Академический Документы
Профессиональный Документы
Культура Документы
Курсовой проект
Расчет параметров кремниевого интегрального N-канального
МДП-транзистора
Вариант 4-1
Москва, 2019
Оглавление
Оглавление....................................................................................................................... 1
ВВЕДЕНИЕ...................................................................................................................... 2
1
ВВЕДЕНИЕ
Полевые транзисторы - наиболее распространенный сегодня класс транзисторов. На
основе кремниевых МОП-транзисторов в настоящее время создаются наиболее сложные
интегральные схемы: микропроцессоры, цифровые сигнальные процессоры,
запоминающие устройства ЭВМ. Полевые транзисторы с барьером Шоттки на основе
полупроводников используются для создания низкошумящих и мощных усилителей в
СВЧ технике. Полевые транзисторы с управляющим р-n -переходом используются в
радиоэлектронике в качестве низкошумящих усилителей с высоким входным
сопротивлением, электронных ключей, стабилизаторов тока и как резисторы,
управляемые напряжением.
МДП-ИС обладают рядом существенных достоинств:
1. На одной пластине возможно создание МДП-транзисторов с каналами различного
типа проводимости (комплементарные пары МДП-транзисторов). Структуры на
комплементарных парах транзисторов расширяют функциональные возможности МДП-
ИС.
2. В МДП-ИС формируются только МДП-структуры и соединения между ними. Эти
же МДП-структуры могут быть использованы как резисторы и конденсаторы.
3. В качестве межсоединений используется не только металлическая (алюминиевая)
разводка на поверхности окисла, но и высоколегированные диффузионные слои: n+-,
p+- шины, формируемые одновременно с областями истоков и стоков МДП-
транзисторов. Межсоединения могут строиться на основе материала затвора, им могут
быть алюминий, Si*, молибден и ряд других. Следовательно, в МДП-ИС разводка
(межсоединения) многоуровневая, с числом уровней два или более.
По сравнению с другими полупроводниковыми приборами, такими как биполярные
транзисторы или тиристоры, МОП-транзисторы обладают следующими
преимуществами:
1. Малое время переключения и, вследствие этого, малые потери при переключении;
2. Малая мощность, затрачиваемая на переключение;
3. Возможность использования хорошо отработанных технологий производства
МОП-интегральных схем.
2
В настоящее время область применения МДП-ИС непрерывно расширяется и
актуальность проблемы расчета электрических характеристик МДП-транзистора крайне
велика.
3
Часть 1. Теоретическая часть
LS LD SiO2 Al
n-
SiO2
канал
B (р-подложка, NB)
4
электроны и тогда полярность стока положительна. Исток обычно соединяют с
основной пластиной полупроводника, которую называют подложкой (B).
Проводящий слой под затвором инверсного по отношению к подложке типа
проводимости, соединяющий области стока и истока, называется каналом. Толщина
канала имеет порядок дебаевской длины экранирования в подложке. Канал
электрически изолирован от подложки обедненной областью пространственного заряда
(ОПЗ).
Основными конструктивными параметрами МДП-транзистора являются:
1. длина канала L - расстояние по поверхности полупроводника между
металлургическими p-n-переходами исток-подложка и сток-подложка.
Минимально возможная величина L определяется уровнем технологии
изготовления и влияет на быстродействие и усилительные свойства транзистора;
2. ширина канала W вдоль поверхности полупроводника в направлении,
перпендикулярном потоку носителей заряда от истока к стоку. Величина W
определяет максимальный ток транзистора;
3. толщина подзатворного диэлектрика d. Эта величина влияет на пороговое и
пробивное напряжения транзистора;
4. глубина залегания p-n-переходов xj сток-подложка и исток-подложка;
5. материал затвора (металл, поликремний или силицид).
Полевые транзисторы могут отличаться способом создания затвора и методом его
изоляции от проводящего канала, поэтому можно выделить три основных типа полевых
транзисторов. Это:
1. полевые транзисторы с изолированным затвором, имеющие структуру металл-
диэлектрик-полупроводник (МДП);
2. полевые транзисторы с барьером Шоттки;
3. полевые транзисторы с управляющим р-n-переходом
5
.
