Photovoltaic Project PDF

Projet de fin d’études
La noblesse d’une œuvre ne se mesure pas par l’œuvre elle-même, mais plutôt par la
manière dont cette dernière est accomplie.
i
ISSOUFOU DIORI Hamadou 2012-2013
Résumé du rapport
L’objectif de ce projet consiste principalement à concevoir un hacheur survolteur muni de sa
commande numérique lui permettant d’extraire la puissance maximale du générateur photovoltaïque. En
effet, le générateur photovoltaïque est une alimentation fluctuante en énergie électrique à cause des
variations d’éclairement et de la température. Ce qui cause une diminution du rendement dans le système
de pompage d’eau au fil du soleil (sans batteries d’accumulateurs) installé en zones isolées des réseaux
électriques conventionnels. Pour réduire le coût de l’installation afin d’optimiser l’énergie électrique, il
faut concevoir un système qui contraindra le générateur à délivrer sa puissance maximale (MPPT).
The objective of this project is mainly to design a boost converter equipped with a numerical
control allowing it to extract the maximum power from the photovoltaic generator. Indeed, the PV
generator is a fluctuating electrical power due to variations in illumination and temperature. What causes
a decrease in performance in the water pumping system over the sun (without storage batteries) installed
in remote areas of conventional power grids. To reduce the cost of installation to optimize electrical
energy, we must design a system that will force the generator to deliver its maximum power (MPPT).
Mots clés : Photovoltaïque, pompage au fil du soleil, Hacheur survolteur, boost, Perturbation et
Observation, commande MPPT, PIC.
ii
Dédicaces
Toutes les lettres ne sauraient trouver les mots qu’il faut…
Tous les mots ne sauraient exprimer la gratitude…
Aussi, c’est tout simplement que je dédie ce projet de fin d’étude :
A mes chers parents
L’éducation est le meilleur cadeau qu’un père ou une mère peut donner à son enfant. Cette éducation qui
nous permettait de distinguer le mal du bien tout en nous rappelant notre origine. Quelle fierté de vous
avoir comme éducateurs !
Vous êtes pris aujourd’hui par l’âge et je prie DIEU de part sa miséricorde de prendre soin de vous
comme vous avez pris soin de moi.
A mes frères et sœurs
Vous êtes comme les supporteurs dans un match de football, sans vous, pas d’engouement, ni de courage
pour affronter les épreuves de la vie. Vous êtes toujours là au moment où on a surtout besoin de vous.
A mes amis
Dans notre culture, l’on dit qu’il y a des amitiés qui dépassent certains liens de parenté. Je ne suis pas sûr
que ce soit comparable, mais je peux dire que vous êtes des êtres avec qui nous avons partagé, nous
partageons et nous partagerons sans doute les mêmes galères et les mêmes bonheurs.
iii
Remerciements
J’adresse ici mes sincères remerciements à:
 Monsieur Zaoui Alaya, responsable de High Tech Ingenieries pour nous avoir proposé ce projet ;
 Monsieur Sami Hassine qui nous a aménagé aucun effort pour la réussite de ce travail ;
 Monsieur Mimouni M. Faouzi qui nous a gratifié de sa disponibilité pendant l’élaboration de ce
projet ;
 Tous les enseignants de polytechnique qui nous ont, d’une manière ou d’une autre, fait profité de
leur savoir combien important pour notre carrière professionnelle. Lorsqu’on s’arrête un petit
moment tout en se rappelant de ces trois ans passés avec vous, nous nous disons tout simplement
quelle chance avions-nous de vous avoir comme enseignant. L’avenir nous en dira beaucoup!
 Tous ceux qui ont de près ou de loin contribué à l’amélioration de ce projet de fin d’études.
iv
Sommaire
Glossaire.......................................................................................................................................................................................................... 1
Liste des figures ............................................................................................................................................................................................ 3
Liste des abréviations ............................................................................................................................................................................... 4
INTRODUCTION GENERALE............................................................................................................................................................. 5
CHAPITRE 1 : ENERGIE ET SYSTEME PHOTOVOLTAIQUE ............................................................................................. 8
1.1. Introduction................................................................................................................................................................................. 9
1.2. Principe de fonctionnement d’une cellule photovoltaïque ........................................................................................... 9
1.3. Schéma équivalent ..................................................................................................................................................................11
1.4. Caractéristiques électriques (Schéma réel) .....................................................................................................................12
1.5. Influence des paramètres externes .....................................................................................................................................16
1.5.1. Influence de l’éclairement ..........................................................................................................................................16
1.5.2. Influence de la température ........................................................................................................................................17
1.6. Le générateur photovoltaïque..............................................................................................................................................19
1.6.1. Association série ............................................................................................................................................................19
1.6.2. Association parallèle ....................................................................................................................................................19
1.6.3. Association mixte (Série + Parallèle) .....................................................................................................................20
1.6.4. Sécurité des modules solaires ....................................................................................................................................20
1.6.4.1. Diode by-pass .............................................................................................................................................................21
1.6.4.2. Diode anti-retour ........................................................................................................................................................21
1.7. Le Système de Pompage Photovoltaïque au Fil du Soleil .............................................................................................21
1.7.1. Constitution du système de pompage PV au fil du soleil ......................................................................................21
1.7.1.1. Le générateur PV .......................................................................................................................................................23
1.7.1.2. Pompe électrique immergée ...................................................................................................................................23
1.7.1.3. Régulateur de puissance ..........................................................................................................................................23
1.7.1.4. Le stockage d’eau ......................................................................................................................................................24
1.7.2. Problématiques du système .............................................................................................................................................24
1.7. Conclusion ...................................................................................................................................................................................26
CHAPITRE 2: LE HACHEUR SULVOLTEUR .............................................................................................................................27
2.1. Introduction .................................................................................................................................................................................28
2.2. Généralités ...................................................................................................................................................................................28
2.3. Constitution et Etude du fonctionnement du hacheur survolteur ...............................................................................29
2.3.1. Constitution et Présentation du boost .........................................................................................................................29
2.3.2. Etude du fonctionnement du hacheur survolteur ....................................................................................................31
v
2.3.2.1. Conduction Continue...............................................................................................................................................31

2.3.2.2. Conduction discontinue ..........................................................................................................................................37
2.3.2.3. Conduction critique .................................................................................................................................................38
2.3.2.4. Caractéristiques de sortie statique .......................................................................................................................38
2.4. Dimensionnement du hacheur survolteur ..........................................................................................................................39
2.4.1. Cahier de charges ..............................................................................................................................................................39
2.4.2. Cellule de commutation ..................................................................................................................................................40
2.4.2.1. Choix de l’interrupteur D .......................................................................................................................................41
2.4.2.2. Choix de l’interrupteur Int .....................................................................................................................................41
2.4.3. Composants réactifs .........................................................................................................................................................42
2.4.3.1. Choix de l’inductance L .........................................................................................................................................42
2.4.3.2. Choix du condensateur C .......................................................................................................................................42
2.4.2. Résultats de simulation sur PSIM ...............................................................................................................................42
2.4.2.1. Simulation du hacheur boost sur logiciel PSIM .............................................................................................43
2.4.2.2. Interprétations des courbes ....................................................................................................................................46
2.4. Conclusion ...................................................................................................................................................................................47
CHAPITRE 3: COMMANDE NUMERIQUE DU BOOST .......................................................................................................48
3.1. Introduction .................................................................................................................................................................................49
3.2. Algorithme de commande MPPT .........................................................................................................................................49
3.2.1. Généralités ..........................................................................................................................................................................49
3.2.2. L’algorithme perturbation et observation (Perturb & Observe : P&O) ...........................................................50
3.3. Implémentation de l’algorithme dans le microcontrôleur PIC ....................................................................................52
3.3.1. Le microcontrôleur ...........................................................................................................................................................52
3.3.2. Constitution du PIC18F4550.........................................................................................................................................52
3.3.3. Génération du signal MLI (PWM) ..............................................................................................................................53
3.3.4. Le programme de commande en langage C .............................................................................................................54
3.3.5. Acquisition de la tension ................................................................................................................................................55
3.3.6. Acquisition du courant d’entrée du hacheur .............................................................................................................55
3.3.7. Le programme de l’algorithme en langage C .........................................................................................................56
3.4. Résultats des simulations de la commande .......................................................................................................................57
3.5. Conclusion ...................................................................................................................................................................................58
CONCLUSION GENERALE ...............................................................................................................................................................59
BIBLIOGRAPHIE .....................................................................................................................................................................................62
ANNEXES ...................................................................................................................................................................................................64
vi
Glossaire
Iph : Le photo-courant (A)
Rsh: Résistance shunt (Ω)
Rs: Résistance série (Ω)
Id : Courant diode (A)
V : Tension de sortie (V)
Ish : Courant dans la résistance shunt (A)
I : courant délivré par la cellule (A)
E : Eclairement (W/m2)
n : coefficient d’idéalité de la jonction
K : constante de Boltzmann (K=1.38.10-23 j/k)
T : Température ambiante (oK)
q : charge d’électron (q=1.602.10-19)
Io : courant de saturation inverse de la diode (A)
Ior : courant de saturation inverse de la diode à la température de référence (A).
Vt : potentiel thermodynamique (V)
Tc : température de la jonction (oK)
Tr : température de référence de la cellule (298oK)
Eg : bande de gap pour semi-conducteur (1.11eV)
Iopt : courant correspondant à la puissance maximale (A)
Vopt : tension correspondant à la puissance maximale (V)
P : Puissance de la cellule photovoltaïque (W)
Pmax : Puissance maximale de la cellule (W)
Vco : Tension à vide aux bornes de la cellule (V)
S : Aire totale des cellules (m2)
1
Pthéo : Puissance théorique (W)
Icc : Courant de court-circuit (A)
Po : Puissance incidente (W)
2
Liste des figures

Figure 1.1: Principe de fonctionnement d’une cellule photovoltaïque......................................................................................10
Figure 1.2: Schéma équivalent d’une cellule photovoltaïque.......................................................................................................11
Figure 1.3: Schéma équivalent d’une cellule photovoltaïque idéale..........................................................................................12
Figure 1.4: Caractéristique électrique I=f(V) d’un générateur photovoltaïque ...................................................................13
Figure 1.5: Caractéristique électrique P=f(V) d’un générateur photovoltaïque ...................................................................14
Figure 1.6: Schéma équivalent d’une cellule photovoltaïque en court-circuit .......................................................................14
Figure 1.7: Schéma équivalent d’une cellule photovoltaïque à circuit ouvert ........................................................................15
Figure 1.8: L’influence de l’éclairement sur les caractéristiques I=f(V) .................................................................................17
Figure 1.9: L’influence de l’éclairement sur la caractéristique P=f(V) ...................................................................................17
Figure 1.10: L’influence de la température sur les caractéristiques I=f(V)............................................................................18
Figure 1.11: L’influence de la température sur la caractéristique P=f(V) ..............................................................................18
Figure 1.12: Configuration des cellules photovoltaïques ..............................................................................................................19
Figure 1.13: Association des cellules en série...................................................................................................................................19
Figure 1.14: Association parallèle des cellules ................................................................................................................................20
Figure 1.15: Association mixte des cellules .......................................................................................................................................20
Figure 1.16: Schématisation d’un panneau PV avec les protections électriques. .................................................................21
Figure 1.17: Différents types d’énergies intervenant dans le système de pompage au fil du soleil .................................22
Figure 1.18: Système de pompage photovoltaïque au fil du soleil..............................................................................................22
Figure 1.19: Structure avec étage d’adaptation ...............................................................................................................................25
Figure 1.20: Caractéristique I=f(V) d’un GPV et d’une charge résistive ................................................................................25
Figure 1.21: Schéma synoptique du système de pompage photovoltaïque...............................................................................26
Figure 2.1: Familles des convertisseurs statiques ...........................................................................................................................28
Figure 2.2: Schéma de principe du hacheur boost...........................................................................................................................29
Figure 2.3: Signal de commande de l’interrupteur Int ...................................................................................................................30
Figure 2.4: Séquences de fonctionnement d’un hacheur ...............................................................................................................32
Figure 2.5: Formes d’ondes obtenues en conduction continue ...................................................................................................35
Figure 2.6: Forme du courant dans la diode....................................................................................................................................35
Figure 2.7: Forme du courant dans l’interrupteur Int ..................................................................................................................36
Figure 2.8: Formes d’ondes obtenues en conduction discontinue ..............................................................................................38
Figure 2.9: Caractéristiques de sortie paramétrées par α ............................................................................................................39
Figure 2.10: Paramètres du GPV sous PSIM ....................................................................................................................................43
Figure 2.11: Schéma de simulation du hacheur survolteur ..........................................................................................................43
Figure 2.12: La caractéristique de la tension de sortie du hacheur...........................................................................................44
Figure 2.13: La caractéristique de l’ondulation de la tension de sortie du hacheur ...........................................................44
Figure 2.14: La caractéristique du courant IL dans l’inductance du hacheur ........................................................................45
Figure 2.15: La caractéristique de l’ondulation du courant dans l’inductance du hacheur ..............................................45
Figure 2.16: Les formes d’ondes obtenues des principaux signaux respectivement VL, VINT, IL, IINT, ID et IC ..............46
Figure 3.1: Signe de dP/dV à différentes positions de la courbe caractéristique de puissance ........................................50
Figure 3.2: Organigramme de l’algorithme perturbation et observation ................................................................................51
Figure 3.3: Broches du PIC18F4550 ...................................................................................................................................................53
Figure 3.4: Block simplifié pour générer le MLI ..............................................................................................................................54
Figure 3.5: Circuit du capteur de tension ...........................................................................................................................................55
Figure 3.6: Circuit de simulation sur ISIS PROTEUS....................................................................................................................57
Figure 3.7 : Le signal de commande MLI avec α=0.75 .................................................................................................................57
Figure 3.8 : Le signal de commande avec α=0.4 .............................................................................................................................58
3
Liste des abréviations

GPV : générateur photovoltaïque
PV : photovoltaïque
DC/DC : Direct Current/Direct Current ( CC-CC courant continu/courant continu)
AC/DC : Alternating Current/Direct Current (courant alternatif/courant continu)
MOSFET: Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor (transistor à effet de champ à structure métal-
oxyde-semiconducteur)
PWM: Pulse Width Modulation (Modulation à Largeur d’Impulsion)

P&O: Perturbation et Observation
MPP: Maximum Power Point (Point de Puissance Maximale)
MPP : Maximum Power Point Tracking (Recherche de point de puissance maximale)
Logiciels utilisés
MATLAB (Mathworks)
PSIM (Powersys)
CC S COMPILER (ccsinfo)
ISIS PROTEUS (Labcenter electronic)
4
INTRODUCTION
GENERALE
5
Depuis l’antiquité, l’homme a essayé de vivre aussi paisiblement que possible. Aujourd’hui, nous
avons du mal à imaginer un monde sans énergie électrique car faisant partie intégrante de notre quotidien.
Elle facilite énormément la vie. C’est grâce notamment à l’énergie électrique que nous avons : la lumière
pour éclairer surtout nos nuits obscures, les moyens de transport pour se déplacer d’un point à un autre,
les moyens de communication pour s’informer, les soins de santé qui sont améliorés …etc.
Depuis le 18ème siècle jusqu’à nos jours, la grande majorité de l’énergie mondiale est produite à base
des ressources fossiles dont entre autres le charbon, le pétrole et le gaz.
Mais ces ressources restent épuisables alors que le monde devient de plus en plus gourmand en énergie.
En plus, l’utilisation irrationnelle de ces énergies fossiles met la terre et ses habitants de plus en plus en
danger à cause du dérèglement climatique.
Pour ‘‘Sauver ’’ l’humanité, d’autres sources d’énergie appelées les énergies nouvelles et renouvelables
ont vu le jour. Ces dernières utilisent des flux inépuisables d’énergies d’origine naturelle (soleil, vent,
eau, croissance végétale …) tout en restant respectueuses de notre environnement. Les différents types
d’énergies renouvelables sont principalement: l’énergie solaire (thermique et photovoltaïque), l’énergie
éolienne à travers le vent, l’énergie hydraulique (hydroélectrique, marémotrice, hydrolienne …), l’énergie
de la biomasse issue des végétaux et l’énergie géothermique à travers la chaleur dégagée par la terre.
Dans ce projet de fin d’études, l’énergie qui nous intéressera est l’énergie solaire, plus précisément
celle photovoltaïque pour une alimentation en eau de pompage pour les zones isolées. En effet, la
majorité des populations à l’écart des réseaux électriques vit dans des zones rurales, où l’implantation de
tels réseaux est difficile pour des raisons d’accès ou de moyens. Les systèmes photovoltaïques constituent
alors une option intéressante, ils donnent aux populations un accès à l’électricité avec un coût, une
maintenance et des difficultés de mise en œuvre réduits. Néanmoins, ces systèmes n’utilisent pas toute la
puissance disponible à travers le générateur photovoltaïque d’où leur inconvénient majeur. C’est la raison
pour laquelle l’entreprise High Tech Ingénieries à travers son responsable nous a recommandé ce travail
combien intéressant. Il convient alors, dans ce projet d’études intitulé : «optimisation de l’énergie
électrique d’un système de pompage photovoltaïque au fil du soleil » de faire une proposition de solution
pour éliminer cet inconvénient.
Notre rapport de projet est scindé en trois principaux chapitres:

 Dans le premier chapitre, nous étudierons l’énergie et le système photovoltaïque en passant en
revue les caractéristiques essentielles d’une cellule photovoltaïque, et donc d’un générateur
6
photovoltaïque. Ensuite, nous verrons la constitution du système de pompage au fil du soleil en

établissant les problématiques liées au système ;
 Au second chapitre, il convient de proposer une solution tout en respectant les données établies
pour ce projet, d’où l’étude et le dimensionnement du convertisseur statique (le hacheur survolteur
dans notre cas);
 Dans le dernier chapitre, nous présenterons une commande numérique munie principalement d’un
microcontrôleur pour piloter, selon nos attentes, le convertisseur statique en vue de passer à la
réalisation.
7
CHAPITRE 1 :
ENERGIE ET
SYSTEME
PHOTOVOLTAIQUE
8
1.1. Introduction
Le soleil demeure notre plus grande source d’énergie même si elle est intermittente avec
l’alternance jour/nuit. La terre reçoit, chaque année l’équivalent de 10 000 fois la consommation
mondiale en énergie, grâce à l’irradiation du soleil.
En 1839, Edmond Becquerel, un physicien Français, découvre l’effet photovoltaïque qui traite de
la transformation directe de l’énergie solaire en énergie électrique. Mais ce n’est qu’en 1954 que la
réalisation des premières cellules photovoltaïques ont vu le jour dans les laboratoires de la compagnie
Bell Telephone. Très rapidement utilisées pour l’alimentation des véhicules spatiaux, leur développement
a été motivé par la conquête de l’espace. Depuis les années 80 jusqu’à nos jours, cette technologie connait
un essor tout particulier par la mise en place de plusieurs centrales de quelques mégawatts. A travers aussi
de nombreux produits de faible puissance comme les montres, les calculatrices, les balises radio et
météorologiques, les pompes et les réfrigérateurs solaires, les consommateurs sont devenus familiers à
l’énergie photovoltaïque.
Dans ce chapitre, nous allons essayer de voir de plus près comment arrive-t-on à générer cette énergie
avec des détails sur les caractéristiques que constituent les cellules photovoltaïques. Ensuite voir le
passage d’une cellule à un champ photovoltaïque pour entamer la constitution d’un système de pompage
photovoltaïque au fil du soleil.
1.2. Principe de fonctionnement d’une cellule photovoltaïque
La cellule photovoltaïque est fabriquée à base de silicium qui est un matériau semi-conducteur dont
les caractéristiques électriques sont comme celles d’un isolant, mais pour lequel la probabilité qu’un
électron puisse contribuer à un courant électrique, quoique faible, est suffisamment importante. En effet,
la cellule photovoltaïque est composée principalement de 2 couches de silicium placées en contact étroit
l’une avec l’autre :
 Une couche dopée négativement (N) à l’aide du phosphore pour avoir un surplus d’électrons :
borne négative
 Une autre couche dopée positivement (P) à l’aide du bore pour avoir un déficit en électrons
(trous) : borne positive
Ainsi, nous avons une différence de potentiel qui prend naissance. A l’interface de ces deux couches, les
électrons et les trous se combinent et donnent naissance à un champ électrique qui empêche le
9
déplacement des électrons libres et des trous : zone neutre ou jonction PN. Une fois la cellule exposée
au soleil à travers sa borne négative, la lumière (les photons) heurte la surface et met en mouvement les
électrons de la matière : C’est l’effet photovoltaïque. C’est ce qui génère un courant continu recueilli
par des conducteurs pour pouvoir alimenter une charge donnée. Le schéma de principe est illustré par la
figure 1.1 suivante :
Figure 1.1: Principe de fonctionnement d’une cellule photovoltaïque
Les cellules solaires varient en fonction de la technologie utilisée et de la fabrication. Il existe plusieurs
types de cellules solaires dont :
 Cellule au silicium monocristallin : Pour ce genre d’application technologique, le silicium pur

est obtenu à partir de la silice de quartz ou de sable par transformation chimique métallurgique. Le
silicium monocristallin a un rendement électrique et une durée de vie de l’ordre de deux fois celle
du silicium amorphe, mais il est nettement plus cher.
10
 Cellule au silicium polycristallin ou multicristallin : Le silicium polycristallin est un matériau

composé de cristaux juxtaposés obtenus par moulage. Ce matériau est moins coûteux que le
monocristallin. Les cellules carrées ou rectangulaires sont faciles à utiliser.
 Cellule au silicium amorphe : Le silicium amorphe absorbe le rayonnement solaire jusqu’à 100
fois mieux qu’en état cristallin, les cellules sont constituées par des couches très minces.
1.3. Schéma équivalent
Le schéma équivalent d’une cellule photovoltaïque par la figure 1.2 est essentiellement composé
d’éléments suivants :
 Une source de courant qui génère le photo-courant Iph proportionnel à l’éclairement,

 Une diode modélisant le comportement de la cellule étant donné qu’elle est fabriquée à base de
semi-conducteurs,
 Une résistance Rsh due à un courant de fuite au niveau de la jonction. Elle dépend de la façon dont
la cellule a été réalisée,
 Une résistance Rs qui est la résistance interne de la cellule. Elle dépend principalement de la
résistance du semi-conducteur utilisé, de la résistance de contact des grilles collectrices et de la
résistivité des grilles.
Figure 1.2: Schéma équivalent d’une cellule photovoltaïque
Le schéma équivalent simplifié de la cellule photovoltaïque est obtenu en négligeant la résistance Rs et le

courant traversant la résistance Rsh, ainsi donc nous aurons idéalement le schéma de la figure 1.3.
11
Figure 1.3: Schéma équivalent d’une cellule photovoltaïque idéale
1.4. Caractéristiques électriques (Schéma réel)
Le courant de la photopile a pour expression :
I  I ph  I d  I sh (1)
Avec:
 q V  Rs I  
 I d  I 0  exp( )  1 (2)
 nkT 
V  Rs  I
 I sh  (3)
Rsh
On peut faire apparaître le potentiel thermodynamique et le courant de saturation de la diode Io :
3 qEg  1 1 
 Tc  nKT  Tr  Tc 
I o  I or   e (4)
 Tr 
A partir de ces équations précédentes, on peut en tirer l'expression implicite du courant délivré par une
cellule photovoltaïque ainsi que sa caractéristique courant-tension (figure 1.4).
  V  Rs I   V  Rs I
I  Iph  I 0  exp    1  (5)

  Vt   Rsh
12
Figure 1.4: Caractéristique électrique I=f(V) d’un générateur photovoltaïque
Région 1: Le panneau se comporte comme un générateur de courant : le courant est presque constant et
égal au courant de court-circuit.
Région 2: La résistance interne du générateur varie rapidement avec le point de fonctionnement. C’est
dans cette zone qu’est situé le point de fonctionnement pour lequel la puissance fournie par la cellule ou
le générateur est maximale. Ce point est appelé point de puissance optimale ou maximale (maximum
power point MPP en anglais), caractérisé par le couple (Iopt,Vopt).
Région 3: Le panneau se comporte comme un générateur de tension.
 Puissance de la cellule photovoltaïque P=V I
En remplaçant I par son expression, on peut écrire que:
  V  Rs I   V  Rs I
P  V [ Iph  I 0  exp    1  ] (6)

  V t   Rsh
13
Figure 1.5: Caractéristique électrique P=f(V) d’un générateur photovoltaïque
En se basant sur les modèles précédents de la cellule, on peut introduire les paramètres suivants:
 Courant de court-circuit Icc
C’est le courant pour lequel la tension aux bornes de la cellule ou du générateur (PV) est nulle (Figure
1.6). Dans ce cas, en annulant la tension V dans la caractéristique I=f(V), on obtient la formule (7).
Figure 1.6: Schéma équivalent d’une cellule photovoltaïque en court-circuit
14
  Rs.Icc   Rs. Icc

I CC  IPh  I 0  e    1  (7)

  Vt   Rsh
 RI  
Dans la plupart des cellules, la résistance Rs est faible, on peut donc négliger le terme I 0  e  s CC   1
  Vt  
L’expression approchée du courant de court-circuit est alors :
I Ph
I cc   I Ph (8)
Rs
1
Rsh
 Tension du circuit ouvert Vco
C’est la tension V pour laquelle le courant débité par la cellule est nul, comme sur la figure 1.7 : c’est
la tension maximale aux bornes de la cellule.
Figure 1.7: Schéma équivalent d’une cellule photovoltaïque à circuit ouvert
  Vco   Vco
0  IPh  I 0  e    1  (9)
 V 
  t   Rsh
Dans le cas idéal (Rsh très grande), sa valeur est légèrement inférieure à :
15
 I 
Vco  Vt ln 1  Ph  (10)
 I0 
 Facteur de forme
On appelle facteur de forme FF (filling factor), le rapport entre la valeur maximale de la puissance
(Vopt.Iopt) pouvant être extraite de la photopile sous les conditions de mesures standardisées et la
puissance qu’il est théoriquement possible d’obtenir (Vco.Icc). Ce facteur de puissance permet de
déterminer la qualité de la cellule.
Pmax Vopt.Iopt
FF   (11)
Pthéo Vco.Icc
 Rendement
C’est le rapport entre la puissance électrique maximale fournie par la cellule Pmax et la puissance
solaire incidente Po. Il est donné par :
Pmax Vopt.Iopt
  (12)
Po E.S
Avec Po qui est égale au produit de l’éclairement et de la surface totale des photopiles. Ce paramètre
reflète la qualité de conversion de l’énergie solaire en énergie électrique.
1.5. Influence des paramètres externes
Pour voir l’influence des paramètres externes sur le générateur PV, nous avons utilisé le logiciel
MATLAB afin de simuler les caractéristiques électriques de notre panneau (voire schéma bloc
SIMULINK/MATLAB et caractéristiques électriques du module à l’annexe A).
1.5.1. Influence de l’éclairement
L’augmentation d’ensoleillement (flux lumineux) se traduit par un déplacement important de la

caractéristique I=f(V) suivant l’axe des courants et évidemment une variation de la puissance délivrée.
Sur la figure 1.6, on remarque que l’accroissement du courant de court-circuit Icc est beaucoup plus
important que celui de la tension à circuit ouvert Vco étant donné que Icc est une fonction linéaire de
l’éclairement E, alors que celui de la tension à circuit ouvert est logarithmique.
16
Figure 1.8: L’influence de l’éclairement sur les caractéristiques I=f(V)
La figure 1.9 illustre la variation de la puissance délivrée par le générateur en fonction de la

tension pour différentes valeurs d’éclairement, ce qui nous permet de déduire l’influence de l’éclairement
sur la caractéristique P=f(V) : plus l’éclairement est important, plus la puissance l’est aussi.
Figure 1.9: L’influence de l’éclairement sur la caractéristique P=f(V)
1.5.2. Influence de la température
Les figures ci-après montrent l’influence de la température sur les caractéristiques I=f(V) et
P=f(V). Il est essentiel de comprendre l'effet du changement de la température d'une cellule solaire sur ces
caractéristiques afin de tirer des informations conséquentes.
17
Sur la figure 1.10, on remarque que la dépendance du courant est moindre par rapport à la
température puisque le courant augmente légèrement au fur et à mesure que la température augmente,
mais la température influe négativement sur la tension de circuit ouvert qui diminue.
Figure 1.10: L’influence de la température sur les caractéristiques I=f(V)
Comme vu précédemment, la diminution de la tension de circuit ouvert est plus importante que
l’augmentation du courant de court-circuit, ce qui explique une diminution de la puissance maximale de
GPV étant donné que la puissance est le produit du courant et de la tension (figure 1.11).
Figure 1.11: L’influence de la température sur la caractéristique P=f(V)
18
1.6. Le générateur photovoltaïque
Le générateur photovoltaïque est un ensemble d’équipements mis en place pour exploiter l’énergie
photovoltaïque afin de satisfaire les besoins en charge. En fonction de la puissance désirée, les modules
peuvent être assemblés en panneaux pour constituer un "champ photovoltaïque". C’est donc une
association en série et/ou en parallèle des cellules photovoltaïques regroupées en modules, puis en
panneaux, pour avoir une rangée ( photovoltaic array en anglais) comme sur la figure 1.12 suivante :
Figure 1.12: Configuration des cellules photovoltaïques
1.6.1. Association série
Dans un groupement en série (figure1.13), les cellules sont traversées par le même courant et la
caractéristique résultante du groupement en série est obtenue par l'addition des tensions à courant donné
d’une cellule.
Figure 1.13: Association des cellules en série
1.6.2. Association parallèle
Dans un groupement de cellules connectées en parallèle (figure 1.14), les cellules étant soumises à
la même tension, les intensités s'additionnent : la caractéristique résultante est obtenue par addition de
courants à tension donnée d’une cellule.
19
Figure 1.14: Association parallèle des cellules
1.6.3. Association mixte (Série + Parallèle)
Pour avoir une satisfaction en courant et en tension, on est obligé d’utiliser un groupement mixte,
c’est à dire un groupement série-parallèle des cellules (figure 1.15).
Figure 1.15: Association mixte des cellules
1.6.4. Sécurité des modules solaires
La protection électrique d’un panneau PV permet essentiellement d’augmenter sa durée de vie.

Elle permet d’éviter les pannes destructrices liées à l’association des cellules et de leur fonctionnement en
cas d’ombrage. En effet il existe deux types de protection (figure 1.16):
- La protection en cas de connexion en parallèle de modules PV pour éviter les courants négatifs dans le
panneau (diode anti-retour),
- La protection lors de la mise en série de modules PV permettant de ne pas perdre la totalité de la chaîne
(diode by-pass) et éviter les points chauds.
20
1.6.4.1. Diode by-pass
La mise en série de cellules PV implique que le courant traversant chaque cellule soit le même que
celui de l’ensemble du module PV associé. Ainsi, quand un module ou une partie de ce module est
ombragée, cette partie peut se trouver polarisée en inverse et devenir réceptrice, dissipant alors la
puissance ne pouvant pas être extraite. Cette dissipation a comme effet immédiat un échauffement de la
zone. Cet échauffement local peut donner lieu à des « points chauds » qui peuvent endommager la zone
affectée et dégrader définitivement les performances du module PV entier. Pour éviter ces effets
indésirables, des diodes by-pass sont associées aux modules comme le montre la figure 1.16.
1.6.4.2. Diode anti-retour
Dans le cas de plusieurs modules PV mises en parallèle sur une charge, le risque est que les
modules éclairés débitent dans des modules ombrés ou que le récepteur se décharge à travers le
générateur PV. On dispose pour cela de diodes anti-retour mises en série avec le panneau PV comme le
montre la figure 1.16.
Diode anti-retour
Module 1
Module 2 Diodes by-pass
Figure 1.16: Schématisation d’un panneau PV avec les protections électriques.
1.7. Le Système de Pompage Photovoltaïque au Fil du Soleil
1.7.1. Constitution du système de pompage PV au fil du soleil
Se dit système de pompage PV au fil du soleil, tout système de pompage PV qui utilise
directement l’énergie électrique produite par les modules solaires, sans stockage électrochimique
(batteries d’accumulateur) qui est non seulement chère, mais demande aussi un cout élevé de la
maintenance. Mais en revanche, il y a stockage d’énergie hydraulique (eau) par le biais de la pompe qui
est, elle-même entrainée (énergie mécanique) par un moteur électrique alimenté par le générateur PV
(énergie solaire) à travers un régulateur de puissance (énergie électrique) selon les besoins en
fonctionnement (figure 1.17).
21
Energie Solaire Energie Energie Energie

Electrique mécanique hydraulique
Figure 1.17: Différents types d’énergies intervenant dans le système de pompage au fil du soleil
Le système de pompage est constitué principalement (figure 1.18) d’ :
 Un ensemble de modules photovoltaïques (Générateur PV) comme alimentation du système,

