Saulo Arruda - TP1

UNIVERSIDADE FEDERAL DE MINAS GERAIS
PROGRAMA DE PÓS GRADAÇÃO EM ENGENHARIA ELÉTRICA
Engenharia de Alta tensão – 01/2015

1º Trabalho Prático
Simulação de circuitos para geração e medição de altas tensões
Saulo Arruda de Faria
EAT – 1/2015
SUMÁRIO
1. OBJETIVO......................................................................................................................................... 3
2. METODOLOGIA ............................................................................................................................... 3
3. GERAÇÃO DE ALTA TENSÃO ............................................................................................................ 3
3.1. Alta tensão contínua ............................................................................................................... 3
3.1.1. Circuito a vazio ................................................................................................................ 4
3.1.2. Circuito sob carga............................................................................................................ 7
3.2. Alta tensão impulsiva .............................................................................................................. 9
3.2.1. Circuitos de estágio único ............................................................................................... 9
3.2.2. Circuito em cascata ....................................................................................................... 11
4. MEDIÇÃO DE ALTA TENSÃO .......................................................................................................... 13
4.1. Divisores de tensão ............................................................................................................... 13
4.1.1. Circuito (a)..................................................................................................................... 15
4.1.2. Circuito (b)..................................................................................................................... 16
4.1.3. Circuito (c) ..................................................................................................................... 17
4.2. Circuitos de medição............................................................................................................. 18
4.2.1. Circuito (a)..................................................................................................................... 19
4.2.2. Circuito (b)..................................................................................................................... 20
4.2.3. Circuito (c) ..................................................................................................................... 21
4.2.4. Circuito (d)..................................................................................................................... 22
5. Anexo 1 ......................................................................................................................................... 23
EAT – 1/2015
1. OBJETIVO
Analisar o comportamento de diferentes circuitos de geração e medição de altas

tensões abordados nos capítulos 2 e 3 do livro texto.
2. METODOLOGIA
A partir de simulações computacionais utilizando ATP foram avaliadas as influências

de diferentes parâmetros dos circuitos nas formas de onda das tensões geradas e
medidas.
3. GERAÇÃO DE ALTA TENSÃO
A seguir são apresentados os resultados das simulações de circuitos de geração de

alta tensão contínua e impulsiva.
3.1. Alta tensão contínua
O circuito de geração de alta tensão contínua objeto de estudo é o circuito em cascata

segundo Cockroft–Walton ou Greinacher. Para entender o funcionamento desse
circuito, é importante analisarmos cada um de seus estágios separadamente.
A Figura 1 apresenta um estágio único do circuito em cascata segundo Cockroft–

Walton ou Greinacher. O trecho 0 – n’ – V(t) é um circuito retificador de meia-onda,
que carrega o capacitor C’n com +Vmax quando a fonte atingir o pico negativo (-Vmax).
Se Cn continuar descarregado, o retificador Dn conduz enquanto a tensão V(t)
aumenta. Como o ponto n’ oscila em torno de +V2max durante o período T = 1/f, o
ponto n atinge o potencial de +2Vmax quando a fonte atingir o potencial máximo
positivo (+Vmax). A parte n’ – n – 0 é, entretanto, um retificador de meia onda no qual
a tensão sobre o retificador D’n é igual à da fonte V(t). Portanto, a corrente que carrega
o capacitor Cn são as correntes fornecidas pela fonte e pelo capacitor C’n e a tensão
no ponto n’ é igual a +2Vmax.
– Estágio único do circuito em cascata segundo Cockroft–Walton ou Greinacher.
EAT – 1/2015
3.1.1. Circuito a vazio
As análises do circuito em cascata segundo Cockroft–Walton ou Greinacher foram

realizadas com o circuito operando a vazio e com carga. Foram feitas simulações
variando (a) o número de estágios; (b) a frequência da fonte de alimentação; e (c) os
valores de capacitância do circuito, a fim de se analisar a influência de cada um
desses parâmetros no desempenho do Circuito. A seguir são apresentados os
resultados das simulações.
(a) Variação do número de estágios
Conforme item 3.1, a tensão na saída do Circuito é igual a:
𝑉𝑜 = +2𝑉𝑚𝑎𝑥
Portanto, a cada estágio que acrescentamos ao circuito em cascata, a tensão dobra,

