Вы находитесь на странице: 1из 34

МИНОБРНАУКИ РОССИИ

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего


образования «Национальный исследовательский университет «Московский
институт электронной техники»

Кафедра: Интегральной электроники и микросистем


Дисциплина: Твердотельная электроника
11.03.04 «Электроника и наноэлектроника»

Курсовой проект
Расчет параметров кремниевого интегрального N-канального
МДП-транзистора
Вариант 4-1

Руководитель: Красюков А.Ю.


Выполнил: ст.гр. ЭН-41
Балынский Максим Сергеевич

Москва, 2019
Оглавление
Оглавление....................................................................................................................... 1

ВВЕДЕНИЕ...................................................................................................................... 2

ЧАСТЬ 1. Теоретическая часть.......................................................................................4

1.1 Структура МДП-транзистора.............................................................................................4


1.2 Пороговое напряжение..............................................................................................7
1.3 Режимы работы МДП-транзистора..................................................................................8
1.4 Вольт-амперные характеристики МДП-транзистора.................................................11
1.5 Влияние подложки...................................................................................................13
1.6 Модуляция длины канала........................................................................................14
1.7 Эффекты короткого канала..............................................................................................14
1.8 Малосигнальная эквивалентная схема...........................................................................15
1.9 Топология МДП-транзистора..........................................................................................17
1.10 Краткий технологический маршрут изготовления МДП-структур. .....................17
ЧАСТЬ 2. Исходные данные и задание……………………………………………......21

ЧАСТЬ 3. Расчётная часть……………………………………………………..….……23

1.3.1. Структура и топология мдп-транзистора........................................................................23


1.3.2. Расчет и корректировка порогового напряжения транзистора.....................................24
1.3.3. Расчёт и корректировка порогового напряжения с учётом эффектов короткого и узкого
канала............................................................................................................................................25
1.3.4. Расчёт ВАХ в рамках идеализированной модели...........................................................27
1.3.5. Расчёт ВАХ с учётом неоднородности ОПЗ под затвором...........................................28
1.3.6. Расчёт реальной ВАХ, зависящей от VBS.........................................................................30
1.3.7. Малосигнальная эквивалентная схема и ее параметры.................................................31
1.3.8. Расчёт параметров эквивалентной схемы.......................................................................32
Вывод............................................................................................................................................33

1
ВВЕДЕНИЕ
Полевые транзисторы - наиболее распространенный сегодня класс транзисторов. На
основе кремниевых МОП-транзисторов в настоящее время создаются наиболее сложные
интегральные схемы: микропроцессоры, цифровые сигнальные процессоры,
запоминающие устройства ЭВМ. Полевые транзисторы с барьером Шоттки на основе
полупроводников используются для создания низкошумящих и мощных усилителей в
СВЧ технике. Полевые транзисторы с управляющим р-n -переходом используются в
радиоэлектронике в качестве низкошумящих усилителей с высоким входным
сопротивлением, электронных ключей, стабилизаторов тока и как резисторы,
управляемые напряжением.
МДП-ИС обладают рядом существенных достоинств:
1. На одной пластине возможно создание МДП-транзисторов с каналами различного
типа проводимости (комплементарные пары МДП-транзисторов). Структуры на
комплементарных парах транзисторов расширяют функциональные возможности МДП-
ИС.
2. В МДП-ИС формируются только МДП-структуры и соединения между ними. Эти
же МДП-структуры могут быть использованы как резисторы и конденсаторы.
3. В качестве межсоединений используется не только металлическая (алюминиевая)
разводка на поверхности окисла, но и высоколегированные диффузионные слои: n+-,
p+- шины, формируемые одновременно с областями истоков и стоков МДП-
транзисторов. Межсоединения могут строиться на основе материала затвора, им могут
быть алюминий, Si*, молибден и ряд других. Следовательно, в МДП-ИС разводка
(межсоединения) многоуровневая, с числом уровней два или более.
По сравнению с другими полупроводниковыми приборами, такими как биполярные
транзисторы или тиристоры, МОП-транзисторы обладают следующими
преимуществами:
1. Малое время переключения и, вследствие этого, малые потери при переключении;
2. Малая мощность, затрачиваемая на переключение;
3. Возможность использования хорошо отработанных технологий производства
МОП-интегральных схем.

2
В настоящее время область применения МДП-ИС непрерывно расширяется и
актуальность проблемы расчета электрических характеристик МДП-транзистора крайне
велика.

3
Часть 1. Теоретическая часть

1.1 Структура МДП-транзистора

В отличие от полевых транзисторов с p-n - переходом, в которых затвор имеет


непосредственный электрический контакт с близлежащей областью токопроводящего
канала, в МДП-транзисторах затвор изолирован от указанной области слоем
диэлектрика. По этой причине МДП-транзисторы относят к классу полевых
транзисторов с изолированным затвором.
МДП-транзисторы (структура: металл - диэлектрик - полупроводник) выполняют из
кремния. В качестве диэлектрика используют окисел кремния SiO2. Отсюда другое
название этих транзисторов — МОП-транзисторы (структура: металл - окисел -
полупроводник). Международное название прибора -  MOSFET (Metal-Oxide-
Semiconductor-Field-Effect-Transistor). Наличие диэлектрика обеспечивает высокое
входное сопротивление рассматриваемых транзисторов (1010…1014 Ом, у некоторых
моделей оно достигает 1017 Ом), что является преимуществом при построении
высокоточных устройств.

