Tecnológico Nacional de México.

Instituto Tecnológico de Apizaco.

Ingeniería: Mecatrónica.
Materia: Electrónica Analógica.
Practica # 9
Nombre de la practica:” Transistor TBJ, Características Básicas”
Equipo # 5
Integrantes: Héctor Daniel Juárez Pérez
Miguel Ángel Vázquez Rojano
Josué Alejandro Juárez Guarneros
José Jaime Macías Juárez
Jhovani Tlilayatzi Peña

Fecha de realización: Fecha de entrega:

25/Octubre/2019 01/Noviembre/2019

Comentarios: Calificación:
 Competencias específicas:
- Identificar las características eléctricas importantes del TBJ mediante su hoja de
datos.
- Identifica las terminales de un TBJ.
- Comprobar el estado de un TBJ mediante pruebas.
- Polarizar a un TBJ y comprobar su estado de operación.

Marco teórico:
Se dice característica de entrada la curva  que expresa la tendencia de la corriente de
base IB en función de la tensión de base VBE, tales como la siguiente, que se refiere al
transistor NPN BCW82.

Vemos cómo la característica de entrada corresponde a la de un diodo, de hecho, entre

la base y el emisor, el transistor se comporta como un diodo; vemos, de hecho, que la
corriente de base es cero, cuando la VBE es menor que la tensión de umbral, que en
nuestro caso coincide aproximadamente con 0,6 V, sobrepasada la tensión de umbral 
la corriente de base  aumenta rápidamente.
Se dice  características de salida las que expresan la corriente de colector IC como una
función de la tensión VCE, mientras que manteniendo constante la IB; tales como las
siguientes, que se refieren siempre a BCW82
Observamos que hay diferentes características de salida, cada obtenida para un valor
predeterminado de la corriente de la base  IB; de hecho, la primera característica, a
partir de la parte inferior se ha obtenida para una IB = 5 m A; es decir, el mantenimiento
de un IB constante con el aumento de VCE, al principio la IC es cero; luego aumenta
linealmente y rápidamente a la rodilla; allá de la rodilla, la IC permanece prácticamente
constante, incluso si se aumenta la VCE.
Las características son importantes para la determinación del punto de trabajo; Se
dice punto de trabajo un punto de que se sabe la tensión y la corriente en reposo, es
 decir, en ausencia de
señal; ejem plo, si tomo
el punto P, como en el siguiente diagrama:

Un transistor BJT puede eventualmente trabajar en tres regiones, las cuales son:
Region activa, region de saturación y región de ruptura; Cuando un transistor BJT
trabaja en región activa, quiere decir que está trabajando como amplificador de una
señal (Corriente o voltaje), esta región de funcionamiento se caracteriza porque la
corriente de base es muy pequeña en comparación a la de colector y emisor (que son
parecidas), y porque el voltaje colector base no puede exceder los 0.4 o -0.4V
(dependiendo si es PNP o NPN). Mientras que la región de corte indica que el transistor
prácticamente esta apagado, es decir Ib = Ic = Ie =0A. Por último, un transistor de unión
bipolar está saturado cuando Ic=Ie=Imax; En este caso la magnitud de la corriente
depende de la tensión de alimentación del circuito y de las resistencias conectadas en
el colector o el emisor o en ambos.

En particular para un transistor que funcione como amplificador de una señal

-Trabajando en modo activo-, hay ciertas ecuaciones que modelan su funcionamiento:
IC= βiB , Ic= αIE, α =β/(β+1). Ellas confirman lo dicho anteriormente, puesto que β en
magnitud es relativamente grande y α un valor cercano a la unidad. Podemos analizar
que sucede si introducimos a la entrada una señal AC, para ello se introduce un
parámetro esencial que se denomina transconductancia (gm) - La cual en esencia es la
pendiente de una aproximación lineal del comportamiento exponencial del transistor.

Material y Equipo:
1 Transistor 2N3903 o 2N3904
1 Transistor 2N3905 o 2N3906
1 Transistor 2N2222
1 Transistor 2N2223
4 R ½ W 1 KΩ, 2.2 KΩ, 3.3 KΩ, 10 KΩ
1 Protoboard
 Cables de Conexión
1 Multímetro Digital
1 Fuente de CD (con salida de voltaje)

Procedimiento:
1. a) Mediante las hojas de características identifique los parámetros de los TBJ’S
que se indican en la siguiente tabla.

Transisto Ic V ce h FE PD T V ce sat Vf If Tipo Encapsulado

r (mA ) (V ) (β) (mW ) (° C) (V ) (V ) (mA )
2N3904 200 40 20 -625 -55 a 0.2 1.0 10 NPN TO-92
+150
2N3906 200 40 60 625 -55 a 0.25 1.0 10 NPN TO-92
-300 150
2N2222 800 50 50 - 500 -65 a 1 1.0 10 NPN TO-18
200
2N2223 500 80 25 - 500 -65 a 1.2 1.0 10 NPN TO-78
150 200

b) Identifique las terminales de cada transistor.

2N3904 y 2N3906

2N2222 y 2N2223
 a) Ajuste el multímetro para medir diodos y realice las mediciones que se indican en
la siguiente tabla (coloque la punta roja en la primera terminal y la negra en la
segunda terminal).

Transistor BE EB BC CB CE EC
2N3904 - 721 713 714 - -
2N3906 714 - 709 - - -
2N2222 722 722 - - 720 -
2N2223 - - - - - -

b) ¿De lo obtenido en la tabla que pueden comentar?

Que en las diferentes formas de medir las terminales del transistor en todos
varían y tienen distintas configuraciones por tanto en unas si tienen valores y en
otros no.

2. a) Conecte el siguiente circuito

b) Mida lo que se indica en la siguiente tabla

VB VC VE V BE V BC V CE
0.68 0.06 - 0.68 0.62 -0.07

c) Con los datos obtenidos calcule I B , I C , I E

 d)Calcule la β

3. Sustituya la Rc por 1 KΩ la Rb por 2.2 KΩ y realice los pasos del procedimiento 3

a) Conecte el siguiente circuito

b) Mida lo que se indica en la siguiente tabla

VB VC VE V BE V BC V CE
0.74 0.07 - 0.73 0.67 0.07

c) Con los datos obtenidos calcule I B , I C , I E

d) Calcule la β

Simulaciones:
a) 2N3904

a) 2.- 2N3906
 a) 3.- 2N2222

a) 4.- 2N2223

Cambiando RC por 1kΩ y R B por 2.2KΩ

a) 2N3904
a) 2N3906

a) 2N2222

a) 2N2223
Conclusión:
Bibliografía:
https://www.scuolaelettrica.it/escuelaelectrica/elettronica/transi5.php

http://gambox-bjt.blogspot.com/2009/09/teoria.html

Glosario:
Anexos: