Федеральное агентство по образованию

Государственное образовательное учреждение

Высшего профессионального образования
Томский политехнический университет
Электротехнический институт

Кафедра ТВН

ОТЧЕТ
по лабораторной работе № 5

«ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ РАЗРЯДЫ ПО ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОГО

ДИЭЛЕКТРИКА»

Выполнили студенты группы 9т50

Чердынцев А.А.
Егоров И.С.
Шехинов Д.А.
Бычков Д.В.
Проверил доцент:
Важов В.Ф.

Томск 2007 г.
 Цель работы: изучение характеристик разряда по поверхности твердого диэлектрика в
зависимости от конфигурации поля, расстояниями между электродами и толщины
диэлектрика.
Краткое теоретическое содержание работы.
Величина напряжения поверхностного разряда определяется длиной разрядного канала,
конфигурацией электрического поля в промежутке, электрофизическими
характеристиками и состоянием поверхности твердого диэлектрика, температурой,
давлением и влажностью воздуха.

Все многообразие электрических полей изоляционных конструкций с твердым

диэлектриком может быть сведено к трем характерным случаям:

1.Равномерное поле. Поверхность разряда двух диэлектрических сред расположена вдоль

силовых линий электрического поля.
2. Неоднородное поле с преобладанием тангенциальной составляющей напряженности
поля во всех точках поверхности диэлектрика.
3. Неоднородное поле с преобладанием нормальной составляющей напряженности
электрического поля.
В изоляционной конструкции, обеспечивающей равномерное электрическое поле,
разрядное напряжение по поверхности диэлектрика ниже, чем разрядное напряжение
воздушного промежутка. Это связано с адсорбцией влаги окружающего воздуха на
поверхности диэлектрика, а также с микрозазорами между твердым диэлектриком и
электродом.

Стадии разряда вдоль поверхности диэлектрика в резконеоднородном поле:

1.
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________
2.
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________
3.
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________
 Рис. 2. Схема электрической установки

РН – регулятор напряжения

Т – высоковольтный трансформатор
RЗ – защитное сопротивление
S1, S2 - выключатели .
Результаты измерений.
Таблица 1
l, см d, мм Uк, кВ Uск. , кВ Uр , кВ Примечание
2 6 17 18,5 20
3 6 20 23 28
4 6 22 27 36 Тангенциальная
5 6 29 35 39 составляющая
Пять листов
2 15 14 18 23
3 15 15 23 28
4 15 22 29 33
5 15 27 35 39
Два листа
2 6 8 11 19
3 6 9 14 26 Нормальная
4 6 8 14 32 составляющая
5 6 8 14 34
Пять листов
2 15 12 17 20
3 15 9 17 27
4 15 12 18 34
5 15 12 18 38

Обработка результатов измерений.

1. Построить зависимости Uк=f(l) для полей с преобладанием нормальной и

тангенциальной составляющей.
UК, кВ
1
-__________________________

2
-__________________________

l, cм

2. Построить зависимости Uск=f(l) для поля с преобладанием нормальной составляющей.

UCК, кВ

1 -

l, cм
___________________________

2 - ___________________________

3. Построить зависимости Uр=f(l) для полей с преобладанием нормальной и

тангенциальной составляющей (экспериментальные и расчетные значения).
UР, кВ
1 -

l, cм
___________________________
2 - ___________________________

Выводы:

1. UКОР при тангенциальной составляющей больше, чем при нормальной составляющей,

т.к. электрическая прочность у конструкции с нормальной составляющей меньше, чем у
конструкции с тангенциальной составляющей. Каналы стримеров, развивающихся вдоль
поверхности диэлектрика, имеют значительно большую емкость по отношению к
противоположному электроду, чем в конструкции с преобладанием тангенциальной
составляющей поля. Поэтому через стримерные каналы проходит сравнительно большой
ток.

2. От чего зависит напряжение появления скользящих разрядов при нормальной

составляющей?
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________
3. Почему UР при тангенциальной составляющей больше, чем при нормальной
составляющей?
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________
 Ответы на вопросы:

4)Для увеличения разрядного напряжения промежутка с твердым диэлектриком

стремятся использовать малогигроскопичные диэлектрики или создать покрытия из
малогигроскопичных материалов, защищающие диэлектрик от контакта с парами воды
(глазуровка поверхности фарфора), а также обеспечить надежное, без микрозазоров,
сопряжение тела изолятора с металлической арматурой, используя цементные заделки и
эластичные проводящие прокладки.
3) Поле с преобладающей тангенциальной и нормальной составляющей характерно для
опорных и проходных изоляторов.

2) Не плотное прилегание электродов ведет к адсорбции влаги из окружающей среды

на поверхности диэлектрика. Поверхность всех тел во влажном воздухе покрыта
тончайшей пленкой воды. Ионы, образующиеся в этой пленке под действием
электрического поля, перемещаются к электродам. В результате этого поля вблизи
электродов усиливается, а в середине промежутка – ослабевает. Усиление поля у
электродов приводит к снижению электрической прочности промежутка. Это снижение
тем больше, чем гигроскопичнее диэлектрик.

1) Диэлектрик, помещенный в равномерное поле, нарушает его однородность, и разряд

происходит всегда по поверхности диэлектрика пир напряжении более низком, чем в
воздушном промежутке.