Вы находитесь на странице: 1из 10

СХЕМНЫЕ РЕШЕНИя

Драйверы силовых ключей


Георгий Волович (г. Челябинск)
подаче с выхода драйвера открываю
В статье изложены основные требования к драйверам силовых IGBT щего потенциала начинается заряд
и МОПтранзисторов. Приведены схемы, обеспечивающие необходимые входной ёмкости ключа СВХ (рис. 2а).
управляющие напряжения и защиту мощных силовых ключей. Если сток МОПтранзистора или кол
Описаны интегральные микросхемы драйверов. лектор IGBT не подключены, то заряд
входной ёмкости будет происходить
по затухающей экспоненте до уров
Драйвер представляет собой усили тенциальным управлением. Как на ня, соответствующего э.д.с. драйвера
тель мощности импульсов и предна грузка драйверов эти транзисторы в EДР. Если же на стоке закрытого тран
значен для непосредственного управ их мощном исполнении представля зистора был высокий потенциал, то,
зления силовыми ключами преобра ют собой конденсаторы с ёмкостью в как только напряжение UЗИ достиг
зователей параметров электроэнер тысячи или даже десятки тысяч пико нет порога отпирания UПОР (момент
гии. Схема драйвера определяется ти фарад. При открывании транзистора t1, рисунок 1), начнётся разряд пере
пом структуры ключевого транзисто необходимо его входную ёмкость за ходной ёмкости ССЗ, вызванный сни
ра (биполярный, МОП или IGBT) и ти рядить, а при закрывании – разря жением напряжения на стоке UСИ.
пом его проводимости, а также распо дить. Транзисторы начинают откры Это, в свою очередь, вызовет увеличе
ложением транзистора в схеме ком ваться, когда напряжение на их затво ние тока стока и падения напряже
мутатора («верхний», т.е. такой, оба ре относительно истока превышает ния на выходном сопротивлении
силовых вывода которого в открытом пороговое значение. Пороговое на драйвера RД, что приведёт к увеличе
состоянии имеют высокий потенци пряжение затвористок UПОР МОП и нию длительности процесса отпира
ал, или «нижний», оба силовых выво IGBTтранзисторов, используемых в ния транзистора (одно из проявле
да которого в открытом состоянии качестве силовых ключей, обычно ний эффекта Миллера). Для учёта
имеют нулевой потенциал). Драйвер составляет 2…4 В. Поэтому для мини этого явления при расчёте парамет
должен усилить управляющий сигнал мизации сопротивления канала от ров входной цепи ёмкость Ciss, паспор
по мощности и напряжению, в случае крытого МОПтранзистора RСИ(вкл) тное значение которой определяет
необходимости обеспечить его по или напряжения насыщения коллек ся при постоянном напряжении
тенциальный сдвиг. На драйвер также торэмиттер USAT IGBTтранзистора UСИ = 25 В (при этом эффект Миллера
могут быть возложены функции за следует подавать на затвор относи не проявляется), следует умножить на
щиты ключа. тельно истока (эмиттера) 10…15 В, а коэффициент χ = 3…5, то есть прини
для гарантированного запирания мать входную ёмкость транзистора
ПРОЦЕССЫ ПЕРЕКЛЮчЕНИЯ транзистора достаточно, чтобы UЗИ = 0, СВХ = χCiss.
СИЛОВЫХ МОП И IGBT хотя для ускорения запирания и пре При запирании ключа напряжение
ТРАНЗИСТОРОВ дотвращения нештатного открыва на затворе спадает по экспоненте, по
В настоящее время в качестве сило ния за счёт большой du/dt лучше по ка в момент t1 (см. рис. 3) напряжение
вых ключей средней и большой мощ дать напряжение –3…–15 В. стокисток не начнёт нарастать. На
ности применяются в основном МОП Процесс отпирания МОПтранзис пряжение на затворе устанавливает
и IGBTтранзисторы – приборы с по тора иллюстрирует рисунок 1. При ся таким, что ток стока поддерживается

UЗИ, UСИ, IС UСИ, IС

UСИ
UСИ

IC
IC
а)

t
UЗИ
UЗИ

к
сто
ый
рыт
Отк UЗИ
UПОР Открытый UПОР
сток
t0 t1 t2 t3 t4 t t0 t1 t2 t3 t4 t
б)

Рис. 1. Графики процесса отпирания Рис. 2. Эквивалентные схемы цепи Рис. 3. Графики процесса запирания
МОП!транзистора управления ключа МОП!транзистора

32 © СТАПРЕСС WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 8 2007


СХЕМНЫЕ РЕШЕНИя

практически неизменным (если на


грузка в цепи стока имеет индуктив
ный характер). За счёт эффекта Мил
лера скорость подъёма напряжения
на стоке поддерживается постоянной
на уровне, который зависит от тока
стока. В момент t2 рост напряжения
стока закончен и напряжение затвор а) б) в)
исток продолжает падение по экспо
ненте к величине э.д.с. драйвера EДР. Рис. 4. Силовые схемы преобразователей
При этом ток стока спадает до нуля.
При проектировании схемы управ проводимости (рис. 5а) эти транзис теля требуется, чтобы потенциал за
ления ключом необходимо обеспе торы управляются противофазными твора был выше потенциала истока
чить превышение скорости запира напряжениями (например, в микро по меньшей мере на 12 В. В то же вре
ния транзистора над скоростью от схеме ШИМконтроллера UC3842). мя потенциал истока этого ключа в
пирания. Это позволяет устранить Если же драйвер построен на комп открытом состоянии почти равен
сквозные токи в двухтактных схемах лементарной паре МОПтранзисто входному напряжению преобразова
(рис. 4а), вызывающие большие поте ров (рис. 5б), то транзисторы драй теля. Поэтому для питания драйвера
ри и перегрев транзисторов. На прак вера могут управляться одним и тем требуется напряжение, превосходя
тике обычно время запирания ключа же входным напряжением. Условное щее входное на 12…15 В. Здесь может
превышает время отпирания, особен обозначение драйверов такого типа быть два решения:
но у IGBT, изза необходимости расса (в переводной литературе их называ ● питать драйвер от дополнительно