 Une pompe électrique immergeable dans un puits constituée naturellement d’un moteur qui
entraine la pompe,
 Un régulateur de puissance constitué de convertisseurs statiques,
 Un système de stockage d’eau pour l’utilisation.
Figure 1.18: Système de pompage photovoltaïque au fil du soleil
22
1.7.1.1. Le générateur PV
Les modules assemblés en panneau PV constituant le générateur photovoltaïque représente la

source de l’énergie électrique qui alimente le système de pompage. En fonction de la puissance désirée,
les panneaux eux-mêmes peuvent être assemblés pour constituer le champ (générateur) photovoltaïque
comme vu au premier chapitre.
1.7.1.2. Pompe électrique immergée
La pompe immergée est composée d'un moteur fournissant la puissance nécessaire au pompage,
d'une transmission pour justement transmettre cette puissance à la partie hydraulique et enfin de la partie
hydraulique transmettant cette puissance à l'eau pour la faire circuler.
Cet ensemble composé du moteur électrique et de la pompe représente normalement la charge du

système de pompage.
1.7.1.3. Régulateur de puissance
Le régulateur de puissance est un ensemble d’équipements disposé généralement entre le

générateur PV et la charge. Cependant en fonction des applications, il est constitué de convertisseurs
statiques dont les onduleurs ou les variateurs avec ou sans hacheurs.
a) Convertisseur statique DC/AC
L’onduleur est principalement le convertisseur statique DC/AC le plus utilisé. En effet,

un onduleur est un dispositif d'électronique de puissance permettant de délivrer des tensions et des
courants alternatifs à partir d'une source d'énergie électrique continue.
Mais grâce à la technologie, l’on dispose aujourd’hui de variateurs électriques qui ont des bus
continus d’alimentation. Ainsi nous pouvons varier la vitesse de la pompe en fonction de la puissance
reçue.
b) Convertisseurs statiques DC/DC
Ce type de convertisseur est utilisé lorsqu’on veut abaisser ou élever la tension d’alimentation du
convertisseur DC/AC et/ou optimiser l’énergie électrique délivrée par le générateur PV (par commande
du convertisseur).
23
1.7.1.4. Le stockage d’eau
Comme le système de pompe au fil du soleil est fonctionnel seulement la journée en présence du
soleil, on stocke l’eau pompée dans des réservoirs pour pouvoir l’utiliser généralement dans la nuit.
1.7.2. Problématiques du système
En électromécanique, l’industriel qui veut installer un système de motorisation doit avoir à l’esprit
qu’il cherche à mettre en œuvre un actionneur générateur de couple pour la mise en mouvement d’une ou
plusieurs pièces mobiles en translation ou en rotation. Les principaux constituants de ce système se
résument généralement en 5 sous-systèmes :
L’alimentation,
La charge mécanique,
Le moteur,
Le convertisseur de puissance,
La commande.
Ces cinq sous-systèmes constituent des études obligatoires pour la procédure de dimensionnement d’un
système. Cette procédure s’effectue généralement dans l’ordre qui a été présenté. Ensuite, l’on cherche à
optimiser son choix en fonction d’un ensemble de critères tels que :
o La facilité ou non à la mise en œuvre,

o Le Coût de l’installation,
o L’exploitation,
o Le retour sur investissement,
o L’évolution éventuellement selon les besoins d’exploitation.
Notre système de pompage est assujetti à 2 principaux problèmes :
- Un problème de non linéarité du générateur PV dû essentiellement à la variation de l’éclairement

et de la température, il faudrait alors envisager une solution adéquate pour qu’on puisse utiliser la
puissance maximale délivrée par le générateur,
- Le variateur électrique qui sert à varier la vitesse de la pompe immergée demande une tension plus
élevée que celle délivrée par le générateur PV.
24
Cependant, pour pallier ces deux problèmes en vue d’optimiser le système par l’amélioration du
rendement et l’économie sur les modules PV, il est important de concevoir un adaptateur d’impédance.
En effet, un adaptateur d’impédance est un quadripôle servant de façon automatique à transférer le
maximum de puissance du GPV à la charge (Figure 1.19). Ce quadripôle peut être un convertisseur CC-
CC survolteur ou dévolteur muni de sa commande selon les applications. Le problème qui s’oppose, est la
conception et la réalisation d’une commande qui converge le système PV vers les conditions optimales
indépendamment des variations météorologiques et de la charge.
Figure 1.19: Structure avec étage d’adaptation
Ainsi, l’un des intérêts à introduire un étage d’adaptation, est d’assurer que le transfert d’énergie est
toujours possible et qu’il peut s’effectuer dans des conditions de fonctionnement optimales pour la source
PV et la charge. Pour cela, il suffit d’effectuer un choix sur l’étage d’adaptation selon ses propriétés de
conversion de puissance lui permettant d’adapter les tensions et les courants autant en valeur qu’en forme
entre son port d’entrée et son port de sortie pour respecter au mieux les contraintes d’une part du GPV et
d’autre part, de la charge comme sur la Figure 1.19.
Figure 1.20: Caractéristique I=f(V) d’un GPV et d’une charge résistive
25
Ainsi donc, nous devons:

 Concevoir un hacheur survolteur (boost en anglais) en vue d’augmenter considérablement la
tension d’alimentation du convertisseur électrique continu-alternatif (variateur électrique dans
notre cas),
 Concevoir une commande numérique qui permettra de suivre le point de puissance maximale
(MPPT) du générateur PV tout en pilotant l’interrupteur du hacheur.
Partant des recommandations précédentes, nous pouvons établir la constitution de notre système comme
suit :
 Un ensemble de panneaux PV comme générateur électrique du système,

 Une pompe électrique immergeable comme charge mécanique,
 Un variateur électrique muni d’un bus continu d’alimentation comme convertisseur statique
continu-alternatif,
 Un hacheur survolteur muni de sa commande numérique MPPT comme adaptateur
d’impédance.
Générateur Hacheur Variateur Pompe

PV Survolteur électrique électrique
Commande
numérique
MPPT
Figure 1.21: Schéma synoptique du système de pompage photovoltaïque
1.7. Conclusion
Dans ce chapitre, nous avons présenté quelques généralités sur la cellule photovoltaïque en
passant en revue les caractéristiques principales, aussi bien électriques qu’organisationnelles pour aboutir
au générateur photovoltaïque. Ensuite nous nous sommes appesantis particulièrement sur la constitution
de notre système de pompage photovoltaïque tout en soulignant les problématiques liées à ce système en
vue d’améliorer l’énergie d’alimentation.
26
CHAPITRE 2: LE
HACHEUR
SULVOLTEUR
27
2.1. Introduction
Comme nous venons de le voir dans le chapitre précédent, la problématique liée à la réalisation de
notre système de pompage nous induit à réaliser un hacheur survolteur en vue d’élever la tension
d’alimentation du variateur pour pouvoir optimiser la puissance délivrée par notre générateur PV. Il
convient alors, avant tout dimensionnement, d’étudier quelques généralités relatives au hacheur, dont sa
structure et son fonctionnement.
2.2. Généralités
Un convertisseur statique est un système permettant d'adapter la source d'énergie électrique à un

récepteur donné. Suivant le type de récepteur et suivant la nature de la source de puissance, on distingue
plusieurs familles de convertisseurs statiques (figure 2.1):
Source continue Récepteur continu

(=) Hacheur (=)
Onduleur
Redresseur
Source Récepteur
Gradateur alternatif (~)
alternative(~)
Figure 2.1: Familles des convertisseurs statiques
En effet, la famille qui nous intéressera dans cette étude est celle des hacheurs.
Le hacheur permet d'alimenter une charge sous une tension continue réglable à partir d'une source
continue. On obtient une tension de valeur moyenne variable en établissant et en interrompant
périodiquement l'alimentation de la charge par la source grâce à des interrupteurs électroniques. On
distingue différentes sortes de hacheurs dont :
 Le hacheur survolteur ou parallèle (boost en anglais),

 Le hacheur abaisseur ou série (buck en anglais),
 Le hacheur à accumulation inductive ou buck-boost,
28
 Le hacheur à accumulation capacitive ou Cuk,

 Le hacheur à accumulation inductive isolé ou flyback,
 Le hacheur SEPIC (Single Ended Primary Inductor Converter),
 Les convertisseurs à quadrants.
2.3. Constitution et Etude du fonctionnement du hacheur survolteur
2.3.1. Constitution et Présentation du boost
Un convertisseur boost (ou hacheur parallèle ou hacheur survolteur ou Step-Up en anglais), est
une alimentation à découpage qui convertit une tension continue en une autre tension continue de plus
forte valeur. On utilise donc un convertisseur boost lorsqu'on désire augmenter la tension disponible d'une
source continue. Le hacheur survolteur dont le schéma de principe se présente à la figure 2.2 est composé
essentiellement d’ :
o Une cellule de commutation composée de deux interrupteurs commandés à l'amorçage et au

blocage,
o Une inductance pour le lissage du courant appelé sur la source,
o Un condensateur permettant de limiter l'ondulation de la tension en sortie.
E C Vs
Int
Figure 2.2: Schéma de principe du hacheur boost
La figure 2.3 présente l’allure du signal de commande appliqué à l’interrupteur Int. C’est un signal
rectangulaire de fréquence f dont la largeur de la durée à l’état haut (durée de conduction de l’interrupteur
Int, notée Ton) est ajustée par le paramètre α. Ce paramètre, appelé rapport cyclique, est défini comme
étant le rapport entre la durée de conduction de l’interrupteur Int et la période de découpage T de celui-ci :
α= (1)
29
On a : T= Ton + Toff, où Toff correspond à la durée de blocage de l’interrupteur Int.
La durée de conduction Ton est comprise entre 0 et T donc, le rapport cyclique est compris entre 0 et 1. On
peut exprimer la durée de conduction et de blocage de l’interrupteur T en fonction de α et T :
- Durée de conduction : Ton= αT
- Durée de blocage : Toff = (1 − α)T
Int
Ton Toff
t
αT T
Figure 2.3: Signal de commande de l’interrupteur Int
Dans l’étude qui suit, nous ferons les hypothèses suivantes :
 la tension d’alimentation E est parfaitement continue,

 la valeur du condensateur C est suffisamment grande afin de pouvoir considérer la tension de
sortie Vs comme continue,
 les interrupteurs sont idéaux.
L’étude de la structure se fera en régime permanent. On peut donc distinguer trois régimes de
conduction :
 La conduction continue qui correspond au cas où le courant IL traversant l’inductance ne

s’annule jamais,
 La conduction discontinue qui correspond au cas où le courant IL traversant l’inductance
s’annule avant la prochaine phase active,
 La conduction critique qui définit la limite entre les deux modes de fonctionnement précédents.
L’objectif principal est de déterminer les relations reliant les grandeurs électriques d’entrée et de
sortie du convertisseur ainsi que les formules permettant de dimensionner les différents composants
constituant le hacheur.
30
2.3.2. Etude du fonctionnement du hacheur survolteur
2.3.2.1. Conduction Continue
Il y a principalement 2 séquences de fonctionnement du hacheur survolteur :
Séquence 1 : phase active
A l’instant t = 0, on ferme l’interrupteur Int pendant une durée αT. La tension aux bornes de
l’interrupteur D est égale à VD = VT − Vs. Comme l’interrupteur Int est fermé, on a VT = 0, ce qui
implique VD = −Vs. La diode est donc bloquée puisque Vs > 0. Dans ces conditions, on obtient alors le
schéma (a) équivalent de la figure 2.4. La tension aux bornes de l’inductance est alors :
dI L
VL  E  L 0 (2)
dt
En résolvant cette équation différentielle, on obtient la formule suivante qui exprime l’évolution du
courant traversant l’inductance :
E
IL  t  I Lmin (3)
L
Séquence 2 : phase de roue libre
A l’instant t = αT, on ouvre l’interrupteur Int pendant une durée T(1 − α). Pour assurer la continuité
du courant, l’interrupteur D entre en conduction. On obtient alors le schéma (b) équivalent sur la figure
2.4. La tension aux bornes de l’inductance est alors :
dI L
VL  E  Vs  L 0 (4)
dt
En résolvant cette équation différentielle, on obtient la formule suivante qui exprime l’évolution du
courant traversant l’inductance :
E  Vs
IL  (t  T )  I L max (5)
L
31
(a) (b)
Figure 2.4: Séquences de fonctionnement d’un hacheur
 Expression de Vs et Is
Par définition :
T T T
1 1
VL   VL .dt  (  E.dt    E  Vs  .dt ) (6)
T 0 T 0 T
Comme la tension moyenne aux bornes d’une inductance est nulle, on peut écrire :
 VL   .E  E  Vs 1     0 (7)
Finalement, on obtient la relation suivante :
E
Vs  Vs  t   (8)
1
Cette expression nous montre que lorsque α tend vers 1, la tension Vs tend vers ∞: cas critique pour les
composants. Mais en revanche, lorsque α tend vers 0, la tension Vs= E. Il faut alors prévoir dans la
commande un dispositif permettant de faire fonctionner α dans un intervalle bien limité afin de protéger le
circuit.
Si on suppose que le courant d’entrée est parfaitement continu, on peut écrire :
T
1
T T
I s  Is(t )  I E dt (9)
Ce qui conduit à :
32
I s  I E 1    (10)
Cette expression montre que le hacheur boost est abaisseur en courant.
Au regard de ces différentes expressions, on peut remarquer que le rapport cyclique α permet de
régler la tension moyenne de sortie (respectivement le courant moyen de sortie) pour une tension
moyenne d’entrée donnée (respectivement un courant moyen d’entrée). Il est donc possible de régler le
transfert moyen de puissance entre l’entrée et la sortie de la structure à partir du rapport cyclique α. Le
transfert moyen de puissance est :
 p  P  1   Vs I E (11)
 Ondulation du courant ∆IL
L’ondulation absolue du courant iL est défini par ∆IL= ILmax – ILmin. A partir des équations, à t = αT,
on peut écrire :
E
T  I L min  I Lmax (12)
L
On en déduit l’expression de ∆IL suivante :
 .E
I L  (13)
L. f
Cette expression nous montre que l’ondulation en courant diminue lorsque la fréquence de commutation f
ou la valeur de l’inductance L augmente.
Comme E = Vs (1 − α), on peut écrire :
 1   Vs
I L  (14)
L. f
En résolvant = 0, on trouve que l’ondulation en courant IL est maximale pour α=1/2. Le
dimensionnement de l’inductance L, à partir d’une ondulation en courant donnée, s’effectue donc à l’aide
de la relation suivante :
Vs
L (15)
4 f I L
33
 Ondulation de tension ∆Vs
Pour déterminer l’expression de l’ondulation en tension ∆Vs, on fait l’hypothèse que le courant Is est
parfaitement constant. On a la relation suivante iC  cdt