ou seja:
𝑉𝑛 = +2. 𝑛. 𝑉𝑚𝑎𝑥
onde n é igual ao número de estágios. Sendo a fonte de alimentação de 0,5 kV, para
os circuitos com 2, 6, 8 e 10 estágios espera-se, portanto, uma tensão de saída de 2,
6, 8 e 10 kV respectivamente. A Figura 2, que apresenta os resultados da simulação,
mostra, porém, que a tensão na saída é um pouco inferior à tensão esperada.
CIRCUITO EM CASCATA SEGUNDO COCKROFT-WALTON OU GREINACHER
TENSÃO NA SAÍDA - 2, 6, 8 E 10 ESTÁGIOS
10.0
*10 3
7.8
5.6
3.4
1.2
-1.0
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
02 ESTÁGIOS.ADF: vXx0006
– 1ª Simulação
Circuito em cascata segundo Cockroft–Walton ou Greinacher com 2, 6, 8 e 10 estágios
EAT – 1/2015
Essa diferença entre a tensão de saída simulada e a tensão de saída calculada,

apresentadas na Tabela 1, se dá devido ao fato das simulações terem sido feitas
utilizando-se diodos ideais, cujas características técnicas podem ser observadas no
Anexo 1.
É importante ressaltar também que a diferença entre o valor calculado e o valor

simulado do circuito aumenta conforme aumentamos o número de estágios.
Tabela 1 – 1ª Simulação
Valores calculados X Valores simulados
VALOR VALOR
DIFERENÇA
CALCULADO SIMULADO
[kV] [kV] [%]
2.000 1.997 0,15%
6.000 5.892 1,80%
8.000 7.784 2,70%
10.000 9.632 3,68%
(b) Variação da frequência da fonte primária do circuito
Se mantivermos constante o número de estágios do Circuito, bem como os vaores de

suas capacitâncias, quanto maior a frequência da fonte primária, mais rapidamente o
circuito atinge o seu valor de pico, ou seja, menor o tempo de subida até o valor final,
como pode ser obervado na
TENSÃO NA SAÍDA - FREQUÊNCIA DA FONTE DE 60 Hz, 1 kHz, 100 kHz e 1 MHz
8000
6500
5000
3500
2000
500
-1000
0 4 8 12 16 20
60 Hz.ADF: vXx0013
1 kHz.ADF: vXx0013
100 kHz.ADF: vXx0013
1 MHz.ADF: vXx0013
– 2ª Simulação (Tf = 20 s)
Circuito em cascata segundo Cockroft–Walton ou Greinacher com fontes de
60 Hz, 1 kHz, 100 kHz e 1 MHz
EAT – 1/2015

TENSÃO NA SAÍDA - FREQUÊNCIA DA FONTE DE 60 Hz, 1 kHz, 100 kHz e 1 MHz
8000
6500
5000
3500
2000
500
-1000
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 *10 -3 1.0
60 Hz.ADF: vXx0013
1 kHz.ADF: vXx0013
100 kHz.ADF: vXx0013
1 MHz.ADF: vXx0013
– 2ª Simulação (Tf = 1 ms)

Circuito em cascata segundo Cockroft–Walton ou Greinacher com fontes de
60 Hz, 1 kHz, 100 kHz e 1 MHz
(c) Variação dos capacitores do circuito
Toricamente, o ripple na tensão de saída e a queda de tensão ao longo de cada

estágio do circuito em cascata segundo Cockroft–Walton ou Greinacher é
inversamente proporcional à capacitância dos capacitores do circuito, como mostram
as fórmulas a seguir.
𝐼 2𝑛3 𝑛
∆𝑉0 = ( − )
𝑓𝐶 3 6
𝐼 𝑛(𝑛 + 1)
𝛿𝑉 = 𝑥
𝑓𝐶 4
Portanto, quanto maior as capacitâncias do circuito, maiores seriam as oscilações e

maior seria a diferença entre a tensão de saída esperada e a tensão simulada, como
pode ser observado na Tabela 2. Porém, como pode ser observado na Figura 5, há
uma grande diferença entre a tensão de saída e a tensão esperada para
capacitâncias muito pequenas.
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Tabela 2 – Valores de queda de tensão e ripple em função da capacitância do Circuito em cascata