сывания зарядов, поэтому приходит ют тотемными или пушпульными) го источника более высокого на
ся вводить «мёртвое» время между за представлено на рисунке 5в. Такие пряжения, чем входное, либо от
пиранием предыдущего транзистора драйверы могут быть применены для изолированного источника;
и отпиранием последующего. В одно управления силовым транзистором в ● формировать дополнительное на
тактных схемах (рис. 4б) при быст схеме повышающего или сетевого пряжение питания драйвера при
ром отпирании транзистора сквоз однотактного преобразователя, а так помощи схемы вольтодобавки.
ные токи возникают за счёт перезаря же нижним nМОПтранзистором в Рассмотрим последний способ под
да диффузионной ёмкости диода. Для схеме синхронного выпрямителя. робнее. Нижний (низкопотенциаль
запирания транзисторов отрицатель Кроме того, эта схема широко ис ный) вывод питания драйвера соеди
ным напряжением необходим допол пользуется для переключения pМОП нён с общей точкой транзистора VТ,
нительный источник питания, что транзистора в схеме понижающего диода VD и дросселя L понижающего
усложняет схему управления, поэтому преобразователя. преобразователя напряжения (рис. 6).
МОПтранзисторы в преобразовате Для того чтобы запирание ключа Когда транзистор закрыт, а диод (или
лях малой и умеренной мощности ча происходило быстрее, чем отпира нижний транзистор в синхронном
ще запирают нулевым напряжением, ние, транзисторы выходного каскада выпрямителе) открыт, конденсатор
что ещё больше увеличивает время за драйвера иногда подключают к за CB вольтодобавки подзаряжается че
пирания ключа. Для ускорения запи твору через отдельные резисторы, рез диод VDB вольтодобавки до на
рания ключа по сравнению с отпира причём выбирается RON > ROFF (рис. 5г). пряжения входа +UIN. В случае приме
нием сопротивление источника сиг Такое включение обеспечивает так нения этой схемы в однотактном по
нала в цепи затвора при запирании же уменьшение сквозных токов че нижающем преобразователе заряд
должно быть заметно меньше, чем рез эти транзисторы. Другой путь конденсатора вольтодобавки может
при отпирании. иллюстрирует рисунок 5д. Здесь от оказаться недостаточным при работе
пирание ключа происходит через преобразователя на холостом ходу,
ПРОСТЕЙШИЕ СХЕМЫ резистор RON, а запирание – через т.к. в этом случае диод силовой схемы
ДРАЙВЕРОВ параллельно включенные резисто практически не открывается.
На рис. 5а и 5б представлены типо ры RON и R1. При отпирании транзистора по
вые схемы драйверов, применяемых Для отпирания силового nМОП тенциал его истока, нижней обклад
для управления МОП и IGBTтран транзистора понижающего преобра ки конденсатора CB и нижнего выво
зисторами. При использовании би зователя либо верхнего ключа полу да питания драйвера становится поч
полярных транзисторов одного типа мостового (мостового) преобразова ти равным входному напряжению,

а) б) в) г) д)

Рис. 5. Драйверы для управления МОП! и IGBT!транзисторами

СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 8 2007 WWW.SOEL.RU © СТАПРЕСС 33


СХЕМНЫЕ РЕШЕНИя

а) б) в)
Рис. 6. Схема вольтодобавки для питания
буфера «верхнего» транзистора Рис. 7. Защита от КЗ путём контроля тока истока

диод VDB закрывается и к затвору Защита от короткого замыкания ток в течение 5…10 мкс без поврежде
транзистора относительно истока Наиболее простой путь защиты ния. Рост тока сопровождается рос
прикладывается напряжение, равное ключа от короткого замыкания (КЗ) том напряжения стокисток (коллек
UIN. Отсюда ясно, что входное напря (перегрузки по току) состоит в конт торэмиттер), и этот факт может слу
жение должно составлять величину роле тока истока (эмиттера). При жить признаком необходимости
из интервала 12…15 В. В противном превышении этим током некоторого экстренного запирания транзистора.
случае драйвер необходимо питать заданного порога транзистор должен Схема цепи управления силовым
от дополнительного источника ука быть заперт. В качестве датчиков тока транзистором с защитой от КЗ приве
занного напряжения либо применять используют обычно шунты (см. дена на рисунке 8. Когда транзистор
специальные МОПтранзисторы с рис. 7а). Напряжение на шунте срав закрыт и на его коллекторе высокое
пониженным пороговым напряже нивается с опорным ЕОП с помощью напряжение, диод тоже закрыт. На
нием затвористок (управляемые ло компаратора напряжения (КН), вы пряжение на выходе буфера равно
гическим уровнем), такие, например, ходное напряжение которого являет нулю или отрицательное, поэтому
как сдвоенный nканальный IRF7107, ся аварийным сигналом. Недостат потенциал точки «а» также равен ну
обладающий пороговым напряжени ком такого способа являются значи лю или отрицателен. При подаче на
ем 1…3 В. Поскольку ёмкость конден тельные потери энергии в шунте, вход буфера открывающего сигнала
сатора CВ выбирается намного боль поэтому выпускаются МОПтранзис напряжение на выходе буфера под
ше входной ёмкости МОПтранзисто торы, имеющие дополнительный ис нимается до 12…15 В, а UКЭ транзис
ра (обычно CВ принимают равной ток (токочувствительный вывод), че тора снижается до 0,1…3 В в зависи
0,1 мкФ), то её разряд на такте незна рез который течёт небольшая часть мости от типа транзистора и тока
чителен. тока стока, например, транзисторы нагрузки. При этом напряжение точ
серии IRC фирмы International ки «а» устанавливается равным
ЗАЩИТА СИЛОВЫХ КЛЮчЕЙ Rectifier. Схема включения транзис
Часто на драйверы возлагают так тора с токочувствительным выводом ,
же некоторые функции защиты приведена на рисунке 7б. Некоторые
МОП и IGBTтранзисторов. В число фирмы выпускают IGBTмодули со где UD – прямое напряжение на дио
этих функций входят следующие: встроенной цепью контроля тока де. На время переходного процесса
● защита от короткого замыкания RTC (real time current control), напри установления открытого состояния
ключа; мер, CM600HU12F Fсерии Mitsubishi (примерно 0,5 мкс) вход компарато
● защита от понижения напряжения Electric, схема которого представлена ра КН отключается от точки «а» ком
питания драйвера; на рисунке 7в. мутатором S. В случае КЗ напряжение
● защита от сквозных токов; Напряжение на резисторе, создавае UКЭ растёт, и, соответственно, растёт
● защита от пробоя затвора. мое током дополнительного эмиттера, также Uа, вызывая переключение
пропорционально току коллектора. компаратора.
При превышении этим напряжением
опорного напряжения компаратор пе Защита от понижения питания
реключается, диод открывается и на драйвера
пряжение UЗЭ уменьшается, ограничи При снижении напряжения пита
вая ток коллектора и формируя ава ния драйвера, вызванном теми или
рийный сигнал. иными причинами, снижается также
Другой путь защиты ключа от ко напряжение на затворе открытого
роткого замыкания состоит в контро транзистора. Это может привести к
ле напряжения на открытом ключе. росту потерь в открытом транзисто
При КЗ ток через открытый ключ ре или даже выходу его в активный
ограничен его насыщением. Крат режим, что совершенно недопусти
ность этого тока может достигать 3…10 мо. Для предотвращения такого ре
от номинального значения. Многие жима многие модели драйверов
Рис. 8. Защита от КЗ с контролем напряжения модели IGBT и МОПтранзисторов снабжаются узлами блокировки при
на коллекторе могут однократно выдерживать такой чрезмерном уменьшении напряже

