Transistores 3

UNIVERSIDADE FEDERAL DE SÃO JOÃO DEL REI
ELETRÔNICA
Transistores Bipolares de Junção
ELETRÔNICA
Prof. Davidson Lafitte Firmo

http://www.ppgel.net.br/davidson
davidson@ufsj.edu.br
07/11/11
1 de 81
ELETRÔNICA
Tema da aula: Transistores Bipolares de Junção
Objetivos:
● Apresentar o componente de circuito Transistor Bipolar e
verificar algumas de suas aplicações em eletrônica;
● Conhecer de forma qualitativa o princípio de funcionamento
desse componente de circuito;
● Apresentar os modelos matemáticos que quantificam o
comportamento desse dispositivo em diferentes situações;
● Apresentar aplicações relevantes para esse novo dispositivo
de circuito.
2 de 81
ELETRÔNICA
Tema da aula: Transistores Bipolares de Junção
FONTES:
Microeletrônica (SEDRA/SMITH 5 edição): Capítulo 5;
Dispositivos eletrônicos e teoria de circuitos (BOYLESTAD /

NASHELSKY 8 edição): Capítulos 3 e 4;
3 de 81
ELETRÔNICA
O TRANSISTOR
Os modos de operação do TBJ
Modos de operação do TJB

Modo Junção Emissor Base - JEB Junção Coletor Base - JCB
Corte Reversa Reversa
Ativo Direta Reversa
Ativo Reverso Reversa Direta
Saturação Direta Direta
4 de 81
ELETRÔNICA
O TRANSISTOR
Os modos de operação do TBJ
Modos de operação do TJB

Modo Junção Emissor Base - JEB Junção Coletor Base - JCB
Corte Reversa Reversa
Ativo Direta Reversa
Ativo Reverso Reversa Direta
Saturação Direta Direta
C C
B B
E E
5 de 81
ELETRÔNICA
O TRANSISTOR – Formulação Matemática (modelagem)
NPN
Simbologia
I E =I B +I C
6 de 81
ELETRÔNICA

Simbologia
7 de 81
ELETRÔNICA
NPN – Operação no modo Ativo

Resumo
i E =iC +i B iC =β⋅i B C
iC (β+1) B
i E = +iC iE= ⋅iC
β β
E
β
=α
(β+1)
v BE
VT
iC =I S⋅e 8 de 81
ELETRÔNICA

Resumo
9 de 81
ELETRÔNICA

Resumo
10 de 81
ELETRÔNICA
Exemplo
A tensão no emissor foi medida como -0,7V. Se β=50, calcule IC, IB,
IE e VC.
11 de 81
ELETRÔNICA
Exemplo
A tensão VB = 1V e VE = 1,7V. Quais os valores de α e β para esse
transistor? Qual o valor de VC?
12 de 81
ELETRÔNICA
O Modelo de Ebers-Moll
Característica um pouco mais realista do TBJ
13 de 81
ELETRÔNICA
Caracterização da operação em polarização ativa direta
β=β F (50,100, 1000)

α=α F ≈1
14 de 81
ELETRÔNICA
Caracterização da operação em polarização ativa reversa
β=β R (0,01 até 1)

