Вы находитесь на странице: 1из 137

Министерство образования Российской Федерации

Московский государственный институт электронной техники


(Технический университет)

Ю.А.Парменов

Физика полупроводников

Учебное пособие

Допущено Министерством образования Российской Федерации


в качестве учебного пособия для студентов
высших учебных заведений, обучающихся по специальности
"Микроэлектроника и электроника"

Москва 2002
ББК 22.379
П18
УДК 537.311.322

Рецензенты: докт. физ.-мат. наук, проф. Г.Ф.Глинский,


канд. техн. наук, доц. Г.Н.Виолина

Парменов Ю.А.
П18 Физика полупроводников. Уч. пособие. - М.: МИЭТ, 2002. -
132 с.: ил.
ISBN 5-7256-0280-X

Изложены фундаментальные сведения по физике полупроводни-


ков, знание которых необходимо для понимания физических процессов
в твердотельных приборах. Рассмотрены свойства классического и
квантового электронного газов, поведение электронов в кристалле на
основе зонной теории твердого тела, раскрыты главные положения этой
теории. Даются сведения по статистике электронов и дырок. Значитель-
ное внимание уделено кинетическим явлениям, процессам рекомбина-
ции-генерации электронов и дырок. Анализируются основные уравне-
ния, описывающие пространственное распределение носителей заряда.
Учебное пособие предназначено для студентов высших учебных
заведений, изучающих курс твердотельной электроники и обучающихся
по направлению 654100 "Электроника и микроэлектроника" и специ-
альности 200100 "Микроэлектроника и твердотельная электроника".
Оно может быть полезно также для студентов, обучающихся по другим
направлениям, в учебные планы которых входит изучение дисциплин,
связанных с физическими основами микроэлектроники.

ISBN 5-7256-0280-X © МИЭТ, 2002


Учебное пособие
Парменов Юрий Алексеевич

Физика полупроводников

Редактор Л.М.Рогачева. Технический редактор Л.Г.Лосякова. Компьютерная


верстка А.А.Григорашвили.

Подписано в печать с оригинала-макета 1.10.02. Формат 60×84 1/16. Печать


офсетная. Бумага офсетная. Гарнитура Times New Roman. Усл. печ. л. 7,66.
Уч.-изд. л. 6,6. Тираж 150 экз. Заказ 227.

Отпечатано в типографии ИПК МИЭТ.


124498, Москва, МИЭТ.
Предисловие
Настоящее учебное пособие написано на основе курсов лекций
по физике полупроводников и полупроводниковых приборов, физи-
ческим основам микроэлектроники, твердотельной электроники и
микроэлектроники, которые автор читал на протяжении ряда лет
студентам различных факультетов Московского государственного
института электронной техники.
Чтение указанных курсов предполагает изложение одним лек-
тором как физики полупроводников, так и физики полупроводнико-
вых приборов. Это позволило автору отобрать из всего объема мате-
риала по физике полупроводников именно тот минимум сведений,
который в первую очередь необходим для последующего изучения
физических процессов в твердотельных приборах.
В соответствии с поставленной задачей автор не стремился ох-
ватить все физические явления в полупроводниках. В пособие вклю-
чены лишь главы, посвященные фундаментальным понятиям физики
полупроводников, знание которых необходимо для понимания прин-
ципов работы любого полупроводникового прибора: свойства клас-
сического и квантового электронного газов, зонная теория твердого
тела, статистика электронов и дырок, кинетические явления, процес-
сы генерации-рекомбинации, основные уравнения, определяющие
распределение носителей заряда в полупроводниках.
Уровень изложения материала предполагает, что читатель зна-
ком с основными представлениями статистической физики, кванто-
вой механики и кристаллографии. При этом автор стремился не пе-
регружать пособие математическими выкладками, затрудняющими
прочное усвоение физической стороны рассматриваемых явлений.
Внимание читателя обращается в первую очередь на основные пред-
положения излагаемой теории и пределы применимости ее результа-
тов.
Поскольку наиболее важным полупроводником в настоящее
время является кремний, в меньшей степени арсенид галлия и гер-
маний, именно этим полупроводникам уделяется в пособии главное
внимание. Приводятся основные характеристики этих материалов,
температурные зависимости параметров, устанавливается связь этих
параметров с температурным диапазоном работы полупроводнико-
вых приборов. Значения численных параметров полупроводников
взяты из [1].
В учебном пособии не затронуты вопросы, касающиеся кон-
тактных, оптических, фотоэлектрических и других явлений в полу-
проводниках. Автор считает целесообразным излагать эти вопросы
одновременно с изучением физики работы тех полупроводниковых
приборов, в основе действия которых лежит конкретный физический
эффект. Физика твердотельных приборов будет изложена в следую-
щем учебном пособии, планируемом автором к изданию.

1. Свободный электронный газ


Развитие физики полупроводников исторически связано с исследо-
ванием электропроводности металлов, которое потребовало изучения
поведения системы электронов, находящихся в твердом теле. Вместе с
тем многие понятия из теории металлов, такие как подвижность, время
релаксации, плотность квантовых состояний и другие нашли затем ши-
рокое применение в физике полупроводников. Поэтому целесообразно
начать изучение физики полупроводников со свойств электронного газа
в металлах.

1.1. Классический электронный газ


Впервые представление об электронном газе было введено Друде в
1900 г. в его теории проводимости металлов. Теория Друде в свете со-
временных знаний о строении вещества основывалась на следующих
предложениях:
1. При образовании металла валентные электроны его атомов от-
рываются и становятся свободными. Таким образом, металл представ-
ляет собой совокупность неподвижных положительно заряженных ио-
нов, погруженных в электронный газ.
2. Электронный газ в металле подобен идеальному газу классиче-
ской физики. Однако в отличие от последнего электроны сталкиваются
только с неподвижными ионами, столкновениями с электронами пре-
небрегается.

2
3. В интервале между столкновениями электроны не взаимодейст-
вуют ни с друг с другом (приближение независимых электронов), ни с
ионами (приближение свободных электронов).
4. Скорость электрона после столкновения направлена случайным
образом, а ее величина определяется температурой той области, в кото-
рой произошло столкновение.
5. Вероятность для электрона испытать столкновение в единицу
времени равна 1 / τ . Величина τ называется временем свободного про-
бега или временем релаксации. Предполагается, что время свободного
пробега не зависит от скорости электрона.
По аналогии с кинетической теорией газов для электронного газа в
металле можно ввести функцию распределения по скоростям Максвел-
ла - Больцмана, понятия плотности (концентрации) электронов n, теп-
ловой скорости vТ, длины свободного пробега l = vT τ .
Плотность электронного газа легко рассчитать, зная массовую
плотность металла и число Авогадро. Она составляет порядка
1022 - 1023 см–3, что примерно в 1000 раз больше плотности идеального
газа классической физики.
Используя известное соотношение о равнораспределении энергии
по степеням свободы:
mvТ2 3
= kT ,
2 2
где m - масса электрона; k - постоянная Больцмана; T - абсолютная
температура, можно определить тепловую скорость vT, величина кото-
рой при Т = 300 К составляет ~107 см/с.
В отсутствие электрического поля электроны движутся хаотично,
поэтому все направления равновероятны и средняя скорость направлен-
ного движения электронов равна нулю.
Если к металлу приложить электрическое поле E , то на электроны
начинает действовать сила
F = ma = −eE
При этом каждый электрон приобретает ускорение
eE
a =− .
m
Здесь через e обозначено абсолютное значение заряда электрона.
Пусть t - время, прошедшее с момента последнего столкновения.
Тогда скорость электрона в момент времени t равна

3
eE
v(t ) = vT + a t = vT − t.
m
Определим среднюю скорость движения совокупности электронов
в электрическом поле, называемую дрейфовой скоростью. Поскольку
после столкновения все направления равновероятны, то среднее значе-
ние < vT > = 0. В то же время в соответствии с предположениями сред-
нее значение <t> = τ - времени релаксации. Поэтому

v d = − E = − µ nE .
m
Величина
v eτ
µn = d = (1.1)
E m
называется подвижностью электронов. Она численно равна дрей-
фовой скорости в единичном электрическом поле.
Движение совокупности электронов с дрейфовой скоростью v d
создает электрический ток. Поскольку концентрация электронов равна
n, то за единицу времени nvd электронов пересечет единичное сечение,
перпендикулярное вектору v d . Эти электроны перенесут заряд (–envd),
поэтому плотность тока электронов
jn = − env d = enµ nE = σE,
где
e 2 nτ
σ = enµ n = (1.2)
m
называется электропроводностью.
Размерности подвижности и электропроводности в системе СИ
 м2   Сим 
можно определить из выражений (1.1) и (1.2): µ  , σ  .
 В⋅ с   м 
На практике обычно используются внесистемные единицы:
 см 2   Сим 
µ  , σ  .
 В ⋅ с   см 
Величина, обратная электропроводности, называется удельным
сопротивлением ρ = 1/σ и имеет размерность ρ [Ом·см].

4
Формула (1.2) позволяет вычислить величину времени релаксации
τ, если известно экспериментальное значение электропроводности σ.
Для металлов расчет дает величину τ~10–14 - 10–15 c. При средней тепло-
вой скорости электронов 107 см/с длина их свободного пробега состав-
ляет в таком случае ~1 - 10 Ǻ.
Полученное значение по порядку величины соответствует меж-
атомным расстояниям в металлах, что согласуется с предположением о
столкновениях электронов с неподвижными ионами. Однако оно проти-
воречит опытным данным, из которых следует, что длина свободного
пробега электронов в металлах может намного превосходить параметр
решетки и при низких температурах достигать величины порядка 1 см.
Рассмотренная модель электронного газа противоречит также
классическому закону Дюлонга - Пти, согласно которому все твердые
тела при достаточно высоких температурах имеют одинаковую тепло-
емкость. Непонятно, почему диэлектрики, в которых электронный газ
отсутствует, имеют такую же теплоемкость, что и металлы. Другими
словами, неясно, почему классический электронный газ не вносит свой
вклад в теплоемкость твердого тела.
Указанные противоречия удалось разрешить только в рамках кван-
товой теории электронного газа.

1.2. Квантовый электронный газ


Зоммерфельд развил теорию металлов, рассмотрев поведение элек-
тронного газа в металле с точки зрения квантовых представлений. Со-
хранив неизменными остальные предположения теории Друде, Зом-
мерфельд предположил следующее:
• для электронов в металле справедлив принцип Паули, поэтому
распределение электронов по энергиям описывается не функцией рас-
пределения Максвелла - Больцмана, а функцией распределения Фèрми -
Дирàка;
• силовые поля ионов и всех остальных электронов, кроме данно-
го, налагаясь, компенсируют друг друга всюду внутри металла, а у по-
верхности образуют бесконечно высокий потенциальный барьер. Таким
образом, электроны находятся в металле внутри потенциальной ямы с
гладким дном и бесконечно высокими стенками.

5
Поскольку сохраняется приближение независимых электронов, по-
ведение любого электрона в металле может быть описано одним и тем
же уравнением Шредингера:
h2 2
− ∇ Ψ (r ) + [U − E ] Ψ (r ) = 0 ,
2m
где Ψ (r ) - волновая функция электрона; E, U - соответственно пол-
ная и потенциальная энергия электрона.
Внутри кристалла потенциальная энергия электрона постоянна.
Выберем за начало отсчета энергий U = 0. Тогда уравнение Шредингера
примет вид
h2 2
− ∇ Ψ (r ) = EΨ (r ) . (1.3)
2m
Решением уравнения (1.3) является плоская волна де-Бройля:
Ψ (r ) = Aeiк r , (1.4)
где к - волновой вектор.
Амплитуду волны можно найти, используя условие нормировки

∫ ΨΨ dV = A V = 1 ,
* 2

V
1
откуда A = .
V
Подставляя Ψ (r ) в (1.3), получаем закон дисперсии:
h 2к 2
E (к ) = . (1.5)
2m
Для свободного электрона в неограниченном пространстве к и E
могут принимать любые значения, поэтому спектр энергии такого элек-
трона непрерывный.
Движения электрона внутри металла ограничено его объемом, по-
этому необходимо ввести граничные условия, которым должно удовле-
творять решение уравнения (1.3). Для удобства вычислений обычно
выбирают кристалл в форме куба с ребром L. При больших размерах
отличие реальной формы кристалла от кубической слабо влияет на его
объемные свойства.
Теперь необходимо представить себе пространство, заполненное
одинаковыми кристаллами в форме куба, приставленными боковыми

6
гранями друг к другу. В силу тождественности кристаллов следует ожи-
дать, что в аналогичных точках кристаллов значения волновых функций
будут одинаковы:
Ψ ( x , y , z ) = Ψ ( x + L , y , z ) = Ψ ( x , y + L, z ) = Ψ ( x , y , z + L ) . (1.6)
Выражения (1.6) называются периодическими граничными усло-
виями Борна - Кармана.
Подставляя волновую функцию (1.4) в первое из условий Борна -
Кармана, получаем
Ae
(
i кx x + к y y + кz z ) = Aei[к x (x + L ) + к y y + к z z ] ,
откуда

eiк x L = 1 , к x = n x , nx = 0, ±1, ±2, … (1.7а)
L
Аналогично
iк y L2π
e n y , ny = 0, ±1, ±2, …
=1, кy = (1.7б)
L

e iк z L = 1 , к z = n z , nz = 0, ±1, ±2, … (1.7в)
L
Таким образом, волновой вектор электрона в металле к к x , к у , к z ( )
может принимать только ряд дискретных значений:
2π 2 2π
к = к = к x2 + к 2y + к z2 = nx + n 2y + nz2 = n, (1.8)
L L
где n = n x2 + n 2y + n z2 - целые числа.
( )
Компоненты вектора к к x , к y , к z определяют волновую функцию
электрона, т.е. являются квантовыми числами. Для получения полного
набора квантовых чисел необходимо еще спиновое квантовое число
1
ms = ± . В соответствии с принципом Паули каждый электрон
2
в металле имеет свой набор квантовых чисел: (к x , к y , к z , ms ) или
(n x , n y , n z , ms ) .
Дискретность волнового вектора приводит к дискретности спектра
энергии электрона в кристалле. Закон дисперсии с учетом (1.8) запи-
шется в виде (рис.1.1)

7
2 E
h 2 к 2 h 2  2π 
En (к ) = =   n. (1.9)
2m 2m  L 
Оценим расстояние между
соседними уровнями энергии,
полагая размер кристалла L = 2π:
h2
∆E = En + 1 − En = ≈ 3 ⋅ 10 − 20 E3
2m
эВ.
Сравнивая полученное зна- E2
чение со средним значением теп- E1
ловой энергии электрона в моде- 0 к2 к3 к
ли Друде kT = 0,025 эВ (при
Т = 300 К), можно заключить, что
∆Е очень мало, поэтому спектр Рис.1.1. Закон дисперсии для элек-
тронов в ограниченном кристалле в мо-
энергии электронов в металле
квазинепрерывный.
Рассмотрим, каким образом происходит заполнение дискретных
энергетических уровней в металле с числом электронов N при T = 0.
При этом необходимо учесть, что уровни энергии электрона в кристалле
вырождены. Каждому уровню энергии соответствует несколько кванто-
1
вых состояний, определяемых условиями n x2 + n 2y + n z2 = n и ms = ± .
2
Заполнение происходит начиная с нижнего энергетического уров-
ня, соответствующего n = 0, к = 0, Е0 = 0. На этом уровне могут нахо-
1
диться N0 = 2 электрона, занимающих состояния (0, 0, 0, ) и (0, 0, 0,
2
1
− ). Легко убедиться, что на уровне Е1 могут находиться N1 = 12 элек-
2
1 1 1
тронов в состояниях (1, 0, 0, ), (1, 0, 0, − ) … (0, 0, –1, − ), на уровне
2 2 2
E2 – N2 = 24 электрона и т.д.
Последовательно заполняя энергетические уровни, можно достичь
некоторого уровня Em, когда все электроны будут исчерпаны:
N = N 0 + N1 + N 2 + ... + N m .

8
Наивысший энергетический уровень в металле при T = 0, на кото-
ром еще есть электроны, называется уровнем Ферми и обозначается EF.
При T = 0 все уровни, расположенные ниже уровня Ферми, заполнены
электронами, все уровни выше уровня Ферми свободны. Для большин-
ства металлов величина энергии Ферми составляет 5 - 10 эВ и слабо
зависит от температуры.

9
1.3. Распределение Ферми - Дирака
Рассмотренное выше заполнение энергетических уровней электро-
нами полностью согласуется со сделанным ранее предположением о
том, что электронный газ в металле подчиняется статистике Ферми -
Дирака, а не Максвелла - Больцмана.
Функция распределения Ферми - Дирака определяет вероятность
того, что квантовое состояние с энергией Е занято электроном:
1
f (E ) = . (1.10)
E − EF
e kT +1
При Т = 0 функция Ферми - Дирака может принимать только два значения
1, если E < E F ,
f (E ) = 
0, если E > E F ,
т.е. представляет собой прямоугольную ступеньку (рис.1.2). Все
уровни, расположенные ниже уровня Ферми, заняты электронами, веро-
ятность их заполнения равна единице. Все уровни выше уровня Ферми
свободны, вероятность их заполнения равна нулю.
При Т > 0 ступенька размывается (см. рис.1.2):

 ≈ 1, если EF − E ≥ 3kT ,
 1
f (E ) =  , если E = EF ,
 2 E−E E
 − F

≈ e kT = Ae kT , если E − EF ≥ 3kT .
f(E)
Т=0
1 Здесь через А обозначено
E F kT
Т>0 e .
1/2 Теперь часть уровней
ниже уровня Ферми освобож-
0 EF EF+3kT дается, и появляется отличная
от нуля вероятность заполне-
ния уровней выше уровня
Рис.1.2. Распределение Ферми - Ди- Ферми.
рака. В заштрихованной области спра-

10
При рассмотрении функции Ферми - Дирака неявно предполага-
лось, что сама энергия Ферми не зависит от температуры. В металлах
это предположение хорошо выполняется, в полупроводниках же уро-
вень Ферми может сильно зависеть от температуры.

1.4. Вырожденный и невырожденный электронный


газ
Выше было показано, что если энергия всех частиц электронного
газа удовлетворяет условию E – EF ≥ 3kT, то функция распределения
Ферми - Дирака может быть заменена функцией распределения Мак-
свелла - Больцмана:
E

f (E ) = AekT . (1.11)
Классический электронный газ, подчиняющийся статистике Мак-
свелла - Больцмана, называется невырожденным электронным газом.
Квантовый электронный газ, который описывается функцией распреде-
ления Ферми - Дирака, называется вырожденным.
В каком из состояний будет находиться электронный газ, зависит
от концентрации электронов и температуры. Концентрация определяет
среднее расстояние между электронами:
1
d=3 , (1.12)
n
а температура - импульс электрона.
В качестве характерной величины возьмем средний тепловой им-
пульс pT, который присущ наибольшему числу электронов:
mvT2 p2 3
= T = kT .
2 2m 2
Тогда длина волны электрона запишется в виде
h h
λ= = , (1.13)
pT 3mkT
где h - постоянная Планка.
Электронный газ можно считать невырожденным, если среднее
расстояние между электронами d намного больше длины волны элек-
трона λ. Используя выражения (1.12) и (1.13), получаем

11
1 h hn1 / 3
>> , или << 1. (1.14)
3
n 3mkT (3mkT )1 2
Таким образом, вырождению электронного газа способствуют низ-
кие температуры и высокие концентрации электронов. Для металла при
комнатной температуре условие (1.14) не выполняется, следовательно,
электронный газ в металле сильно вырожден.

1.5. Плотность квантовых состояний


Ранее было установлено, что энергетические уровни электрона в
металле являются вырожденными, причем кратность их вырождения
возрастает с повышением энергии. Это означает, что интервалу энергий
dE, взятому при бòльших энергиях, соответствует и бòльшее число со-
стояний. Для описания распределения этих состояний по энергиям вво-
дится понятие плотности квантовых состояний g(E), определяемое
как число состояний, приходящихся на единичный интервал энергии
для тела единичного объема.
Построим пространство волновых векторов - к -пространство, взяв
прямоугольную систему координат, по осям которой будем откладывать
кz компоненты волнового вектора:

кх, ку, кz. Поскольку к = , раз-
λ
мерность к -пространства - об-
ратная длина. Компоненты волно-
2π/L вого вектора отобразятся по осям
координат в виде дискретного
0 ряда точек, отстоящих друг от
2π/L 2π
2π/L друга на расстояние (рис.1.3).
L
Концы всех волновых векто-
кx ров к в к -пространстве образу-
ют простую кубическую решетку.
При этом каждому волновому
Рис.1.3. Пространство волновых вектору отвечает одна элементар-
векторов. Выделен минимальный объ- ная ячейка кубической решетки,
ем
построенная вблизи его конца,
3
 2π 

12
 2 π   2π   2 π   2 π 
объемом       =   =
(2π) . С учетом спина каждому
3 3

 L  L  L   L  V
волновому вектору к соответствуют два квантовых состояния, поэтому
объем к -пространства, приходящийся на одно квантовое состояние для
тела единичного объема V = 1, составляет

δVк =
(2π)3 = 4π3.
2V
Определим число состояний, содержащихся в интервале энергий
от Е до Е = dE.
Рассмотрим в к -пространстве изоэнергетическую поверхность,
образованную концами всех векторов, удовлетворяющих условию
h 2к 2 h 2к 2
E= = .
2m 2m
Это - сфера радиусом
12
 2mE 
к =   .
 h2 
Число состояний, содержащихся внутри сферы, т.е. в шаре радиу-
сом к, легко найти, поделив объем шара
32
4 3 4  2mE 
τк =
πк = π  (1.15)
3 3  h 2 
на объем, приходящийся на одно состояние 4π3. Если построить две
сферы (рис.1.4), соответствующие энергиям E и E + dE, то число со-
стояний в шаровом слое dτк, заключенном между двумя сферами, будет
как раз равно числу состояний в интервале энергий от Е до E + dE:

g (E )dE = к .
δVк
Из (1.15) следует
32
 2m 
dτ к = 2π   E1 2 dE.
 h2 
Тогда
32 32
1  2m  1  2m 
g (E )dE = ⋅ 2π   E1 2 dE =   E1 2 dE ,
3
4π  h2  2π 2  h 2 

13
кz

g(E)

0
t
= cons
E
t
= cons
E
E+d Занятые
кx EF(0) Свободные
состояния состояния

Рис.1.4. Сечение изоэнергетиче- Рис.1.5. Зависимость плотности


ских поверхностей Е и Е + dE коор- кванто вых состояний от энергии
откуда
32
1  2m 
g (E ) =   E1 2 . (1.16)
2π 2  h 2 
Таким образом, плотность квантовых состояний возрастает с рос-
том энергии пропорционально E1/2 (рис.1.5).

1.6. Свойства квантового электронного газа


Зная плотность квантовых состояний g(Е) и функцию распределе-
ния f(Е), можно рассчитать многие важные характеристики электронно-
го газа.
Поскольку число электронов в единице объема, которые занимают
состояния в интервале энергий dЕ, определяется как
dn = f (E )g (E )dE ,
концентрацию электронов можно найти с помощью выражения

n= ∫ f (E ) g (E ) dE.
0

14
При T = 0 это позволяет установить связь концентрации электро-
нов с энергией Ферми. Поскольку при T = 0 все состояния выше уровня
Ферми свободны (см. рис.1.5), получаем
E F (0 ) E F (0 )
n= ∫ f (E )g (E )dE = ∫ g (E )dE =
0 0
3 2 E F (0 ) 32
1  2m  1  2m 
= 2 2 ∫ E1 2 dE =   E F3 2 (0),
2π  h  3π 2  h 2 
0
откуда
h2
2m
23
E F (0) =
3π 2 n . ( )
Полагая n = 5⋅1022 см–3, получаем EF(0) ≈ 5 эВ.
Среднюю энергию электронов при Т = 0 можно определить из вы-
ражения
EF (0) EF (0) EF (0)

E F (0 ) ∫ Ef (E )g (E )dE ∫ Eg(E )dE ∫E


32
dE
1 3
< E(0) > = ∫ Edn = E0 (0) = 0( ) = 0
= EF (0)
n F E 0 F EF (0) 5
∫ f (E)g(E)dE ∫ g(E)dE ∫E
0 12
dE
0 0 0
.
Средняя скорость электронов <vT> при Т = 0 связана со средней
энергией соотношением
m < vT (0 ) > 2 3
< E (0 ) > = = E F (0) ,
2 5
откуда
6 E F (0 )
< vT (0 ) > =
.
5m
Полагая EF(0) = 5 эВ, получаем <vT(0)> ≈ 108 см/с.
Таким образом, квантовый электронный газ в металле сильно от-
личается от классического электронного газа. Спектр энергии электро-
нов в конечном кристалле оказывается дискретным. При температуре
абсолютного нуля энергия электронов классического газа стремится к
нулю, они конденсируются на дно сосуда. Электроны квантового газа
заполняют уровни энергии вплоть до уровня Ферми. Поэтому средняя

15
энергия квантового электронного газа при Т = 0 не только не равна ну-
лю, но и составляет значительную величину, равную 3/5 EF(0) ≈ 3 - 6 эВ.
Средняя скорость электронов квантового газа при Т = 0 также отлична
от нуля и достигает весьма большой величины (~ 108 см/с).
При нагревании металла не все электроны способны увеличить
свою энергию. В силу принципа Паули это могут сделать только те
электроны, которые переходят на свободные уровни, расположенные
выше уровня Ферми. Эти электроны находятся в слое толщиной поряд-
ка тепловой энергии kT ниже уровня Ферми. Доля таких электронов при
Т = 300 К составляет примерно kT/EF ≈ 5⋅10–3, поэтому вкладом элек-
тронов в теплоемкость металла при комнатной температуре можно пре-
небречь. Это объясняет, почему закон Дюлонга - Пти справедлив как
для диэлектриков, так и для металлов.