34 © СТАПРЕСС WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 8 2007


СХЕМНЫЕ РЕШЕНИя

ния БЧУН (в английской транскрип


ции – UVLO), которые при пониже
нии напряжения питания ниже за
данного порога переводят выход
драйвера в низкопотенциальное со
стояние.
а) б) в)
Защита от сквозных токов
Для предотвращения сквозных то Рис. 9. Варианты цепей ограничения напряжения на затворе
ков, вызывающих сильный перегрев
транзисторов, вводится пауза («мёрт однофазными и трёхфазными – со напряжения, а также время реакции
вое» время) между запиранием пре держат большое количество элемен цепей защиты. Важнейшие эксплуа
дыдущего транзистора в полумосте и тов, поэтому неудивительно, что их тационные параметры: максималь
отпиранием следующего. Эту паузу выпускают в виде интегральных мик ное импульсное значение втекающе
реализуют элементы задержки в росхем (ИМС) несколько фирм: го/вытекающего выходного тока,
драйвере, причём некоторые модели International Rectifier, Intersil, Mitsu входные уровни, диапазон питаю
драйверов позволяют регулировать bishi Electric, IXYS и др. (табл. 1). Эти щих напряжений, выходное сопро
это время в некоторых пределах. микросхемы, помимо собственно тивление.
драйверов, содержат также цепи пре
Защита от пробоя затвора образования уровня, вспомогатель Драйверы нижнего ключа
Выход из строя силового ключа по ную логику, цепи задержки для фор Драйверы нижнего ключа предна
причине повреждения изолирован мирования «мёртвого» времени, цепи значены для управления ключом, по
ного затвора является достаточно защиты и т.д. По области применения тенциал затвора и потенциал истока
распространённой неисправностью. ИМС драйверов различают: (эмиттера) которого в открытом со
Пробой затвора может наступить из ● драйверы нижнего ключа; стоянии близки к нижнему потенци
за возникновения генерации в конту ● драйверы верхнего ключа; алу входного напряжения преобразо
ре, образованном индуктивностью ● драйверы нижнего и верхнего клю вателя. Эти драйверы устроены наи
цепи управления и ёмкостью затвора. чей; более просто. В простейших случаях
Другой причиной может стать корот ● полумостовые драйверы; они содержат только схему преобра
кое замыкание силовой цепи, при ко ● драйверы однофазного моста; зования входного логического уров
тором быстрое повышение напряже ● драйверы трёхфазного моста. ня (обычно ТТЛ/КМОП) в сигнал
ния на коллекторе (стоке) вызывает Основные параметры интеграль полного размаха выхода и буферный
значительный ток через переходную ных драйверов делятся на две груп усилительный каскад. Таковы, на
ёмкость CСЗ (рис. 2б) и, как следствие, пы: динамические и эксплуатацион пример, семейства одноканальных
подъём напряжения на затворе. Это ные. К динамическим относятся вре MAX4420/9, MTX429 фирмы Maxim,
обстоятельство требует выбора низ мя задержки переключения при допускающие выходной ток до 6/6 А,
кого значения сопротивления в цепи отпирании и запирании ключа, вре IXDx409 фирмы IXYS и MIC4421/2
запирания ключа. Дополнительно мя нарастания и спада выходного фирмы Micrel с выходным током
следует обеспечить минимальную
длину цепи управления и снизить ин
дуктивность этой цепи минимизаци
Мы переключаем ваше будущее!
ей площади, охватываемой ею. Наи
более распространённые и широко
применяемые на практике схемы
представлены на рисунке 9.
КОНЦЕВЫЕ DIPПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ
Резистор, установленный парал ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ
лельно цепи «затвористок» (рис. 9а),
защищает от статического электри
чества и демпфирует колебания в це ДВИЖКОВЫЕ МНОГОФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ
ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ
пи «драйверзатвор». Его следует мон
тировать как можно ближе к затвору
ТАКТОВЫЕ
и истоку. Наиболее эффективно защи КНОПКИ
щает затвор супрессор TVS (рис. 9б). В
ключах небольшой мощности можно
использовать диод Шоттки, включае
мый между затвором и цепью пита
ния драйвера (рис. 9в).
Diptronics, тайваньский лидер в разработке и производстве переключателей, специализируется в этой области с 1985 г.