LS LD SiO2 Al

S (исток) G (затвор, Si*) D (сток)


SiO2 p+ xj p+ SiO2
ОПЗ

n-
SiO2
канал

B (р-подложка, NB)

Рис. 1 – Структура исследуемого МДП-транзистора

МДП-транзистор - это четырёхполюсный полупроводниковый прибор. На рис.1 дана


структура n - канального МДП-транзистора. Металлический электрод, называемый
затвором (G), расположен на тонком слое диэлектрика (обычно 50-100 нм.). Два других
электрода называют истоком (S) и стоком (D). Так как МДП-транзистор является
симметричным прибором, то электроды истока и стока в принципе обратимы. Стоком
является тот из них, на который (при соответствующей полярности напряжения)
поступают рабочие носители канала. Если канал n - типа, то рабочие носители –

4
электроны и тогда полярность стока положительна. Исток обычно соединяют с
основной пластиной полупроводника, которую называют подложкой (B).
Проводящий слой под затвором инверсного по отношению к подложке типа
проводимости, соединяющий области стока и истока, называется каналом. Толщина
канала имеет порядок дебаевской длины экранирования в подложке. Канал
электрически изолирован от подложки обедненной областью пространственного заряда
(ОПЗ).
Основными конструктивными параметрами МДП-транзистора являются:
1. длина канала L - расстояние по поверхности полупроводника между
металлургическими p-n-переходами исток-подложка и сток-подложка.
Минимально возможная величина L определяется уровнем технологии
изготовления и влияет на быстродействие и усилительные свойства транзистора;
2. ширина канала W вдоль поверхности полупроводника в направлении,
перпендикулярном потоку носителей заряда от истока к стоку. Величина W
определяет максимальный ток транзистора;
3. толщина подзатворного диэлектрика d. Эта величина влияет на пороговое и
пробивное напряжения транзистора;
4. глубина залегания p-n-переходов xj сток-подложка и исток-подложка;
5. материал затвора (металл, поликремний или силицид).
Полевые транзисторы могут отличаться способом создания затвора и методом его
изоляции от проводящего канала, поэтому можно выделить три основных типа полевых
транзисторов. Это:
1. полевые транзисторы с изолированным затвором, имеющие структуру металл-
диэлектрик-полупроводник (МДП);
2. полевые транзисторы с барьером Шоттки;
3. полевые транзисторы с управляющим р-n-переходом

5
.
Рис.2 Конструкции полевых транзисторов: а – с изолированным затвором и
структурой металл-окисел-полупроводник, б – с затвором на основе барьера
Шоттки, в – с затвором на основе p-n-перехода. Заполненные крестиками
области на рис. б и в указывают положение областей пространственного заряда

Усиливающие свойства МДП-транзистора обусловлены потоком основных


носителей, протекающих через проводящий канал, и управляемым электрическим
полем. Основным способом движения носителей заряда, обусловивших ток полевого
транзистора, является их дрейф в электрическом поле. Полевой транзистор управляется
напряжением, посредством которого осуществляется изменение площади поперечного
сечения проводящего канала, в результате изменяется выходной ток транзистора. Таким
образом, работа МДП-транзистора основана на эффекте поля.
Рассмотрим схемы включения МДП-транзисторов в цепь. В МДП-транзисторе
один из выводов является общим для цепей входа и выхода. В зависимости от того,
какой из электродов полевого транзистора подключен к общему выводу, различают
схемы: с общим истоком и входом на затвор (рис.3); с общим стоком и входом на
затвор(рис.4); с общим затвором и входом на исток(рис.5).

6
Рис. 3 Включение полевого Рис. 4 Включение полевого
транзистора по схеме с общим транзистора по схеме с общим
истоком. стоком.

Рис. 5 Включение полевого транзистора по схеме с общим затвором.


1.2 Пороговое напряжение

Проводимость инверсного канала модулируется при изменении потенциала


затвора. Напряжение на затворе, при котором образуется канал, называется пороговым
напряжением Vt.
Важно представлять себе, что включение МДП-транзистора происходит
постепенно. Напряжение смещения на затворе, необходимое для возникновения
проводимости, или пороговое напряжение зависит от нескольких факторов:
концентрации легирующих примесей в полупроводниковой подложке, заряда в
диэлектрическом слое под затвором и типа металла, используемого для электрода
затвора.
Иногда у МДП-транзисторов с низким напряжением пробоя, пороговое
напряжение может зависеть от напряжения между стоком и истоком. Эта зависимость

7
объясняется влиянием обедненной области стока, которая проникает в п-канал и
изменяет концентрацию электронов в этой части подложки.
Помимо нескольких внутренних факторов, пороговое напряжение сильно зависит
от рабочей температуры. С повышением температуры полупроводника, пороговое
напряжение снижается. Если пороговое напряжение станет меньше нуля, то нормально
выключенный МДП-транзистор с индуцированным каналом превратится в нормально
включенный прибор.
Пороговое напряжение Vt является одним из основных параметров структуры
МДП. От его величины зависит возможность реализации различных схемотехнических
решений в ИМС, а также величина напряжения питания. Поэтому необходимо
располагать способами регулировки порогового напряжения.
Подбор материала затвора позволяет варьировать пороговое напряжение в
диапазоне около одного вольта, однако в ИМС выбор материала затвора ограничен
технологическими соображениями. Использование поликремниевого затвора позволяет
изменять пороговое напряжение на величину, соответствующую ширине запрещенной
зоны, в зависимости от типа проводимости.
Выбор диэлектрика также в значительной степени определяется технологическими
возможностями. Наиболее часто применяется собственный термический окисел SiO2.
Высокой диэлектрической проницаемостью обладает нитрид кремния. Заметим, что
величина удельной емкости диэлектрика определяет степень проявления эффекта поля,
который лежит в основе действия МДП-транзистора. Поэтому регулировка порогового
напряжения за счет изменения удельной емкости диэлектрика вряд ли целесообразна.
Возможна регулировка порогового напряжения за счет вариации концентрации
примеси в подложке NB. При NB<1015см-3 свойства полупроводника чувствительны к
влиянию температуры, а также существенно возрастают обратные токи через p-n
переходы. При NB>1015см-3 значительно увеличивается влияние потенциала подложки.