α=α R (0,01 até 0,5)
15 de 81
ELETRÔNICA
C
↑ iC
DC I SC =I S /α R
B
α R⋅iC
E
16 de 81
ELETRÔNICA
C
↑ iC
I SC ≫ I SE
DC I SC =I S /α R
α R⋅I SC =α F⋅I SE =I S B
α R⋅iC
E
17 de 81
ELETRÔNICA
C
↓ iC
α F⋅i DE
DC ↑ i DC
→ iB
B
DE ↓ i DE α R⋅i DC
↓ iE
E
18 de 81
ELETRÔNICA
C
↓ iC
α F⋅i DE
DC ↑ i DC
→ iB
B
↓ iE
E
19 de 81
ELETRÔNICA
C
i E =i DE −α R⋅i DC ↓ iC
α F⋅i DE
DC ↑ i DC
→ iB
B
↓ iE
E
20 de 81
ELETRÔNICA
C
iC =−i DC +α F⋅i DE DC ↑ i DC
α F⋅i DE
→ iB
B
↓ iE
E
21 de 81
ELETRÔNICA
C
α F⋅i DE
→ iB
i B =(1−α F )⋅i DE +(1+α R )⋅i DC B
↓ iE
E
22 de 81
ELETRÔNICA
No livro do Sedra está errado!
C
α F⋅i DE
→ iB
i B =(1−α F )⋅i DE +(1−α R )⋅i DC B
↓ iE
E
23 de 81
ELETRÔNICA
C
α F⋅i DE
→ iB
i B =(1−α F )⋅i DE +(1−α R )⋅i DC B
Lembrando que:
v BE ↓ iE
⋅( e −1 )
VT E
i DE=I SE
v BC
⋅( e −1 )
VT
i DC =I SC 24 de 81
ELETRÔNICA
C
α F⋅i DE
→ iB
i B =(1−α F )⋅i DE +(1−α R )⋅i DC B
Lembrando que:
v BE ↓ iE
⋅( e −1 )
VT E
i DE=I SE
v BC
⋅( e −1 )
VT
i DC =I SC 25 de 81
ELETRÔNICA
v BE v BC
⋅( e
−1 )−α ⋅I ⋅( e −1 )
VT VT
i =I
E SE R SC
v BC v BE
i =−I ⋅( e −1 )+α ⋅I ⋅( e −1 )
VT VT
C SC F SE
v BE v BC
i =(1−α )⋅I ⋅( e −1 )+(1−α )⋅I ⋅( e )

VT VT
B F SE R SC −1
Lembrando que:
α R⋅I SC =α F⋅I SE =I S
26 de 81
ELETRÔNICA
v BE v BC
⋅( e
−1 )−α ⋅I ⋅( e −1 )
VT VT
i =I
E SE R SC
v BC v BE
i =−I ⋅( e −1 )+α ⋅I ⋅( e −1 )
VT VT
C SC F SE
v BE v BC
i =(1−α )⋅I ⋅( e −1 )+(1−α )⋅I ⋅( e )

VT VT
B F SE R SC −1
Lembrando que:
αF αR
α R⋅I SC =α F⋅I SE =I S e βF = 1−α F
e βR = 1−α R
27 de 81
ELETRÔNICA
v BE v BC
IS
i E = α F⋅ (e VT
−1 )−I ⋅( e
S
VT
−1 )
v BE v BC
=I ⋅( e −1 ) (e )
VT IS VT
iC S − α R⋅ −1
v BE v BC
IS
iB= β ⋅
F
(e VT
−1 )
IS
+β ⋅
R
(e VT
−1 )
28 de 81
ELETRÔNICA
O TRANSISTOR – Representação Gráfica
As Curvas Características do Transistor
29 de 81
ELETRÔNICA
v BE
=I ⋅( e )
VT
iC S −1
30 de 81
ELETRÔNICA
v BE
=I ⋅( e )
VT
iC S −1
31 de 81
ELETRÔNICA
32 de 81
ELETRÔNICA
Região Ativa
33 de 81
ELETRÔNICA
34 de 81
ELETRÔNICA
Região de saturação
“chave fechada!”
35 de 81
ELETRÔNICA
36 de 81
ELETRÔNICA
Região de corte
“chave aberta!” 37 de 81
ELETRÔNICA
Determinação de β
38 de 81
ELETRÔNICA
39 de 81
ELETRÔNICA
(3 . 2mA−2 .2mA )
β AC =
( 30 μA−20μA )
40 de 81
ELETRÔNICA
(3 . 2mA−2 .2mA )
β AC =
( 30 μA−20μA )
β AC =100
41 de 81
ELETRÔNICA
(3 . 2mA−2 .2mA )
β AC =
( 30 μA−20μA )
β AC =100
( 2 .7mA )
βDC =
(25 μA )
42 de 81
ELETRÔNICA
(3 . 2mA−2 .2mA )
β AC =
( 30 μA−20μA )
β AC =100
( 2 .7mA )
βDC =
(25 μA )
βDC =108
43 de 81
ELETRÔNICA
(3 . 2mA−2 .2mA )
β AC =
( 30 μA−20μA )
β AC =100
( 2 .7mA )
βDC =
(25 μA )
βDC =108
β AC =hfe
44 de 81
ELETRÔNICA
O efeito Early
45 de 81
ELETRÔNICA
O efeito Early - MODELAGEM