2. Элементы зонной теории твердых тел


Экспериментальное исследование электропроводности ве-
ществ показало, что ее величина изменяется в чрезвычайно боль-
ших пределах. Это позволяет условно разделить все твердые тела
по величине σ на три большие группы: металлы, диэлектрики и
полупроводники. Металлы являются хорошими проводниками
электричества, у них σ > 104 (Ом·см)–1. Диэлектрики - хорошие изо-
ляторы, у них
–10 –1
σ < 10 (Ом·см) . К полупроводникам относятся вещества, у кото-
рых электропроводность лежит в пределах от 104 (Ом·см)–1 до
10–10 (Ом·см)–1.
Рассмотренная в предыдущей главе модель свободных элек-
тронов не позволяет объяснить, почему одни твердые тела являют-
ся металлами, а другие диэлектриками и полупроводниками. Со-
гласно этой модели электронный газ в твердом теле возникает за
счет отрыва валентных электронов от атомов. С этой точки зрения
можно было бы предположить, что металлами будут являться те
элементы, у которых мала энергия ионизации атомов. Однако опыт
показывает, что это не так. Энергия ионизации у полупроводников
германия (7,9 эВ) и кремния (8,1 эВ) оказывается меньше, чем у от-
личных проводников металлов золота (9,2 эВ) и платины (9,0 эВ).
В рамках этой модели невозможно также объяснить, почему элек-
тропроводность чистых полупроводников сильно увеличивается при

16
нагревании кристалла, а у металлов она слабо уменьшается; почему
проводимость полупроводников, в отличие от металлов и диэлектриков,
чрезвычайно сильно зависит от наличия примесей и внешних воздейст-
вий, например, освещения.
Ответы на все эти вопросы удалось найти только в рамках
зонной теории твердого тела.
Ввиду ограниченного объема настоящего учебного пособия не
представляется возможным подробно изложить зонную теорию. Рас-
сматриваются лишь ее элементы, некоторые положения зонной теории
приводятся без доказательства. Зонная теория была разработана для
кристаллических твердых тел, поэтому для ее успешного усвоения чи-
татель должен обладать определенным объемом знаний по кристалло-
графии.

2.1. Структура кристаллов и обратная решетка


В идеальном кристалле определенные структурные единицы (ато-
мы, группы атомов, молекулы, ионы) периодически повторяются в про-
странстве. Положение каждой структурной единицы задается матема-
тической точкой, называемой узлом. Система периодически повторяю-
щихся узлов образует пространственную решетку.
При анализе пространственных решеток кристаллов использу-
ется фундаментальное понятие решетки Браве. По определению
трехмерная решетка Браве является множеством точек, образован-
ных концами векторов l вида:
l = n1a1 + n2 a2 + n3a3 ,
где a1, a2 , a3 - три некомпланарных вектора; n1, n2, n3 - все возможные
целые числа.
Любой из векторов l называется вектором трансляции решетки,
а векторы a1 , a2 , a3 - основными векторами трансляции.
Смещение решетки в направлении вектора l на расстояние l при-
водит к ее самосовмещению. Это основное свойство любой пространст-
венной решетки называется трансляционной симметрией. Однако кри-
сталлы и их решетки могут обладать и другими элементами симметрии:
осями симметрии, плоскостями симметрии, центром инверсии. В кри-
сталлографии показывается, что всего существует 14 различных реше-

17
ток Браве, каждая из которых определяется своим набором элементов
симметрии.
Пространственная решетка является математической абстракцией.
В реальном кристалле около каждого узла расположена группа атомов,
называемая базисом. Пространственная решетка вместе с базисом обра-
зуют кристаллическую структуру.
Разные кристаллы могут иметь одинаковые решетки. Так, кристаллы
германия, кремния и арсенида галлия обладают гранецентрированной
кубической решеткой Браве, в то время как германий и кремний имеют
структуру алмаза, а арсенид галлия - структуру цинковой обманки.
Параллелепипед, построенный на основных векторах трансляции,
называется элементарной ячейкой решетки. Элементарная ячейка лю-
бой решетки Браве является примитивной или простой, на нее прихо-
дится один узел решетки. Объем а−2
элементарной ячейки определяет-
ся смешанным произведением
основных векторов трансляции:
0
Vэл = a1[a2 a3 ] .
а−1
Выбор основных векторов
трансляции неоднозначен, поэто-
му неоднозначен и выбор элемен-
тарной ячейки, построенной на
этих векторах. Однако существу-
ет элементарная ячейка, которая Рис.2.1. Построение ячейки
для заданной решетки оказывается единственной. Это так называемая
ячейка Вигнера - Зейтца.
Построим ее следующим образом (рис.2.1). Примем за центр ячей-
ки какой-либо узел решетки. Выбранный узел соединим с ближайшими
узлами прямыми линиями и через середины образовавшихся отрезков
проведем перпендикулярные плоскости. Тело, образованное плоскостя-
ми вокруг центра ячейки, и является элементарной ячейкой Вигнера -
Зейтца. Очевидно, что элементарная ячейка Вигнера - Зейтца простая, и
ее трансляцией можно построить весь кристалл. При этом любая точка
ячейки расположена ближе к ее центру, чем к любому другому узлу
решетки. Объем ячейки Вигнера - Зейтца равен объему элементарной
ячейки решетки Браве.
Найдем для основных векторов трансляции a1, a2 , a3 такие
три вектора b1, b2 , b3 , которые обладают следующим свойством:

18
скалярное произведение вектора ai на вектор b j (i, j = 1, 2, 3) равно

1, i = j;
ai b j = 
0, i ≠ j.
Таким свойством обладают векторы:

b1 =
[a2a3 ] , b2 =
[a3a1 ] , b3 =
[a1a2 ] .
a1[a2 a3 ] a2 [a3a1 ] a3 [a1a2 ]

Очевидно, что размерность векторов b1 , b2 , b3 - обратная дли-


на, т.е. эти векторы заданы в так называемом обратном простран-
стве.
Решетка, построенная на векторах 2πb1 , 2πb2 , 2πb3 , называ-
ется обратной решеткой кристалла. Произвольный вектор трансля-
ции обратной решетки имеет вид

g = m1 2πb1 + m2 2πb2 + m3 2πb3 ,

где m1, m2, m3 - целые числа.


Для кубического кристалла a1 = a2 = a3 = a, и векторы a1, a2 , a3
взаимно перпендикулярны. Поэтому для кубического кристалла
обратная решетка является тоже кубической, причем
1
b1 = b2 = b3 = .
a
Можно показать, что для объемно-центрированной решетки
обратной является гранецентрированная, для гранецентрирован-
ной - объемно-центрированная. В частности, объемно-
центрированную обратную решетку имеют кристаллы германия,
кремния и арсенида галлия.
Обратное пространство и обратная решетка не являются отвлечен-
ными абстрактными понятиями, они имеют вполне реальное физиче-
ское содержание и играют фундаментальную роль при анализе волно-
вых процессов в кристаллах. Дело в том, что волновые векторы любых
волн (электронных, упругих, электромагнитных), распространяющихся
в кристаллах, задаются в обратном пространстве. При этом каждому
вектору обратной решетки соответствует волна с периодом, равным
некоторому вектору трансляции прямой решетки.

19
2.2. Уравнение Шредингера для электрона в кри-
сталле
Основные предположения зонной теории твердого тела можно
сформулировать следующим образом:
1) кристалл представляет собой совокупность положительно заря-
женных ионов и валентных электронов;
2) ионы неподвижны и находятся точно в узлах кристаллической
решетки;
3) движение любого электрона в кристалле, с одной стороны,
определяется движением всех остальных электронов, а с другой
само влияет на их движение, т.е. является самосогласованным.
Предполагается, что самосогласо- E
ванное поле, описывающее взаи-
модействие между электронами, и
поля всех ионов, налагаясь друг на
друга, образуют некоторую перио-
дическую функцию относительно
вектора трансляции l решетки U(r)
кристалла. Поэтому потенциаль-
ная энергия электрона внутри
кристалла также является перио-
дической функцией 0 L
( )
U (r ) = U r + l ,
Рис.2.2. Потенциальная яма с
периодически модулированным
где l = n1a1 + n2 a2 + n3a3 ,
a1, a2 , a3 - основные векторы трансляции; n1, n2, n3 - целые числа.
Таким образом, электроны движутся независимо друг от друга в по-
тенциальной яме с периодически модулированным дном и с бесконечно
высокими стенками (рис.2.2).
При сделанных предположениях уравнение Шредингера для элек-
трона в кристалле можно записать в виде
 h2 2 
− ∇ + U (r ) Ψ(r ) = EΨ(r ) . (2.1)
 2m 
Это есть уравнение для одного электрона в неподвижной и иде-

20
альной кристаллической решетке.
Для решения уравнения (2.1) необходимо знать вид функции
U (r ) и задать граничные условия. Однако некоторые важные вы-
воды можно сделать и без решения уравнения, а используя лишь
свойство периодичности функции U (r ) .
Легко проверить, что уравнению (2.1) удовлетворяет волновая
функция

Ψк (r ) = ϕ к (r )eiк r , (2.2)

( )
где ϕк (r ) = ϕк r + l - периодическая функция с периодом ре-
шетки кристалла.
Вектор к имеет смысл и размерность волнового вектора. Та-
ким образом, Ψк (r ) есть плоская волна с периодически модулиро-
ванной амплитудой.
Физический смысл периодичности амплитуды ϕк (r ) заключа-
ется в том, что если электрон находится в идентичных точках раз-
личных ячеек, отличающихся на вектор трансляции, то эти точки
физически неразличимы, и вероятность нахождения в них должна
быть одинакова:

Ψк (r )
2
= ϕ к (r )
2
= Ψк r + l ( )2= (
ϕк r + l ) 2.
Используя периодические граничные условия Борна - Кармана
(1.6) и учитывая, что ϕк (r ) - периодическая функция:

ϕк (r ) = ϕк r + L ,( )
где L - размер кристалла, получим

Ψ(x + L, y + L, z + L) = ϕк (r + L ) eiк r eiк x Le = Ψ(x, y, z ) = ϕк (r ) eiк r


iк y L iк z L
e
,
откуда
iк y L
eiк x L = e = eiк z L = 1
и

21
2π 2π 2π
кx = nx , к y = ny , кz = nz , (2.3)
L L L
где nx, ny, nz - целые числа.
Таким образом, волновой вектор к электрона в кристалле
дискретен, а его возможные значения определяются теми же точка-
ми
к -пространства, что и в модели Зоммерфельда. Как и ранее, вели-
чины (кх, ку, кz, ms) или (nx, ny, nz, ms) образуют четверку квантовых
чисел, т.е. определяют возможные квантовые состояния электрона
в кристалле.

2.3. Зоны Бриллюэна


Хотя вектор к имеет смысл волнового вектора, он отличается
от волнового вектора свободного электрона тем, что в кристалле
вектор к определяется неоднозначно. Можно показать, что если
взять два вектора к и к ′ , отличающиеся друг от друга на величи-
ну вектора
обратной решетки g
к′ = к + g ,
то
Ψк (r ) = Ψк ′ (r ) ,
т.е. векторы к и к + g описывают одинаковые квантовые со-
стояния электрона. Поэтому вектор к правильнее называть квази-
волновым вектором, а величину p = hк - квазиимпульсом.
Поскольку векторы к и к + g описывают одинаковые кван-
товые состояния, то и энергия в этих состояниях одна и та же:
E (к ) = E (к + g ) .
Другими словами, энергия электрона является периодической
функцией в пространстве обратной решетки.
В силу периодичности E (к ) для определения спектра энергии
электрона в кристалле, т.е. разрешенных значений энергии Е, нет
необходимости рассматривать все к -пространство, достаточно ог-
раничиться одним периодом функции E (к ) , т.е. одной элементарной

22
ячейкой обратной решетки.
Разумно выбрать элементарную ячейку так, чтобы величины
всех физически различных значений к были минимальными. Оче-
видно, что лучше всего этому удовлетворяет ячейка Вигнера -
Зейтца.
Элементарная ячейка Вигнера - Зейтца обратной решетки, по-
строенная около начала координат, называется 1-й зоной Бриллюэна.
Для одномерной решетки с параметром а обратная решетка

одномерна и строится на векторах b = (рис.2.3). Число физиче-
a
ски различных значений к в 1-й зоне Бриллюэна, а вместе с ними и
число разрешенных уровней энергии электрона в кристалле можно
найти, разделив объем зоны Бриллюэна на объем, приходящийся на
один волновой вектор к , равный
2π 2π 2π 8π3
∆Vк = = .
L L L V
Для простой кубической решетки объем 1-й зоны Бриллюэна
равен
3
 2 π   2 π   2 π  8π 8π3
V3 Б =       = 3 = ,
 a  a  a  a Vэл . пр
где a 3 = Vэл . пр - объем элементарной ячейки прямой решетки.
Число разрешенных уровней энергии, таким образом, равно

23
∆к = 2π/L

_2π/a к
−π/a 0 π/a 2π/a

1-я зона
Бриллюэна

V ЗБ 8π 3 V V
= = .
∆Vк Vэл .пр 8π 3 Vэл .пр

Если на элементарную ячейку приходится один атом, то


V Vэл . пр = N - числу атомов в кристалле. В то же время число раз-
решенных состояний с учетом спина в два раза больше - 2N.
Полученный вывод сделан для простой кубической решетки.
Можно показать, что он остается справедливым и для других реше-
ток.

2.4. Образование энергетических зон


Энергетический спектр электрона в кристалле определяется
законом дисперсии E (к ). В силу однозначности функции E (к ) в
пределах ее периода число разрешенных значений энергии будет
равно N - числу физически различных значений квазиволнового
вектора в 1-й зоне Бриллюэна. Интервал энергий, в пределах кото-
рого изменяется значение E (к ) , называется энергетической зоной.
Максимальное значение Emax в зоне называется потолком зоны, а
минимальное значение Еmin - дном зоны.
Поскольку число атомов в кристалле велико и составляет ве-
личину ~1022 - 1023 см–3, расстояние между энергетическими уров-

24
нями в зоне мало. Спектр энергии электронов внутри зоны можно
считать квазинепрерывным.
Проведенный анализ не раскрывает физического механизма
образования зон. Для его понимания обсудим качественную карти-
ну, возникающую при образовании кристалла из изолированных
атомов.
Рассмотрим гипотетический кристалл, состоящий из N атомов,
расстояние между которыми во много порядков раз превышает па-
раметр решетки а реального кристалла, - "растянутый" кристалл
(рис.2.4,а). Атомы такого кристалла можно считать изолированны-
ми друг от друга. Внутри каждого из них потенциальная энергия
электрона в поле положительного иона с зарядом Ze определяется
как

Ze 2
U a (r ) = − , (2.4)
4πε0 r

где ε0 - электрическая постоянная.


Системы атомных дискретных уровней энергии всех атомов тож-
дественны. При этом состояние электрона в каждом атоме определяет-
ся набором четырех квантовых чисел: n, l, ml, ms, где n - главное кван-
товое число;
l - орбитальное квантовое число; ml - магнитное квантовое число; ms -
спиновое квантовое число. Согласно принципу Паули внутри атома в
одном и том же квантовом состоянии не может находиться более одно-
го электрона.
Начнем сближать атомы до расстояния, определяемого пара-
метром решетки а. Силовые поля отдельных атомов начинают пе-
рекрываться, в результате чего образуется периодический потен-
циал решетки U (r ) (рис.2.4,б).
Перекрываются также и волновые функции электронов, локализо-
ванных на дискретных энергетических уровнях соседних атомов.
Рассмотрим какой-нибудь уровень энергии Ea (рис.2.4,б). Элек-
трон, находящийся на этом уровне в каком-либо атоме, отделен от
соседнего атома потенциальным барьером. Ширина барьера со-

25
r>>a Ua(r)

En
E3
E2

E1
a)
a

Ea

б)

Рис.2.4. Силовое поле "растянутого" кристалла (а) и периоди-


ставляет величину порядка 1Ǻ, поэтому вследствие перекрытия
волновых функций велика вероятность квантово-механического
туннелирования электрона через этот барьер и перехода его к со-
седнему атому. В результате электрон уже не связан с определен-
ным атомом решетки, а получает возможность перемещаться по
всему кристаллу, т.е. электроны коллективизируются.
Другим следствием перекрытия волновых функций электро-
нов является расщепление энергетического уровня Ea на N энерге-
тических уровней, образующих энергетическую зону. Для электро-
нов внутри зоны выполняется принцип Паули, и состояние каждого
электрона описывается своим набором квантовых чисел: кx, кy, кz,
ms.
Рассмотренная качественная картина образования энергетиче-
ских зон лежит в основе приближенного решения уравнения Шре-

26
дингера (2.1) методом сильносвязанных электронов.

27
2.5. Метод сильносвязанных электронов
Решение уравнения Шредингера в этом методе производится с по-
мощью теории возмущений квантовой механики. Предполагается, что
электроны сильно связаны с ионами и их движение в кристалле мало
отличается от движения внутри изолированного атома. В качестве ну-
левого приближения используются волновая функция Ψa и энергия Ea
электрона в изолированном атоме, которые считаются известными. За
малое возмущение этого внутриатомного движения электронов прини-
мается взаимодействие с соседними атомами. При этом предполагается,
что волновые функции электронов соседних атомов перекрываются не-
значительно, а для более далеких атомов это перекрытие практически
отсутствует. В результате перекрытия волновая функция каждого элек-
трона изменяется, и ее ищут в виде линейной комбинации атомных вол-
новых функций:
Ψ (r ) = ∑ Cn Ψan ,
n
где Ψan - атомная волновая функция электрона, локализованного
вблизи n-го атома.
Для одномерного кристалла с параметром решетки a приближение
сильносвязанных электронов приводит к следующему выражению для
энергетического спектра электронов:
E = Ea + C + 2 A cos кa , (2.5)

где Ea - невырожденный энергетический уровень электрона в изо-


лированном атоме; C - средняя энергия электрона в кристалле; A - об-
менный интеграл, определяемый величиной перекрытия волновых
функций электронов n-го и (n + 1)-го атомов:


*
A = Ψan wΨa (n + 1)dV . (2.6)
V

В выражение для обменного интеграла входит величина возмуще-


ния w = U (r ) − U a (r ), равная разности энергий электрона в кристалле и
в изолированном атоме.

28
Из выражения (2.5) следует, что дискретный атомный уровень Еа
при образовании кристалла опускается на величину С, поскольку сред-
няя энергия электрона в кристалле отрицательна, и расщепляется в
энергетическую зону (рис.2.5). Внутри зоны энергия периодически за-
висит от вектора к.
Ea
E
Emax
C

Emin
−2π/a −π/a 0 π/a 2π/a к

Рис.2.5. Расщепление атомного энергетического уровня Ea в энерге-


тическую зону при образовании кристалла

Расщеплению подвергаются все атомные уровни, поэтому энерге-


тический спектр электрона в кристалле представляет собой чередование
разрешенных зон, отделенных
Ea4 друг от друга запрещенными
зонами (рис.2.6). Ширина раз-
решенной зоны Еmax – Еmin = 4A
определяется величиной обмен-
Ea3
Eg3 ного интеграла А, т.е. степенью
перекрытия волновых функций
Ea2 соседних атомов. Чем выше
расположен уровень энергии
Eg2
электрона в атоме, тем слабее
его связь с атомом и меньше
локализация его волновой
функции вблизи атома. Поэтому
Eg1 чем выше расположен дискрет-
Ea1
ный уровень, тем больше пере-
крытие волновых функций и
шире разрешенная зона. При
уменьшении энергии Ea ширина
разрешенных зон уменьшается,
Рис.2.6. Образование разрешен-
а запрещенных растет.

29
Знак обменного интеграла определяется знаком волновых
*
функций Ψan и Ψa ( n +1) в области перекрытия и знаком возмуще-
ния w, который всегда отрицателен. Для s и d атомных волновых
функций A < 0, а для p функций A > 0.
Схематически закон дисперсии для энергетических зон, обра-
зовавшихся от расщепления s, p и d атомных уровней, представлен
на рис.2.7,а. Предполагается, что в общем случае энергетические
зоны, полученные от расщепления соседних уровней, не перекры-
E E

Eg2

Eg1

−3π/a −2π/a −π/a 0 π/a 2π/a 3π/a к −π/a 0 π/a


а)

Рис.2.7. Закон дисперсии для энергетических зон, образовавшихся от


ваются. Перекрытие зон будет рассмотрено позднее. В связи с пе-
риодичностью функции Е(к) энергетический спектр электрона в
кристалле достаточно рассмотреть в пределах 1-й зоны Бриллюэна.
В этом случае говорят о картине приведенных энергетических зон
(рис.2.7,б).
Проведенный анализ относился к расщеплению невырожден-
ных энергетических уровней. Расчеты показывают, что вырожден-

30
ный энергетический уровень расщепляется на несколько подзон,
число которых равно его кратности вырождения. Образовавшиеся
подзоны могут перекрываться как друг другом, так и другими зо-
нами, создавая сложную картину "перепутанных" зон. В частности,
можно считать, что представленное на рис.2.7,а расщепление p и d
уровней иллюстрирует случай, когда три подзоны, относящиеся к
p-состоянию, слились в одну зону, равным образом как пять подзон,
относящихся к d-состоянию, также слились в единую зону.
Однако ситуация может быть и иной. На рис.2.8 представлен
случай, когда от расщепления p-уровня образовались две разре-
шенные зоны, разделенные запрещенной зоной Eg. Рис.2.9 иллюст-
рирует случай наложения подзон, образовавшихся от расщепления

E E
p p

0 к 0 к
Рис.2.8. Образование энергетиче-
ских зон в результате частичного Рис.2.9. Образование энергетиче-
перекрытия подзон, возникающих ских зон при перекрытии подзон,
s- и p-уровней.
Метод сильносвязанных электронов позволяет сделать правильные
выводы о характере энергетического спектра электрона в кристалле и
основных закономерностях образования энергетических зон, но он не-
пригоден для расчета закона дисперсии реального кристалла. Для этого
разработаны более сложные современные методы расчета. Однако и они
позволяют рассчитывать энергетический спектр электрона лишь с уче-
том параметров, значения которых определяются экспериментально.

31
2.6. Металлы, диэлектрики и полупроводники с
точки зрения зонной теории
Представление о разрешенных и запрещенных энергетических
зонах позволяет объяснить различие свойств металлов, диэлектри-
ков и полупроводников. Проведем эту классификацию, исходя из
структуры энергетических зон кристаллов и заполнения их элек-
тронами.
При образовании кристалла расщепляются все атомные энергети-
ческие уровни - и содержащие электроны, и возбужденные уровни, на
которых нет электронов. Если атомный уровень невырожден, то в энер-
гетической зоне, полученной от его расщепления, содержится N уров-
ней, на каждом из которых могут находиться два электрона с противо-
положными спинами. Таким образом, общее число квантовых состоя-
ний в зоне равно 2N.
Если энергетический уровень g-кратно вырожден, то он расщепля-
ется на g подзон, каждая из которых содержит 2N состояний, т.е. всего
образуется 2Ng состояний.
При перекрытии зон число состояний в них суммируется.
Заполнение образовавшихся энергетических зон электронами при
Т = 0 происходит таким образом, чтобы энергия системы была мини-
мальна, поэтому электроны заполняют прежде всего низкорасположен-
ные зоны. Если зона образовалась от расщепления невырожденного и
полностью заполненного уровня, то и она оказывается полностью за-
полненной. В этом случае 2N электронов полностью заполняют 2N со-
стояний в зоне. Если на исходном атомном уровне находился один
электрон, то и образовавшаяся зона будет заполнена лишь наполовину.
Аналогичная ситуация возникает и при заполнении подзон, порож-
денных расщеплением вырожденного уровня. Если этот уровень запол-
нен полностью, то будут заполнены и все подзоны. Если вырожденный
уровень заполнен неполностью, то некоторые подзоны могут оказаться
частично заполненными или пустыми.
Образование неполностью заполненных зон может быть обуслов-
лено также перекрытием пустых и полностью заполненных зон и под-
зон, образовавшихся от расщепления разных атомных уровней.
Самая верхняя разрешенная зона, в которой при T = 0 имеются за-
полненные энергетические уровни, называется валентной зоной. Она
образуется или при расщеплении валентного уровня атома, или при на-

32
ложении зон, в котором принимает участие хотя бы одна подзона, полу-
ченная от расщепления валентного уровня. Потолок валентной зоны
обозначается через Ev.
Энергетическая зона, расположенная выше валентной и отделенная
от нее запрещенной зоной, называется зоной проводимости. Ее дно обо-
значается через Eс. При T = 0 зона проводимости пуста, электронов в
ней нет.
Электроны полностью и частично заполненных зон по-разному реа-
гируют на приложение электрического поля. В электрическом поле
электроны ускоряются и увеличивают свою энергию. На энергетиче-
ской диаграмме это соответствует переходу на более высокие энергети-
ческие уровни. Будем предполагать, что электрическое поле слабое и
электроны могут переходить только на близлежащие энергетические
уровни внутри зоны. Однако в полностью заполненной зоне все состоя-
ния заняты, и такие переходы запрещены принципом Паули. Следова-
тельно, электроны полностью заполненной зоны не могут участвовать в
электропроводности. Для того чтобы возникал электрический ток,
должна иметься хотя бы одна неполностью заполненная зона.
Твердые тела, валентная зона которых при Т = 0 заполнена непол-
ностью, называются металлами. Например, у щелочных металлов Li,
Na, K на валентном s-уровне находится один электрон. При расщепле-
нии этого уровня образуется наполовину заполненная валентная зона
(рис.2.10).
У щелочноземельных металлов Be, Mg, Ca неполностью заполнен-
ная валентная зона возникает в результате перекрытия полностью за-
полненной зоны, образовавшейся от расщепления валентного
s-уровня, и пустой зоны, возни-

2s1 2N состояни 8N состояний


2p0 2N электронов
N электроно

2s2
1s2 2N состояни
2N электрон

Рис.2.10. Заполнение энергети- Рис.2.11. Заполнение энерге-


тических зон в кристалле берил-
кающей от расщепления p-уровня

33
(рис.2.11).

