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Departamento de Ingeniería de Sistemas y Automática

Universidad Politécnica de Valencia

AUTOMATIZACIÓN INDUSTRIAL: Práctica 1

Captadores industriales de proximidad

1. Objetivo

El objetivo de la presente práctica es el montaje y utilización de captadores


(sensores) industriales de presencia, estudiando sus características y probando
los distintos tipos de materiales que pueden detectar, para de esta forma
asentar los conocimientos adquiridos en las clases de teoría.

Nota: El sensor es un dispositivo que responde a algunas propiedades de tipo


eléctrico, mecánico, térmico, magnético, químico, etc., generando una señal
eléctrica que puede ser susceptible de medición. El captador (o transductor) es
un sensor al que se le adjunta un circuito de acondicionamiento de la señal.

2. Características de los captadores utilizados en la práctica

Todos los captadores de proximidad utilizados en la práctica son binarios (tipo


switch), por lo tanto a partir de un cierto valor umbral de distancia nos indica la
presencia de un objeto en su campo de detección. Además, disponen de un
LED que indica cuando se produce la detección, aunque, en algunos casos, el
paso de corriente es función del modo de funcionamiento elegido (lógica directa
o lógica negada).

En esta práctica se utilizarán tres tipos de captadores de proximidad:


fotoeléctricos, inductivos y capacitivos, además, del primer tipo se disponen de
tres modelos diferentes: barrera, réflex y autorréflex, que se diferencian en la
configuración utilizada en cada uno de ellos.

2.1 Captadores fotoeléctricos

El principio de funcionamiento de los captadores fotoeléctricos está basado en


la generación de un haz luminoso por parte del fotoemisor que se proyecta
sobre el fotoreceptor directamente o mediante un dispositivo reflectante.

Los captadores fotoeléctricos que se utilizan en esta práctica permiten la


detección de objetos con lógica directa o con lógica negada, para ello solo hay
que conectar el cable de modo de funcionamiento (rosa) tal y como se indica
en la figura 1:

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Práctica 1. Captadores industriales de proximidad

Figura 1. Conexionado y modos de funcionamiento de los captadores fotoeléctricos

En esta práctica se utilizará una placa que facilita la alimentación y acceso a


las señales de los captadores. Para configurar el modo de funcionamiento
habrá que unir el cable de modo (rosa) con GND ó con VCC en la entrada del
captador correspondiente, según el modo de funcionamiento deseado.

2.1.1 Captador fotoeléctrico autorréflex (E3F2-DS10B4-M 2M)

En este tipo de captador el emisor y el receptor se encuentran en el mismo


encapsulado. En esta configuración es el objeto el que actúa como reflectante
de la luz, y por lo tanto el objeto a detectar debe tener unas características
determinadas. En la figura 2 se muestra el captador autorréflex utilizado.

Figura 2. Captador autorréflex E3F2-DS10B4-M 2M de Omron

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Práctica 1. Captadores industriales de proximidad

2.1.2. Captador fotoeléctrico reflex (E3F2-R2B4 2M)

En este tipo de captador el emisor y el receptor se encuentran en el mismo


encapsulado. En esta configuración se necesita de un reflector de tipo
catadióptrico para que refleje la luz. La detección del objeto se produce cuando
éste interrumpe la recepción de la luz.

Figura 3. Captador reflex E3F2-R2B4 2M de Omron

Características del reflector utilizado en el captador réflex:

Figura 4. Reflector de tipo catadióptrico

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Práctica 1. Captadores industriales de proximidad

2.1.3. Captador fotoeléctrico de barrera (E3F2-7B4 2M)

En este tipo de captador el emisor y el receptor se encuentran separados en


dos elementos distintos La detección del objeto se produce cuando éste
interrumpe la recepción de la luz.

Figura 5. Captador de barrera E3F2-7B4 2M de Omron

2.2. Captador inductivo (E2EG-X2B1)

Este captador consta fundamentalmente de un oscilador de alta frecuencia que


genera un campo magnético en la parte sensible del mismo. Se construye de
forma que se generen fugas magnéticas considerables.

Figura 6. Captador inductivo E2EG-X2B1 de Omron

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Práctica 1. Captadores industriales de proximidad

La presencia de piezas metálicas en la zona de detección, provoca la


disminución de la amplitud de oscilación. A partir de un determinado umbral
dicha disminución se traduce en el cambio de estado de la salida del detector.
Cuando la pieza metálica abandona la zona de detección, el campo magnético
provocado por el oscilador originalmente se restituye.