1.3 Режимы работы МДП-транзистора

В зависимости от величины и полярности напряжения на затворе,


приповерхностный слой полупроводника между стоком и истоком может находиться в
обогащенном, обедненном или инверсном состояниях. Эти состояния удобно
характеризовать величиной и знаком поверхностного потенциала полупроводника φ B,
предполагая потенциал в глубине полупроводника равным нулю. Поскольку на

8
энергетической диаграмме полупроводника потенциал отсчитывается вниз, изгиб зон у
поверхности полупроводника вниз означает, что φ B >0 , а вверх - что φ B <0 . На величину и
знак поверхностного потенциала влияют разность работ выхода материала затвора ФG и
полупроводника ФB, а также поверхностная плотность заряда в канале QSB0 и на границе
раздела полупроводник-диэлектрик QSS.
Рассмотрим n - канальный нормально закрытый МДП-транзистор, у которого ФG =
ФB и QSB0 = 0, при напряжениях VDS = VBS = 0.
На рисунке 6 изображена зонная энергетическая диаграмма такого транзистора при
отсутствии напряжения на затворе, зоны при этом плоские и φ B=0(Е0 - потенциальная
энергия свободного электрона в вакууме) - это равновесный режим.
Режим обогащения ( φ B >0 ) реализуется при напряжении V GS <0 (рис. 7).
Энергетические зоны изгибаются вниз, и приповерхностная область обогащается

дырками. Их концентрация n S=n 0 exp ( ekTφ ) ≫n , где n - концентрация дырок в глубине


B
0 0

подложки.
Режим обеднения ( φ B <0 ) реализуется при подаче на затвор положительного
напряжения VGS (рис. 8). Электрическое поле, возникающее при этом в системе затвор-
подложка, вытесняет подвижные дырки из поверхностной области в глубину подложки,
обнажая ионы акцепторной примеси. Вблизи поверхности полупроводника возникает
слой объемного заряда ионов акцепторной примеси, а концентрация подвижных
носителей заряда стремится к собственной концентрации. Границей режима обеднения
является условие |φ B|=φ0 , где
F p −Fi N
|
φ 0=
e | = φT ln B
ni
Здесь Fp, Fi - положение уровня Ферми и середины запрещенной зоны в глубине
полупроводника соответственно; e - заряд электрона; φ T - температурный потенциал; NB
- концентрация примеси в подложке; ni - собственная концентрация.
Режим слабой инверсии ( φ B <0 , φ0 ≤|φ B|≤2 φ0 ). При дальнейшем увеличении
положительного смещения на затворе происходит дополнительное искривление зон, так
что уровень Ферми пересекает середину запрещенной зоны, и происходит инверсия
проводимости полупроводника. Однако пока выполняется условие (φ 0<|φ B|<2 φ0 ),
поверхностная концентрация электронов в инверсном слое nS оказывается значительно

9
меньше, чем концентрация дырок в объеме полупроводника: n S ≪ p0. Поэтому
проводимость инверсного слоя очень мала.
Режим сильной инверсии достигается при (|φ B|≥ 2 φ0 ). На границе сильной
инверсии ( |φ B|=2 φ0 ) концентрация электронов на поверхности n S= p0 . Напряжение на
затворе, при котором достигается граница сильной инверсии, называется пороговым
напряжением Vt. Увеличение напряжения на затворе выше порогового приводит к
сильному росту концентрации электронов в инверсном слое и возникновению канала
(рис. 9).
Таким образом, пороговое напряжение рассматриваемого идеализированного n -
канального МДП-транзистора состоит из двух слагаемых - напряжения, необходимого
для удержания заряда в обедненной области, и напряжения, необходимого для
достижения режима сильной инверсии:
Q SB 0 N B Q SB 0
V t =−2|φ0|− =−2 φT ln − ,
CS ni CS
где
Q SB 0 =√2 ε S ε 0 e N B|2 φ0| - заряд в обедненной области полупроводника;
C S=ε i ε 0 /d - удельная емкость между затвором и полупроводником. Здесь ε S , ε i -

диэлектрическая проницаемость полупроводника и диэлектрика соответственно; ε 0 -


электрическая постоянная.
В реальном n - канальном МДП-транзисторе ФG ¿ ФB и QSS ≠ 0, поэтому энергетические
зоны полупроводника изогнуты уже в состоянии термодинамического равновесия. При
ФG ¿ ФB и QSS ¿ 0 зоны изогнуты вниз. Поэтому для достижения режима сильной
инверсии вначале необходимо достичь режима плоских зон. Для этого нужно подать на
затвор дополнительное отрицательное напряжение, называемое напряжением плоских
зон VFB, равное:
−Q ss
V FB= + φGB ,
Ci
где:
F G −F B
φ GB= - контактная разность потенциалов между затвором и подложкой.
e
Таким образом, для реального МДП-транзистора пороговое напряжение равно
N B |Q SB 0| Q SS
V t =φGB ∓2 φT ln ∓ − (1.1)
ni CS CS

10
где верхний знак относится к p - канальному транзистору, а нижний относится к n -
канальному.
- φ GB– контактная разность потенциалов затвор - подложка,
-φ G ,φ B– их потенциалы соответственно,
-QSS – плотность поверхностного заряда на границе диэлектрик-полупроводник,
-QSB 0 – поверхностная плотность заряда в канале,
-C S– удельная емкость диэлектрика.
М Д П
М Д П E0
E0
Ecd ОПЗ S
S M
Ec Ec
M
FM
Fi - eV Fi
F Fp
Ev Ev
Evd l ~ LD

Рис.6 Энергетическая диаграмма Рис.7 Энергетическая диаграмма


МДП-транзистора МДП-транзистора в режиме
в равновесном режиме обогащения

М Д П М Д П
ОПЗ
E0 E0
S S
Ec
M M Fi
Fp Fp
eV Ev eV Ev
FM lT
l (V)
M х
B = - eNa
M х
Рис.8 Энергетическая диаграмма МДП- Рис.9 Энергетическая диаграмма
транзистора n B = - eNa
МДП-транзистора
в режиме обеднения в режиме слабой инверсии