34
Если при Т = 0 валентная зона заполнена полностью, а зона
проводимости, отделенная от нее запрещенной зоной, пуста, то
такие кристаллы являются либо диэлектриками, либо полупро-
водниками (рис.2.12). При Т = 0 данные кристаллы не могут про-
водить электрический ток. Одна- Зона
ко при Т > 0 за счет теплового проводимости
возбуждения электроны могут Ec
перебрасываться из валентной
зоны в зону проводимости. В ре- Eg
зультате и зона проводимости, и
валентная зона оказываются за-
полненными неполностью, и Ev
электроны этих зон могут участ- Валентная
вовать в проводимости. зона
Проводимость чистых ди- Рис.2.12. Схематическое пред-
электриков и полупроводников ставление зонной структуры
называют собственной проводи- полупро-водников и диэлектри-
мостью. При данной температуре ее величина определяется ши-
риной запрещенной зоны. Данный факт лежит в основе фор-
мального деления твердых тел на диэлектрики и полупроводни-
ки. Обычно к диэлектрикам относят твердые тела, у которых
Eg > 3 эВ, а к полупроводникам те, у которых Eg < 3 эВ.
Однако такое деление не учитывает важной особенности по-
лупроводников, отличающих их от диэлектриков. Она заключа-
ется в сильной зависимости проводимости полупроводников от
наличия примесей. Например, добавление в чистый кремний
атомов бора в соотношении один атом бора на 105 атомов крем-
ния увеличивает проводимость кремния при комнатной темпе-
ратуре в тысячу раз по сравнению с собственной. В то же время
примеси мало влияют на проводимость диэлектриков.
В указанную классификацию хорошо укладываются важ-
нейшие полупроводники Ge (Eg = 0,72 эВ), Si (Eg = 1,21 эВ) и
GaAs (Eg = 1,43 эВ). В то же время кристаллы алмаза (углерод)
С (Eg = 5,48 эВ), AlN (Eg = 6,28 эВ), ZnS (Eg = 3,84 эВ) и многих
других веществ также являются полупроводниками, хотя шири-
на их запрещенной зоны превышает 3 эВ.

35
2.7. Эффективная масса
Уравнение Шредингера для электрона в кристалле (2.1):

h2 2
− ∇ Ψ + U (r )Ψ = EΨ
2m
отличается от уравнения Шредингера для свободного электрона
(1.3):

h2 2
− ∇ Ψ = EΨ
2m
наличием периодического потенциала решетки U (r ) .
Предположим, что вместо уравнения (2.1) можно записать эквива-
лентное ему уравнение:

h2
− ∇ 2 Ψ = EΨ , (2.7)
2mn*

в котором отсутствует периодический потенциал решетки, а его


влияние учитывается путем введения некоторой неизвестной вели-
чины mn* , имеющей размерность массы.
Закон дисперсии, получаемый из решения уравнения (2.7), имеет
вид, аналогичный закону дисперсии для свободного электрона (1.5):

h 2к 2
E (к ) = . (2.8)
2mn*

т.е. энергия квадратично зависит от вектора к .


В то же время, как было рассмотрено выше, зависимость E (к ) ,
получаемая из решения уравнения (2.1), является некоторой перио-
дической функцией вектора к . Таким образом, уравнение (2.1) мож-
но представить в виде (2.7) только для тех областей спектра элек-
трона, где его энергия квадратично зависит от квазиволнового век-
тора к . Рассмотрим на примере одномерного кристалла, когда это

36
имеет место.
Закон дисперсии для электрона в одномерном кристалле пред-
ставляет собой периодическую функцию, имеющую экстремумы
вблизи потолка и дна разрешенной зоны. В силу симметрии зоны
Бриллюэна в центре ее всегда имеется экстремум энергии. Разло-
жим функцию E (к ) в ряд Тейлора вблизи точки к = 0 и ограничим-
ся квадратичным членом разложения:
 dE  1  d 2E  2
E (к ) = E (0) +   к +  2  к .
 dк  0 2  dк 
0
 dE 
По определению экстремума   = 0 . Принимая за начало
 dк  0
отсчета энергии величину Е(0), получаем

1  d 2 E  2
E (к ) = к . (2.9)
2  dк 2 
0

Сравнивая выражения (2.8) и (2.9), можно видеть, что они сов-


падают, если в качестве mn* взять величину

1 1  d 2 E 
= . (2.10)
mn* h 2  dк 2  0

Величина mn* называется эффективной массой электрона.


Таким образом, уравнение (2.7) оказывается справедливым
для электронов, находящихся вблизи экстремумов энергии, т.е.
вблизи дна и потолка разрешенной зоны. Движение таких электро-
нов в кристалле можно рассматривать как движение свободных
электронов, если приписать электрону массу mn* , отличную от мас-
сы свободного электрона m.
Рассмотрим трехмерный случай, полагая при этом, что экс-
тремум энергии находится в некоторой точке к0 зоны Бриллюэна.
Разлагая функцию E (к ) в ряд и ограничиваясь квадратичными
членами разложения, получаем

37
1  ∂2E 
E (к ) = E (к0 ) +
2 ∑  
 ∂к α ∂кβ 
(к α − к 0α )(кβ − к 0β ) =
α,β  к = к0
(2.11)
2
h (к α − к 0α )(кβ − к 0β )
= E (к 0 ) + ∑ *
2mαβ
,
α,β

где α, β независимо могут принимать значения x, y, z, а выраже-


ние

 ∂2 E   ∂2 E   ∂2 E 
      1 1 1
 ∂к2   ∂кx∂к y   ∂к ∂к 
 x    x z mxx mxy mxz
1 1  ∂2 E   ∂2 E   ∂2 E  1 1 1
= 2      = (2.12)
mαβ h  ∂к y кx 
*  ∂к2 
 y
 ∂к y ∂кz 
  myx myy myz
 ∂2 E   ∂2 E  ∂ E
2 1 1 1
      mzx mzy mzz
 ∂к ∂к   ∂кz ∂к y   ∂к2 
 z x     z к = к0

определяет тензор обратной эффективной массы. Поскольку ве-


личина второй производной не зависит от порядка дифференциро-
вания, тензор симметричен: mαβ = mβα . Симметричный тензор в
главных осях приводится к диагональному виду, при котором все
члены, не стоящие на главной диагонали, обращаются в нуль:

1 1
0 0 0 0
m xx m1*
1 1 1
*
= 0 0 = 0 0 .
mαβ m xy m2*
1 1
0 0 0 0
m xz m3*

Таким образом, и в общем случае вблизи точки экстремума


энергия квадратично зависит от квазиволнового вектора, и элек-
трону можно приписать эффективную массу. Однако в отличие от
одномерного в общем случае эффективная масса зависит от на-

38
правления движения электрона и характеризуется тремя компо-
нентами тензора эффективной массы: m1* , m2* , m3*. Используя диаго-
нальный вид тензора обратной эффективной массы, разложение
(2.11) можно записать в виде

E (к ) − E (к0 ) =
h 2  (к x − к x 0 ) 2 (
+
)
к y − к y 0 2 (к z − к z 0 ) 2 
+ .
2  m1* m2 * m3* 
 
Для E (к ) = const это есть уравнение изоэнергетической поверх-
ности, которая представляет собой эллипсоид, полуоси которого
определяются компонентами тензора эффективной массы.
Для многих кристаллов, например, для германия и кремния,
m1* = m2* = mt* , m3* = ml* , и изоэнергетическая поверхность представ-
ляет собой эллипсоид вращения вокруг оси к z :

E (к ) − E (к0 ) = 
2
(
h 2  (к x − к x 0 ) + к y − к y 0 )
2
+
(к z − к z 0 ) 2 .
2 
 mt* ml* 

Компоненты mt* и ml* называют в этом случае поперечной и


продольной эффективными массами.

2.8. Динамика электрона в кристалле


При описании движения электрона в кристалле удобно поль-
зоваться квазиклассической моделью, суть которой состоит в сле-
дующем.
Из квантовой механики известно, что движение свободного
электрона с волновым вектором к можно описать с помощью вол-
нового пакета, представляющего собой суперпозицию плоских волн
(1.4) с близкими значениями волновых векторов в интервале ∆к .
При этом интервал изменения волновых векторов должен быть
значительно меньше величины самих этих векторов: ∆к << к .
Движение электрона в кристалле равным образом можно описать с
помощью волнового пакета, составленного из волновых функций
(2.2).

39
Оценим, какие размеры должен иметь волновой пакет, чтобы
его ширина ∆к была мала по сравнению с размерами 1-й зоны Брил-
люэна, которая определяет разрешенные значения к. Полагая этот

размер равным и пользуясь соотношением неопределенности
a
∆r ⋅ ∆к ~ 1 , получаем
1
∆r ~ >> a .
∆к
Таким образом, волновой пакет оказывается "размазан" по большо-
му числу элементарных ячеек кристалла. Это значит, что квазикласси-
ческое приближение не позволяет задавать положение электрона с точ-
ностью порядка ширины пакета.
Другое ограничение квазиклассической модели связано с тем,
что она описывает реакцию электронов на внешнее электрическое
поле, которое должно медленно меняться на длине волнового паке-
та и, следовательно, должно оставаться практически постоянным
на расстояниях порядка размера элементарной ячейки кристалла.
При выполнении указанных условий поведение электрона в
кристалле можно описывать классическими уравнениями движе-
ния, которые задают изменение во времени координаты и квазиим-
пульса электрона. При этом средняя скорость движения электрона
v в кристалле равна групповой скорости волнового пакета:
dr 1 dE dE
v= = = , (2.13)
dt h dк dp
а изменение квазиимпульса p происходит под действием внеш-
ней
силы F :
dp 1 dк
= =F. (2.14)
dt h dt
В отсутствие внешнего поля квазиимпульс p электрона, дви-
жущегося в идеальном периодическом поле кристалла, есть вели-
чина постоянная. Следовательно, в идеальном кристалле электроны
движутся без рассеяния, длина их свободного пробега равна беско-
нечности. Направленное движение заряженных частиц создает ток,

40
который протекает в отсутствие внешнего поля, т.е. сопротивление
идеального кристалла равно нулю.
Сопротивление реальных кристаллов отлично от нуля, следовательно,
какой-то механизм рассеяния электронов существует. Однако такое рас-
сеяние не может быть обусловлено столкновениями с ионами решетки,
поскольку взаимодействие электрона с неподвижными ионами учтено в
исходном уравнении Шредингера (2.1).
Конечное сопротивление кристаллов определяется их неидеально-
стью. Всякие нарушения периодической структуры кристалла, обусловлен-
ные дефектами решетки и тепловыми колебаниями атомов, приводят к из-
менению квазиимпульса электрона и переходу его в новые квантовые со-
стояния. Механизмы рассеяния электронов на дефектах решетки будут
рассмотрены позднее.
Из уравнений (2.13) и (2.14) следует, что

d v d 2 E dp 1  d 2 E 
a= = = F. (2.15)
dt dp 2 dt h 2  dк 2 

Вторая производная энергии по квазиимпульсу в этом выражении фор-


мально совпадает с определением тензора обратной эффективной массы
(2.12). Однако в данном случае выражение (2.15) справедливо для произ-
вольной точки зоны Бриллюэна, а не только для точки экстремума. Поэто-
му вторая производная в выражении (2.15) не является постоянной величи-
ной. Она определяет так называемую обобщенную эффективную массу и
зависит от квазиимпульса электрона.
Однако если рассматривать движение электрона вблизи точек экстре-
мума, т.е. вблизи дна и потолка зоны, то можно пользоваться введенным
ранее понятием эффективной массы. Особенно простой вид приобретают
законы движения электрона в случае, когда эффективная масса - скаляр:
m1* = m2* = m3* = mn* . В этом случае закон дисперсии задается в виде

h 2к 2 p2
E (к ) = = ,
2mn* 2mn*

и из уравнений (2.13) - (2.15) следует

p = mn* v , (2.16)

41
F = mn* a . (2.17)

Таким образом, электрон, которому приписана эффективная масса,


можно рассматривать как свободный, и при описании его движения поль-
зоваться классической механикой без учета периодического потенциала
кристалла.
В то же время нужно все время помнить, что эффективная масса не
является настоящей массой электрона. Действительно, согласно определе-
нию эффективной массы (2.10) ее величина зависит от кривизны функции
E (к ) в точке экстремума и может быть как больше, так и меньше массы
свободного электрона. Она может быть положительный, и отрицательной
величиной в зависимости от знака второй производной. В точке минимума
(у дна зоны) эффективная масса положительна, а в точке максимума (у по-
толка зоны) - отрицательна. Если mn* < 0 , то из уравнений (2.16) и (2.17)
следует, что

p = − m* v ,

F = − m* a ,
т.е. квазиимпульс электрона направлен противоположно его скорости, и
электрон ускоряется против внешней силы.
Когда электрон находится вблизи точки экстремума, но его эффек-
тивная масса является тензором, ситуация существенно усложняется. В
этом случае внешняя сила, действующая на электрон, и его ускорение мо-
гут не совпадать по направлению. Могут быть также не коллинеарны век-
торы скорости и квазиимпульса электрона. В сильно анизотропных кри-
сталлах возможна ситуация, при которой тензор эффективной массы имеет
положительные компоненты для одних направлений и отрицательные для
других.
Для объяснения необычного поведения электрона, которому приписа-
на эффективная масса, необходимо принять во внимание, что на электрон,
кроме внешней силы, действует также сила, обусловленная периодическим
потенциалом решетки кристалла. Настоящая масса электрона является ко-
эффициентом пропорциональности между полной силой, действующей на
электрон, и его ускорением. Внутренние силы никакого ускорения элек-
трону не сообщают, ускорение определяется только внешней силой. Одна-
ко величина и знак этого ускорения зависят от соотношения внутренних и

42
внешних сил, обусловленных строением конкретного кристалла. В резуль-
тате в анизотропных кристаллах величина и знак эффективной массы зави-
сят от направления движения электрона.
В состоянии термодинамического равновесия электроны занимают
самые низкие энергетические состояния вблизи дна зоны проводимости,
поэтому использование постоянной эффективной массы вполне оправдан-
но. Во внешнем электрическом поле электроны увеличивают свою энергию
и могут уйти со дна зоны. Оценим величину энергии δЕ, приобретаемой
электроном от поля на длине свободного пробега. Для типичной длины
свободного пробега l = 100 Å и E = 103 В/см величина δЕ = eEl составляет
~10–3 эВ. Следовательно, электрон практически остается на дне зоны.
Все полученные выводы справедливы и для поведения электронов
вблизи потолка валентной зоны. Однако в этом случае более удобным яв-
ляется описание коллективного поведения электронов неполностью запол-
ненной валентной зоны с помощью введения квазичастиц, называемых
дырками.

2.9. Понятие дырки


Рассмотрим полностью заполненную валентную зону полупроводни-
ка, содержащую M электронов. Как говорилось ранее, электроны полно-
стью заполненной зоны не могут участвовать в электропроводности, ток,
создаваемый ими, равен нулю:
M
I= ∑ I j = 0,
j =1
где I j - ток, создаваемый j-м электроном.
Пусть под действием термической ионизации один электрон перешел
из валентной зоны в зону проводимости (рис.2.13,а). Ток, создаваемый
оставшимися M – 1 электронами, равен
M −1 M
I = ∑ I j + IM − IM = ∑ I j − IM = − IM .
j =1 j =1
Таким образом, ток, создаваемый электронами полностью заполнен-
ный зоны, из которой удален один электрон, равен по величине и противо-
положен по направлению току, создаваемому одним удаленным электро-

43
Ec Ec

Ev Ev

a) б)

Рис.2.13. Ток, создаваемый электронами полностью за-


полненной валентной зоны, из которой удален один электрон
( ) й й (б)
ном. Но точно такой же ток создает частица с положительным зарядом и
положительной эффективной массой, помещенная на незанятое место уда-
ленного электрона (рис.2.13,б). Такая частица, точнее квазичастица, назы-
вается дыркой. Если удаленный электрон обладал зарядом е, эффективной
массой mn* , квазиимпульсом hк , скоростью v и спином σ, то дырке необ-
ходимо приписать следующие свойства:

ep = – e, m*p = − mn* , hк p = − hк , vp = − v , σ p = − σ .

В состоянии термодинамического равновесия электроны стремятся


занять самые низкие энергетические состояния. Если незанятое состояние
находится в глубине валентной зоны, то электроны с более высоких уров-
ней стремятся занять это состояние. В результате незаполненное состояние
- дырка - поднимается к потолку валентной зоны подобно пузырьку возду-
ха в воде. Это означает, что направления отсчета энергии дырок и электро-
нов противоположны друг другу:
Ep = − E .

Наименьшей энергией обладают дырки вблизи потолка ва-


лентной зоны. Для них справедливо введенное ранее представление
об эффективной массе, а их движение можно описать уравнениями,
подобными уравнениям (2.13) - (2.15) для электрона.

44
Таким образом, с точки зрения зонной теории дырочная про-
водимость полупроводника обусловлена электронами почти запол-
ненной валентной зоны, а концентрация дырок р определяется чис-
лом свободных состояний в этой зоне.
В то же время с точки зрения статистики дырку можно
определить как незанятое электроном состояние на энергетическом
уровне Е, поскольку дырка помещается на место удаленного элек-
трона. Поэтому вероятность заполнения энергетического уровня Е
дыркой f p (E ) будет равна вероятности отсутствия на этом уровне
электрона:
1
f p (E ) = 1 − f ( E ) = EF − E
,
e +1 kT

где f (E ) - функция распределения Ферми - Дирака.


Подобно электронам зоны проводимости, образующим элек-
тронный газ, дырки валентной зоны образуют дырочный газ, кото-
рый может быть вырожденным или невырожденным. При этом
полный ток в полупроводнике складывается из токов, создаваемых
электронами зоны проводимости и дырками валентной зоны.

2.10. Зонная структура германия, кремния и арсе-


нида галлия
Расчет структур энергетических зон полупроводников является слож-
ной задачей и производится различными приближенными методами лишь
для некоторых точек симметрии в первой зоне Бриллюэна. К таким точкам
относятся центр зоны Бриллюэна, центры граней, середины ребер и т.д.
Значения энергий для остальных точек находятся путем интерполяции.
Полученные из расчета данные уточняются с помощью эксперимента.
Германий и кремний имеют структуру алмаза, арсенид галлия - струк-
туру цинковой обманки. Прямая решетка этих полупроводников - гране-
центрированная кубическая решетка Браве с базисом из двух атомов, об-
ратная решетка, для которой строится 1-я зона Бриллюэна, - объемно-
центрированная кубическая (рис.2.14).
Германий и кремний относятся к IV группе элементов Периодической
таблицы Д.И.Менделеева. Они обладают сходными электронными оболоч-

45
кz

0
кy

кx

Рис.2.14. 1-я зона Бриллюэна для гранецентрированной


решетки
ками и имеют по четыре валентных электрона:
Si : 1s 2 2s 2 2 p 6 3s 2 3 p 2 ,

Ge:1s2 2s2 2p63s23p63d104s2 4p2 .


С учетом того, что элементарная ячейка Ge и Si содержит два атома,
на каждую из них приходится восемь валентных электронов. При образо-
вании кристалла в результате расщепления энергетических уровней обра-
зуются зона проводимости и валентная зона, каждая из которых состоит из
четырех частично перекрывающихся подзон. Каждая из подзон содержит
2N состояний, где N - число элементарных ячеек в кристалле. При T = 0
8N электронов полностью заполняют валентную зону, оставляя 8N состоя-
ний зоны проводимости свободными.
В соответствии со сказанным выше закон дисперсии как для зоны
проводимости, так и для валентной зоны содержит четыре ветви. Гра-
фически изобразить их на плоскости можно только для определенных
направлений. При этом наибольший интерес представляют те из них,
на которых функции E (к ) достигают абсолютного минимума в зоне
проводимости (дно зоны Ес) и абсолютного максимума в валентной
зоне (потолок зоны Еv). При этом экстремумы в зоне проводимости и
валентной зоне могут находиться в разных точках зоны Бриллюэна.
Расстояние между Ec и Ev определяет ширину запрещенной зоны по-
лупроводника Eg.
На рис.2.15 представлены зонные структуры Ge, Si и GaAs для на-

46
6

47
5
Ge Si GaAs
4

2
∆E=0,31
1
Eg Eg
Eg
0

Энергия, эВ
−1
правлений [100] и [111].

−2

−3

−4
[111] 0 [100] [111] 0 [100] [111] 0 [100]

Волновой вектор к
В Ge абсолютный минимум энергии расположен на направлении [111]
и приходится непосредственно на границу 1-й зоны Бриллюэна. Семейству
направлений <111>, таким образом, соответствует восемь эквивалентных
минимумов энергии. Электроны зоны проводимости равномерно распреде-
ляются между всеми этими минимумами энергии.
Изоэнергетические поверхности, построенные вблизи точек миниму-
ма энергии, представляют собой эллипсоиды вращения (рис.2.16,а). По-
скольку минимумы располагаются точно на границе зоны Бриллюэна,
внутри зоны содержатся только половины эллипсоидов. Поэтому число
полных эллипсоидов Mс, относящихся к 1-й зоне Бриллюэна, будет равно
четырем.

а) б)

Рис.2.16. Изоэнергетические поверхности вблизи дна зоны прово-


Длины полуосей эллипсоидов зависят от компонент тензора эффек-
тивной массы и для эллипсоида вращения определяются продольной ml* и
поперечной mt* эффективными массами. Для Ge ml* = 1,64m,
mt* = 0,082m.
В Si абсолютный минимум энергии расположен на направлении [100].
Семейству направлений <100> соответствуют, таким образом, шесть экви-
валентных минимумов энергии. Все они расположены внутри 1-й зоны
Бриллюэна, поэтому число полных эллипсоидов энергии Mc, содержащихся
в 1-й зоне Бриллюэна, равно шести (см. рис.2.16,б). Эллипсоиды также ха-
рактеризуются продольной и поперечной эффективными массами:

48
ml* = 0,98m, mt* = 0,19 m. ky
Абсолютный максимум в валент- Тяжелые
ной зоне как Ge, так и Si расположен в дырки
центре 1-й зоны Бриллюэна при к = 0.
Эта точка является точкой вырожде- kx
0
ния, в ней смыкаются две ветви закона Легкие
дисперсии. Изоэнергетические по- дырки
верхности, соответствующие этим
двум ветвям закона дисперсии, уже не
являются эллипсоидами, их форму
Рис.2.17. Сечение изоэнерге-
можно охарактеризовать как дефор- тических поверхностей вблизи
мированные сферы. Степень деформа- потолка валентной зоны Si
ции этих сфер невелика, что позволяет
приближенно заменить гофрированные изоэнергетические поверхности
некоторыми усредненными сферическими (рис.2.17), а законы дисперсии
для этих двух ветвей записать в виде

h 2к 2
E1 (к ) = E (0) − ,
2m*р л

h 2к 2
E2 (к ) = E (0) − ,
2m 2р т
где m*р л , m*p т - эффективные массы соответственно легких и тяжелых
дырок. В Ge m*р л = 0,044m, m*p т = 0,28m, в Si m*р л = 0,16m,
m*p т = 0,49m.
В арсениде галлия изоэнергетические поверхности как вблизи дна зо-
ны проводимости, так и вблизи потолка валентной зоны имеют сфериче-
скую форму и определяются скалярными эффективными массами электро-
нов и дырок:

mn* = 0,067 m, m*р л = 0,082m, m*p т = 0,45m.

Ширина запрещенной зоны для большинства полупроводников,


включая рассмотренные, уменьшается с ростом температуры. При
T = 300 К величина Eg для германия составляет 0,66 эВ, для кремния -

49
1,12 эВ, для арсенида галлия - 1,42 эВ.

