Вы находитесь на странице: 1из 205

Курс лекций по физике для студентов

газо-нефтепромыслового факультета
Азербайджанской Государственной Нефтяной Академии
Преподаватель: профессор Назиев Д. Я.

I семестр

Лекция № 1

1
2
3
4
Лекция № 2

5
6
7
8
Лекция № 3

9
10
Лекция № 4

11
12
13
14
15
Лекция № 5

16
17
18
19
Лекция № 6

20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
Лекция № 7

30
31
32
33
34
35
Лекция № 8

36
37
38
39
40
Лекция № 9

41
42
Лекция № 10

43
44
45
46
Лекция № 11

47
48
49
Лекция № 12

50
51
52
53
Лекция № 13

54
55
Лекция № 14

56
57
58
59
Лекция № 15

60
61
62
63
64
65
66
67
Лекция № 16

68
На рис. 2.8 схематически изображены изотермы газа Ван-дер-Ваальса для различных
температур.

     На этих изотермах хорошо просматривается участок, где давление растёт с ростом объёма. Этот участок
не имеет физического смысла. В области, где изотерма делает зигзагообразный изгиб, изобара пересекает

её три раза, то есть, имеется три значения объёма при одинаковых значениях параметров и . Это

69
соответствует существованию трёх действительных корней уравнения (2.117). При повышении температуры
волнообразный участок уменьшается и превращается в точку (см. точка К на рис. 2.8). Эта точка называется

критической, а значения , и в этой точке называются критическими параметрами.


Критической точке соответствуют три совпадающих корня уравнения (2.117). При температурах,
превышающих критическую, изотермы Ван-дер-Ваальса становятся монотонно убывающими функциями

     Критические параметры , и можно найти из условия, что в критической точке изотерма Ван-
дер-Ваальса имеет как экстремум, так и точку перегиба:

     

(2.126)

,
     

(2.127)

.
     Решая эти два уравнения совместно с (2.117) можно получить

     

(2.128)
,
     

(2.129)
,
     

(2.130)
.
     Таким образом, из уравнения состояния газа Ван-дер-Ваальса следует существование у реальных газов

критической точки с параметрами , и , величина которых зависит от свойств газа.

     Обратимся теперь к экспериментальным обоснованиям


уравнения состояния газа Ван-дер-Ваальса. На рис 2.9 показан
вид экспериментально полученных изотерм, характерный для
многих веществ.

70
Рис. 2.9.
Изотермы реального газа

Рис. 2.9.
Изотермы реального газа
     На этих кривых виден горизонтальный участок, который заменяет немонотонный участок на изотермах
газа Ван-дер-Ваальса. Справа от горизонтального участка экспериментальная изотерма монотонно растет с
уменьшением объема, что соответствует сжатию реального газа при постоянной температуре.
Горизонтальный участок соответствует сжижению газа, которое при заданной температуре происходит при
постоянном давлении. При этом существует двухфазная система жидкость-газ. Наконец, слева от

горизонтального участка, где изотерма вновь становится монотонно убывающей функцией , весь газ
превращается в жидкость. При этом давление очень резко растет с уменьшением объема. Это связано с тем,
что размеры молекул жидкостей становятся сравнимы с межмолекулярными расстояниями. Этот участок
экспериментальных изотерм наиболее сильно отличается от предсказываемого уравнением для газа Ван-
дер-Ваальса.
     Экспериментально изотермы могут быть получены при изотермическом сжатии газа в системе, состоящей
из сосуда с поршнем, соединенного с манометром. Семейство изотерм для углекислого газа было построено
Томасом Эндрюсом (1813 - 1885) во второй половине XIX века. Им было установлено, что при температуре
выше 31,1 oC углекислота продолжает оставаться газообразной при любом давлении. При более низкой
температуре углекислый газ при сильном сжатии переходил в жидкое состояние.
     В первой половине XIX века предполагали существование абсолютных газов, которые не могут быть
сжижены ни при каких условиях. Однако опыт показал, что любое вещество может быть сжижено при
достаточно высоком давлении и низкой температуре.
     Совокупность участков изотерм реального газа, соответствующих двухфазным системам жидкость-газ,
образуют колоколообразную фигуру (см. рис. 2.9), вершиной которой является критическая точка. При
температурах выше критической вещество может существовать только в газообразном состоянии. При

71
температуре ниже критической, вещество может быть сжижено. Критическая температура для гелия очень
низкая - 5,2 К. Поэтому долгое время его считали абсолютным газом.
     В отличие от гелия, водорода, кислорода и азота, чьи критические температуры достаточно низкие, такие
вещества как вода и ртуть (критические температуры 647 К и 1820 К соответственно) существуют как в
жидком, так и в газообразном состояниях при комнатных температурах. Поэтому возникли такие термины как
"водяной пар" и "пары ртути". Сегодня, с исчезновением понятия "абсолютный газ" исчезло различие понятий
"газ" и "пар".

72
73
74
Лекция № 17

Свойства жидкостей. Поверхностное натяжение

Молекулы вещества в жидком состоянии расположены почти вплотную друг к другу. В


отличие от твердых кристаллических тел, в которых молекулы образуют упорядоченные
структуры во всем объеме кристалла и могут совершать тепловые колебания около
фиксированных центров, молекулы жидкости обладают большей свободой. Каждая
молекула жидкости, также как и в твердом теле, «зажата» со всех сторон соседними
молекулами и совершает тепловые колебания около некоторого положения равновесия.
Однако, время от времени любая молекула может переместиться в соседнее вакантное
место. Такие перескоки в жидкостях происходят довольно часто; поэтому молекулы не
привязаны к определенным центрам, как в кристаллах (см. §3.6), и могут перемещаться по
всему объему жидкости. Этим объясняется текучесть жидкостей. Из-за сильного
взаимодействия между близко расположенными молекулами они могут образовывать
локальные (неустойчивые) упорядоченные группы, содержащие несколько молекул. Это
явление называется ближним порядком (рис. 3.5.1).

Рисунок 3.5.1.
Пример ближнего порядка молекул жидкости и дальнего порядка молекул
кристаллического вещества: 1 – вода; 2 – лед

Рис. 3.5.2 иллюстрирует отличие газообразного вещества от жидкости на примере воды.


Молекула воды H2O состоит из одного атома кислорода и двух атомов водорода,

75
расположенных под углом 104°. Среднее расстояние между молекулами пара в десятки
раз превышает среднее расстояние между молекулами воды. В отличие от рис. 3.5.1, где
молекулы воды изображены в виде шариков, рис. 3.5.2 дает представление о структуре
молекулы воды.

Рисунок 3.5.2.
Водяной пар (1) и вода (2). Молекулы воды увеличены примерно в
5·107 раз

Вследствие плотной упаковки молекул сжимаемость жидкостей, т. е. изменение объема


при изменении давления, очень мала; она в десятки и сотни тысяч раз меньше, чем в газах.
Например, для изменения объема воды на 1 % нужно увеличить давление приблизительно
в 200 раз. Такое увеличение давления по сравнению с атмосферным достигается на
глубине около 2 км.
Жидкости, как и твердые тела, изменяют свой объем при изменении температуры. Для не
очень больших интервалов температур относительное изменение объема ΔV / V0
пропорционально изменению температуры ΔT:

Коэффициент β называют температурным коэффициентом объемного расширения. Этот коэффициент у


жидкостей в десятки раз больше, чем у твердых тел. У воды, например, при температуре 20 °С βв ≈ 2·10–4 К–
1
, у стали βст ≈ 3,6·10–5 К–1, у кварцевого стекла βкв ≈ 9·10–6 К–1.

Тепловое расширение воды имеет интересную и важную для жизни на Земле аномалию.
При температуре ниже 4 °С вода расширяется при понижении температуры (β < 0).
Максимум плотности ρв = 103 кг/м3 вода имеет при температуре 4 °С.
При замерзании вода расширяется, поэтому лед остается плавать на поверхности
замерзающего водоема. Температура замерзающей воды подо льдом равна 0 °С. В более
плотных слоях воды у дна водоема температура оказывается порядка 4 °С. Благодаря
этому жизнь может существовать в воде замерзающих водоемов.
Наиболее интересной особенностью жидкостей является наличие свободной
поверхности. Жидкость, в отличие от газов, не заполняет весь объем сосуда, в который
она налита. Между жидкостью и газом (или паром) образуется граница раздела, которая
находится в особых условиях по сравнению с остальной массой жидкости. Молекулы в
пограничном слое жидкости, в отличие от молекул в ее глубине, окружены другими
молекулами той же жидкости не со всех сторон. Силы межмолекулярного
взаимодействия, действующие на одну из молекул внутри жидкости со стороны соседних
молекул, в среднем взаимно скомпенсированы. Любая молекула в пограничном слое

76
притягивается молекулами, находящимися внутри жидкости (силами, действующими на
данную молекулу жидкости со стороны молекул газа (или пара) можно пренебречь). В
результате появляется некоторая равнодействующая сила, направленная вглубь жидкости.
Поверхностные молекулы силами межмолекулярного притяжения втягиваются внутрь
жидкости. Но все молекулы, в том числе и молекулы пограничного слоя, должны
находиться в состоянии равновесия. Это равновесие достигается за счет некоторого
уменьшения расстояния между молекулами поверхностного слоя и их ближайшими
соседями внутри жидкости. Как видно из рис. 3.1.2, при уменьшении расстояния между
молекулами возникают силы отталкивания. Если среднее расстояние между молекулами
внутри жидкости равно r0, то молекулы поверхностного слоя упакованы несколько более
плотно, а поэтому они обладают дополнительным запасом потенциальной энергии по
сравнению с внутренними молекулами (см. рис. 3.1.2). Следует иметь ввиду, что
вследствие крайне низкой сжимаемости наличие более плотно упакованного
поверхностного слоя не приводит к сколь-нибудь заметному изменению объема жидкости.
Если молекула переместится с поверхности внутрь жидкости, силы межмолекулярного
взаимодействия совершат положительную работу. Наоборот, чтобы вытащить некоторое
количество молекул из глубины жидкости на поверхность (т. е. увеличить площадь
поверхности жидкости), внешние силы должны совершить положительную работу ΔAвнеш,
пропорциональную изменению ΔS площади поверхности:
ΔAвнеш = σΔS.
Коэффициент σ называется коэффициентом поверхностного натяжения (σ > 0). Таким
образом, коэффициент поверхностного натяжения равен работе, необходимой для
увеличения площади поверхности жидкости при постоянной температуре на
единицу.
В СИ коэффициент поверхностного натяжения измеряется в джоулях на метр
квадратный (Дж/м2) или в ньютонах на метр (1 Н/м = 1 Дж/м2).
Следовательно, молекулы поверхностного слоя жидкости обладают избыточной по
сравнению с молекулами внутри жидкости потенциальной энергией. Потенциальная
энергия Eр поверхности жидкости пропорциональна ее площади:

Eр = Aвнеш = σS.

Из механики известно, что равновесным состояниям системы соответствует минимальное значение ее


потенциальной энергии. Отсюда следует, что свободная поверхность жидкости стремится сократить свою
площадь. По этой причине свободная капля жидкости принимает шарообразную форму. Жидкость ведет
себя так, как будто по касательной к ее поверхности действуют силы, сокращающие (стягивающие) эту
поверхность. Эти силы называются силами поверхностного натяжения.

Наличие сил поверхностного натяжения делает поверхность жидкости похожей на


упругую растянутую пленку, с той только разницей, что упругие силы в пленке зависят от
площади ее поверхности (т. е. от того, как пленка деформирована), а силы поверхностного
натяжения не зависят от площади поверхности жидкости.
Некоторые жидкости, как, например, мыльная вода, обладают способностью образовывать
тонкие пленки. Всем хорошо известные мыльные пузыри имеют правильную
сферическую форму – в этом тоже проявляется действие сил поверхностного натяжения.
Если в мыльный раствор опустить проволочную рамку, одна из сторон которой подвижна,
то вся она затянется пленкой жидкости (рис. 3.5.3).

77
Рисунок 3.5.3.
Подвижная сторона проволочной
рамки в равновесии под действием

внешней силы и
результирующей сил

поверхностного натяжения

Силы поверхностного натяжения стремятся сократить поверхность пленки. Для


равновесия подвижной стороны рамки к ней нужно приложить внешнюю силу

Если под действием силы перекладина переместится на Δx, то будет


произведена работа ΔAвн = FвнΔx = ΔEp = σΔS, где ΔS = 2LΔx – приращение площади

поверхности обеих сторон мыльной пленки. Так как модули сил и одинаковы,
можно записать:

Таким образом, коэффициент поверхностного натяжения σ может быть определен как модуль силы
поверхностного натяжения, действующей на единицу длины линии, ограничивающей поверхность.

Из-за действия сил поверхностного натяжения в каплях жидкости и внутри мыльных


пузырей возникает избыточное давление Δp. Если мысленно разрезать сферическую
каплю радиуса R на две половинки, то каждая из них должна находиться в равновесии под
действием сил поверхностного натяжения, приложенных к границе разреза длиной 2πR и
сил избыточного давления, действующих на площадь πR2 сечения (рис. 3.5.4). Условие
равновесия записывается в виде
σ2πR = ΔpπR2.
Отсюда избыточное давление внутри капли равно

(капля жидкости).

