QQQQ

2
Existencia de otra persona que pueda ser heredero y designado

como tal. A su vez, era preciso que se dieran estas dos fases:
a) La caracterizada por el momento en que la herencia está a
disposición del heredero, se le ofrecía en virtud de una causa o
título válido.
b) Momento en que el heredero se hace cargo de la herencia y
actúa como tal.
• Sucesión singular mortis causa: Legado
SUCESIÓN INTESTADA
La sucesión intestada tiene lugar cuando el causante no otorgó testamento, o el otorgado no es

válido o ninguno de los instituidos llega a ser herederos. Es lo que expresan las instituciones de
Justiniano. “Muere intestado aquel que no ha sido roto o inútil, o no ha producido ningún
heredero".
2
2
2
2
2
3
3
3
-
1
UNMSM-
Laboratorio de Circuitos Electrónicos 2
2019
PROCEDIMIENT
O
(RESOLUCIÓN DE
LAS PREGUNTAS
PLANTADAS EN
2
EL INFORME
PREVIO)
INDIQUE QUÉ ES UN AMPLIFICADOR DE CLASE B CON SIMETRÍA
COMPLEMENTARIA Y CUÁLES SON SUS APLICACIONES MÁS TÍPICAS
SE LES
DENOMINA AMP
INFORME FINAL Nº7
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LIFICADOR
CLASE B,
CUANDO EL
VOLTAJE DE
POLARIZACIÓN
3
Y LA MÁXIMA
AMPLITUD DE LA
SEÑAL
ENTRANTE
POSEEN
VALORES QUE
INFORME FINAL Nº7
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HACEN QUE LA
CORRIENTE DE
SALIDA CIRCULE
DURANTE EL
SEMICICLO DE
4
LA SEÑAL DE
ENTRADA. LA
CARACTERÍSTIC
A PRINCIPAL DE
ESTE TIPO DE A
MPLIFICADORES
INFORME FINAL Nº7
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ES EL ALTO
FACTOR DE
AMPLIFICACIÓN APLICACIONES
-SISTEMAS TELEFÓNICOS,
-TRANSMISORES DE SEGURIDAD PORTÁTILES
-SISTEMAS DE AVISO, AUNQUE NO EN AUDIO
5
I. RESULTADOS
Poseen bajo consumo en reposo.
-Aprovechan al máximo la Corriente entregada por la fuente.
-Intensidad casi nula cuando está en reposo.
Desventajas:
-Producen armónicos, y es mayor cuando no tienen los transistores de salida con las mismas
características técnicas, debido a esto se les suele polarizar de forma que se les introduce una
pequeña polarización directa. Con esto se consigue desplazar las curvas y se disminuye dicha
distorsión
CUESTIONARIO PREVIO:
1-Indique qué es un amplificador de clase B con simetría complementaria y cuáles son sus
aplicaciones más típicas
El amplificador de Clase B es uno de los más utilizados y emplea dos transistores polarizados
complementarios de manera que uno amplifica el semiciclo positivo de la señal y el otro el
semiciclo negativo. Tal amplificador es llamado amplificador de simetría complementaria.
Aplicaciones
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-Sistemas telefónicos,
-Transmisores de seguridad portátiles
-Sistemas de aviso, aunque no en audio
PROCEDIMIENTO
-Simulamos los circuitos dados por la guía para completar con valores simulados a las tablas que
corresponden cada simulación.
-Implemente el circuito de la figura 9.1. Calcule IC1,sat (impuesto por el valor de VCC). Anote este
valor en la tabla 9.1.
-Calcule el 2% de IC1,sat y anote este valor en la tabla 9.1
Tabla 9.1
-Energice el circuito de la figura 9.1, con VCC = 5V.
B. Esquemas y procedimiento
1) Polarizar los transistores:
Polarización del primer transistor
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Polarización del segundo transistor
Obteniendo una señal de amplitud máxima de entrada para una

salida sin distorsión:
7
Conectando un potenciómetro de 100k a la entrada para

obtener la impedancia de entrada:
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Conectando un potenciómetro de 2k e la salida del circuito y mediante el método de la máxima

transferencia de potencia, medir la impedancia de salida:
Viendo la frecuencia del generador encontramos las