Esquema de conexiones del captador inductivo:

Figura 7. Conexionado del captador inductivo

2.3. Captador capacitivo (E2K-C25MF1)

En este caso la cabeza detectora es capacitiva, formada por unos electrodos


que generan un campo eléctrico. Cuando un objeto que posee un nivel de
permitividad superior a la unidad se sitúa en ese campo eléctrico, modifica el
valor de la capacidad asociada y provoca el cambio de estado de la salida.

Figura 8. Captador capacitivo E2K-C25MF1 de Omron

Este captador dispone de un tornillo en la parte posterior que permite ajustar el


valor umbral de detección.

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Práctica 1. Captadores industriales de proximidad

Esquema de conexiones del captador capacitivo:

Figura 9. Conexionado del captador capacitivo

3. Desarrollo de la práctica

Para facilitar el montaje de los captadores se ha construido una placa en la que


se han dispuesto las resistencias de carga, permitiendo cerrar el circuito tal y
como se muestra en las características de cada captador indicadas
anteriormente (figuras 1, 7 y 9). Las características de esta placa se muestran
en las figuras 10 y 11:
Salidas Alimentación
GND

GND
GND

GND

GND

GND

VCC
SA

SB

SC

SD

SE
GND

A
VCC

GND

VCC

GND

VCC

GND

VCC

GND

VCC

GND

VCC

Réflex Autorréflex Barrera Capacitivo Inductivo

Figura 10. Disposición de los conectores de entrada/salida y alimentación en la placa

x VCC: Alimentación positiva de los captadores (15 voltios)


x GND: Alimentación a tierra de los captadores (0 voltios)
x A, B, C, D, E: Entrada de señal de los captadores
x SA, SB, SC, SD, SE: Salida de señal de los captadores

Nota: Para comprobar la detección de un objeto no sólo es necesario verificar


el LED del transductor correspondiente, hay que ver si se produce el paso de
corriente por la resistencia de carga correspondiente. La resistencia de carga
se ha calculado de forma que cuando hay paso de corriente se produce una
caída de tensión de 5 voltios, que se puede medir en la salida SA, SB, SC, SD
ó SE correspondiente.

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Práctica 1. Captadores industriales de proximidad

Figura 11. Placa de conexión de los sensores

3.1. Conectar los captadores en la placa, configurando los de tipo


fotoeléctrico con lógica directa (ON con luz incidente).

3.2. Para cada tipo de captador contestar las siguientes cuestiones:

x Materiales que puede detectar: conductor, no conductor, transparentes,


reflectantes,…
x Parámetros ajustables en el captador: Ajuste de la sensibilidad (distancia
de detección), modos de funcionamiento (tipo de lógica que se aplica a
cada captador y posibilidad de cambiarla)
x Distancia de detección (en condiciones normales)
x Observaciones: dependencia del material con la distancia de medición,
campo de actuación del captador en función del material, influencia de la
iluminación externa, fiabilidad en la medida, interferencias entre
captadores,…

Construir la siguiente tabla para contestar las cuestiones anteriores:

Tipo de Tipos de Distancia


Parámetros Ejemplos de
captador de materiales detección Observaciones
ajustables utilización
proximidad detectados mínima
Barrera
Réflex
Autorréflex
Inductivo
Capacitivo

3.3. ¿Qué diferencias encuentras en los captadores fotoeléctricos réflex y


autorréflex?

3.4. Conectar uno de los captadores fotoeléctricos con lógica negada (ON
con luz interrumpida), y explicar cuáles son las diferencias, al detectar
un objeto, en cuanto a paso de corriente y encendido del led con
respecto a la lógica directa.

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Práctica 1. Captadores industriales de proximidad

4. Emisión a distancia de medidas de variables de un proceso


industrial

En numerosas ocasiones en los procesos industriales basados en


automatismos o control continuo, el dispositivo de control, bien sea un
autómata programable, bien sea un regulador PID, se encuentra ubicado en
zonas alejadas del mismo proceso, por que las condiciones de seguridad y
buen funcionamiento de los últimos así lo requieren. Por otra parte, muchos de
los captadores que se utilizan para medir las variables del proceso disponen de
tensión a su salida. En estas condiciones es conveniente convertir la salida en
tensión, a un bucle de corriente por motivos de la característica resistiva de la
línea y la caída de tensión considerable que puede producirse en ella. Este
método de transmisión se utiliza desde 1940, cuando de lo que se trata es de
enviar información a distancia.

Se adoptó este método, entre otras cosas, por razones de seguridad, pues un
eventual cortocircuito del bucle de transmisión no produciría arco eléctrico.