78
Рисунок 3.5.4.
Сечение сферической капли
жидкости

Избыточное давление внутри мыльного пузыря в два раза больше, так как пленка имеет
две поверхности:

(мыльный пузырь).

Вблизи границы между жидкостью, твердым телом и газом форма свободной поверхности жидкости зависит
от сил взаимодействия молекул жидкости с молекулами твердого тела (взаимодействием с молекулами газа
(или пара) можно пренебречь). Если эти силы больше сил взаимодействия между молекулами самой
жидкости, то жидкость смачивает поверхность твердого тела. В этом случае жидкость подходит к
поверхности твердого тела под некоторым острым углом θ, характерным для данной пары жидкость –
твердое тело. Угол θ называется краевым углом. Если силы взаимодействия между молекулами жидкости
превосходят силы их взаимодействия с молекулами твердого тела, то краевой угол θ оказывается тупым
(рис. 3.5.5). В этом случае говорят, что жидкость не смачивает поверхность твердого тела. При полном
смачивании θ = 0, при полном несмачивании θ = 180°.

Рисунок 3.5.5.
Краевые углы смачивающей (1) и несмачивающей (2)
жидкостей

Капиллярными явлениями называют подъем или опускание жидкости в трубках малого


диаметра – капиллярах. Смачивающие жидкости поднимаются по капиллярам,
несмачивающие – опускаются.

79
На рис. 3.5.6 изображена капиллярная трубка некоторого радиуса r, опущенная нижним
концом в смачивающую жидкость плотности ρ. Верхний конец капилляра открыт. Подъем

жидкости в капилляре продолжается до тех пор, пока сила тяжести действующая на


столб жидкости в капилляре, не станет равной по модулю результирующей Fн сил
поверхностного натяжения, действующих вдоль границы соприкосновения жидкости с
поверхностью капилляра: Fт = Fн, где Fт = mg = ρhπr2g, Fн = σ2πr cos θ.
Отсюда следует:

Рисунок 3.5.6.
Подъем смачивающей жидкости в капилляре

При полном смачивании θ = 0, cos θ = 1. В этом случае

При полном несмачивании θ = 180°, cos θ = –1 и, следовательно, h < 0. Уровень несмачивающей жидкости в
капилляре опускается ниже уровня жидкости в сосуде, в которую опущен капилляр.

Вода практически полностью смачивает чистую поверхность стекла. Наоборот, ртуть


полностью не смачивает стеклянную поверхность. Поэтому уровень ртути в стеклянном
капилляре опускается ниже уровня в сосуде.

Лекция № 18

Кристаллические и аморфные тела

По своим физическим свойствам и молекулярной структуре твердые тела разделяются на


два класса – аморфные и кристаллические.

80
Характерной особенностью аморфных тел является их изотропность, т. е. независимость
всех физических свойств (механических, оптических и т. д.) от направления внешнего
воздействия. Молекулы и атомы в изотропных твердых телах располагаются хаотично,
образуя лишь небольшие локальные группы, содержащие несколько частиц (ближний
порядок). По своей структуре аморфные тела очень близки к жидкостям (см. §3.5).
Примерами аморфных тел могут служить стекло, различные затвердевшие смолы
(янтарь), пластики и т. д. Если аморфное тело нагревать, то оно постепенно размягчается,
и переход в жидкое состояние занимает значительный интервал температур.
В кристаллических телах частицы располагаются в строгом порядке, образуя
пространственные периодически повторяющиеся структуры во всем объеме тела. Для
наглядного представления таких структур используются пространственные
кристаллические решетки, в узлах которых располагаются центры атомов или молекул
данного вещества. Чаще всего кристаллическая решетка строится из ионов (положительно
и отрицательно заряженных) атомов, которые входят в состав молекулы данного
вещества. Например, решетка поваренной соли содержит ионы Na+ и Cl–, не объединенные
попарно в молекулы NaCl (рис. 3.6.1). Такие кристаллы называются ионными.

Рисунок 3.6.1.
Кристаллическая решетка поваренной
соли

В каждой пространственной решетке можно выделить структурный элемент


минимального размера, который называется элементарной ячейкой. Вся
кристаллическая решетка может быть построена путем параллельного переноса
(трансляции) элементарной ячейки по некоторым направлениям.
Теоретически доказано, что всего может существовать 230 различных пространственных
кристаллических структур. Большинство из них (но не все) обнаружены в природе или
созданы искусственно.
Кристаллические решетки металлов часто имеют форму шестигранной призмы (цинк,
магний), гранецентрированного куба (медь, золото) или объемно центрированного куба
(железо).
Кристаллические тела могут быть монокристаллами и поликристаллами.
Поликристаллические тела состоят из многих сросшихся между собой хаотически
ориентированных маленьких кристалликов, которые называются кристаллитами.
Большие монокристаллы редко встречаются в природе и технике. Чаще всего
кристаллические твердые тела, в том числе и те, которые получаются искусственно,
являются поликристаллами.

81
В отличие от монокристаллов, поликристаллические тела изотропны, т. е. их свойства
одинаковы во всех направлениях. Поликристаллическое строение твердого тела можно
обнаружить с помощью микроскопа, а иногда оно видно и невооруженным глазом (чугун).
Многие вещества могут существовать в нескольких кристаллических модификациях
(фазах), отличающихся физическими свойствами. Это явление называется
полиморфизмом. Переход из одной модификации в другую называется полиморфным
переходом. Интересным и важным примером полиморфного перехода является
превращение графита в алмаз. Этот переход при производстве искусственных алмазов
осуществляется при давлениях 60–100 тысяч атмосфер и температурах 1500–2000 К.
Структуры кристаллических решеток экспериментально изучаются с помощью дифракции
рентгеновского излучения на монокристаллах или поликристаллических образцах.
На рис. 3.6.2 приведены примеры простых кристаллических решеток. Следует помнить,
что частицы в кристаллах плотно упакованы, так что расстояние между их центрами
приблизительно равно размеру частиц. В изображении кристаллических решеток
указывается только положение центров частиц.

Рисунок 3.6.2.
Простые кристаллические решетки: 1 – простая кубическая решетка; 2 –
гранецентрированная кубическая решетка; 3 – объемноцентрированная
кубическая решетка; 4 – гексагональная решетка

В простой кубической решетке частицы располагаются в вершинах куба. В


гранецентрированной решетке частицы располагаются не только в вершинах куба, но и
в центрах каждой его грани. Изображенная на рис. 3.6.1 решетка поваренной соли состоит
из двух вложенных друг в друга гранецентрированных решеток, состоящих из Na+ и Cl–. В
объемноцентрированной кубической решетке дополнительная частица располагается в
центре каждой элементарной кубической ячейки.
Кристаллические структуры металлов имеют важную особенность. Положительно
заряженные ионы металла, образующие кристаллическую решетку, удерживаются вблизи
положений равновесия силами взаимодействия с «газом свободных электронов»
(рис. 3.6.3). Электронный газ образуется за счет одного или нескольких электронов,
отданных каждым атомом. Свободные электроны способны блуждать по всему объему
кристалла.