v BE
v CE
iC =I S⋅e
VT
( 1+ )
VA
46 de 81
ELETRÔNICA

v BE
v CE
iC =I S⋅e
VT
( 1+ )
VA
rO= [ ]
∂ iC −1
∂ v CE
47 de 81
ELETRÔNICA

v BE
v CE
iC =I S⋅e
VT
( 1+ )
VA
rO= [ ]
∂ iC −1
∂ v CE
=
V A +V CE
IC
48 de 81
ELETRÔNICA

v BE
v CE
iC =I S⋅e
VT
( 1+ )
VA
rO= [ ]
∂ iC −1
∂ v CE
=
V A +V CE
IC
≈
VA
IC
49 de 81
ELETRÔNICA

v BE
v CE
iC =I S⋅e
VT
( 1+ )
VA rO= [ ]
∂ iC −1
∂ v CE
=
V A +V CE
IC
≈
VA
IC
50 de 81
ELETRÔNICA
Exemplo
Calcule a resistência de saída de um TBJ para o qual VA =100V quando
IC = 0.1; 1 e 10mA.
51 de 81
ELETRÔNICA
Exemplo
IC = 0.1; 1 e 10mA.
VA
r O≈ IC
52 de 81
ELETRÔNICA
Exemplo
IC = 0.1; 1 e 10mA.
VA
r O≈ IC
100 V
r O ≈ 0.1 mA =1 M Ω
100 V
r O ≈ 1 mA =100 k Ω
100 V
r O ≈ 10 mA =10 k Ω
53 de 81
ELETRÔNICA
O TRANSISTOR – Potência dissipada
54 de 81
ELETRÔNICA
O TRANSISTOR – Análise por reta de carga
V BB V CC
RC
RB
+
V CE
+
V BE

55 de 81
ELETRÔNICA
V BB V CC V BB −V BE
I B= RB
RC
RB
+
V CE
+
V BE

56 de 81
ELETRÔNICA
I B= RB
RC V CC −V CE
IC= RC
RB
+
V CE
+
V BE

57 de 81
ELETRÔNICA
I B= RB
RC V CC −V CE
IC= RC
RB
+ V CC V CE
IC= RC
− RC
V CE
+
V BE

58 de 81
ELETRÔNICA
I B= RB
RC V CC −V CE
IC= RC
RB
+ V CC V CE
IC= RC
− RC
V CE
+
V BE

y=a⋅x+b
59 de 81
ELETRÔNICA
V BB V CC
RC
RB
+
V CE
+
V BE

60 de 81
ELETRÔNICA
V BB V CC
RC
RB
+
V CE
+
V BE

61 de 81
ELETRÔNICA
V BB V CC
RC
RB
+
V CE
+
V BE

V CC V CE
IC= RC
− RC
62 de 81
ELETRÔNICA
V BB V CC
RC
RB
+
V CE
+
V BE

V CC V CE
IC= RC
−RC
V BB −V BE
I B= RB
63 de 81
ELETRÔNICA
V BB V CC
RC
RB
+
V CE
+
V BE

V CC V CE
IC= RC
−RC
V BB −V BE
I B= RB
64 de 81
ELETRÔNICA
Variação do ponto de operação a partir V BB V CC

da variação da corrente de base
RC
RB
+
V CE
+
V BE

V CC V CE
IC= RC
−RC
V BB −V BE
I B= RB
65 de 81
ELETRÔNICA
V BB V CC
RC
RC
⏞ RB
+
V CE
+
V BE

V CC V CE
IC= RC
−RC
V BB −V BE
I B= RB
66 de 81
ELETRÔNICA
V BB V CC
V CC
RC
⏞ RB
+
V CE
+
V BE

V CC V CE
IC= RC
−RC
V BB −V BE
I B= RB
67 de 81
ELETRÔNICA
O TRANSISTOR – Operação em Corte / Saturação
V BB V CC
RC
RB
+
V CE
+ V CC V CE
V BE IC= RC
−RC
V BB −V BE
I B= RB
68 de 81
ELETRÔNICA