segundo Cockroft–Walton ou Greinacher
C [μF] ΔV δV
5.000,00 0,0005% 0,00021%
500,00 0,0046% 0,00210%
5,00 0,4600% 0,21000%
0,05 46,0000% 21,00000%
TENSÃO NA SAÍDA - CAPACITORES DE 5 mF, 500 uF, 5 uF e 50 nF
8000
6500
5000
3500
2000
500
-1000
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
50 nF.ADF: vXx0010
5 uF.ADF: vXx0013
500 uF.ADF: vXx0010
5 mF.ADF: vXx0018
– 3ª Simulação
Circuito em cascata segundo Cockroft–Walton ou Greinacher com capacitores de
5 mF, 500 μF, 5 μF e 50 nF
3.1.2. Circuito sob carga
Quando o Circuito está sob carga, as perdas devido às caracaterísticas não ideais
dos diodos são ainda mais percebidas. Foram realizadas simulações com cargas tais
que a corrente drenada por elas fosse de 3 μA, 30 μA, 300 μA e 30 mA. Os resultados
das simulações estão apresentados na Figura 6 e na Figura 7. É importante ainda
ressaltar que para conseguir as correntes de 3 μA, 30 μA, 300 μA e 30 mA na saída,
a resistência da carga teve de ser de 5.200 MΩ, 520 MΩ, 52 MΩ, 460 kΩ, ou seja, se
a corrente exigida na saída do circuito aumentar significativamente, o valor da carga
não irá diminuir proporcionalmente, pois as perdas ao longo do circuito ficarão muito
elevadas.
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TENSÃO NA SAÍDA - CORRENTES DE 3 uA, 30 uA, 300 uA e 30 mA SOBRE A CARGA
8000
6500
5000
3500
2000
500
-1000
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
3 uA.ADF: vXx0013
30 uA.ADF: vXx0013
300 uA.ADF: vXx0013
30 mA.ADF: vXx0013
– 4ª Simulação (1/2)
Circuito em cascata segundo Cockroft–Walton ou Greinacher sob carga
Corrente na carga de 3 μA, 30 μA, 300 μA e 30 mA

TENSÃO NA SAÍDA - CORRENTES DE 3 uA, 30 uA, 300 uA e 30 mA SOBRE A CARGA
7900
7700
7500
7300
7100
6900
6700
0.690 0.692 0.694 0.696 0.698 0.700
3 uA.ADF: vXx0013
30 uA.ADF: vXx0013
300 uA.ADF: vXx0013
30 mA.ADF: vXx0013
– 4ª Simulação (2/2)
Circuito em cascata segundo Cockroft–Walton ou Greinacher sob carga
Corrente na carga de 3 μA, 30 μA, 300 μA e 30 mA
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3.2. Alta tensão impulsiva
Foram estudadas duas configurações de circuitos de geração de alta tensão impulsiva

de estágio único e em seguida a aplicação de um desses circuitos, porém em cascata.
3.2.1. Circuitos de estágio único
A Figura 8 apresenta as duas configurações de estágio único propostas.
– Circuitos estágio único de geração de alta tensão impulsiva
A Figura 9 apresenta as formas de onda de tensão na saída dos circuitos de estágio

único. Ambos geram ondas com um formato de uma dupla exponencial, porém há
pequenas diferenças entre o valor de pico das ondas e dos tempos de frente e de
cauda. A onda gerada pelo circuito (a) consegue atingir valores de pico menos
elevados, o que lhe confere um pior rendimento em relação ao circuito (b), como pode
ser observado na.
Tabela 3 – Rendimento dos circuitos (a) e (b)
VP 𝑽𝑷
CIRCUITO 𝜼=
[kV] 𝑽𝟎
(a) 147,52 73,76%
(b) 194,53 97,27%
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CIRCUITOS DE GERAÇÃO DE ALTA TENSÃO IMPULSIVA

TENSÃO NA SAÍDA
200
*10 3
160
120
80
40
0
0 10 20 30 40 50 60 70 *10 -6 80
(a).ADF: vXx0001
(b).ADF: vXx0001
– Circuitos estágio único de geração de alta tensão impulsiva

Formas de onda de tensão na saída
A apresenta as principais diferenças estre as formas de onda geradas pelos circuitos

