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CIRCUITOS
ELECTRÓNICOS
Programa: Electrónica y Automatización Industrial
Curso: Dispositivos y Circuitos Electrónicos
Prof. : Percy Cari
pcari@tecsup.edu.pe
SISTEMA DE CALIFICACIÓN X
Nota final = 0.30 PA + 0.60 PB + 0.10 Ex
Ex = Examen final.
PA = Pruebas de Aula.
PB = Pruebas de Laboratorio.
Nota mínima: TRECE (13)
Asistencia:
Tener asistencia de 70% mínimo para no tener
condición de desaprobado por inasistencia (DI).
Tres tardanzas equivalen a una inasistencia.
Contenido del curso
• Diodos semiconductores.
• Circuitos y aplicaciones con diodos semiconductores.
• Transistor bipolar.
• Circuitos y aplicaciones con transistores.
• Transistor FET.
• Transistor MOSFET.
• Dispositivos básicos de potencia.
• Implementar un proyecto en conjunción con el curso
de circuitos digitales.
3
Ejercicio: Dibuje en la rejilla una señal senoidal de 12V pico con una
frecuencia de 1KHz
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Sesión 01:
DIODOS
SEMICONDUCTORES
Objetivos de la sesión
• Conocer el principio de funcionamiento de los
diodos.
• Identificar los diferentes tipos de diodos
semiconductores.
• Polarización directa, inversa.
• Analizar circuitos electrónicos con diodos.
CONTENIDO
Materiales Semiconductores:
• El silicio y el germanio.
• Conductividad de un semiconductor.
El Diodo:
• Polarización
• Curva característica.
• Representación.
• Tipos.
MATERIALES SEMICONDUCTORES
Resistividad del
silicio, germanio y
cobre en función
de la temperatura.
Al aumentar la
temperatura, los
materiales
semiconductores
disminuyen su
resistividad al paso
de corriente;
mientras que los
materiales
conductores
aumentan su
resistividad.
Semiconductores
El silicio y el germanio.
Los dos elementos
semiconductores más
importantes, silicio y
germanio, se encuentran en el
cuarto grupo y según esto
tienen cuatro electrones en
su capa más externa. Debido
a estos cuatro electrones de
valencia, al Si y al Ge se los
denomina como tetravalentes.
Semiconductores
Unión entre dos átomos de silicio.
Conductividad Conductividad
intrínseca extrínseca
Semiconductores
Conductividad intrínseca.
Conductividad
intrínseca
Al aumentar la
temperatura del
cristal los átomos
empiezan a vibrar
(movilidad
intrínseca térmica).
Por esta razón
algunos electrones
de valencia quedan
libres, así como,
cargas positivas
(huecos).
Semiconductores
Conductividad extrínseca
Conductividad
extrínseca
tipo N
tipo P
Semiconductores
Mecanismo de conducción.
Conductividad
(semiconductor tipo N) extrínseca
Material tipo N
=
conducción
NEGATIVA
(electrones)
Semiconductores
Mecanismo de conducción.
Conductividad
(semiconductor tipo P) extrínseca
Material tipo P
= conducción
POSITIVA(hue
cos)
EL DIODO
En condiciones sin
polarización, los
portadores minoritarios
(huecos) en el material
tipo N que se
encuentran dentro de la
región de agotamiento
pasarán directamente al
material tipo P y los
portadores minoritarios
(electrones) en el
material tipo P que se
encuentran en la región
de agotamiento pasarán
al material tipo N.
EL DIODO
Polarización directa.
La aplicación de una
polarización directa
"presionará" a los
electrones en el
material tipo N y a los
huecos en el material
tipo P para recombinar
con los iones de la
frontera y reducir la
anchura de la región de
agotamiento hasta
desaparecerla cuando
VD = 0.7 V para diodos
de silicio.
EL DIODO
Polarización inversa.
Silicio:
URmáx = 80V - 1500V
Germanio:
URmáx =40V - 100V.
EL DIODO
Curva característica.
http://datateca.unad.edu.co/contenidos/201419/Lecciones/R_Leccion_U1/curva_ca
racterstica_de_un_diodo.html
EL DIODO
¿Qué función realiza un diodo?.
Básicamente, un diodo, es un
interruptor controlado por
voltaje.
• En polarización directa
(menor que 200 ohm)
• En polarización inversa
(mayor a 1M ohm)
• En polarización directa
(0.5 a 0.7 V para silicio)
• En polarización inversa
(circuito abierto)
EL DIODO
Resumen de funcionamiento.