1.4 Вольт-амперные характеристики МДП-транзистора

Вольт-амперные характеристики (ВАХ) МДП-транзистора представляют собой


зависимость тока стока ID от напряжения затвор - исток VGS,

11
сток - исток VDS, подложка - исток VBS. В зависимости от параметра в семействе ВАХ
различают:
выходные характеристики:
ID = ID (VDS ) при параметрах VGS, VBS ;
переходные характеристики:
ID = ID (VGS ) при параметрах VDS, VBS.
На рис. 1.3 изображены выходные (рис. 1.3, а.) и переходные (рис. 1.3, б.) ВАХ.
Рассмотрим ВАХ n-канального МДП-транзистора при напряжении
VBS = 0.
При подаче на затвор положительного напряжения VGS ¿ Vt ток стока ID в начале
увеличивается с ростом отрицательного напряжения VDS на стоке. Это так называемая
крутая область ВАХ (рис. 1.3, а). Для крутой области ВАХ характерно наличие канала
под всеми точками затвора. При этом если увеличить напряжение на затворе, то
концентрация основных носителей в канале и его проводимость увеличиваются,
следовательно, увеличивается ток стока, и характеристики идут круче.
Однако при дальнейшем увеличении напряжения VDS рост тока стока ID замедляется,
а при некотором напряжении |V DSS|=|V GS−V t| почти прекращается. Это напряжение VDSS
называется напряжением насыщения, а область ВАХ, для которой выполняется условие
|V DS|>|V DSS| - пологой областью ВАХ.
Физической причиной насыщения тока стока является перекрытие канала вблизи его
стокового конца. Это происходит потому, что с увеличением напряжения на стоке
снижается разность потенциалов VGS - VDS, уменьшается электрическое поле и его
величина оказывается недостаточной, чтобы обеспечивать режим сильной инверсии. В
результате вблизи стока концентрация электронов в канале резко уменьшается, канал
исчезает (перекрывается) и в области перекрытия устанавливается режим обеднения.
Сопротивление этого участка канала ∆ L становится очень большим. Поэтому при
дальнейшем приращении напряжения на стоке оно падает в основном на участке
перекрытия, а на оставшейся не перекрытой части канала напряжение по-прежнему
остается равным VDSS.
Поскольку участок перекрытия канала ∆ L ≪ L - длины канала, то длина не
перекрытого канала и его сопротивление, а, следовательно, и ток стока мало меняются
при увеличении напряжения на стоке.

12
Описанное явление модуляции длины канала подобно эффекту Эрли в
биполярных транзисторах и определяет конечный наклон характеристик в пологой
области.
Через область перекрытия канала носители пролетают за счет сильного
электрического поля в этой области. Это явление подобно прохождению носителей
через область пространственного заряда (ОПЗ) коллекторного
p-n - перехода биполярного транзистора.

ID IDS (VDS S)

IDS ID S
VGS

VDS = VDS S ID

VDS VGS
VDS S VT
а б

Рис.10 Вольт-амперные характеристики МДП-транзистора: а – выходные, б –


переходные.
1.5 Влияние подложки

Проводимостью канала, а, следовательно, и током стока можно управлять также


напряжением смещения подложки. При работе транзистора между каналом и объемом
подложки образуется p-n - переход. С изменением смещения на подложке изменяется
ширина p-n - перехода, что приводит к расширению или сужению канала и к изменению
тока стока. Таким образом, подложка действует подобно затвору. При фиксированных
напряжениях на остальных электродах повышение прямого смещения, приложенного к
подложке, приводит к уменьшению тока стока.
Формула (1.1), определяющая пороговое напряжение, получена при VBS = 0. Подача
прямого смещения на подложку приводит к расширению ОПЗ
p-n - перехода канал - подложка и увеличению заряда в обедненной области:
Q SB 0 =√2 ε S ε 0 e N B|2 φ0 +V DS| (1.2)

13
Пороговое напряжение при этом также возрастает, поскольку обогащение канала
основными носителями происходит только после накопления на затворе заряда,
необходимого для компенсации заряда в обедненной области.
Используя выражения (1.1) и (1.2), при условии |V BS|≪ 2 φ0 можно получить связь
порогового напряжения с напряжением на подложке в виде
V t ( V BS )=V t ( 0 )+ K B V BS , (1.3)
где KB - коэффициент влияния подложки.
На практике выражением (1.3) пользуются и при значительных напряжениях на
подложке. Смещение на подложке влияет также и на величину напряжения насыщения
тока стока VDSS. С увеличением прямого смещения VBS это напряжение уменьшается по
абсолютной величине. Это происходит по двум причинам: во-первых, уменьшается
концентрация носителей в канале, во-вторых, канал сужается (так как расширяется
обедненный слой). Оба фактора способствуют уменьшению напряжения на стоке, при
котором происходит перекрытие канала.

1.6 Модуляция длины канала

Когда напряжение сток - исток длинноканального транзистора становится равным


напряжению насыщения, происходит отсечка канала, и ток стока перестает зависеть от
напряжения. Однако вследствие увеличения области пространственного заряда стока
длина канала уменьшается, что приводит к увеличению тока стока. Этот эффект
особенно существен в короткоканальных транзисторах, когда длина канала становится
сравнима с величиной ее вариации под действием напряжения на стоке.

1.7 Эффекты короткого канала.

Эффект короткого канала


В длинноканальных транзисторах величина порогового напряжения не зависит от
длины канала. С уменьшением длины канала изменяется конфигурация двумерного
электрического поля объемного заряда в подложке за счет сближения областей
пространственного заряда истока и стока, при этом увеличивается средняя
напряженность поля под затвором. Это приводит к увеличению модуля поверхностного
потенциала и, следовательно, снижению порогового напряжения при уменьшении
длины канала (рис. 11 кривая, а). Этот эффект называется «эффектом короткого канала».

14
Рис. 11 Снижение порогового напряжения при уменьшении длины канала: прямой
(а) и обратный (b) эффект короткого канала
Обратный эффект короткого канала
В некоторых транзисторах при уменьшении длины канала пороговое напряжение
сначала возрастает, затем убывает. Рост порогового напряжения с уменьшением длины
канала называют обратным эффектом короткого канала. На соответствующем графике
(рис. 11, кривая b) появляется бугорок.
Этот эффект имеет следующее объяснение. При изготовлении транзисторов с
поликремниевым затвором на краях затвора возникают механические напряжения. Эти
напряжения приводят к появлению точечных дефектов в подложке по краям затвора,
которые собирают примеси из подложки в процессе дальнейшей термической
обработки. В результате в канале по краям затвора появляются две области с
повышенной концентрацией примеси. При уменьшении длины канала эти области
сближаются, и увеличивается их вклад в среднюю концентрацию примеси в канале.
Поэтому сначала наблюдается увеличение порогового напряжения. Далее основной
эффект - сближение обедненных областей истока и стока становится преобладающим, и
пороговое напряжение падает.