Existen varios rangos de tipo comercial, pero el más estándar de todos ellos es
el bucle de 4 a 20 mA.

El hecho de que se disponga de un cero activo, permite discernir entre la


actuación del transductor a su mínimo valor de entrada, y entre la posibilidad
de interrupción física de la línea de transmisión por motivos de avería.

Módulo emisor/receptor
Transductor

I RL

V
Figura 12. Estructura del bucle de corriente

El circuito integrado XTR110KP es un dispositivo de precisión, que se utiliza


para la conversión de una tensión en bucles de corriente de tipo industrial.

Como anexo a este enunciado se incluye las hojas de características del citado
circuito integrado, así como las del transistor BC557, necesario para realizar un
montaje Darlington de acondicionamiento de la señal.

4.1. Elegir uno de los captadores y realizar el montaje para la conversión de


una tensión de entrada de 0..5 V en un bucle de corriente de 4..20 mA
4.2. Comprobar la corriente obtenida mediante la medición de la caída de
tensión que se produce en una resistencia de carga.
4.3. Comprobar la diferencia entre el envío de un 0 lógico y la pérdida de
conexión de la línea.

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by BC556/D

PNP Silicon

COLLECTOR
1

2
BASE

3
EMITTER

MAXIMUM RATINGS
1
BC BC BC 2
3
Rating Symbol 556 557 558 Unit
Collector – Emitter Voltage VCEO –65 –45 –30 Vdc CASE 29–04, STYLE 17
TO–92 (TO–226AA)
Collector – Base Voltage VCBO –80 –50 –30 Vdc
Emitter – Base Voltage VEBO –5.0 Vdc
Collector Current — Continuous IC –100 mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25°C PD 625 mW
Derate above 25°C 5.0 mW/°C
Total Device Dissipation @ TC = 25°C PD 1.5 Watt
Derate above 25°C 12 mW/°C
Operating and Storage Junction TJ, Tstg – 55 to +150 °C
Temperature Range

THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic Symbol Max Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient R JA 200 °C/W
Thermal Resistance, Junction to Case R JC 83.3 °C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)


Characteristic Symbol Min Typ Max Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector – Emitter Breakdown Voltage V(BR)CEO V
(IC = –2.0 mAdc, IB = 0) BC556 –65 — —
BC557 –45 — —
BC558 –30 — —
Collector – Base Breakdown Voltage V(BR)CBO V
(IC = –100 μAdc) BC556 –80 — —
BC557 –50 — —
BC558 –30 — —
Emitter – Base Breakdown Voltage V(BR)EBO V
(IE = –100 Adc, IC = 0) BC556 –5.0 — —
BC557 –5.0 — —
BC558 –5.0 — —
Collector–Emitter Leakage Current ICES
(VCES = –40 V) BC556 — –2.0 –100 nA
(VCES = –20 V) BC557 — –2.0 –100
BC558 — –2.0 –100
(VCES = –20 V, TA = 125°C) BC556 — — –4.0 μA
BC557 — — –4.0
BC558 — — –4.0

Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data 1


© Motorola, Inc. 1996
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ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic Symbol Min Typ Max Unit

ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain hFE —
(IC = –10 μAdc, VCE = –5.0 V) BC557A — 90 —
BC556B/557B/558B — 150 —
BC557C — 270 —
(IC = –2.0 mAdc, VCE = –5.0 V) BC556 120 — 500
BC557 120 — 800
BC558 120 — 800
BC557A 120 170 220
BC556B/557B/558B 180 290 460
BC557C 420 500 800
(IC = –100 mAdc, VCE = –5.0 V) BC557A — 120 —
BC556B/557B/558B — 180 —
BC557C — 300 —
Collector – Emitter Saturation Voltage VCE(sat) V
(IC = –10 mAdc, IB = –0.5 mAdc) — –0.075 –0.3
(IC = –10 mAdc, IB = see Note 1) — –0.3 –0.6
(IC = –100 mAdc, IB = –5.0 mAdc) — –0.25 –0.65
Base – Emitter Saturation Voltage VBE(sat) V
(IC = –10 mAdc, IB = –0.5 mAdc) — –0.7 —
(IC = –100 mAdc, IB = –5.0 mAdc) — –1.0 —
Base–Emitter On Voltage VBE(on) V
(IC = –2.0 mAdc, VCE = –5.0 Vdc) –0.55 –0.62 –0.7
(IC = –10 mAdc, VCE = –5.0 Vdc) — –0.7 –0.82

SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS
Current – Gain — Bandwidth Product fT MHz
(IC = –10 mA, VCE = –5.0 V, f = 100 MHz) BC556 — 280 —
BC557 — 320 —
BC558 — 360 —
Output Capacitance Cob — 3.0 6.0 pF
(VCB = –10 V, IC = 0, f = 1.0 MHz)
Noise Figure NF dB
(IC = –0.2 mAdc, VCE = –5.0 V, BC556 — 2.0 10
RS = 2.0 k , f = 1.0 kHz, Δf = 200 Hz) BC557 — 2.0 10
BC558 — 2.0 10
Small–Signal Current Gain hfe —
(IC = –2.0 mAdc, VCE = –5.0 V, f = 1.0 kHz) BC556 125 — 500
BC557/558 125 — 900
BC557A 125 220 260
BC556B/557B/558B 240 330 500
BC557C 450 600 900

Note 1: IC = –10 mAdc on the constant base current characteristics, which yields the point IC = –11 mAdc, VCE = –1.0 V.

2 Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data

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XTR110

SBOS141A – JANUARY 1984 – REVISED AUGUST 2003

PRECISION VOLTAGE-TO-CURRENT
CONVERTER/TRANSMITTER

FEATURES APPLICATIONS
● 4mA TO 20mA TRANSMITTER ● INDUSTRIAL PROCESS CONTROL
● SELECTABLE INPUT/OUTPUT RANGES: ● PRESSURE/TEMPERATURE TRANSMITTERS
0V to +5V, 0V to +10V Inputs ● CURRENT-MODE BRIDGE EXCITATION
0mA to 20mA, 5mA to 25mA Outputs
● GROUNDED TRANSDUCER CIRCUITS
Other Ranges
● CURRENT SOURCE REFERENCE FOR DATA
● 0.005% MAX NONLINEARITY, 14 BIT
ACQUISITION
● PRECISION +10V REFERENCE OUTPUT
● PROGRAMMABLE CURRENT SOURCE FOR
● SINGLE SUPPLY OPERATION TEST EQUIPMENT
● WIDE SUPPLY RANGE: 13.5V to 40V ● POWER PLANT/ENERGY SYSTEM
MONITORING

DESCRIPTION
The XTR110 is a precision voltage-to-current converter
designed for analog signal transmission. It accepts inputs of
VREF Force 15 16 +VCC
0 to 5V or 0 to 10V and can be connected for outputs of 4 R9
Source
to 20mA, 0 to 20mA, 5 to 25mA and many other commonly VREF Sense 12 +10V
R8 1
Resistor
Reference
used ranges. VREF Adjust 11 13 Source
Sense
A precision on-chip metal film resistor network provides VIN1 (10V) 4 A2 14
Gate
Drive
input scaling and current offsetting. An internal 10V voltage
reference can be used to drive external circuitry. VREF In 3 R1 7 Offset
R3 (zero)
The XTR110 is available in 16-pin plastic DIP, ceramic DIP R5 6 Adjust

and SOL-16 surface-mount packages. Commercial and in- R4 A1


dustrial temperature range models are available. R2
Span
8
Adjust
R7
VIN2 (5V) 5 10 4mA
Span
R6
Common 2 9 16mA
Span

Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.
All trademarks are the property of their respective owners.

PRODUCTION DATA information is current as of publication date. Copyright © 1984-2003, Texas Instruments Incorporated
Products conform to specifications per the terms of Texas Instruments
standard warranty. Production processing does not necessarily include
testing of all parameters.

www.ti.com
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SPECIFICATIONS
ELECTRICAL
At TA = +25°C and VCC = +24V and RL = 250Ω**, unless otherwise specified.