82
Рисунок 3.6.3.
Структура металлического
кристалла

83
84
Лекция №19

85
86
87
88
89
90
Лекция № 20

91
Сегнетоэлектрики
Сегнетоэлектрики, диэлектрики, обладающие в определенном интервале температур спонтанной
(самопроизвольной) поляризацией, которая существенно изменяется под влиянием внешних воздействий.

92
Электрические свойства К числу наиболее исследованных и используемых на практике Сегнетоэлектрики
относятся сегнетова соль (давшая название всей группе триглицинсульфат, дигидрофосфат и др.
  Обычно Сегнетоэлектрики не являются однородно поляризованными, а состоят из доменов - областей с
различными направлениями спонтанной поляризации, так что при отсутствии внешних воздействий
суммарный электрический дипольный момент образца практически равен нулю.Электрическое поле,
созданное спонтанной поляризацией одной части образца, воздействует на поляризацию другой части так,
что энергетически выгоднее противоположная поляризация этих двух частей

  Наличие доменов существенно сказывается на свойствах Сегнетоэлектрики Под действием


электрического поля доменные границы смещаются так, что объемы доменов, поляризованных по полю,
увеличиваются за счет объемов доменов, поляризованных против поля. Доменные границы обычно
"закреплены" на дефектах и неоднородностях в и необходимы электрического поля достаточной величины,
чтобы их перемещать по образцу. В сильном поле образец целиком поляризуется по полю - становится
однодоменным. После выключения поля в течение длительного времени образец остается
поляризованным. Необходимо достаточно сильное электрическое поле противоположного направления,
называется коэрцитивным, чтобы суммарные объемы доменов противоположного знака сравнялись. В
сильном поле происходит полная переполяризация образца. Зависимость поляризации образца от
напряженности электрического поля Е нелинейна и имеет вид петли гистерезиса.
Поляризацию обычно измеряют по так называемой петле гистерезиса. Образец помещают между
пластинами конденсатора, на которые подается переменное напряжение E. На экране осциллографа
регистрируется кривая зависимости заряда, возникающего на пластинах, а тем самым и электрической
поляризации (поскольку заряд, отнесенный к единице площади поверхности пластин, является мерой
вектора электрической поляризации P), от напряжения (поля) E. Петля гистерезиса, представленная на рис.
1, характеризуется двумя величинами: остаточной поляризацией P (любого знака), имеющейся даже при
нулевом поле E, и коэрцитивным полем Ec, при котором вектор поляризации изменяет направление на
обратное. Площадь петли гистерезиса равна работе электрических сил, затрачиваемой в пределах одного
цикла перехода сегнетоэлектрика между двумя эквивалентными состояниями поляризации
противоположного знака.

93
  Сильное изменение поляризации образца под действием электрического поля за счет смещения доменных
границ обусловливает тот факт, что диэлектрическая проницаемость e многодомéнного
Сегнетоэлектрики больше, чем однодоменного. Значение e тем больше, чем слабее закреплены доменные
границы на дефектах и на поверхности Величина e в Сегнетоэлектрики существенно зависит от
напряженности электрического поля, т. е. Сегнетоэлектрики обладают нелинейными свойствами. 

  При нагревании Сегнетоэлектрики спонтанная поляризация, как правило, исчезает при определенной
температуре Тс, называется точкой т. е. происходит фазовый переход Сегнетоэлектрики из состояния со
спонтанной поляризацией (полярная фаза) в состояние, в котором спонтанная поляризация отсутствует
(неполярная фаза). Фазовый переход в Сегнетоэлектрики состоит в перестройке структуры (в отличие от
магнетиков). В разных Сегнетоэлектрики Тс сильно различаются.

  Величина спонтанной поляризации s обычно сильно изменяется с температурой вблизи фазового


перехода. Она исчезает в самой точке Тс либо скачком (фазовый переход 1-го рода, например в либо
плавно уменьшаясь (фазовый переход 2-го рода, например в сегнетовой соли). Существенную
температурную зависимость, как в полярной, так и в неполярной фазах, испытывает диэлектрическую
проницаемость e, а также некоторые из упругих, пьезоэлектрических и др. констант Сегнетоэлектрики
Резкий рост e с приближением к точке связан с увеличением "податливости" по отношению к изменению
поляризации, т. е. к тем смещениям ионов, которые приводят к изменению структуры при фазовом
переходе.

94
95
96
97
98
Лекция № 21

Развлетвленные цепи. Правила Кирхгофа.

Расчет разветвленных цепей упрощается, если пользоваться правилами Кирхгофа. Первое


правило относится к узлам цепи. Узлом называется точка, в которой сходится более чем
два тока. Токи, текущие к узлу, считается имеют один знак (плюс или минус), от узла -
имеют другой знак (минус или плюс).

Первое правило Кирхгофа является выражением того факта, что в случае


установившегося постоянного тока ни в одной точке проводника и ни на одном его
участке не должны накапливаться электрические заряды и формулируется в следующем
виде: алгебраическая сумма токов, сходящихся в узле, равна нулю

(17.15)

Второе правило Кирхгофа является обобщением закона Ома на разветвленные


электрические цепи.

Рассмотрим произвольный замкнутый контур в разветвленной цепи (контур 1-2-3-4-1)


(рис. 1.2). Зададим обход контура по часовой стрелке и применим к каждому из
неразветвленных участков контура закон Ома.

99
Сложим эти выражения, при этом потенциалы сокращаются и получаем выражение

(17.16)

В любом замкнутом контуре произвольной разветвленной электрической цепи,


алгебраическая сумма падений напряжений (произведений сил токов на сопротивление)
соответствующих участков этого контура равна алгебраической сумме эдс входящих в
контур.

Классическая теория электропроводности металлов

Исходя из представлений о свободных электронах, Друде разработал классическую


теорию электропроводности металлов, которая затем была усовершенствована Лоренцем.
Друде предположил, что электроны проводимости в металле ведут себя подобно
молекулам идеального газа. В промежутках между соударениями они движутся
совершено свободно, пробегая в среднем некоторый путь . Правда в отличие от молекул
газа , пробег которых определяется соударениями молекул друг с другом, электроны
сталкиваются преимущественно не между собой, а с ионами, образующими
кристаллическую решетку металла. Эти столкновения приводят к установлению
теплового равновесия между электронным газом и кристаллической решеткой. Полагая,
что на электронный газ могут быть распространены результаты кинетической теории
газов, оценку средней скорости теплового движения электронов можно произвести по

100
формуле . Для комнатной температуры ( 300К) вычисление по этой формуле
приводит к следующему значению: . При включении поля на хаотическое
тепловое движение, происходящее, со скоростью , накладывается упорядоченное
движение электронов с некоторой средней скоростью . Величину этой скорости легко
оценить, исходя из формулы, связывающей плотность тока j с числом n носителей в
единице объема, их зарядом е и средней скоростью :

(18.1)

Предельная допустимая техническими нормами плотность тока для медных проводов


составляет около 10 А/мм2 = 107 А/м2. Взяв для n=1029 м-3, получим

Таким образом, даже при больших плотностях тока средняя скорость упорядоченного
движения зарядов в 108 раз меньше средней скорости теплового движения .