50
2.11. Примесная проводимость полупроводников
Зонная структура полупроводников была рассмотрена ранее в пред-
положении, что электрон движется в идеальном периодическом поле кри-
сталла. Реальный кристалл всегда содержит дефекты решетки, нарушаю-
щие его периодический потенциал и приводящие к изменению энергетиче-
ского спектра электрона. Наибольший интерес среди таких дефектов пред-
ставляют атомы примеси, поскольку при создании приборов их сознатель-
но вводят в полупроводник для управления его свойствами.
Рассмотрим полупроводник, концентрация примеси в котором мала,
так что атомы примеси можно считать локализованными и не взаимодейст-
вующими друг с другом. Тогда внутреннее поле в кристалле можно пред-
ставить в виде суммы периодического потенциала решетки U (r ) и непе-
риодической части V (r ) , обусловленной взаимодействием электрона с
примесью и отличной от нуля только в области локализации примеси.
Уравнение Шредингера для электрона вблизи атома примеси примет тогда
следующий вид:

 h2 2 
− ∇ + U (r ) + V (r ) Ψ л (r ) = EΨ л (r ) , (2.18)
 2m 

где ψ л (r ) и E л - соответственно волновая функция и энергия электрона


вблизи примеси.
Используя понятие эффективной массы и предполагая ее изотропной,
уравнение (2.18) можно заменить эквивалентным ему уравнением:

 h2 2 
− ∇ + V (r ) Ψ л (r ) = EΨ л (r ) . (2.19)
*
 2mn 
Рассмотрим решение этого уравнения для моноатомного полупровод-
ника, например, кремния с атомами примеси элементов III и V групп Пе-
риодической таблицы Д.И.Менделеева.
Пусть один из атомов кремния замещен атомом элемента V группы
(фосфор, мышьяк, сурьма, висмут). Для определенности пусть это будет
атом фосфора. У атома фосфора на внешней электронной оболочке имеется

51
пять электронов. Четыре из них примут участие в образовании ковалент-
ных связей с четырьмя атомами кремния. Пятый электрон оказывается
"лишним". Связь его с атомом фосфора ослабляется за счет взаимодействия
с окружающими атомами полупроводника. В первом приближении это
влияние можно учесть, если предположить, что ион примеси и электрон
помещены в среду (кремний) с диэлектрической проницаемостью ε. Тогда
потенциальную энергию электрона в поле иона с зарядом Ze можно запи-
сать в виде

Ze 2
V (r ) = − (в системе СГС). (2.20)
εr
Уравнение Шредингера (2.19) принимает вид

 h 2 2 Ze 2  л
 Ψ (r ) = EΨ (r ) .
л
− *
∇ − (2.21)
 2mn εr 

Сравним это уравнение с уравнением Шрединтера для электрона в


атоме водорода:
 h2 2 e2  H
− ∇ −  Ψ (r ) = E H Ψ H (r ) , (2.22)
 2 m r 

где Ψ H (r ) и E H - соответственно волновая функция и энергия электрона


в атоме водорода.
Легко видеть, что уравнение (2.22) превращается в (2.21), если в нем
Ze 2
произвести замену m → mn* и e 2 → .
ε
Решение уравнения (2.22) хорошо известно. Энергия электрона в ато-
ме водорода представляет собой ряд дискретных энергетических уровней:

me 2 1
EnH = − ,
2h 2 n 2
где n = 1, 2, 3… - целые числа.
При n → ∞ электрон становится свободным, его энергия E → 0. Для
перевода электрона из основного состояния (n = 1) в свободное требуется
энергия ионизации

52
e4m
E1H = = 13,6 эВ.
2h 2
Радиус первой боровской орбиты в атоме водорода, отвечающей ос-
новному состоянию, составляет

h2
aB = ≈ 0,53 Å.
me 2
Произведя указанную выше замену, можно сразу получить решение
уравнения (2.21). Однако при этом следует учесть, что в кристалле элек-
трон считается свободным, если он находится в зоне проводимости, по-
этому при n → ∞ энергия электрона должна стремиться не к нулю, а к Ec:

Z 2 e 4 mn* 1
Enл = Ec − .
ε2 2h 2 n 2
Таким образом, в запрещенной зоне кремния вблизи дна зоны прово-
димости появляются разрешенные энергетические уровни. Примеси, соз-
дающие такие уровни, называются донорными примесями, а энергетиче-
ский уровень основного состояния (n = 1) - донорным уровнем и обознача-
ется Еd. (рис. 2.18). Энергетические уровни, соответствующие возбужден-
ным состояниям примеси, располагаются между Ес и Еd. Энергия иониза-
ции донорной примеси равна

e 4 m Z 2 mn* Z 2 mn*
∆Ed = Ec − Ed = = 13, 6 [эВ] . (2.23)
2h 2 ε 2 m ε2 m

Принимая для кремния mn* ≈ 0,5m, Z = 1, ε = 12, получаем ∆Ed ≈ 0,05 эВ.
Радиус орбиты электрона, находящегося на донорном уровне, состав-
ляет

εh 2 m
aл = = aB ε .
mn* Ze 2 mn*

Для кремния получаем aл ≈ 24аВ, поэтому орбита электрона охватыва-


ет примерно 100 атомов кремния. Следовательно, использование диэлек-
трической проницаемости для объяснения ослабления связи электрона с

53
примесным атомом оказывается обоснованным.
При введении в кремний атомов элементов III группы (бор, галлий,
индий, алюминий) трех валентных электронов атома примеси не хватает
для установления ковалентных связей с четырьмя атомами кремния. Не-
достающий электрон может захватиться из валентной зоны. При этом
образуется отрицательно заряженный ион примеси и связанная с ним
дырка. Ситуация оказывается аналогичной рассмотренной при инверсии
знаков.
Поскольку энергия дырок в картине энергетических зон отсчитывает-
ся вниз, получаем
*
Z 2e 4 m p 1
E лp = Ev + .
ε 2 2h 2 n 2
Таким образом, в запрещенной зоне выше потолка валентной зоны
возникают разрешенные энергетические уровни. Примеси, создающие та-
кие уровни, называются акцеп-
торными, а уровень, отвечаю- ∆Ed ≈ 0,05 эВ
Ec
щий основному состоянию, на- Ed
зывается акцепторным уровнем
и обозначается Ea. (рис. 2.18).
Энергетические уровни, соответ- Eg ≈ 1 эВ
ствующие возбужденным со-
стояниям примеси, располага-
ются между Еа и Еv. Энергия
Ea
ионизации акцепторной примеси Ev
равна ∆Ea ≈ 0,05 эВ
2 m*
Z
∆Ea = 13,6 2
p
[эВ] Рис.2.18. Донорные и акцепторные
ε m
уровни энергии в запрещенной зоне полу-
и составляет в кремнии величину
проводника
около 0,05 эВ.
Энергетические уровни, ко-
торые создают в кремнии и германии элементы III и V групп, отвечают
условию
∆Ed, ∆Ea << Eg
и поэтому называются мелкими примесными уровнями.
Электрон, находящийся на донорном уровне, при Т = 300 К может
легко переходить с него в зону проводимости, так как энергия ионизации

54
донорной примеси ∆Ed сравнима с тепловой энергией kT ≈ 0,025 эВ. Этот
процесс приводит к образованию свободного электрона в зоне проводимо-
сти и положительно заряженного иона донорной примеси. Аналогично
электрон из валентной зоны может легко переходить на акцепторный уро-
вень. Этот процесс эквивалентен переходу дырки с акцепторного уровня в
валентную зону с образованием свободной дырки и отрицательно заряжен-
ного иона акцепторной примеси. В результате при комнатной температуре
практически вся примесь (донорная и акцепторная) оказывается ионизо-
ванной.
Таким образом, если в полупроводник ввести донорную примесь, то
концентрация электронов в нем возрастет и будет выполняться соотноше-
ние n >> p. Такой полупроводник называют электронным или полупро-
водником n-типа. Электроны в нем называются основными носителями
заряда, а дырки - неосновными. При введении акцепторной примеси обра-
зуется дырочный полупроводник, или полупроводник
p-типа. В нем выполняется соотношение p >> n, т.е. дырки являются ос-
новными носителями заряда, а электроны - неосновными.
При введении в кремний атомов элементов I, II, VI, VII и VIII групп
могут возникать энергетические уровни, расположенные близко к середине
запрещенной зоны. Такие уровни называют глубокими. Кроме того, атомы
элементов указанных групп способны создавать не один, а несколько при-
месных уровней, соответствующих различным зарядам Ze иона. Наконец,
одна и та же примесь может образовывать как донорные, так и акцептор-
ные уровни.
Глубокие уровни могут возникать также в результате действия других
дефектов решетки, например, вакансий или дислокаций.
Следует отметить, что глубокие уровни слабо влияют на проводи-
мость полупроводников, однако играют важную роль в процессах реком-
бинации и генерации, которые будут рассмотрены позднее.

2.12. Влияние электрического поля на энергетиче-


ский спектр электрона в кристалле
Рассмотрение зонной структуры полупроводников проводилось в
предложении, что потенциальная энергия электрона U (r ) определяется
только периодическим полем решетки кристалла. Во внешнем электриче-
ском поле электрон приобретает дополнительную энергию W (r ) . В одно-

55
родном электрическом поле E эта энергия равна
W (r ) = − eEr .

Будем предполагать, что внешнее электрическое поле значительно


меньше внутрикристаллического поля, составляющего величину ~108 В/см.
Поэтому потенциальная энергия электрона во внешнем поле мало меняется
на расстояниях, сравнимых с параметром решетки кристалла:
eEa << E g . (2.24)

Таким образом, энергия электрона в кристалле при наличии внешнего


поля равна

E эл = E + W = E − eEr , (2.25)

где E - энергия электрона в отсутствие внешнего поля.


При выполнении соотношения (2.24) на малых расстояниях вторым
слагаемым в (2.25) можно пренебречь, поэтому локально спектр энергии
электрона остается прежним. Однако на больших расстояниях начинает
сказываться влияние второго сла-
E
гаемого. Это проявляется в том, что
энергетические зоны наклоняются
Eg
(рис.2.19). Если внешнее электриче-
ское поле неоднородное, то энерге- E1
тические зоны не только наклоняют-
ся, но и искривляются. Ev Ec
Из рис.2.19 следует, что при
значении энергии Еэл = Е1 электрон в
стационарном состоянии может пе- Рис.2.19. Наклон энергетиче-
ремещаться внутри зоны, удаляясь ских зон
в электрическом поле
от ее дна. Однако за счет столкнове-
ний электрон передает приобретен-
ную в поле энергию решетке и снова опускается на дно зоны. Поэтому
приведенные в предыдущих разделах рассуждения о поведении электрона
вблизи дна зоны остаются справедливыми.
Накопленная на длине свободного пробега энергия может затрачи-
ваться также на ионизации атомов полупроводника. Этот процесс лежит в
основе механизма лавинного пробоя, который будет рассмотрен в даль-
нейшем.
Из рис.2.19 также следует, что для данного значения энергии E1 суще-

56
ствует область, в которой этот уровень попадает в запрещенную зону. Это,
однако, не означает, что в запрещенной зоне появляются разрешенные зна-
чения энергии. В зонной теории показывается, что эта область соответству-
ет частному решению уравнения Шредингера в виде некоторой волновой
функции, затухающей вглубь запрещенной зоны. Подобный же вид имеет
волновая функция электрона внутри потенциального барьера в задаче о
туннелировании. Таким образом, оказывается возможным туннельный пе-
реход электрона без изменения энергии из валентной зоны в зону проводи-
мости. Это явление лежит в основе механизма полевого, или туннельного
пробоя, наблюдаемого в сильных электрических полях.

n0
3. Статистика элек-
тронов и дырок в
Nd+
полупроводниках
Целью настоящей главы яв- Na
ляется определение концентра-
ций электронов в зоне проводи-
мости и дырок в валентной зоне p0
полупроводника, возникающих
вследствие тепловой генерации в Рис.3.1. Процессы тепловой гене-
состоянии термодинамического
равновесия. Процессами, приво-
дящими к образованию свободных электронов и дырок, являются
(рис.3.1):
1) переход электронов из валентной зоны в зону проводимости с
образованием пары свободных носителей - электрона и дырки;
2) переход электрона с донорного уровня в зону проводимости с обра-
зованием свободного электрона и положительно заряженного иона донор-
ной примеси N d+ ;
3) переход электрона из валентной зоны на акцепторный уровень с
образованием свободной дырки и отрицательно заряженного иона ак-
цепторной примеси N a− .
Электроны, перешедшие в зону проводимости, занимают состоя-
ния с наименьшей энергией, т.е. заполняют энергетические уровни
вблизи ее дна. Поскольку энергия дырок отсчитывается вниз, они за-

57
нимают состояния с наименьшей энергией вблизи потолка валентной
зоны.
Для нахождения равновесных концентраций электронов n0 и дырок
p0 необходимо знать плотности квантовых состояний в обеих зонах и
вероятности заполнения каждого квантового состояния.

58
3.1. Плотность квантовых состояний
При изучении зонной теории было показано, что электроны вблизи
дна зоны проводимости ведут себя как свободные частицы, если им
приписать эффективную массу mn* .
Рассмотрим вначале плотность квантовых состояний для электро-
нов в зоне проводимости в предположении, что эффективная масса
электронов mn* - скаляр. В этом случае закон дисперсии для электронов
в зоне проводимости (2.8)
h 2к 2
E (к ) =
2mn*
совпадает с законом дисперсии для электронов в модели Зоммер-
фельда (1.9). Тогда плотность квантовых состояний в зоне проводимо-
сти gn(E) можно легко получить из выражения (1.16), если отсчитывать
энергию от дна зоны:
32
1  2 m* 
g n (E ) = 2  2n  (E − Ec )1 2 .
2π  h 
В общем случае эффективная масса электрона является тензором
второго ранга и описывается тремя компонентами: m1* , m2* , m3* , а чис-
ло эквивалентных минимумов в зоне проводимости равно Mc > 1.
Расчет для этого случая дает выражение
32
1  2mc 
g n (E ) =   (E − Ec )1 2 , (3.1)
2π 2  h 2 
2

где mc =  M c m1*m2* m3*  3 называется эффективной массой


 
плотности состояний для электронов. Введение эффективной массы
плотности состояний означает замену Мс эквивалентных эллипсоидов
равной энергии одной сферической изоэнергетической поверхностью,
которая обеспечивает ту же плотность квантовых состояний.

59
В кремнии в 1-й зоне Бриллюэна имеется шесть минимумов энер-
гии (см. рис.2.16): Mс = 6, а компоненты тензора эффективной массы
m1* = m2* = mt* = 0,19m, m3* = ml* = 0,98m. Отсюда mс = 1,08m.
Аналогично рассчитывается плотность квантовых состояний gp(E)
для дырок в валентной зоне. Полагая началом отсчета энергии потолок
валентной зоны и считая эффективную массу дырок скаляром, получаем
32
1  2m p 
*
g p (E ) = (Ev − E )1 2 .
2π  h 2 
 
При сложном строении валентной зоны аналогично можно ввести
эффективную массу плотности состояний mv для дырок. Например, в
кремнии имеются два вида дырок в валентной зоне с эффективными
массами m*рл = 0,16m и m*p т = 0,49m. Для них можно ввести
32
mv =  m*рл + m*p т  = 0,56m.
32 32

 
При этом плотность квантовых состояний для дырок в валентной
зоне запишется в виде
32
1  2mv 
g p (E ) =   (Ev − E )1 2 . (3.2)
2π 2  h 2 

3.2. Равновесные концентрации электронов и ды-


рок
Из определений плотности квантовых состояний gn(E) и функции
распределения f(E) следует, что gn(E)dE есть число состояний в интер-
вале энергий dE, из которых
dn = f (E )g n (E )dE
занято электронами.
Общее число занятых состояний в зоне проводимости n0 опреде-
лится в результате интегрирования по всей зоне. Поскольку функция
f(E) резко убывает с ростом энергии, верхним пределом интегрирования
можно взять ∞ :

60

n0 = ∫ f (E )gn (E )dE . (3.3)
Ec
Аналогично может быть получена концентрация дырок в валентной
зоне:
Ev
p0 = ∫ f p (E )g p (E )dE . (3.4)
−∞
Расчет концентраций электронов и дырок проведем для двух наибо-
лее важных случаев.
1. Невырожденный полупроводник. В таком полупроводнике не-
вырождены одновременно как электронный, так и дырочный газы.
Энергия всех электронов невырожденного газа должна быть не ме-
нее чем на 3kT больше энергии Ферми. Поскольку минимальная энергия
электронов в зоне проводимости равна Ес, получаем
Ec − E F
≥ 3. (3.5)
kT
II Аналогично условием того,
5kT что дырочный газ невырожден,
IV E будет
3kT E F − Ev
≥ 3. (3.6)
kT
I Eg В невырожденном полу-
проводнике условия (3.5) и (3.6)
3kT
V E должны выполняться одновре-
5kT менно, поэтому уровень Ферми
в таком полупроводнике должен
III располагаться внутри запре-
щенной зоны не ближе 3kT от ее
краев (рис.3.2).
Рис.3.2. Положение уровня Ферми в Подставляя в выражения
полупроводнике: область I - невырож-
(3.3) и (3.4) плотности кванто-
денный полупроводник; область II -
сильновырожденный полупроводник n- вых состояний, функции рас-
типа; область III - сильновырожденный пределения Максвелла - Больц-
полупроводник p-типа; область IV - час- мана для электронов и дырок и
тично вырожденный полупроводник n- производя интегрирование, по-
типа; область V - частично вырожден- лучаем

61
E − EF
− c
n0 = N c e kT , (3.7)
E − Ev
− F
p0 = N v e kT . (3.8)
Величины
32 32
 2πmc kT   2πmv kT 
N c = 2  , N v = 2  (3.9)
 h 2
  h2 
называются эффективными плотностями квантовых состояний
соответственно в зоне проводимости и в валентной зоне.
Из условий (3.5) и (3.6) следует, что в невырожденном полупровод-
нике
n0<<Nс, p0<<Nv.
Для кремния при комнатной температуре величина Nc = 2,8⋅1019 см–
3
, Nv = 1,04⋅1019 см–3.
Найдем произведение концентраций электронов и дырок в невы-
рожденном полупроводнике:
E − Ev Eg
− c −
n0 p 0 = N c N v e kT = N c N v e kT . (3.10)
Таким образом, в невырожденном полупроводнике произведение
равновесных концентраций электронов и дырок есть величина постоян-
ная, определяемая структурой энергетических зон, шириной запрещен-
ной зоны и температурой. Эту константу легко определить, если рас-
смотреть случай собственного невырожденного полупроводника. В та-
ком полупроводнике
n0 = p0 = ni .
Величина ni называется собственной концентрацией. Следова-
тельно,
n0 p0 = ni2 , (3.11)
Eg

ni = N c N v e 2kT . (3.12)
2. Сильновырожденный примесный полупроводник. Полупро-
водник называется вырожденным, если в нем вырожден либо электрон-
ный, либо дырочный газ. В сильновырожденном электронном полупро-
воднике, как и в металле, при T = 0 электроны в зоне проводимости за-

62
полняют энергетические уровни от дна зоны Eс до уровня Ферми EF (0).
Концентрацию электронов в этом случае можно легко найти, полагая
функцию распределения Ферми - Дирака f(E) = 1 и производя интегри-
рование в (3.3) от Eс до EF (0):
32
8π  2mc 
n0 =  2  (E F (0) − Ec )3 2 .
 (3.13)
3  h 
При T > 0 уровень Ферми отклоняется от своего значения при
T = 0, однако, как показывают расчеты, при выполнении условия
E F − Ec
>5
kT
этим отклонением можно пренебречь, с большой точностью полагая
EF = E F (0). Дырочный газ в таком полупроводнике будет невырожден-
ным, поскольку для него выполняется условие (3.6), поэтому концен-
трация дырок в вырожденном электронном полупроводнике определя-
ется формулой (3.8).
Для сильновырожденного дырочного полупроводника при выпол-
нении условия
Ev − E F
>5
kT
аналогично получаем
32
8π  2mv 
p0 =   (Ev − E F )3 2 , (3.14)
3  h 2 
а концентрацию электронов можно определить по формуле (3.7).
Из выражений (3.13) и (3.14) следует, что концентрация основных
носителей в сильновырожденном примесном полупроводнике не зави-
сит от температуры.
Таким образом, в сильновырожденном полупроводнике уровень
Ферми расположен либо внутри зоны проводимости, либо внутри ва-
лентной зоны на расстоянии не менее 5kT от ее края (см. рис.3.2).
Вырождение полупроводника происходит при его сильном легиро-
вании примесями. Свойства сильнолегированных полупроводников бу-
дут рассмотрены в разделе 3.7.

3.3. Уравнение электронейтральности

63
Нахождение равновесных концентраций электронов и дырок, со-
гласно полученным выше формулам, требует знания положения уровня
Ферми в полупроводнике.
Пусть имеется полупроводник, равномерно легированный донор-
ной Nd и акцепторной Na примесями. При Т > 0 в результате термиче-
ской ионизации в полупроводнике создаются свободные электроны и
дырки, а также ионы донорной N d+ и акцепторной N a− примесей
(см. рис.3.1). Условие электронейтральности требует, чтобы как во всем
кристалле, так и в любом его макроскопически малом объеме сумма
положительных и отрицательных зарядов была равна нулю:
n0 + N a− = p0 + N d+ . (3.15)
Обозначим через nd, pd, na, pa концентрации электронов и дырок,
находящихся соответственно на донорном и акцепторном уровнях. По-
скольку донорный уровень может быть занят либо электроном, либо
дыркой, имеем
N d = N d+ + nd = pd + nd . (3.16)
Аналогично
N a = N a− + pa = na + pa . (3.17)
С учетом соотношений (3.16), (3.17) получаем уравнение электро-
нейтральности:
n0 + nd − p0 − pa = N d − N a . (3.18)
Уравнение (3.18) позволяет определить положение уровня Ферми в
полупроводнике. Для его нахождения необходимо выразить все слагае-
мые этого уравнения через EF .
Выражения для n0 и p0 были получены раньше. Для нахождения
величин nd и pa требуется знать функции распределения электронов и
дырок по примесным уровням. Функция распределения Ферми - Дирака
для этой цели не подходит, так как получена для системы невзаимодей-
ствующих частиц. Она предполагает, что на каждом уровне могут нахо-
диться два электрона с противоположно направленными спинами, в то
время как на уровнях Ed и Ea может находиться не более одного элек-
трона. Действительно, уровни Ed и Ea были получены исходя из водо-
родоподобной модели атома примеси и предполагали наличие только
одного электрона. Введение в систему еще одного электрона резко ме-

64
няет значения разрешенных значений энергии вследствие сильного ку-
лоновского отталкивания электронов.
Функция распределения электронов по примесным уровням, кото-
рая учитывает невозможность нахождения двух электронов на таком
уровне, имеет вид
1
f (Ed ) = (3.19)
Ed − E F
1
e kT +1
2
для донорных уровней и
1
f (Ea ) = (3.20)
Ea − E F
+1
2e kT
для акцепторных уровней.
Для дырок соответствующие функции распределения имеют вид
1
f p (Ed ) = E − E , (3.21)
F d

2e kT +1
1
f p (E a ) = E F − Ea
. (3.22)
1
e kT +1
2
Зная функции распределения по примесным уровням, можно запи-
сать
Nd
nd = N d f (Ed ) = Ed − E F
, (3.23)
1
e kT +1
2
Na
pa = N a f p ( E a ) = . (3.24)
E F − Ea
1
e kT + 1
2
Подстановка выражений для n0, p0, nd, pa в уравнение электроней-
тральности (3.18) приводит в общем случае к трансцендентному урав-
нению, связывающему уровень Ферми с температурой. Для некоторых
простых случаев удается получить аналитическое решение.

65
3.4. Собственный полупроводник
Ограничимся рассмотрением случая невырожденного собственно-
го полупроводника. В собственном полупроводнике примесь отсутству-
ет: Nd = Na = 0, поэтому уравнение электронейтральности имеет вид
n0 = p0.
Для невырожденного собственного полупроводника получаем
Ec − E F E F − Ev
− −
Nce kT = Nve kT ,

откуда
E + Ev 1 N 3 m
EF = c + kT ln v = Ei + kT ln v , (3.25)
2 2 Nc 4 mc

где Ei - середина запрещенной зоны.


Таким образом, при T = 0 уровень Ферми в собственном полупро-
воднике расположен точно посредине запрещенной зоны, а при T > 0
линейно зависит от температуры, приближаясь к той зоне, которая име-
ет меньшую плотность квантовых состояний (рис.3.3).
В кремнии отношение mv/mс ≈ 0,54, поэтому при комнатной тем-
пературе EF – Ei ≈ 0,01 эВ. Таким образом, уровень Ферми в собст-
венном кремнии практически совпадает с серединой запрещенной
зоны.
E
Выражение для собственной
E
концентрации было получено ра-
нее (см. (3.12). С учетом выраже- E
ний (3.9) для Nс и Nv из него сле- E
дует
3 1 Eg
ln ni = A − ln − , (3.26)
2 T 2kT 0
где А - константа.
Слабой зависимостью от тем- Рис.3.3. Зависимость положения
пературы логарифмического члена уровня Ферми в собственном полу-

66
ln ni в (3.26) можно пренебречь. В этом
случае зависимость ln ni от 1/T
представляет собой практически
прямую линию (рис.3.4), угол на-
клона которой определяется шири-
α ной запрещенной зоны:
Eg
tg α = .
2k

1/T Собственная концентрация при


комнатной температуре составляет
Рис.3.4. Зависимость ln ni от
1,45⋅1010 см–3 для кремния, 2,4⋅1013
обратной температуры в собствен-
ном см–3 для германия и 1,79⋅106 см–3
полупроводнике для арсенида галлия.

3.5. Примесный невырожденный полупроводник


Рассмотрим в качестве примера электронный невырожденный по-
лупроводник: Nd ≠ 0, Na = 0. Уравнение электронейтральности для него
запишется в виде
n0 = p0 + N d+ = p0 + pd . (3.27)
Из уравнения (3.27) следует, что появление свободных электронов в
электронном полупроводнике обусловлено двумя процессами (см.
рис.3.1):
1) переходом электронов с донорного уровня в зону проводимости
с образованием ионов донорной примеси (ионизация атомов примеси);
2) переходом электронов из валентной зоны в зону проводимости с
образованием свободных дырок (ионизация атомов полупроводника).
Поскольку энергия ионизации донорной примеси значительно
меньше ширины запрещенной зоны: ∆Еd <<Eg, интенсивности этих двух
процессов будут сильно отличаться в различных температурных диапа-
зонах. При этом можно выделить три области температур. В области
низких температур доминирует первый процесс. При переходе к сред-
ним температурам первый процесс завершается, а вторым процессом
все еще можно пренебречь. И, наконец, при высоких температурах пре-
обладает второй процесс.

