Температурная зависимость проводимости полупроводников

Удельная электрическая проводимость любого материала определяется концентрацией и подвижностью

свободных носителей заряда, значения которых зависят от температуры.

Подвижность m свободных носителей заряда характеризует их рассеяние и определяется как коэффициент

пропорциональности между дрейфовой скоростью vдр и напряженностью электрического поля e: vдр =me.

Рассеяние свободных носителей заряда, т.е. изменение их скорости или направления движения, может
происходить из-за наличия в реальных кристаллах полупроводников дефектов структуры (к ним относятся,
например, атомы и ионы примеси), тепловых колебаний кристаллической решетки.

Установлено, что при рассеянии носителей заряда только на ионах примеси подвижность

. (4.9)

Увеличение подвижности свободных носителей заряда с повышением температуры объясняется тем, что чем
выше температура, тем больше тепловая скорость движения свободного носителя и тем меньше времени он
будет находиться в кулоновском поле иона, изменяющего траекторию его движения, а значит, он будет иметь
меньшее рассеяние и более высокую подвижность. По мере повышения температуры все более
существенное значение приобретает рассеяние на тепловых колебаниях кристаллической решетки, которое
при определенной температуре становится преобладающим.

Тепловые колебания кристаллической решетки увеличиваются с ростом температуры, растет и рассеяние

носителей, а их подвижность уменьшается. Установлено, что в атомных полупроводниках при рассеянии
свободных носителей заряда преимущественно на тепловых колебаниях решетки

. (4.10)

На рис. 4.10 приведены зависимости подвижности свободных носителей заряда в полупроводнике n-типа с
разной концентрацией донорной примеси. С повышением температуры при рассеянии на ионах примеси
подвижность увеличивается, а затем вследствие все возрастающих колебаний кристаллической решетки и
обусловленного ими рассеяния – уменьшается. Величина и положение максимума кривой m(Т -1) зависят от
концентрации примеси. С ее увеличением максимум смещается в область более высоких температур, а вся
кривая – вниз по оси ординат. При концентрации примеси, равной N Д3, соответствующей вырожденному
полупроводнику, подвижность уменьшается с ростом температуры аналогично тому, как это происходит в
проводниковых материалах (раздел 3.8).

Рис. 4.10. Зависимости подвижности свободных электронов от температуры в полупроводнике n-типа:

NД1Д2Д3
При очень низких температурах, когда тепловые колебания кристаллической решетки малы, а примесные
атомы слабо ионизированы, рассеяние свободных носителей в основном происходит на нейтральных атомах
примеси. При таком механизме рассеяния подвижность не зависит от температуры, а определяется
концентрацией примеси.

Итак, концентрация свободных носителей заряда в полупроводниках увеличивается с ростом температуры по

экспоненциальному закону, а температурная зависимость подвижности имеет в общем виде характер кривой
с максимумом и степенной закон изменения.

В общем случае удельная электрическая проводимость s полупроводника, в котором носителями заряда

являются свободные электроны с подвижностью mn и свободные дырки с подвижностью mр, равна:

, (4.11)

где e – элементарный заряд.

Для собственного полупроводника

. (4.12)

Учитывая, что степенная зависимость слабее экспоненциальной, можно записать:

. (4.13)

Аналогично для примесного полупроводника n-типа в области примесной проводимости:

, (4.14)

а р-типа:

. (4.15)

Соотношения (4.14) и (4.15) справедливы лишь до тех пор, пока не наступит полная ионизация примеси.
Получив экспериментальную зависимость удельной проводимости от температуры в виде lns(T-1), можно
определить ширину запрещенной зоны полупроводника и энергию ионизации примеси по соотношениям
(4.13) – (4.15).