SEMICONDUCTORES

GRUPO 02

ANDRES FELIPE BARERRA

NARLY YADIRA BOHORQUEZ DURAN

YOAN ALEXANDER RUEDA SANMIGUEL

UNIVERSIDAD INDUSTRIAL DE SANTANDER

FACULTAD DE FISICOMECÁNICAS
BUCARAMANGA
2020
Sección 1.2

1.¿Cual es la diferencia básica entre conductores y aislantes?

La diferencia básica entre conductores y aislantes es:
Los conductores son materiales que tienen la capacidad e conducir fácilmente la
corriente, mientras que los aislantes son materiales que no pueden conducir
electricidad. Así mismo, los conductores están compuestos por un solo elemento
como el cobre y la plata, por su parte los aislantes son una combinación de
elementos.

2.¿Como difieren los semiconductores de los conductores y aislantes?

Los semiconductores difieren de los conductores y aislantes, ya que se encuentran
en un término medio, es decir, que un semiconductor en estado puro no conduce
toda la electricidad, pero tampoco la aísla por completo.

3.¿Cuántos electrones de valencia tiene un conductor tal como el cobre?

Tienen un solo electrón del valencia el cual está levemente enlazado al átomo

4.¿Cuántos electrones de valencia tiene un semiconductor?

Los semiconductores están caracterizados por tener 4 electrones de valencia.
5.Nombre 3 de los mejores materiales conductores.
• Cobre
• Plata
• Aluminio
6.¿Cual es el material semiconductor mas utilizado?
El silicio
7¿Por qué un semiconductor tiene menos electrones libres que un conductor?
Debido a que en los conductores los electrones se encuentran en la cuarta capa de valencia,
lo que contribuye a que tengan más energía ya que están más alejados del núcleo lo cual
facilita que se vuelvan electrones libres.
8.¿Cuántos enlaces covalentes se forman?
En el silicio se forman 4 enlaces covalentes como se muestra en la figura
9¿Qué significa el termino intrínseco?
Significa que no se tienen impurezas
10.¿Que es un cristal?
Son átomos unidos por enlaces covalentes
Sección 1.3
1.¿Hay electrones libres en la banda de valencia o en la banda de conducción?
En la banda de conducción
2.¿Cuáles electrones son responsables de la corriente del electrón en el silicio?
Los electrones libres generados térmicamente.
3¿Qué es un hueco?
Un hueco es un espacio vacío en la banda de valencia dentro del cristal, que se presenta
cuando un electrón salta a la banda de conducción.
4.¿A qué nivel de energía ocurre un hueco?
Poco nivel de energía

Sección 1.4
1. Defina dopado.
Dopado es el proceso de agregar átomos de impureza a un semiconductor para modificar sus
propiedades conductoras.
2. ¿Cuál es la diferencia entre un átomo pentavalente y un átomo trivalente? ¿Cuáles
otros nombres reciben estos átomos?
Un átomo pentavalente (donador) tiene cinco electrones de valencia y un átomo trivalente
(aceptor) tiene tres electrones de valencia.
Los átomos pentavalentes también se conocen como semiconductores tipo n, y los átomos
trivalentes también son conocimos como semiconductores tipo p.
3. ¿Cómo se forma un semiconductor tipo n?
Se forma un material tipo n con la adición de átomos de impureza pentavalentes al material
semiconductor intrínseco.
4. ¿Cómo se forma un semiconductor tipo p?
Se forma un material tipo p con la adición de átomos de impureza trivalentes al material
semiconductor intrínseco.
5. ¿Cuál es el portador mayoritario en un semiconductor tipo n?
El portador mayoritario en un semiconductor tipo n es el electrón libre.
6. ¿Cuál es el portador mayoritario en un semiconductor tipo p?
El portador mayoritario en un semiconductor tipo p es el hueco.
7. ¿Mediante qué proceso se producen los portadores mayoritarios?
Los portadores mayoritarios se producen mediante dopado.
8. ¿Mediante qué proceso se producen los portadores minoritarios?
Los portadores minoritarios se producen térmicamente cuando se generan pares de
electrón-hueco.
9. ¿Cuál es la diferencia entre semiconductores intrínsecos y extrínsecos?
Un semiconductor puro es intrínseco. Un semiconductor dopado (con impurezas) es
extrínseco.

