Лабораторная работа № 2

Снятие вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов

2.1 Цель лабораторной работы: исследовать режимы работы германиевого и

кремниевого диодов при подаче прямого и обратного напряжений и на основании
полученных результатов построить вольтамперные характеристики полупроводниковых
диодов.

2.2 Общие теоретические положения

Основным элементом полупроводниковых диодов является p-n переход,
разделяющий два полупроводника с различной примесной проводимостью. Такой переход
обладает вентильными свойствами, т.е. пропускает электрический ток в одном
направлении.
Различают два основных вида диодов: плоскостные и точечные.
Первые применяются для выпрямления переменного тока, а вторые для
детектирования сигналов. В первых используется p-n переход, имеющий относительно
большую площадь, а во вторых – контакт между полупроводником и металлическим
острием.
В микрозоне полупроводника под острием возникает p-проводимость, а в
прилегающей к ней зоне – n-проводимость. Площадь p-n перехода в этом случае очень
мала, а, следовательно, мала и его ёмкость, что позволяет применять такие диоды для
детектирования высокочастотных маломощных сигналов.
Плоскостные диоды изготавливаются главным образом методами сплавления
(вплавления) или диффузии.

Рис. 12. Устройство диодов.

Рассмотрим свойства p-n-перехода, возникающего при соприкосновении двух

полупроводников с различными типами электропроводимости.
Если до соприкосновения в обоих полупроводниках электроны, дырки и
неподвижные ионы распределены равномерно, то при соприкосновении полупроводников
в пограничном слое происходит рекомбинация (воссоединение) электронов и дырок.
Свободные электроны из зоны полупроводника n-типа занимают свободные уровни в
валентной зоне полупроводника р-типа. В результате вблизи границы двух
полупроводников образуется слой, лишенный подвижных носителей заряда и поэтому
обладающий высоким электрическим сопротивлением,— так называемый запирающий
слой. Толщина запирающего слоя обычно не превышает нескольких микрометров.
Расширению запирающего слоя препятствуют неподвижные ионы донорных и
акцепторных примесей, которые образуют на границе полупроводников двойной
электрический слой. Этот слой определяет контактную разность потенциалов
(потенциальный барьер) на границе полупроводников. Возникшая разность потенциалов
создает в запирающем слое электрическое поле, препятствующее как переходу электронов
из полупроводника n-типа в полупроводник р-типа, так и переходу дырок в
полупроводник n-типа. В то же время электроны могут свободно двигаться из
полупроводника р-типа в полупроводник n-типа, точно так же как дырки из
полупроводника n-типа в полупроводник р-типа. Таким образом, контактная разность
потенциалов препятствует движению основных носителей заряда и не препятствует
движению неосновных носителей заряда.
Если к p-n-переходу приложить внешнее напряжение, которое создает в запирающем
слое электрическое поле, совпадающее по направлению с полем неподвижных ионов, то
это приведет лишь к расширению запирающего слоя, так как отведет от контактной зоны
и положительные, и отрицательные носители заряда (дырки и электроны).
При этом сопротивление p-n-перехода велико, ток через него мал — он обусловлен
движением неосновных носителей заряда. В этом случае ток называют обратным, а p-n-
переход — закрытым.
При противоположной полярности источника напряжения внешнее электрическое
поле направлено навстречу полю двойного электрического слоя, толщина запирающего
слоя уменьшается и при напряжении 0,3—0,5 В для германиевых диодов и 0,6-0,7 В для
кремниевых запирающий слой исчезает. Сопротивление p-n-перехода резко снижается, и
возникает сравнительно большой ток. Ток при этом называют прямым, а переход—
открытым. Сопротивление открытого p-n-перехода определяется только сопротивлением
полупроводника.
Краткие замечания.
Полупроводниковый диод обладает свойствами электрического вентиля, т.е. имеет
малое прямое и очень большое обратное сопротивления.
Качество диода тем выше, чем больше отношение Rобр/Rпр.
Диоды одного типа могут иметь большой разброс параметров, поэтому следует их
разбраковывать, измеряя параметры или снимая вольт-амперную характеристику.
Снимая характеристики кремниевого и германиевого диодов и сравнивая их, можно
убедиться, что у кремниевых диодов обратный ток гораздо меньше (обратное
сопротивление гораздо больше), а прямой ток возникает при больших, чем у германиевого
диода, прямых напряжениях.