(a) e (b).
Tabela 4 – Principais características de forma de onda da tensão de saída dos circuitos (a) e (b)
PICO CAUDA
CIRCUITO
VP [kV] t [μs] Vt [kV] t [μs]
(a) 147,52 2,16 73,76 72,02
(b) 194,53 2,35 97,27 55,12
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3.2.2. Circuito em cascata
Foi simulado um circuito com 12 estágios utilizando os parâmetros do gerador de

impulsos do Laboratório de Extra Alta Tensão (LEAD) da UFMG, os quais se
encontram na Tabela 5.
Tabela 5 – Parâmetros utilizados na simulação do gerador multi-estágios
C2’ L2’ R’ R1’ R2’ C1’

Caso 1 0,1 nF -
Caso 2 1,0 nF -
Caso 3 2,0 nF -
Caso 4 5,0 nF -
Caso 5 - 10 μH 5 kΩ 11 Ω 295 Ω 250 nF
Caso 6 - 100 μH
Caso 7 - 1 mH
Caso 8 - 10 mH
Caso 9 - 100 mH
A Figura 10 apresenta o circuito multi-estágios proposto e a Figura 11 o circuito

simulado no ATP. Os gaps de ar foram substituídos por chaves controladas por tempo
que se fecham 20 nanossegundos após o fechamento da chave do estágio anterior,
reproduzindo de forma satisfatória o processo de disrupções sucessivas nos gaps do
gerador real.
– Circuito multi-estágios de geração de alta tensão impulsiva proposto.
– Circuito multi-estágios de geração de alta tensão impulsiva simulado no ATP.
A Figura 12 e a Figura 13 apresentam os resultado das simulações.
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GERADOR DE IMPULSOS MULTIESTÁGIOS

TENSÃO NA SAÍDA - CARGAS CAPACITIVAS
1.2
*10 6
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 *10 -3 0.30
CASO 1.ADF: vXx0039
CASO 2.ADF: vXx0039
CASO 3.ADF: vXx0039
CASO 4.ADF: vXx0039
– Gerador de impulsos multiestágio

Tensão na saída - Cargas capacitivas
GERADOR DE IMPULSOS MULTIESTÁGIO

TENSÃO NA SAÍDA - CARGAS INDUTIVAS
1.5
*10 6
1.0
0.5
0.0
-0.5
-1.0
-1.5
0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 *10 -3 0.30
CASO 9.ADF: vXx0039
CASO 5.ADF: vXx0039
CASO 6.ADF: vXx0039
CASO 7.ADF: vXx0039
CASO 8.ADF: vXx0039
– Gerador de impulsos multiestágio

Tensão na saída – Cargas indutivas
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4. MEDIÇÃO DE ALTA TENSÃO
A medição de alta tensão não é um procedimento trivial. O isolamento dos

equipamentos de medição não são suficientes para realizar medições de altas
tensões e, portanto, faz-se necessário pegar uma amostra desse sinal que represente
o total. Para isso, são necessários os divisores de tensão.
4.1. Divisores de tensão
Existem várias configuraçoes de divisores de tensão possíveis, sendo os mais usuais

os divisores resistivos, os divisores capacitivos e os divisores mistos (resistivos e
capacitivos). Existem também os divisores indutivos, porém estes não são muito
adequados para níveis mais elevados de tensão.
Neste trabalho foram estudadas três configurações de divisores mistos, os quais

estão apresentados na Figura 14. Na sequência, são apresentados os circuitos
simulados no ATP e os resultados obtidos em cada simulação.
Foram realizadas quatro simulações diferentes para cada configuração de divisor de

tensão, variando-se o valor de Rd. O intuito dessas simulações é apresentar a
influência do resistor de damping (Rd) nos resultados da medição. A Tabela 6
apresenta os valores do resistor de damping (Rd) adotado em cada uma das
simulações.
Tabela 6 – Casos simulados para as três configurações de divisor de tensão
CIRCUITO CASO Rd ZL
A1 1Ω
A2 50 Ω
(a) 272 Ω
A3 272 Ω
A4 500 Ω
B1 1Ω
B2 50 Ω
(b) 300 Ω
B3 272 Ω
B4 500 Ω
C1 1Ω
C2 50 Ω
(c) 270 Ω
C3 272 Ω
C4 500 Ω
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– Circuitos equivalentes de divisores mistos para medição de alta tensão
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4.1.1. Circuito (a)
– Divisores de tensão - Circuito (a)

