INGENIERÍA EN ELECTRÓNICA

Electrónica I - SEL307
TAREA N. 1

CATEDRÁTICO: ING. CARLOS CORDÓN

ALUMNO: JUAN CARLOS GOMEZ MARTINEZ

CUENTA: 21711065

03 de abril 2020. San Pedro Sula, Cortes

Honduras
 Índice

Índice................................................................................................................................... 1
Objetivo General ................................................................................................................. 2
Objetivos Específicos.......................................................................................................... 2
Introducción ........................................................................................................................ 3
Marco Teórico..................................................................................................................... 4
Conclusiones ..................................................................................................................... 10
Bibliografías...................................................................................................................... 11
 Objetivo General
• Que el estudiante conozca la estructura básica de los semiconductores.

Objetivos Específicos
• Reconocer, en el nivel atómico, las características de los buenos conductores y de los
semiconductores.
• Enumerar los dos tipos de portadores y nombrar el tipo de impureza que hacen que
sean portadores mayoritarios.
 Introducción
Todos los cuerpos o elementos químicos que existen en la naturaleza poseen diferentes
características, los cuales se agrupan y muestran en la “Tabla de los Elementos Químicos”. De
acuerdo con la teoría moderna de la materia (comprobada por resultados experimentales), los
átomos de la materia están constituidos por un núcleo cargado positivamente, alrededor del cual
giran a gran velocidad cargas eléctricas negativas. Estas cargas negativas, los electrones, son
indivisibles e idénticas para toda la materia. En la electrónica todos los cuerpos simples o
compuestos formados por esos elementos se pueden ampliar tres grandes categorías, los
conductores, semiconductores, y aislantes.

En los elementos llamados conductores, algunos de estos electrones pueden pasar

libremente de un átomo a otro cuando se aplica una diferencia de potencial (o tensión eléctrica)
entre los extremos del conductor, movimiento al cual se le llama corriente eléctrica.

Desde la década de los 40’s la electrónica ha pasado por cambios muy drásticos. La
miniaturización que han sido aplicadas a los diferentes tipos de dispositivos electrónicos nos
sigue asombrando hasta el día de hoy. En la actualidad encontramos sistemas completos en un
diseño cientos de veces mas pequeños que sus primeras muestras. Por ejemplo, los
semiconductores comparados con tubos de los años anteriores son, en su mayoría más pequeños
y ligeros, no requieren calentamiento ni se producen pérdidas térmicas (lo que sí sucede en el
caso de los tubos), una construcción más resistente y no necesitan un periodo de calentamiento.

Dentro de estos dispositivos también se encuentra el diodo, es el más sencillo de los

dispositivos semiconductores, pero desempeña un papel vital en los sistemas electrónicos, con
sus características que se asemejan en gran medida a las de un sencillo interruptor. Se encuentran
en una amplia gama de aplicaciones, que se extienden desde las simples hasta las más complejas.
 Marco Teórico
Conductores
Se define un conductor eléctrico como aquel material que en el momento en el cual se
pone en contacto con un cuerpo cargado eléctricamente, trasmite la electricidad a todos los
puntos de su superficie. Los conductores eléctricos son elementos que contienen electrones libres
en su interior por lo que facilitan el desplazamiento de las cargas en el material. Los mejores
conductores eléctricos son los metales y sus aleaciones, aunque existen materiales no metales
que tienen la propiedad de conducción de la electricidad, un ejemplo de esto es el grafito y las
soluciones salinas.
La comisión electrónica Internacional en el año 1913 adopto la conductividad eléctrica
del cobre como una referencia para obtener la magnitud y se dice que es reconocida a 20 grados
como 0,58108 S/m, este valor es reconocido como el valor estándar del cobre recocido o IACS,
de ahí en adelante la conductividad de otros materiales se representa como un porcentaje de la
IACS. Los valores de conductividad de ciertos metales están por debajo del 100% mientras que,
en el caso de otros, como la plata, tienen valores superiores debido a su gran conductividad.
Para transportar la energía eléctrica en las residencias y en otros lugares, se utiliza el
cobre como material conductor y en otras ocasiones se utiliza el aluminio, aunque la ventaja del
aluminio frente al cobre es que es un material mucho más denso y por lo tanto es utilizado en
líneas de tensión de longitudes extensas, en otros casos más especiales se utiliza el oro como
material conductor.

Orbitales Estables
El núcleo atómico atrae a los electrones orbitales. Éstos no caen hacia el núcleo debido a
la fuerza centrífuga (hacia afuera) creada por su movimiento orbital. Cuando un electrón se halla
en un orbital estable, la fuerza centrífuga equilibra exactamente la atracción eléctrica ejercida por
el núcleo. La idea es similar a un satélite en órbita alrededor de la tierra, que, a la velocidad y
altura adecuadas, puede permanecer en un orbital estable sobre la tierra.
Cuanto más lejana es la órbita de un electrón menor es la atracción del núcleo. Los
electrones de los orbitales más alejados del centro se mueven a menor velocidad, produciendo
menos fuerza centrífuga. El electrón más externo viaja muy lenta y prácticamente no se siente
atraído hacia el núcleo.