1.8 Малосигнальная эквивалентная схема

Как и всякий полупроводниковый прибор, МДП-транзистор является достаточно


сложным для анализа объектом. Поэтому естественно стремление упростить его анализ,
введя ряд более или менее жестких допущений. Наиболее простая модель

15
идеализированного транзистора была предложена Шокли и Пирсоном. Модель основана
на следующих допущениях:
1. Диффузионный ток в канале в направлении оси X отсутствует.
2. Подвижность носителей заряда в канале постоянна (не зависит от электрического
поля).
3. Канал легирован однородно
4. Обратные токи утечки p-n переходов пренебрежимо малы.
5. Поперечное электрическое поле значительно превышает продольное
(приближение плавного канала).
6. Сопротивления n+-областей стока и истока, а также сопротивления омических
контактов к этим областям пренебрежимо малы.
7. Поверхностная плотность заряда ионов в ОПЗ под затвором постоянна (не
зависит от координаты y).
8. Длина и ширина канала достаточно велики.
Малосигнальная эквивалентная схема МДП-транзистора представлена на рисунке 12.

Рис.12.Малосигнальная эквивалентная схема МДП-транзистора.

Параметры эквивалентной схемы:


Сопротивления между внутренними и внешними узлами:
 RG – сопротивление затвора;
 RD – сопротивление стока;
 RS – сопротивление стока;
 RB – сопротивление подложки;
Емкости определяются режимом работы транзистора по постоянному току:

16
 CGD – диффузионная емкость перехода затвор-сток;
 CG – барьерная емкость затвора;
 Cbd – диффузионная емкость перехода подложка-сток;
 Cbs – диффузионная емкость перехода подложка-исток;
I d
G 1
 G – выходная проводимость, Vds ; G - выходное сопротивление

 gSVgs – генератор тока; gbVbs – генератор тока; генераторы моделируют ВАХ


транзистора.

1.9 Топология МДП-транзистора

В соответствии с заданием, транзистор имеет следующие характерные размеры: L=


3 мкм, W= 30 мкм, d= 0,04 мкм, Xj= 0,3 мкм. Масштабный эскиз структуры показан на
рисунке 13.

Рис.13 Масштабная топология и эскиз МДП-структуры


1.10 Краткий технологический маршрут изготовления МДП-структур.

В практике чаще всего применяется изопланарная технология изготовления МДП-


структур. Её особенность заключается в том, что изолируется МДП-структура толстым
слоем оксида кремния. Применение этой технологии позволяет совместно формировать

17
на одной подложке как биполярные, так и МДП-структуры. Процесс поэтапного
формирования МДП-структуры:
1. На поверхности кремниевой подложки р-типа (рис. 14) формируют маску из
нитрида кремния, через отверстия в которой внедряют ионы бора, в результате чего
формируются противоканальные р+-области, которые изображены на рис.15;

Рис.14 Кремниевая подложка р-типа

Рис.15 Формирование противоканальных р+-областей

2. Окислением через маску создают разделительные слои диоксида кремния, после


чего удаляют слой нитрида кремния, затем ионным легированием бора создают слой
с повышенной концентрацией акцепторов, который необходим для снижения
порогового напряжения, как показано на рис. 16;

Рис.16 Процесс создания слоя с повышенной концентрацией акцепторов путем


ионного легирования бором

3. Формируют тонкий подзатворный слой диоксида кремния и наносят на него слой


поликремния (затвор), что можно увидеть на рис. 17;

18
Рис.17 Формирование затвора на подложке.
4. Ионным легированием мышьяка формируют n+-области истока и стока (см.
рис.18);

Рис.18 Формирование стока и истока


5. Химическим паровым осаждением наносят слой диоксида кремния, формируют в
нем окна, напыляют пленку алюминия и методом фотолитографии создают рисунок
металлических проводников. Итог представлен на рисунке 19.

Рис.19 Финальный этап технологического маршрута изготовления МДП-структуры


При изготовлении МДП ИС по стандартной технологии возникает ряд
трудностей. Так, в тонком слое подзатворного диэлектрика обычно локализуются
положительно заряженные ионы щелочных металлов Li+, K +, Na + и водорода Н+, а
также отрицательно заряженные ионы кислорода О2-. Это приводит к нестабильности
параметров МДП-транзисторов.
Кроме того, при определенных значениях и полярностях потенциалов,
действующих на проводниках металлизированной разводки, возможно образование

19
паразитных МДП-структур. В результате под слоем диоксида кремния, расположенным
под металлизированной разводкой, возникают проводящие каналы, что вызывает токи
утечки между областями истоков и стоков МОП-транзисторов.
Существенной проблемой при изготовлении МОП ИС является точное
совмещение затвора с областями истока и стока. Так, при отсутствии перекрытия канала
металлическим затвором МОП-транзистор может быть неработоспособным, а при
слишком большом перекрытии образуются большие емкости затвор - исток и затвор -
сток, что снижает быстродействие МДП ИС.
Для устранения этих недостатков разработаны различные технологические
приемы. Например, для стабилизации параметров транзисторов МДП ИС
непосредственно перед формированием слоя подзатворного диэлектрика поверхность
подложек очищают, наносят на нее слои фосфоросиликатного стекла, а затем отжигают
при низкой температуре (450—550 °С) в атмосфере водорода. Эффективным методом
очистки поверхности кремния является обработка подложек в плавиковой кислоте с
последующим длительным кипячением их в деионизованной воде для удаления атомов
фтора, которые внедряются в кристаллическую решетку кремния и вызывают появление
дополнительного заряда. Фосфоросиликатное стекло, получаемое при нагреве
окисленных подложек в водяном паре при температуре около 1000 °С геттерирует
(вытягивает) ионы натрия из диоксида кремния и является барьером против
проникновения в него различных примесей из металла.