Circuito simulado no ATP
CIRCUITO DIVISOR DE TENSÃO MISTO - CONFIGURAÇÃO (a)

TENSÃO NA SAÍDA - CASOS 1A~4A
7
0
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 *10 -6 1.0
CASO 1A.ADF: vXx0014
– Divisores de tensão - Circuito (a)

Resultado da simulação
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4.1.2. Circuito (b)
– Divisores de tensão - Circuito (b)

CIRCUITO DIVISOR DE TENSÃO MISTO - CONFIGURAÇÃO (b)

TENSÃO NA SAÍDA - CASOS 1B~4B
2.2
1.8
1.4
1.0
0.6
0.2
-0.2
0 1 2 3 4 *10 -6 5
CASO 1B.ADF: vXx0004
– Divisores de tensão - Circuito (b)

Resultado da simulação – Casos 1B a 4B
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4.1.3. Circuito (c)
– Divisores de tensão - Circuito (c)

CIRCUITO DIVISOR DE TENSÃO MISTO - CONFIGURAÇÃO (c)

TENSÃO NA SAÍDA - CASOS 1C~4C
110
88
66
44
22
0
0 2 4 6 8 *10 -6 10
CASO 1C.ADF: vXx0021
– Divisores de tensão - Circuito (c)

Resultado da simulação
EAT – 1/2015
4.2. Circuitos de medição
Os circuitos de medição de alta tensão são compostos pelo circuito divisor de tensão,
pelo instrumento de medição e pelo cabo que interliga o divisor ao instrumento de
medição. Deve-se levar em consideração os efeitos de propagação de ondas no cabo
de conexão, pois esses efeitos podem comprometer a medição e, portanto, levar a
conclusões errôneas a respeito do sinal medido.
Quatro configurações distintas do conjunto divisor de tensão + cabo de conexão +

instrumento de medição foram simuladas no ATP. A Figura 21 apresenta as quatro
configurações propostas e, na sequência, são apresentados os circuitos simulados
juntamente com os resultados das simulações. Para cada configuração, foram
realizadas três simulações:
 Caso 1, Caso 3 e Caso 4 (quando aplicável): Impedância da linha de

transmissão não casada com a impedância do circuito;
 Caso 2: Impedância da linha de transmissão casada com a impedância do

circuito.
– Configurações de circuitos de medição de alta tensão a serem estudadas
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4.2.1. Circuito (a)
– Circuitos de medição de alta tensão – Configuração (a)

Tabela 7 – Parâmetros do Circuito (a)
𝑪𝟏 𝑪𝟐 𝑹𝟏 𝑹𝟐 𝒁𝑲 𝝉𝑲 𝑪𝑲 𝑹 𝑪𝑹𝑶
Caso 1 50 pF 50 nF 20 kΩ 20 Ω 300 Ω 10 ns 33 pF 5Ω 5 μF
Caso 2 50 pF 50 nF 20 kΩ 20 Ω 300 Ω 10 ns 33 pF 300 Ω 5 μF
Caso 3 50 pF 50 nF 20 kΩ 20 Ω 300 Ω 10 ns 33 pF 1 kΩ 5 μF
CIRCUITO DE MEDIÇÃO - CONFIGURAÇÃO (a)

TENSÃO NA SAÍDA - CASOS 1A~3A
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 *10 -3 1.0
– Circuitos de medição de alta tensão – Configuração (a)

Resultado da simulação – Casos 1A a 3A
EAT – 1/2015
4.2.2. Circuito (b)
– Circuitos de medição de alta tensão – Configuração (b)

Tabela 8 – Parâmetros do Circuito (b)
𝑪𝟏 𝑪𝟐 𝒁𝑲 𝝉𝑲 𝑪𝑲 𝑹 𝑪𝑹𝑶
Caso 1 50 pF 50 nF 300 Ω 10 ns 33 pF 5Ω 5 μF
Caso 2 50 pF 50 nF 300 Ω 10 ns 33 pF 300 Ω 5 μF
Caso 3 50 pF 50 nF 300 Ω 10 ns 33 pF 1 kΩ 5 μF
CIRCUITO DE MEDIÇÃO - CONFIGURAÇÃO (b)