2.3 Техническое оснащение лабораторной работы

Для выполнения лабораторной работы необходим персональный компьютер с

операционной системой Windows 2000 и выше, процессором не ниже Intel Pentium Core
1800 МГц, 512 Мб ОЗУ.
Требуемое программное обеспечение: система схемотехнического моделирования
Electronics Workbench 5.0

2.4 Порядок и методика проведения лабораторной работы

 Из таблицы 2 взять задание по варианту.

Таблица 2
№ варианта Исходные данные для моделирования
(тип диода из библиотеки general2)
Василевски BY228
й
Гусельников BY396P
Егебай BY397P
 Жаканова BY398P
Зейнулла BY399P
Сакенов BY500-100
Суслова BY500-200
Фёдоров BY500-400
Таниев BY500-800
Бейсенов BYM12-100
Жаксылык BYM12-150
Уакасов BYM12-200
Зияхмет BYM12-300
Байтуринов BYM12-400
Куриленко BYM12-50
Омурбаева BYM13-20
Каршиганов BYM13-30
Барлыков BYM13-40
Тугаева BY398P
Амангельды BY396P
Негматолла BY399P
Мажитов BY500-200
Габдуллин BY228
Годорожа BY500-800

 Введите схему для испытаний диодов (рис.13) в поле Electronics Work Bench.
 Установите внутреннее сопротивление амперметра равным 1 пикаом и внутреннее
сопротивление вольтметра - 10 мегаом.

Рисунок 13

Снимите вольт-амперные характеристики (зависимость тока от напряжения) для

выбранного диода. Результаты измерений занесите в таблицу 3. На схеме указано прямое
включение диода, т.е. эта схема для заполнения столбца I, пр. , (мА).
Чтобы заполнить столбец I, обр. , (мкА) надо в схеме перевернуть диод, т.е. включить его
в схему наоборот.
U, пр. и U, обр., указанные в соответствующих столбиках, надо выставлять, как
напряжение батареи, пр – это прямое напряжение для диода, обр – обратное.
Кто не понял, снова и подробно поясняю: для заполнения столбца I, пр. , (мА) надо 10
раз менять напряжение на батарее, величина этого напряжения берётся из столбика U, пр.
Затем переворачиваете диод и опять повторяете измерения 10 раз для обратного
напряжения (меняется от 20 до 900) и заполняете столбик I, обр. , (мкА). Для последних 2
столбцов рассчитываете значения по закону Ома.

Таблица 3
U, пр., (В) I, пр. , (мА) U, обр. , (В) I, обр. , (мкА) R, пр. (Ом) R, обр. (Ом)
 0 0
0,2 20
0,3 50
0,4 100
0,5 200
0,6 300
0,7 400
0,75 500
0,8 600
0,85 750
0,9 900

 Постройте вольтамперные характеристики для испытанного диода в

прямоугольной системе координат. Масштабы токов и напряжений,
откладываемых по осям в прямом и обратном направлениях, следует выбрать
различными.(не обязательно)
 Рассчитайте прямые и обратные сопротивления диода.(Закон Ома)
 Оформите отчёт по лабораторной работе. Отчёт должен содержать:
a) Титульный лист с названием работы
b) Цель работы
c) Задание на лабораторную работу.
d) Схему измерительной установки с обоснованием её выбора.
e) Таблицы результатов проведённых экспериментов.
f) График ВАХ испытанного диода в прямоугольной системе координат(не
обязательно)
g) Результаты расчёта прямого и обратного сопротивлений диода.
h) Выводы по работе.

2.5 Контрольные вопросы

a) В каких условиях должен работать диод, чтобы при прохождении прямого тока
не возникал опасный перегрев, а при прохождении обратного не было пробоя?
b) Почему диоды не могут выпрямлять малые переменные напряжения порядка 0,2
—0,3 В и меньше?
c) Рассчитайте прямое сопротивление диода при прямых напряжениях 0,6 и 0,8 В,
используя снятую характеристику.
d) Используя измеренные параметры диода, рассчитайте его обратное
сопротивление.
e) Какие характеристики диода влияют на его качество?

(Напоминаю всем студентам: в день, когда у вас есть занятие по какой-

либо дисциплине, надо зайти на сайт и скопировать из любого урока
любой файл. Копировать можно повторно файлы. Этим отмечается
ваша активность на сайте. Если это делать, то считается, что вы
пропустили занятие и рейтинг ваш уменьшится)