas de los elementos
lineales (resistencia, bobina, fuente de alimentación, etc) se comportan como una ecuación
lineal que está representada por una línea recta en un eje de coordenadas
Por ejemplo si tenemos una tensión igual a 5 voltios y esta tensión da una intensidad de 2
mA en el elemento lineal (por ejemplo en un resistor), entonces si multiplicamos la tensión
de entrada por una constante (por ejemplo 4) también deberemos multiplicar la intensidad
por la misma constante.
16- Compare con ayuda de una tabla las características más importantes del
Germanio y del Silicio.
Germanio Silicio
- Presenta la misma estructura - Tiene 4 electrones en su orbital de
cristalina que el diamante y resiste valencia
ácidos y álcalis - Es el segundo elemento mas
- Tiene 4 electrones en su orbital de abundante en la corteza terrestre
valencia - Presenta la estructura cristalina del
- Como semiconductor, es utilizado diamante
en transistores y foto detectores - Sus propiedades son intermedias
- Al utilizarse como semiconductor, entre las del carbono y el germanio
presenta una excesiva corriente - Reacciona con los halógenos y
inversa álcalis
- Posee un elevado costo y en - Se usa como material base para
muchas ocasiones se buscan otras obleas o chips que se pueden
opciones de materiales para sus implantar en transistores, pilas
sustitución solares y una gran variedad de
circuitos electrónicos
E A : es la energía de los niveles introducidos por las impurezas dopantes aceptoras en las
cercanías de la banda de valencia.
EV : Es la energía del nivel del superior en la banda de valencia.
El mecanismo de conducción en los semiconductores extrínsecos muestra dos
contribuciones: extrínseco e intrínseco. El mecanismo extrínseco es debido a un
mayoritario suministro de portadores de carga libre por ionización de las impurezas. El
intrínseco es debido a la generación térmica de pares electrón-hueco.
20- Como se determina el número de portadores de carga p en un semiconductor
extrínseco tipo n
La neutralidad de la carga en un semiconductor en equilibrio térmico viene dada por la
relación:
n+ N A = p+ N D
en la que N D, N A son las concentraciones de impurezas donantes y aceptoras
respectivamente, de manera que cuando se ionizan actúan de centros de carga fija, mientras
que n y p representan las concentraciones de portadores de carga libre. La otra ecuación de
equilibrio es la de acción de masas.
Para semiconductores de tipo N, los electrones son el portador mayoritario, los huecos son
minoritarios y N A es cero. En los de tipo P, la situación es la contraria: p mayoritarios, n
minoritarios y N D nulo. Otra simplificación aplicable a temperaturas bajas y medias es
despreciar la concentración de portadores minoritarios de carga libre frente a la
concentración de impurezas dopantes. Así pues, tendríamos resumidas las expresiones
anteriores para el balance entre portadores de carga en equilibrio térmico para un
semiconductor extrínseco, en la siguiente tabla:
Semiconductor N Semiconductor P
n= p+ N D p=n+ N A
p≪¿ N D → n ≈ N D n≪¿ N A → p ≈ N A
ni 2 ni2
p= n=
n p