IC
V BB V CC
RC
V CC
RB
RC
+
V CE
+
V BE

V CC V CE
IC= RC
−RC
V BB −V BE
I B= RB
69 de 81
V CC V CE
ELETRÔNICA

IC
V BB V CC
RC
V CC
RB
RC
+
V CE
+
V BE

V CC V CE
IC= RC
−RC
V BB −V BE
I B= RB
70 de 81
V CE
SAT V CC V CE
ELETRÔNICA
Regra prática para operação em modo Corte / Saturação
V BB V CC
Dados da carga a ser acionada:
● Resistência a ser acionada (R ); RC
C
RB
● Tensão de alimentação (Vnominal); +
● Tensão de acionamento(VBB); +
V CE
V BE
Dados do transistor a ser utilizado:
● Corrente nominal (I );
C
● Tensão de saturação (VCEsat);
● Ganho de corrente em emissor comum β ou hfe;
71 de 81
ELETRÔNICA
Regra prática para operação em modo Corte / Saturação
V CC =V nominal +V CE
SAT
V BB V CC
V CC −V CE
IC= RC
SAT
R C =carga
IC RB
I B= β +
V CE
Adicionar um fator de forçamento (overdrive factor fOD) +
V BE
I B =10⋅I B
OD
V BB −V BE
R B= IB
OD
72 de 81
ELETRÔNICA
Exemplo: Considere o uso de um transistor como chave para o

acionamento de um motor de corrente contínua com as seguintes
características: Vnominal = 12V; Inominal = 300mA; Rnominal = 12Ω. O Transistor
utilizado possui as seguintes características médias: IC =1A; VCEsat = 0,2V;
PMáx = 4 W; hfe =1000. VBB = 0 – 5 V V CC
V BB
M R C =R nominal
RB
+
V CE
+
V BE

73 de 81
ELETRÔNICA

PMáx = 4 W; hfe =1000. VBB = 0 – 5 V V CC =12+0,2
0−5 V
M R C =12 Ω
RB
+
V CE =0,2 V
+ SAT
0,7 V β=1000

74 de 81
ELETRÔNICA

0−5 V
12V
I C = 12Ω =1 A M R C =12 Ω
Máx
RB
+
V CE =0,2 V
+ SAT
0,7 V β=1000

75 de 81
ELETRÔNICA

0−5 V
12V
I C = 12Ω =1 A M R C =12 Ω
Máx
IC RB
I B = β =1 mA +
V CE =0,2 V
+ SAT
0,7 V β=1000

76 de 81
ELETRÔNICA

0−5 V
12V
I C = 12Ω =1 A M R C =12 Ω
Máx
IC RB
I B = β =1 mA Utilizando um fator de
overdrive de 10! +
V CE =0,2 V
+ SAT
0,7 V β=1000

77 de 81
ELETRÔNICA

0−5 V
12V
I C = 12Ω =1 A M R C =12 Ω
Máx
IC RB
overdrive de 10! +
V CE =0,2 V
I B =10⋅I B =10 mA + SAT
OD
0,7 V β=1000

