Licence Appliquée: 1ère année en

Technologies de l’Information et des Télécommunications

Travaux dirigés:

Electronique : Fonctions pour les transmissions

FSB – BIZERTE
 Enseignant responsable :
Mohamed OULD TD1 : Fonctions pour les
ELHASSEN transmissions
Calculatrice obligatoire

Exercice 1 :
Représenter le diagramme de Bode du montage suivant :

C
i=0 D
Ue=Ucos(ν t)
R
Us

B Quadripôle E

1
On pose : ω0 = avec R=100 Ω et C = 250 µF.
RC

Exercice 2 :
Soit le montage suivant constitué de deux résistances R et de deux condensateurs de capacité C.

A C R D

R C
B E
1
On note : ω0 =
RC

Tracer le diagramme de Bode du quadripôle situé entre les bornes A, B, D et E.

1) Déduire la nature du filtre.

2) Quelle est sa bande passante. Si possible, calculer sa largeur de bande.

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Enseignant responsable :
Mohamed OULD TD2 : Fonctions pour les
ELHASSEN transmissions
Calculatrice obligatoire

Exercice 1 : Droite de charge

La caractéristique d’une diode 1N4002 est tracée sur la figure 1.a pour une température ambiante
de 25 °C.

Figure 1.a. Courbe caractéristique IA (mA) en fonction de VD (V) d’une diode 1N4002.

R=100 Ω
IA

E=5V
VD

Figure 1.b. Circuit à diode

1) En utilisant la figure 1.a, tracer la droite de charge du circuit à diode de la figure 1.b et
déterminer graphiquement le point d’intersection Q entre la courbe de la diode et la droite de
charge.
2) Pour le point Q, quels sont le courant IA dans la diode D et la tension VD à ses bornes ?
3) Calculer la tension UT. Déterminer ensuite IS en utilisant l’équation complète de la diode
1N4002 pour T=25 °C.
ೇವ
௞்(°௄)
On donne : ‫ܫ‬஺ = ‫ܫ‬ௌ ቆ݁ ೆ೅ − 1ቇ ; ்ܷ = ; °‫ܭ‬ = °‫ ܥ‬+ 273; ݇ = 1.38 10ିଶଷ ‫ܬ‬/°‫ = ݍ ;ܭ‬1.60 10ିଵଽ ‫ܥ‬
௤

Exercice 2 :
Une diode de tension de seuil VS=0.7 V et de résistance dynamique rd=10 Ω est placée dans le
circuit de la figure 2. Déterminer la valeur de R qui assure un courant I= 20 mA dans le circuit.
Que peut-on conclure ?

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 R R
I

E=5V D1
e(t) R u(t) D2
e(t) u(t)
E1 E2

Figure 2. Circuit à diode Figure 3. Circuit à diode Figure 4. Circuit à diodes

Exercice 3 :
Dans le montage de la figure 3, la diode est supposée idéale. Tracer la tension u(t) aux bornes de
R. On donne e(t)=E0cos(2πft), E0=3 V et f=50 Hz.

Exercice 4 :
Dans le schéma de la figure 4, déterminer et tracer l’évolution de u(t). E1 et E2 sont deux sources
de tensions continues parfaites : E1=10 V et E2 = 15 V. Les diodes sont supposées idéales (tension
de seuil nulle).
On donne : e(t) = E0sin(2πft), E0 = 30 V et f= 50 Hz.

Problème : Ecrêteur de tension

On utilise le circuit écrêteur (limiteur) de la figure 5 pour convertir le signal sinusoïdal VE (de
fréquence 1 kHz variant entre -10 V et +10 V) en un signal VS compatible TTL (compris entre -0,7
V et +5,25 V). La tension de seuil V0 des diodes est assumée égale à 0,7 V. La température
ambiante est T = 27 °C.

Figure 5. Ecrêteur de tension

1) Tracer la courbe VS en fonction de VE lorsque VE varie entre -10 V et +10 V en se basant sur le
séquencement suivant :
a) D2 passante et D1 bloquée
b) D2 passante et D1 passante
c) D2 bloquée et D1 passante
2) Tracer un cycle du signal VS qui en résulte en indiquant bien sa forme et les valeurs exactes de
VSmax et VSmin.
3) Lorsque VE = 0V, calculer les résistances dynamiques rd1 et rd2 de D1 et D2.
4) Toujours avec Vcc = 5 V, Vee = 12 V et R1 = 4 kΩ, déterminer une nouvelle valeur de R2 afin
que le même signal VE (± 10 V) produise un signal de sortie VS compris entre ± 5V.

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 Enseignant responsable : TD 3 : Electronique : Fonctions pour
Mohamed OULD les transmissions
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Exercice 1 :
Dans le montage de la figure 1, on donne : RB=10 kΩ et RC= 50 Ω. La tension
d’alimentation est égale à Vcc=10 V. Le transistor est caractérisé par le paramètre β=100.
1) Montrer que le transistor est polarisé dans sa zone de fonctionnement linéaire et
calculer le point de polarisation de ce transistor. On supposera que la tension de
saturation du transistor est telle que VCEsat=0.2 V.

Figure 1

On change la valeur de la résistance de collecteur RC= 1000 Ω.

2) Montrer que le transistor est saturé. Calculer le courant IC et montrer que l’égalité IC=βIB
n’est plus vérifiée.

Exercice 2 :
Dans le montage de la figure 2, calculer les valeurs des quatre résistances de sorte que l’on
obtienne un point de polarisation caractérisé par les potentiels VC= 6 V et VE= 2 V et par un
courant de base IB=100 µA.
On donne β=150 et VCC=10 V.
Une des résistances R1 ou R2 peut être choisie arbitrairement.

