FACULTAD DE INGENIERÍA, ARQUITECTURA Y

URBANISMO

ESCUELA ACADÉMICO PROFESIONAL DE INGENIERÍA

MECÁNICA Y ELÉCTRICA

INFORME DE ACTIVIDADES

TEMA: El Transistor.

CURSO:
ELECTRONICA INDUSTRIAL

DOCENTE:
Ing. Guerra Cordero Edmundo

INTEGRANTES:

Falen morales Percy Janier.

Fernandez Guevara jose Alexander.
Herrera Pizarro Marco Daniel.
Llempen Cubas Eber Jackson.
Torres Meléndez Roberto Carlos.
Vásquez Pisco Marcelo Eduardo.

Pimentel 14 de octubre del 2019.

INDICE:
 1. INTRODUCCIÓN

Los transistores de unión bipolar o transistores bipolares (Bipolar Junction

Transistor, BJT) son unos dispositivos activos de tres terminales que
constituyen el elemento fundamental en multitud de aplicaciones que van
desde la amplificación de señales, al diseño de circuitos lógicos digitales y
memorias.

El principio básico de funcionamiento de un transistor bipolar es el uso de la

tensión existente entre dos de sus terminales para controlar la corriente que
circula a través del tercero de ellos. De esta forma, un transistor bipolar podría
utilizarse como una fuente dependiente que, como hemos establecido en el
Capítulo anterior, es el elemento fundamental del modelo de un amplificador de
señal.

Además, la tensión de control aplicada puede provocar que la corriente en el

tercer terminal del transistor bipolar cambie de cero a un valor elevado,
permitiendo que el dispositivo activo pueda utilizarse como un conmutador con
dos estados lógicos, que es el elemento básico en el diseño de circuitos
digitales.

En este caso utilizamos un transistor bipolar NPN para realizar este circuito la
cual mediante cálculos llegamos a diferentes conclusiones con medidas no
muy eficaces o eficientes.
MARCO TEÓRICO:
PROCEDIMIENTO EXPERIMENTAL:

Para realizar un circuito básico de prueba utilizando los componentes ya descritos

anteriormente procedemos la parte de implementación del circuito y luego al cálculo de
los voltajes y corrientes. El siguiente circuito esta basado en un transistor NPN.

Para el cálculo aplicamos las siguientes formulas:

V B−V BE
I B= (1)
RB

V CC−V CE
I C= (2)
RC
Para VB = 0.5v
0.5−0.7
I B= = -1.8 µA
65000
9.45−6.8
I C= = 2.6x10-3 A
1000
Para VB = 1.15v
1.15−0.7
I B= = 11 µA
65000
9.45−5.2
I C= = 3.1 mA
1000

Para VB = 2.28v
2.28−0.7
I B= = 24 µA
65000
 9.45−3.45
I C= = 6 mA
1000
Para VB = 4.30
4.30−0.7
I B= = 55 µA
65000
9.45−0.24
I C= = 9.21 mA
1000

Para VB = 6.36v
6.36−0.7
I B= = 86 µA
65000
9.45−0.16
I C= = 9.39 mA
1000

Para calcular la ganancia se aplica la siguiente fórmula:

I
β= C (3)
IB

9.39
β= = 109.18
86 x 10−3

RESULTADOS:

Los resultados obtenidos son:

VB VCC IB IC VCE
0.5 9.45 -1.8 µA 2.6 mA 6.8 v
1.15 9.45 11 µA 3.1 mA 5.2 v
2.28 9.45 24 µA 6 mA 3.45 v
4.3 9.45 55 µA 9.21 mA 0.24
6.36 9.45 86 µA 9.39 mA 0.16 v

Transistor utilizado: “NPN”

Descripción de las variables en las ecuaciones:
 VB : Voltaje de la base del transistor.
 VCC : Voltaje del colector colector del transistor.
 VBE : Voltaje de la base y emisor del transistor, es el voltaje del “led”.
 VCE : Voltaje del colector con el emisor del transistor.
 RB : Resistencia de la base.
 RC: Resistencia del colector.
 IB : Intensidad de corriente de la base
 IC : Intensidad de corriente del colector.

GRAFICA DEL TRANSISTOR: CURVA CARACTERISTICA.

CONCLUSIONES:
ANEXOS:

Fuente de Alimentacion de 0 – 12 volt.

Circuito con el transistor.
Circuito con el transistor, energizado.