Sección 1.5
1. ¿Qué es una unión pn?
Una unión pn es el límite entre semiconductores tipo p y tipo n en un diodo.
2. Explique qué es la difusión.
Difusión es el movimiento de electrones libres (portadores mayoritarios) en la región n a
través de la unión pn hacia la región p.
3. Describa la región de empobrecimiento.
La región de empobrecimiento está constituida por las delgadas capas de iones positivos y
negativos que existen a ambos lados de la unión pn.
4. Explique qué es el potencial de barrera y cómo se crea.
El potencial de barrera es la diferencia de potencial del campo eléctrico en la región de
empobrecimiento y es la cantidad de energía requerida para desplazar a los electrones a
través de la región de empobrecimiento.
5. ¿Cuál es el valor típico del potencial de barrera para un diodo de silicio?
El potencial de barrera para un diodo de silicio es de aproximadamente 0.7 V
6. ¿Cuál es el valor típico del potencial de barrera para un diodo de germanio?
El potencial de barrera para un diodo de germanio es de aproximadamente 0.3 V
Seccion 1-6
1. Describa la polarización en inversa de un diodo
Las cargas positivas en el material P son atraídas por la polarización negativa del ánodo y
de la misma manera las cargas negativas del material N son atraídas por la polarzación
positiva del cátodo. Al impedirse el movimiento de electrones el diodo se comporta como
un interruptor abierto. Si se aumenta considerablemente el voltaje por el circuito se
empezarán a crear pares hueco – electrón que al alcanzar el voltaje de avalancha dispararán
la corriente que circula por el diodo dañándolo por el aumento excesivo de la temperatura.

2. Explique como se polariza en directa un diodo

La polarización directa ocurre cuando el ánodo es más positivo que el cátodo, en esta
configuración circula corriente a través del diodo; para ello el lado negativo del voltaje
debe estar conectado al cátodo que a su vez está unido al material N del diodo, de igual
forma el lado positivo debe estar conectado al ánodo y este al material P del diodo; además
para que esto ocurra el voltaje aplicado debe ser mayor al voltaje de barrera del diodo.

3. Describa la polarización en directa de un diodo

Los electrones libres presentes en el material N (corriente de electrones) se ven obligados a
moverse hacia el material P por la repulsión que ejerce el lado negativo del voltaje
conectado al material N, de la misma manera lo huecos presentes en el material P se ven
obligados a desplazarse hacia el material N por la repulsión ejercida por el lado positivo del
voltaje conectado al material P. Si el voltaje es mayor al voltaje de barrera los electrones
podrán pasar de material y utilizar los huecos para continuar su recorrido por el diodo y
salir por el conductor conectado al material P.

4.Explique como se polariza en inversa un diodo

La polarización inversa ocurre cuando el cátodo es más positivo que el ánodo, en esta
configuración no circula corriente a través del diodo. Para ello el lado negativo del voltaje
debe estar conectado al ánodo que a su vez está unido al material P del diodo, de igual
forma el lado positivo debe estar unido al cátodo que a su vez está unido al material N del
diodo.

5.Compare las regiones de empobrecimiento en las condiciones de polarización en

directa y polarización en inversa
En la polarización directa la región de empobrecimiento se hace pequeña respecto a la
condición de equilibrio, esto refleja el potencial de barrera necesario para que los electrones
puedan pasar de una región a la otra, en la polarización directa este potencial es pequeño.
Para la polarización inversa esta región es mas grande que en la condición de equilibrio por
lo que el potencial de barrera se eleva considerablemente haciendo mas difícil el paso de
electrones entre regiones.

6. Que condición de polarización produce corriente de portadores mayoritarios

La polarización directa produce corriente de portadores mayoritarios porque el potencial de
barrera se reduce.

7. Como se produce corriente en inversa en un diodo

Se produce por la generación de portadores minoritarios, es decir, pares hueco – electron
causados principalmente por la temperatura.

8. Cuando ocurre ruptura en inversa en un diodo

Ocurre ruptura cuando el voltaje de polarización es lo suficientemente grande para causar
un aumento drástico en la corriente que circula por el diodo.