МИКРОСХЕМЫ ДРАЙВЕРОВ
Реклама

МОП И IGBTТРАНЗИСТОРОВ
Драйверы для управления сложны
ми преобразовательными схемами –

СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 8 2007 WWW.SOEL.RU © СТАПРЕСС 35


СХЕМНЫЕ РЕШЕНИя

тирующем режиме. Ещё одна осо


бенность этой ИМС – два выхода.
Один из них – P_OUT – предназна
чен для формирования вытекающе
го тока при отпирании силового
ключа. Он имеет выходное сопро
тивление 2 Ом и допускает импульс
ный ток до 1,3 А. Второй выход –
N_OUT – формирует втекающий ток
при запирании ключа. Его выходное
сопротивление – 0,23 Ом. Допусти
мый ток – до 7,6 А.
Ещё более сложные ИМС включа
ют цепи защиты от КЗ. Рассмотрим
Рис. 10. Драйвер нижнего ключа IR2121 схемотехнику развитого семейства
драйверов IR21хх. Драйвер нижне
до 9/9 А, семейства двухканальных канальные LM5110/1 с выходным то го ключа IR2121 представлен на ри
IR4426/7/8 International Rectifier с ком 5/3 А, включают схему контроля сунке 10. Он содержит буферный
выходным током до 3,3/2,3 А на ка понижения напряжения питания, а КМОПусилитель Б, схему блоки
нал, MAX4426/7/8 Maxim и др. Более также входную логику. ровки при чрезмерном уменьше
развитые модели, такие как однока Представленные выше семейства нии напряжения БЧУН, блок зада
нальные IXDx430 фирмы IXYS с вы ИМС драйверов включают инверти ния времени отключения при
ходным током 30/30 А, LM5112 рующие и неинвертирующие моде ошибке ERROR, три компаратора
National Semiconductor с выходным ли. ИМС драйвера нижнего ключа напряжения КН1 – КН3, усилитель
током 7/3 А, UCC37321/2 Texas Instru MAX5048 позволяет включать её как обратной связи по току У, логичес
ments с выходным током до 9/9, двух в инвертирующем, так и в неинвер кий элемент, аналоговый коммута

Таблица 1. Основные параметры драйверов для МОП! и IGBT!транзисторов


Модель tвкл/выкл, нс (fмакс, кГц) Iвтек/вытек, А Uси.макс, В Uпит, В Особенности
Драйверы нижнего ключа
MAX4420 65/65 6/6 – 4,5…18 Входной ток <10 мкА
IXDD409 46/43 9/9 – 4,5…35 Непрерывный выходной ток до 2 А
MIC4422 55/55 9/9 – 4,5…18 Есть вариант с инвертированием
IR4426 85/65 1,5/1,5 – 6…20 Двухканальный
EL7242 20/20 2/2 – 4,5…16 Двухканальный с дифференциальными входами
IXDD430 65/57 30/30 – 8,5…35 БЧУН, непрерывный выходной ток до 8 А
LM5112 39/37 7/3 – 3,5…14 Регулируемый входной порог, БЧУН
LM5110 39/37 5/3 – 3,5…14 Двухканальный, регулируемый входной порог
UCC37321 55/45 9/9 – 4,5…15 Есть вход отключения
MAX5048 20/15 7,6/1,3 – 4…12,6 Дифференциальные входы
IR2121 150/150 2/1 – 12…18 Защита от КЗ по току, БЧУН
Драйверы верхнего ключа
IR2118 125/105 0,42/0,2 600 10…20 БЧУН
IR2125 150/150 2/1 500 12…18 Защита от КЗ по току, БЧУН
IR21271 200/150 0,42/0,2 600 9…20 Защита от КЗ по напряжению, БЧУН
ISL6801 (100) 0,2/0,2 120 5 Входная логика, раздельные выходы, БЧУН
Драйверы верхнего и нижнего ключей
IR2113 120/94 2/2 600 10…20 Раздельные входы управления верхним и нижним ключами
IR2111 750/150 0,42/0,2 600 10…20 Объединённый вход управления верхним и нижним ключами
IR2214SS 460/450 3/2 1200 10,4…20 Защита от КЗ по напряжению, раздельные выходы
IR2233 700/700 0,42/0,2 1200 10…20 Три полумостовых драйвера, токовая защита
IR21094 750/200 0,25/0,12 600 10…20 Программируемое «мёртвое» время, защита от сквозных токов
IX6R11 205/150 6/6 650 10…35 Требуется три источника питания
HIP2100 20/20 2/2 100 9…14 БЧУН
HIP4081А 55/40 2,6/2,4 80 9,5…15 Два полумостовых драйвера, БЧУН
IP4086 50/50 1,25/1,25 95 7…15 Три полумостовых драйвера, программируемое «мёртвое» время
Драйверы ключей синхронного выпрямителя
ICL6207 28/26 4/2 30 5 Защита от сквозных токов
IXS839 65/55 4/2 24 5 Защита от сквозных токов
ADP3419 15/10 4/2 25 5 Защита от сквозных токов, БЧУН
TPS28225 10/10 4/2 32 – Uпит 4,5…8 Защита от сквозных токов