67
В области низких и средних температур p0 << N d+ = pd, и уравнение
электронейтральности (3.27) с учетом (3.21) принимает вид
N
n0 = pd = E − dE .
F d

2e kT +1
После несложных преобразований его можно записать следующим
образом:
Nd
n0 = ∆E d
. (3.28)
2n0 kT
e +1
Nc
Низкие температуры: T ≤ Ts.
В невырожденном полупроводнике всегда n0 << Nс, однако экспо-
ненциальный множитель в знаменателе (3.28) очень велик, поэтому
∆E d
2n0 kT
e >> 1. (3.29)
Nc
Решая уравнение (3.28) относительно n0 при условии (3.29), получаем
∆E d
N c N d − 2kT
n0 = N d+
= e . (3.30)
2
Таким образом, при низких температурах концентрация электро-
нов равна концентрации ионов примеси и пропорциональна N d . Эта
область температур называется областью ионизации примеси.
Если пренебречь степенной зависимостью Nс(T) по сравнению с
1
экспоненциальной в (3.30), график функции ln n0   будет представ-
T 
лять собой прямую линию, наклон которой определяется энергией ио-
низации донорной примеси (рис.3.5):
∆E d
tg β = .
2k

68
Средние температуры: Ti ≤ T ≤ Ts.
В этой области температур экспоненциальный множитель в знаме-
нателе выражения (3.28) exp(∆Ed kT ) ≈ 1, а концентрация электронов
n0 << Nc, поэтому
∆Ed
2n 0 kT
e << 1 . (3.31)
Nc
Из уравнения (3.28) при этом следует
n0 = Nd,
т.е. все электроны с донорного уровня перешли в зону проводимо-
сти, примесь полностью ионизована. Эта область температур называет-
ся областью истощения примеси (см. рис.3.5), а нижняя граница об-
ласти
Ts - температурой ионизации примеси.
Хотя концентрация электронов в области истощения примеси оста-
ется постоянной, концентрация дырок экспоненциально растет с увели-
чением температуры:
Eg
n 2 (T ) N c N v − kT
p0 (T ) = i = e
Nd Nd
На верхней границе области истощения при температуре Тi выпол-
няется условие
p0 (Ti ) = N d , (3.32)
ln n0
при котором концентрации
электронов и дырок сравнива-
α ются. Температура Тi называется
собственной температурой.
Высокие температуры:
β T ≥ Ti.
III II I В этой области температур
1/Ti 1/Ts 1/T собственная концентрация зна-
чительно превышает концентра-
цию примеси. Следовательно,
Рис.3.5. Зависимость ln n0 от обрат- при достаточно высоких темпе-
ной температуры в электронном ратурах T ≥ Ti любой примесный
невырожденном полупроводнике: I - полупроводник превращается в
область ионизации примеси; II - область
собственный:
истощения примеси; III - область

69
n0 = p0 = ni.
Эта область температур называется областью собственной про-
водимости.
Температуры Ts и Ti ограничивают возможный температурный
диапазон работы полупроводниковых приборов. При T ≥ Ti стирается
различие свойств областей p- и n-типов в приборах с p-n переходами,
при T < Ts происходит "вымораживание" примесей, приводящее к рез-
кому росту сопротивлений областей приборов.
Температуру Ts можно оценить, исходя из неравенств (3.29) и
(3.31), условием
∆E d
2Nd
e kTs = 1 .
N c (Ts ) Ti, °C
Для кремния при Nd ≤ 1017 см–3 и
500
∆Ed = 0,03 эВ величина Ts ≤ 84 К. GaAs
Зависимость температуры Ti от 400
концентрации примеси, рассчитан- Si
ная из условия (3.32), представлена 300
на рис.3.6. Величина Ti растет при
200
увеличении концентрации примеси и Ge
ширины запрещенной зоны. 100
Рабочий диапазон температур
кремниевых приборов –60 °С - 0
+125 °С приходится на область ис- 1013 1014 1015 1016 N, см
тощения примеси.
Все полученные выводы спра- Рис.3.6. Зависимость собственной
ведливы и для невырожденного ды-
рочного полупроводника, для которого Na ≠ 0, Nd = 0.
3.6. Полупроводник, содержащий донорную и
акцепторную примеси
Чисто электронный или чисто дырочный полупроводник не встре-
чаются на практике. Дело в том, что современная техника очистки по-
лупроводниковых материалов не позволяет избавиться от остаточных
примесей донорного или акцепторного типа. С другой стороны, в про-
цессе создания полупроводниковых приборов обычно изменяют тип
полупроводника, вводя в него примесь другого типа. Поэтому реально в
полупроводнике всегда присутствуют примеси обоих типов.

70
Рассмотрим случай, когда в полупроводнике имеются донорная и
акцепторная примеси в равных количествах. Такой полупроводник на-
зывается компенсированным.
При температуре T = 0 электроны стремятся заполнить самые низ-
кие энергетические состояния. При этом они переходят из зоны проводи-
мости и с донорного уровня в валентную зону и на уровни акцепторной
примеси. В результате валентная зона и акцепторный уровень будут пол-
ностью заполнены электронами, а донорный уровень - свободен. Вся
примесь, как донорная, так и акцепторная, оказывается полностью иони-
зованной.
При T > 0 в таком полупроводнике электроны в зоне проводимости
могут появляться в результате перехода или с акцепторного уровня, или
из валентной зоны. Однако энергии, необходимые для каждого из таких
переходов, отличаются всего на ∆Ea << Eg, в то время как концентрация
атомов полупроводника значительно превышает концентрацию атомов
примеси. Следовательно, электроны и дырки будут появляться в основ-
ном в результате переходов из валентной зоны в зону проводимости,
т.е. такой полупроводник будет вести себя как собственный.
Отличить компенсированный полупроводник от собственного
можно, измеряя в нем подвижности электронов и дырок. Наличие рас-
сеивающих центров, роль которых играют ионы донорной и акцептор-
ной примесей, снижает подвижность. Вопросы рассеяния носителей
заряда будут рассмотрены в главе 4.
Пусть теперь концентрация донорной примеси превышает концен-
трацию акцепторной примеси: Nd > Na. В этом случае часть донорной
примеси пойдет на компенсацию акцепторной примеси, и такой полу-
проводник будет вести себя как электронный, но с концентрацией при-
меси N d ′ = N d − N a . Точно так же при Na > Nd полупроводник ведет
себя как дырочный с концентрацией акцепторной примеси
N a′ = N a − N d .

3.7. Сильнолегированный полупроводник


При рассмотрении процесса образования донорных и акцепторных
уровней в полупроводнике предполагалось, что концентрация примеси
N мала и атомы примеси изолированы друг от друга. Такой уровень ле-

71
гирования называется малым. С ростом уровня легирования среднее
расстояние между примесными атомами, равное
1
d= ,
3 N

уменьшается и волновые функции электронов соседних атомов


начинают перекрываться. Как и при перекрытии волновых функций
атомов полупроводника в зонной теории, это приводит к расщеплению
примесного энергетического уровня в зону, которая называется при-
месной. Данный процесс сопровождается уменьшением энергии иони-
зации примесных атомов (рис.3.7). Такой уровень легирования назы-
вают средним.
При дальнейшем увеличении концентрации примесная зона на-
чинает расширяться и в конце концов сливается или с зоной проводи-
мости (в полупроводнике n-типа (см. рис.3.7), или с валентной зоной
(в полупроводнике p-типа). Энергия ионизации примеси при этом об-
ращается в нуль. Такой уровень легирования называется высоким, а
полупроводник - сильнолегированным.
Взаимодействие между примесными атомами не является единст-
венной причиной изменения энергетического спектра электронов в
сильнолегированном полупроводнике. Более значительные изменения
спектра связаны с макроскопическими флуктуациями потенциала,
обусловленными неоднородным (случайным) распределением приме-
си. Эти флуктуации потенциала можно рассматривать как внешнее
поле, вызывающее локальное искривление краев запрещенной зоны.
При этом контуры зоны проводимости и валентной зоны повторяют
изменение в пространстве потенциала, связанного с этими флуктуа-
циями (рис.3.8).
∆Ed ∆E'd
Ec Ec E
Ed Ed E

Рис.3.7. Энергетический спектр электронного полупроводника при малом

72
Из рис.3.8 легко понять, к каким качественным изменениям приво-
дит учет неоднородного распределения примесей в сильнолегирован-
ном полупроводнике. Во-первых, в интервале энергий от Ev до Ec появ-
ляются разрешенные состояния. В результате плотность состояний как в
зоне проводимости, так и в валентной зоне оказывается отличной от
нуля и плавно убывает в глубь запрещенной зоны. Во-вторых, ширина
запрещенной зоны Eg0 = Eс – Ev уменьшается на величину ∆Eg.
Сужение запрещенной зоны в сильнолегированном кремнии может
быть описано формулой
N
∆E g = 22,5 ⋅ 10 − 3 ,
1018
где ∆Eg выражено в эВ, N - в см–3. Например, при N = 1020 см–3 су-
жение составляет 0,225 эВ.
Сужение запрещенной зоны приводит к увеличению собственной
концентрации. Если ввести эффективную собственную концентрацию
ni* условием
2
n0 p0 = ni* ,

E gn(E)
Ec(x)
gn (E)
0

Eg0 Eg

gp (E)
Ev(x) 0

Рис.3.8. Изменение энергетического спектра сильнолегированного


полупроводника, обусловленное флуктуациями потенциала. Условные
обозначения: Еg0 - ширина запрещенной зоны слаболегированного по-
лупроводника, gn0 и gp0 - плотности квантовых состояний в
слаболегированном полупроводнике

73
то ее величина для кремния может быть найдена из следующего вы-
ражения:
 N 
ni* = 1,4 ⋅ 1010 exp 0,433 , [см–3].
 18 
10 

При N = 1020 см–3 величина ni* ≈ 1012 см–3.
В сильнолегированном полупроводнике n-типа оказывается полно-
стью вырожденным электронный газ, а в полупроводнике p-типа - ды-
рочный. Поскольку в сильнолегированном полупроводнике уровень
Ферми располагается в разре- ln n0
шенной энергетической зоне,
такой полупроводник ведет
себя подобно металлу. Он об- 3
ладает электропроводностью
при T = 0, а концентрация 2
основных носителей в нем не
зависит от температуры 1
вплоть до перехода к области
собственной проводимости 1/T
(рис.3.9). Таким образом, лю- Рис.3.9. Влияние степени легирования
бой сильнолегированный по- на зависимость ln n0 (1/Т) для электронно-
лупроводник при достаточно го полупроводника: 1 - малый уровень
высокой температуре стано- легирования; 2 - средний уровень легиро-
вится собственным полупро- вания;
3 й
водником.

4. Кинетические явления в полупроводни-


ках
Кинетическими явлениями, или явлениями переноса, называются
явления, обусловленные движением носителей заряда под действием
электрических или магнитных полей, а также градиентов концентрации
или температуры. К ним относятся электро- и теплопроводность, галь-
ваномагнитные, термомагнитные и термоэлектрические явления. Кине-
тические явления лежат в основе фотоэлектрических и фотомагнитных
эффектов.

74
Среди всего многообразия кинетических явлений для целей настоя-
щего пособия наибольший интерес представляет электропроводность.

4.1. Понятие столкновения


Согласно зонной теории электроны и дырки в идеальном кристалле
движутся свободно, не испытывая соударений.
Если поместить идеальный кристалл в электрическое поле, то по-
сле его выключения носители заряда сохраняют приобретенную в поле
дрейфовую скорость. Это означает, что электрический ток протекает в
отсутствие электрического поля, т.е. проводимость идеального кристал-
ла равна бесконечности.
В реальном кристалле электрон (или дырка) испытывает столкно-
вения с нарушениями периодичности решетки кристалла. Это приводит
к изменению его квазиимпульса, т.е. квазиимпульс и скорость электро-
на не сохраняются.
Если после столкновения носитель заряда остается в той же зоне,
то такой процесс называют рассеянием. Концентрация частиц при рас-
сеянии не изменяется.
В результате столкновения носитель заряда может покинуть зону.
Он может также придти в нее из другой зоны или с локального уровня в
запрещенной зоне. В этом случае говорят о процессах рекомбинации-
генерации, которые приводят к изменению концентрации частиц.
Скорости этих двух процессов обычно резко различаются. Харак-
терные времена процессов рассеяния составляют величину порядка
10–11 - 10–14 с, в то время как рекомбинационные процессы характери-
зуются временами порядка 10–5 - 10–9 с.

4.2. Неравновесная функция распределения


Функции распределения Максвелла - Больцмана и Ферми - Дирака
описывают систему частиц в состоянии термодинамического равнове-
сия. Кинетические явления протекают в неравновесных условиях, след-
ствием чего является изменение функции распределения. При этом ее
конкретный вид зависит от того, каким способом термодинамическое
равновесие было нарушено.

75
Рассмотрим 6-мерное фазовое пространство, состоящее из коорди-
натного пространства x, y, z и к -пространства кх, кy, кz. Введем функцию
распределения f (r , к , t ), определив ее как вероятность нахождения час-
тицы в элементарном объеме фазового пространства, содержащего точ-
ку (r , к ), в момент времени t.
Для определенности все дальнейшие рассуждения будут относить-
ся к электронам, однако выводы справедливы и для ансамбля дырок,
если использовать соответствующую функцию распределения и изме-
нить заряд частицы.
Как было показано ранее, элементарный объем к -пространства,
приходящийся на одно квантовое состояние для тела единичного объе-
ма, составляет 4π3. В объеме dVк зоны Бриллюэна будет содержаться
dVк/4π3 состояний, из которых
1
dn = 3 f (r , к , t ) dVк (4.1)

занято электронами. Полное число электронов в единице объема,
т.е. их концентрация, может быть найдено путем интегрирования выра-
жения (4.1) по 1-й зоне Бриллюэна Vк:
1
n (r , t ) = ∫ f (r , к , t ) dVк . (4.2)
4 π3 V
к
Функция распределения f (r , к , t ) содержит всю необходимую ин-
формацию о системе частиц. Так, средняя скорость <v > и средняя энер-
гия <E> электронов могут быть получены из выражений
1
∫v f (к ) dVк
4π3 1
vf (к ) dVк ,


<v>= = 3 (4.3)
1
∫f (к ) dVк 4 π n

4π3

1
<E>=
4π 3 n ∫ E (к ) f (к ) dVк . (4.4)

Из (4.3) следует общее выражение для электронного тока:
e
jn = − en < v > = − 3 vf (к ) dVк .
∫ (4.5)
4π V к

76
В выражениях (4.3) - (4.5) с целью сокращения записи опущены
аргументы r , t функции распределения.

4.3. Кинетическое уравнение Больцмана


Вид функции распределения может быть найден путем решения
кинетического уравнения Больцмана. Это уравнение выражает закон
сохранения во времени общего числа частиц и имеет вид
df ∂f ∂f ∂r ∂f ∂к ∂f ∂f
= + + − + = 0. (4.6)
dt ∂t ∂r ∂t ∂к ∂t ∂t R ∂t G
Поскольку
= (F + Fa ) ,
dr dк 1
=v,
dt dt h
где v - скорость электрона; F - внешняя сила; Fa - сила, дейст-
вующая на электрон со стороны нарушения периодичности решетки,
уравнение (4.6) может быть записано следующим образом:
∂f 1 ∂f ∂f  ∂f 
+ v∇f + F ∇ к f − + =  . (4.7)
∂t h ∂t R ∂t G  ∂t  ст
Рассмотрим физический смысл членов этого уравнения.
Член v∇f описывает изменение функции распределения вследст-
вие процессов диффузии электронов под действием градиента концен-
трации или температуры.
Сила F включает воздействие внешних электрических E и маг-
нитных В полей:
[ ]
F = − eE − e v B ,
1
поэтому слагаемое F∇к f отражает изменение функции
h
распределения под действием внешних полей.
Член уравнения
 ∂f  1
  = − Fa ⋅ ∇ к f
 ∂t ст h
называется интегралом столкновений и отвечает за изменение
функции распределения в результате процессов рассеяния.

77
∂f ∂f
Наконец, члены и учитывают изменение функции рас-
∂t R ∂t G
пределения вследствие процессов рекомбинации и генерации. Как было
отмечено выше, эти процессы протекают значительно медленнее про-
цессов рассеяния, поэтому указанные члены при рассмотрении кинети-
ческих явлений не учитываются.
 ∂f 
В стационарном состоянии  = 0  действие внешних сил на
 ∂t 
функцию распределения уравновешивается процессами столкновений:
1  ∂f 
v∇f + F ∇ к f =   .
h  ∂t  ст
После прекращения внешних воздействий столкновения возвра-
щают систему в равновесное состояние:
∂f  ∂f 
=  . (4.8)
∂t  ∂t  ст

4.4. Время релаксации


Вычисление функции распределения в общем случае является
сложной задачей. Эта задача значительно облегчается в тех случаях,
когда отклонение от положения равновесия невелико, так что
f − f 0 = f1 << f 0 . (4.9)
Скорость возврата в равновесное состояние, определяемая уравне-
нием (4.8), зависит от степени отклонения от положения равновесия.
При выполнении условия (4.9) интеграл столкновений можно разложить
в ряд по степеням f1 (к ), ограничившись первым членом:
 ∂f  f − f0
  =− . (4.10)
∂t
 ст τ (к )
Из уравнения (4.10) при этом следует, что
t

τ(к )
(f− f 0 )t = ( f − f 0 )0 e .
Величина τ (к ) называется временем релаксации. Это есть харак-
терное время, за которое функция распределения f (к ) возвращается к

78
своему равновесному значению f0 после прекращения внешних воздей-
ствий, если начальное отклонение от равновесия невелико. При этом
предполагается, что время релаксации не зависит от вида внешнего воз-
действия. Можно показать, что строгое введение времени релаксации
справедливо лишь для упругих столкновений, однако и в других случа-
ях этот метод дает хорошие результаты.
Для изотропного кристалла время релаксации не зависит от на-
правления вектора к и является функцией только его величины, т.е.
функцией энергии.
В приближении времени релаксации кинетическое уравнение имеет
вид
∂f 1 f − f0
+ v ∇f + F ∇ к f = − . (4.11)
∂t h τ (к )

4.5. Дрейф и диффузия носителей заряда


Причинами, вызывающими появление электрического тока в полу-
проводниках, могут быть электрическое и магнитное поля, а также гра-
диент функции распределения. В этом разделе будем считать, что сис-
 ∂f 
тема находится в стационарном состоянии  = 0  , отсутствуют маг-
 ∂t 
( )
нитное поле B = 0 и градиент температуры (∇Т = 0), кристалл являет-
ся изотропным, а закон дисперсии у дна зоны проводимости имеет вид
h 2к 2
E (к ) = Еc + .
2mn*
В соответствии с соотношениями (4.5) и (4.9) для электронного то-
ка можно записать
 
e
jn = − 3  v f 0 (к ) dVк + v f1 (к ) dVк  .
∫ ∫
4π  
Vк Vк 
Первый из интегралов здесь равен нулю, так как в равновесном со-
стоянии ток отсутствует, поэтому
e
jn = − 3 vf1 (к ) dVк .
∫ (4.12)
4π V
к

79
При выполнении условия (4.9) в левой части кинетического урав-
нения (4.11) вместо f может быть использована равновесная функция
распределения f0, что позволяет вычислить неравновесную добавку f1, а
затем и плотность тока:
 1 
f1 ≈ − τ (к )  v∇f 0 + F ∇ к f 0  , (4.13)
 h 
где F = − eE.
Из (4.12) и (4.13) получаем
jn = jn др + jn дифф ,
e2
jn др = −
4 π 3h ∫ τ (к )v (E∇ к f0 ) dVк , (4.14)

e
jn дифф =
4π 3 ∫ τ(к )v (v∇ к f 0 ) dVк . (4.15)

Ток jn др обусловлен движением электронов под действием элек-
трического поля и называется дрейфовым током. Ток jn дифф обуслов-
лен движением электронов под действием градиента функции распре-
деления и называется диффузионным током.
Выполнив кропотливую работу по вычислению интегралов (4.14) и
(4.15), дрейфовый и диффузионный токи электронов можно представить
в следующем виде:
jn др = en µ n E, (4.16)
где µn - дрейфовая подвижность электронов, равная

 ∂f 0 
∫ τ(E ) (E − Ec )
3/ 2
−  dE
2e  ∂E 
Ec
µn = ∞
, (4.17)
3mn*
∫ (E − Ec )
1/ 2
f 0 dE
Ec
jn дифф = eDn∇n, (4.18)
2
где Dn - коэффициент диффузии электронов, см /с, равный

80

∫ τ (E ) (E − Eс )
3/ 2
f 0 dE
2 Ec
Dn = ∞
. (4.19)
3mn*
∫ ( E − Eс )
1/ 2
f 0 dE
0
Таким образом, полный ток электронов может быть записан в виде
jn = enµ n E + eDn∇n . (4.20)
Аналогично может быть вычислен и полный ток дырок:
j p = epµ p E − eD p ∇p , (4.21)
где µр, Dp - соответственно дрейфовая подвижность и коэффициент
диффузии дырок.

4.6. Соотношения Эйнштейна


Коэффициент диффузии и подвижность не являются независимы-
ми между собой величинами. Сравнение выражений (4.17) и (4.19) по-
казывает, что

∫ τ ( E ) ( E − Ec )
3/ 2
f 0 dE
µ Ec
Dn = n ∞
.
e  ∂f 0 
∫ τ ( E ) ( E − Ec )
3/ 2
−  dE
 ∂E 
Ec
Для невырожденного полупроводника
EF − E
∂f 0 f
f0 = e kT , =− 0
∂E kT
и
kT
Dn = µ n
. (4.22)
e
Последнее соотношение называется соотношением Эйнштейна.
Аналогичным образом связаны коэффициент диффузии и подвижность
дырок:

81
kT
Dp = µ p . (4.23)
e

4.7. Механизмы рассеяния


Представим полученное выше выражение для подвижности элек-
тронов (4.17) в виде
e<τ>
µn = , (4.24)
mn*
где

 ∂f 0 
∫ τ ( E ) ( E − Ec )
3/ 2
−  dE
2  ∂E 
Ec
<τ>= ∞
(4.25)
3
∫ (E − Ec )
1/ 2
fdE
0
Из сравнений выражений (1.1) и (4.24) можно заключить, что вели-
чина <τ> играет роль среднего времени релаксации. Однако в отличие
от времени релаксации τ в теории Друде, одинаковом для всех электро-
нов, величина <τ> учитывает различный вклад в подвижность электро-
нов с различными энергиями, поскольку зависит от величины τ(Е), а
интегрирование происходит с весовой функцией (Е – Ес)3/2. Поэтому для
каждого конкретного механизма рассеяния необходимо найти соответ-
ствующую зависимость τ(Е). Нахождение этой зависимости является
основной задачей теории кинетических явлений.
Основными видами нарушений периодичности решетки кристалла,
приводящими к рассеянию электронов и дырок в полупроводниках, яв-
ляются:
1) ионы примеси;
2) тепловые колебания атомов;
3) атомы примеси;
4) вакансии, точечные дефекты;
5) дислокации;
6) электроны и дырки;
7) границы кристалла.
Их роль в рассеянии различна.

82
Рассеяние на границах кри-
сталла играет важную роль лишь
в тонких пленках и в тех случаях, кθк
когда движение носителей заряда Na
происходит в тонком слое вдоль
поверхности полупроводника.
Рассеяние носителей друг на b b
друге не играет существенной
роли, поскольку их взаимодейст-
вие было учтено в периодическом
Рис.4.1. Рассеяние электронов и
потенциале решетки кристалла.
ро а о е а е ора
Дислокации могут сильно влиять на процесс рассеяния, поскольку за-
нимают большие объемы кристалла. Однако при изготовлении прибо-
ров используются полупроводники с малой концентрацией дислокаций,
поэтому их влияние можно не учитывать.
Рассеяние на атомах примеси, вакансиях и точечных дефектах прояв-
ляется лишь при низких температурах, когда концентрация ионизирован-
ных атомов мала, а влияние тепловых колебаний атомов незначительно.
Доминирующими видами рассеивающих центров в рабочем диапа-
зоне температур и концентраций примеси кремниевых приборов явля-
ются ионы примеси и тепловые колебания решетки.

4.8. Рассеяние на ионах примеси


Процесс рассеяния представляет собой искривление траектории
движения носителя заряда под действием сил кулоновского притяжения
или отталкивания между этим носителем и ионом. Подобную задачу
решал Резерфорд при изучении рассеяния α-частиц на ядрах атомов.
Расчет показывает, что в поле иона носитель заряда движется по
гиперболе (рис.4.1). Угол отклонения θ вектора к от своего первона-
чального направления зависит от прицельного расстояния b и скорости
движения носителя заряда. Чем меньше прицельное расстояние и ско-
рость, тем на больший угол происходит отклонение.
Вычисление времени релаксации для данного случая приводит к
зависимости времени релаксации от энергии:
τI(E) ~ E3/2
и к следующему выражению для подвижности:

83
T 3/ 2
µ I = µ0I , (4.26)
NI

где µ0I - некоторая константа, не зависящая от температуры; NI -


концентрация ионов.
Из анализа выражения (4.26) можно заключить следующее.
1. Подвижность обратно пропорциональна концентрации ионов.
Здесь под NI следует понимать суммарную концентрацию ионов донор-
ной и акцепторной примесей. Особенно наглядно это проявляется в
компенсированных полупроводниках, где Na = Nd. Следует также пом-
нить, что величина NI зависит от температуры.
2. Подвижность увеличивается с ростом температуры ~Т 3/2. Это про-
исходит потому, что с повышением температуры возрастает тепловая ско-
рость движения носителей заряда, они меньше времени проводят в поле
иона и отклоняются на меньший угол. Поэтому при рассеянии на ионах
основной вклад в подвижность дают медленные электроны и дырки.