20
Часть 2. Исходные данные и задание
Таблица 1 - исходные данные

Вариант 4-1
Материал затвора Si*
Длина канала, мкм L=5
Ширина канала, мкм W = 30
Толщина подзатворного диэлектрика
d = 0.04
(SiO2), мкм
Концентрация примеси в подложке, см-3 NB = 1*1015
Подвижность электронов в канале, см2/В*с n = 750
Плотность поверхностных состояний, см-2 Nss = 5*1010
Концентрация примеси в контактных n+-
N+ = 1020
слоях, см-3
Толщина контактных n+- слоев, мкм xj = 0.5

Общие данные:

e = 1.62*10-19Кл - заряд электрона,

0 = 8.85*10-14 Ф/см - диэлектрическая проницаемость вакуума,

 = 11.9 - относительная проницаемость Si,

d = 3.4 - относительная проницаемость диэлектрика,

Es = 1.5*104 В/см - продольное электрическое поле в канале,

Vt = 1 В - пороговое напряжение.

Задание:

1. При заданных исходных данных обеспечить пороговое напряжение Vt = +1 В.

2. Рассчитать и построить выходные характеристики при VBS= 0Вв диапазоне


напряжений: VDS = 0 - 5 В;

VGS = 0 - 5 В (шаг 1 В) - в приближении идеализированной модели,VGS = 4 В - реальная


ВАХ.

3. Привести малосигнальную эквивалентную схему, объяснить смысл элементов.

21
4. Расчёт и корректировку Vt проводить с учетом эффектов короткого и узкого канала.

5. В дополнение к п.2 построить реальную выходную ВАХ для VGS = 4 В, VBS = - 2 В.

6. Рассчитать параметры эквивалентной схемы в режиме VGS = VDS = 4 В,VBS = 0.

22
Часть 3. Расчётная часть
1.3.1. Структура и топология МДП-транзистора

В соответствии с заданием, транзистор имеет следующие характерные размеры: L=5


мкм, W=30 мкм, d=0.04 мкм, Xj=0.5 мкм. Масштабный эскиз структуры показан на
рисунке 20.

Масштабная топология прибора показана на рисунке 20.

Рисунок 20 – Топология исследуемого МДП-транзистора.

23
Рисунок 21 – Структура исследуемого МДП-транзистора

1.3.2..Расчет и корректировка порогового напряжения транзистора


При VBS = 0 пороговое напряжение n - МДП-транзистора рассчитывается по
формуле:
Qss +Q sB 0
V t 0 =φGB +2 φ B− ,(1.8)
Cs
где
φGB - контактная разность потенциалов затвор - подложка,
φG, φB - их потенциалы соответственно,
QSS - плотность поверхностного заряда на границе диэлектрик-полупроводник,
QSB0 - поверхностная плотность заряда в канале,
CS - удельная ёмкость диэлектрика.

На основе исходных данных рассчитываем компоненты :


Потенциал подложки:
NB −3 1∗1015
φ B=φT ln ( )=26∗10 ∗ln ⁡( )=0.289 В(1.9)
ni 1.5∗1010
Контактная разность потенциалов затвор - подложка:
−∆ E −1.12
φ GB= −φB = −0.289=−0.849 В(1.10)
2e 2
Заряд, связанный с ОПЗ полупроводника:
QsB 0 =−e N B l t 0 (1.11)
Ширина ОПЗ под затвором:
2 ε ε 0 2 φB 2∗11.9∗8.85∗10−14∗2∗0.289
lt 0 =
√ eNB √ =
1.62∗10−19∗1∗1015
Подставив (1.12) в (1.11), получаем:
=0.866 мкм .(1.12)

Кл
Q sB 0 =−1.62∗10−19∗1∗1015∗0.866∗10−4 =−1.4∗10−8 (1.13)
см2
Заряд, связанный с поверхностными состояниями на границе оксид - кремний:

24
Кл
Q ss=e N ss =1.62∗10−19∗5∗1010=8.1∗10−9 (1.14)
см 2
Удельная ёмкость диэлектрика:
ε d ε 0 3.4∗8.85∗10−14 −8 Ф
C S= = =7.52∗10 (1.15)
d см 2
−4
0.04∗10
Таким образом, при заданных исходных данных обеспечивается пороговое
напряжение:
Q ss +Q sB 0 8 .1∗10−9−1.4∗10−8
V t 0 =φGB +2 φ B− =−0.849+ 2∗0.289− =−0.193 В
Cs 7 .52∗10−8
(1.16)
Для обеспечения величины порогового напряжения V ¿ =1В необходимо увеличить
его на ΔV t=1+ 0,193=1.193 В . Если затвор сделать из р+-Si , то получим
ΔV t=−0.193+1.12=0.927 В . Остается добавить ΔV t=1−−0.927=0.073 В . Так как эта
величина положительная, то под затвором необходимо выполнить
подлегирование поверхности примесью p-типа на глубину Δx=0,1*Xj=0.05 мкм.

Необходимая доза подлегирования составляет:


Δ V t C S 0.073∗7.52∗10−8 10 −2
D= Δ N d Δx= = =3.431∗10 см
e 1.6∗10−19

Средняя концентрация акцепторов в подзатворном слое

D 3.431∗10 10 15 −3
Δ N d= = =6.862∗10 см
Δx 0,05∗10 −4

1.3.3. Расчёт и корректировка порогового напряжения с


учётом эффектов короткого и узкого канала.

С учётом эффекта короткого канала изменение порогового напряжения


рассчитывается по формуле:
−e N B l T
∆ V t=
2 L CS
( ( x j+ lS )2−l2T + ( x j +lD )2−l2T −2l2T ) ,(1.19)
√ √
где
2 ε ε 0 ( 2φ B−V BS )
lT =
√ eNB
2 ε ε 0( φC −V BS)
,

lS =
√ e NB
,

2 ε ε 0 ( φC −V BS +V DS )
lD =
√ eNB
−¿

- толщина ОПЗ под затвором, истоком и стоком, xj - толщина n+- областей,

φ С =φT ln ¿¿

25
контактная разность потенциалов n+- область - p - подложка
Считаем случай, когда VBS = 0, VGS = 4В :
1015∗10 20
φ С =0 .026 ln ( )
1.5 2∗1020
=0.877 В