Рис.2 Конструкции полевых транзисторов: а – с изолированным затвором и
структурой металл-окисел-полупроводник, б – с затвором на основе барьера
Шоттки, в – с затвором на основе p-n-перехода. Заполненные крестиками
области на рис. б и в указывают положение областей пространственного заряда
6
Рис. 3 Включение полевого Рис. 4 Включение полевого
транзистора по схеме с общим транзистора по схеме с общим
истоком. стоком.
7
объясняется влиянием обедненной области стока, которая проникает в п-канал и
изменяет концентрацию электронов в этой части подложки.
Помимо нескольких внутренних факторов, пороговое напряжение сильно зависит
от рабочей температуры. С повышением температуры полупроводника, пороговое
напряжение снижается. Если пороговое напряжение станет меньше нуля, то нормально
выключенный МДП-транзистор с индуцированным каналом превратится в нормально
включенный прибор.
Пороговое напряжение Vt является одним из основных параметров структуры
МДП. От его величины зависит возможность реализации различных схемотехнических
решений в ИМС, а также величина напряжения питания. Поэтому необходимо
располагать способами регулировки порогового напряжения.
Подбор материала затвора позволяет варьировать пороговое напряжение в
диапазоне около одного вольта, однако в ИМС выбор материала затвора ограничен
технологическими соображениями. Использование поликремниевого затвора позволяет
изменять пороговое напряжение на величину, соответствующую ширине запрещенной
зоны, в зависимости от типа проводимости.
Выбор диэлектрика также в значительной степени определяется технологическими
возможностями. Наиболее часто применяется собственный термический окисел SiO2.
Высокой диэлектрической проницаемостью обладает нитрид кремния. Заметим, что
величина удельной емкости диэлектрика определяет степень проявления эффекта поля,
который лежит в основе действия МДП-транзистора. Поэтому регулировка порогового
напряжения за счет изменения удельной емкости диэлектрика вряд ли целесообразна.
Возможна регулировка порогового напряжения за счет вариации концентрации
примеси в подложке NB. При NB<1015см-3 свойства полупроводника чувствительны к
влиянию температуры, а также существенно возрастают обратные токи через p-n
переходы. При NB>1015см-3 значительно увеличивается влияние потенциала подложки.
8
энергетической диаграмме полупроводника потенциал отсчитывается вниз, изгиб зон у
поверхности полупроводника вниз означает, что φ B >0 , а вверх - что φ B <0 . На величину и
знак поверхностного потенциала влияют разность работ выхода материала затвора ФG и
полупроводника ФB, а также поверхностная плотность заряда в канале QSB0 и на границе
раздела полупроводник-диэлектрик QSS.
Рассмотрим n - канальный нормально закрытый МДП-транзистор, у которого ФG =
ФB и QSB0 = 0, при напряжениях VDS = VBS = 0.
На рисунке 6 изображена зонная энергетическая диаграмма такого транзистора при
отсутствии напряжения на затворе, зоны при этом плоские и φ B=0(Е0 - потенциальная
энергия свободного электрона в вакууме) - это равновесный режим.
Режим обогащения ( φ B >0 ) реализуется при напряжении V GS <0 (рис. 7).
Энергетические зоны изгибаются вниз, и приповерхностная область обогащается
подложки.
Режим обеднения ( φ B <0 ) реализуется при подаче на затвор положительного
напряжения VGS (рис. 8). Электрическое поле, возникающее при этом в системе затвор-
подложка, вытесняет подвижные дырки из поверхностной области в глубину подложки,
обнажая ионы акцепторной примеси. Вблизи поверхности полупроводника возникает
слой объемного заряда ионов акцепторной примеси, а концентрация подвижных
носителей заряда стремится к собственной концентрации. Границей режима обеднения
является условие |φ B|=φ0 , где
F p −Fi N
|
φ 0=
e | = φT ln B
ni
Здесь Fp, Fi - положение уровня Ферми и середины запрещенной зоны в глубине
полупроводника соответственно; e - заряд электрона; φ T - температурный потенциал; NB
- концентрация примеси в подложке; ni - собственная концентрация.
Режим слабой инверсии ( φ B <0 , φ0 ≤|φ B|≤2 φ0 ). При дальнейшем увеличении
положительного смещения на затворе происходит дополнительное искривление зон, так
что уровень Ферми пересекает середину запрещенной зоны, и происходит инверсия
проводимости полупроводника. Однако пока выполняется условие (φ 0<|φ B|<2 φ0 ),
поверхностная концентрация электронов в инверсном слое nS оказывается значительно
9
меньше, чем концентрация дырок в объеме полупроводника: n S ≪ p0. Поэтому
проводимость инверсного слоя очень мала.