TENSÃO NA SAÍDA - CASOS 1B~3B
20
*10 -3
16
12
0
0.00 0.02 0.04 0.06 0.08 *10 -3 0.10
– Circuitos de medição de alta tensão – Configuração (b)

Resultado da simulação – Casos 1B a 3B
EAT – 1/2015
4.2.3. Circuito (c)
– Circuitos de medição de alta tensão – Configuração (c)

Tabela 9 – Parâmetros do Circuito (c)
𝑪𝟏 𝑪𝟐 𝑹𝟑 𝑹𝟒 𝒁𝑲 𝝉𝑲 𝑪𝑲 𝑪𝟒 𝑪𝑹𝑶
Caso 1 50 pF 50 nF 300 Ω 300 Ω 300 Ω 10 ns 33 pF 50 nF 5 μF
Caso 2 50 pF 50 nF 300 Ω 300 Ω 300 Ω 10 ns 33 pF 5.001,7 nF 5 μF
Caso 3 50 pF 50 nF 1 kΩ 1 kΩ 300 Ω 10 ns 33 pF 5.001,7 nF 5 μF
Caso 4 50 pF 50 nF 1 kΩ 1 kΩ 300 Ω 10 ns 33 pF 50 nF 5 μF
Resultado da simulação – Caso 1
CIRCUITO DE MEDIÇÃO - CONFIGURAÇÃO (c)

TENSÃO NA SAÍDA - CASOS 1C~4C
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0 1 2 3 4 *10 -6 5

Resultado da simulação – Casos 1C a 3C
EAT – 1/2015
4.2.4. Circuito (d)
– Circuitos de medição de alta tensão – Configuração (d)

Tabela 10 – Parâmetros do Circuito (d)
𝑪𝟏 𝑪𝟐 𝑹𝟏 𝑹𝟐 𝒁𝑲 𝝉𝑲 𝑪𝑲 𝑹𝟑 𝑪𝑹𝑶
Caso 2 50 pF 50 nF 20 kΩ 20 Ω 300 Ω 10 ns 33 pF 280 Ω 5 μF
CIRCUITO DE MEDIÇÃO - CONFIGURAÇÃO (d)

TENSÃO NA SAÍDA - CASOS 1D~4D
1000
800
600
400
200
0
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
CASO 1D.ADF: vXx0007
– Circuitos de medição de alta tensão – Configuração (d)

Resultado da simulação – Casos 1D a 3D
EAT – 1/2015
5. Anexo 1
Folha de dados do diodo UF4007 da SEMIKRON, utilizdo nas simulações do item 3.1.
EAT – 1/2015
UF 4001...UF 4007, UF 4007-1200
-3 8 9 4 0+ 4 9
9 9
+ 9 9
+
9 3
;
9
+
/5 6 ,2 )
/8 6 ', )
/88 6 ,2 )
#88 #80
# # #5<
5 "' 2 2 2 ',
5 " ' ' 2 ',
5 "= 2 ',
Axial lead diode 5 "" " " 2 ',2
5 "2 12 ',1
5 " > > 12 ',1
Ultrafast silicon rectifier 5 "1 ' ' 12 ',1
diodes 5 "1$' ' ' 12 ',1
UF 4001...UF 4007, UF 4007-1200 Absolute Maximum Ratings - 6 2 ,

;
Forward Current: 1 A Symbol Conditions Values Units
Reverse Voltage: 50 to 1200 V /5)# 9 + ; , 8$
, -) 6 2 '< ' )
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Dimensions in mm
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1 12-04-2005 TGR © by SEMIKRON

UF 4001...UF 4007, UF 4007-1200
Fig. 1 Forward characteristic ( typical values ) Fig. 2 Rated forward current vs. ambient temperature 1)
2 12-04-2005 TGR © by SEMIKRON

Saulo Arruda - TP1

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UNIVERSIDADE FEDERAL DE MINAS GERAIS

PROGRAMA DE PÓS GRADAÇÃO EM ENGENHARIA ELÉTRICA

Engenharia de Alta tensão – 01/2015

Saulo Arruda de Faria

Analisar o comportamento de diferentes circuitos de geração e medição de altas

A partir de simulações computacionais utilizando ATP foram avaliadas as influências

3. GERAÇÃO DE ALTA TENSÃO

A seguir são apresentados os resultados das simulações de circuitos de geração de

O circuito de geração de alta tensão contínua objeto de estudo é o circuito em cascata

A Figura 1 apresenta um estágio único do circuito em cascata segundo Cockroft–

– Estágio único do circuito em cascata segundo Cockroft–Walton ou Greinacher.