Друде считал, что сразу после очередного соударения электрона с ионом кристаллической
решетки скорость упорядоченного движения электрона равна нулю. Предположим, что
напряженность поля не изменяется. Тогда под действием поля электрон получит
постоянное ускорение равное

и к концу пробега скорость упорядоченного движения достигнет значения

(18.2)

где t - среднее время между двумя последовательными соударениями электрона с ионами


решетки. Друде не учитывал распределение электронов по скоростям и приписывал всем
электронам одинаковое значение средней скорости . В этом приближении , где
- среднее значение длины свободного пробега, - скорость теплового движения
электронов. Подставим это значение t в формулу (18.2)

Скорость изменяется за время пробега линейно. Поэтому ее среднее (за пробег) значение
равно половине максимального

Подставив это выражение в


101
получим

Плотность тока оказалась пропорциональной напряженности поля. Следовательно, мы


получили закон Ома. Согласно коэффициент пропорциональности между j и Е
представляет собой проводимость

(18.3)

Если бы электроны не сталкивались с ионами решетки, длина свободного пробега, а,


следовательно, и проводимость были бы бесконечно велики. Таким образом,
электрическое сопротивление металлов обусловлено соударениями свободных электронов
с ионами.

К концу свободного пробега электрон приобретает скорость , и, следовательно,


дополнительную кинетическую энергию, средняя величина которой

Столкнувшись с ионом, электрон по предположению полностью теряет приобретенную


им за время пробега скорость, и передает энергию кристаллической решетке. Эта энергия
идет на увеличение внутренней энергии металла, проявляющееся в его нагревании.
Каждый электрон претерпевает за секунду в среднем 1/t соударений, сообщая всякий раз
решетке энергию . Следовательно, в единице объема за единицу времени должно
выделяться тепло

где n - число электронов проводимости в единице объема. Величина есть не что иное,
как удельная мощность тока. Множитель при совпадает со значением (18.3) для
закона Ома. Таким образом. Мы пришли к выражению закона Джоуля-Ленца в
дифференциальной форме.

Из опыта известно, что наряду с высокой электропроводностью металлы отличаются


также большой теплопроводностью. Видеман и Франц установили в 1853 г. эмпирический
закон, согласно которому отношение коэффициента теплопроводности к коэффициенту
электропроводности для всех металлов приблизительно одинаково и изменяется
пропорционально абсолютной температуре. Способностью проводить тепло обладают и
неметаллические кристаллы. Однако теплопроводность металлов значительно

102
превосходит теплопроводность диэлектриков. Из этого можно заключить, что
теплопередача в металлах осуществляется в основном не кристаллической решеткой, а
электронами. Рассматривая электроны как одноатомный газ, для коэффициента
теплопроводности можно заимствовать выражение кинетической теории газа

где - плотность газа; .

Тогда

(18.4)

Удельная теплоемкость одноатомного газа равна

Подставляя эти значения в выражение (18.4), получим

(18.5)

Разделив (18.5) на (18.3), имеем

Произведя замену приходим к соотношению

(18.6)

которое выражает закон Видемана-Франца, При T=300°К для отношения получается

значение

Лекция № 22

103
Явление термоэлектронной эмиссии. Ток в газах.

Электроны проводимости в металле находятся в беспорядочном движении. Наиболее


быстро движущиеся электроны, обладающие достаточно большей кинетической энергией,
могут вырываться из металла в окружающее пространство. При этом они совершают
работу как против сил притяжения со стороны избыточного положительного заряда,
возникающего в металле в результате их вылета, так и против сил отталкивания со
стороны ранее вылетевших электронов, образующих вблизи поверхности проводника
электронное “облако”. Между электронным газом, в металле и электронным «облаком”
устанавливается динамическое равновесие. Работу, которую нужно совершить для
удаления электрона из металла в вакуум называют работой выхода. Она равна , где
е -заряд электрона, - потенциал выхода. Работа выхода производится электронами - за
счет уменьшения их кинетической энергии. Поэтому понятно, что медленно движущиеся
электроны вырваться из металла не могут. Работа выхода зависит от химической природы
металла и состояния его поверхности загрязнения, следы влаги и пр. изменяют ее
величину. Для чистых металлов работа выхода колеблется в пределах нескольких
электронвольт. Электрон проводимости может вылететь из какого либо металла в том
случае, если его энергия превышает работу выхода А электрона из металла. Явление
испускания электронов нагретыми металлами называется термоэлектронной эмиссией.

Концентрация электронов проводимости в металле весьма велика; их тепловые


скорости при данной температуре различны и распределены, по классическим
представлениям, в соответствии с законом Максвелла. Это означает, что даже при средних
температурах в металле имеется достаточно большое число электронов проводимости,
способных совершить работу выхода и вылететь из металла. При этом работа выхода
равна убыли кинетической энергии

где m, е - соответственно масса и заряд электрона, и - скорости электрона до и после


выхода из металла. При обычных температурах количество электронов, имеющих
скорость, достаточную для вылета, очень невелика. Существуют несколько способов
сообщения электронам дополнительной энергии, необходимой для удаления их из
металла: нагревание проводника (термоэлектронная эмиссия); облучение металлов
видимым и ультрафиолетовым светом (фотоэлектронная эмиссия); воздействие
ускоряющего внешнего электрического поля (автоэлектронная, или холодная эмиссия);
бомбардировка металла электронами или ионами.

Для того чтобы получить значительный поток электронов, так называемый эмиттер
нагревают до температур порядка 2000÷2500 К.

Для исследования термоэлектронной эмиссии можно использовать установку, состоящую


из двух электродов - анода А и катода К, которые помещены в вакуум (рис.18.1). Катод
выполнен в виде нити, анод - в виде коаксиального цилиндра. Катод, являющийся

104
источником электронов, подогревается с помощью специальной батареи накала Бн.