8 frecuencias de corte del amplificados y hallar un ancho de
banda.
III. RESULTADOS
Los valores encontrados para el punto Q de trabajo de ambos transistores resultan:
VCE(V) VE(V) Ic(ma)

Q1 6.43 1.42 1,48
Q2 7.46 1.12 10.2
Ib( μa) β
Q1 20.6 76.73
Q2 130 84.63
la verificación de los transistores con el ohmímetro, nos resulta los siguientes valores para cada
transistor:
transistor Q1
Terminales Directa(Ω) Inver(MΩ)
B-E 3.4M ∞
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B- C 3.6M ∞
C- E ∞ ∞
Transistor Q2
Terminales Directa(Ω) Inver(MΩ)
B-E 5.12 ∞
B- C 5.20 ∞
C- E ∞ ∞
Estableciendo una señal de entrada máxima de amplitud, que determine una salida sin distorsión, a una
frecuencia de 1KHz:
Av1 Av2 AvT Zi(KΩ) Zo(KΩ)

-2.16 -1.64 4.11 8.15 0.33
9 Realizando variaciones de frecuencias en un rango determinado:
f (Hz) 10 20 50 100
Vi 136 131 125 124

(mVpp)
Vo1 53m 118 175 210

(Vpp) m m m
Vo2 168 381 574 626

(Vpp) m m m m
f (Hz) 200 500 1K 2K
Vi 123 123 123 123

(mVpp)
Vo1 204 208 208 208

(Vpp) m m m m
Vo2 652 684 775 1

(Vpp) m m m
f(Hz) 5K 10K 20K 50K
Vi 127 127 127 127

(mVpp)
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Vo1 187m 153m 105m 60.7m

(Vpp)
Vo2 2 3.11 4 4.4

(Vpp)
f(Hz) 100K 500K 1M 2M
Vi 123 123 123 123

(mVpp)
Vo1 41m 32m 24m 13m

(Vpp)
Vo2 4.4 3.68 2.74 1.62

(Vpp)
Con un rango de frecuencia limites del ancho de banda.
FL=100Hz ; FH=780KHz
10 IV. ANÁLISIS DE RESULTADOS Y CONCLUSIONES
CUESTIONARIO:
Comparar los datos del informe previo (preguntas 2, 3,4) con los datos obtenidos del
experimento. Explicar las diferencias procedimiento se realizó para cada transistor. Luego
implementamos el circuito, polarizamos, ambos transistores y medimos el punto de trabajo de cada uno.
Mas tarde, aplicamos la fuente AC y analizamos el voltaje de entrada y salida en cada etapa en un rango
de frecuencias establecidas. Finalmente,
agregamos una red de alimentación entre la
primera y la segunda etapa de nuestro
amplificador y lo comparamos con el circuito sin
realimentación.
Índice de términos- filtro rechaza banda,

frecuencia central de rechazo realimentación,
realimentación en cascada, configuración emisor
común.
I. INTRODUCCION
la realimentación ( feedback en ingles ) negativa

es ampliamente utilizada en el diseño de
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amplificadores ya que presenta múltiples e importantes beneficios. uno de estos beneficios es la

estabilización de la ganancia del amplificador frete a variaciones de los dispositivos, temperatura,
variaciones de la fuente de alimentación y envejecimiento de los componentes. otro beneficio es el de
permitir al diseñador ajustar impedancia de entrada y salida del circuito sin tener que realizar apenas
modificaciones. la disminución de la distorsión y el aumento del ancho de banda hacen que la
realimentación negativa sea imprescindible en amplificadores de audio y etapas de potencia. sin
embargo, presenta dos inconvenientes básicos:
1. la ganancia del amplificador disminuye en la misma proporción con el aumento de los anteriores
beneficios. este problema se resuelve incrementado el número de etapas amplificadoras para
compensar esa pérdida de ganancia con el consiguiente aumento de costo.
2. el segundo problema está asociado con la realimentación al tener tendencia a la oscilación lo que
exige cuidadosos diseños en estos circuitos.
II. MATERIALES Y MÉTODOS
A. Equipos, materiales y herramientas
- Osciloscopio
- Generador de señales
11 - Fuente DC
- Multímetro digital
- Miliamperímetro DC
- Puntas de prueba
- 2 transistores
- Resistencias
- Condensadores
- Potenciómetro 100k,2k
- Protoboard
- Cables de conexión
B. Esquemas y procedimiento
1) Polarizar los transistores:
Polarización del primer transistor
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a)
b)
c)
d)
e)
f) Y MATERIALES UTILIZADOS
1. Un multímetro.
2. Un miliamperímetro.
3. Un micro amperímetro.
4. Cables cocodrilo/banano, coaxiales, cordón AC.
5. Una fuente de c.c. variable.
6. Un osciloscopio.
7. Resistores:
12 R1 = 7.5kΩ, R2 = 12KΩ, R3 = 100KΩ, R4= 1.5KΩ, Rl = 12KΩ, Rf = 1KΩ.
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8. Condensadores:
C1 = 22μF, C2 = 100μF, C3 = 22μF.
9. Amplificadores operacionales
10. Transitores
g) ESQUEMAS
Figura 6.1
II. CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES
III. REFERENCIAS
13
[1]Robert L. Boylestad “Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos” (10ma edición).

[2] David A. Hodges “Darlington’s Contributions to Transistor Circuit Design
[3] Malvino “Principios de electrónica”
[4]Charles A. Schuler “Electrónica, Principios y Aplicaciones”
en v(I
NFORME FINAL Nº7)

Facultad de Ingeniería Electrónica y Eléctrica – UNMSM
INFORME FINAL Nº7

Resumen—
Índice de Términos— amplificador operacional, sumador inversor, diferenciador integrador, señal

sinusoidal.
IV. INTRODUCCIÓN
V. MATERIALES Y MÉTODOS
h) EQUIPOS Y MATERIALES UTILIZADOS

11. Un multímetro.
16. Un osciloscopio.
17. Resistores:
R1 = 7.5kΩ, R2 = 12KΩ, R3 = 100KΩ, R4= 1.5KΩ, Rl = 12KΩ, Rf = 1KΩ.
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18. Condensadores:
C1 = 22μF, C2 = 100μF, C3 = 22μF.
19. Amplificadores operacionales
20. Transitores
i) ESQUEMAS
Figura 6.1
Figura 6.2
Figura 6.3
Figura 6.6
Figura 6.7
15 1. o. Dibuje las formas de onda observadas.
vi= 1,22V vr= 598mV vo = 1V
2. Comparador. Arme el circuito de la figura 6.3 (no considere el diodo D1) y observe la señal de
salida, variando el potenciómetro a fin de cambiar el nivel de la tensión de resistencia de referencia.
3. Agregue el diodo tal como se muestra en el circuito de la figura e identifique que el efecto que ello
causa en la salida.
4. Integrador y derivador. Implemente los circuitos de las figuras 6.6 y 6.7 y vea las señales de salida
respectivamente.
5. Complete la tabla 6.1.
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16
I. RESULTADOS
Figura 6.2
Línea Amarilla: Señal de entrada

Línea azul: Señal de R
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de los valores y en el medido se presenta factores como la resistencia interna de los instrumentos que altera
los resultados. En conclusión, funcionan muy bien, pero hay que respetar su rango de trabajo.
Índice de Términos— Amplificador de una etapa, respuesta a alta frecuencia, capacidades parásitas
VI. INTRODUCCIÓN
VII. MATERIALES Y MÉTODOS
j) EQUIPOS Y MATERIALES UTILIZADOS

21. Un multímetro.
27. Resistores:
28. Condensadores:
C1 = 22μF, C2 = 100μF, C3 = 22μF.
29. Amplificadores operaiconales
17
k) ESQUEMAS
l) PROCEDIMIENTO
Figura 5.1
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1. Realice la simulación del circuito mostrado en la figura5.1. encuentre el punto de trabajo y

complete la tabla5.1
(la simulación fue presentada en el informe previo)
2. Implemente el circuito de la figura5.1. Establezca como señal de salida del generador una onda
sinusoidal de 10kHz, con el mayor nivel de amplitud posible que permita obtener una señal sin
distorsión de amplitud de salida del amplificador.
3. Despreciando el efecto de los condensadores determine experimentalmente la ganancia de tensión

y halle el punto de trabajo. Complete tabla5.1
4. Con el fin de determinar la frecuencia de corte superior, complete tabla5.2





 Cb’e: Capacitancia de difusión o almacenamiento, cuando se da la
polarización directa.
 Cb’c: Capacitancia de transición que se origina por la variación de cargas

en la región desértica base colector.
18
 gm: Transconductancia del transistor.
 fβ: Es la frecuencia en la cual el valor de beta empieza a variar (ya no es

constante).
 f’β: Es la frecuencia de corte a altas frecuencias debido a que a altas

frecuencias el valor de beta varia.
 fT: Frecuencia a la que el módulo de la ganancia de la corriente en

cortocircuito en emisor común vale la unidad.
1. En el circuito de la figura 4.1, de acuerdo al modelo П del transistor en

altas frecuencias, encontrar una expresión para f β /fT.
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Figura 5.4
19
2. Encontrar la frecuencia de corte para Ci, Co, Ce, mostrando los circuitos
equivalentes. Determine el ancho de banda del amplificador.
Ci: El valor de la frecuencia de corte para Ci, viene dado por:

1
fLi = (1)
2 π ( Rs+ Ri) Ci
En este caso el valor de Ri(impedancia de entrada) viene dado por:

R
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ESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA DE UN AMPLIFICADOR DE UNA

SOLA ETAPA
I. OBJETIVOS
 Estudiar el comportamiento en altas frecuencias de un amplificador de

audio.
II. MARCO TEÓRICO
La respuesta en baja frecuencia de los circuitos con transistores depende de los

capacitores externos utilizados para acoplamiento y paso. La respuesta en alta
frecuencia depende de la capacitancia interna del transistor. Se amplía el circuito
equivalente simplificado para incluir los efectos de estos capacitores internos.
Estos capacitores, que afectan la respuesta en alta frecuencia, existen entre las
terminales del dispositivo. Cada uno de ellos se puede ver como si estuviese en
serie con la resistencia equivalente (Thevenin) de los circuitos asociados. Por tanto
se comienza con el examen del circuito RC de la figura 5.1. Conforme aumenta la
frecuencia de la señal de entrada, la señal de salida disminuye en amplitud a razón
20 de 20dB/década de acuerdo con la expresión:
Se hace a la constante de tiempo τ=RC.

En general se ignoran las
capacitancias de alambrada y
distribuidas y se consideran sólo las
capacitancias parásitas entre
terminales.
Figura 5.1
Efecto Miller aplicado a capacidades de realimentación
En la región de alta frecuencia, los elementos capacitivos de importancia son las

capacitancias entre
electrodos (entre
terminales) internas al
dispositivo activo y la
capacitancia de
alambrado entre los cables
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de conexión de la red. Todos los grandes capacitores de la red que controlaban la

respuesta en baja frecuencia fueron reemplazados por su equivalente de
cortocircuito debido a sus muy bajos niveles de reactancia. Para amplificadores
inversores (desfasamiento de 180° entre la salida y la entrada, que produce un
valor negativo de Av), la capacitancia de entrada y salida se incrementa en un
nivel de capacitancia sensible a la capacitancia entre electrodos entre las
terminales de entrada y salida del dispositivo y la ganancia del amplificador. En la
figura, esta capacitancia de “realimentación” está definida por Cf.
Al aplicar la ley de corrientes de Kirchhoff obtenemos
Utilizando la ley de Ohm y sustituyendo valores el resultado es:
Pero entonces
El resultado es una impedancia de

entrada equivalente al
amplificador de la figura
21 anterior, que incluye Ri y un
capacitor de retroalimentación
aumentado por la ganancia del
amplificador. En general, la
capacitancia de entrada de efecto
Miller se define como:
El efecto Miller también incrementará el nivel de la capacitancia de salida, la que

también hay que considerar cuando se determine la frecuencia de corte superior,
realizando un análisis similar al anterior se obtiene la siguiente ecuación para la
capacitancia de salida de efecto Miller:
Respuesta del EC en alta frecuencia
 el fin de encontrar hie. Esto da:
hie= rbb’ + rb’e||rb’c = rbb’ + rb’e ya que rb’c » rb’e. Un valor típico para rbb’ es
100Ω a temperatura ambiente con IC aproximado a 1mA.
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 Resistencia de entrada(rb’e): La resistencia de entrada, se aproxima por la