36 © СТАПРЕСС WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 8 2007


СХЕМНЫЕ РЕШЕНИя

Рис. 11. Типовая схема включения драйвера


IR2121 Рис. 12. Схема драйвера верхнего ключа IR2118

тор S и три источника опорного Драйверы верхнего ключа фильтром поступают на соответству
напряжения. Типовая схема вклю ИМС драйверов верхнего ключа ющие входы RSтриггера, который, в
чения драйвера показана на рисун отличаются от драйверов нижнего свою очередь, управляет выходным
ке 11. ключа в первую очередь наличием буфером Б. Фильтр, представляющий
Если напряжение питания микро схемы сдвига уровня управляющего собой селектор импульсов, предна
схемы UCC не менее 12 В и перегрузка напряжения и цепей вольтодобавки. значен для повышения помехоустой
по току истока силового транзистора Это позволяет использовать их для чивости. Он подавляет импульсы дли
отсутствует, то транзистор переклю управления верхними ключами без тельностью менее 50 нс. Типовая
чается синфазно с сигналом на входе применения дополнительных источ схема включения драйвера IR2118
IN. Логический порог переключения ников с гальванической развязкой и представлена на рисунке 13. Здесь на
компаратора КН1 составляет 1,8 В, изолирующих каналов передачи сиг диоде и конденсаторе CВ выполнена
поэтому вход IN совместим по уров налов. цепь вольтодобавки, обеспечиваю
ням с ТТЛ и КМОПлогикой. При по Схема драйвера верхнего ключа по щая напряжение на затворе открыто
нижении питающего напряжения лумостовой схемы IR2118 приведена го силового транзистора, равное UCC.
БЧУН блокирует прохождение управ на рисунке 12. Существенное отличие Этот драйвер может быть использо
ляющих импульсов. этой схемы от предыдущей состоит в ван для управления не только «верх
Микросхема оснащена довольно наличии схемы высоковольтного (до ним» транзистором полумостовой
сложной схемой защиты силового 600 В) сдвига уровня напряжения на схемы, но и транзистором высоко
транзистора от перегрузки по току. транзисторах VТ1 и VТ2. При UCC > 10 В вольтного понижающего преобразо
Если напряжение на выходе датчика переход входного сигнала из 0 в 1 и вателя. Для последней цели ещё луч
тока (на рисунке 11 это резистор Rт) наоборот вызывает импульс на соот ше подходит ИМС драйвера IR2125,
превысит 0,23 В, компаратор КН3 пе ветствующем выходе генератора им содержащая цепи защиты от пере
реключается и подсоединяет вход бу пульсов ГИ. Эти импульсы после сдви грузки силового транзистора по току,
фера Б к выходу усилителя. При этом га по уровню вверх и формирования аналогичные этим цепям у IR2121.
драйвер переходит в режим стабили
зации тока на уровне

. (1)

Одновременно запускается схема


формирования задержки времени
выключения в блоке ERROR и компа
раторе КН2. Длительность этой задерж
ки определяется временем заряда
конденсатора CE от 0 до 1,8 В и рас
считывается по формуле:

, (2)

где IERR = 0,1 мА – ток, заряжающий


конденсатор CE. По истечении време
ни задержки силовой транзистор на
этом такте запирается. На следующем
такте всё повторяется, так что в ре
Реклама

зультате формируются короткие им


пульсы тока, амплитуда которых
определяется формулой (1), а дли
тельность – формулой (2).

СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 8 2007 WWW.SOEL.RU © СТАПРЕСС 37


СХЕМНЫЕ РЕШЕНИя

ме на рисунке 15 наиболее целесооб


разно использовать ИМС IR21271/81,
имеющие более высокий порог сра
батывания компаратора, а драйверы
IR2127/8 лучше использовать совмест
но с датчиком тока (аналогично ИМС
IR2121). Эти ИМС также допускают
разность потенциалов между общим
выводом (COM) и выводом для подк
Рис. 13. Типовая схема включения драйвера IR2118 лючения к эмиттеру транзистора (VS)
до 600 В.
Драйверы верхнего и нижнего клю
чей целесообразно использовать для
управления однотактными двухтран
зисторными схемами (рис. 4в) либо
мостами с однополярной широтно
импульсной модуляцией.
Фирма International Rectifier про
изводит значительное количество
моделей высоковольтных драйверов
верхнего и нижнего ключей. В част
ности, модель IR2110 содержит на
кристалле как схему драйвера верх
него ключа, подобную IR2118, так и
схему драйвера нижнего ключа, по
Рис. 14. Схема драйвера верхнего ключа IR2127 добную IR2121, за исключением це
пей токовой защиты, которых здесь
нет. Управление обоими ключами не
зависимо. Имеется схема формиро
вания «мёртвого» времени для ниж
него ключа. Есть вход SD для отклю
чения обоих драйверов. Напряжение
питания управляющей логики может
быть сдвинуто относительно напря
жения питания вольтодобавки. Им
пульсный выходной ток буферов мо
жет достигать 2 А, что обеспечивает
высокую скорость переключения
управляемых транзисторов. Макси
мально допустимое напряжение пи
тания силовой схемы для этой мик
Рис. 15. Типовая схема включения драйвера IR2127/8 росхемы составляет 500 В.
Если же требуется частотное управ
Семейство драйверов верхнего клю сигнала на отпирание ключа проис ление полумостовым инвертором, то
ча IR2127/8/IR21271/81 отличается ходит задержка переключения ком лучше всего использовать 8вывод
от IR2125 способом защиты от КЗ. мутатора S на время, за которое дол ную ИМС IR2111, которая имеет толь
Здесь могут быть использованы цепи жен произойти спад напряжения на ко один управляющий вход (рис. 16).
контроля напряжения насыщения на коллекторе силового ключа. Если Здесь обозначено: HO (High Output) –
открытом ключе (как на рисунке 8). этого не произойдёт, что означает ко выход для управления верхним тран
Функциональная схема драйвера из роткое замыкание в силовой цепи, то зистором, LO (Low Output) – выход
этого семейства представлена на ри компаратор переключится и заставит для управления нижним транзисто
сунке 14. Кроме схемы высоковольт переключиться триггер Т2, который ром. Для предотвращения сквозных
ного сдвига уровня напряжения на заблокирует выход драйвера. Одно токов, которые могут возникнуть при
транзисторах VТ1 и VТ2, имеется так временно этот триггер запустит гене коммутации транзисторов, между за
же узел защиты от КЗ, включающий ратор импульсов ГИ2, который через пиранием одного транзистора и от
компаратор КН2, источник опорного цепь сдвига уровня на транзисторе пиранием другого при помощи це
напряжения 0,25 В (IR2127/8) или 1,8 В VT3 и фильтр передаст импульс, пе пей задержки вводится «мёртвое»
(IR21271/81), элемент задержки, ком реключающий триггер Т3. Этот триг время длительностью 0,7 мкс.
мутатор S и логику, включающую два гер откроет транзистор VT4 и таким Значительно большими возмож
RSтриггера. образом сообщит системе управле ностями обладают ИМС драйвера по
Схема включения такого драйвера ния о коротком замыкании. С точки лумостового инвертора IR2214SS/
приведена на рисунке 15. При подаче зрения помехоустойчивости, по схе IR22141SS. Эти микросхемы снабже