Режим сильной инверсии достигается при (|φ B|≥ 2 φ0 ). На границе сильной
инверсии ( |φ B|=2 φ0 ) концентрация электронов на поверхности n S= p0 . Напряжение на
затворе, при котором достигается граница сильной инверсии, называется пороговым
напряжением Vt. Увеличение напряжения на затворе выше порогового приводит к
сильному росту концентрации электронов в инверсном слое и возникновению канала
(рис. 9).
Таким образом, пороговое напряжение рассматриваемого идеализированного n -
канального МДП-транзистора состоит из двух слагаемых - напряжения, необходимого
для удержания заряда в обедненной области, и напряжения, необходимого для
достижения режима сильной инверсии:
Q SB 0 N B Q SB 0
V t =−2|φ0|− =−2 φT ln − ,
CS ni CS
где
Q SB 0 =√2 ε S ε 0 e N B|2 φ0| - заряд в обедненной области полупроводника;
C S=ε i ε 0 /d - удельная емкость между затвором и полупроводником. Здесь ε S , ε i -
10
где верхний знак относится к p - канальному транзистору, а нижний относится к n -
канальному.
- φ GB– контактная разность потенциалов затвор - подложка,
-φ G ,φ B– их потенциалы соответственно,
-QSS – плотность поверхностного заряда на границе диэлектрик-полупроводник,
-QSB 0 – поверхностная плотность заряда в канале,
-C S– удельная емкость диэлектрика.
М Д П
М Д П E0
E0
Ecd ОПЗ S
S M
Ec Ec
M
FM
Fi - eV Fi
F Fp
Ev Ev
Evd l ~ LD
М Д П М Д П
ОПЗ
E0 E0
S S
Ec
M M Fi
Fp Fp
eV Ev eV Ev
FM lT
l (V)
M х
B = - eNa
M х
Рис.8 Энергетическая диаграмма МДП- Рис.9 Энергетическая диаграмма
транзистора n B = - eNa
МДП-транзистора
в режиме обеднения в режиме слабой инверсии
11
сток - исток VDS, подложка - исток VBS. В зависимости от параметра в семействе ВАХ
различают:
выходные характеристики:
ID = ID (VDS ) при параметрах VGS, VBS ;
переходные характеристики:
ID = ID (VGS ) при параметрах VDS, VBS.
На рис. 1.3 изображены выходные (рис. 1.3, а.) и переходные (рис. 1.3, б.) ВАХ.
Рассмотрим ВАХ n-канального МДП-транзистора при напряжении
VBS = 0.
При подаче на затвор положительного напряжения VGS ¿ Vt ток стока ID в начале
увеличивается с ростом отрицательного напряжения VDS на стоке. Это так называемая
крутая область ВАХ (рис. 1.3, а). Для крутой области ВАХ характерно наличие канала
под всеми точками затвора. При этом если увеличить напряжение на затворе, то
концентрация основных носителей в канале и его проводимость увеличиваются,
следовательно, увеличивается ток стока, и характеристики идут круче.
Однако при дальнейшем увеличении напряжения VDS рост тока стока ID замедляется,
а при некотором напряжении |V DSS|=|V GS−V t| почти прекращается. Это напряжение VDSS
называется напряжением насыщения, а область ВАХ, для которой выполняется условие
|V DS|>|V DSS| - пологой областью ВАХ.
Физической причиной насыщения тока стока является перекрытие канала вблизи его
стокового конца. Это происходит потому, что с увеличением напряжения на стоке
снижается разность потенциалов VGS - VDS, уменьшается электрическое поле и его
величина оказывается недостаточной, чтобы обеспечивать режим сильной инверсии. В
результате вблизи стока концентрация электронов в канале резко уменьшается, канал
исчезает (перекрывается) и в области перекрытия устанавливается режим обеднения.
Сопротивление этого участка канала ∆ L становится очень большим. Поэтому при
дальнейшем приращении напряжения на стоке оно падает в основном на участке
перекрытия, а на оставшейся не перекрытой части канала напряжение по-прежнему
остается равным VDSS.