Figure 2

Exercice 3 :
Le montage de la figure 3 représente l’amplificateur à émetteur commun. On suppose que le
transistor est polarisé dans sa zone de fonctionnement linéaire.
1) Réaliser le schéma équivalent de ce montage en régime dynamique de petits signaux. On
utilisera le modèle de transistor de la figure 4.

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 Figure 3 Figure 4

2) En déduire successivement les expressions du gain en tension GV=vs/eg, du gain en

courant GA=is/ig, de l’impédance d’entrée et de l’impédance de sortie.

On supposera que :
• les résistances R1 et R2 sont choisies de sorte que rBE soit très inférieure à la résistance
équivalente à leur association en parallèle que l’on notera R0,
• la résistance RC est du même ordre de grandeur que rBE.

3) Quels sont les ordres des grandeurs des gains et des impédances d’entrée et de sortie de
cet amplificateur ?

Exercice 4 :
On considère le montage de la figure 5. Le transistor est polarisé dans sa zone de fonctionnement
linéaire.

Figure 5
1) Dessiner le schéma équivalent de ce montage en régime de petits signaux. On utilisera le
modèle de transistor de la figure 4.
2) En déduire successivement l’expression du gain en tension, de l’impédance d’entrée et de
l’impédance de sortie.
3) Comparer le gain en tension et l’impédance d’entrée à ceux de l’exercice précédant.

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Problème 1 :

On se propose d’étudier le montage d’un amplificateur audio de type émetteur commun donné
dans la figure 1. Pour réaliser cet amplificateur on utilise un transistor bipolaire (2N1613), trois
résistances de polarisations (RB , RC , RE) et trois condensateurs (C1 , C2 , C3). Pour analyser le
fonctionnement de ce montage, nous allons effectuer l’étude dans le domaine statique et
dynamique.

On Donne :
RB = 1 MΩ , RL = 50 Ω , RC = 1 kΩ , RE = 4,2 kΩ , VCC = 15 V , β = 100, UT = 25 mV, V0 = 0,7 V

Figure 1

A) Etude statique

Sachant que VBE=V0, on demande de :

1) Dessiner le schéma équivalent en statique du montage émetteur commun.
2) Calculer le point de repos (IB0 , IC0 , IE0 , VE0 , VC0 , VB0).

B) Etude dynamique

4) Dessiner uniquement le schéma équivalent du transistor avec rCE=∞.

5) On donne rBE=β.UT/IC0. Calculer rBE.
6) Dessiner le schéma dynamique complet du montage émetteur commun en utilisant la figure 1
et le schéma dynamique du transistor.
7) Déterminer le gain A = v/u.

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Problème 2 :

Soit le montage de la figure 2.

1) Donner les expressions et calculer les valeurs numériques de :
• Le gain en tension Av,
• Le gain en courant Ai,
• La résistance d’entrée Re,
• La résistance de sortie Rs.
On donne rBE=1 kΩ, β=200, rCE=10 kΩ, RC=5.6 kΩ, RE=470 Ω, R’E=1.8 kΩ, R2=51 kΩ, R1= 180
kΩ, Rg=20 kΩ, RL=10 kΩ.

Figure 2

2) Que deviennent les valeurs numériques si C3 court-circuite RE+R’E ?

3) Le circuit est-il utilisable si RE=20 kΩ ?

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Calculatrice obligatoire

Exercice 1 :
On considère un transistor à effet de champ à jonction canal N et son réseau de
caractéristiques présenté sur la Figure 1. Ce transistor est polarisé par une résistance de
drain (Figure 2).
VCC=15V

ID
ID
RD

12 mA VGS =-2V D
VGS =-3V G
7 mA
VDS

S
VGS
0 -VP=3.5 V VDS

Figure 1 Figure 2

a) On choisit RD=100 Ω et on applique une tension VGS = -2 V. Le transistor est-il polarisé

dans sa zone ohmique ou dans sa zone linéaire ? Quelle est la valeur de son courant de
drain ?
b) Répondre aux mêmes questions avec RD=3 kΩ et VGS= -2 V.
c) Répondre aux mêmes questions avec RD=1 kΩ et VGS= -3 V.

Exercice 2 :
On reprend le transistor de l’exercice précédent (réseau de caractéristique Figure 1) et on
l’inclut dans le montage de la figure 3. On souhaite faire fonctionner le transistor dans sa
zone linéaire avec un point de polarisation défini par :
VDS= 5 V et VGS = -3 V
Déterminer les valeurs des deux résistances RD et RS.
VCC=15V

ID

RD
D

G
VDS

VGS S

RS

Figure 3

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Exercice 3
On considère le montage de la figure 4. Le transistor à effet de champ est celui dont les
caractéristiques sont représentées à la Figure 1.
On donne R1=800 kΩ et R2=400 kΩ.
Déterminer la condition sur la valeur de la résistance RD ainsi que la valeur de la résistance RS
pour que le transistor soit polarisé dans sa zone de fonctionnement linéaire avec VGS = -2 V.
VCC=15V

R1 RD

ID
G D

S
R2
RS

Figure 4

Exercice 4
Le schéma de la figure 5 représente un montage amplificateur à source commune. Le
transistor à effet de champ est supposé polarisé dans sa zone de fonctionnement linéaire.
Déterminer les expressions du gain en tension, du gain en courant et de l’impédance en entrée
de ce montage.
VCC

is

R1 R D vs

ie C0
G D
S

R2
ve RS Cs

Figure 5

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