dVS
or, pour 0 ≤ t ≤ αT on a ic = −Is. La
résolution de cette équation différentielle donne:
Is
Vs   t  Vs max (16)
C
A t = αT, on a :
Is
Vs T   Vsmin   T  Vsmax (17)
c
Par suite, on a :
Is
Vs  Vsmax  Vsmin  T (18)
c
VS
Avec Is  ;
R
Finalement :
Vs
Vs  (19)
RCf
Cette expression nous montre que l’ondulation en tension diminue lorsque la fréquence de
commutation f ou la valeur du condensateur C augmente.
Le dimensionnement du condensateur C, à partir d’une ondulation en tension donnée, s’effectue à l’aide

de la relation suivante :
 max Vs
C (20)
R. f .Vs
 Formes d’ondes des principaux signaux
Les formes d’ondes des principaux signaux sont données à la figure 3.5.
34
Figure 2.5: Formes d’ondes obtenues en conduction continue
A partir de ces formes d’ondes, on peut exprimer les valeurs moyennes et efficaces des courants qui
traversent l’interrupteur D et l’interrupteur Int. Nous pouvons également en déduire les contraintes
maximales en tension et courant sur les interrupteurs. Ces relations devront être utilisées lors du
dimensionnement des différents composants de la structure :
- Courant moyen traversant l’interrupteur D
I D  iD  Is  (1   ) IL (21)
- Courant efficace traversant l’interrupteur D
Figure 2.6: Forme du courant dans la diode
35
  IL max  IL min 2 
I Deff  
  1     (22)
 2  
- Courant moyen traversant l’interrupteur Int

I Int  iInt   IL  IS (23)
1
- Courant efficace traversant l’interrupteur Int
Figure 2.7: Forme du courant dans l’interrupteur Int
  IL max  IL min 2 
I Inteff   
   . (24)
 2  
Les contraintes en tension et courant sur l’interrupteur commandé et l’interrupteur D sont les
mêmes. Ces caractéristiques statiques extrêmes sont utilisées pour choisir les composants de la cellule de
commutation. Il faut choisir des composants dont l’aire de sécurité englobe ces valeurs (absolute
maximum ratings). L’aire de sécurité d’un composant correspond au domaine courant-tension à l’intérieur
duquel le point de fonctionnement doit demeurer.
Cependant, ce point de fonctionnement peut exceptionnellement sortir de manière impulsionnelle (Il
convient alors de vérifier que le composant concerné tolère ces écarts).
- Contraintes maximales en tension

VIntmax  Vs max  VDinv max (25)
- Contraintes maximales en courant
Is IL
iIntmax  iD max  I s max   (26
1 2
36
Le dimensionnement des interrupteurs de la cellule de commutation s’effectue dans le cas le plus

défavorable.
Pour calculer les contraintes en tension et en courant dans le pire des cas, il faut remplacer dans les
expressions ci-avant α par αmax.
2.3.2.2. Conduction discontinue
En conduction discontinue (figure 3.6), on rajoute une phase pendant laquelle l’interrupteur D ne
conduit plus (iL=0). A partir de l’allure de iL, on peut écrire :
1 tf  t0
 iL  I L max (28)
2 T
Et
E
I L max  tf (28)
L
La tension moyenne aux bornes de l’inductance étant nulle, on a alors :
tf .E  t 0(Vs  E ) (29)
L’égalité des puissances d’entrée et de sortie de la structure conduit à :
E2 2
Is  ( ) (30)
2 Lf Vs  E
Ou bien :
E 2 2
Vs  E  (31)
2 L. f .Is
Dans ce régime de fonctionnement, la tension de sortie est donc dépendante de la charge pour un rapport
cyclique fixe. Ceci implique qu’en conduction discontinue, il est nécessaire de mettre en œuvre une
boucle de régulation.
37
Figure 2.8: Formes d’ondes obtenues en conduction discontinue
2.3.2.3. Conduction critique
Ce mode définit la limite entre les régimes continu et discontinu.
La relation (mode continu) :
E
Vs  (32)
1
Et celle (mode discontinu) :

E2 2
Is  ( ) (33)
2 Lf Vs  E
sont valables simultanément, on peut alors écrire :

E 2 Vs  E
Is  ( ) (34)
2 Lf Vs 2
2.3.2.4. Caractéristiques de sortie statique
A partir de l’étude de ces trois modes de fonctionnement, on peut tracer les caractéristiques de
sortie statique Vs(Is). Cette caractéristique est donnée à la figure 2.7.
38
Vs/E
E/8Lf
Figure 2.9: Caractéristiques de sortie paramétrées par α
A partir de ce réseau de courbes, on peut effectuer plusieurs remarques :
- En conduction continue, la structure se comporte comme une source de tension réglable par
l’intermédiaire du paramètre α. Les caractéristiques de sortie Vs(Is) sont des droites horizontales.
- En conduction discontinue, le comportement de la structure est tout à fait différent. En effet, la
tension de sortie devient fortement dépendante du courant de sortie.
- Le lieu des points de conduction critique est une courbe qui passe par le point (Is=0;Vs=E), a
pour asymptote la droite Is=0 et dont l’extrémum est le point (Is=E/8Lf; Vs=2E).
2.4. Dimensionnement du hacheur survolteur
Dans cette partie, nous allons voir comment choisir les éléments qui permettent de constituer et
d’assurer le fonctionnement du hacheur. Le hacheur qu’on va dimensionner est un hacheur alimenté par
un module solaire. Ainsi donc, nous ferons le dimensionnement de ce dernier en prenant en compte les
caractéristiques d’un seul module (voire caractéristiques du module à l’annexe A). Par conséquent, le
hacheur dimensionné sera soumis seulement à une expérimentation sur le logiciel PSIM étant donné que
nous n’avons pas les moyens de le réaliser.
2.4.1. Cahier de charges
Pour dimensionner les composants d’un convertisseur boost, il faut connaitre la puissance
d’entrée, la puissance de sortie souhaitée, le courant d’entrée, la tension d’entrée minimale et maximale,
39
la fréquence de hachage, la tension de sortie souhaitée ainsi que l’ondulation souhaitée du courant
d’entrée et celle de la tension de sortie. Notons que toutes nos valeurs d’entrée sont celles du module PV,
mais d’autres valeurs ont été choisies pour un souhait de fonctionnement.
Nous souhaiterons avoir:
- Ps=210 W soit près de 90% Ppv,

- f=20 KHz,
- Vs= 60 V souhaitée ;
- ∆IL=10% Ie soit 0.83 A,
- ∆Vs=5V.
A partir des spécifications précédentes, on peut établir :
Vs  Emax
 min  (35)
Vs
Vs  E min
 max  (36)
Vs
Ce qui donne en valeur numérique :
60  37.1
 min  =0.38
60
Mais nous considérons αmin=0.4 soit 40% de la période T.
60  15
 max  =0.75 soit 75% de la période T
60
Il est important de déterminer les valeurs limites du rapport cyclique car nous devons faire en sorte, de
par la commande, à ne pas sortir de l’intervalle [0,4 0,75].
2.4.2. Cellule de commutation
Dans la cellule de commutation:
40
 l’interrupteur D doit supporter une tension inverse et doit pouvoir conduire un courant positif. Son
amorçage et son blocage peuvent être spontanés sans être commandé. Cet interrupteur sera donc
une diode.
 l’interrupteur Int doit supporter une tension positive et doit pouvoir conduire un courant positif.
Les commutations de cet interrupteur doivent être commandées.
2.4.2.1. Choix de l’interrupteur D
Les principaux critères de choix pour d’une diode sont les suivants :
- Courant moyen IF
- Courant crête maximum IFM
- Tension directe de crête maximum VFM
- Tension inverse maximum VRM
Nous devons dans notre cas choisir une diode dont :
- le courant moyen est de 8.35A qui est le courant maximale délivré par le GPV,
- la tension inverse est supérieure à 65 V,
- le temps de recouvrement est très faible,
- une faible tension de seuil pour limiter les pertes.
La diode schottky BYW81PI-200 répond bien à ces exigences pour ses caractéristiques principales
comme la rapidité de commutation et le seuil de tension directe très bas.
2.4.2.2. Choix de l’interrupteur Int
Nous choisirons un transistor MOSFET comme interrupteur car il nous faut un interrupteur rapide
qui présente moins de pertes au moment de la commutation. Les principaux critères de choix d’un
transistor MOSFET sont :
 La tension drain-source VDSS