EL DIODO
Elección de un diodo.
Para seleccionar un diodo se deben conocer
como mínimo los siguientes datos:
a) Corriente (pico y promedio) en
polarización directa.
b) Voltaje máximo en polarización
inversa.
c) Frecuencia de las señales.
Silicio:
URmáx = 80V - 1500V
Germanio:
URmáx =40V - 100V.
EL DIODO
id
IOmax
iS Vd
Pmax
IF
0.7V
Ejemplo: Un diodo de silicio soporta una potencia máxima de 2W.
¿Se quemará si por él pasa una corriente de 1A?
PD 2Watt
IF 2.86 A
VD 0.7 V
EL DIODO
Características técnicas.
(Valores nominales de temperatura)
Tj = Valor máximo de la
temperatura que soporta la
unión de los semiconductores.
Tipos de diodos
EL DIODO
Encapsulados
TIPOS
EL DIODO
Diodo rectificador.
TIPOS
Su construcción está basada en la unión PN
siendo su principal aplicación como rectificadores.
Este tipo de diodos (normalmente de silicio)
soportan elevadas temperaturas (hasta 200 °C en
la unión), siendo su resistencia muy baja y la
corriente en tensión inversa muy pequeña.
EL DIODO
Diodo schottky.
TIPOS
El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky, es
un dispositivo semiconductor que proporciona
conmutaciones muy rápidas entre los estados de
conducción directa e inversa (menos de 1ns en
dispositivos pequeños de 5 mm de diámetro)
Tiene muy bajas tensiones umbral ( 0.2 V, 0.4V).
Aplicaciones
Circuitos de alta velocidad para electrónica
digital y electrónica de potencia, donde se
necesiten grandes velocidades de
conmutación y mediante su poca caída de
voltaje en directo permite poco gasto de
energía. .
EL DIODO
Diodo Zener.
TIPOS
El diodo Zener es un diodo de silicio 1 que se ha
construido para que funcione en las zonas de
rupturas, recibe ese nombre por su inventor, el Dr.
Clarence Melvin Zener. El diodo zener es la parte
esencial de los reguladores de tensión casi
constantes con independencia de que se
presenten grandes variaciones de la tensión de
red, de la resistencia de carga y temperatura.
EL DIODO
Diodo LED (Light Emitting Diode).
TIPOS
Con la unión PN polarizada directamente
emiten fotones (luz) de una cierta longitud
de onda.
Es un diodo que presenta un
comportamiento parecido al de un diodo
rectificador, sin embargo, su tensión de
umbral, se encuentra entre 1.3 y 4 V COLOR TENSIÓN
dependiendo del color del diodo. Infrarrojo 1.3 v
Se utilizan como señal visual. Rojo 1.7 v
Naranja 2.0 v
Amarillo 2.5 v
Verde 2.5 v
Azul 4.0 v
EL DIODO
Diodo de capacidad variable
TIPOS
(varicap).
Estos diodos varían la anchura de la barrera de
potencial (juntura) en una unión PN en función de la
tensión inversa aplicada entre sus extremos.
Al aumentar dicha tensión inversa, aumenta la anchura de esa
barrera, disminuyendo así la capacidad del diodo.
De este modo se obtiene un condensador variable controlado por
tensión.
Los valores de capacidad obtenidos van desde 1 a 500 pF. La tensión
inversa mínima tiene que ser de 1 V.
P CT
-
N
-
-
-
-
+
+
+
+
+ 30 pF
- - + +
- - + +
VI
d 10 V
Dieléctrico
EL DIODO
Diodo PIN.
TIPOS
Se llama diodo PIN a una estructura de tres capas,
siendo la intermedia semiconductor intrínseco, y
las externas, una de tipo P y la otra tipo N
(estructura P-I-N que da nombre al diodo). Sin
embargo, en la práctica, la capa intrínseca se
sustituye bien por una capa tipo P de alta
resistividad (π) o bien por una capa n de alta
resistividad (ν).
-
Trifásico
+
DISPLAY
-
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Display de 7 segmentos
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APLICACIONES DE DIODOS
Detectores reflexión de
objeto
Detectores de barrera
Detectores reflexión de espejo
54
APLICACIONES DE DIODOS
Objetivo Fotodetector
LED azul
55
GRACIAS