Анодная батарея Ба служит для создания электрического поля Евн между катодом и
анодом. Когда нить разогрета, возникает электронное, облако, несущее отрицательный
заряд. В результате включения батареи Ба анода поток электронов начинает двигаться
между катодом и анодом, т.е. в цепи начинает протекать электрический ток. Сила тока
зависит от температуры нити,

напряжения Ua, которое создает анодная батарея, материала катода и геометрии


электродов. Зависимость анодного тока, регистрируемого гальванометром G, от анодного
напряжения I=f(Ua) называется вольт - амперной характеристикой установки.

Такую характеристику можно снять экспериментально, поддерживая напряжение накала


постоянным и изменяя напряжение Ua (рис. 18.2). На этой вольт - амперной
характеристике можно выделить три области. Область I соответствует тому случаю, когда
к электродам прикладывается задерживающая разность потенциалов (к аноду
подключается отрицательный полюс батареи), т.е. поле Е тормозит электроны. Однако ток
в цепи все же идет потому, что часть электронов, вылетающих из раскаленной нити, имеет
энергию, достаточную для преодоления задерживающей разности потенциалов. Эта часть
вольт - амперной характеристики называется «кривой задержки”. Помимо электрического
поля Евн, создаваемого анодной батареей, между катодом и анодом существующее поле
обязанное своему возникновению летящими электронами. Электроны, движущиеся от
катода к аноду, создают определенный объемный заряд, который вызывает электрическое
поле Еоб будет тормозить электроны при их вылете из катода и ускорять при подлете к

105
аноду. При увеличении разности потенциалов Ua поле Е0б будет уменьшаться. Поэтому
все большее количество электронов станет долетать до анода и сила тока будет расти
(область II).

При некотором значении разности потенциалов Ua=U0 суммарное поле Евн + Еоб у катода
сделается равным нулю. При этом все вылетающие при данной температуре из катода
электроны будут достигать анода. Поэтому дальнейшее повышение напряжения Ua не
приведет к увеличению анодного тока I. Сила тока станет постоянной (область III). Такой
ток называется током насыщения. Сила тока насыщения при прочих равных условиях
зависит от температуры эмиттера. Зависимость плотности тока насыщения jH от
абсолютной температуры Т удовлетворительно описывается формулой Ричардсона -
Дэшмена.

(18.7)

где - средний коэффициент отражения электронов от границы эмиттер -вакуум, В -


постоянная, зависящая от материала катода, А - работа выхода электрона, к - постоянная
Больцмана.

Газы в отличие от металлов состоят из электрически нейтральных атомов и молекул и не


содержат свободных зарядов (электронов и ионов), способных приходить в
упорядоченное движение под действием электрического поля. Следовательно, при
нормальных условиях газы являются изоляторами. Это подтверждается опытами с
заряженными изолированными проводниками в сухом воздухе: их заряд практически не
изменяется в течение длительного времени. Газ становится проводником, если часть его
молекул ионизируется, т. е. они расщепляются на электроны и положительные ионы. В
газе могут возникнуть и отрицательные ионы вследствие соединения с его нейтральными
молекулами части освободившихся электронов. Атомы и молекулы газа представляют
собой устойчивые системы заряженных частиц. Поэтому для ионизации атома (или
молекулы), необходимо совершить работу против сил взаимодействия между
вырываемым электроном и остальными частицами атома (или молекулы) Эта работа
называется работой ионизации Ai. Величина работы ионизации зависит от химической
природы газа и энергетического состояния вырываемого электрона в атоме или молекуле.
Наиболее слабо связаны с ядром внешние (валентные) электроны атомов, поэтому для
удаления из атома валентного электрона нужно затратить меньшую работу, чем для
любого другого электрона. Работу ионизации можно характеризовать с помощью
потенциала ионизации. Потенциалом ионизации называется та разность потенциалов,
которую должен пройти электрон в ускоряющем электрическом поле для того, чтобы
увеличение его энергии было равно работе ионизации . Если Аi выражено в
электронвольтах, a - в вольтах, то численно равно Аi. Ионизация газов может
происходить под влиянием различных внешних воздействий: сильного нагрева газа,
рентгеновских лучей, - лучей, возникающих при радиоактивном распаде,
космических лучей, бомбардировке молекул газа быстро движущимися электронами или
ионами. Количественной характеристикой процесса ионизации служит интенсивность
ионизации, измеряемая числом пар противоположных по знаку заряженных частиц,
возникающих в единице объема газа за единицу времени. Под действием внешнего
электрического поля электроны и ионы ионизации начинают двигаться, и возникает
электрический ток. Процесс прохождения электрического тока через газ называется

106
газовым разрядом. Различают в основном два вида газового разряда: самостоятельный и
несамостоятельный.

Если электропроводность газа создается внешними ионизаторами, то электрический ток в


нем называется несамостоятельным газовым разрядом. Большинство газов, а также воздух
при нормальных условиях являются изоляторами, так как они содержат ничтожно мало
ионов. Поэтому если приложенные напряжения не слишком велики, то газы
электрического тока не пропускают.При напряжениях порядка нескольких сотен вольт
электрический ток проходит через газы только при наличии ионизатора.

Рассмотрим схему, изображенную на рис 19.1. Между пластинами плоского конденсатора


К находится воздух при атмосферном давлении и комнатной температуре. Если к
конденсатору приложено напряжение, равное несколькими сотнями вольт, а ионизатор S
не работает, то гальванометр G тока не регистрирует. Как только пространство между
пластинами конденсатора начинает пронизываться потоком ультрафиолетового излучения
от источника S , гальванометр начинает регистрировать прохождение тока по цепи. Этот
ток и представляет собой несамостоятельный разряд. Таким, образом, электрический ток в
газах появляется в результате переноса зарядов электронами, положительными и
отрицательными ионами. Одновременно с процессом ионизации в газе протекает
противоположный процесс, который называется процессом рекомбинации ионов. При
столкновении электрона с положительным ионом они образуют обычную нейтральную;
молекулу - рекомбинируют. Если к конденсатору не приложено внешнее напряжение, то в
определённый момент времени в рабочем объеме конденсатора устанавливается
динамическое равновесие, при котором скорость ионизации (количество ионов,
образующихся в единицу времени) становится равной скорости рекомбинации ионов.
Если между пластинами конденсатора существует электрическое поле, то часть ионов
достигнет пластин, другая (меньшая) часть все же рекомбинирует, в результате чего
образуются нейтральный молекулы, которые в процессе переноса заряда участвовать не
будут.

Сильное электрическое поле может вызвать в газовой среде самостоятельный разряд, т.е.
электрический разряд, сохраняющийся после прекращения действия внешнего
ионизатора. Электрические заряды, которые содержатся в газе, под действием поля

107
разгоняются и приобретают кинетическую энергию, достаточную для ионизации
встречных молекул ударом. Напряжение зажигания самостоятельного разряда
(напряжение пробоя) зависит от давления газа и расстояния между электродами.
Напряжение пробоя при увеличении давления будет больше, так как уменьшается длина
свободного пробега ионов и электронов, которые на коротком пути не успевают
разогнаться и приобрести энергию, достаточную для ионизации ударом. При увеличении
расстояния между электродами падает градиент потенциалов, что также приводит к
необходимости увеличения приложенного напряжения. Различают несколько видов
самостоятельного разряда: коронный, тлеющий, искровой и дуговой.