 Le courant drain ID
 La résistance drain-source (en conduction) RDSon
 La fréquence d’utilisation
Ainsi nous choisirons un transistor dont :
41
 la tension de fonctionnement VDSS de plus de 65V,

 le courant admissible ID de 8.35A qui est le courant maximale délivré par le GPV,
 la fréquence d’utilisation f=20Khz.
Le transistor MOSFET IRF530 répond bien à ces exigences.
2.4.3. Composants réactifs
2.4.3.1. Choix de l’inductance L
Une inductance est caractérisée par sa valeur L et par le courant qui la traverse. La valeur
numérique de l’inductance est déterminée comme suit :
Vs 60
L   90,36mH
4 f I L 4  20000  0.83
Nous choisirons L=100mH.
Pour réaliser une inductance, il faut calculer les caractéristiques du circuit magnétique (dimensions et
entrefer) et du bobinage (section du fil et nombre de spires).
2.4.3.2. Choix du condensateur C
Pour respecter l’ondulation souhaitée de la tension de sortie, la capacité du condensateur doit

vérifier l’expression :
 max Vs 0,75  60
C   26.47uF
R. f .Vs 17  20000  5
Nous choisirons C=30uf.
La Résistance de la charge R= = ⋍ 17 Ω. Nous utiliserons une résistance de 15 ohms dans la
simulation.
2.4.2. Résultats de simulation sur PSIM
Afin de vérifier le dimensionnement du hacheur, il est important d’avoir des résultats pour pouvoir
interpréter certaines courbes comme celle du courant dans l’inductance et celle de la tension de sortie afin
de vérifier les ondulations. Nous avons utilisé un Gating Block pour générer le signal de commande afin
de piloter l’interrupteur MOSFET.
42
2.4.2.1. Simulation du hacheur boost sur logiciel PSIM
Les caractéristiques de notre GPV sous PSIM sont données par la figure 2.9.
Figure 2.10: Paramètres du GPV sous PSIM
Le schéma de principe du hacheur survolteur faisant intervenir tous les constituants est donné par la
figure 2.10.
Figure 2.11: Schéma de simulation du hacheur survolteur
43
Les figures 2.11 à 2.14 donnent les évolutions temporelles de certaines grandeurs électriques du hacheur
survolteur pour un rapport cyclique statique α=0.5.
Figure 2.12: La caractéristique de la tension de sortie du hacheur
Figure 2.13: La caractéristique de l’ondulation de la tension de sortie du hacheur
44
Figure 2.14: La caractéristique du courant IL dans l’inductance du hacheur
Figure 2.15: La caractéristique de l’ondulation du courant dans l’inductance du hacheur
45
Figure 2.16: Les formes d’ondes obtenues des principaux signaux respectivement VL, VINT, IL, IINT, ID et IC
2.4.2.2. Interprétations des courbes
Les courbes ci-avant des différentes figures illustrent les résultats obtenus après une simulation sur
le logiciel PSIM.
La courbe de la tension de sortie du boost de la figure 2.11 attire l’attention sur la visibilité frappante de
l’ondulation de la tension, même si la valeur moyenne tourne autour de 57 V. Ce qui est satisfaisant
puisque nous avons souhaité avoir 60V. Mais nous nous sommes retrouvé sur la figure 2.12 avec une
ondulation de près de 10 V, ce qui est important par rapport à la valeur souhaitée (5V). Il convient alors
de revoir la valeur de la capacité du condensateur.
La courbe du courant dans l’inductance du convertisseur à la figure 2.13 présente moins d’ondulation
visible. Sa valeur moyenne tourne autour de 7.6 A. L’ondulation sur la figure 2.14 est de l’ordre de 10
mA, alors que nous avons souhaité avoir plus.
46
Les formes d’ondes de la figure 2.15, comparées à celles de la figure 2.5, sont acceptables mêmes avec
des rapports cycliques différents.
2.4. Conclusion
Ce chapitre s’est porté particulièrement sur le hacheur survolteur (boost). Il était important de
comprendre le fonctionnement du boost pour pouvoir le dimensionner même si nous n’avons pas pu le
réaliser pour une question de moyens. Cependant l’expérimentation sur le logiciel PSIM nous a permis de
juger à travers les résultats. Cependant, il faudra concevoir une commande numérique pour, non
seulement piloter le hacheur, mais aussi faire en sorte qu’on arrive à extraire la puissance maximale du
GPV.
47
CHAPITRE 3:
COMMANDE
NUMERIQUE DU
BOOST
48
3.1. Introduction
Pour que le convertisseur boost fonctionne, il faut que la commande qui le pilotera l’aide à avoir
la tension souhaitée à la sortie mais aussi et surtout faire en sorte que de par ce convertisseur, nous
puissions extraire la puissance maximale du générateur PV enfin d’optimiser l’énergie.
La puissance électrique produite par un panneau photovoltaïque dépend fortement de

l'ensoleillement et à un degré moins important de la température. Ces deux variables influençant sur le
comportement du système, présentent des fluctuations quotidiennes et saisonnières. Pour ces raisons, le
panneau photovoltaïque ne peut fournir une puissance maximale que pour une tension particulière et un
courant bien déterminé. Ce fonctionnement à puissance maximale dépend de la charge à ses bornes. A cet
effet et en fonction du type de cette charge, un dispositif de contrôle devra être intégré dans le circuit de
commande du convertisseur. Ce dernier doit être capable de faire fonctionner le panneau photovoltaïque à
sa puissance maximale. La méthode de suivi ou "Tracking" connue sous le nom MPPT (Maximum Power
Point Tracking) est basée sur l'utilisation d'un algorithme de recherche du maximum de la courbe de
puissance du panneau photovoltaïque. Le tracking n'est pas basé sur une valeur de référence
prédéterminée mais il s'agit d'une recherche de la valeur de référence pour atteindre le maximum de la
puissance. A noter que le tracking joue un rôle très important parce qu'il maximise le rendement et réduit
le coût d’une installation.
La commande que nous proposons dans ce projet est une commande numérique à base d’un
microcontrôleur avec comme choix de technique MPPT la méthode ‘‘perturbation et observation’’. Nous
verrons les constituants principaux de ce microcontrôleur pour pouvoir utiliser ces modules afin de
proposer un algorithme en langage C à implémenter en respectant non seulement l’élévation de la tension
du convertisseur mais aussi et surtout la recherche du point de puissance maximale du générateur.
3.2. Algorithme de commande MPPT

Une commande MPPT, de l'anglais Maximum Power Point Tracking est une commande qui
permet de suivre, le point de puissance maximale d'un générateur électrique non linéaire. Les systèmes
MPPT sont généralement associés avec les générateurs photovoltaïques ou avec les générateurs éoliens.
3.2.1. Généralités
Rappelons que le générateur photovoltaïque est un générateur dont la caractéristique I=f(V) est
fortement non linéaire. Un contrôleur MPPT permet donc de piloter le convertisseur statique reliant la
charge et le panneau photovoltaïque de manière à fournir en permanence le maximum de puissance.
49
Dans la littérature, on dénombre plusieurs méthodes pour la technique MPPT dont :
 Méthode à contre réaction de tension,

 Méthode à contre réaction de courant,
 Méthode à contre réaction de puissance,
 Algorithme perturbation et observation,
 Algorithme Incrémental conductance,
 Méthode par logique floue,
 …etc.
3.2.2. L’algorithme perturbation et observation (Perturb & Observe : P&O)
La méthode P&O est généralement la plus utilisée en raison de sa simplicité et sa facilité de

réalisation. Comme son nom l’indique, cette méthode fonctionne en perturbant le système et en observant
l’impact sur la puissance à la sortie du GPV. Sur la figure 3.1, on voit que si la tension de fonctionnement
est perturbée dans une direction donnée et que la puissance augmente (dP/dV > 0), alors il est clair que la
perturbation a déplacé le point de fonctionnement vers le MPP. L’algorithme P&O continuera à perturber
la tension dans la même direction. Par contre, si la puissance diminue (dP/dV < 0), alors la perturbation a
éloigné le point de fonctionnement du MPP. L’algorithme inversera la direction de la perturbation
suivante.
Figure 3.1: Signe de dP/dV à différentes positions de la courbe caractéristique de puissance
50
L’algorithme Perturbation et Observation est résumé sur l’organigramme de la figure 3.2. Le

processus est répété périodiquement jusqu’à ce que le MPP soit atteint. Mais dans la réalisation du
programme en un langage quelconque, c’est le rapport cyclique qu’il faut contrôler, donc un contrôle
indirect de la tension.
Début
Mesure de V(k), I(k)
P(k)=V(k).I(k)
∆P(k)=P(k)-P (k-1)
Oui
∆P(k)=0
Non
Non Ou
∆P(k)>0 i
V (k)>V (k-1) V (k-1) < V(k)

Oui Non Non Oui
V (k-1)= V(k) -∆V V (k-1)= V (k) +∆V V (k-1)= V (k) -∆V V (k-1)= V (k) +∆V
V (k-1) =V (k)
I (k-1) =I (k)
Figure 3.2: Organigramme de l’algorithme perturbation et observation
51
3.3. Implémentation de l’algorithme dans le microcontrôleur PIC
3.3.1. Le microcontrôleur
Un microcontrôleur est une unité de traitement et d’exécution de l'information à laquelle on a

ajouté des périphériques internes permettant de réaliser des montages sans nécessiter l’ajout de
composants annexes. Un microcontrôleur peut donc fonctionner de façon autonome après programmation.
Les microcontrôleurs PIC (ou PICmicro dans la terminologie du fabricant) forment une famille
de microcontrôleurs de la société Microchip. Ces microcontrôleurs sont dérivés du PIC1650 développé à
l'origine par la division microélectronique de General Instrument. Le nom PIC n'est pas officiellement un
acronyme, bien que la traduction en « Peripheral Interface Controller » (contrôleur d'interface
périphérique) soit généralement admise. Cependant, à l'époque du développement du PIC1650
par General Instrument, PIC était un acronyme de « Programmable Intelligent Computer » ou
« Programmable Integrated Circuit ». Cependant, il existe plusieurs familles de PICs (10, 12, 16, 17, 18,
24, 30, 32, 33) qui sont elles mêmes constituées de sous-familles.
Dans ce projet, notre choix s’est porté sur la famille de PIC18F, plus précisément le PIC18F4550. En
effet, pour notre application, le microcontrôleur adéquat doit satisfaire les conditions suivantes :
- Configuration avec connexion USB (pas besoin de programmateur de pic)
- 3 entrées configurées en convertisseurs analogiques numériques CAN (Vpv, Ipv et Vs),
- 1 sortie PWM,
- Rapidité dans l’exécution des tâches,
- Facilitation de choix pour une amélioration future du projet,
- une mémoire de programme de taille suffisante.
3.3.2. Constitution du PIC18F4550
Le PIC18F4550 remplit parfaitement ces conditions. La figure 4.3 montre la disposition de ses
broches (voire annexe B pour détails). Ses caractéristiques principales sont :
- Une mémoire de programme de 32768 Bytes.

- Une mémoire de données (RAM) de 2048 Bytes.
- Une mémoire de données (EEPROM) de 256 Bytes.
- Ports d’entrée/sortie : 5 (Ports A, B, C, D et E).
- 4 Timers (Timer0, Timer1, Timer2 et Timer3).
- 2 modules pour PWM avec une résolution de 10 bits (CCPx).
52
- Module de conversion Analogique/Numérique CAN de 10 bits : 5 canaux.