XTR110AG, KP, KU XTR110BG


PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX MIN TYP MAX UNITS

TRANSMITTER
Transfer Function IO = 10 [(VREFIn/16) + (VIN1/4) + (VIN2/2)] /RSPAN
Input Range: VIN1(5) Specified Performance 0 +10 * * V
VIN2 Specified Performance 0 +5 * * V
Current, IO Specified Performance(1) 4 20 * * mA
Derated Performance(1) 0 40 * * mA
Nonlinearity 16mA/20mA Span(2) 0.01 0.025 0.002 0.005 % of Span
Offset Current, IOS IO = 4mA(1)
Initial (1) 0.2 0.4 0.02 0.1 % of Span
vs Temperature (1) 0.0003 0.005 * 0.003 % of Span/°C
vs Supply, VCC (1) 0.0005 0.005 * * % of Span/V
Span Error IO = 20mA
Initial (1) 0.3 0.6 0.05 0.2 % of Span
vs Temperature (1) 0.0025 0.005 0.0009 0.003 % of Span/°C
vs Supply, VCC (1) 0.003 0.005 * * % of Span/V
Output Resistance From Drain of FET (QEXT)(3) 10 x 109 * Ω
Input Resistance VIN1 27 * kΩ
VIN2 22 * kΩ
VREF In 19 * kΩ
Dynamic Response
Settling Time To 0.1% of Span 15 * μs
To 0.01% of Span 20 * μs
Slew Rate 1.3 * mA/μs
VOLTAGE REFERENCE
Output Voltage +9.95 +10 +10.05 +9.98 * +10.02 V
vs Temperature 35 50 15 30 ppm/°C
vs Supply, VCC Line Regulation 0.0002 0.005 * * %/V
vs Output Current Load Regulation 0.0005 0.01 * * %/mA
vs Time 100 * ppm/1k hrs
Trim Range –0.100 +0.25 * * V
Output Current Specified Performance 10 * mA
POWER SUPPLY
Input Voltage, VCC +13.5 +40 * * V
Quiescent Current Excluding IO 3 4.5 * * mA
TEMPERATURE RANGE
Specification: AG, BG –40 +85 * * °C
KP, KU 0 +70 °C
Operating: AG, BG –55 +125 * * °C
KP, KU –25 +85 °C

* Specifications same as AG/KP grades. ** Specifications apply to the range of RL shown in Typical Performance Curves.
NOTES: (1) Including internal reference. (2) Span is the change in output current resulting from a full-scale change in input voltage. (3) Within compliance range limited
by (+VCC – 2V) +VDS required for linear operation of the FET. (4) For VREF adjustment circuit see Figure 3. (5) For extended IREF drive circuit see Figure 4. (5) Unit may
be damaged. See section, “Input Voltage Range”.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ELECTROSTATIC


Power Supply, +VCC ............................................................................ 40V
Input Voltage, VIN1, VIN2, VREF IN ....................................................... +VCC DISCHARGE SENSITIVITY
See text regarding safe negative input voltage range.
Storage Temperature Range: A, B ................................ –55°C to +125°C This integrated circuit can be damaged by ESD. Texas Instruments
K, U .................................. –40°C to +85°C recommends that all integrated circuits be handled with appropriate
Lead Temperature precautions. Failure to observe proper handling and installation proce-
(soldering, 10s) G, P ................................................................... 300°C dures can cause damage.
(wave soldering, 3s) U ................................................................ 260°C
ESD damage can range from subtle performance degradation to
Output Short-Circuit Duration, Gate Drive
and VREF Force ................................ Continuous to common and +VCC complete device failure. Precision integrated circuits may be more
Output Current Using Internal 50Ω Resistor ................................... 40mA susceptible to damage because very small parametric changes could
cause the device not to meet its published specifications.

2
XTR110
www.ti.com SBOS141A
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PIN CONFIGURATION PACKAGE INFORMATION
PACKAGE DRAWING
Top View
PRODUCT PACKAGE NUMBER(1)

Source Resistor 1 16 +VCC XTR110AG 16-Pin Ceramic DIP 109


XTR110BG 16-Pin Ceramic DIP 109
Common 2 15 VREF Force XTR110KP 16-Pin Plastic DIP 180
XTR110KU SOL-16 Surface-Mount 211
VREF In 3 14 Gate Drive
NOTE: (1) For detailed drawing and dimension table, please see end of data
VIN1 (10V) 4 13 Source Sense
sheet, or Appendix C of Burr-Brown IC Data Book.
VIN2 (5V) 5 12 VREF Sense

Zero Adjust 6 11 VREF Adjust

Zero Adjust 7 10 4mA Span

Span Adjust 8 9 16mA Span

ORDERING INFORMATION
TEMPERATURE
PRODUCT PACKAGE RANGE
XTR110AG 16-Pin Ceramic DIP –40°C to +85°C
XTR110BG 16-Pin Ceramic DIP –40°C to +85°C
XTR110KP 16-Pin Plastic DIP 0°C to +70°C
XTR110KU SOL-16 Surface-Mount 0°C to +70°C

TYPICAL PERFORMANCE CURVES


TA = +25°C, VCC = 24VDC, RL = 250Ω, unless otherwise noted.