Коронный разряд возникает вследствие неоднородности электростатического поля,


которое на отдельных участках достигает величины, достаточной для возникновения
самостоятельного разряда. Неоднородности поля могут появится, если один из электродов
(или оба) выполнены в виде лезвия или острия, т.е. имеют очень .большую кривизну. В
этом случае происходит концентрация электрического поля в точке - на острие. Около
острия наблюдается свечение газа, называемое короной. Ионизация молекул при
коронном разряде осуществляется в небольшой области, расположенной вблизи
электрода, имеющего малый радиус кривизны, а в остальной части разрядного
промежутка происходит фактически несамостоятельный разряд. Электрическое
сопротивление этой «темной” области разряда определяет силу тока. Коронный разряд
происходит при давлениях газа, близких к атмосферному. Коронный разряд в газах с
низким давлением иногда переходит в тлеющий.

Тлеющий разряд может быть получен при любых давлениях вплоть до атмосферного,
однако большинство исследований проведено при давлениях от сотых долей до
нескольких миллиметров ртутного столба. Отличительной чертой тлеющего разряда
является малая плотность тока на катоде и большое (порядка сотен вольт) катодное
падение потенциала. Испускание электронов холодным катодом происходит вследствие
ударов положительных ионов и быстрых атомов о катод, а также по некоторым другим
причинам (фотоэффект и др.). Если тлеющий разряд происходит в длинной
цилиндрической трубке, наполненной газом, то можно визуально различить ряд резко
разграниченных областей разряда (рис. 19.2).

Около катода 1 располагается небольшая темная область 2 - первое темное пространство,


в котором свечение газа не происходит, так как энергия электронов еще недостаточна для
возбуждения молекул газа. Далее идут области отрицательного свечения 3, второго
(фарадеева) темного пространства 4 и интенсивного положительного (анодного) свечения
5. В длинных трубках при невысокой степени разрежения анодное свечение занимает
значительную часть длины трубки. Стеклянные трубки, наполненные аргононом (голубое
свечение) и неоном (красное свечение), применяются для декоративного и рекламного
освещения.

108
Искровой разряд представляет собой прерывистую форму электрического разряда в газах,
возникающую при атмосферном давлении, когда газ ионизирован по всей длине
межэлектродного пространства. Ионизация газа в этом случае происходит не по всему
объему, а по отдельным ярко светящимся каналам, так называемый искровым каналам. Их
образование может начинаться как от положительного, так и от отрицательного
электрода, иногда зарождение каналов начинается в пространстве между электродами.
Лавины электронов, несущихся в искровом канале, вызывают резкое повышение
температуры и давления газа, отчего искровой разряд сопровождается характерным
треском. В естественных условиях примером искрового разряда может служить молния.
Искровой разряд возникает тогда, когда мощность источника напряжения недостаточная
для поддержания стационарного дугового или тлеющего разряда. Поэтому после пробоя
газа напряжение резко падает и разряд прекращается. Затем напряжение постепенно
увеличивается, наступает пробой, между электродами проскакивает искра и процесс
повторяется снова. Напряжение, необходимое для возбуждения искрового разряда,
зависит от расстояния между электродами (длина искры) и давления газа. Искровой
разряд применяется в технике для измерения высоких напряжений, для резки, сверления и
точной обработки металлов, а также при проведении взрывных работ.

Дуговой разряд. При большой мощности источника напряжения искровой разряд


превращается в непрекращающийся дуговой разряд. Он характеризуется большой
плотностью тока и малой разностью потенциалов между катодом и анодом. Газообразная
плазма между электродами имеет температуру около 4800°С и обладает очень высокой
проводимостью. Электрическая дуга была открыта в 1803 г В. В. Петровым и в 1876 г.
была применена П.Н.Яблочковым для целей уличного освещения.

Лекция № 23

Зонная теория твердого тела. Полупроводники

Зонная теория твёрдого тела — квантовомеханическая теория движения электронов в


твёрдом теле.

В соответствии с квантовой механикой свободные электроны могут иметь любую


энергию — их энергетический спектр непрерывен. Электроны, принадлежащие
изолированным атомам, имеют определённые дискретные значения энергии. В твёрдом
теле энергетический спектр электронов существенно иной, он состоит из отдельных
разрешённых энергетических зон, разделённых зонами запрещённых энергий.

Физические основы зонной теории

Согласно постулатам Бора в изолированном атоме энергия электрона может принимать


строго дискретные значения (также говорят, что электрон находится на одной из
орбиталей).

В случае нескольких атомов, объединенных химической связью (например, в молекуле),


электронные орбитали расщепляются в количестве, пропорциональном количеству
атомов, образуя так называемые молекулярные орбитали. При дальнейшем увеличении
системы до макроскопического кристалла (количество атомов более 1020), количество
орбиталей становится очень велико, а разница энергий электронов, находящихся на

109
соседних орбиталях, соответственно очень маленькой, энергетические уровни
расщепляются до двух практически непрерывных дискретных наборов — энергетических
зон. Наивысшая из разрешённых энергетических зон в полупроводниках и диэлектриках,
в которой при температуре 0 К все энергетические состояния заняты электронами,
называется валентной, следующая за ней — зоной проводимости. В металлах зоной
проводимости называется наивысшая разрешённая зона, в которой находятся электроны
при температуре 0 К.

Запрещенная зона различных материалов

Рисунок 1: Упрощенная зонная диаграмма для проводников, полупроводников и


диэлектриков.

В различных веществах, а также в различных формах одного и того же вещества,


энергетические зоны располагаются по-разному. По взаимному расположению этих зон
вещества делят на три большие группы (см. Рисунок 1):

 проводники — зона проводимости и валентная зона перекрываются, образуя


одну зону, называемую зоной проводимости, таким образом, электрон
может свободно перемещаться между ними, получив любую допустимо
малую энергию. Таким образом, при приложении к твердому телу разности
потенциалов, электроны смогут свободно двигаться из точки с меньшим
потенциалом в точку с большим, образуя электрический ток. К проводникам
относят все металлы.
 диэлектрики — зоны не перекрываются и расстояние между ними
составляет более 3.5эВ. Таким образом, для того, чтобы перевести электрон
из валентной зоны в зону проводимости требуется значительная энергия,
поэтому диэлектрики ток практически не проводят.
 полупроводники — зоны не перекрываются и расстояние между ними
составляет менее 3.5эВ. Для того, чтобы перевести электрон из валентной
зоны в зону проводимости требуется энергия меньшая, чем для диэлектрика,
поэтому чистые (собственные, нелегированные) полупроводники слабо
пропускают ток.