- Jeux d’instructions : 16384 instructions.
- Fréquence de fonctionnement : jusqu’à 48MHz.
- Boitier : PDIP 40 pins.
Technologie CMOS :
- Technologie haute vitesse.
- Large tension de fonctionnement (de 2V à 5.5V).
- Basse consommation de puissance.
Figure 3.3: Broches du PIC18F4550
3.3.3. Génération du signal MLI (PWM)
Il s’agit d’obtenir, dans ce mode, un signal de fréquence fixe et dont la durée de l’état haut peut
être modulée (PWM = Pulse Width Modulation = MLI = Modulation de largeur d'impulsion ou rapport
cyclique variable). Le mode PWM (figure 3.4) du PIC 18F4550 permet la génération d'un ou de deux
signaux PWM, et utilise au plus 2 sorties : CCP1 (RC2 au port 17) et CCP2 (RC1 port 16 ou RB3 port
36). Les broches du port C ou B correspondant à CCP1 et CCP2 doivent être configurées en sortie grâce
au registre de direction TRISC ou TRISB pour pouvoir générer un signal PWM. La période est obtenue
par comparaison sur 8 bits du timer2 et du registre de période PR2. Le rapport cyclique est obtenu par
53
comparaison du timer2 avec le registre CCPRxL. La résolution sur le rapport cyclique peut être de 8 à 10
bits, car 2 bits supplémentaires du registre CCPxCON permettent de réaliser une comparaison sur 10 bits.
Ce mode PWM Utilise donc le Timer2 ainsi que les registres CCPRxL et CCPxCON (x = 1 ou 2 selon la
sortie considérée).
Figure 3.4: Block simplifié pour générer le MLI
3.3.4. Le programme de commande en langage C
Pour programmer l’algorithme MPPT de notre commande, nous avons utilisé le langage C.
L’utilisation de la programmation en C présente de multiples avantages:
- Universalité du langage.
- Lisibilité : le C est plus facile à comprendre que l’assembleur.
- Rapidité de développement : le temps nécessaire pour le développement d’un programme est moindre
qu’en assembleur.
- Portabilité : le programme peut être facilement remanié pour un microcontrôleur différent.
- Disponibilité d’une bibliothèque de fonctions étendue qui couvre une grande partie des besoins en
programmation des microcontrôleurs.
- Facilité et rapidité d’adaptation des algorithmes déjà développés.
Le wizard (magicien) qu’offre le compilateur de CCS C Compiler que nous avons utilisé est fort utile, il
permet sans faire de calcul de configurer directement le PIC.
Cependant pour mettre en œuvre le programme, il faut effectuer la mesure du courant et des
tensions du GPV et de sortie pour pouvoir calculer numériquement la puissance et le rapport cyclique.
54
3.3.5. Acquisition de la tension
Le capteur de tension se compose d'une série de résistances utilisées comme diviseur de tension et
calculées de sorte que l'image de la tension maximum d'entrée du convertisseur doive être égale à +5V.
C'est parce que la tension de sortie du capteur est reliée au convertisseur analogique-numérique du
microcontrôleur, qui convertit les signaux de grandeur entre 0 et +5V. La figure 3.5 montre le circuit de
capteur de tension. Dans notre cas, nous avons besoin de deux capteurs : l’un pour mesurer la valeur de la
tension aux bornes du GPV et l’autre pour mesurer la valeur de la tension de sortie.
Vers PIC
V
Vpic
Figure 3.5: Circuit du capteur de tension
 Calcul des résistances

V R1  R 2
 (1)
VPIC R2
La tension maximale que peut délivrer le GPV est de 37 V et celle que peut supporter le microcontrôleur
est de 5 V. Nous fixons la résistance R1 à 12KΩ, ainsi nous aurons R2 à 1.875KΩ.
La tension de sortie maximale du convertisseur est de 65 V, sachant toujours qu’on a besoin de 5V au

microcontrôleur. Si on fixe R1 à 12KΩ, on obtient R2 à 1KΩ. Nous devons choisir des résistances
normalisées.
3.3.6. Acquisition du courant d’entrée du hacheur
Les microcontrôleurs PIC ne sont pas capables de mesurer un courant. Une méthode indirecte doit
être utilisée pour accomplir cette tâche. Il existe plusieurs méthodes permettant de mesurer un courant, on
peut citer :
55
- Mesure à l’aide de la résistance RDS (on) du MOSFET.

- Mesure utilisant un filtre aux bornes de l’inductance.
- Mesure par détection magnétique - capteur à effet Hall.
- Mesure à l’aide d’une résistance de mesure série.
Les inconvénients de ces méthodes sont :
- Résistance du MOSFET : cette méthode n’est pas toujours appropriée pour en raison de la haute
fréquence de commutation du MOSFET. En effet, le courant à travers R DS peut être mesuré
uniquement lorsque le MOSFET est à l’état « on ».
- Filtre aux bornes de l’inductance : cette méthode permet une mesure proportionnelle du courant
avec peu de puissance dissipée. Cependant, elle est imprécise.
- Capteur à effet Hall : cette méthode est difficile à envisager en raison de son coût, de la puissance
consommée pour le fonctionnement et de la caractéristique du courant qu’on doit mesurer. Cette
méthode est plus destinée pour la mesure de courants alternatifs.
- Résistance de mesure série : Cette méthode consiste à utiliser une résistance relativement petite
(quelques mΩ). La tension aux bornes de la résistance est alors proportionnelle au courant qui la
traverse, rendant possible la mesure du courant. L’inconvénient de cette méthode, est qu’elle
présente une perte de puissance dans la résistance, ce qui réduit le rendement du convertisseur
statique.
L’utilisation du capteur LA 25-P ou du circuit intégré MAX472 peut être efficace pour mesurer le courant
du GPV.
3.3.7. Le programme de l’algorithme en langage C
C’est la partie la plus importante de la commande car c’est elle qui détermine presque le
fonctionnement de tout le système (voire le code en langage C à l’annexe C). Les étapes de
programmation de l’algorithme en langage C sont :
 Configuration du PIC par le Wizard,

 Initialisation des valeurs d’entrées,
 L’algorithme MPPT,
 Détermination de l’intervalle du rapport cyclique.
56
3.4. Résultats des simulations de la commande
Il est important de passer à une simulation après la mise au point de la commande pour voir les
résultats. Cependant, nous utiliserons un potentiomètre au lieu d’un capteur afin de faire varier le
paramètre correspondant à la tension. Etant donné que la variation de l’éclairement et de la température
ne pouvant pas être constatés dans cette période (éclairement et température presque constants) du projet.
RV3
50%
U1
1k 2 15
RA0/AN0/C1IN- RC0/T1OSO/T13CKI
3 16
RA1/AN1/C2IN- RC1/T1OSI/CCP2B
4 17
RA2/AN2/C2IN+/VREF-/CVREF RC2/CCP1/P1A A
5 18
RA3/AN3/C1IN+/VREF+ RC3/SCK/SCL
6 23
RA4/T0CKI/C1OUT RC4/SDI/SDA B
7 24
RA5/AN4/SS/HLVDIN/C2OUT RC5/SDO
14 25
RA6/OSC2/CLKO RC6/TX/CK C
13 26
RA7/OSC1/CLKI RC7/RX/DT
X1 D
33 19
RB0/AN12/FLT0/INT0 RD0/PSP0
34 20
RB1/AN10/INT1 RD1/PSP1
35 21
RB2/AN8/INT2 RD2/PSP2
36 22
CRYSTAL RB3/AN9/CCP2A RD3/PSP3
37 27
RB4/KBI0/AN11 RD4/PSP4
C1 C2 38
RB5/KBI1/PGM RD5/PSP5/P1B
28
22p 22p 39 29
RB6/KBI2/PGC RD6/PSP6/P1C
40 30
RB7/KBI3/PGD RD7/PSP7/P1D
8
RE0/RD/AN5
9
RE1/WR/AN6
10
RE2/CS/AN7
1
RE3/MCLR/VPP
PIC18F4550
Figure 3.6: Circuit de simulation sur ISIS PROTEUS
Figure 3.7 : Le signal de commande MLI avec α=0.75
57
Figure 3.8 : Le signal de commande avec α=0.4
Après simulation, nous constatons le fonctionnement de la commande numérique avec l’intervalle du rapport
cyclique respecté entre 0.4 et 0.75. Pour vérifier la commande MPPT, nous agissons sur le potentiomètre et nous
remarquons qu’après un temps, le rapport cyclique varie, ce qui nous amène à déduire que la commande fonctionne
bien selon l’algorithme perturbation et observation adopté. La partie pratique de l’essai est présenté à l’annexe D.
3.5. Conclusion
Dans ce chapitre, il était principalement question de concevoir une commande numérique à base
de microcontrôleur qui pilotera l’interrupteur du boost tout en cherchant le point de puissance maximale
du GPV. Le travail le plus consistant était d’établir un algorithme répondant à nos attentes de
fonctionnement. Après utilisation de cet algorithme avec le logiciel PROTREUS, nous pouvons
remarquer le bon fonctionnement du système par les essais pratique qu’on a mené. Ce qui nous a induit à
débuter la réalisation de la carte de commande.
58
CONCLUSION
GENERALE
59
Ce projet était principalement dédié à la conception et à la réalisation d’un hacheur survolteur

muni de la commande numérique à base de microcontrôleur pour extraire la puissance maximale du
générateur PV.
Dans le premier chapitre, des notions sur l’énergie photovoltaïque et ses caractéristiques ont été étudiées
afin de voir les problématiques liées à ce système. Nous avons présenté les principaux constituants du
pompage PV au fil du soleil tout en soulevant l’inconvénient majeur de ce système à savoir l’inutilisation
de toute la puissance disponible au niveau du générateur.
Au second chapitre, la constitution, l’étude et le dimensionnement du hacheur ont été établis, même si
nous n’avons pas pu réaliser complètement ce dernier pour cause économique. Mais nous avons qu’en
même pu vérifier le fonctionnement du boost à travers une simulation sur le logiciel PSIM.
Le dernier chapitre parait être le plus important pour le système de pompage. Nous avons élaboré une
méthode de commande qui pourra extraire la puissance maximale du générateur PV tout aidant le boost à
joué non seulement son rôle de survolteur dans un intervalle de temps bien déterminé, mais aussi celui de
régulateur à bon rendement.
Ce travail a été très enrichissant pour nous, car nous avons pu mesurer le fossé combien énorme qui
existe entre les cours et la réalisation d’un projet. Nous pouvons qu’être satisfaits à la fin en dépits de
multiples difficultés rencontrées dont :
 La rareté bibliographique sur la commande MPPT numérique à base de microcontrôleur, ce qui