VREF LINE REGULATION vs FREQUENCY IO POWER SUPPLY REGULATION vs FREQUENCY


10 10
Δ IO /Δ VCC (% of span/V)

1 1
Δ VREF/Δ VCC (%/V)

0.1 0.1

0.01 0.01

0.001 0.001
1 10 100 1k 10k 100k 1 10 100 1k 10k 100k
Ripple Frequency (Hz) Ripple Frequency (Hz)

JUNCTION TEMPERATURE RISE


vs VREF OUTPUT CURRENT TOTAL OUTPUT ERROR vs TEMPERATURE
100 2
Max. Temp. Rise
for +85°C Ambient
Junction Temperature Rise

80
Max. TJ = +175°C 1 AG
Above Ambient (°C)

Error (% of span)

JA = 70°C/W VCC = +40V


60
0 BG
40
VCC = +24V
–1 AG
20 VCC = +15V

0 –2
0 2 4 6 8 10 –40 –20 0 20 40 60 80
VREF Output Current (mA) Temperature (°C)
(IOUT has minimal effect on TJ)

XTR110 3
SBOS141A www.ti.com
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TYPICAL PERFORMANCE CURVES (CONT)
At TA = +25°C, VCC = 24VDC, RL = 250Ω, unless otherwise noted.

ICC vs TEMPERATURE MAXIMUM RL vs VCC


5 2500

IO = 20mA
4 2000
ICC (mA) (excluding IO)

IO MAX = 20mA
3 1500

RL (Ω)
IO = 4mA

2 1000
IO MAX = 40mA

1 500

0 0
–40 –20 0 20 40 60 80 15 20 25 30 35 40
Temperature (°C) +VCC (V)

SETTLING TIME WITH NEG VIN STEP PULSE RESPONSE

VIN VIN

0V 0V

0V

IO Error IO
(0.01% of into
Span/Box) 500Ω
0V

SETTLING TIME WITH POS VIN STEP

VIN

0V

0V
IO Error
(0.01% of
Span/Box)

4
XTR110
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APPLICATIONS INFORMATION MANUFACTURER PART NO. BVDSS(1) BVGS(1) PACKAGE
Ferranti ZVP1304A 40V 20V TO-92
Figure 1 shows the basic connections required for 0 to 10V ZVP1304B 40V 20V TO-39
input and 4 to 20mA output. Other input voltage and output ZVP1306A 60V 20V TO-92
ZVP1306B 60V 20V TO-39
current ranges require changes in connections of pins 3, 4, 5,
9 and 10 as shown in the table of Figure 1. International
Rectifier IRF9513 60V 20V TO-220
The complete transfer function of the XTR110 is: Motorola MTP8P08 80V 20V TO-220

(VREF IN) (VIN1) (VIN2) RCA RFL1P08 80V 20V TO-39


RFT2P08 80V 20V TO-220
10 + +
16 4 2 Siliconix VP0300B 30V 40V TO-39
IO = (1) (preferred) VP0300L 30V 40V TO-92
RSPAN VP0300M 30V 40V TO-237
VP0808B 80V 40V TO-39
RSPAN is the internal 50Ω resistor, R9, when connected as VP0808L 80V 40V TO-92
VP0808M 80V 40V TO-237
shown in Figure 1. An external RSPAN can be connected for
Supertex VP1304N2 40V 20V TO-220
different output current ranges as described later. VP1304N3 40V 20V TO-92
VP1306N2 60V 20V TO-220
VP1306N3 60V 20V TO-92
EXTERNAL TRANSISTOR
NOTE: (1) BVDSS—Drain-source breakdown voltage. BVGS—Gate-source
An external pass transistor, QEXT, is required as shown in breakdown voltage.
Figure 1. This transistor conducts the output signal current.
TABLE I. Available P-Channel MOSFETs.
A P-channel MOSFET transistor is recommended. It must
have a voltage rating equal or greater than the maximum
power supply voltage. Various recommended types are shown
in Table I.

+VCC +
1µF +VCC
Force 15 16 13.5 to 40V

R9 50Ω
Sense 12 +10V R8 1
IO
Reference 500Ω Short
VREF 11 13
Connection
Adj.
(see text)
4 14 QEXT
VIN IO/10 P-Channel
0 to 10V 3 7 MOSFET
15kΩ
R3 Zero (see text)
R1 R5 Adjust
20kΩ 6
16.25kΩ
IO
R4 4 to 20mA
10kΩ RL
R2 5kΩ (250Ω typ)
8
Span Adjust
R7 6250Ω
5 IO/10 10
4mA Span

2 9 16mA Span

R6 1562.5Ω

INPUT OUTPUT
RANGE (V) RANGE (mA) PIN 3 PIN 4 PIN 5 PIN 9 PIN 10
0-10 0-20 Com Input Com Com Com
2-10 4-20 Com Input Com Com Com
0-10 4-20 +10V Ref Input Com Com Open
0-10 5-25 +10V Ref Input Com Com Com
0-5 0-20 Com Com Input Com Com
1-5 4-20 Com Com Input Com Com
0-5 4-20 +10V Ref Com Input Com Open
0-5 5-25 +10V Ref Com Input Com Com

FIGURE 1. Basic Circuit Connection.