relación:
Vb' e
rb’e ≈ ib , ya que rb’c » rb’e
La corriente de colector en cortocircuito, i C, se encuentra de la figura 5.3
haciendo un cortocircuito en la salida.
iC= gm vb’e ≈ gm×rb’e×ib.
Pero esta cantidad se relaciona con la corriente de base de acuerdo con el

parámetro hfe; es decir: iC= hfe×ib
iC hfe
Por tanto, se obtiene: rb’e= g m×i b = g m , donde se puede estimar el valor
ICQ 1
de gm a partir de la siguiente ecuación: gm≈ =
26 hib
Por tanto:
rb’e= hfe×hib = hie
Un valor típico para rb’e es 2kΩ
 rb’c: Resistencia de realimentación entre la base y el colector, su valor

22 característico se encuentra en el valor de los 4 MΩ.
 rce: Es la resistencia entre el colector y el emisor se considera como una

resistencia de salida su valor característico se encentra entre los 100kΩ.
Para estimar la respuesta en alta frecuencia de los BJT se utiliza el modelo π -

híbrido, que es similar al modelo de parámetro h. Los parámetros de los modelos
están relacionados entre sí. En la siguiente figura se muestra el equivalente de ca
de alta frecuencia para la red de la figura 5.2
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III. INFORME PREVIO
3. Definir rbb’, rb’e, rb’c, Cb’e, Cb’c, gm, f β , fT.
En la figura 5.3 se muestra el modelo π – híbrido en bajas frecuencias. El

símbolo B’ representa la unión en la base y B la terminal de la base.
Estas no son idénticas, ya que se conectan alambres a la unión en la base, y la
terminal de base se separa de la unión por medio de estos alambres.
En el extremo de alta frecuencia, existen dos factores que definen el punto de corte
de -3dV: la capacitancia de la red (parásita e introducida) y la dependencia de la
frecuencia de hfe ( β ).
En la figura 5.2 se incluyen las diversas capacitancias parásitas (C be, Cbc, Cce) del
transistor junto con as capacitancias de alambrado (C Wi, CWo) introducidas durante
la construcción.
23
Figura 5.2
Para estimar la respuesta en alta frecuencia de los BJT se utiliza el modelo π -

híbrido, que es similar al modelo de parámetro h. Los parámetros de los modelos
están relacionados entre sí. En la siguiente figura se muestra el equivalente de ca
de alta frecuencia para la red de la figura 5.2
Los objetivos de esta experiencia fueron determinar las características de operación de un
amplificador de una sola etapa y respuesta en baja frecuencia, así como sus propiedades en alterna y
continua. Se apreció que los resultados teóricos y simulados son distintos ya que en la computadora
se puede apreciar con mayor precisión los valores que queremos, mientras que el teórico es una
INFORME FINAL Nº4

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aproximación de los valores y en el medido se presenta factores como el efecto de carga o pequeñas
variaciones debido a los elementos no ideales. En conclusión, funcionan muy bien, pero hay que
respetar su rango de trabajo.
Como ya hemos visto en las anteriores experiencias, en frecuencias medias ignoramos el efecto de
los condensadores que son considerados como corto circuito, en cambio, ahora analizaremos
nuestro amplificador cuando la señal de entrada se encuentra en el orden de las bajas frecuencia, por
lo que los condensadores ya no actuaran de la misma manera al depender su reactancia de la
frecuencia.
24
1. MATERIALES
 1 transistor 2N2222
 Resistencias: 56K,12K, 10K,1.5K, 0.68k,1k
 Condensadores (16V): 2(22uF), 100uF
 1 multímetro Digital
 1 generador de señal
 1 Fuente DC
 1 Osciloscopio
2. OBJETIVOS
 Los objetivos de esta experiencia fueron determinar las características de operación de un

amplificador de una sola etapa y respuesta en baja frecuencia, así como sus propiedades en alterna y
continua.
 Poder comprender el efecto de los condensadores sobre la frecuencia de corte inferior.
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CIRCUITO
RESPUESTA EN FRECUENCIA DE UN
AMPLIFICADOR DE UNA SOLA ETAPA
(INFORME FINAL Nº4)
Facultad de Ingeniería Electrónica y Eléctrica – UNMSM
Res
VIII. ANALISIS DE LOS
RESULTADOS (resolución del
cuestionario)
IX. CONCLUSIONES Y
RECOMENDACIONES
X. REFERENCIAS
[1]Robert L. Boylestad “Electrónica: Teoría de

