Вы находитесь на странице: 1из 7

НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ

ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ
КАФЕДРА ТЕОРЕТИЧЕСКИХ ОСНОВ ЭЛЕКТРОТЕХНИКИ

Лабораторная работа №1
Исследование свойств полупроводниковых диодов
По курсу «Электроника»

Факультет: Информатика и вычислительная техника


Группа: ДТ-860а
Курс: 2
Шифр: 143145615
Студент: Титова В.С.

.Новосибирск 2020
Цель работы: изучить основные свойства полупроводниковых
выпрямительных диодов и стабилитронов. Работа выполняется с
использованием демонстрационной версии среды имитационного
моделирования электронных схем "Proteus Professional".

1. Экспериментальное построение ВАХ диода

1.1. Соберём схему (рис.1). Изменяя свойства источника напряжения V1,


заполним таблицу для прямой ветви ВАХ диода.

Рис.1. Схема для экспериментального построения прямой ветви ВАХ диода.

V1, В 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
I_D1
0,71 2,64 4,61 6,59 8,58 10,6 12,6 14,6 16,5 18,5
(мА)
U_D1
0,65 0,68 0,69 0,7 0,71 0,72 0,72 0,72 0,73 0,73
(В)

1.2. Соберем схему (рис.2). Изменяя V1, заполним таблицу для обратной
ветви ВАХ диода.

Рис.2. Схема для экспериментального построения обратной ветви ВАХ


диода.
V1, В 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
I_D1
0,01 0,02 0,03 0,04 0,05 0,06 0,07 0,08 0,1 0,11
(мА)
U_D1
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
(В)

1.3. По полученным данным построим вольт-амперную характеристику


(ВАХ) диода.

По графику ВАХ диода определим динамическое сопротивления диода в


точках, соответствующих напряжениям 4 и 5 вольт прямой и обратной ветви
ВАХ по формуле:
∆ U D1 0,71−0,7
rd(пр) = ∆ I = 8,58−6,59 = 0,005
D1
∆ U D1 5−4
rd(обр) = ∆ I = 0,05−0,04 = 100
D1

где ΔU D 1 разница напряжений на выводах диода для первой и второй


точки, а Δ D 1 разница токов, протекающих через диод в тех же точках.

2. Экспериментальное построение обратной ветви ВАХ стабилитрона.

2.1. Соберём схему (рис.3). Изменяя свойства источника напряжения V1,


заполним таблицу для обратной ветви ВАХ стабилитрона.
Рис.3. Схема для экспериментального построения обратной ветви ВАХ
стабилитрона.

V1, В 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
I_ст.обр
0 0 0 0 1,26 3,21 5,18 7,16 9,15 11,1
(мА)
U_ст.об
1 2 3 4 4,37 4,4 4,41 4,42 4,43 4,43
р (В)

2.2 Построим график обратной ветви ВАХ стабилитрона.


Определим напряжение стабилизации. При достижении на стабилитроне
напряжения, называемого напряжением стабилизации Uст, ток, проходящий
через стабилитрон, резко возрастает и изменяется в широких пределах, а
напряжение на стабилитроне остается почти постоянным.

По графику можно сказать, что Uст ≈ 4,4

2.3. Определим по ВАХ дифференциальное сопротивление стабилитрона в


области стабилизации по формуле:
∆ U D1 4,41−4,4
rd = ∆ I = 5,18−3,21 = 0,005
D1

3. Параметрический стабилизатор напряжения

3.1. Соберем схему (рис.4).

Рис.4. Параметрический стабилизатор напряжения

3.2. Заполним таблицу

R2 (Ом) I_load (мА) U_load (В) I_stab (мА) I_source (мА)


"нагрузка" Ток Напряжение Ток Суммарный
нагрузки нагрузки стабилитрона ток
100 50 5 0 50
200 28,7 5,75 18,8 47,5
400 14,4 5,76 33 47,5
600 9,61 5,77 37,8 47,4
800 7,21 5,77 40,2 47,4
1 кОм 5,77 5,77 41,7 47,4
3.3. По полученным данным построим нагрузочную характеристику схемы
U_load = f (I_load).

4. Диодные ограничители.
4.1. Соберем схему ограничителей (рис. 5)

.
Рис.5. Последовательный ограничитель, последовательный ограничитель со
смещением, шунтирующий ограничитель на стабилитроне
4.2. Запустим процесс моделирования схемы. С помощью свойств генератора
сигналов выберем тип сигнала - синусоидальный, частотой 1 кГц и
амплитудой 10 В. С помощью виртуального осциллографа получим
осциллограммы входного и выходных напряжений.

Частота = 0,1 кГц Частота = 1 кГц

5. По результатам, полученным в ходе лабораторной работы сделаем


выводы.

При подаче на анод отрицательного, а на катод положительного напряжения,


основные носители в полупроводнике оттянутся к внешним краям диода, и
ширина перехода возрастет. В идеале при этом ток через диод должен
отсутствовать, так как свободных носителей внутри перехода нет. Сам
переход в данной ситуации выполняет роль изолятора.

При уменьшении обратного напряжения толщина перехода будет


уменьшаться, а при смене полярности и некоторой величине прямого
напряжения она станет равной нулю, и области с большими концентрациями
свободных носителей сомкнутся. Через диод потечет прямой ток, величина
которого зависит от приложенного напряжения и свойств
полупроводниковых материалов.

При достижении обратным напряжением некоторой величины наступает


пробой перехода, что вызывает резкое увеличение обратного тока.  В режиме
электрического пробоя диод может находиться достаточно длительное время,
при этом величина падения напряжения на нем очень слабо связана с
величиной тока пробоя.