XTR110 5
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If the supply voltage, +VCC, exceeds the gate-to-source
+VCC
breakdown voltage of QEXT, and the output connection
(drain of QEXT) is broken, QEXT could fail. If the gate-to-
16
source breakdown voltage is lower than +VCC, QEXT can be 1 47nF
protected with a 12V zener diode connected from gate to
13 TIP30B
source. XTR110
etc.
14
Two PNP discrete transistors (Darlington-connected) can be
0.047µF
used for QEXT—see Figure 2. Note that an additional capaci- 2
tor is required for stability. Integrated Darlington transistors 2N2907 IOUT
etc.
are not recommended because their internal base-emitter
resistors cause excessive error. RL

Common
TRANSISTOR DISSIPATION
Maximum power dissipation of QEXT depends on the power FIGURE 2. QEXT Using PNP Transistors.
supply voltage and full-scale output current. Assuming that
the load resistance is low, the power dissipated by QEXT is:
PMAX = (+VCC) IFS (2) +VCC
The transistor type and heat sinking must be chosen accord- VREF Force 15
ing to the maximum power dissipation to prevent overheat- VREF Sense
16
12
ing. See Table II for general recommendations. VREF Adjust
VREF 11
XTR110
R
PACKAGE TYPE ALLOWABLE POWER DISSIPATION RS(1)
20kΩ
TO-92 Lowest: Use minimum supply and at +25°C. Adjust Range
TO-237 Acceptable: Trade-off supply and temperature. 2 Common
±5% Optimum
TO-39 Good: Adequate for majority of designs.
TO-220 Excellent: For prolonged maximum stress.
TO-3 Use if hermetic package is required.
NOTE: (1) RS gives higher resolution with reduced
TABLE II. External Transistor Package Type and range, set RS = 0Ω for larger range.
Dissipation.
FIGURE 3. Optional Adjustment of Reference Voltage.
INPUT VOLTAGE RANGE
The internal op amp A1 can be damaged if its non-inverting
input (an internal node) is pulled more than 0.5V below
common (0V). This could occur if input pins 3, 4 or 5 were
driven with an op amp whose output could swing negative QREF Force 15
16
under abnormal conditions. The voltage at the input of A1 is: Sense 12 +VCC

+10VREF
(VREF IN) (VIN1) (VIN2) XTR110
VA1 = + + (3)
16 4 2 2

This voltage should not be allowed to go more negative than


–0.5V. If necessary, a clamp diode can be connected from
For 100mA with VCC up to
the negative-going input to common to clamp the input 40V use 2N3055 for QREF.
voltage.
FIGURE 4. Increasing Reference Current Drive.
COMMON (Ground)
Careful attention should be directed toward proper con- 3 should be connected to this point. The circuit in Figure 3
nection of the common (grounds). All commons should shows adjustment of the voltage reference.
be joined at one point as close to pin 2 of the XTR110 as The current drive capability of the XTR110’s internal refer-
possible. The exception is the IOUT return. It can be ence is 10mA. This can be extended if desired by adding an
returned to any point where it will not modulate the external NPN transistor shown in Figure 4.
common at pin 2.

OFFSET (ZERO) ADJUSTMENT


VOLTAGE REFERENCE
The offset current can be adjusted by using the potentiom-
The reference voltage is accurately regulated at pin 12 eter, R1, shown in Figure 5. Set the input voltage to zero and
(VREF SENSE). To preserve accuracy, any load including pin then adjust R1 to give 4mA at the output. For spans starting

6
XTR110
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20 R1 = 100kΩ
1µF Tantalum
15 R2 = 100kΩ
16 Third Wire R3 = 49.9kΩ

Output Current, IO (mA)


R4 = 31.6Ω
12 1 +
24V 15
S – Span Adjust ±0.45%
13
3 16mA Span
XTR110 as shown

10
4 14 G

5 2
0V 8 9 D Zero Adjust ±1.8% Optimum
to 6 7 5
4mA to
+10V R4
20mA Out 1V
4mA Offset
RL to
R1
250Ω +5V
R3
Out –2.5 0 2 4 6 8 10
Input Voltage, VIN1 (V)
R2
Offset
Adjust Span Adjust FIGURE 6. Zero and Span of 0V to +10V Input, 4mA to
20mA Output Configuration (see Figure 5).