Поскольку участок перекрытия канала ∆ L ≪ L - длины канала, то длина не
перекрытого канала и его сопротивление, а, следовательно, и ток стока мало меняются
при увеличении напряжения на стоке.
12
Описанное явление модуляции длины канала подобно эффекту Эрли в
биполярных транзисторах и определяет конечный наклон характеристик в пологой
области.
Через область перекрытия канала носители пролетают за счет сильного
электрического поля в этой области. Это явление подобно прохождению носителей
через область пространственного заряда (ОПЗ) коллекторного
p-n - перехода биполярного транзистора.
ID IDS (VDS S)
IDS ID S
VGS
VDS = VDS S ID
VDS VGS
VDS S VT
а б
13
Пороговое напряжение при этом также возрастает, поскольку обогащение канала
основными носителями происходит только после накопления на затворе заряда,
необходимого для компенсации заряда в обедненной области.
Используя выражения (1.1) и (1.2), при условии |V BS|≪ 2 φ0 можно получить связь
порогового напряжения с напряжением на подложке в виде
V t ( V BS )=V t ( 0 )+ K B V BS , (1.3)
где KB - коэффициент влияния подложки.
На практике выражением (1.3) пользуются и при значительных напряжениях на
подложке. Смещение на подложке влияет также и на величину напряжения насыщения
тока стока VDSS. С увеличением прямого смещения VBS это напряжение уменьшается по
абсолютной величине. Это происходит по двум причинам: во-первых, уменьшается
концентрация носителей в канале, во-вторых, канал сужается (так как расширяется
обедненный слой). Оба фактора способствуют уменьшению напряжения на стоке, при
котором происходит перекрытие канала.
14
Рис. 11 Снижение порогового напряжения при уменьшении длины канала: прямой
(а) и обратный (b) эффект короткого канала
Обратный эффект короткого канала
В некоторых транзисторах при уменьшении длины канала пороговое напряжение
сначала возрастает, затем убывает. Рост порогового напряжения с уменьшением длины
канала называют обратным эффектом короткого канала. На соответствующем графике
(рис. 11, кривая b) появляется бугорок.
Этот эффект имеет следующее объяснение. При изготовлении транзисторов с
поликремниевым затвором на краях затвора возникают механические напряжения. Эти
напряжения приводят к появлению точечных дефектов в подложке по краям затвора,
которые собирают примеси из подложки в процессе дальнейшей термической
обработки. В результате в канале по краям затвора появляются две области с
повышенной концентрацией примеси. При уменьшении длины канала эти области
сближаются, и увеличивается их вклад в среднюю концентрацию примеси в канале.
Поэтому сначала наблюдается увеличение порогового напряжения. Далее основной
эффект - сближение обедненных областей истока и стока становится преобладающим, и
пороговое напряжение падает.
15
идеализированного транзистора была предложена Шокли и Пирсоном. Модель основана
на следующих допущениях:
1. Диффузионный ток в канале в направлении оси X отсутствует.
2. Подвижность носителей заряда в канале постоянна (не зависит от электрического
поля).
3. Канал легирован однородно
4. Обратные токи утечки p-n переходов пренебрежимо малы.
5. Поперечное электрическое поле значительно превышает продольное
(приближение плавного канала).
6. Сопротивления n+-областей стока и истока, а также сопротивления омических
контактов к этим областям пренебрежимо малы.
7. Поверхностная плотность заряда ионов в ОПЗ под затвором постоянна (не
зависит от координаты y).
8. Длина и ширина канала достаточно велики.
Малосигнальная эквивалентная схема МДП-транзистора представлена на рисунке 12.
16
CGD – диффузионная емкость перехода затвор-сток;
CG – барьерная емкость затвора;
Cbd – диффузионная емкость перехода подложка-сток;
Cbs – диффузионная емкость перехода подложка-исток;
I d
G 1
G – выходная проводимость, Vds ; G - выходное сопротивление
17
на одной подложке как биполярные, так и МДП-структуры. Процесс поэтапного
формирования МДП-структуры:
1. На поверхности кремниевой подложки р-типа (рис. 14) формируют маску из
нитрида кремния, через отверстия в которой внедряют ионы бора, в результате чего
формируются противоканальные р+-области, которые изображены на рис.15;
18
Рис.17 Формирование затвора на подложке.
