Вы находитесь на странице: 1из 6

Силовая электроника

www.electronics.ru
DOI: 10.22184/1992-4178.2019.189.8.40.44

Расчет и конструирование
планарного трансформатора
для обратноходового
преобразователя
М. Савин 1, С. Абрамов, к. т. н.2 УДК 621.316 | ВАК 05.27.01

С увеличением частоты переключений импульсных преобразователей


постоянного напряжения все чаще в схемах применяются планарные
трансформаторы и индуктивности, методики проектирования которых
получили развитие в последнее время. В статье приводится методика расчета
планарного трансформатора обратноходового преобразователя, а также пример
построения топологии и конструкции планарного трансформатора.

Н
овые разработки и исследования в силовой элек- технологии изготовления печатных плат позволяют кон-
тронике направлены на повышение частоты пе- струировать планарные трансформаторы на мощности
реключений преобразователей, снижение по- вплоть до 2 кВт [3].
терь мощности и уменьшение габаритов. Зачастую перед Рассмотрим пример конструирования планарного
разработчиками стоит задача спроектировать преобра- трансформатора для обратноходового преобразовате-
зователь большой мощности (порядка 1–2 кВт) с  мини- ля. Разные варианты компоновки обмоток позволяют
мальными размерами. частично обеспечить оптимальное соотношение пара-
Благодаря повышению частоты преобразователя при метров при компромиссных ситуациях без потерь, что
одновременном снижении потерь мощности увеличивает- играет важную роль в  оптимизации планарного транс-
ся удельная мощность преобразователя. При этом в не- форматора  [3]. Далее рассматриваются преимущества
которых случаях использование обычных проволочных и недостатки четырех типичных вариантов чередования
трансформаторов имеет ряд ограничений. При умень- обмоток планарного трансформатора, их трехмерные мо-
шении размеров обычных проволочных трансформато- дели показаны на рис. 1.
ров возможно увеличение потерь мощности из-за поверх- Компоновка без чередования (рис. 1а) дает очень высо-
ностного эффекта (скин-эффекта) и эффекта близости [1]. кое сопротивление переменному току и высокую индук-
По этой причине в последние годы все более популярны- тивность рассеяния по сравнению с другими вариантами
ми при проектировании высокочастотных преобразова- компоновки [3]. Однако при такой компоновке создает-
телей становятся планарные трансформаторы. ся наименьшая паразитная емкость, поскольку имеет-
Планарный трансформатор представляет собой мно- ся только одно пересечение между первичной и вторич-
гослойную печатную плату с нанесенными на нее медны- ной обмотками.
ми дорожками. Слои печатной платы разделены между В случае полного чередования П-В-П-В-П-В-П-В (рис. 1б)
собой слоями изоляции. сопротивление переменному току и индуктивность рас-
По сравнению с  обычными трансформаторами пла- сеяния резко снижаются, так как чем меньше отношение
нарный трансформатор имеет следующие преимуще- электродвижущей силы к количеству слоев, тем более сла-
ства: значительно уменьшенную высоту (низкий про- бый эффект близости в соседних слоях, и тем более низ-
филь); большую площадь поверхности, в  результате кое сопротивление переменному току. Семь пересече-
чего улучшается теплоотдача, уменьшается индуктив- ний между первичной и вторичной обмотками приводит
ность рассеяния; хорошую воспроизводимость, которая к более высокой паразитной емкости, которая почти в 10
обеспечивается структурой обмотки  [2]. Современные раз больше, чем при нечередующейся компоновке [3].
Чередование П-В-В-П-П-В-В-П (рис.  1в) представляет
1
ФГУП «МНИИРИП», начальник отдела пассивной электроники собой другой тип компоновки полного чередования.
и электротехнических изделий. Отношение электродвижущей силы к количеству слоев,
2
ФГБОУ ВО «ЧГУ им. И. Н. Ульянова» (г. Чебоксары), доцент кафедры как и в предыдущем случае, равно единице. Если сравни-
промышленной электроники. вать с обычным полным чередованием П-В-П-В-П-В-П-В,

40 ЭЛЕК ТР ОНИК А наука | технология | бизнес №8 (00189) 2019


Силовая электроника www.electronics.ru

Фокус номера
чередование П-В-В-П-П-В-В-П имеет
аналогичное сопротивление пере-
менному току и  индуктивность рас-
сеяния, потому что распределения
ЭДС при данных чередованиях оди- Первичная
наковые. Примечательно то, что па- обмотка