3.1.1. Circuito a vazio

As análises do circuito em cascata segundo Cockroft–Walton ou Greinacher foram

Conforme item 3.1, a tensão na saída do Circuito é igual a:

Portanto, a cada estágio que acrescentamos ao circuito em cascata, a tensão dobra,

Essa diferença entre a tensão de saída simulada e a tensão de saída calculada,

É importante ressaltar também que a diferença entre o valor calculado e o valor

(b) Variação da frequência da fonte primária do circuito

Se mantivermos constante o número de estágios do Circuito, bem como os vaores de

CIRCUITO EM CASCATA SEGUNDO COCKROFT-WALTON OU GREINACHER

– 2ª Simulação (Tf = 1 ms)

(c) Variação dos capacitores do circuito

Toricamente, o ripple na tensão de saída e a queda de tensão ao longo de cada

Portanto, quanto maior as capacitâncias do circuito, maiores seriam as oscilações e

Tabela 2 – Valores de queda de tensão e ripple em função da capacitância do Circuito em cascata

3.1.2. Circuito sob carga

CIRCUITO EM CASCATA SEGUNDO COCKROFT-WALTON OU GREINACHER

CIRCUITO EM CASCATA SEGUNDO COCKROFT-WALTON OU GREINACHER

3.2. Alta tensão impulsiva

Foram estudadas duas configurações de circuitos de geração de alta tensão impulsiva

A Figura 8 apresenta as duas configurações de estágio único propostas.

– Circuitos estágio único de geração de alta tensão impulsiva

A Figura 9 apresenta as formas de onda de tensão na saída dos circuitos de estágio

CIRCUITOS DE GERAÇÃO DE ALTA TENSÃO IMPULSIVA

– Circuitos estágio único de geração de alta tensão impulsiva

A apresenta as principais diferenças estre as formas de onda geradas pelos circuitos

3.2.2. Circuito em cascata

Foi simulado um circuito com 12 estágios utilizando os parâmetros do gerador de

C2’ L2’ R’ R1’ R2’ C1’

A Figura 10 apresenta o circuito multi-estágios proposto e a Figura 11 o circuito

– Circuito multi-estágios de geração de alta tensão impulsiva proposto.

– Circuito multi-estágios de geração de alta tensão impulsiva simulado no ATP.

A Figura 12 e a Figura 13 apresentam os resultado das simulações.

GERADOR DE IMPULSOS MULTIESTÁGIOS

– Gerador de impulsos multiestágio

GERADOR DE IMPULSOS MULTIESTÁGIO

– Gerador de impulsos multiestágio

4. MEDIÇÃO DE ALTA TENSÃO

A medição de alta tensão não é um procedimento trivial. O isolamento dos

Existem várias configuraçoes de divisores de tensão possíveis, sendo os mais usuais

Neste trabalho foram estudadas três configurações de divisores mistos, os quais

Foram realizadas quatro simulações diferentes para cada configuração de divisor de

– Circuitos equivalentes de divisores mistos para medição de alta tensão

4.1.1. Circuito (a)

– Divisores de tensão - Circuito (a)

CIRCUITO DIVISOR DE TENSÃO MISTO - CONFIGURAÇÃO (a)

– Divisores de tensão - Circuito (a)

4.1.2. Circuito (b)

– Divisores de tensão - Circuito (b)

CIRCUITO DIVISOR DE TENSÃO MISTO - CONFIGURAÇÃO (b)

– Divisores de tensão - Circuito (b)

4.1.3. Circuito (c)

– Divisores de tensão - Circuito (c)

CIRCUITO DIVISOR DE TENSÃO MISTO - CONFIGURAÇÃO (c)

UF 4001...UF 4007, UF 4007-1200 Absolute Maximum Ratings - 6 2 ,

I @A 9 9