38 © СТАПРЕСС WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 8 2007


СХЕМНЫЕ РЕШЕНИя

ны защитой от КЗ обоих ключей


(верхнего и нижнего) с контролем
напряжения насыщения. Транзисто
ры выходного каскада драйвера подк
лючают к затвору силового ключа че
рез отдельные резисторы, как на ри
сунке 5г. Выходные токи в импульсе
могут достигать 2 А (вытекающий) и
3 А (втекающий). Предельное значе
ние плавающего напряжения на зат
воре верхнего транзистора составля Рис. 16. Драйвер для управления полумостовым инвертором IR2111
ет 1225 В. При выходе любого ключа
из насыщения производится выклю
чение обоих ключей и на выводе
FAULT/SD появляется низкий уровень.
Принудительным переводом этого
вывода в нулевое состояние внешним
устройством драйвер выключается.
Микросхема выпускается в 24вывод
ном миниатюрном корпусе SSOP.
Для нерегулируемого полумостово
го инвертора могут быть использова
ны драйверы семейства IR215х, кото
рые содержат на кристалле, помимо
всего того, что имеет IR2111, ещё и Рис. 17. Типовая схема включения ИМС IR215х
схему автогенератора, аналогичную
схеме таймера NE555, а также стаби лов – до 6 А. Микросхема выпускается ку в таких устройствах в качестве
литрон на напряжение 15 В, ограни в 16выводном корпусе SOIC. силовых ключей применяются ис
чивающий напряжение, питающее Из других ИМС драйверов можно ключительно МОПтранзисторы, ко
логику и выходные буферы. Эта ИМС отметить HIP4081А (Intersil) для торые обладают высоким быстродей
позволяет построить замечательно управления однофазной мостовой ствием, эти ИМС имеют низкое выход
простой сетевой импульсный неста схемой с напряжением до 80 В с пи ное сопротивление (типично 1,7 Ом
билизированный источник с элект ковым выходным током до 2,5 А. Эта на включение и 0,8 Ом на выключе
рической развязкой вторичной це микросхема включает два простых ние) и малое время переключения
пи. Типовая схема включения ИМС полумостовых драйвера. Для управ (типично 13 нс). Все ИМС драйверов
IR215х приведена на рисунке 17. ления маломощными трёхфазными синхронных выпрямителей имеют
Управляющие цепи питаются от вы инверторами со входным напряже цепи формирования мёртвого време
сокого напряжения через балласт нием до 600 или 1200 В могут быть ни для защиты ключей от сквозных
ный резистор R1. Поскольку ток по использованы ИМС фирмы Inter токов.
требления микросхемы не превыша national Rectifier IR2133/IR2135/ Семейство драйверов синхронных
ет 5 мА, мощность, рассеиваемая на IR2233/IR2235, содержащие по три выпрямителей IXS839/839A/839B фир
этом резисторе при питании схемы полумостовых драйвера. Фирма Inter мы IXYS содержит БЧУН и настраива
от сети переменного тока 220 В через sil выпускает ИМС HIP4086 также с емый блок мёртвого времени. Дли
выпрямитель, оказываётся немногим тремя полумостовыми драйверами, тельность паузы определяется ём
больше 1 Вт. но на низкое напряжение (до 80 В), костью конденсатора, подключаемо
Фирма International Rectifier выпус поэтому основная область их приме го между выводом DLY микросхемы и
кает значительное количество моде нения – коммутаторы бесколлектор общей точкой, по формуле: tп[нс] =
лей драйверов верхнего и нижнего ных двигателей постоянного тока. = 0,5С[пФ].
ключей. В частности, это семейство Отдельную группу составляют Ещё один пример – семейство
IR2106/2301/2108/2109/2302/2304. драйверы синхронных выпрямите TPS28225/6 фирмы Texas Instruments
Сравнение функциональных воз лей. Такие выпрямители также содер
можностей этих ИМС представлено в жат два ключа – верхний и нижний,
таблице 2. но применяются синхронные выпря
ИМС драйверов верхнего и нижне мители в понижающих преобразова
го ключа IX6R11 фирмы IXYS харак телях низкого напряжения (как пра
теризуется наличием изолирующего вило, менее 25 В). Фирма Analog
барьера между входом и драйвером Devices выпускает семейство драйве
верхнего ключа, выдерживающего ров ADP3410/2/9 для управления
Реклама

напряжение до 650 В. Платой за это ключами низковольтных (до 25 В


является необходимость в дополни входного напряжения) синхронных
тельном изолированном источнике. выпрямителей, в том числе и в много
Пиковый выходной ток обоих кана фазных преобразователях. Посколь

СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 8 2007 WWW.SOEL.RU © СТАПРЕСС 39