Circuitos y Dispositivos Electrónicos” (10ma
edición).
[2] David A. Hodges “Darlington’s Contributions to
25 Transistor Circuit Design
[3] Malvino “Principios de electrónica”
[4]Charles A. Schuler “Electrónica, Principios y
Aplicaciones”
INFORME FINAL Nº4

umen—
Índice de Términos—
XI. INTRODUCCIÓN
XII. MATERIALES Y MÉTODOS
m) EQUIPOS Y MATERIALES UTILIZADOS

30. Un multímetro.
36. Resistores:
37. Condensadores:
C1 = 22μF, C2 = 100μF, C3 = 22μF.
38. Transistor: 2N2222.
n) ESQUEMAS
Figura 3.2 (circuito amplificador diferencial con fuente de corriente)
Figura 3.1 (circuito dl amplificador diferencial con Re)
o) PROCEDIMIENTO
XIII. RESULTADOS
XIV. ANALISIS DE LOS RESULTADOS (resolución del cuestionario)
CONCLUSIONES

QQQQ

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2

Existencia de otra persona que pueda ser heredero y designado

• Sucesión singular mortis causa: Legado

La sucesión intestada tiene lugar cuando el causante no otorgó testamento, o el otorgado no es

-Aprovechan al máximo la Corriente entregada por la fuente.

-Intensidad casi nula cuando está en reposo.

INFORME FINAL Nº7

-Transmisores de seguridad portátiles

-Sistemas de aviso, aunque no en audio

-Calcule el 2% de IC1,sat y anote este valor en la tabla 9.1

-Energice el circuito de la figura 9.1, con VCC = 5V.

1) Polarizar los transistores:

Polarización del primer transistor

INFORME FINAL Nº7

Polarización del segundo transistor

Obteniendo una señal de amplitud máxima de entrada para una

Conectando un potenciómetro de 100k a la entrada para

INFORME FINAL Nº7

Conectando un potenciómetro de 2k e la salida del circuito y mediante el método de la máxima

Viendo la frecuencia del generador encontramos las

Los valores encontrados para el punto Q de trabajo de ambos transistores resultan:

VCE(V) VE(V) Ic(ma)

Terminales Directa(Ω) Inver(MΩ)

INFORME FINAL Nº7

Terminales Directa(Ω) Inver(MΩ)

Av1 Av2 AvT Zi(KΩ) Zo(KΩ)

9 Realizando variaciones de frecuencias en un rango determinado:

Vi 136 131 125 124

Vo1 53m 118 175 210

Vo2 168 381 574 626

f (Hz) 200 500 1K 2K

Vi 123 123 123 123

Vo1 204 208 208 208

Vo2 652 684 775 1

f(Hz) 5K 10K 20K 50K

Vi 127 127 127 127

INFORME FINAL Nº7

Vo1 187m 153m 105m 60.7m

Vo2 2 3.11 4 4.4

f(Hz) 100K 500K 1M 2M

Vi 123 123 123 123

Vo1 41m 32m 24m 13m

Vo2 4.4 3.68 2.74 1.62

Con un rango de frecuencia limites del ancho de banda.

10 IV. ANÁLISIS DE RESULTADOS Y CONCLUSIONES

Índice de términos- filtro rechaza banda,

la realimentación ( feedback en ingles ) negativa

INFORME FINAL Nº7

amplificadores ya que presenta múltiples e importantes beneficios. uno de estos beneficios es la

II. MATERIALES Y MÉTODOS

A. Equipos, materiales y herramientas

1) Polarizar los transistores:

Polarización del primer transistor

INFORME FINAL Nº7

INFORME FINAL Nº7

[1]Robert L. Boylestad “Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos” (10ma edición).

NFORME FINAL Nº7)

INFORME FINAL Nº7

Índice de Términos— amplificador operacional, sumador inversor, diferenciador integrador, señal

h) EQUIPOS Y MATERIALES UTILIZADOS

15 1. o. Dibuje las formas de onda observadas.

vi= 1,22V vr= 598mV vo = 1V

5. Complete la tabla 6.1.