Termogerador de semicondutor – Efeito Seebeck

1 - Conceitos relacionados
Efeito termoelétrico, força eletromotriz termoelétrica,
coeficiente Seebeck, elemento Peltier.

2 – Objetivos
Determinar a resistência interna, o coeficiente Seebeck
e a eficiência do termogerador.

3 - Método utilizado
É aplicado um gradiente de temperatura ao Figura 1 – Diagrama do Efeito termoelétrico em um sistema
termogerador de semicondutor, sendo medidas a tensão composto por um material A e outro material B.
em circuito aberto e a corrente de curto circuito em
função da diferença de temperatura. O princípio termoelétrico indicado na Figura 2
deriva de uma propriedade física dos condutores
4 - Equipamentos metálicos quando submetidos a um gradiente térmico
em suas extremidades. A extremidade mais quente faz
1 módulo de elemento Peltier
com que os elétrons dessa região tenham maior energia
1 fonte de tensão para aquecimento
cinética e se acumulem no lado mais frio, gerando uma
1 resistor variável
diferença de potencial elétrico entre as extremidades do
2 multímetros digitais
condutor.
2 multímetros com termopar
2 cabo RCA-PB
2 cabos PB-PB 50 cm
2 cabos PB-PB 25 cm

5 - Fundamentos Teóricos
5.1. Princípio termoelétrico
O efeito Seebeck é a produção de uma diferença
de potencial ε (tensão elétrica) entre duas junções de
condutores (ou semicondutores) de materiais diferentes
quando elas estão a diferentes temperaturas, conforme
diagrama apresentado na Figura 1.
Outro efeito associado é o efeito Peltier, que é a
produção de um gradiente de temperatura em duas
junções de dois materiais condutores (ou
semicondutores) diferentes, quando submetidos a uma
diferença de potencial (tensão elétrica) em um circuito
fechado (conseqüêntemente, percorrido por uma
corrente elétrica).
Estes dois efeitos podem ser também considerados
como um só, denominado efeito Peltier-Seebeck ou
efeito termoelétrico.
Figura 2 – Princípio do efeito termoelétrico.
O valor da força eletro motriz Δε depende da
natureza dos materiais e do gradiente de temperatura na
junção dos mesmos. Quando o gradiente de
temperatura é linear, a diferença de potencial elétrico
Δε = ε2 − ε1 > 0 depende apenas do material e das
temperaturas T1 e T2, (T2 > T1), formalmente
representado pela relação:
Δε
S= (1)
ΔT
sendo S o coeficiente de Seebeck, ΔT a diferença de
temperatura ΔT = T2 − T1 e Δε a diferença de potencial
elétrico.

Toginho Filho, D. O.; Catálogo de Experimentos do Laboratório Integrado de Física Geral