84
4.9. Рассеяние на тепловых колебаниях атомов

Упругие волны в кристалле


При температуре больше абсолютного нуля атомы в кристалле со-
вершают колебания около положения равновесия. Поскольку атомы
связаны друг с другом упругими силами, колебания любого атома пере-
даются соседнему и распространяются по всему кристаллу в виде упру-
гих волн.
Пусть равновесное положение атома характеризуется вектором r ,
а его смещение относительно положения равновесия - вектором R . То-
гда упругую волну смещений можно записать в виде
R = R0 ei (q r + ωt ) , (4.27)
где R0 - смещение атома в узле, принятом за начало координат.
Вектор q упругой волны имеет смысл волнового вектора. Однако,
как и для электронных волн в кристалле, в силу периодичности распо-
ложения атомов вектор q задается не однозначно, а с точностью до
вектора трансляции обратной решетки. Поэтому вектор q правильнее
называть квазиволновым. Для кристалла конечных размеров использо-
вание граничных условий Борна - Кармана приводит к дискретности
вектора q . Для одномерного кристалла, состоящего из цепочки N оди-
наковых атомов длиной L = Na, где a - параметр решетки, волновой
вектор может принимать значения

qn = ± n, (4.28)
Na
где n - целое число.
Условие (4.28) означает, что на длине кристалла L = Na укладыва-
ется целое число длин волн. Число физически различных волновых век-
торов q равно N - числу атомов в кристалле, и все они расположены в
пределах первой зоны Бриллюэна.
Аналогично тому, как в зонной теории энергия электрона зависит
от волнового вектора к , частота упругих волн ω зависит от волнового
вектора q . Вид закона дисперсии ω(q ) определяется структурой кри-

85
сталла. Для атомной цепочки с одним базисным атомом в элементарной
ячейке существует только одна зависимость ω(q), которая соответствует
так называемым акустическим колебаниям.
Для атомной цепочки с двумя базисными атомами в элементарной
ячейке существуют акустическая и оптическая ветви закона диспер-
сии (рис.4.2).
При q → 0, когда длина волны λ >> a, волны "не чувствуют" дис-
кретности кристалла, для них применимо приближение сплошной сре-
ды. В этой области акустическая ветвь описывает обычные звуковые
волны, для которых закон дисперсии имеет вид
ω = v зв q ,
где vзв - скорость звука.
Наибольшая частота колебаний в акустической ветви соответству-
ет величине порядка 5⋅1012 Гц. Отметим, что при акустических колеба-
ниях оба базисных атома в элементарной ячейке движутся в одном на-
правлении (в одной фазе), как и атомы в соседних ячейках (рис.4.3,а).
Верхняя ветвь закона дисперсии соответствует частотам порядка
1013 Гц и называется оптической, поскольку эти частоты лежат в опти-
ческом диапазоне волн. При оптических колебаниях соседние атомы
движутся в противофазе (рис.4.3,б).
В трехмерных кристаллах колебания атомов носят более сложный
характер. В кристалле с одним базисным атомом в элементарной ячейке
существуют только акустические колебания. При этом каждому вектору
q соответствуют три колебания - одно продольное и два поперечных.
В кристалле с s базисными атомами в элементарной ячейке имеют-
ω
2

а
1

б
−π/a π/a q

Рис.4.2. Закон дисперсии для


атомной цепочки с двумя базис- Рис.4.3. Смещение атомов от их
ными атомами: 1 – акустическая равновесных положений при акусти-
ческих (а) и оптических (б) колеба-
86
ся три ветви акустических колебаний, при которых все атомы одной
элементарной ячейки движутся как одно целое, и 3(s–1) оптические вет-
ви, соответствующие различным вариантам колебаний атомов внутри
одной ячейки.

Фононы
Сопоставим каждой из упругих волн (4.27) с частотой ω и волно-
вым вектором q некоторую квантовую частицу с энергией E = ħω и
импульсом pф = hq , которая называется фононом. Таким образом, фо-
нон - это квант колебательного движения решетки. Энергию колеб-
лющейся решетки теперь можно представить в виде суммы энергий фо-
нонов, т.е. в виде энергии фононного газа.
Фононы не имеют спина и подчиняются статистике Бозе - Эйн-
штейна. Среднее число фононов nф в состоянии с энергией ħω опреде-
ляется функцией распределения
1
nф = . (4.29)

−1
e kT
Изменение числа фононов означает изменение энергии решетки,
которая, таким образом, может изменяться только квантами. С повыше-
нием температуры число фононов и энергия решетки растут. При высо-
ких температурах kТ >> ħω, и число фононов прямо пропорционально
температуре:
kT
nф = .

Поскольку в кристалле могут существовать как акустические, так и
оптические колебания, можно говорить об акустических и оптических
фононах. Энергия оптических фононов ħωопт существенно больше энер-
гии акустических фононов, поэтому при низких температурах, когда
kТ << ħωопт, оптические фононы практически отсутствуют. При высоких
температурах образуется большое число как акустических, так и опти-
ческих фононов.
Следует отметить, что фононы относятся к категории квазичастиц.
Они описывают коллективное движение всех атомов кристалла. Поэто-
му фононы существуют только внутри кристалла и не могут его поки-
нуть подобно, например, электрону или атому.

87
Температурная зависимость подвижности
при рассеянии на фононах
Использование представления о фононах очень удобно при изуче-
нии рассеяния электронов на тепловых колебаниях решетки. Взаимо-
действие электрона с упругой волной можно рассматривать как столк-
новение между электроном и фононом. При этом должны выполняться
законы сохранения энергии и импульса:
E (к ′) = E (к ) ± hω ;
hк ′ = hк ± hq ,
где к , к ′ - квазиволновые векторы электрона до и после столкнове-
ния.
Говорят, что электрон испускает фонон, теряя энергию при столк-
новении, и поглощает фонон, приобретая энергию.
Строгий вывод выражения для времени релаксации при рассеянии
носителей заряда на фононах связан с громоздкими вычислениями. При
этом результат зависит от вида связи атомов в кристалле. Для полупро-
водников с ковалентными связями (Ge, Si) основным механизмом явля-
ется рассеяние на акустических фононах. При таком рассеянии время
релаксации убывает с ростом энергии по закону τ(Е) ~ E–1/2, поэтому
наибольший вклад в рассеяние вносят наиболее быстрые носители заря-
да. С повышением температуры число фононов возрастает и увеличива-
ется вероятность столкновения, что приводит к следующему выраже-
нию для подвижности:
µ т = µ тоТ −3 / 2 ,
где µто - константа.
В полупроводниковых соединениях типа А3В5, в которых связь
между атомами носит частично ионный характер, свободные электроны
гораздо сильнее взаимодействуют с оптическими фононами, чем с аку-
стическими. В этом случае
µ т = µ тоТ −1 / 2 .

4.10. Комбинированное рассеяние


Пусть в полупроводнике действуют одновременно и независимо
друг от друга несколько механизмов рассеяния, каждый из которых ха-
рактеризуется своим временем релаксации τi. Поскольку вероятность

88
рассеяния электрона на дефекте обратно пропорциональна соответст-
вующему времени релаксации, а вероятности независимых событий
складываются, при комбинированном рассеянии результирующее время
релаксации определится выражением
1 1
τ
=
τi
. ∑ (4.30)
i
Если время релаксации не зависит от энергии, то из выражений
(4.17) и (4.30) следует, что и результирующая подвижность может быть
получена подобным же образом:
1 1
µ
=
µi
. ∑ (4.31)
i
Поскольку для большинства механизмов рассеяния время релакса-
ции зависит от энергии, использование соотношения (4.31) может дать
значительную погрешность. Тем не менее на практике обычно исполь-
зуют формулу (4.31) для нахождения подвижности при рассеянии элек-
тронов на ионах примеси и фононах:
1 1 1
= + = C1T 3 / 2 + C2T −3 / 2 , (4.32)
µ µ I µT
где С1, С2 - константы, не зависящие от температуры.
Как следует из выражения (4.32), зависимость µ(Т) проходит через
максимум, положение которого зависит от концентрации примеси
106
1
Подвижность, см2/В⋅с

Подвижность, см2/В⋅с

105 1 104

2
104 2 3
103
103
3
102 102
1 10 102 103 10 102 103
Температура, К Температура, К
а) б)

Рис.4.4. Зависимость подвижности электронов () и дырок (- - -) в кремнии (а)


и арсениде галлия (б) для различных концентраций примеси:
Si: 1 - Nd = 4⋅1013 см–3; 2 - Nd - 1,3⋅1017 см–3; 3 - Na - 2⋅1017 см–3;
15 3 16 3 16 3

89
(рис.4.4). При низких температурах преобладает рассеяние на ионах
примеси, которое сменяется рассеянием на фононах при больших тем-
пературах. Таким образом, можно считать, что в рабочем диапазоне
температур как кремниевых, так и арсенид-галлиевых приборов под-
вижность убывает с ростом температуры. Однако, как показывает экс-
перимент, реальная зависимость µ(Т) в этой области отличается от тео-
ретической. В кремнии µn(Т) изменяется по закону ~Т –2,42, а µp(T) ~ Т –2,2,
в арсениде галлия µn(T) ~ T –1, µp(T) ~ T –2,1.

4.11. Зависимость подвижности от электрического


поля
Рассмотрим эту зависимость для электронов, хотя все сказанное
будет относиться в равной мере и к дыркам.
Линейная зависимость дрейфовой скорости электронов от элек-
трического поля
vd = µn E (4.33)
хорошо выполняется лишь в слабых электрических полях. В крем-
нии при комнатной температуре она справедлива лишь в полях
E < 103 В/см. При больших полях наблюдается отклонение от линейной
зависимости, и при E ~ 104 В/см дрейфовая скорость насыщается:
vd = vds ≅ 107 см/с (рис.4.5). Причина этого явления заключается в
следующем.
В слабых электрических полях
энергия, приобретаемая электрона-
ми от электрического поля, переда-
107
ется решетке в основном за счет
столкновений с ионами и акустиче-
скими фононами. Эти столкнове- 106
ния можно считать почти упруги-
ми, поэтому энергия электронов 105 2
после столкновений мало изменя- 10 103 104 105 106
ется. С ростом поля энергия элек- E, В/см
тронов увеличивается и может ока-
заться выше своего термодинами- Рис.4.5. Зависимость дрейфовой
чески равновесного значения <Е>, скорости электронов () и дырок (- - -
определяемого температурой ре- ) в кремнии от электрического поля

90
шетки кристалла

mn* vT2 3
<E>= = kT .
2 2
В этом случае говорят о разогреве электронного газа. Мерой разо-
грева служит так называемая электронная температура Те, которую
можно ввести выражением

mn* v 2 3
= kTe ,
2 2
где v = vT + v d - скорость электрона.
Отклонение от линейной зависимости (4.33) наступает, когда
дрейфовая скорость достигает величины 0,1vT
v d = 0,1 vT = µ n Eкр .

Для кремния с µn = 1500 см2/В⋅с и vT ≈ 107 см/с это происходит при


критическом поле
0,1 v т
Eкр = ~ 103 В/см.
µn
В сильных полях вступает в действие процесс неупругого рассея-
ния на оптических фононах. Будем считать, что при каждом столкнове-
нии, происходящем со средней частотой 1/τ, электрон теряет энергию
ħωопт за счет испускания оптического фонона. Тогда из законов сохра-
нения энергии и импульса имеем
hωопт m* v
eE v = , eE = n ,
τ τ
откуда
hωопт
v = v ds = .
mn*
Полагая для кремния ωопт ≈ 5⋅1013 Гц и m n* = m, получаем
7
vds ≅ 10 см/с.
При еще больших электрических полях ( E ~ 105 − 107 В/см) на-
блюдаются процессы ударной ионизации и туннельного эффекта, при-
водящие к изменению концентрации носителей заряда. В полупровод-

91
никовых приборах эти явления вызывают лавинный и полевой пробои
p-n перехода.

5. Рекомбинация электронов и дырок

5.1. Неравновесные электроны и дырки


В состоянии термодинамического равновесия в полупроводнике
электроны могут переходить на более высокие энергетические уровни, в
результате чего появляются сво-
бодные электроны и дырки в г
(рис.5.1). В этом случае говорят о
процессах тепловой генерации.
Скорости тепловой генерации
электронов gn0 и дырок gр0 опреде-
ляются как число носителей, воз- б д е
а
никающих в единицу времени в
единице объема.
Наряду с процессами генера-
ции идут обратные процессы пере- Рис.5.1. Процессы генерации,
хода электронов и дырок на более рекомбинации и захвата в
низкие энергетические уровни. Ес- полупроводнике: генерация пары
ли при этом исчезает пара свобод- электрон-дырка а; рекомбинация
ных носителей электрон-дырка, то пары электрон-дырка б; захват
электрона в; генерация электрона г;
говорят о процессе рекомбинации,
если исчезает только один из видов носителей заряда, - о захвате элек-
трона или дырки (см. рис.5.1).
Процессы рекомбинации и захвата характеризуются суммарными
скоростями рекомбинации электронов rn и дырок rр, определяемыми как
число носителей, исчезающих в единицу времени в единице объема.
В состоянии теплового равновесия действует принцип детального
равновесия. Он гласит, что скорости прямых и обратных процессов
равны в деталях. Это означает, что равны скорости прямых и обратных
переходов не только для всей совокупности состояний, но и между лю-
быми физическими малыми группами состояний. Схематически этот
принцип иллюстрирует рис.5.2, на котором длины стрелок приняты
равными скоростям переходов между состояниями.

92
1 1 Применительно к рассматривае-
мым процессам это означает, что если,
2 2 например, происходит процесс захвата
электронов из зоны проводимости на
3 3 какой-либо уровень E1 в запрещенной
а) б) зоне, то скорость захвата будет в точ-
ности равна скорости генерации (эмис-
сии) электронов с этого уровня обрат-
Рис.5.2. Прямые и обратные
но в зону проводимости.
переходы между группами со-
стояний: а - недетальное равно- В силу сказанного в состоянии
весие; термодинамического равновесия вы-
полняются условия
rn0 = g n0 ;

rp 0 = g p 0 ,

и в полупроводнике устанавливаются равновесные концентрации


электронов n0 и дырок p0.
Термодинамическое равновесие может быть нарушено внешним
воздействием, например, освещением. При этом происходит дополни-
тельная к тепловой генерация носителей внешним фактором, характери-
зуемая скоростями Gn и Gp, так что результирующие скорости генера-
ции будут равны:
gn = Gn + g n0 ;

gр = Gp + g p 0 . (5.1)

В условиях постоянства внешнего воздействия устанавливается


равновесие существующих в этот момент процессов генерации и ре-
комбинации:
rn = gn; (5.1 а)
rp = gp. (5.1 б)
Концентрации электронов n и дырок p в этих условиях называются
неравновесными, а величины ∆n = n – n0, ∆p = p – p0 - избыточными
концентрациями. В силу условия электронейтральности в большинст-
ве случаев (но не всегда) ∆n = ∆p.

93
Отношение величины избыточной концентрации неосновных но-
сителей к величине равновесной концентрации основных носителей
называется уровнем инжекции z:
 ∆n
 p для полупроводника p-типа;
z= 0
∆p
 для полупроводника n-типа .
 n0
Различают низкий (z << 1), высокий (z >> 1) и средний (z ~ 1) уров-
ни инжекции.
Выражения для концентраций электронов и дырок, полученные в
главе 3, в неравновесных условиях неприменимы, поскольку в системе
отсутствует единый уровень Ферми. Однако если рассмотреть отдельно
электронный и дырочный газы, то для каждого из них можно формаль-
но ввести свой уровень Ферми - квазиуровень Ферми E F для элек-
n

тронов и квазиуровень Ферми E F для дырок. Введение квазиуровней


p

Ферми оказывается возможным потому, что процессы установления рав-


новесных функций распределения электронов и дырок обусловлены бы-
стрыми внутризонными процессами рассеяния (релаксации) и происходят
без изменения концентраций частиц, в то время как изменение концен-
траций происходит существенно медленнее вследствие межзонных про-
цессов рекомбинации - генерации (см. главу 4). В этом случае распреде-
ления электронов и дырок по энергиям можно получить, подставив в рав-
новесные функции распределения вместо уровня Ферми соответствую-
щий квазиуровень Ферми. В частности, в отсутствие вырождения
EF − Е
n

f (E ) = e kT ;
E − EF
p

f p (E ) = e kT ,

что приводит к следующим выражениям для концентраций элек-


тронов и дырок:

94
Ec − E F
n

n = n0 + ∆n = N c e kT ;

EF − Ev
p

p = p0 + ∆p = Nve kT ;

EF − EF
n p

n⋅ p = ni2 e kT .

Таким образом, разность квазиуровней Ферми электронов и дырок


характеризует степень отклонения системы от положения равновесия. В
равновесном состоянии
EF = EF = EF ;
n P

n⋅p = ni2.

5.2. Уравнения непрерывности


В неравновесных условиях концентрации электронов и дырок мо-
гут изменяться не только в результате процессов рекомбинации и гене-
рации, но также вследствие диффузии и дрейфа носителей. Уравнение,
которое описывает изменение концентрации носителей заряда в резуль-
тате всех этих процессов, может быть получено путем интегрирования
кинетического уравнения Больцмана (4.7):

∂f 1 ∂f ∂f  ∂f 
+ v∇f + F ∇ к f − + =  .
∂t h ∂t R ∂t G  ∂t  ст

1
Умножим все члены уравнения (4.7) на множитель и проин-
4 π3
тегрируем их по 1-й зоне Бриллюэна. С учетом (4.2) получаем

95
 
1 ∂f ∂ 1  ∂n
3
4π V ∂t ∫
dVк = 
∂t  4π 3


fdVк  =
∂t
.
к  Vк 
Аналогично с учетом (4.5) имеем
 
1 1  e   1
4π 3 ∫v∇ fdVк = − ∇


 −
e  4π  3

 vfdV ∫
к  = − ∇jn .
e
Vк  Vк 
При интегрировании третьего члена уравнения, используя теорему
Остроградского - Гаусса, перейдем от интеграла по объему зоны Брил-
люэна Vк к интегралу по ее поверхности Sк:

F ∇ к fdVк = 3 ∫ ∇ к (F f )dVк = 3 ∫ F f (к s )dS к ,


1 1 1
4π h ∫
3
(5.2)
4π h 4π h
Vк Vк Sк

где к s - значение вектора к на поверхности зоны Бриллюэна.


Полагаем, что минимум энергии в зоне проводимости находится в
центре зоны Бриллюэна: к = 0. Функция распределения f (к ) быстро
убывает с ростом к, поэтому можно считать, что f (к s ) → 0, а вместе с
ней и интеграл (5.2).
Интегрирование членов уравнения, связанных с рекомбинацией и
генерацией, дает

1  ∂f   ∂f    ∂n   ∂n 
4π 3 ∫  ∂t G −  ∂t  R  dVк =  ∂t G −  ∂t  R = g n − rn .

Наконец, интегрируя последний член, отвечающий за рассеяние


носителей заряда, имеем

1  ∂f   ∂n 
4π 3 ∫  ∂t  ст dVк =  ∂t  ст = 0 ,

поскольку процессы рассеяния не изменяют концентрацию носите-


лей заряда.
Таким образом, получаем

96
∂n 1
= g n − rn + ∇j n . (5.3)
∂t e
Уравнение (5.3) называется уравнением непрерывности для
электронов. Таким же способом может быть получено уравнение не-
прерывности для дырок:
∂p 1
= g p − r p − ∇j p . (5.4)
∂t e

5.3. Время жизни


Выражение для разности скоростей генерации и рекомбинации с
учетом (5.1) можно записать следующим образом:
g n − rn = Gn − (rn − g n0 ) = Gn − R n ,

где
Rn = rn − g n0 . (5.5)

Величина Rn определяет превышение скорости рекомбинации над


скоростью тепловой генерации и также называется скоростью рекомби-
нации. В отличие от rn величина Rn может быть малой при малом откло-
нении от положения равновесия (низком уровне инжекции) и равна ну-
лю в состоянии термодинамического равновесия.
Аналогично получаем
g p − rp = G p − R p ,

где
R p = rp − g p 0 . (5.6)

При низком уровне инжекции (z << 1), когда избыточная концен-


трация мала: ∆n << n0, p0, можно разложить величины Rn и Rp в ряд по
∆n = ∆p, ограничившись линейным членом:
∆n n − n0
Rn = = ; (5.7а)
τn τn

97
∆p p − p0
Rp = = . (5.7б)
τp τp

Величины τn и τp называются временами жизни электронов и


1 1
дырок. Согласно формулам (5.7) величины и определяют веро-
τn τp
ятности исчезновения одного избыточного электрона и одной дырки в
единицу времени вследствие рекомбинации.
С другой стороны, из сравнения формул (5.5) - (5.7) следует, что
n0
g n0 = , (5.8а)
τn

p0
g p0 = . (5.8б)
τp

Следовательно, величины τn и τp определяют также и скорости те-


пловой генерации электронов и дырок.
Если процесс рекомбинации сопровождается захватом носителей
заряда локальными уровнями в запрещенной зоне, времена жизни элек-
тронов и дырок могут не совпадать.
Пусть за счет генерации внешним фактором, например светом, в
момент времени t = 0 в полупроводнике возникли в равном количестве
избыточные электроны и дырки: ∆n(0) = ∆p(0). Предположим, что ток
отсутствует, реализуется низкий уровень инжекции, а захваты электро-
нов и дырок на локальные уровни в запрещенной зоне происходят неза-
висимо друг от друга. Изменения концентраций электронов и дырок
после прекращения внешнего воздействия описываются уравнениями
непрерывности (5.3) и (5.4):
dn d∆n ∆n
= =− ; (5.9)
dt dt τn

dp d∆p ∆p
= =− . (5.10)
dt dt τp

Решения уравнений (5.9) и (5.10) имеют вид

98
t

∆n(t ) = ∆n(0)e τn
;

t

τp
∆p(t ) = ∆p(0 )e .

Таким образом, избыточные концентрации электронов и дырок ре-


лаксируют независимо друг от друга с временами жизни τn и τp. Так как
в общем случае τn ≠ τp, может создаться впечатление, что происходит
нарушение условия электронейтральности, так как ∆n(t) ≠ ∆p(t). Однако
это не так, поскольку необходимо учитывать заряд ∆nt, захваченный
локальными уровнями, поэтому уравнение электронейтральности нуж-
но записать в виде
∆n + ∆nt = ∆p. (5.11)
Поскольку электроны и дырки рекомбинируют парами, скорости
изменения избыточных концентраций электронов и дырок равны. Тогда
из (5.9) и (5.10) с учетом (5.11) следует
∆n ∆n + ∆nt
= ,
τn τp

откуда
 ∆n 
τ p = τ n 1 + t  ,
 ∆n 
т.е. времена жизни электронов и дырок не равны друг другу. Только
в условиях, когда захваченным зарядом можно пренебречь: ∆nt << ∆n,
можно говорить о равенстве времен жизни электронов и дырок, т.е. о
времени жизни пары электрон-дырка:
τn = τp = τ,
при этом
t

∆n(t ) = ∆p(t ) = ∆n(0)e τ .

Можно показать, что время жизни τ есть время между генерацией


носителя и его рекомбинацией, усредненное по всем носителям. Дейст-

99
∆n
вительно, в интервале времени (t, t + dt) исчезает (− d∆n ) =dt час-
τ
тиц, просуществовавших в течение времени t. Среднее время жизни
можно найти, если просуммировать времена жизни всех прорекомбини-
ровавших частиц t (− d∆n ) и разделить сумму на начальную концентра-
цию ∆n(0):
∞ ∞ ∞
1 t  t t
t (− d∆n ) = τ   exp −
∫ ∫ d   = τ ∫ ye
−y
dy = τ .
∆n(0) τ
   τ  τ
0 0 0

Используя понятие времени жизни и учитывая выражения (5.7),


уравнения непрерывности (5.4) и (5.5) можно записать в виде
∂n ∆n 1
= Gn − + ∇jn ; (5.12)
∂t τn e

∂p ∆p 1
= Gp − − ∇j p . (5.13)
∂t τp e

Входящие в эти уравнения времена жизни τn и τp постоянны толь-


ко при низком уровне инжекции. При среднем и высоком уровнях ин-
жекции скорости рекомбинации Rn и Rp уже нельзя представить в виде
(5.7), поскольку ряд по степеням ∆n расходится. Однако формально
можно записать:
∆n(t )
τn = ; (5.14а)
Rn (t )

∆p (t )
τp = , (5.14б)
R p (t )

приняв эти выражения за определение мгновенных времен жизни.


Это позволяет сохранить запись уравнений непрерывности в виде
(5.12), (5.13). Следует только помнить, что в общем случае времена
жизни в этих уравнениях могут зависеть от времени, а сами уравнения
становятся нелинейными.

