Вы находитесь на странице: 1из 7

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ

Федеральное государственное автономное


образовательное учреждение высшего образования
«Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет
информационных технологий, механики и оптики»

ФАКУЛЬТЕТ БЕЗОПАСНОСТИ
ИНФОРМАЦИОННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ

Дисциплина:
«Электроника и схемотехника»

ОТЧЕТ
по лабораторной работе №4
«Ключи на полевых транзисторах»

Работу выполнили
студенты группы N3352
очного отделения:
Жучкова В.С.
_________________

Зызин Р.М.
_________________

Проверил:
Бибиков С. В.
_________________






Цель работы:

Работа посвящена исследованию основных параметров и характеристик


транзисторных ключей на полевых транзисторах. Исследование схем колючей
осуществляется моделированием в программе схемотехнического анализа Micro-Cap.

Задачи лабораторной работы

Исследовать процессы переключения ключа на МДП-транзисторе и выявить


зависимости скорости переключения от параметров схемы ключа.

Ход работы

1. Определение порогового напряжения МДП-транзистора


1.1. Собрать схему для измерения порогового напряжения МДП-транзистора
(использовать модель $GENERIC_N). Указать в поле схемы группу и номер варианта
(номер в журнале посещаемости).
1.2. Получить необходимые графики и по ним определить пороговое напряжение МДП-
транзистора.

𝑈"#$ = 3.7𝐵

2. Определение крутизны МДП-транзистора


2.1. Собрать схему для определения крутизны МДП-транзистора (использовать модель
$GENERIC_N).
2.2. Получить необходимые графики и по ним определить величину крутизны МДП-
транзистора.
∆𝐼 0.89
𝑆= = = 0.868
∆𝑈 1.025
3. Исследование зависимости скорости переключения ключа на МДП-транзисторе от
амплитуды управляющих импульсов
3.1. Собрать или загрузить схему ключа на МДП-транзисторе
Источник V1 формирует прямоугольные импульсы амплитудой 5В, длительностью 400 нс
и периодом 1 мкс

3.2. Для анализа Transient задать:


• Время расчета 1 мкс;
• Максимальный шаг расчета 1 нс.
В режиме анализа переходных процессов вывести на графики:
• напряжение источника V1;
• ток затвора МДП-транзистора (ток резистора R1);
• напряжение на затворе МДП-транзистора;
• ток стока МДП-транзистора (ток резистора R2).

3.3. Используя степпинг, задать изменение амплитуды управляющего напряжения от 5 до


8 В с шагом 0.5 В. Полученные графики занести в отчет.
3.4. По результатам выполнения п. 3.3 определить, при каком уровне управляющего
напряжения время включения транзистора стало примерно равно времени выключения.
𝑈4 = 8 𝐵
3.5. Вычислить рекомендуемое значение амплитуды управления, определяемое по
формуле: U = (1.2...1.5)(Uпор + IС/S), где Uпор – пороговое напряжение, IC – ток стока, S –
крутизна.
0.62
𝑈6 = 1.35 ∗ 87.223 + : = 13.3
0.236
Сравнить вычисленное значение с полученным в п. 3.4. U2 > U1
4. Исследование зависимости скорости переключения ключа на МДП-транзисторе от
сопротивления цепи затвора
4.1. Установить в схеме амплитуду управляющего источника V1 равной 8 В,
сопротивление резистора R1=10 Ом.
В режиме анализа Transient вывести на графики:
• напряжениеисточникаV1;
• ток затвора МДП-транзистора (ток резистора R1);
• напряжение на затворе МДП-транзистора
• ток стока МДП-транзистора (ток резистор аR2).
По графику тока стока определить время включения и выключения ключа.
Время включения ключа порядка 52.5 нс.
Время выключения ключа порядка 13.5 нс.
4.2. Установить в схеме сопротивление резистора R1=100 Ом. В режиме анализа Transient
вывести на графики:
• напряжение источника V1;
• ток затвора МДП-транзистора (ток резистора R1);
• напряжение на затворе МДП-транзистора;
• ток стока МДП-транзистора (ток резистора R2).
По графику тока стока определить время включения и выключения ключа.
Время включения ключа порядка 165.7 нс.
Время выключения ключа порядка 36.7 нс.