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co
Señal Estı́mulo
mismo grupo suelen utilizar dispositivos comunes tanto en las ◦ Espectroscopia de plasma inducido por láser
fuentes como en el acondicionamiento de la senal estı́mulo, y (LIBS).Es un tipo de espectroscopia de emisión
los fundamentos teóricos de la interacción de la señal estı́mulo atómica que emplea como fuente de excitación
con la muestra suelen ser tambien los mismos. En este sentido, láseres de alta energı́a. Una de las grandes ven-
es posible realizar la siguiente clasificación de la señal estı́mulo: tajas de la técnica LIBS es la posibilidad de
analizar cualquier sustancia independientemen-
Radiacion electromagnética (fotones). Las técnicas se te del estado de agregación
agrupan a su vez, dentro de este apartado, en función de la
energı́a de la radiación incidente. En las técnicas tratadas
se usan los siguientes rangos de energia: Metodologı́a
Señal Analı́tica
donde:
Ventana de divergencia: se coloca en el camino del haz
incidente, antes de la muestra. Limitan la divergencia del Figura 4: Esquema de Difracción de rayos X
haz incidente y por tanto el área “iluminada” en la muestra.
Su principal función es disminuir el background aunque a
costa de disminuir la intensidad de los haces difractados. Raman
Para obtener el espectro implementando la técnica Raman,
Ventana de dispersión: se coloca inmediatamente des- se usó el microspio confocal Raman LabRAM HR Evolution. Se
pués de la muestra. compone de un sistema fotomecánico encargado de colimar y
controlar la luz proveniente de un láser que va a incidir sobre la
Ventana del detector: se coloca antes del detector. Cuan- muestra, de un microscopio óptico, donde se pone la muestra e
to menor es su abertura mayor es la resolución obtenida incide el haz, y el monocromador, encargado de descomponer la
pero menor la intensidad obtenida. luz en las diferentes longitudes se onda. En la figura 6 se muestra
el esquema óptico básico de este tipo de microscopios, y en el
Ventanas Soller: consisten en un conjunto de finas pla- instrumento utilizado se muestra en la figura 5.
cas metálicas paralelas al cı́rculo del difractómetro. Estas
placas eliminan una gran proporción de rayos inclinados
respecto al plano del cı́rculo del difractómetro.
Absorción UV
El equipo utilizado en este experimento fue el espectrómetro
UV-2600 (ver figura 7), de la empresa SHIMADZU, el cual
trabaja en el rango del ultravioleta y del visible. Para hacer que
funcione como un espectrofotómetro de reflectancia, lo primero
que hay que hacer es instalar la esfera integradora, como se
muestra en la figura 8. Es importante instalarla antes de prender
el equipo y ası́ evitar daños permanentes. Luego se prende el
equipo y se introduce la muestra. Las medidas son llevadas a
cabo colocando la muestra frente a un ventana de donde incide
luz, para luego concentrar la luz reflejada por la muestra en
un detector por medio de la esfera. La reflectancia obtenida es
medida respecto a la reflectancia de una lámina blanca estándar.
Figura 9: Esquema principal del espectrómetro
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EDS Y SEM Una vez introducida la muestra, tal como en la figura 12, se
Para la realización de esta técnica se implementó el equipo hace incidir cierta cantidad modulada de electrones en dirección
conocido como Microscopio Electrónico de Barrido FEG (Field a la muestra de tal forma que habrán electrones dispersados,
Emission Gun) QUANTA FEG 650. Tomado bajo las siguientes electrones Auger y electrones secundariosque se verán reflejados
condiciones: por la muestra, de igual forma que también habrán electrones
absorbidos y otros transmitidos, sin embargo, el porpósito de esta
Voltaje de aceleración 15 Kv técnica es detectar los rayos x caracterı́sticos de cada muestra y
Detector EDAX APOLO X resolución de 126.1 eV (en. ası́ poder determinar su composición.
Mn Kα) para realizar análisis EDS (Energy-Dispersive
Spectroscopy)
Software EDX Genesis. información semi-cuantitativa de
los elementos quı́micos.
Figura 14: Microscópio Electrónico de Barrido junto al ordenador que Identificación de todos los elementos presentes (excepto
presenta los respectivos espectros obtenido por la técnica H y He) en concentraciones mayores al 0.1 %.