100
5.4. Механизмы рекомбинации
Механизмы рекомбинации можно классифицировать как по виду
перехода электрона из зоны проводимости в валентную зону, так и по
способу передачи энергии рекомбинирующих частиц.
Механизмы перехода электрона из зоны проводимости в ва-
лентную зону:
1) прямая рекомбинация;
2) рекомбинация через ловушки;
3) поверхностная рекомбинация.
В первом случае частицы рекомбинируют в результате непосред-
ственной встречи свободных электрона и дырки. На зонной диаграмме
это соответствует переходу электрона из зоны проводимости непосред-
ственно на свободный уровень в валентной зоне, поэтому прямая ре-
комбинация называется также межзонной.
Рекомбинация через ловушки связана с наличием разрешенных
энергетических уровней в запрещенной зоне. Такие уровни возникают в
результате нарушения периодической структуры кристалла примесны-
ми атомами, вакансиями, точечными дефектами, дислокациями и т.д.
Локальные состояния в запрещенной зоне могут захватывать свободные
носители заряда, поэтому их называют ловушками. При рекомбинации
через ловушки происходит захват, напри-
E мер, сначала электрона, а потом дырки
(рис.5.3). При этом исчезает пара свобод-
а ных носителей заряда. Процесс рекомби-
нации можно трактовать и как переход
E электрона из зоны проводимости сначала
на уровень ловушки, а затем с уровня ло-
вушки в валентную зону.
б Эффективность рекомбинации через
ловушки зависит от их вида и положения
уровня ловушки внутри запрещенной зо-
E
ны (рис.5.4). Захват электронов на мелкие
донорные уровни Еd сопровождается
практически мгновенной термической
Рис.5.3. Процесс реком- ионизацией их обратно в зону проводимо-
бинации через ловушки: за- сти. Поэтому мелкие донорные (и акцеп-

101
торные) уровни на процесс рекомбина-
ции практически не влияют, а лишь
определяют равновесные концентрации
электронов и дырок.
Вероятность захвата электрона
уровнем Et1 много больше вероятности
захвата дырки. Энергия ионизации та-
кого уровня не очень велика, но и не
настолько мала, чтобы уровень ионизо-
вался "мгновенно". Электрон, захва- Рис.5.4. Энергетические
ченный таким уровнем, некоторое вре- уровни в запрещенной зоне
мя находится на нем (как бы "ждет" полупроводника. Условные
дырку, чтобы рекомбинировать с ней), обозна-чения: Ed, Ea - мелкие
а затем вновь возвращается в зону про- донорный и акцепторный уров-
ни; E , Et2 - уровни прилипания;
водимости, если не происходит захвата E - t1рекомбинационный уро-
t
дырки. Такой уровень называется
уровнем прилипания электронов. Уровень E t 2 , расположенный ближе
к валентной зоне, может быть уровнем прилипания дырок. Характерная
особенность уровней прилипания состоит в том, что они взаимодейст-
вуют в основном только с одной зоной: либо с зоной проводимости,
либо с валентной зоной.
Уровень Еt (см. рис.5.4) расположен близко к середине запрещен-
ной зоны. Он достаточно хорошо взаимодействует как с валентной зо-
ной, так и с зоной проводимости, вероятности захвата электронов и ды-
рок на него близки по величине. Такие глубокие уровни называют цен-
трами рекомбинации или рекомбинационными ловушками. Наличие в
полупроводнике примеси, создающей рекомбинационные центры, резко
уменьшает время жизни. Типичным примером служит золото, которое
специально вводят в кремний для уменьшения времени жизни, напри-
мер, при изготовлении быстродействующих диодов. Наоборот, если
нужно получить полупроводник с большим временем жизни, его необ-
ходимо очистить от примесей, дающих глубокие уровни в запрещенной
зоне.
Рекомбинация, происходящая через локальные поверхностные
уровни, выделяется в особый вид - так называемую поверхностную
рекомбинацию. Плотность поверхностных уровней зависит от состоя-
ния поверхности и наличия на ней пленки окисла. Эффективность
поверхностной рекомбинации характеризуется скоростью
поверхностной рекомбинации, определяемой как количество носителей

102
рекомбинации, определяемой как количество носителей в единице объ-
ема полупроводника, рекомбинирующих в единицу времени на единице
поверхности.
Скорость поверхностной рекомбинации изменяется в больших
пределах. Типичные значения для кремния составляют 102 - 104 см/с и
более. На омическом контакте полупроводника с металлом скорость
поверхностной рекомбинации принимается равной бесконечности, а
избыточная концентрация - равной нулю.
Механизм передачи энергии рекомбинирующих частиц. При
рекомбинации электрон переходит с высокого энергетического уровня
на более низкий. При этом должны выполняться законы сохранения
энергии и квазиимпульса:
( )
E (к ) + E p к p = δE ; (5.15)

hк + hк p = δp , (5.16)

( )
где E (к ) , hк , E p к p , hк p - соответственно энергия и квазиим-
пульс электрона и дырки; δE - энергия, выделяемая при рекомбинации;
δp - изменение квазиимпульса при переходе.
Как следует из выражений (5.15), (5.16), законы сохранения тре-
буют участия в рекомбинации, кроме электрона и дырки, по крайней
мере, еще одной частицы, забирающей на себя энергию рекомбинации и
разность квазиимпульсов. Наибольший интерес представляют процессы
с передачей энергии фотонам, фононам, свободным электронам и дыр-
кам. Это позволяет выделить следующие основные типы рекомбинации.
Излучательная или фотонная рекомбинация играет важную
роль в полупроводниках, у которых экстремумы в валентной зоне и зо-
не проводимости расположены при одном значении квазиволнового
вектора к (рис.5.5,а). Такие полупроводники называют прямозонными.
К ним относятся, например, GaAs, InP, InAs, InSb, имеющие экстрему-
мы зон при значении к = 0.
При излучательной рекомбинации энергия выделяется в виде кван-
тов электромагнитного излучения, т.е. передается фотонам. При этом
легко выполняется закон сохранения энергии, поскольку всегда найдет-
ся фотон с энергией ħω = δЕ. С другой стороны, поскольку импульс
фотона близок к нулю, в излучательной рекомбинации могут принять
участие только электроны и дырки, имеющие практически равные по

103
модулю и противоположно направ-
ленные квазиимпульсы. На энерге-
тической диаграмме это соответст- E
вует вертикальному переходу зона-
зона (см. рис.5.5,а).
При невертикальном переходе
(см. рис.5.5,б) в процессе а) б)
излучательной рекомбинации
необходимо участие еще одной
частицы, например фонона, Рис.5.5. Вертикальный (а) и не-
вертикальный (б) переходы при пря-
который обеспечит выполнение
зиимпульса.
закона сохранения
Однако квазиимпульса.
рекомбинация с участием четырех частиц (электро-
на, дырки, фотона и фонона) имеет значительно меньшую вероятность.
С увеличением концентрации носителей заряда вероятность излу-
чательной рекомбинации растет. Поэтому ее легче наблюдать в полу-
проводниках с узкой запрещенной зоной и при высоких температурах.
Фононная рекомбинация является одним из видов безызлуча-
тельной рекомбинации, при которой выделяющаяся энергия передается
непосредственно решетке. Основная трудность интерпретации фонон-
ной рекомбинации заключается в том, что энергия, выделяющаяся при
захвате на ловушку или при переходе зона-зона, не может быть погло-
щена одним фононом. Для этого требуется 10 и более фононов, что де-
лает такой процесс чрезвычайно маловероятным.
Фононную рекомбинацию объясняет модель каскадного испуска-
ния фононов. Согласно ей каждый примесный центр приводит к появ-
лению в запрещенной зоне целой серии уровней - основного (наиболее
глубокого) и нескольких более мелких, соответствующих возбужден-
ному состоянию примеси. При рекомбинации электрон (или дырка)
первоначально захватывается на возбужденный уровень, расположен-
ный вблизи края запрещенной зоны. При этом испускается один фонон.
Затем следует каскадный процесс однофононных переходов на более
низкие уровни, в результате которых захваченный электрон переходит в
основное состояние. Таким образом, энергия рекомбинации разбивается
на порции, и обеспечивается выполнение закона сохранения энергии.
Фононная рекомбинация наблюдается в не сильнолегированных
полупроводниках.
Ударная рекомбинация, или рекомбинация Оже, является про-
цессом, обратным ударной ионизации. При этом механизме рекомбина-
ции выделяющаяся энергия передается свободному носителю, который

104
в данный момент находится вблизи рекомбинирующей пары: электрону
(в электронных полупроводниках) или дырке (в дырочных полупровод-
никах). Этот носитель резко увеличивает свою энергию, т.е. становится
"горячим". "Горячий" электрон быстро отдает свою энергию решетке,
создавая фононы. Очевидно, что вероятность встречи в одной точке
трех свободных носителей заряда возрастает при увеличении их кон-
центрации, поэтому ударная рекомбинация проявляется обычно в силь-
нолегированных полупроводниках и при высоких уровнях инжекции.
Ей способствует также увеличение температуры и уменьшение ширины
запрещенной зоны полупроводника.
Сочетание двух видов перехода из зоны проводимости в валент-
ную зону и трех видов передачи энергии рекомбинирующих частиц по-
рождает девять возможных вариантов рекомбинации, из которых наи-
больший интерес представляют: прямая излучательная рекомбинация,
прямая рекомбинация Оже и фононная рекомбинация через ловушки.

5.5. Прямая излучательная рекомбинация


При прямой излучательной рекомбинации испускаются фотоны с
энергией, примерно равной ширине запрещенной зоны полупроводника.
Скорость такой рекомбинации пропорциональна произведению концен-
траций электронов и дырок:
r = γnp,
где γ - коэффициент излучательной рекомбинации, зависящий от
структуры энергетических зон и температуры.
В условиях теплового равновесия согласно принципу детального
равновесия процесс излучательной рекомбинации уравновешивается
процессом оптической (темновой) генерации электронно-дырочных пар,
поэтому скорости рекомбинации и генерации равны:
r0 = γn0p0 = g0.
В неравновесных условиях скорость рекомбинации R = Rn = Rp, со-
гласно (5.5) и (5.6), определяется выражением
R = r − g 0 = γ (np − n0 p0 ) . (5.17)

105
Подставляя в (5.17) n = n0 + ∆n, p = p0 + ∆p и полагая в силу усло-
вия электронейтральности ∆n = ∆p, получаем
R = γ∆n (n0 + p0 + ∆n ) .

Согласно определению времени жизни (5.14), находим


∆n 1
τ= = . (5.18)
R γ (n0 + p0 + ∆n )

При низком уровне инжекции ∆n << (n0 + p0), и выражение (5.18)


примет вид
1
τ= . (5.19)
γ (n0 + p0 )

Как следует из (5.19), с ростом концентрации основных носителей


заряда время жизни при излучательной рекомбинации убывает. Наи-
большее время жизни наблюдается в собственном полупроводнике
(n0 = p0 = ni):
Eg
1 1 −
τi = = e 2kT .
2γni 2 γN c N v

Величина τi зависит от ширины запрещенной зоны полупроводни-


ка и увеличивается с ростом температуры. При этом время жизни в
прямозонных полупроводниках (GaAs, InAs, InSb) оказывается сущест-
венно меньше, чем в непрямозонных (Ge, Si) (табл.5.1).
Таблица 5.1
Время жизни при излучательной рекомбинации
для некоторых полупроводников при Т = 300 К
Полупро- Eg, эВ τi
водник

106
GaAs 1,42 9⋅10–3 c
InAs 0,31 1,5⋅10–5 c
InSb 0,18 6,2⋅10–7 c
Si 1,12 ~3ч
Ge 0,66 0,43 c

107
Экспериментально наблюдаемые времена жизни в Ge, Si, GaAs со-
ставляют величины < 10–4 c, следовательно, прямая излучательная ре-
комбинация не играет в этих полупроводниках большой роли.
В то же время присутствие излучательной рекомбинации в любом
самом чистом полупроводнике принципиально ограничивает макси-
мально возможное время жизни в данном полупроводнике.

5.6. Прямая рекомбинация Оже


Межзонная ударная рекомбинация, или прямая рекомбинация Оже,
представляет собой процесс, обратный явлению ударной ионизации.
Обычно ударную ионизацию связывают с явлениями в сильных элек-
трических полях. Но даже в условиях теплового равновесия в полупро-
воднике имеется некоторое количество свободных носителей заряда,
обладающих кинетической энергией, достаточной для ударной иониза-
ции. Принцип детального равновесия требует, чтобы процесс рекомби-
нации Оже уравновешивался процессом генерации быстрых носителей
заряда, способных вызвать ударную ионизацию.
Рекомбинация Оже состоит из двух различных процессов, идущих
параллельно. Один включает электрон-электронные столкновения, а
другой - столкновения между дырками (рис.5.6).
В результате столкновения двух электронов в состояниях 1 и 2 (см.
рис.5.6,а) один из электронов переходит в валентную зону в состояние
1', т.е. рекомбинирует с дыркой, а второй электрон, поглотив энергию
рекомбинации, переходит в состояние 2'.
Процесс ударной ионизации "горячим" электроном сопровождает-
ся появлением пары электрон-дырка в состояниях 1 и 1' (см. рис.5.6,б).
Аналогичные процессы происходят при столкновении дырок (см.
рис.5.6,в) и ударной ионизации "горячей" дыркой (см. рис.5.6,г).
Поскольку при низком уровне инжекции концентрация основных
носителей заряда значительно превышает концентрацию неосновных, в
полупроводнике n-типа определяющую роль играют столкновения элек-
тронов, а в полупроводнике p-типа - столкновения дырок.
Согласно зонной теории электроны движутся в кристалле, не стал-
киваясь друг с другом, поскольку энергия их кулоновского взаимодей-
ствия уже учтена в периодическом потенциале решетки. Поэтому задача
о вероятности переходов Оже решается квантовомеханическими мето-
дами теории возмущений с явным учетом кулоновского взаимодействия

108
2' 2'

1 2 1 2 1' 1'
Ec

E
1' 1' 1 2 1 2 v

2' 2'
a) б) в)
Рис.5.6. Процессы Оже-рекомбинации и ударной генерации в полу-
проводнике: а - рекомбинация при столкновении двух электронов;
б - генерация пары электрон-дырка "горячим" электроном; в - реком-
бинация при столкновении двух дырок; г - генерация пары электрон-
дырка "горячей" дыркой. ● - начальное состояние; ○ - конечное
состояние

электронов. При этом для выполнения законов сохранения энергии и


импульса необходимо, чтобы разность энергий рекомбинирующих час-
тиц была несколько больше ширины запрещенной зоны.
Обозначим вероятность рекомбинации при столкновении двух
электронов через Сn, а при столкновении двух дырок - через Cp. По-
скольку в рекомбинации участвуют три носителя заряда, для скорости
рекомбинации Оже можно записать:
r = Cnn2p + Cpp2n.
В состоянии термодинамического равновесия скорость рекомбина-
ции равна скорости тепловой генерации g0:
r0 = Cnn02p0 + Cpp02n0 = g0.

109
Для результирующей скорости рекомбинации R, согласно (5.5),
(5.6), получаем

( )
R = r − g 0 = Cn n 2 p − n02 p + C p p 2 n − p02 n0 . ( ) (5.20)

Подставляя в выражение (5.20) n = n0 + ∆n, p = p0 + ∆n и группируя


члены по степеням ∆n, получаем

R=
∆n
τA
[ ( )
= ∆n Cn n02 + 2ni2 + C p p02 + 2ni2 + ( )] (5.21)
[
+ ∆n 2 Cn ( p0 + 2n0 ) + C p (n0 + 2 p0 ) + ∆n3 Cn + C p ,] ( )
где τА - время жизни при рекомбинации Оже.
При низком уровне инжекции ∆n << (n0 + p0) можно пренебречь
членами, содержащими ∆n в степени выше первой. Это дает
1
τA = .
C n (n02 + 2ni2 ) + C p ( p 20 + 2ni2 )

Легко видеть, что время жизни τА определяется концентрацией ос-


новных носителей заряда. В полупроводнике n-типа (n0 >> p0) оно рав-
но
1
τA = ,
Cn n02

а в полупроводнике p-типа (p0 >> n0)


1
τA = .
C p p02

С уменьшением концентрации примесей время жизни возрастает и


достигает максимума в собственном полупроводнике (n0 = p0 = ni):
Eg
1 1
τ Ai = 2 = e kT . (5.22)
3ni (Cn + C p ) 3(Cn + C p ) N c N v

110
Как следует из формулы (5.22), время жизни в собственном полу-
проводнике экспоненциально зависит от ширины запрещенной зоны и
уменьшается с ростом температуры. Поэтому при слабом легировании
рекомбинация Оже играет роль только в полупроводниках с узкой за-
прещенной зоной и при высоких температурах. В сильнолегированных
полупроводниках она может играть существенную роль уже при ком-
натной температуре. В частности, в кремнии ее необходимо учитывать
при концентрациях примеси N > 2⋅1018 - 6⋅1018 см–3.
При высоком уровне инжекции (∆n >> (n0 + p0)) в выражении
(5.21) можно пренебречь первыми двумя членами, что дает для времени
жизни величину
1
τA = .
2
(
∆n Cn + C p )
Из-за сильной зависимости от уровня инжекции при высоких
уровнях инжекции рекомбинация Оже может стать преобладающим
механизмом. В кремнии время жизни τА достигает величины ~10–5 с уже
при концентрациях n ≈ ∆n ~3⋅1017 см–3.

5.7. Рекомбинация через ловушки


Ранее уже говорилось, что ловушки создаются дефектами решетки
кристалла. В одном и том же полупроводнике могут присутствовать
ловушки разного вида. Многие примеси создают в запрещенной зоне не
один, а несколько уровней (многозарядные ловушки). Расчет времени
жизни при нескольких уровнях ловушек в запрещенной зоне сложен и
нами рассматриваться не будет. Ограничимся рассмотрением рекомби-
нации через один вид ловушек, уровень которых Et* расположен вблизи
середины запрещенной зоны. Предполагается, что концентрация лову-
шек Nt значительно меньше избыточной концентрации неосновных но-
сителей: Nt << ∆n, ∆p. Это позволяет пренебречь зарядом электронов
∆nt, захваченных ловушками. Уравнение электронейтральности при
этом записывается в виде ∆n = ∆p, а времена жизни электронов и дырок
совпадают: τn = τp = τ.
Будем также предполагать, что закон сохранения энергии (5.15)
при рекомбинации через ловушки реализуется с помощью фононного

111
механизма. Для кремния этот механизм представляется наиболее веро-
ятным в широком диапазоне концентраций основных носителей заряда.
В неравновесном состоянии концентрации электронов и дырок мо-
гут быть описаны с помощью квазиуровней Ферми E Fn и E F p . Для
распределения электронов по ловушкам для этого случая можно также
ввести квазиуровень Ферми для ловушек E Ft с помощью выражения

1 1
ft = = ,
Et* − E Ft Et − E Ft
1 e kT +1
e kT +1
g

где Et = Et* − kT ln g.
Перевод фактора вырождения g в показатель экспоненты позволяет
представить функцию распреде-
E ления ft в виде функции распреде-
а б ления Ферми - Дирака.
E Процесс рекомбинации через
ловушки сводится к захвату
в ловушкой электрона, а затем
E дырки (рис.5.7). Скорость захвата
электронов rn пропорциональна
концентрации свободных электро-
Рис.5.7. Процесс рекомбинации через нов n и концентрации пустых ло-
ловушки: захват электрона а; эмиссия вушек Nt(1 – ft):
электрона б; захват дырки в; эмиссия
rn = Cn N t (1 − f t ) n ,

где Cn - вероятность захвата электрона пустой ловушкой.


За счет тепловой генерации электроны могут перейти с ловушки
обратно в зону проводимости. Скорость тепловой эмиссии электронов
gn0 пропорциональна концентрации электронов на ловушках:
g n0 = d n Nt ft ,

где dn - вероятность эмиссии электрона в зону проводимости.

112
В состоянии термодинамического равновесия rn0 = g n0 , откуда

n (1 − f t 0 )
d n = Cn 0 .
ft 0

Индекс "0" указывает на равновесные величины n и ft, при этом


EF = EF = EF = EF .
n p t

Для невырожденного полупроводника имеем


Ec − Et

d n = Cn N c e kT = Cn n1 ,
E c − Et

где n1 = N c e kT
- равновесная концентрация электронов в зоне
проводимости, когда уровень Ферми совпадает с уровнем ловушки.
Результирующая скорость захвата электронов на ловушки равна
Rn = rn − g n 0 = Cn N t [n(1 − f t ) − f t n1 ] . (5.23)

Аналогично вычисляется скорость захвата дырок:

R p = rp − g p 0 = C p N t [ pf t − (1 − f t ) p1 ] , (5.24)

E c − Et

где Сp - вероятность захвата дырки на ловушку; p1 = N v e - kT

равновесная концентрация дырок в валентной зоне, когда уровень Фер-


ми совпадает с уровнем ловушки.
В стационарном состоянии скорости захвата электронов и дырок
равны, так как носители рекомбинируют парами:
Rn = Rp = R. (5.25)
Используя выражения (5.23) - (5.25), можно найти долю ловушек,
занятых электронами:
Cn n + C p p1
ft = .
Cn (n + n1 ) + C p ( p + p1 )

113
Подставив ft в выражения для Rn или Rp, получим скорость реком-
бинации:
∆n N t CnC p (np − n1 p1 )
R= = .
τ Cn (n + n1 ) + C p ( p + p1 )

Поскольку n0p0 = n1р1 = ni2 , np –n1p1 = ∆n(n0 + p0 + ∆n), для вре-


мени жизни получаем
∆n n + n + ∆n p + p1 + ∆n
τ= = τ p0 0 1 + τ n0 0 , (5.26)
R n0 + p0 + ∆n n0 + p0 + ∆n

1 1
где τ p 0 = ; τn0 = .
Nt C p N t Cn
τ При низком уровне инжекции,
когда ∆n << n0, p0, выраже-
ние (5.26) принимает вид
τ∞
n0 + n1 p + p1
τ0 = τ p 0 + τ n0 0 . (5.27)
n0 + p0 n0 + p0

Из анализа выражения (5.27)


τn0 следует, что когда уровень Ферми в
невырожденном полупроводнике
расположен близко к краям запре-
Ev Ei Et Ec щенной зоны, τ = τ
0 p 0 в полупро-
воднике n-типа и τ0 = τ
n0 в полу-
Рис.5.8. Зависимость времени
жизни при рекомбинации через ло- проводнике p-типа (рис.5.8). Сле-
довательно, τ p 0 и τ n 0 есть време-
на жизни в сильнолегированных полупроводниках. При этом время
жизни в полупроводнике n-типа определяется вероятностью захвата
дырок на ловушку Сp, а в полупроводнике p-типа - вероятностью захва-
та электронов Cn. При уменьшении концентрации основных носителей
n0 или p0 время жизни увеличивается и достигает максимума в собст-
венном полупроводнике (см. рис.5.8). В частности, при τ n0 = τ p 0

114
 n+p   E − Ei 
τi = τn 0 1 + 1 1  = τn 0 1 + ch t .
 2 n i   kT 

Характер зависимости времени жизни от уровня инжекции легко


установить, если найти время жизни при бесконечно высоком уровне
инжекции: ∆n →∞. Из (5.26) в этом случае получаем

τ∞ = τp0 + τn0. (5.28)


Из сравнения времен жизни при низком τ0 и высоком τ∞ уровнях
инжекции легко видеть, что в сильнолегированных полупроводниках
время жизни увеличивается с ростом уровня инжекции, а в слаболеги-
рованных - падает (см. рис.5.8).
5.8. Время жизни при действии нескольких
механизмов рекомбинации
Преобладание какого-либо одного механизма рекомбинации над
другими зависит от ширины запрещенной зоны полупроводника, уровня
легирования, температуры, уровня инжекции и других факторов.
В кремнии при T = 300 K и уровне легирования N ≤ 5⋅1018 см–3 пре-
обладает рекомбинация через ловушки. При этом времена жизни
τ p 0 , τ n0 лежат в области 10–5 - 10–6 с. При больших уровнях легирова-
ния доминирует рекомбинация Оже и время жизни уменьшается до ве-
личин 10–7 - 10–9 с.
В арсениде галлия при рекомбинации через ловушки время жизни
существенно меньше и составляет величину порядка 10–8 - 10–10 с.

6. Пространственное распределение избы-


точных носителей заряда

6.1. Основные уравнения, описывающие поведе-


ние электронов и дырок в полупроводниках
Избыточные носители заряда в полупроводниках могут создавать-
ся различными способами, например, с помощью электромагнитного

115
излучения или путем инжекции из электрического контакта. При этом
избыточная концентрация оказывается распределена неравномерно.
Знание пространственного распределения избыточной концентра-
ции необходимо при анализе физических процессов в полупроводниках
и полупроводниковых приборах.
Это распределение может быть получено путем решения системы
уравнений, описывающих поведение электронов и дырок в полупровод-
никах. Такими уравнениями являются:
уравнения для плотностей токов:

jn = enµ nE + eDn∇n, (6.1)

j p = epµ p E − eD p ∇p ; (6.2)

уравнения непрерывности:
∂n ∆n 1
= Gn − + ∇j n , (6.3)
∂t τn e

∂p ∆p 1
= Gp − − ∇j p ; (6.4)
∂t τp e

уравнение Пуассона:
ρ
∇E = − ∇ 2 ϕ = , (6.5)
εε 0
где ρ = e(p – n + N d+ − N a− ) - объемный заряд; ϕ - потенциал.
Для нахождения решения системы (6.1) - (6.5) необходимо задание
начальных и граничных условий на поверхности полупроводника и кон-
тактах.
В общем случае рассматриваемая система является нелинейной,
так как концентрации примесей, подвижности, коэффициенты диффу-
зии и времена жизни могут зависеть от координаты. Поэтому решение
системы (6.1) - (6.5) в общем виде вызывает значительные математиче-
ские трудности. В то же время для понимания физических явлений во
многих случаях достаточно рассмотреть решение системы в предполо-
жении постоянства указанных величин.

6.2. Квазинейтральность

116
Прежде чем перейти к решению системы (6.1) - (6.5), обсудим не-
которые вопросы, связанные с нарушением электронейтральности в
полупроводниках.
Уравнение электронейтральности (3.15) было сформулировано для
равномерно легированного полупроводника. В частности, для полупро-
водника n-типа его можно записать в виде

ρ = e( N d+ – n0) = 0, (6.6)

где учтено, что n0 >> p0.


