Centre universitaire Morsli Abdallah Tipaza Année : 2018/2019

Institut des sciences et technologies

2éme année License Electronique Matière : TP Electronique fondamentale 2

TP N°01 : Caractérisation du transistor à effet de champs JFET

Objectifs du TP :

Caractérisation du transistor à Effet de Champ JFET (2N 5486), c’est un transistor avec un
canal n.

Rappel théorique :
Acronyme anglais: FET pour (Field Effect Transistor).
Transistor unipolaire: le courant électrique est transporté par un seul type de porteurs de
charge.
Principe de base: une tension de grille contrôle le courant s'écoulant dans un canal.
Dans ce TP nous allons étudier un transistor appartenant à la famille des transistors à effet de
champ (TEC) (transistor à jonction appelé JFET (Junction Field Effect Transistor)). Le
principe de fonctionnement de tous les transistors à effet de champ est sensiblement le même :
un contrôle de la conduction du canal par la tension entre la grille et la source. Contrairement
aux transistors bipolaires dont le foncièrement repose sur deux types de porteurs les trous et
les électrons, les transistors unipolaires fonctionnent avec un seul type de charges, les trous ou
les électrons.

Constitution d’un JFET JFET canal N JFET canal P Boitier du JFET 2N 5486

Préparation théorique:
1. Quelle est la différence entre un FET à cana N et à canal P ? {Expliquer)
……………………………………………………………………………………………………………
……………………………………………………………………………………………………………
……………………………………………………………………………………………………………

1/4
Centre universitaire Morsli Abdallah Tipaza Année : 2018/2019
Institut des sciences et technologies
2éme année License Electronique Matière : TP Electronique fondamentale 2

……………………………………………………………………………………………………………
……………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………….
2. Compléter sur les deux schémas électrique (a) et (b) la polarisation des deux FET à
canal Net à canal P (VGS et VDS) avec les sens des courants lG, ID et IS. (Expliquer).

Canal_P
Canal_N

(a) (b)
…………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………
……………………………………………………………………………………………………

3. On a le réseau de caractéristiques « de transfert et de sortie» suivant:

a) Que signifier les termes IDSS, VGSoff, Vp et BVGD.

2/4
Centre universitaire Morsli Abdallah Tipaza Année : 2018/2019
Institut des sciences et technologies
2éme année License Electronique Matière : TP Electronique fondamentale 2

b) Expliquer en détail le comportement du FET dans les deux caractéristiques de

transfert et de sortie.
……………………………………………………………………………………………………………………………………………………
……………………………………………………………………………………………………………………………………………………
……………………………………………………………………………………………………………………………………………………
……………………………………………………………………………………………………………………………………………………
……………………………………………………………………………………………………………………………………………………
……………………………………………………………………………………………………………………………………………………
……………………………………………………………………………………………………………………………………………………
……………………………………………………………………………………………………………………………………………………
……………………………………………………………………………………………………………………………………………………
……………………………………………………………………………………………………………………………………………………
……………………………………………………………………………………………………………………………………………………
……………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………

Déroulement du TP :
L’objectif de ce TP est de tracer:
 Caractéristique de transfert ID en fonction de VGS pour une valeur constante de VDS.
 Caractéristique de sortie ID en fonction de VDS pour différentes valeurs (négatives) de VGS.

I- On va utiliser le montage suivant:

3/4
Centre universitaire Morsli Abdallah Tipaza Année : 2018/2019
Institut des sciences et technologies
2éme année License Electronique Matière : TP Electronique fondamentale 2

II- Pour tracer ID en fonction de VGS on va varier la valeur de la tension VGG et on mesure le
courant ID et ceci pour une valeur constante de VDD.
Compléter le tableau suivant

VGS -4 -3.5 -3 -2.5 -2 -1.5 -1 -0.5 0

ID

 Tracer la courbe demandée en utilisant Excel ou Matlab.

 Refaire le même travail d’une manière automatique dans le logiciel NI Multisim
 Comparer les deux courbes.
 Donner les valeurs de VGSoff et IDSS

III- Pour tracer le réseau de caractéristique de sortie ID en fonction de VDS on variant VGS de -
3V à 0 par un pas de 0.5 compléter le tableau suivant :

VGS=0 VGS=-0.5 VGS=-1 VGS=-1.5 VGS=-2 VGS=-3

VDS ID VDS ID VDS ID VDS ID VDS ID VDS ID
0 0 0 0 0 0
0.4 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4
0.8 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8
1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2
1.6 1.6 1.6 1.6 1.6 1.6
2 2 2 2 2 2
2.4 2.4 2.4 2.4 2.4 2.4
2.8 2.8 2.8 2.8 2.8 2.8
3.2 3.2 3.2 3.2 3.2 3.2
3.6 3.6 3.6 3.6 3.6 3.6
4 4 4 4 4 4
4.5 4.5 4.5 4.5 4.5 4.5
5 5 5 5 5 5
6 6 6 6 6 6
7 7 7 7 7 7
8 8 8 8 8 8
9 9 9 9 9 9
10 10 10 10 10 10

 Tracer la courbe demandée en utilisant Excel ou Matlab.

 Refaire le même travail d’une manière automatique dans le logiciel NI Multisim
 Comparer les deux courbes.
 Donner les valeurs de VP et IDSS

4/4