Parte interna de un Átomo

Investigación que se realizaron posteriormente a la teoría de los Átomos de Dalton
indican que el átomo tiene una estructura interna de partículas más pequeñas, llamadas partículas
subatómicas: electrones (-), protones (+), neutrones (0). Las características principales de estas
partículas subatómicas son:
 Partícula Símbolo Masa (g) Carga (Coulomb) Carga
electrón e- 9,1094 x 10-28 - 1,6 x 10-19 -1
protón p 1,6726 x 10-24 + 1,6 x 10-19 +1
neutrón n 1,6749 x 10-24 0,00 0

Semiconductores
Los semiconductores son elementos químicos que permiten el flujo de los electrones,
pero con capacidad de conducción inferior a la de un conductor metálico y superior a la de un
material aislante. El semiconductor más utilizado es el silicio, en la práctica comúnmente para
aprender de diodos semiconductores se emplean diodos de Silicio, otros materiales
semiconductores empleados son el Germanio y el Selenio.
Se debe tener en cuenta que el Silicio y Germanio son semiconductores con
características para portar corriente, esto dependen de la temperatura o la cantidad de luz que
incide sobre ellos.
Al añadir impurezas a los semiconductores provocamos que estos tengan una mejor
conductividad eléctrica. Este proceso se conoce como dopado, se puede realizar de dos formas:
• Impurezas pentavalentes: Son elementos que podemos encontrar en la tabla
periódica cuyos átomos cuentan con cinco electrones de valencia en su orbital
exterior. Entre estos elementos podemos encontrar el Fósforo, Antimonio y Arsénico.
• Impurezas trivalentes: Son elementos cuyos átomos tienen tres electrones de
valencia en su orbital exterior. Podemos encontrar entre ellos el Boro, Galio e Indio.

Una de las claves cruciales en la electrónica de estado sólido es la naturaleza de la unión

P-N. Al hacer contacto uno con otro, la unión se comporta de manera muy diferente a como lo
hacen cada uno de los materiales solos. La corriente fluirá fácilmente en una dirección
(polarización directa) pero no en la otra (polarización inversa), creando un diodo básico.

Los círculos vacíos en el lado izquierdo de la unión de arriba a la derecha representan

"huecos" o deficiencias de electrones en la red, que pueden actuar como portadores de carga
positiva. Los círculos sólidos a la derecha de la unión representan los electrones disponibles
desde el dopante de tipo n. Cerca de la unión, los electrones se difunden a su través y se
combinan con los agujeros, creando una "región de depleción". La dirección ascendente en el
diagrama representa la energía creciente de electrones.
 Polarizaciones de un diodo
Cuando se forma una unión p-n, algunos de los electrones libres en la región n, se
difunden a través de la unión y se combinan con los huecos para formar iones negativos. De esta
manera dejan detrás iones positivos en los lugares donantes de impurezas.
Inicialmente en una unión p-n en equilibrio, los niveles Fermi coinciden en los dos lados
de la unión. Los electrones y huecos alcanzan el equilibrio en la unión y forman una región de
depleción. La dirección ascendente en el diagrama representa energía creciente de electrones.
Eso implica que tendría que suministrar energía para conseguir que un electrón suba en el
diagrama, e igualmente suministrar energía para conseguir que un hueco vaya hacia abajo en el
diagrama.

• Polarización Inversa: el lado p se hace más negativo, lo cual para los electrones que
se mueven a través de la unión, supone una "cuesta arriba". La dirección de
conducción de los electrones en el diagrama es de derecha a izquierda, y la dirección
hacia arriba representa aumentar la energía de los electrones.
• Polarización Directa: el lado p se hace más positivo, lo cual para los electrones que
se mueven a través de la unión, supone una "cuesta abajo". Un electrón puede
moverse a través de la unión y cubrir un "agujero" o hueco cerca de la unión. A
continuación, el electrón puede moverse de hueco en hueco hacia la izquierda, hacia
el terminal positivo, lo cual puede describirse como un movimiento de huecos hacia
la derecha. La dirección de conducción para los electrones en el diagrama es de
derecha a izquierda, y la dirección hacia arriba representa aumentar la energía de
electrones.

Cuando la unión p-n se polariza directamente, los electrones del material tipo n que se
han elevado a la banda de conducción y que se han difundido a través de la unión se
encuentran con una energía mayor que los huecos del material de tipo p. Estos se
combinan con los agujeros, haciendo posible una continua corriente directa a través de la
unión.
 La corriente en dirección normal en una unión p-n cuando se polariza directamente
(ilustrada abajo), implica un movimiento de electrones del material tipo n hacia la
izquierda a través de la unión, y su combinación con los huecos del material tipo p. Los
electrones pueden luego seguir adelante hacia la izquierda, saltando de hueco en hueco,
de modo que se puede decir que, en este proceso, los agujeros se mueven hacia la
derecha.