Выясним, выполняется ли уравнение (6.6), если концентрация до-
норной примеси зависит от координаты (рис.6.1).
При ионизации донорной примеси в полупроводнике возникает
градиент концентрации электронов, создающий диффузионный ток.
Однако в состоянии термодинамического равновесия ток через полу-
проводник отсутствует:
dn0
jn = en0µ nE + eDn = 0.
dx
Отсюда следует, что в полупроводнике возникает внутреннее элек-
трическое поле:
Dn 1 dn0 kT 1 dn0
E= − =− . (6.7)
µ n n0 dx e n0 dx

Это поле направлено по оси x и препятствует движению электро-


нов под действием градиента кон-
Nd (x), n0(x)
центрации. Его величина такова, что
диффузионный ток электронов урав-
новешивается дрейфовым током. Nd
В результате ухода электронов n0
E
из области с высокой концентрацией
заряды электронов и ионов не везде
компенсируют друг друга. Поэтому
возникает объемный заряд, связан- 0 L
ный с электрическим полем уравне-
нием Пуассона:
Рис.6.1. Распределение примеси и
электронов в неоднороднолегирован-
ном полупроводнике n-типа

117
dE e( N d+ − n0 )
= ,
dx εε 0
или
 εε dE 
e  N d+ − n0 − 0  = 0. (6.8)
 e dx 
Из сравнения выражений (6.6) и (6.8) следует, что в общем случае
в неоднородно-легированном полупроводнике уравнение электроней-
тральности не выполняется.
Однако если выполняется условие
εε 0 dE
<< n0 , N d+ , (6.9)
e dx
то возникающий объемный заряд мал и уравнение (6.8) переходит в (6.6). В
этом случае говорят о квазинейтральности полупроводника.
Выясним условие, при котором объемным зарядом можно пренеб-
речь. Подставляя электрическое поле из (6.7) в (6.9), получаем
εε d  kT 1 dn0  εε 0 kT  1  dn0  1 d 2 n0 
2
εε 0 dE
=− 0  =    −  << n0
e dx e dx  e n0 dx  e 2  n02  dx  n0 dx 2 

.
Как следует из выражения (6.7), максимальное поле наблюдается в
областях, где градиент концентрации электронов наибольший. Поэтому
в большинстве случаев вторым слагаемым в квадратных скобках можно
пренебречь. Тогда получаем
2
εε 0 kT 1  dn0 
  << 1 ,
e 2 n0 n02  dx 
или
dn0 n
<< 0 , (6.10)
dx LD
εε 0 kT
где LD = - длина Дебая.
e 2 n0
При выполнении условия (6.10) справедливо уравнение электро-
нейтральности (6.6), поэтому концентрацию электронов в (6.10) можно
заменить на концентрацию примеси:

118
Свет dN d N
<< d .
dx LD
В общем случае при на-
личии примеси двух сортов
a) условие квазинейтральности
∆n, ∆p
примет вид
∆p dN N
<< , (6.11)
dx LD
∆n
где N = Na – Nd - концентрация
результирующей примеси.
0 x
б) Таким образом, в равно-
Рис.6.2. Распределение электронов и весном состоянии полупро-
дырок при биполярной диффузии, вы- водник квазинейтрален, если
званной генерацией электронно-дырочных градиент концентрации при-
пар на меси значительно меньше из-
поверхности полупроводника менения концентрации приме-
си на длине Дебая.
Если поменять знак неравенства в выражении (6.11) на противопо-
ложный, то полученное условие
dN N
>> (6.12)
dx LD
будет означать появление большого объемного заряда в полупро-
воднике. Такой случай реализуется, например, в p-n переходе.
Конечно, условие (6.12) не означает нарушения электронейтраль-
ности полупроводника в целом. Просто в полупроводнике происходит
перераспределение зарядов и возникают локальные области положи-
тельных и отрицательных зарядов.
В неравновесных условиях нарушение электронейтральности мо-
жет возникнуть даже в однороднолегированном полупроводнике, если
избыточные концентрации электронов и дырок зависят от координаты.
Рассмотрим полупроводник, на поверхности которого происходит
генерация светом электронно-дырочных пар (рис.6.2,а).
Электроны и дырки будут диффундировать вглубь полупроводни-
ка, рекомбинируя друг с другом, поэтому избыточная концентрация
убывает. Совместное движение электронов и дырок под действием гра-
диентов концентрации называется биполярной диффузией. Поскольку
ток через полупроводник отсутствует, через его сечение в единицу вре-

119
мени должно проходить одинаковое количество электронов и дырок, т. е.
переноситься нулевой заряд. Однако электроны движутся быстрее дырок,
поэтому распределения электронов и дырок не совпадают друг с другом
(рис.6.2,б), что приводит к разделению зарядов и возникновению элек-
трического поля ED . Это поле называется полем Дембера и имеет такое
направление, при котором оно ускоряет дырки и тормозит электроны. В
результате устанавливается одинаковая скорость движения электронов и
дырок, которые движутся в виде единого комплекса.
Если в дополнение к полю Дембера действует внешнее электриче-
ское поле, то оно также стремится нарушить электронейтральность, по-
скольку действует на избыточные электроны и дырки в противополож-
ных направлениях.
Однако для нарушения электронейтральности требуются очень
большие поля. И наоборот, даже незначительное отклонение от электро-
нейтральности в локальной области полупроводника приводит к возник-
новению сильных полей.
Пусть, например, в кремнии с концентрацией электронов
n0 = 1016 см–3 на расстоянии ∆х = 10 мкм происходит нарушение электро-
нейтральности всего на 1%, т.е. ∆p – ∆n = 1014 см–3. Решая уравнение Пу-
ассона, получаем
∆x
e(∆p − ∆n ) e(∆p − ∆n ) 1,6 ⋅ 10 −19 ⋅ 1014 − 3 В
E= ∫ εε 0
dx =
εε 0
∆x =
12 ⋅ 8,86 ⋅ 10 −14
10 ≈ 10 4
см
,
0
следовательно, в полупроводнике возникает сильное поле.
В дальнейшем будем считать, что поле слабое и для избыточных
концентраций справедливо условие квазинейтральности:
∆n ≈ ∆p. (6.13)

6.3. Максвелловское время релаксации


Процессы рекомбинации и генерации рассматривались в предпо-
ложении равенства избыточных концентраций электронов и дырок. Од-
нако не обсуждался вопрос, в течение какого времени устанавливается
электронейтральность (квазинейтральность) полупроводника.
Рассмотрим полупроводник n-типа, в который в момент времени
t = 0 введена избыточная концентрация дырок ∆p(0). Это приводит к

120
возникновению объемного заряда ρ(0) = e∆p(0) и электрического поля
E. Под действием этого поля основные носители заряда, электроны,
дрейфуют в область с избыточной концентрацией дырок. В результате
концентрация избыточных электронов растет, в некоторый момент дос-
тигает концентрации дырок, и в полупроводнике устанавливается элек-
тронейтральность.
На скорость этого процесса могут влиять и другие факторы. Ис-
ключим их, сделав следующие предположения:
а) диффузионный ток равен нулю;
б) генерация внешним воздействием и рекомбинация отсутствуют:
Gn = Gp = 0, τn = τp = ∞;
в) электропроводность σ0 полупроводника постоянна.
При сделанных предположениях из системы уравнений (6.1) - (6.5)
получаем
j = jn + j p = σ 0E; (6.14)

∂n ∂∆n 1
= = ∇j n ; (6.15)
∂t ∂t e
∂p ∂∆p 1
= = − ∇j p . (6.16)
∂t ∂t e
Вычитая уравнение (6.15) из уравнения (6.16), с учетом выражений
(6.14) и (6.5) находим
∂ (∆p − ∆n ) 1 σ σ
= − ∇j = − 0 ∇E = − 0 (∆p − ∆n ) ,
∂t e e εε 0
или
d (∆p − ∆n ) ∆p − ∆n
=− , (6.17)
dt τм
εε 0
где τм = - время релаксации Максвелла.
σ0
Решение уравнения (6.17) имеет вид
t

(∆p − ∆n )t = (∆p − ∆n )0 e τм
.

121
Если σ = 10 Сим/м, ε = 10, то τм ~ 10–11 с, поэтому установление
электронейтральности происходит очень быстро.
Таким образом, после введения избыточной концентрации неос-
новных носителей заряда в полупроводник можно выделить два этапа,
характеризующихся различными постоянными времени.
На первом этапе избыточная концентрация неосновных носителей
компенсируется избыточной концентрацией основных носителей. Этот
процесс заканчивается установлением электронейтральности (квази-
нейтральности) и определяется временем релаксации Максвелла
τм ~ 10–11 - 10–13 c.
На втором этапе избыточные концентрации электронов и дырок
убывают синхронно в условиях электронейтральности. Этот процесс
завершается исчезновением избыточных концентраций и определяется
временем жизни пары электрон-дырка τ ~ 10–4 - 10–9 c.

6.4. Биполярное уравнение

Рассмотрим одномерный полупроводник, в котором происходит ло-


кальная генерация электронно-дырочных пар светом (рис.6.3,а). После
выключения света первоначальное распределение избыточных носите-
лей расплывается за счет процессов диффузии и рекомбинации и спустя
время порядка времени жизни исчезает (рис.6.3,б).
Проведем тот же эксперимент в условиях, когда в полупроводнике
создано электрическое поле, направленное по оси x. Это поле действует
на электроны и дырки в противоположных направлениях, однако оно
слишком мало, чтобы нарушить электронейтральность. Оказывается,
что при наличии поля после выключения света первоначальный ком-
плекс избыточных электронов и дырок будет, расплываясь, двигаться по
направлению поля в полупроводнике n-типа (рис.6.3,в) и против поля в
полупроводнике p-типа.
Для объяснения рассмотренного эксперимента решим систему
уравнений (6.1) - (6.5) для однородно-легированного полупроводника в
условиях квазинейтральности (6.13). Будем предполагать, что электро-
ны и дырки рекомбинируют парами, так что τn = τp = τ.
Подставляя уравнение (6.1) в уравнение (6.3) и уравнение (6.2) в
(6.4), получим

122
∂∆n ∆n
=− + nµ n ∇E + µ nE∇n + Dn ∇ 2 n; (6.18)
∂t τ
∂∆p ∆p
=− − pµ p ∇E − µ p E∇p + D p ∇ 2 p . (6.19)
∂t τ
Условие квазинейтральности ∆n ≈ ∆p можно использовать во всех
членах этих уравнений, кроме членов, содержащих ∇E , так как именно
они описывают электрическое поле, уравнивающее концентрации элек-
тронов и дырок. Поэтому эти члены целесообразно исключить, умно-
жив уравнение (6.18) на σp = epµp, а уравнение (6.19) - на σn = enµn и
сложив результаты. В конечном уравнении можно принять ∆n = ∆p ,

Свет

Полупроводник
а)

∆p, ∆n
t=0

t1 E=0

t2
x
0
б)

∆p, ∆n

t=0
E
t1

t2
x
0
в)
Рис.6.3. Поведение электронов и дырок при биполярной диффузии и
дрейфе: а - генерация электронно-дырочных пар светом; б - поле отсутст-
вует; в - поле направлено по оси x (полупроводник n-типа)

123
∂p ∂n
следовательно, = , ∇p = ∇n, ∇2p = ∇2n. В итоге получим
∂t ∂t
∂∆n ∆n
=− + µE∇n + D∇ 2 n , (6.20)
∂t τ
где
µ nσ p − µ pσn
µ= ; (6.21)
σn + σ p
Dn σ p + D p σ n
D= . (6.22)
σn + σ p
Уравнение (6.20) называется биполярным уравнением, величина
µ - биполярной подвижностью, D - биполярным коэффициентом
диффузии. Биполярное уравнение эквивалентно системе уравнений
(6.1) - (6.5) и позволяет найти распределение избыточных носителей в
условиях квазинейтральности. Рассмотрим вид этого уравнения для
конкретных полупроводников.
Полупроводник n-типа при низком уровне инжекции: z << 1,
σn >> σp. В этом случае получаем µ = –µp, D = Dp ,
∂∆p ∆p
=− − µ p E∇p + D p ∇ 2 p. (6.23)
∂t τp
В уравнение (6.23) входят параметры только неосновных носите-
лей заряда - дырок. Комплекс из электронов и дырок на рис.6.3,в будет
двигаться вправо, т.е. в ту сторону, куда движутся дырки.
Полупроводник p-типа при низком уровне инжекции: z << 1,
σp >> σn.
Из выражений (6.21) и (6.22) следует µ = µn, D = Dn, поэтому бипо-
лярное уравнение примет вид
∂∆n ∆n
=− + µ nE∇n + Dn∇ 2 n . (6.24)
∂t τn
В полученное уравнение входят параметры только неосновных но-
сителей заряда - электронов. Это означает, что совместное поведение
электронов и дырок определяется поведением неосновных носителей
заряда, а основные носители заряда, дырки, лишь обеспечивают квази-
нейтральность полупроводника. В полупроводнике p-типа комплекс из
электронов и дырки будет двигаться против поля, т.е. в ту сторону, куда
движутся неосновные носители заряда.

124
Собственный полупроводник и полупроводник при высоком уровне
инжекции. Эти два случая рассматриваются вместе, поскольку при
высоком уровне инжекции ∆p = ∆n >> (n0 + p0), поэтому
n = n0 + ∆n ≈ ∆n, p = p0 + ∆p ≈ ∆p и, следовательно, n ≈ p.
2b µ
Из выражений (6.21), (6.22) следует µ = 0, D = D p , b= n ,
b +1 µp
и биполярное уравнение принимает вид
∂∆p ∆p 2b
=− + D p∇ 2 p . (6.25)
∂t τ b +1
Время жизни, входящее в уравнение (6.25), постоянно для собст-
венного полупроводника при низком уровне инжекции и определяется
конкретным механизмом рекомбинации. При высоком уровне инжекции
и рекомбинации через ловушки время жизни также постоянно и опреде-
ляется выражением (5.28).
В рассматриваемом случае в биполярном уравнении отсутствует
слагаемое, содержащее электрическое поле. Это означает, что поле не
влияет на пространственное распределение носителей заряда. Комплекс
из электронов и дырок останется неподвижным. Однако отсутствие по-
ля в уравнении (6.25) вовсе не означает отсутствие дрейфовой состав-
ляющей тока.
Таким образом, для нахождения распределений ∆n(r , t ) , ∆p(r , t ) в
случае примесного полупроводника при низком уровне инжекции необ-
ходимо решать биполярное уравнение для неосновных носителей заряда
(6.23) или (6.24). При высоком уровне инжекции или для собственного
полупроводника необходимо решать уравнение (6.25).

125
6.5. Решение биполярного уравнения
Рассмотрим решение биполярного уравнения для стационарного
случая на примере одномерного полупроводника n-типа. В этом случае
биполярное уравнение примет вид
d 2 ∆p d∆p ∆p
Dp − µ pE − =0. (6.26)
dx 2 dx τp
Полупроводник будем считать полубесконечным: x ≥ 0, а гранич-
ные условия зададим в виде
∆p(0) = ∆p0, (6.27)
∆p → 0 при x → ∞. (6.28)
Согласно уравнению (6.26) распределение избыточных носителей
зависит от процессов диффузии (первое слагаемое), дрейфа (второе сла-
гаемое) и рекомбинации (третье слагаемое). Во многих случаях оказы-
вается, что преобладает какой-либо один из этих процессов, тогда урав-
нение можно упростить. Рассмотрим некоторые приближения при ре-
шении уравнения (6.26).

Диффузионное приближение

Данное приближение реализуется, если диффузионный ток дырок


много больше дрейфового тока:
d∆p
− eD p >> epµ p E, (6.29)
dx

126
так что
d∆p d∆p
j p = eµ p pE − eD p ≈ − eD p .
dx dx
В этом случае в биполярном уравнении исчезает член, содержащий
электрическое поле, и оно приобретает вид
d 2 ∆p ∆p
2
− = 0, (6.30)
dx L2p
где L p = D p τ p - диффузионная длина дырок.
Общее решение уравнения (6.30) имеет вид

∆p(x ) = Ae α1x + Be α 2 x ,

где α1, α2 - корни характеристического уравнения


1
α2 − = 0;
L2p

1 1
α1 = − ; α2 = .
Lp Lp
Использование граничных условий (6.27) и (6.28) дает решение
уравнения (6.30) в виде
x

∆p(x ) = ∆p(0)e
Lp
. (6.31)
Из (6.31) следует, что диффузионная длина - это расстояние, на ко-
тором избыточная концентрация убывает в e раз (рис.6.4).
Зная распределение дырок, можно найти плотность диффузионно-
го тока:
d∆p eD p  Dp 
j p (x ) = − eD p = ∆p = (e∆p )  = ρ vD ,
dx Lp  Lp 
 

127
где через ρ обозначена плотность заряда e∆p, а через vD - скорость диф-
фузии:
Dp τ p Lp
vD = ⋅ = .
Lp τ p τ p

Таким образом, Lp = vD⋅τp, т.е. дифузионная длина есть средний


путь, который проходят дырки вследствие диффузии за время жизни.
Определим условие, при котором справедливо диффузионное при-
ближение. Подставляя в неравенство (6.29) распределение дырок (6.31),
получаем
Dp ∆p kT ∆p kT
E << = ≤ ,
µ p L p p eL p ( p0 + ∆p) eLp
или eLp E << kT.
Таким образом, диффузионное приближение справедливо, если
энергия, получаемая носителями заряда от электрического поля на
диффузионной длине, значительно меньше их средней тепловой энер-
гии.
Определим критическое электрическое поле условием

kT
Eкр = ,
eL p
тогда условием применимости диффузионного приближения будет
E << Eкр . ∆p

Дрейфовое приближение
Данное приближение реализу- ∆p(0)
ется, если электрическое поле вели-
ко:
E >> Eкр
и можно пренебречь процессом диф- 0 Lp x
фузии.
Биполярное уравнение приобре- Рис.6.4. Распределение из
тает вид дырок в полупроводнике n

128
d∆p ∆p
+ = 0, (6.32)
dx LE
где LE = µ p Eτ p = v d τ p - дрейфовая длина дырок, равная среднему
расстоянию, которое проходят дырки вследствие дрейфа за время жизни.
Решение уравнения (6.32) имеет вид

x

∆p (x ) = ∆p(0 ) e
LE
.
В дрейфовом приближении комплекс из электронов и дырок на
рис.6.3,в будет перемещаться в полупроводнике n-типа со скоростью
µ p E, что позволяет, измеряя эту скорость, определить величину дрей-
фовой подвижности дырок.

Общий случай
Общее решение уравнения (6.26) имеет вид
∆p(x ) = Ae α1x + Be α 2 x ,
где α1, α2 - корни характеристического уравнения
L2p α 2 − LEα − 1 = 0 ,
или
 E  1 1
α2 −   α − 2 = 0.
 Eкр  L p Lp
 
При заданных граничных условиях физический смысл имеет толь-
ко отрицательный корень уравнения:
 2 
1  E  E 
α= −   + 4 .
2 L p  Eкр  Eкр 
 

 
 
Величина α зависит от направления электрического поля E . Если
поле направлено по оси x, то E > 0 , и диффузия и дрейф происходят в
одном направлении. Электрическое поле затягивает избыточные носи-
тели вглубь полупроводника. Их концентрация оказывается выше, чем в
отсутствие поля (рис.6.5,а):

129
x

∆p(x ) = ∆p(0 )e L+ ,
где

1 2L p
L+ = = > Lp .
α 2
E  E 
−  +4
Eкр  Eкр 
 
Величина L+ - диффузионная длина по полю. Рассмотренное явле-
ние называется инжекцией и наблюдается, например, при прямом сме-
щении на p-n переходе.
Если электрическое поле направлено против оси x, т.е. E < 0 , диф-
фузия и дрейф происходят навстречу друг другу. В этом случае элек-
трическое поле тормозит движение дырок, которые распространяются
вглубь полупроводника на меньшую глубину (рис.6.5,а):
x

∆p(x ) = ∆p(0 )e L ,

где

1 2L p
L− = = < Lp .
α 2
E  E 
−  +4
Eкр  Eкр 
 
Величина L– называется диффузионной длиной против поля.
В проведенных рассуждениях предполагалось, что граничная концен-
трация ∆p(0) > 0. Однако сделанные выводы справедливы и для ∆p(0) < 0.
При этом наибольший интерес представляет вариант ∆p(0) < 0, E < 0. Та-
кой случай реализуется, например, вблизи обратно-смещенного p-n пере-
хода и называется экстракцией (рис.6.5,б).
Рассмотренное выше решение одномерного биполярного уравнения
является лишь частным случаем решения фундаментальной системы урав-
нений (6.1) - (6.5). Для адекватного описания физических явлений в реаль-
ных полупроводниковых структурах с неравномерным распределением

130
примеси требуется явное задание зависимостей подвижности и времени
жизни носителей заряда от концентрации примеси, учет эффектов сильного
легирования и т.д.
Кроме того, необходимо определить граничные условия, представ-
ляющие собой математическое описание взаимодействия полупроводника
с внешней средой на его границах (поверхности и электрических контак-
тах).
Решение таких сложных задач проводится обычно численными мето-
дами и рассматривается в специальной литературе, посвященной модели-
рованию физических процессов в полупроводниковых структурах.

Литература
1. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. В 2-х т. - М.: Мир,
1984. - Т. 2. - 445 с.
2. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. -
М.: Наука, 1977. - 672 с.
3. Шалимова К.В. Физика полупроводников. - М.: Энергоатомиз-
дат, 1985. - 392 с.
4. Смит Р. Полупроводники. - М.: Мир, 1982. - 560 с.
5. Киреев П.С. Физика полупроводников. - М.: Высшая школа,
1975. - 584 с.
6. Стильбанс Л.С. Физика полупроводников. - М.: Советское ра-
дио, 1967. - 452 с.
7. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. М.: - Наука, 1978. -
∆p ∆p
x
0
∆p(0)
>0
E
E=0
∆p(0) < 0
Е <0

x
0 а) б)
Рис.6.5. Распределение избыточных дырок в полупроводнике
а - ∆p > 0; б - ∆p < 0

131
791 с.
8. Ашкрофт Н., Мермин Н. Физика твердого тела. В 2-х т. - М.:
Мир, 1979. - Т. 1. - 399 с.

132
Оглавление
ПРЕДИСЛОВИЕ ........................................................................................................................... 1

1. СВОБОДНЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ ГАЗ ................................................................................. 2


1.1. Классический электронный газ.................................................. 2
1.2. Квантовый электронный газ....................................................... 5
1.3. Распределение Ферми - Дирака ............................................... 10
1.4. Вырожденный и невырожденный электронный газ............... 11
1.5. Плотность квантовых состояний ............................................. 12
1.6. Свойства квантового электронного газа ................................. 14
2. ЭЛЕМЕНТЫ ЗОННОЙ ТЕОРИИ
ТВЕРДЫХ ТЕЛ.................................................................................................................................. 16
2.1. Структура кристаллов и обратная решетка ............................ 17
2.2. Уравнение Шредингера для электрона в кристалле .............. 20
2.3. Зоны Бриллюэна........................................................................ 22
2.4. Образование энергетических зон............................................. 24
2.5. Метод сильносвязанных электронов ....................................... 28
2.6. Металлы, диэлектрики и полупроводники с точки зрения
зонной теории.......................................................................................... 32
2.7. Эффективная масса ................................................................... 36
2.8. Динамика электрона в кристалле............................................. 39
2.9. Понятие дырки .......................................................................... 43
2.10. Зонная структура германия, кремния и арсенида галлия .... 45
2.11. Примесная проводимость полупроводников........................ 51
2.12. Влияние электрического поля на энергетический спектр
электрона в кристалле ............................................................................ 55
3. СТАТИСТИКА ЭЛЕКТРОНОВ И
ДЫРОК В ПОЛУПРОВОДНИКАХ ............................................................................................... 57
3.1. Плотность квантовых состояний ............................................. 59
3.2. Равновесные концентрации электронов и дырок ................... 60
3.3. Уравнение электронейтральности ........................................... 63
3.4. Собственный полупроводник .................................................. 66
3.5. Примесный невырожденный полупроводник ........................ 67

133
3.7. Сильнолегированный полупроводник .................................... 71
4. КИНЕТИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ В
ПОЛУПРОВОДНИКАХ ................................................................................................................... 74
4.1. Понятие столкновения.............................................................. 75
4.2. Неравновесная функция распределения ................................. 75
4.3. Кинетическое уравнение Больцмана ....................................... 77
4.4. Время релаксации ..................................................................... 78
4.5. Дрейф и диффузия носителей заряда ...................................... 79
4.6. Соотношения Эйнштейна......................................................... 81
4.7. Механизмы рассеяния............................................................... 82
4.8. Рассеяние на ионах примеси .................................................... 83
4.9. Рассеяние на тепловых колебаниях атомов ............................ 85
4.10. Комбинированное рассеяние.................................................. 88
4.11. Зависимость подвижности от электрического поля............. 90
5. РЕКОМБИНАЦИЯ ЭЛЕКТРОНОВ И
ДЫРОК ................................................................................................................................................ 92
5.1. Неравновесные электроны и дырки ........................................ 92
5.2. Уравнения непрерывности ....................................................... 95
5.3. Время жизни .............................................................................. 97
5.4. Механизмы рекомбинации ..................................................... 101
5.5. Прямая излучательная рекомбинация ................................... 105
5.6. Прямая рекомбинация Оже .................................................... 108
5.7. Рекомбинация через ловушки ................................................ 111
6. ПРОСТРАНСТВЕННОЕ
РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ИЗБЫТОЧНЫХ
НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА.................................................................................................................. 115
6.1. Основные уравнения, описывающие поведение электронов и
дырок в полупроводниках.................................................................... 115
6.2. Квазинейтральность................................................................ 116
6.3. Максвелловское время релаксации ....................................... 120
6.4. Биполярное уравнение............................................................ 122
6.5. Решение биполярного уравнения .......................................... 126
ОГЛАВЛЕНИЕ .......................................................................................................................... 133

134

Оценить