78 de 81
ELETRÔNICA

0−5 V
12V
I C = 12Ω =1 A M R C =12 Ω
Máx
IC RB
overdrive de 10! +
V CE =0,2 V
I B =10⋅I B =10 mA + SAT
OD
0,7 V β=1000
5 V−0,7 V
R B = 10 mA =430 Ω
79 de 81
ELETRÔNICA
Exemplo: Circuitos indutivos podem causar graves danos aos transistores

devido à variação abrupta da corrente no momento do desligamento. Para
contornar esse problema utiliza-se um diodo chamado “roda livre”.
V CC
V BB
80 de 81
ELETRÔNICA
Exercício: Considere o uso de um transistor como chave para o

acionamento de uma lâmpada seguintes características: Vnominal = 24V;
Rnominal = 12Ω. O Transistor utilizado possui as seguintes características
médias: IC =5A; VCEsat = 0,2V; PMáx = 4 W; hfe =1000. VBB = 0 – 5 V
0−5 V V CC
R C =12 Ω
RB
+
V CE =0,2 V
+ SAT
0,7 V β=1000

81 de 81

Transistores 3

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UNIVERSIDADE FEDERAL DE SÃO JOÃO DEL REI

Prof. Davidson Lafitte Firmo

Tema da aula: Transistores Bipolares de Junção

Tema da aula: Transistores Bipolares de Junção

Dispositivos eletrônicos e teoria de circuitos (BOYLESTAD /

Os modos de operação do TBJ

Modos de operação do TJB

Os modos de operação do TBJ

Modos de operação do TJB

O TRANSISTOR – Formulação Matemática (modelagem)

O TRANSISTOR – Formulação Matemática (modelagem)

O TRANSISTOR – Formulação Matemática (modelagem)

NPN – Operação no modo Ativo

O TRANSISTOR – Formulação Matemática (modelagem)

NPN – Operação no modo Ativo

O TRANSISTOR – Formulação Matemática (modelagem)

NPN – Operação no modo Ativo

O TRANSISTOR – Formulação Matemática (modelagem)

O TRANSISTOR – Formulação Matemática (modelagem)

O TRANSISTOR – Formulação Matemática (modelagem)

Característica um pouco mais realista do TBJ

O TRANSISTOR – Formulação Matemática (modelagem)

Caracterização da operação em polarização ativa direta

β=β F (50,100, 1000)

O TRANSISTOR – Formulação Matemática (modelagem)

Caracterização da operação em polarização ativa reversa

β=β R (0,01 até 1)

O TRANSISTOR – Formulação Matemática (modelagem)

O TRANSISTOR – Formulação Matemática (modelagem)

O TRANSISTOR – Formulação Matemática (modelagem)

O TRANSISTOR – Formulação Matemática (modelagem)

O TRANSISTOR – Formulação Matemática (modelagem)

O TRANSISTOR – Formulação Matemática (modelagem)

O TRANSISTOR – Formulação Matemática (modelagem)

O TRANSISTOR – Formulação Matemática (modelagem)

O TRANSISTOR – Formulação Matemática (modelagem)

O TRANSISTOR – Formulação Matemática (modelagem)

O TRANSISTOR – Formulação Matemática (modelagem)

i =(1−α )⋅I ⋅( e −1 )+(1−α )⋅I ⋅( e )

O TRANSISTOR – Formulação Matemática (modelagem)

i =(1−α )⋅I ⋅( e −1 )+(1−α )⋅I ⋅( e )

O TRANSISTOR – Formulação Matemática (modelagem)

O TRANSISTOR – Representação Gráfica

As Curvas Características do Transistor

O TRANSISTOR – Representação Gráfica

As Curvas Características do Transistor

O TRANSISTOR – Representação Gráfica

As Curvas Características do Transistor

O TRANSISTOR – Representação Gráfica

As Curvas Características do Transistor

O TRANSISTOR – Representação Gráfica

As Curvas Características do Transistor

O TRANSISTOR – Representação Gráfica

As Curvas Características do Transistor

O TRANSISTOR – Representação Gráfica

As Curvas Características do Transistor

O TRANSISTOR – Representação Gráfica

As Curvas Características do Transistor

O TRANSISTOR – Representação Gráfica

As Curvas Características do Transistor

O TRANSISTOR – Representação Gráfica

O TRANSISTOR – Representação Gráfica

O TRANSISTOR – Representação Gráfica