разитная емкость уменьшается без Вторичная


обмотка
ухудшения других характеристик
(индуктивность рассеяния или со-
противление переменному току), это
связано с меньшим числом пересече- а) б)
ний (четыре) между первичной и вто-
ричной обмотками [3].
Компоновка 0,5П-В-П-В-П-В-П-
В‑0,5П (рис.  1г) представляет собой
улучшение полного чередования,
в  котором верхний слой соединен
параллельно с  нижним слоем, ко-
Параллельное
торые затем соединены последова- соединение
тельно с  другими витками первич-
ной обмотки. Таким образом, от-
ношение ЭДС к  количеству слоев
может быть дополнительно умень- в) г)

шено. Для такой компоновки харак-


терны не только малые величины
сопротивления переменному току Рис. 1. Трехмерные модели планарного трансформатора: а – б ​ ез чередова-
и индуктивности рассеяния, но так- ния; б – ​чередование П-В-П-В-П-В-П-В; в – ч ​ ередование П-В-В-П-П-В-В-П;
же меньшая паразитная емкость по г – ​улучшенное чередование 0,5П-В-П-В-П-В-П-В‑0,5П
сравнению с  другими вариантами
чередования [3]. где Cвх = 10 мкФ  – ​ входная накопительная емкость,
Исходные данные для проектирования: минимальное определяемая из условия 1 мкФ на единицу мощно-
входное напряжение UACmin = 195  В; максимальное вход- сти Pвых; tпр = 3  мс  – ​ время проводимости мостового
ное напряжение UACmax = 265  В; частота питающей сети выпрямителя.
fс = 50  Гц; частота переключений силового транзисто- Определим максимальную относительную длитель-
ра fт = 132 кГц; выходное напряжение Uвых = 5 В; выходная ность включенного состояния силового транзистора:
мощность Pвых = 10 Вт; КПД источника питания η = 0,85.
Для расчета параметров трансформатора обратно- U 100
ходового преобразователя воспользуемся методиками, = = = 0,27 ,
U +U U 100 + 275,77 10
описанными в [4–6].
Определим максимальную входную мощность: где Uдоп = 100  В  – в ​ еличина, на которую увеличивается
напряжение на транзисторе в  закрытом состоянии от-
P = P = 10 = 11,7647 . носительно напряжения питания при передаче энергии
0,85
в  нагрузку. При входном напряжении питающей сети
Минимальное входное выпрямленное напряжение 85–264 В дополнительное напряжение находится в диа-
определяется по формуле [4] пазоне 60–100 В [5]; Uси = 10 В – н ​ апряжение сток-исток си-
лового транзистора.
1 Если при расчете получилось, что γmax ≥ 0,5, то Uдоп
2P –t
2f необходимо выбрать таким образом, чтобы выполнялось
U (
= 2U 2AC ) C
c
=
условие γ max
 ≥ 0,5 [6].
Средний ток диодного моста:
1
2 10 0,003
2 50 P 10
( )
2 ( 195)
2

0,85 10
= 275,77 , I =
U
=
0,85 275,77
= 0,043 .

№8 (00189) 2019 ЭЛЕК ТР ОНИК А наука | технология | бизнес 41


Силовая электроника www.electronics.ru

Слой 1 Слой 5

Слой 2 Слой 6

Слой 3 Слой 7

Рис. 3. 3D‑модель планарного трансформатора для об-


ратноходового преобразователя
Слой 4 Слой 8

Количество витков вторичной обмотки:


Рис. 2. Послойная топология проектируемого планарно-
Uвых + U D 5+0,45
го трансформатора N2 = N1 = 24 =2.
Uдоп 100

Максимальный ток на первичной стороне трансфор- Глубина поверхностного слоя:


­матора:
1/2

Iср 0,043
= 2230 f ( ) 1/2
= 2230 ( 132) =194,1 мкм,
I1 = = = 0,23 ,
K 0,6
(1 ) (1 ) 0,23 где fт – ​частота переключений, кГц.
2 2
Если берется проводник с толщиной wt меньшей, чем
где Kи = IR / I1 = 0,6 – к
​ оэффициент использования, показы- 2δ = 388,2 мкм, вклад скин-эффекта будет ограничен  [7].
вающий отношение приращения тока дросселя ΔIL к мак- Примем ширину дорожки первичной обмотки (wt1) рав-
симальному значению. ной  0,5 мм, а вторичной обмотки (wt2) равной 2 мм.
Номинальная индуктивность первичной обмотки Определим расстояние между витками первичной
трансформатора: и вторичной обмоток:

