Вы находитесь на странице: 1из 5

Министерство образования Российской Федерации

Томский политехнический университет


Электротехнический институт

Кафедра ТиЭВН

ОТЧЕТ
По лабораторной работе:
«Генератор импульсных напряжений».

Выполнили: студентки гр.9432


Паньшина М.А.
Нефедьева И.А.

Проверил: преподаватель
Мытников А.В.
Томск 2006 г.

Цель работы: ознакомиться со схемой, устройством и работой


генератора импульсных напряжений (ГИН).

Рис.1. Принципиальная электрическая схема многоступенчатого


генератора импульсных напряжений.

Т-трансформатор;
R1 – защитное сопротивление; R0 –зарядное сопротивление;
Fi- расстояние между шарами;
V- выпрямитель;
Cg – паразитная емкость разрядного контура;
Rд – сопротивление делителя напряжения;
С – емкость одного конденсатора ступени;
Rф- фронтовое сопротивление;
rу – успокоительное сопротивление.

Принцип работы схемы ГИН

Схема Аркадьева-Маркса использует группу конденсаторов, которые


заряжаются параллельно, а разряжаются последовательно между начало и
концом этой цепочки суммируется, достигая величины nU0, где n – число
последовательно включенных конденсаторов, а U0 – напряжение, до которого
2
они были заряжены. Автоматическое и практически безинерционное
переключение с параллельного на последовательное соединение
осуществляется искровыми промежутками. На рис.1 приведен один из
вариантов схемы генератора импульсных напряжений. Конденсаторы С
заряжаются через большие сопротивления R1 (защитное) и R0 (зарядные).
Причем R1>> R0, что обеспечивает практически одновременный заряд до
определенного напряжения всех конденсаторов. К моменту окончания заряда
конденсаторов потенциалы точек 0, 2, 4, 6 равны нулю, а потенциалы точек 1,
3, 5, 7 равны амплитуде напряжения (+U0) источника Т. Расстояния между
шарами искровых промежутков F1…. Fn устанавливаются таким образом, что
напряжение U0 достаточно для пробоя только первого промежутка F1. По мере
зарядки конденсаторов потенциал точки 1 достигнет значения (+U 0), и
промежуток F1 пробивается. Точка 2 принимает потенциал (-U0), т.к.
паразитная емкость С'П практически мгновенно заряжается через небольшое
сопротивление (несколько Ом) rУ. Потенциал точки 3 (+U0) меняется
сравнительно медленно, ибо точка 3 отделена от точки 1 сравнительно
большим (десятки кОм) сопротивлением R0. Таким образом, разность
потенциалов между точками 2 и 3 после пробоя F1 составляет примерно 2U 0,
что вызовет пробой промежутка F2, после чего потенциал точки 4
относительно земли станет равным -2U0, а разность потенциалов между
точками 4 и 5 станет равна примерно 3U 0 и вызовет пробой промежутка F3 и
т.д. В результате последовательного пробоя промежутков F1…Fn все
конденсаторы оказываются соединенными последовательно. Напряжения их
суммируются, т.е. потенциал точки 21 станет равным U 2 = n(-U0), где n – число
ступеней ГИН.

В работе ГИН осуществляется две стадии: стадия зарядки конденсаторов и


стадия их разрядки. Соответственно этим стадиям можно выделить зарядную и
разрядную схемы ГИН.

Форма испытательных волн

3
а б

Рис.2. Формы полной и срезанной стандартных волн импульсных


напряжений (соответственно а и б)
Контрольные вопросы

1. Принцип получения импульсных напряжений.


Принцип получения импульсных напряжений основан на быстром
переключении схемы зарядки конденсатора на схему заряда при пробое
промежутка F1 и последовательном пробое промежутков F2…Fn.
2. Основные соотношения электрических элементов схемы (R1, R0, СГ, СП, Rф).
R1>>R0; R0>>Rp; Rф<<R0; Cг>>Cп;
3. Роль защитного сопротивления (R1)
R1 служит для защиты трансформатор от больших токов при пробое
воздушного промежутка F1.
4. Роль сопротивления R0.
R0 обеспечивает практически одновременную зарядку конденсаторов и в тоже
время обеспечивает медленное изменение потенциалов соседних точек (1,,,3,,,5
или 2,,,4,,,6,,,) при разрядке конденсаторов.
5. Как работает электрическая схема ГИН (процесс разряда)?
См. пункт 2
6. Роль сопротивления rУ.
rУ служит для устранения колебаний на фронте волны, возникающих в контуре.
7. Как регулировать Ф, В, Uвых, частоту следования импульсов
Ф регулируется подбором Rф и Сф, В регулируется включением параллельно
делителя Rр, Uвых регулируется изменением числа ступеней, частота

4
следования импульсов зависит от значения R0 и материала из которого оно
изготовлено. Для увеличения частоты следования импульсов требуется
уменьшить сопротивление в направлении зарядки конденсаторов. Так же
частоту можно увеличить подняв напряжение на выходе ГИН.