4. Ионным легированием мышьяка формируют n+-области истока и стока (см.
рис.18);
19
паразитных МДП-структур. В результате под слоем диоксида кремния, расположенным
под металлизированной разводкой, возникают проводящие каналы, что вызывает токи
утечки между областями истоков и стоков МОП-транзисторов.
Существенной проблемой при изготовлении МОП ИС является точное
совмещение затвора с областями истока и стока. Так, при отсутствии перекрытия канала
металлическим затвором МОП-транзистор может быть неработоспособным, а при
слишком большом перекрытии образуются большие емкости затвор - исток и затвор -
сток, что снижает быстродействие МДП ИС.
Для устранения этих недостатков разработаны различные технологические
приемы. Например, для стабилизации параметров транзисторов МДП ИС
непосредственно перед формированием слоя подзатворного диэлектрика поверхность
подложек очищают, наносят на нее слои фосфоросиликатного стекла, а затем отжигают
при низкой температуре (450—550 °С) в атмосфере водорода. Эффективным методом
очистки поверхности кремния является обработка подложек в плавиковой кислоте с
последующим длительным кипячением их в деионизованной воде для удаления атомов
фтора, которые внедряются в кристаллическую решетку кремния и вызывают появление
дополнительного заряда. Фосфоросиликатное стекло, получаемое при нагреве
окисленных подложек в водяном паре при температуре около 1000 °С геттерирует
(вытягивает) ионы натрия из диоксида кремния и является барьером против
проникновения в него различных примесей из металла.
20
Часть 2. Исходные данные и задание
Таблица 1 - исходные данные
Вариант 4-1
Материал затвора Si*
Длина канала, мкм L=5
Ширина канала, мкм W = 30
Толщина подзатворного диэлектрика
d = 0.04
(SiO2), мкм
Концентрация примеси в подложке, см-3 NB = 1*1015
Подвижность электронов в канале, см2/В*с n = 750
Плотность поверхностных состояний, см-2 Nss = 5*1010
Концентрация примеси в контактных n+-
N+ = 1020
слоях, см-3
Толщина контактных n+- слоев, мкм xj = 0.5
Общие данные:
Vt = 1 В - пороговое напряжение.
Задание:
21
4. Расчёт и корректировку Vt проводить с учетом эффектов короткого и узкого канала.
22
Часть 3. Расчётная часть
1.3.1. Структура и топология МДП-транзистора
23
Рисунок 21 – Структура исследуемого МДП-транзистора
Кл
Q sB 0 =−1.62∗10−19∗1∗1015∗0.866∗10−4 =−1.4∗10−8 (1.13)
см2
Заряд, связанный с поверхностными состояниями на границе оксид - кремний:
24
Кл
Q ss=e N ss =1.62∗10−19∗5∗1010=8.1∗10−9 (1.14)
см 2
Удельная ёмкость диэлектрика:
ε d ε 0 3.4∗8.85∗10−14 −8 Ф
C S= = =7.52∗10 (1.15)
d см 2
−4
0.04∗10
Таким образом, при заданных исходных данных обеспечивается пороговое
напряжение:
Q ss +Q sB 0 8 .1∗10−9−1.4∗10−8
V t 0 =φGB +2 φ B− =−0.849+ 2∗0.289− =−0.193 В
Cs 7 .52∗10−8
(1.16)
Для обеспечения величины порогового напряжения V ¿ =1В необходимо увеличить
его на ΔV t=1+ 0,193=1.193 В . Если затвор сделать из р+-Si , то получим
ΔV t=−0.193+1.12=0.927 В . Остается добавить ΔV t=1−−0.927=0.073 В . Так как эта
величина положительная, то под затвором необходимо выполнить
подлегирование поверхности примесью p-типа на глубину Δx=0,1*Xj=0.05 мкм.