СХЕМНЫЕ РЕШЕНИя

раздельным цепям через выходы


4 OUTon и OUToff. Развязка цепей управ
IN«+» 12
Схема
3 согласования MC ления – оптическая. Питание выход
IN«–» Схема 100 пФ
24
управления MCR ных каскадов – от встроенного
затвором
транзистора DC/DCпреобразователя. Контроль
10м 22 напряжения коллекторэмиттер – через
3,3 кОм OUT on
10м 23 вывод MC; пороговое напряжение – 7 В.
1 OUT off
ERROR К выводу MCR подключается конден
Авария
сатор, ёмкость которого определяет
20 В 20 В время задержки срабатывания защи
DCFDC
6 –7 В 21 ты. Входы управления – дифференци
VS –7 В
20 альные, ТТЛ/КМОПсовместимые.
GND OUT
5 +18 В 19
GND +18 В Фирма CTConcept Technology про
изводит несколько моделей драйверов
Рис. 18. Блок!схема модуля драйвера МД180 IGBTмодулей, выполняемых на печат
ных платах. Это, в частности, двухка
обеспечивает втекающий ток нижне Общие черты большинства драйве нальные 2SD106AN и 2SD315AI33, а
го транзистора до 4 А и время пере ров IGBTмодулей: также шестиканальный 6SD106ЕN.
ключения 10 нс. Это позволяет управ ● в качестве сигнала о коротком за Все эти устройства имеют трансфор
лять ключами с частотой до 2 МГц. мыкании или перегрузке по току маторную развязку и встроенный ис
используется величина напряже точник, а также защиту от КЗ путём
ДРАЙВЕРЫ IGBTМОДУЛЕЙ ния коллекторэмиттер UКЭ IGBT контроля напряжения коллектор
IGBTмодули (табл. 3) являются од модуля; эмиттер. Драйверы 2SD106AN и
ними из наиболее мощных пол ● трансформаторная или оптическая 6SD106ЕN допускают импульсный вы
ностью управляемых полупроводни развязки цепей управления и выхода; ходной ток до 6/6 А, а 2SD315AI33 –
ковых ключей, допускающих в за ● встроенный источник питания це до 15/15 А. Максимальная частота пе
крытом состоянии напряжение до пей выхода. реключения выходов – 100 кГц. Вывод
4500 В и коммутирующих токи силой Характерными представителями рас выходных каскадов – объединённый.
до нескольких килоампер. Стоимость сматриваемого класса драйверов явля Подобные драйверы – одноканаль
таких приборов весьма высока, по ется семейство одноканальных МД115/ ный SKH 10/12 и двухканальные
этому требования к драйверам IGBT 50/80 и двухканальных МД215/50/80 SKIPER 32R выпускает фирма Semi
модулей также высоки. Как следствие, модулей фирмы «Электрум АВ» с выход kron. Обе модели имеют раздельные
драйверы IGBTмодулей представля ными токами соответственно 1,5/5/8 А. выводы на отпирание и запирание
ют собой сложные законченные уст Блоксхема семейства одноканаль модулей.
ройства, изготавливаемые в виде гиб ных драйверов МД1хх представлена Фирма Powerex выпускает драйве
ридных микросборок, модулей или на рисунке 18. Включение и выключе ры M5716AL01 в виде гибридных
даже плат. ние IGBTмодуля осуществляется по микросборок для IGBTмодулей
Fсерии фирмы Mitsubishi Electric со
Таблица 2. Свойства драйверов верхнего и нижнего ключа International Rectifier встроенной цепью контроля тока
Логика, предотвращающая RTC (см. выше). Драйвер оснащён оп
Модель Входная логика «Мёртвое» время Земляные выводы
сквозные токи тической развязкой. Допустимый им
IR2106/2301 HIN/LIN Нет Нет COM
пульсный выходной ток – 5/5 А.
IR21064 VSS/COM
IR2108 HIN/LIN Есть Внутреннее 540 нс COM
Самый малогабаритный драйвер
IR21084 Программируемое 0,54…5 мкс VSS/COM с трансформаторной развязкой
IR2109/2302 IN/SD Есть Внутреннее 540 нс COM 1ED02I12S предлагает фирма Infineon.
IR21094 Программируемое 0,54…5 мкс VSS/COM Он смонтирован в 16выводном корпу
IR2304 HIN/LIN Есть Внутреннее 100 нс COM се DSO размером 7,5 × 10 × 2,6 мм. Для
его применения требуется дополни
Таблица 3. Основные параметры драйверов для IGBT!модулей тельный изолированный источник. Ис
tвкл/выкл, нс пользуются трансформаторы прямой и
Модель I , А Uкэ.макс, кВ Uпит, В Особенности
(fмакс, кГц) втек/вытек обратной связи без сердечника. Для
Раздельные выходы, встроенный источник, ограничения напряжения затворэмит
МД180ПFБ (100) 8/8 2 5
защита цепи затвора
Двухканальный, встроенный источник, тер за счёт эффекта Миллера при ко
2SD315AIF33 (>100) 15/15 1,2 15
трансформаторная развязка ротком замыкании драйвер оснащён
Шестиканальный, встроенный источник, ключом на ток до 0,5 А, включаемым не
6SD106EN (>100) 6/6 0,8 15
трансформаторная развязка
1ED02I12FS 400/600 2/2 1,2 +5, +15, –8 16Fвыводной SOIC, трансформаторная развязка посредственно между затвором и эмит
Раздельные выходы, встроенный источник, тером IGBTмодуля. Недостаток этой
SKHI 10/12 (100) 8/8 1,2 15
выбор входных уровней модели – сравнительно малый выход
Двухканальный, встроенный источник,
SKIPER 32R (50) 15/15 1,7 15
трансформаторная развязка, раздельные выходы
ной ток (2/2 А). Фирма Infineon выпус
Оптическая развязка, защита по току (RTC). кает также устроенный аналогично
M57160ALF01 (20) 5/5 1,2 +15, –8
Гибридная ИМС двухканальный драйвер 2ED020I12F
M57958L (30) 5/5 1,4 +15, –10 Оптическая развязка. Гибридная ИМС
для управления полумостовой схемой.