2∗11.9∗8.85∗10−14 (2∗0.289−0)
lT =
√ 1.62∗10−19∗1015
2∗11.9∗8.85∗10−14 ( 0.877−0)
=0.866 мкм

lS =
√ 1.62∗10−19∗1015
=1.07 мкм

2∗11 .9∗8.85∗10−14 ( 0.877−0+ 4 )


lD =
√ 1.62∗10−19∗1015
−1.62∗10−19∗1015∗0.866∗10−4
=2.52 мкм

∆ V t=
2∗5∗10−4∗7.52∗10−8
2 2 2 2 2
( √ ( 0.5∗10 −4
+1.07∗10−4 ) −( 0.866∗10−4 ) + ( 0.5∗10−4 +2.52∗10−4 ) −( 0.866∗10−4 ) −2∗( 0.866∗10−4 ) )=

- 0.06 В

С учетом эффекта узкого канала изменение порогового напряжения


рассчитывается по формуле:
πεd
∆ V T =± ( 2 φB +V BS ) (1.20)
εd W
3.14∗11.9∗0.04∗10− 4 (
∆VT= 2∗0.289+ 0 )=0.00847 В
3.4∗30∗10−4
Вывод: Как видно в случае короткого канала часть заряда в обедненной области
под затвором экранируется сильнолегированными областями истока и стока. Этот
эффект приводит к тому, что заряд на металлическом затворе, необходимый для
создания обедненного слоя, уменьшается, следовательно, уменьшается и пороговое
напряжение. При уменьшении ширины канала наблюдается противоположный эффект.
В этом случае напряжение на затворе формирует тонкую обедненную область под
толстым диэлектриком и толстый обедненный слой под тонким диэлектриком. В
отличие от идеального случая в реальном случае граница обедненной области имеет
форму, близкую к параболической. При увеличении напряжения на затворе возрастают
обедненная область под толстым окислом у МДП-транзистора с узким каналом,
эффективный заряд в области обеднения и, следовательно, пороговое напряжение.

1.3.4. Расчет ВАХ в рамках идеализированной модели.

В этом приближении действие подложки не учитывается, а толщина ОПЗ под


затвором считается постоянной и равной lt0, ВАХ:

26
0 ,V GS <V t ;

I D=
{
β V DS (
V GS −V t −

β(V GS −V t )2
2
где VDSS = VGS - Vt
V DS
2 )
, V GS ≥V t ,V DS ≤V DSS ; (1.23)

, V GS ≥ V t , V DS >V DSS ;

C S μ n W 7 . 52∗10−8∗750∗30∗10−4 −6 А
β= = =339∗10 ( 1.24 )
L В2
−4
5∗10

Данные для построения семейства идеальных ВАХ МДП - транзистора:

Таблица 2. Данные для построения ВАХ.

VGS = 1 В VGS = 2 В VGS = 3 В VGS = 4 В VGS = 5В


Id, мА (VDS = 0 В) 0,000 0,000 0,000 0,000 0,000
Id, мА (VDS = 0.5В) 0,000 0,127 0,296 0,465 0,635
Id, мА (VDS = 1В) 0,000 0,169 0,508 0,846 1,185
Id, мА (VDS = 1.5В) 0,000 0,169 0,635 1,142 1,650
Id, мА (VDS = 2В) 0,000 0,169 0,677 1,354 2,031
Id, мА (VDS = 2.5В) 0,000 0,169 0,677 1,481 2,327
Id, мА (VDS = 3В) 0,000 0,169 0,677 1,523 2,539
Id, мА (VDS = 3.5В) 0,000 0,169 0,677 1,523 2,666
Id, мА (VDS = 4В) 0,000 0,169 0,677 1,523 2,708
Id, мА (VDS = 4.5В) 0,000 0,169 0,677 1,523 2,708
Id, мА (VDS = 5В) 0,000 0,169 0,677 1,523 2,708
3.000

2.500

2.000

1.500 Vgs
Id, mA =2
Vgs
1.000 =3
Vgs
0.500 =4

0.000
0 1 2 3 4 5 6
Vds, V

Рисунок 22 - Семейство ВАХ МДПТ в рамках идеальной модели.

27
1.3.5. Расчет ВАХ с учетом неоднородности ОПЗ под затвором.

Крутая область ВАХ:


V DS
(
I DS =β V DS V GS−V t−
2 )
−β K B ¿

Коэффициент влияния подложки:


K B=
√2 ε ε 0 e N B = √ 2∗11.9∗8.85∗10−14∗1.62∗10−19∗1015 =¿ 0.25 В1 /2 (1.26)
CS 7.52∗10−8
Расчёт проведём для VBS = 0, VGS = 4 В
Напряжение насыщения VDSS определяется соотношением:

V DSS=V GS−V t −ξ K 2B
[√ 1+
V GS−V t
ξ 2 K 2B ]
−1 (1.27)

где ξ= +
1 √ 2 φB −V BS =0.5+ √ 2∗0.289−0 =3.59
2 KB 0.25

V DSS=4−1−3.59∗0.25 2
[√ 1+
4−1
3.592∗0.252 ]
−1 =2.74 В

Ток насыщения IDS определяется из выражения (1.25) при VDS = VDSS:


3 3
−6
I DS =339∗10 ∗2.74 4−1−
2.74
2 (
−339∗10−6∗0.25
2
3 ) [ [
( 2∗0.289−0+ 2.74 ) 2 −( 2∗0.289−0 ) 2 −2.74 √ 2∗0.289− ]
Таблица 3. Данные для построения крутой области реальной ВАХ.
VDS, В
0 0,5 1 1,5 2 2,5
ID, мА 0,45937801 0,82397430
0 1 7 1,095616321 1,275395 1,364058

Пологая область ВАХ:


Для пологой области расчёт ВАХ проводится следующим образом:
- рассчитывается эффективная длина канала с учётом насыщения дрейфовой скорости
носителей в канале и модуляции длины канала
- рассчитывается ток стока с учётом предыдущего пункта при VDS = 4В
- пологая область ВАХ строится как линия, проходящая через точки
(VDSS, IDS)
Вычислим ID при VDS = 4В из соотношения:
ID L
= (1.28)
I DS Lef
Эффективная длина канала:
l D dε V −V DSS εd
Lef =L−
√ εd
arsh DS(ES

l D dε
(1.29)
√ )
где ES = 15 кВ/см - поле насыщения скорости электронов
2 ε ε 0 (φC −V BS +V DSS )
lD =
√ e NB
(1.30)