D 3.431∗10 10 15 −3
Δ N d= = =6.862∗10 см
Δx 0,05∗10 −4
lS =
√ e NB
,
2 ε ε 0 ( φC −V BS +V DS )
lD =
√ eNB
−¿
φ С =φT ln ¿¿
25
контактная разность потенциалов n+- область - p - подложка
Считаем случай, когда VBS = 0, VGS = 4В :
1015∗10 20
φ С =0 .026 ln ( )
1.5 2∗1020
=0.877 В
2∗11.9∗8.85∗10−14 (2∗0.289−0)
lT =
√ 1.62∗10−19∗1015
2∗11.9∗8.85∗10−14 ( 0.877−0)
=0.866 мкм
lS =
√ 1.62∗10−19∗1015
=1.07 мкм
∆ V t=
2∗5∗10−4∗7.52∗10−8
2 2 2 2 2
( √ ( 0.5∗10 −4
+1.07∗10−4 ) −( 0.866∗10−4 ) + ( 0.5∗10−4 +2.52∗10−4 ) −( 0.866∗10−4 ) −2∗( 0.866∗10−4 ) )=
√
- 0.06 В
26
0 ,V GS <V t ;
I D=
{
β V DS (
V GS −V t −
β(V GS −V t )2
2
где VDSS = VGS - Vt
V DS
2 )
, V GS ≥V t ,V DS ≤V DSS ; (1.23)
, V GS ≥ V t , V DS >V DSS ;
C S μ n W 7 . 52∗10−8∗750∗30∗10−4 −6 А
β= = =339∗10 ( 1.24 )
L В2
−4
5∗10
2.500
2.000
1.500 Vgs
Id, mA =2
Vgs
1.000 =3
Vgs
0.500 =4
0.000
0 1 2 3 4 5 6
Vds, V
27
1.3.5. Расчет ВАХ с учетом неоднородности ОПЗ под затвором.
V DSS=V GS−V t −ξ K 2B
[√ 1+
V GS−V t
ξ 2 K 2B ]
−1 (1.27)
где ξ= +
1 √ 2 φB −V BS =0.5+ √ 2∗0.289−0 =3.59
2 KB 0.25
V DSS=4−1−3.59∗0.25 2
[√ 1+
4−1
3.592∗0.252 ]
−1 =2.74 В
28
толщина ОПЗ под стоком на границе с пологой областью
∆E 1.12
φ С= + φB = +0.289=0.849 В( 1.31)
2e 2
контактная разность потенциалов сток – подложка.
Следовательно,
2∗11.9∗8.85∗10−14 (0.849−0+2.74)
lD =
√ −19
1.62∗10 ∗10 15
=2.16∗10−4 см
2.16∗10−4∗0.04∗10−4∗11.9
Lef =5∗10−4 −
√ 3.4
∗¿
4−2.74 3.4
¿ arsh ( 4
√ −4 −4
1.5∗10 2.16∗10 ∗0.04∗10 ∗11.9
=4.34∗10−4 см )
Ток стока при VDS = 4В:
I DS L 1.37∗5∗10−4
I D= = =1.58 мА
Lef 4.34∗10−4
Таблица 4. Данные для построения пологой области.
VDS, В
2,73940 4
ID, мА
1,37442 1,5855
5
4.5
4
3.5
3
2.5
Id, mA
2 Крутая
1.5 Пологая
1
0.5
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
Vds, V
29
K B=
√2 ε ε 0 e N B =0.25 В 12
CS
1 √ 2 φB −V BS
ξ= + =7.04
2 KB
Напряжение насыщения:
V DSS=2.824 В
D
RD
CGD d
Cbd
RG
G g b RB
gSVgs gbVbs 1/G B
s
CGS Cbs
RS
S
30
Рисунок 24 - Малосигнальная эквивалентная схема МДПТ.
Крутизна ВАХ:
β∗( 4−V t )2 β∗(3−V t)2
−
∂ID 2 2
g= = (1.32)
∂ V GS 4−3
339∗10−6∗(4−1)2 339∗10−6∗(3−1)2
−
2 2 мА
g= =0.85
4−3 В
Выходная проводимость:
2
( 3−V t )
∂ I D β∗ 2
G= = ( 1.33)
∂ V DS 3−2∗φ B
( 3−1 )2
339∗10−6∗
2 мА
G= =0.28
3−2∗0.289 В
31
Собственный коэффициент усиления по напряжению:
∂ V DS g 0.85
K= = = =3.03(1.34 )
∂V GS G 0.28
ВЫВОД
В курсовой работе были рассмотрены принципы работы МДП-транзистора,
рассчитано пороговое напряжение МДПТ, выполнена корректировка порогового
напряжения за счет подлегирования поверхности. Произведены расчеты
параметров, получены вольтамперные характеристики для идеализированной и
реальных моделей.
32
напряжению
33