9. Defina el efecto avalancha tal como se aplica a diodos

El efecto avalancha se presenta cuando el voltaje aplicado al diodo da la suficiente energía
a los electrones para moverse a gran velocidad de una región a otra, su energía es tan alta
que al chocar con otros electrones los expulsa de sus orbitas otorgándoles alta energía y
multiplicando el efecto rápidamente; esta reacción en cadena causa un aumento drástico en
la corriente que circula por el diodo causando daño permanente en el diodo por efectos
térmicos.

1-7
1.Describa el significado de la inflexión de la curva de característica de polarización
en directa
En la gráfica característica de V-I se observa que la corriente que circula por el diodo es
muy pequeña mientras el voltaje por el mismo es menor al potencial de barrera; una vez
superado este potencial empieza a circular corriente por el diodo. El punto de inflexión
indica el momento exacto en el que los electrones alcanzan la energía necesaria para
superar la barrera energética interna PN y pueden a empezar a moverse entre los materiales
del diodo.
2. En que parte de la curva un diodo polarizado en directa opera normalmente
Un diodo polarizado directamente opera normalmente con el potencial de barrera o un poco
por encima de este, es decir, sobre el punto de inflexión o un poco más delante de este.
3. Cual es mas grande, el potencial de ruptura o el potencial de barrera
El potencial de ruptura es mayor ya que la energía necesaria para que se produzca el efecto
avalancha es considerablemente mayor que la necesaria para que el led funcione
normalmente en polarización directa. Un ejemplo de ello es un diodo rectificador típico que
tiene un potencial de barrera de 0.7V y un potencial de avalancha de 50V.

4. En que parte de la curva un diodo polarizado en inversa opera normalmente.

Normalmente un diodo polarizado en inversa no se opera porque su comportamiento es el
de un interruptor abierto, no permite el paso de la corriente; cuando lo permite es porque el
voltaje es considerablemente elevado respecto al potencial de barrera y la corriente que
circula por este se eleva drásticamente causando daños permanentes por temperatura si no
se limita correctamente la corriente.

5. Que le sucede al potencial de barrera cuando se incrementa la temperatura.

El aumento de la temperatura causa que el potencial de barrera se reduzca haciendo que
empiece a circular corriente por el diodo con una energía menor a la que necesitaría si se
operara a temperatura ambiente. El potencial de barrera se reduce aproximadamente 2mV
por cada grado que incrementa la temperatura.

1-8
1.Cuales son las dos condiciones en las cuales se opera un diodo
En polarización directa y en polarización inversa. Polarización directa cuando el lado
positivo de la fuente se conecta al ánodo y el lado negativo al cátodo; polarización inversa
cuando se conecta al contrario.

2. En que condición nunca se opera un diodo intencionalmente.

En la condición de polarización inversa.

3. Cual es la forma más sencilla de visualizar un diodo

El símbolo esquemático para un diodo rectificador o para propósitos generales está dado
por una flecha que apunta desde el ánodo hasta el cátodo siendo el ánodo la región P y el
cátodo la región N.

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4. Para representar con mayor precisión un diodo que factores se deben incluir
Se debe incluir el potencial de barrera y la resistencia interna del diodo ya sea dinámica si
está polarizado directamente o la que se presenta cuando hay polarización inversa.

5. Cual modelo de diodo representa la aproximación mas precisa

El modelo real o modelo completo que incluye el potencial de barrera, la resistencia interna
del diodo y el interruptor.

Solución 1.8
16.
a. diodo polarizado inversamente
b. diodo polarizado directamente
c. diodo polarizado directamente
d. diodo polarizado directamente

17.
a. VR = Vbias = ( 5 – 8) = -3V
b. Vf = 0.7 v porque se encuentra polarizado directamente
c. Vf = 0.7 v porque se encuentra polarizado directamente
d. Vf = 0.7 v porque se encuentra polarizado directamente
21.

VA = VF1 = 25 V
VB = VF – VD1 = 25 – 0,7 = 24,3 V
VC = VF – VD2 = 8 – (-0,7) = 8,7 V
VD = VF2 = 8 V
Ejercicios 1-9
a) Corto circuito b) Funciona apropiadamente c) Corto Circuito d)Abierto