10 6 P K (1 )+ bw 0,8 w t 1Nl1 5,9 0,8 0,5 6


L1 = = s1 = = = 0,42;
0,5I 12f Nl 1 6 1

10 7 0,5(1 0,85)+0,85
= 2
= bw 0,8 w t 2Nl2 5,9 0,8 2 2
(0,23) 0,5 132000 0,85 s2 = = = 1,1,
Nl 1 2 1
= 3185,79 мкГн,
где Nl1 = 6 и Nl2 = 2 – ​количество витков в одном слое пер-
где Кп = 0,5 – ​коэффициент распределения потерь. Если вичной и вторичной обмоток соответственно; bw = 5,9 мм –​
Кп = 1, то потери преобладают на вторичной стороне. Ес- доступная ширина намотки.
ли Кп = 0, то потери на первичной стороне. Кп = 0,5 сле- Послойное расположение обмотки планарного транс-
дует выбирать, если справочные данные отсутствуют. форматора показано на рис. 2. Конструкция строится та-
Количество витков первичной обмотки: ким образом, что первичная обмотка трансформатора,
содержащая 24 витка, распределяется на 4 слоя по 6 вит-
I1L 1 0,23 3185,79
N1 = = = 24, ков (слои 2, 3, 5, 6). Вторичная обмотка помещается на
10 2 BM A 100 0,25 0,783
1 слой и содержит 2 витка (слой 4).
где Ae = 0,783  см2  – ​ эффективное сечение сердечни- Конструкция планарного трансформатора (рис.  3)
ка; BM = 0,25  Тл  – ​максимальная плотность магнитного преобразователя представляет собой наглядное изобра-
потока. жение проектируемых слоев и включает: электрические

42 ЭЛЕК ТР ОНИК А наука | технология | бизнес №8 (00189) 2019


Силовая электроника www.electronics.ru

Фокус номера

№8 (00189) 2019 ЭЛЕК ТР ОНИК А наука | технология | бизнес 43


Силовая электроника www.electronics.ru

соединения, печатные проводники, переходные и  кре- 2003. № 6. С. 28–34. – h


​ ttps://www.kit-e.ru/assets/files/
пежные отверстия, маркировку и прочую информацию, pdf/2003_06_28.pdf
необходимую для удобства проектирования, изготовле- 3. Ouyang Ziwei, Thomsen Ole Cornelius, Andersen
ния и эксплуатации изделия. Michael A. E.  Optimal Design and Tradeoffs Analysis for
С  увеличением частоты переключений импульсных Planar Transformer in High Power DC-DC Converters. – ​
преобразователей постоянного напряжения все чаще International Power Electronics Conference – E
​ CCE ASIA – ​
в схемах применяются планарные трансформаторы и ин- IPEC-Sapporo 2010 IEEE.
дуктивности, методики проектирования которых полу- 4. TOPSwitch-­GX Flyback Design Methodology Application
чили развитие в последнее время, о чем свидетельствует Note AN‑32. – https://www.power.com/sites/default/files/
большое количество публикаций в отечественной и зару- PDFFiles/an32.pdf
бежной литературе. 5. Design Guide for Off-line Fixed Frequency DCM Flyback
Converter. – ​https://www.mouser.com/pdfdocs/2–8.pdf
Литература 6. BM2P0XX series PWM Buck-­Boost converter
1. Терейковский А. Потери в обмотках вследствие эффекта Technical Design. – ​https://www.rohm.com/
близости / Пер. статьи Dr. Ray Ridley. – documents/11405/3315897/Applicationnote_BM2P0XX_
https://mp36c.ru/pdf/library/articles/T_L/Потери_в_ flyback_ iso_revA_EN.pdf
обмотках_вследствие_эффекта_близости.pdf 7. Шихов С. Проектирование планарных силовых трансфор-
2. Шихов С. Планарные трансформаторы на основе мно- маторов // Компоненты и технологии. 2003. № 7. С. 22–27. –​
гослойных печатных плат // Компоненты и технологии. https://www.kit-e.ru/assets/files/pdf/2003_07_22.pdf

Готовится к изданию

ОСНОВЫ СИЛОВОЙ
М.: ТЕХНОСФЕРА,
2019. — ок. 300 с.

ЭЛЕКТРОНИКИ
А. И. Белоус, С. А. Ефименко, В. А. Солодуха
Это третье издание всемирно известного «Справочника по радио-
локации». В нем нашли отражение новые усовершенствованные
технологии радиолокации. Некоторые темы предыдущих изда-
ний справочника, утратившие свою актуальность, были исключены
из настоящего издания.
Справочник является результатом усилий как специалистов
по общим вопросам, так и экспертов по специальным разделам
радиолокации.
Книга будет полезна для инженеров, участвующих в разработке,
производстве и эксплуатации радиолокационных систем.

Как за­ка ­зать на­ши кни­ги?


✉ 125319, Моск­ва, а/я 91;   +7 495 2340110; ℻ +7 495 9563346; knigi@technosphera.ru, sales@technosphera.ru

44 ЭЛЕК ТР ОНИК А наука | технология | бизнес №8 (00189) 2019


Силовая электроника www.electronics.ru

Фокус номера

№8 (00189) 2019 ЭЛЕК ТР ОНИК А наука | технология | бизнес 45