EDS. Determinación semicuantitativa de la composición ele-
mental de la superficie (error ¡ 10 %).
Por otro lado, para la obtención de las imágenes de alta Información del entorno molecular: estado electrónico o
resolución técnica SEM con el mismo equipo, se tomaron bajo de oxidación, átomos enlazantes, orbitales moleculares,
las siguientes condiciones: etc.
Información de grupos quı́micos orgánicos e inorgánicos.
Alto vacı́o. Perfiles de profundidad de 10 nm no destructivos.
voltaje de aceleración 15 kV para los electrones. Variaciones laterales en la composición de la superficie.
Para la caracterización de la morfologı́a se implementaron:
Electrones secundarios, con el detector Everhart Thornley El fundamento de la técnica se representa en el siguiente
detector ETD. esquema:
Para la caracterización de la composición, se implemen-
taron: Electrones retrodispersados con el detector Back
scattered electrón detector (BSED) tipo SSD.
XPS
Para la realización de esta técnica se implementó el equipo
conocido como Espectrometro fotoelectrónica de rayos X, los
experimentos XPS se grabaron usando la plataforma de caracte-
rización de superficies XPS / ISS / UPS construida por SPECS
(Alemania). La plataforma está provista de un analizador de
energia PHOIBOS 150 2D-DLD. Durante el análisis la presión
en la cámara de análisis fue aproximadamente 1 × 10−9 Pa . Para
las mediciones se utilizó una fuente de rayos-X Al Kα1 monocro-
matizada (FOCUS 500) operada a 100W. La energia de paso
del analizador hemisférico se fijó en 100 eV para los espectros
generales y en 30 eV para los espectros de alta resolución. La
compensación de carga superficial se controló usando un Flood
Gun (FG 15/40 -PS FG 500 ) el cual fue operado a 58µA−2,5eV: Figura 16: Esquema del funcionamiento del XPS
Raman
Principio fı́sico
El espectro raman consiste en la comparación entre la in-
tensidad de la luz emitida y la recibida por un material que la
recibe con una banda muy pequeña de longitudes de onda. Por
lo tanto, con este espectro se puede analizar la respuesta del
material al interactuar con la luz. Como los átomos o las molécu-
las se encuentran en un cristal, las respuestas generalmente son
vibracionales. La vibraciones pueden ser longitudinales o trans-
versales y por flexión o estiramiento. La luz interactúa con la
molécula del cristal, y distorsiona la nube electrónica de tal ma-
Figura 18: Difractograma de la muestra nera que se forma un estado excitado inestable(de corto tiempo)
o estado virtual. Como no es estable, este emite un fotón cuando
se hará uso de la ley de bragg para hallar la distancia entre vuelve a su estado original, con la misma frecuencia de la luz
los planos de difracción con n = 1: incidente. Este proceso es llamado dispersión elástica o disper-
sión de Rayleigh. Si durante el proceso se produce movimiento
nλKα1 = 2dhkl sen(θ) nuclear, la energı́a puede ser transferida del fotón incidente a la
molécula, o de la molécula al fotón dispersado, produciendo una
λ K α1 0,1541 dispersión inelástica y puede variar, respecto a la energı́a del
dhkl = = fotón incidente, en una unidad vibracional [3]. Ahora, si después
2sen(θ) 2sen(θ)
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(1 − R)2
F(R) = (1)
2R
Figura 36: Espectro General de la muestra en función de la energı́a Figura 38: Espectro del C de la muestra en función de la energı́a de
de enlace entre los átomos enlace entre los átomos
A continuación en los siguientes espectros se analiza por O (1s): En los espectros se ve que los conteos por segundo
secciones del espectro general para identificar con el software (CPS) va de 200 - 1200 esto puede llevar que el oxı́geno
CasaXPS los elementos que tiene la muestra y de que orbital en la muestra este en altas concentraciones y puede ser
es la medición tanto en función de la energı́a cinética de los que el oxı́geno esta enlazado con otros dos elementos para
electrones excitados y la energı́a de enlace entre los átomos que el tenga intensidades altas.
repectivamente:
La relación que une los dos espectro para cada elemento es:
E B = hν − Ek
V200.
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V240.
V280.
V496. V627.