Departamento de Física • Universidade Estadual de Londrina, Agosto de 2010.
 Termogerador de semicondutor – Efeito Seebeck
5.2. Elemento Peltier
O uso do princípio termoelétrico de junções
metálicas é feito em dispositivos para medição de
temperatura. Outros dispositivos que utilizam o
princípio termoelétrico são feito a partir da alternância
de blocos de materiais semicondutores do tipo-p e n-
tipo, ligados por interconexões metálicas. Estes
dispositivos são utilizados para produzir energia
elétrica ou transporte de calor. É apresentado na Figura
3 o diagrama de funcionamento de um dispositivo que
utiliza materiais semicondutores dopados do tipo-p e do
tipo–n, em uma configuração conhecida como elemento
Peltier. Na Figura 3a o efeito termoelétrico produz
energia elétrica a partir de duas fontes térmicas com um
gradiente de temperatura.
Figura 3 - Diagrama de funcionamento de um elemento
Peltier como termogerador em a) e como bomba de calor em
b).
Os portadores de carga elétrica aquecidos na fonte
quente fluem através dos elementos semicondutores até
a interconexão em contato com a placa fria,
transportando calor da placa quente para a placa fria.
Na Figura 3b é apresentado o diagrama de
funcionamento elemento Peltier como bomba de calor
(efeito Peltier). Ao ser aplicada uma diferença de
potencial, com a circulação de corrente elétrica através
do dispositivo, os portadores de carga transportam calor
do resfriador para o dissipador de calor.
Toginho Filho, D. O.; Catálogo de Experimentos do Laboratório Integrado de Física Geral
Departamento de Física • Universidade Estadual de Londrina, Agosto de 2010.
6 - Montagem e procedimento experimental
Prática 1 – Coeficiente de Seebeck
1. Montar o aparato experimental, conectando a fonte
de energia do cooler, a fonte para aquecimento da
placa quente, o voltímetro no elemento Peltier, e os
sensores de temperatura no bloco da placa quente e
no dissipador do cooler;
2. Ligar a fonte de energia e ajustar a tensão em torno
de ≅ 60 volts;
3. Aquecer o bloco da fonte quente até a temperatura
de ≅ 70 oC;
4. Desligar fonte de energia para a placa quente
esfriar gradativamente;
5. Medir a temperatura do bloco quente ( TQ), a
temperatura do dissipador do cooler (TF), e a tensão
em circuito aberto do elemento Peltier, em pelo
menos 10 valores de temperatura;
6. Registrar os valores obtidos em uma tabela (Tabela
I), com colunas para a temperatura TQ e sua
incerteza, a temperatura TF e sua incerteza, a tensão
ε0 de circuito aberto e sua incerteza;
Prática 2 – Corrente de curto circuito
1. Repetir os procedimentos 1 ao 3 da prática 1,
ligando o amperímetro em paralelo com o elemento
Peltier;
2. Desligar a fonte de energia de aquecimento para a
placa quente esfriar gradativamente;
3. Medir a temperatura do bloco quente ( TQ), a
temperatura do dissipador do cooler (TF), e a
corrente em curto circuito i do elemento Peltier, em
pelo menos 10 valores de temperatura;
4. Anotar os valores obtidos em uma tabela (Tabela
II), com colunas para a temperatura TQ e sua
incerteza, TF e sua incerteza, a corrente de curto
circuito i e sua incerteza;
Prática 3 – Resistência interna
1. Montar o aparato experimental conectando a fonte
de energia do cooler, a fonte de energia para
aquecimento da placa quente, o voltímetro e o
amperímetro no elemento Peltier, de acordo com o
diagrama da Figura 4;
 Termogerador de semicondutor – Efeito Seebeck

2. Ligar o variac e ajustar a tensão para a temperatura
TQ em torno de ≅ 50 oC ;
3. Mantendo a temperatura TQ e a temperatura TF
constantes, variar o valor do resistor de carga para
medir a corrente i no circuito e a tensão e entre os
terminais do elemento Peltier, em pelo menos 10
pontos;
4. Anotar os valores obtidos em uma tabela (Tabela
II), com colunas para a tensão ε entre os terminais
do elemento Peltier e sua incerteza, e a corrente i
através do circuito e sua incerteza;
elemento Peltier medida pelo voltímetro, ε0 a
tensão gerada pelo dispositivo em circuito aberto, i
a corrente que flui através do circuito, e Rin a
resistência interna do dispositivo. Fazer os
comentários relevantes.
Referências Bibliográficas
1. Efeito Seebeck, disponível em:
http://pt.wikipedia.org/wiki/Efeito_Seeb
eck , acessado em 07/08/2008.
2. Thermoelectric effect, disponível em:
http://en.wikipedia.org/wiki/Thermoelec
tric_effect , acessado em 07/08/2008.

Figura 4 - Diagrama de ligação do elemento Peltier para

medir sua resistência interna.

7 - Análise
1. A partir da Tabela I, fazer o gráfico de ε0 (ΔT),
sendo ΔT = TQ − TF ;
2. Ajustar os pontos experimentais com uma função
apropriada;
3. Avaliar os resultados do ajuste considerando a
expressão (1) para obter o coeficiente de Seebeck,
fazendo os comentários relevantes;

4. A partir da Tabela II, fazer o gráfico de i (ΔT),

sendo ΔT = TQ − TF ;
5. Ajustar os pontos experimentais com uma função
apropriada;
6. Avaliar os resultados fazer os comentários
relevantes.

7. A partir da Tabela III, fazer o gráfico de ε (i);

8. Comparar os resultados com a expressão
ε = ε 0 − i.Rin sendo ε a tensão entre os terminais do
,

Toginho Filho, D. O.; Catálogo de Experimentos do Laboratório Integrado de Física Geral

Departamento de Física • Universidade Estadual de Londrina, Agosto de 2010.