FIGURE 5. Offset and Span Adjustment Circuit for 0V to


20
+10V Input, 4mA to 20mA Output.
See values in Figure 6.
Output Current, IO (mA) In addition, connect
at 0mA, the following special procedure is recommended: pins 9 and 10 together.
15
set the input to a small nonzero value and then adjust R1 to
the proper output current. When the input is zero the output
will be zero. Figures 6 and 7 show graphically how offset is 20mA Span Span Adjust
10
adjusted.

SPAN ADJUSTMENT 5
The span is adjusted at the full-scale output current using the Zero Adjust
potentiometer, R2, shown in Figure 5. This adjustment is 0mA Offset
interactive with the offset adjustment, and a few iterations
0 2 4 6 8 10
may be necessary. For the circuit shown, set the input
Input Voltage, VIN1 (V)
voltage to +10V full scale and adjust R2 to give 20mA full-
scale output. Figures 6 and 7 show graphically how span is
adjusted. FIGURE 7. Zero and Span of 0V to +10VIN, 0mA to 20mA
Output Configuration (see Figure 5).
The values of R2, R3, and R4 for adjusting the span are
determined as follows: choose R4 in series to slightly de-
crease the span; then choose R2 and R3 to increase the span
to be adjustable about the center value.
EXTENDED SPAN
For spans beyond 40mA, the internal 50Ω resistor (R9) may
LOW TEMPERATURE COEFFICIENT OPERATION
be replaced by an external resistor connected between pins
Although the precision resistors in the XTR110 track within 13 and 16.
1ppm/°C, the output current depends upon the absolute
temperature coefficient (TC) of any one of the resistors, R6, Its value can be calculated as follows:
R7, R8, and R9. Since the absolute TC of the output current REXT = R9 (SpanOLD/SpanNEW)
can have 20ppm/°C, maximum, the TC of the output current Since the internal thin-film resistors have a 20% absolute
can have 20ppm/°C drift. For low TC operation, zero TC value tolerance, measure R9 before determining the final
resistors can be substituted for either the span resistors (R6 value of REXT. Self-heating of REXT can cause nonlinearity.
or R7) or for the source resistor (R9) but not both. Therefore, choose one with a low TC and adequate power
rating. See Figure 10 for application.

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TYPICAL APPLICATIONS
The XTR110 is ideal for a variety of applications requiring and low price of the XTR110 allow versatility with a
high noise immunity current-mode signal transmission. The minimum of external components and design engineering
precision +10V reference can be used to excite bridges and expense.
transducers. Selectable ranges make it very useful as a Figures 8 through 10 show typical applications of the
precision programmable current source. The compact design XTR110.

+15V
15 16

12 1 R1
+10V

Reference
11 13
VIN

4 14
A4 T1

3 7

R9 6
15kΩ

R10
1kΩ 8
Offset
R7
Adjust
5 10 4.75kΩ
A3

R3 2 9 R8 200Ω
20kΩ Fine Trim Span
R5 Adjust
2MΩ RH 50kΩ
R6
Course Trim
402Ω

T3 A2 IO

A1 T2

R4
2kΩ
R2
4.99Ω

–15V

200 IO (mA) R1, R2: Low TC resistors to dissipate 0.32W continuous power.
For other current ranges, scale both resistors proportionately.
R8, R10, R11: 10-turn trimpots for greatest sensitivity.
R6, R7: Low TC resistors.
VIN (V) A1 - A4: 1/4 LM324 (powered by ±15V).
0
T1: International Rectifier IR9513(1).
5 10
T2: International Rectifier IR513(1).
T3: International Rectifier IRFF9113(1).

–200 NOTE: (1) Or other adequate power rating MOS transistor.

FIGURE 8. ±200mA Current Pump.

8
XTR110
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Isolation Barrier
+15V

Isolated Power
Supply (722)

1µF

–15V +15V –15V +15V 15


16
12 1

3 13
XTR110
S
15 7 4 14 G
ISO122 4mA to 20mA Out
0 to –10V 8 5 2 D
16 9

RL
VL

FIGURE 9. Isolated 4mA to 20mA Channel.

+24V

15
REXT
16
0.1Ω
12 13

4
XTR110
0A to
0V to +10V S
3 14 G 10A Out

5 2 D
9

See extended span section.

FIGURE 10. 0A to 10A Output Voltage-to-Current Converter.

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Tipo de captador de Tipos de materiales Distancia detección
Parámetros ajustables Ejemplos de utilización Observaciones
proximidad detectados mínima

Barrera

Réflex

Autorréflex

Inductivo

Capacitivo