V584. V714.
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y sodio, los cuales pueden corresponder a posibles impurezas de je de error menor al 2 porciento.
fabrica y de manipulación durante el prodeso de poner la mues- Con el espectro EDS se logró indentificar a la muestra
tra en el portamuestras desde su envase inicial. Adicionalmente, como Silicio, además con las imagenes de alta resolición
con las imagenes de SEM fue posible determinar la morfologı́a SEM, se pudo asociar el aspecto morfológico que pre-
del material y con esto realizar una correlación con el resultado senta una muestra de Silicio, a pesar que tenı́a algunas
arrojado por parte de los espectros EDS, de esto se puede decir, impurezas sobre su superficie.
que el material no es una mezcla totalmente homogénea, esto se Con el espectros del XPS se logro obtener la energı́a de
evidención debido a los cambios de tonalidad sobre la superficie, los enlaces entre los elementos de la muestra, la cual es
hendiduras y no uniformidades (protuberancias), presentes en su mayorı́a es de Silicio.
dicha muestra. Con los espectros de LIBS se logra identificas que la
muestra es vidrio o Silicio.
Por último con la técnica XPS se logró de determinar los
elementos que posee la muestra en función de la energı́a de
enlace y la energı́a cinética, de la cual se identifica que los ele- Referencias
mentos que predominan el azufre, silicio y oxı́geno esto puede
ser que halla enlaces entre el azufre con el oxı́geno igual pa- [1] Faraldos, M., Goberna, C. (Eds.). (2011). Técnicas de análisis y caracteri-
ra el Silicio en la mayorı́a de la muestra, en cambio el carbono zación de materiales. Editorial CSIC Consejo Superior de Investigaciones
y el germanio puede ser impurezas en la fabricación del material. Cientı́ficas.
[2] Lazić, D. (2019). Short Instructions for Raman Microscope Horiba Xplora.
Application of Molecular Methods and Raman Microscopy/Spectroscopy in
Adicionalmente, se hizo una técnica de más llamada LIBS Agricultural Sciences and Food Technology, 199.
la cual me dice los espectros de la composición elemental de [3] Smith, Ewen, and Geoffrey Dent. Modern Raman spectroscopy: a practical
approach. John Wiley Sons, 2019.
la muestra y como se observa que la muestra es un pedazo de [4] Borowicz, Paweł, et al. ”Deep-ultraviolet Raman investigation of silicon oxi-
vidrio o Silicio. de: thin film on silicon substrate versus bulk material..Advances in Natural
Sciences: Nanoscience and Nanotechnology 3.4 (2012): 045003.
[5] Borowicz, P., Latek, M., Rzodkiewicz, W., Łaszcz, A., Czerwinski, A.,
Ratajczak, J. (2012). Deep-ultraviolet Raman investigation of silicon oxide:
Conclusiones thin film on silicon substrate versus bulk material. Advances in Natural
Sciences: Nanoscience and Nanotechnology, 3(4), 045003.
Se logró determinar la composición quı́mica del material [6] https://www.iue.tuwien.ac.at/phd/hollauer/node11.html
[7] https://www.researchgate.net/post/how_to_find_the_band_
mediante las 7 técnicas de caracterización haciendo uso gap_from_diffuse_reflectance_spectra
de diferentes principios fı́sicos y equipos. [8] Escobedo-Morales, A., Ruiz-López, I. I., Ruiz-Peralta, M. D., Tepech-
Con el difractograma se puede obtener caracterı́sticas de Carrillo, L., Sánchez-Cantú, M., Moreno-Orea, J. E. (2019). Automated
method for the determination of the band gap energy of pure and mixed pow-
la red cristalina de la muestra, la cual es FCC.
der samples using diffuse reflectance spectroscopy. Heliyon, 5(4), e01505.
Con el espectro Raman se identificó el material del que [9] https://www.shimadzu.com/an/molecular_spectro/uv/
está compuesto la muestra, dióxido de silicio, con impure- accessory/solidsample/solid.html
zas de carbono. [10] http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/Tables/
Semgap.html
Con el espectro de reflectancia se obtuvo el valor experi- [11] Zaidel, A. (2013). Tables of spectral lines. Springer Science Business
mental de la brecha energética del silicio con un porcenta- Media.