28
толщина ОПЗ под стоком на границе с пологой областью
∆E 1.12
φ С= + φB = +0.289=0.849 В( 1.31)
2e 2
контактная разность потенциалов сток – подложка.
Следовательно,
2∗11.9∗8.85∗10−14 (0.849−0+2.74)
lD =
√ −19
1.62∗10 ∗10 15
=2.16∗10−4 см

2.16∗10−4∗0.04∗10−4∗11.9
Lef =5∗10−4 −
√ 3.4
∗¿

4−2.74 3.4
¿ arsh ( 4
√ −4 −4
1.5∗10 2.16∗10 ∗0.04∗10 ∗11.9
=4.34∗10−4 см )
Ток стока при VDS = 4В:
I DS L 1.37∗5∗10−4
I D= = =1.58 мА
Lef 4.34∗10−4
Таблица 4. Данные для построения пологой области.
VDS, В
2,73940 4
ID, мА
1,37442 1,5855
5
4.5
4
3.5
3
2.5
Id, mA
2 Крутая
1.5 Пологая

1
0.5
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
Vds, V

Рисунок 23 - Выходная ВАХ реального транзистора, построенная по данным из таблиц:


3 и 4.

1.3.6. Расчет реальной ВАХ, зависящей от VBS.

Расчеты реальной ВАХ проводится при VBS = -2 В.


Результаты расчета выходной ВАХ рассматриваемого МДП-транзистора при VGS = 4 В,
VDS = 0 - 5 В, VBS = - 2 В.
Крутая область ВАХ:
Коэффициент влияния подложки:

29
K B=
√2 ε ε 0 e N B =0.25 В 12
CS

Расчет проведем для VBS = -2 В, VGS = 4 В:

1 √ 2 φB −V BS
ξ= + =7.04
2 KB

Напряжение насыщения:
V DSS=2.824 В

Ток насыщения IDS определяется из выражения (1.25) при VDS = VDSS:


I DS =1.42 мА
Пологая область ВАХ:
Вычислим ID при VDS = 4 В из соотношения (1.30):

l D =2.72∗10−4 см - толщина ОПЗ под стоком на границе с пологой областью


Lef =4 .3∗10−4 см
эффективная длина канала
Ток стока при VDS = 4 В:
I DS L 2.72∗5∗10− 4
I D= = =1.66 мА
Lef 4.3∗10− 4

1.3.7. Малосигнальная эквивалентная схема и её параметры.

Применяются для малых переменных составляющих токов и напряжений


(помечены точкой). Транзистор работает в пологой области ВАХ. Эквивалентная
получается путем линеаризации элементов нелинейной схемы и исключения
постоянных токов. Все емкости являются константами, величина которых определяется
режимом работы транзистора по постоянному току.

D
RD
CGD d
Cbd
RG
G g b RB
gSVgs gbVbs 1/G B

s
CGS Cbs
RS
S

30
Рисунок 24 - Малосигнальная эквивалентная схема МДПТ.

Параметры эквивалентной схемы:


- RS объёмное сопротивление истока
- RD объёмное сопротивление стока
- RB объёмное сопротивление подложки
- RG объёмное сопротивление затвора
Ёмкости определяются режимом работы транзистора по постоянному току
- CGD диффузионная ёмкость затвор-сток
- CG барьерная ёмкость затвора
- Cbs диффузионная ёмкость подложка-исток
- Cbd диффузионная ёмкость подложка-сток
∂ID 1
- G выходная проводимость, G= ; −¿ выходное сопротивление
∂ V DS G
- gS крутизна
- gb крутизна по подложке
В данной схеме режим работы транзистора (постоянные составляющие
напряжений VGS, VDS, VBS и постоянная составляющая тока ID) считаются заданными и
исследуются только малые переменные, составляющие напряжений и токов (сигналов).

1.3.8. Расчёт параметров эквивалентной схемы

Рассчитаем малосигнальные параметры эквивалентной схемы, показанной на рисунке


24.

Крутизна ВАХ:
β∗( 4−V t )2 β∗(3−V t)2

∂ID 2 2
g= = (1.32)
∂ V GS 4−3

339∗10−6∗(4−1)2 339∗10−6∗(3−1)2

2 2 мА
g= =0.85
4−3 В

Выходная проводимость:
2
( 3−V t )
∂ I D β∗ 2
G= = ( 1.33)
∂ V DS 3−2∗φ B

( 3−1 )2
339∗10−6∗
2 мА
G= =0.28
3−2∗0.289 В

31
Собственный коэффициент усиления по напряжению:

∂ V DS g 0.85
K= = = =3.03(1.34 )
∂V GS G 0.28

ВЫВОД
В курсовой работе были рассмотрены принципы работы МДП-транзистора,
рассчитано пороговое напряжение МДПТ, выполнена корректировка порогового
напряжения за счет подлегирования поверхности. Произведены расчеты
параметров, получены вольтамперные характеристики для идеализированной и
реальных моделей.

Таблица 5 - конечные результаты.

Потенциал подложки φ B=0.289 В


Контактная разность потенциалов φ GB=−0.849 В
Удельная ёмкость диэлектрика C S=7.52∗10−8 Ф/см 2
Пороговое напряжение V t 0 =−0.193 В
Необходимая доза подлегирования D=3,431 ∙ 10 10 см−2
Крутизна β=339∗10−6 А/ В2
Коэффициент влияния подложки K B=0.25 В1/ 2
Толщина ОПЗ под затвором l T =0.866 мкм
Толщина ОПЗ под истоком l S =1.07 мкм
Толщина ОПЗ под стоком l D =2.52 мкм
Пороговое напряжение с учетом ∆ V T =−0.06 В
короткого и узкого канала
Крутизна ВАХ g=0.85 мА /В
Выходная проводимость G=0.28 мА /В
Коэффициент усиления по K=3.03

32
напряжению

33