40 © СТАПРЕСС WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 8 2007


СХЕМНЫЕ РЕШЕНИя

Новости мира News of the World Новости мира


IBM занялась технологией данного прототипа вчетверо превышает ей изготовления интегральных микро
магнитной памяти STTRAM характеристики предыдущих аналогов. схем, однако до этого момента главным
Компания IBM решила объединить свои Для накопления солнечной энергии ис её недостатком являлась слишком высо
усилия с японской TDK, чтобы совместны пользуется пластина, изготовленная из по кая стоимость производства трафаретов,
ми стараниями освоить коммерческое про рошка окислов хрома и ниодима. Лазерное по которым осуществляется «печать» чи
изводство магнитной памяти, использую излучение малой мощности, проходящее пов. Теперь же, благодаря исследовани
щей характеристики направленности маг через пластину, освобождает накопленную ям и разработкам инженера Стивена Чоу
нитного поля («спина») в качестве носите энергию, и в результате усиливается мощ (Stephen Chou) из Принстонского универ
ля информации о состоянии единичной ность лазерного излучения. Согласно при ситета (Princeton University), процесс из
ячейки. Этот тип памяти получил название ведённым данным, с помощью подобного готовления шаблонов можно не только
STTRAM (от spin torque transfer – передача «усилителя» можно получить из лазерного значительно удешевить, но и заметно
спинового вращательного момента). Со луча мощностью 0,5 Вт на входе 180 Вт на ускорить. На современном этапе разви
гласно текущим планам, партнёры плани выходе. Коэффициент преобразования тия нанопечатной литографии широко
руют представить 65нм действующие про солнечной энергии при этом составляет используются медленные методы изго
тотипы через четыре года. Возможно, к то около 40%. Предполагается, что в своё вре товления трафаретов при помощи элект
му времени они уже не будут пионерами в мя на базе таких преобразователей можно ронного или ионного пучков.
этой области – по имеющейся информа будет строить энергетические станции кос Стивен Чоу предлагает следующий ме
ции, начинающая компания Grandis уже мического базирования, которые будут пе тод: использование полимера для фор
начала производить свои первые образцы редавать энергию в виде лазерного излуче мирования необходимого «рисунка» на
STTRAM и рассылать их потенциальным ния на поверхность планеты для дальней пластине. Полимер в ходе процесса по
заказчикам, надеясь приступить к массо шей трансформации в электроэнергию. мещается между двумя пластинами, и
вым поставкам к концу следующего года. theinquirer.net после сжатия на поверхности пластин
Ранее внимание IBM было привлечено остаются углубления, точно соответству
другой технологией магнитной памяти, Applied начала выпуск ющие толщине полимера.
MRAM, но компания столкнулась со слож крупнопанельных Но не только быстрота и невысокая сто
ностями при попытках её применения в солнечных батарей имость являются главными достоинства
рамках современных «тонких» техпроцес С вводом в строй новой линии для про ми метода – при помощи представленной
сов. В настоящее время коммерческим вы изводства больших солнечных панелей техники можно наносить «рисунок» на по
пуском MRAM занимается Freescale американская компания Applied Materials
Semiconductor, однако представители са объявила о практически 20процентном
мой компании признают, что вряд ли эта снижении себестоимости производства
технология в силу физических ограничений солнечных батарей, основанных на фото
сможет переступить порог 65 нм. Таким об гальванических элементах.
разом, наиболее перспективными среди Представленная на проходящей в г. Ми
альтернативных энергонезависимых техно лан (Италия) европейской конференции
логий памяти остается STTRAM и память с производителей фотогальванических
изменением фазового состояния вещества солнечных панелей система SolarFab спо
(phase change memory, PRAM). Объясняя собна обрабатывать стеклянные подлож
свой интерес к сегменту, который сейчас ки размером 2,2 × 2,6 м. Получаемая па
не является источником доходов для ком нель площадью в 5,72 кв. м практически в
пании, IBM говорит, что она желает обла 4 раза больше самой большой из панелей
дать собственной технологией энергонеза на основе тонкоплёночных транзисторов.
висимой памяти, без которой, например, За один год такая панель может генери верхности большей площади. Так, если
уже не обходятся современные микросхе ровать до 75 МВт энергии. сегодня исследователи оперируют с плас
мы класса «системаначипе» (SoC). В новой производственной системе тинами площадью всего несколько квад
news.com.com Applied использует проверенные практи ратных миллиметров, то «полимерный»
кой методы CVD (нанесение покрытия метод позволяет формировать необходи
Преобразователь с помощью химического осаждение из мую структуру на площади в несколько
солнечного излучения газовой фазы) и PVD (физическое осаж квадратных сантиметров. При этом разра
в лазерное дение) для производства наиболее крити ботчики получают возможность легко
Исследователи Университета Осаки ческих слоёв модуля и дополняет их сис контролировать толщину углублений, зна
присоединились к Японскому агентству по темой PECVD (плазмохимическое осаж чительно повышая точность инструмен
аэрокосмическим исследованиям (Japan дение), аналогичной таковой, применяе тов для создания новых микросхем.
Aerospace Exploration Agency, JAXA), с тем мой при производстве ЖКэкранов. Исследователи уже подали заявку на
чтобы совместными усилиями разрабо appliedmaterials.com приобретение патента и планируют в бли
тать устройство, способное преобразовы жайшем будущем начать коммерческое
вать энергию солнечного излучения в из Нанопечатная литография использование технологии, продавая ли
лучение лазера. Сообщается, что проект подешевела цензии производителям микроэлектрон
по созданию такого преобразователя за Нанопечатная литография (Nanoimprint ных устройств.
вершился успешно, а эффективность соз lithography) является отличной технологи eetimes.com

СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 8 2007 WWW.SOEL.RU © СТАПРЕСС 41

Оценить