Disrupción en los diodos

Existen dos mecanismos disruptivos en la masa semiconductora que pueden ser causa de
una disrupción con saturación de tensión:
• Disrupción Zener: es una ruptura directa en los enlaces interatómicos en la capa de
carga espacial causada por campos eléctricos muy Básicamente es un bloqueo a causa
de una subida en la intensidad eléctrica de campo en la unión PN. La tensión de
disrupción de un diodo Zener es menos de 5V, y es inducida principalmente por la
ruptura. Si la tensión de ruptura es mayor de 5V, entonces la ruptura por avalancha se
convertirá en un asunto serio. La ruptura por avalancha generalmente sucede a
tensiones de disrupción inversa.
• Disrupción por alud: Tiene lugar cuando la aceleración de los portadores en la
región de carga espacial es lo bastante grande para ocasionar colisiones ionizantes
con los átomos, produciendo así para móviles electrón-hueco. La disrupción por alud
ocurrirá siempre antes que la de Zener excepto en los diodos con elevadas
concentraciones de impurezas. Los diodos de silicio superiores a 8V funcionan
seguramente bajo este mecanismo.
 Barrera de Potencial
Tensión que hay entre los extremos de la zona de deflexión. Esta tensión se produce en la
unión PN, ya que es la diferencia de potencial entre los iones a ambos lados de la unión. En un
diodo de silicio es aproximadamente de 0,7 V.

Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusión de electrones del cristal n al p (Je). Al
establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la unión, zona
que recibe diferentes denominaciones como barrera interna de potencial, zona de carga espacial,
de agotamiento o empobrecimiento, de deflexión, de vaciado, etc.
A medida que progresa el proceso de difusión, la zona de carga espacial va
incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la unión. Sin
embargo, la acumulación de iones positivos en la zona n y de iones negativos en la zona p, crea
un campo eléctrico (E) que actuará sobre los electrones libres de la zona n con una determinada
fuerza de desplazamiento, que se opondrá a la corriente de electrones y terminará deteniéndolos.
Este campo eléctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensión entre
las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (V0) es de 0,7 V en el caso del silicio y 0,3 V si los
cristales son de germanio. La anchura de la zona de carga espacial una vez alcanzado el
equilibrio, suele ser del orden de 0,5 micras, pero cuando uno de los cristales está mucho más
dopado que el otro, la zona de carga espacial es mucho mayor.
 Conclusiones
• Los mejores conductores son los elementos metálicos y los más usados son el cobre
que es más conductor que el aluminio, pero menos que la plata y que el oro.
• Los semiconductores son materiales que en ciertas circunstancias permiten el paso de
corriente eléctrica, dentro de los más utilizados están el Germanio y el Silicio.
• La estructura atómica de una partícula es muy importante para poder identificar el
cuerpo simple o compuesto y clasificarlo en el campo de la electrónica según su
conductibilidad.
• Los diodos son elementos importantes en la electrónica debemos tener siempre los
conocimientos necesarios para poder usar correctamente el tipo conforme al
funcionamiento y comportamiento.
• Los diodos se polarizan cuando se conectan. Esta polarización puede ser directa o
inversa.q
 Bibliografías

Revista ARQHYS. 2012, 12. Conductor eléctrico. Equipo de colaboradores y

profesionales de la revista ARQHYS.com. Obtenido 05, 2020, d e
https://www.arqhys.com/construccion/conductor-electrico.html.

Jessica_Miranda. (2020). conductores - orbitales estables. Obtenido 5 Mayo 2020, de

https://es.slideshare.net/Jessica_Miranda/doc-1-jessy

1.3. Estructura del Átomo | Química general. (2020). Obtenido 6 Mayo 2020, de
http://corinto.pucp.edu.pe/quimicageneral/contenido/13-estructura-del-atomo.html

(2020). Obtenido 5 Mayo 2020, de

https://www.mecatronicalatam.com/es/tutoriales/teoria/semiconductores/

The P-N Junction. (2020). Obtenido 5 Mayo 2020, de http://hyperphysics.phy-

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Electrónica física y modelos de circuitos de los transistores. (2020). Obtenido 5 Mayo

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https://books.google.hn/books?id=dwVAPlYGyfsC&pg=PA65&lpg=PA65&dq=disrupcion+dio
do&source=bl&ots=_-5TCNy_Wl&sig=ACfU3U2LW35Du-
oTKhRDaOTbkyRb86PJPg&hl=es-
419&sa=X&ved=2ahUKEwiYqOqFlpzpAhWIdN8KHW3OBOkQ6AEwA3oECAYQAQ#v=on
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Barrera de Potencial | Unión PN | Diodo | Scribd. (2020). Obtenido 5 Mayo 2020, DE

https://es.scribd.com/document/279357435/Barrera-de-Potencial