nous a pris beaucoup de temps;
 La compréhension du logiciel de compilation PIC C COMPILER en vue de comprendre ses
syntaxes de programme pour élaborer l’algorithme;
 Le défaut de temps pour pouvoir mener à bien ce travail, même si nous estimons que le travail le
plus important a été réalisé, celui de trouver un algorithme performant pour la recherche du point
de puissance maximale du GPV, en dépit des changements incessants dans l’objectivité du projet.
Mais nous considérons que nous étions soumis à des contraintes qu’on peut naturellement trouver
dans la profession d’un ingénieur.
Cependant, nous estimons que ce travail peut être enrichi en plusieurs points:
 Un afficheur doit être inséré dans la partie commande pour qu’on ait des informations sur les
valeurs de tension d’entrée, de puissance d’entrée et de la tension de sortie du boost ;
60
 Les pertes dans les différents composants de l’interface de puissance n’ont pas été prises en
compte. Une étude plus rigoureuse peut être faite pour montrer l’influence de ces pertes sur le
rendement du système ;
 Une fonction de poursuite de la trajectoire du soleil peut être intégrée au système de commande
pour améliorer plus le rendement.
Enfin, nous pouvons exprimer toute notre satisfaction de travailler sur un tel projet. En dehors du
caractère technique que révèle ce projet, il y a aussi le caractère humanitaire lorsqu’on sait que les
populations habitant dans les zones isolées ont énormément besoin d’eau.
61
BIBLIOGRAPHIE
[1] BENSACI Wafa << Modélisation et simulation d’un système photovoltaïque adapté par une
commande MPPT >> Université Kasdi Merbah–Ouargla (Algérie) Projet de fin d’études 2011/2012 56
pages.
[2] M.BOUKLI-HACENE Omar << Conception et Réalisation d’un Générateur Photovoltaïque muni
d’un Convertisseur MPPT pour une Meilleure Gestion Energétique>> Université Abou Bakr Belkaid-
Tlemcen, Thèse de Magister 2010/211 159 pages.
[3] Saurav Satpathy << Photovoltaic Power Control using MPPT And Boost converter >> THESIS
(Partial) MAY 2012 35 pages.
[4] Alain Bilbao Learreta << Réalisation de commandes MPPT Numériques >> Rapport de stage de fin
d’études Septembre 2006 72 pages
[5] Ina Duka and Christopher Noble << High Frequency DC/DC Boost Converter>> Worcester
Polytechnic Institute Project April 2011 82 pages.
[6] Katchnig Gregory et Sambourg Julien <<Simulation d’un système de pompage photovoltaïque>>
Rapport de projet 2010-2011 10 pages.
[7] Stephane VIGHETTI <<Systèmes photovoltaïques raccordés au réseau : Choix et dimensionnement
des étages de conversion >> Université De Grenoble Institut Polytechnique De Grenoble thèse de
doctorat Septembre 2010 143 pages.
[8] MEFLAH Aissa <<Modélisation et commande d’une chaine de pompage photovoltaïque>>
UNIVERSITE ABOU BEKR BELKAID - TLEMCEN (Algérie) Mémoire de Magister Nombre 2011 101
pages.
[9] V.Boitier et P.MAUSSION <<Recherche du maximum de puissance sur les générateurs
photovoltaïques>>Article 8 pages.
[10] Nordine MAHERZI <<Etude, conception et Réalisation d’un convertisseur d’énergie DC/DC associé
à des études super condensateurs >> Mémoire 107 pages.
[11] M.F.Vaden, M.ELOuariachi, T.Mrabti, Ka.kassami, B.Tidhaf, E.Chadli et K.Kassmi<< Conception
et réalisation d’un système photovoltaïque>> Article Juin 2011.
[12] Kamel EL MELOUANI <<Dimensionnement d’un hacheur survolteur >>Projet 2009-2010 18 pages.
[13] Benoit Issartel << Conception d’un convertisseur DC/DC de type boost critère de choix et
dimensionnement des composants>> Polytech Clermont Ferrand Projet 21 pages.
[14] GODEROY Nicolas << Le karting électrique le hacheur boost >> Institut Universitaire de
Technologie de Tours, projet 2004/2005 45pages.
62
[15] Mimouni M.Faouzi << Variateurs électriques>>cours 5ieme année ingénieur 2012/2013.
[16] Sami Hassine << Convertisseurs Statiques>> cours 4ieme et 5ieme année Ingénieur 2010-2013.
[17] NEJI Karimeddine << Alimentation d’un système de pompage par un générateur PV>> Université de
Monastir, Ecole Nationale d’Ingénieurs de Monastir, Mémoire de projet de fin d’études juin 2007 91
pages.
[18] SAMMATI Noureddine << Commande Scalaire d’un moteur synchrone alimenté par un générateur
photovoltaïque>> Université de Monastir, Ecole Nationale d’Ingénieurs de Monastir, Mémoire de projet
Fin d’études juin 2010 61 pages.
[19] ABDA TAREK<< Etude d’un système de pompage alimenté par une structure hybride PV/éolien>>
Université de Monastir, Ecole Nationale d’Ingénieurs de Monastir, Mémoire de projet de fin d’études juin
2008 74 pages.
[20] Karim CHEMSEDDINE et Achraf ABBES <<Etude de la conversion optimale d’un panneau
photovoltaïque>> Ecole Nationale d’Ingénieurs de Sfax, Mémoire juin 2007 65pages.
[21] BEN GHANEM Belgacem <<Energie photovoltaïque>> cours 5ieme année Ingénieur 2012-2013.
Sitographie :
www.wikiversity.org
www.wikipedia.org
www.energiedouce.com
www.microchip.com
www.picbasic.w.uk
www.ccsinfo.com
saeedsolutions.blogspot.com
www.Ladyada.net
students.sabanciuniv.edu
www.engineersgarage.com
www.dacstoc.com
www.desigrspark.com
63
ANNEXES
64
Annexe A
65
Schéma bloc sur Simulink du module PV
66
Annexe B
67
Annexe C
68
Code en langage C de l’algorithme MPPT ‘‘perturbation et observation’’ implémenté dans

le PIC18F4550
#include <18F4550.h>
#FUSES NOWDT //No Watch Dog Timer
#FUSES WDT128 //Watch Dog Timer uses 1:128 Postscale
#FUSES HS //High speed Osc (> 4mhz)
#FUSES NOPROTECT //Code not protected from reading
#FUSES IESO //Internal External Switch Over mode enabled
#FUSES BROWNOUT //Reset when brownout detected
#FUSES NOPUT //No Power Up Timer
#FUSES NOCPD //No EE protection
#FUSES STVREN //Stack full/underflow will cause reset
#FUSES NODEBUG //No Debug mode for ICD
#FUSES LVP //Low Voltage Programming on B3(PIC16) or B5(PIC18)
#FUSES NOWRT //Program memory not writes protected
#FUSES NOWRTD //Data EEPROM not write protected
#FUSES NOEBTR //Memory not protected from table reads
#FUSES NOCPB //No Boot Block code protection
#FUSES NOEBTRB //Boot block not protected from table reads
#FUSES NOWRTC //configuration not registers write protected
#FUSES NOWRTB //Boot block not write protected
#FUSES FCMEN //Fail-safe clock monitor enabled
#FUSES XINST //Extended set extension and Indexed Addressing mode enabled
#FUSES NOPBADEN //PORTB pins are configured as digital I/O on RESET
#FUSES LPT1OSC //Timer1 configured for low-power operation
#FUSES MCLR //Master Clear pin enabled
#use delay(clock=20000000)
#include <PIC18F4550>
#include <math.h>
#include <stdlib.h>
//Déclaration des variables
float V,Vs,I,Vanc,P,Panc;
69
int alpha;
void main()
//Configuration automatique du PIC avec le wizard
setup_adc_ports(AN0_TO_AN1|VSS_VDD);
setup_adc(ADC_OFF|ADC_TAD_MUL_0);
setup_psp(PSP_DISABLED);
setup_spi(SPI_SS_DISABLED);
setup_wdt(WDT_OFF);
setup_timer_0(RTCC_INTERNAL);
setup_timer_1(T1_DISABLED);
setup_timer_2(T2_DISABLED,255,1);
setup_timer_3(T3_DISABLED|T3_DIV_BY_1);
setup_comparator (NC_NC_NC_NC);
setup_vref(FALSE);
setup_ccp1 (CCP_PWM);
setup_port_a(ALL_ANALOG);
setup_adc(adc_clock_internal);
//Initialisation des variables
V=0;
Vs=0;
I=0;
Vanc=0;
P=0;
Panc=0;
while(TRUE)
//Configuration du convertisseur analogique-numérique pour recevoir les entrées
set_adc_channel(0);
V=read_adc();
set_adc_channel(1);
I=read_adc();
70
set_adc_channel(2);
Vs=read_adc();
//Calcul de la puissance
P=V*I;
//Calcul du rapport cyclique (100% correspond à 255 bits 0-254)
alpha=255-(V/Vs);
//Algorithme Perturbation et Observation
if (P-Panc>0)
if (Vanc<V)
{alpha=alpha+5;}// Incrémentation de 2%
else {alpha= alpha-5;} // Décrémentation de 2%
else if (P-Panc<0)
if (V>Vanc)
{alpha= alpha-10;}
else {alpha=alpha+10;}
set_pwm1_duty(alpha);
// Détermination de l'intervalle du rapport cyclique (entre 40% et 75%)
if (alpha > 190)
alpha = 190;
if (alpha <100)
alpha =100;
set_pwm1_duty (alpha);
Vanc=V;
Panc=P;
delay_ms(1000);
71
Le programmateur du microcontrôleur
Câblage du circuit de base de la commande
72
Signal MLI à rapport cyclique maximal
Signal MLI à rapport cyclique minimal
73
Prototype du circuit de base de la commande
Ipv
Vvp Alimentation
5V
Vs
Signal MLI
Aperçu de la carte de commande principale en 3D
74

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Projet de fin d’études

Tous les mots ne sauraient exprimer la gratitude…

Aussi, c’est tout simplement que je dédie ce projet de fin d’étude :

A mes chers parents

A mes frères et sœurs

J’adresse ici mes sincères remerciements à:

2.3.2.1. Conduction Continue...............................................................................................................................................31

Iph : Le photo-courant (A)

Rsh: Résistance shunt (Ω)

Rs: Résistance série (Ω)

Id : Courant diode (A)

V : Tension de sortie (V)

Ish : Courant dans la résistance shunt (A)

I : courant délivré par la cellule (A)

n : coefficient d’idéalité de la jonction

K : constante de Boltzmann (K=1.38.10-23 j/k)

T : Température ambiante (oK)

q : charge d’électron (q=1.602.10-19)

Io : courant de saturation inverse de la diode (A)

Ior : courant de saturation inverse de la diode à la température de référence (A).

Vt : potentiel thermodynamique (V)

Tc : température de la jonction (oK)

Tr : température de référence de la cellule (298oK)

Eg : bande de gap pour semi-conducteur (1.11eV)

Iopt : courant correspondant à la puissance maximale (A)

Vopt : tension correspondant à la puissance maximale (V)

P : Puissance de la cellule photovoltaïque (W)

Pmax : Puissance maximale de la cellule (W)

Vco : Tension à vide aux bornes de la cellule (V)

S : Aire totale des cellules (m2)

Pthéo : Puissance théorique (W)

Icc : Courant de court-circuit (A)

Po : Puissance incidente (W)

Liste des figures

Liste des abréviations

DC/DC : Direct Current/Direct Current ( CC-CC courant continu/courant continu)

AC/DC : Alternating Current/Direct Current (courant alternatif/courant continu)

PWM: Pulse Width Modulation (Modulation à Largeur d’Impulsion)

ISIS PROTEUS (Labcenter electronic)

Notre rapport de projet est scindé en trois principaux chapitres:

photovoltaïque. Ensuite, nous verrons la constitution du système de pompage au fil du soleil en

1.2. Principe de fonctionnement d’une cellule photovoltaïque

Figure 1.1: Principe de fonctionnement d’une cellule photovoltaïque

 Cellule au silicium monocristallin : Pour ce genre d’application technologique, le silicium pur

 Cellule au silicium polycristallin ou multicristallin : Le silicium polycristallin est un matériau

1.3. Schéma équivalent

 Une source de courant qui génère le photo-courant Iph proportionnel à l’éclairement,

Figure 1.2: Schéma équivalent d’une cellule photovoltaïque

Le schéma équivalent simplifié de la cellule photovoltaïque est obtenu en négligeant la résistance Rs et le

Figure 1.3: Schéma équivalent d’une cellule photovoltaïque idéale

1.4. Caractéristiques électriques (Schéma réel)

Le courant de la photopile a pour expression :

On peut faire apparaître le potentiel thermodynamique et le courant de saturation de la diode Io :

Figure 1.4: Caractéristique électrique I=f(V) d’un générateur photovoltaïque

Région 3: Le panneau se comporte comme un générateur de tension.

 Puissance de la cellule photovoltaïque P=V I

En remplaçant I par son expression, on peut écrire que:

Figure 1.5: Caractéristique électrique P=f(V) d’un générateur photovoltaïque

 Courant de court-circuit Icc

Figure 1.6: Schéma équivalent d’une cellule photovoltaïque en court-circuit

  Rs.Icc   Rs. Icc

L’expression approchée du courant de court-circuit est alors :

 Tension du circuit ouvert Vco