Actividad 1.

Transistores de
Potencia.
Equipo 6
Carlos Francisco Heras Quintero, Erick Rafael Hernández Sánchez,
Alonso López Arellano, Oswaldo Páez Navarro, Mairelin Torres Lopes

Departamento de Metal - Mecánica

Ingeniería Mecatrónica
M.C. Rosario Alberto Rivera Ayón
Marzo 23, 2020

RESUMEN: En esta actividad se introduce el funcionamiento de los

transistores de potencia, así como su aplicación en un programa de
simulación.

Introducción Bajo voltaje- Alta frecuencia

Fuentes conmutadas, convertidores
resonantes, control de movimiento; por
La aplicación de los dispositivos más
mencionar algunos ejemplos.
comunes en la industria se establece de
acuerdo con sus rangos de operación de
Baja frecuencia- Alta corriente y Voltaje
voltaje y su respectiva corriente.
Ciclo-convertidores y accionamientos en
mega watts.
Alta corriente - Alto voltaje
Estos son usados cuando se requieren
Transistor de potencia
accionamientos grandes, calentamiento por
inducción, inversores de energía renovable,
El funcionamiento y utilización de los
convertidores HVDC, compensador estático
transistores de potencia es idéntico al de los
de VAR, filtros activos.
transistores normales, teniendo como
características especiales las altas tensiones e
intensidades que tienen que soportar y, por
tanto, las altas potencias a disipar.
 Figure 1. Gráfica de representación de dispositivos de potencia en base su frecuencia y corriente

Entre los transistores de potencia, están los
UJT y PUT son dispositivos de conmutación
más parecidos a los diodos, ya que, a
diferencia de los transistores, no son
accionados por corriente.
Transistor UJT
Este transistor tiene tres terminales como
otros transistores y sus nombres son cátodo,
ánodo y puerta.
Los parámetros de conducción del PUT son
controlados por la terminal de puerta.
Este transistor tiene dos estados: uno de
conducción y el otro de corte.

Transistor de unijuntura -Unijunction Simulación del UJT

Transistor- es un dispositivo con un
funcionamiento diferente al de otros Como aplicación del UJT, se realiza un
transistores. Es un dispositivo de disparo. circuito que aprovecha el comportamiento de
Consiste en una sola unión PN que es onda en la salida del circuito para obtener una
utilizado para hacer osciladores. onda diente de sierra curveada.
Físicamente el transistor UJT consiste en una
barra de material tipo N con conexiones
eléctricas a sus dos extremos, y de una
conexión hecha con un conductor de
aluminio en alguna parte a lo largo de la barra
de material N. En lugar de unión el aluminio
crea una región tipo PN.

Transistor PUT

Transistor uniunión programable, es un

dispositivo que, a diferencia del transistor
bipolar común tiene tres capas - ya sea NPN

Figure 2. Figure 3.
Símbolo UJT Símbolo PUT Figure 4. Aplicación del UJT

o PNP-, el PUT tiene 4 capas.

 Figure 5. Simulación en Proteus

Para su simulación se usa Proteus 8 donde T es el período en segundos y f el valor

profesional. En el programa se puede hacer de la frecuencia en Hz.
búsqueda del UJT entre otros componentes Por lo tanto, la frecuencia es 0.338 Hz.
en el mercado específicamente.
Se hace uso de una fuente de voltaje de
corriente directa de 9V que alimenta el nodo
superior del circuito y una referencia a tierra
en las mallas inferiores del circuito. En la
compuerta emisora del transistor 2N2222 se
coloca la entrada de un osciloscopio, en el
cual, al configurar la escala del eje horizontal,
para una mejor percepción de ángulo, en este
caso, se coloca en 0.5 segundos por línea
horizontal.
Usando los cursores es posible calcular la
diferencia en segundos del intervalo de la
onda para determinar su duración de
2.95625s.
A través de la fórmula:
1
𝑓=
𝑇

Figure 6. Cursores del osciloscopio.

Referencias

https://unicrom.com/transistor-ujt-
unijuntion-transistor-dispositivo-disparo/

https://unicrom.com/put-caracteristicas-
oscilador/

1.2 Transistores de potencia.pdf

Integrantes

Hernández Sánchez Erick Carlos Francisco Heras

Rafael Quintero.

Estudiante de 21 años, estudia la 21 años, Estudiante del

carrera de ingeniería mecatrónica Instituto Tecnológico de
en el instituto tecnológico Culiacán, carrera de
nacional de México campus Mecatrónica. Fanático del
Culiacán, aficionado a la diseño mecánico y preocupado
tecnología, los proyectos de de la situación actual del
electrónica y el modelado en 3D. cambio climático.

Mairelin Torres Lopes

Estudiante de 21 años, cursa la

carrera de ingeniería mecatrónica
en el instituto tecnológico
nacional de México campus
Culiacán, le interesa la electrónica
biomédica y la calidad industrial.

Alonso López Arellano

Estudiante de la carrera ingeniería

mecatrónica en el instituto
tecnológico de Culiacán. Amante
de la lectura y en busca de la
innovación.

Oswaldo Páez Navarro

20 años. Estudiante de Ingeniería

en Mecatrónica con especialidad
en Diseño de Producto en el
Tecnológico Nacional de México
campus Culiacán.

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