Зонная теория является основой современной теории твёрдых тел. Она позволила понять
природу и объяснить важнейшие свойства металлов, полупроводников и диэлектриков.
Величина запрещённой зоны между зонами валентности и проводимости является
ключевой величиной в зонной теории, она определяет оптические и электрические
свойства материала.

110
Поскольку одним из основных механизмов передачи электрону энергии является
тепловой, то проводимость полупроводников очень сильно зависит от температуры.
Также, проводимость можно увеличить, создав разрешенный энергетический уровень в
запрещенной зоне, путем легирования. Таким образом создаются все полупроводниковые
приборы: солнечные элементы (преобразователи света в электричество), диоды,
транзисторы, твердотельные лазеры и другие.

Переход электрона из валентной зоны в зону проводимости называют процессом


генерации носителей заряда (отрицательного — электрона, и положительного — дырки),
обратный переход — процессом рекомбинации.

Полупроводники́ — материалы, которые по своей удельной проводимости занимают


промежуточное место между проводниками и диэлектриками и отличаются от
проводников сильной зависимостью удельной проводимости от концентрации примесей,
температуры и различных видов излучения. Основным свойством этих материалов
является увеличение электрической проводимости с ростом температуры [1].

Полупроводниками являются вещества, ширина запрещённой зоны которых составляет


порядка нескольких электрон-вольт (эВ). Например, алмаз можно отнести к
широкозонным полупроводникам, а арсенид индия — к узкозонным. К числу
полупроводников относятся многие химические элементы (германий, кремний, селен,
теллур, мышьяк и другие), огромное количество сплавов и химических соединений
(арсенид галлия и др.). Почти все неорганические вещества окружающего нас мира —
полупроводники. Самым распространённым в природе полупроводником является
кремний, составляющий около 30 % земной коры.

В зависимости от того, отдаёт ли атом примеси электрон или захватывает его, примесные
атомы называют донорными или акцепторными. Характер примеси может меняться в
зависимости от того, какой атом кристаллической решётки она замещает, в какую
кристаллографическую плоскость встраивается.

Проводимость полупроводников сильно зависит от температуры. Вблизи абсолютного


нуля температуры полупроводники имеют свойства диэлектриков.

Механизм электрической проводимости полупроводников

Полупроводники характеризуются как свойствами проводников, так и диэлектриков. Так


как, образуя кристаллы, атомы полупроводников устанавливают ковалентные связи (то
есть, один электрон в кристалле кремния, как и алмаза, связан двумя атомами),
электронам необходим уровень внутренней энергии для высвобождения из атома
(1,76×10−19 Дж против 11,2×10−19 Дж, чем и характеризуется отличие между
полупроводниками и диэлектриками). Эта энергия появляется в них при повышении
температуры (например, при комнатной температуре уровень энергии теплового
движения атомов равняется 0,4×10−19 Дж), и отдельные атомы получают энергию для
отрыва электрона от атома. С ростом температуры число свободных электронов и дырок
увеличивается, поэтому в полупроводнике, не содержащем примесей, удельное
сопротивление уменьшается. Условно принято считать полупроводниками элементы с
энергией связи электронов меньшей чем 1,5—2 эВ. Электронно-дырочный механизм
проводимости проявляется только у чистых (то есть без примесей) полупроводников. Он
называется собственной электрической проводимостью полупроводников.

111
Дырка

Во время разрыва связи между электроном и ядром появляется свободное место в


электронной оболочке атома. Это обуславливает переход электрона с другого атома на
атом со свободным местом. На атом, откуда перешёл электрон, входит другой электрон из
другого атома и т. д. Это обуславливается ковалентными связями атомов. Таким образом,
происходит перемещение положительного заряда без перемещения самого атома. Этот
условный положительный заряд называют дыркой.

Обычно подвижность дырок в полупроводнике ниже подвижности электронов.

Энергетические зоны
Между зоной проводимости Еп и валентной зоной Ев расположена зона запрещённых
значений энергии электронов Ез. Разность Еп−Ев равна ширине запрещенной зоны Ез. С
ростом ширины Ез число электронно-дырочных пар и проводимость собственного
полупроводника уменьшается, а удельное сопротивление возрастает.

Виды полупроводников

По характеру проводимости

Собственная проводимость

Полупроводники, в которых свободные электроны и «дырки» появляются в процессе


ионизации атомов, из которых построен весь кристалл, называют полупроводниками с
собственной проводимостью. В полупроводниках с собственной проводимостью
концентрация свободных электронов равняется концентрации «дырок».

Проводимость связана с подвижностью частиц следующим соотношением:

где ρ удельное сопротивление, μn — подвижность электронов, μp — подвижность дырок,


Nn,p — их концентрация, q — элементарный электрический заряд (1,602×10−19 Кл).

Для собственного полупроводника концентрации носителей совпадают и формула


принимает вид:

Примесная проводимость

Для создания полупроводниковых механизмов используют кристаллы с примесной


проводимостью. Такие кристаллы изготавливаются с помощью внесения примесей с
атомами трехвалентного или пятивалентного химического элемента.

112
По виду проводимости

Электронные полупроводники (n-типа)

Полупроводник n-типа

Этот вид полупроводников имеет примесную природу. В четырехвалентный


полупроводник (например, кремний) добавляют примесь пятивалентного полупроводника
(например, мышьяка). В процессе взаимодействия каждый атом примеси вступает в
ковалентную связь с атомами кремния. Однако для пятого электрона атома мышьяка нет
места в насыщенных валентных связях, и он переходит на дальнюю электронную
оболочку. Там для отрыва электрона от атома нужно меньшее количество энергии.
Электрон отрывается и превращается в свободный. В данном случае перенос заряда
осуществляется электроном, а не дыркой, то есть данный вид полупроводников проводит
электрический ток подобно металлам. Примеси, которые добавляют в полупроводники,
вследствие чего они превращаются в полупроводники n-типа, называются донорными.

Проводимость N-полупроводников приблизительно равна:

[править] Дырочные полупроводники (р-типа)

Полупроводник p-типа

Этот вид полупроводников, кроме примесной основы, характеризуется дырочной


природой проводимости. В четырехвалентный полупроводник (например, в кремний)
добавляют небольшое количество атомов трехвалентного элемента (например, индия).
Каждый атом примеси устанавливает ковалентную связь с тремя соседними атомами
кремния. Для установки связи с четвертым атомом кремния у атома индия нет валентного
электрона, поэтому он захватывает валентный электрон из ковалентной связи между
соседними атомами кремния и становится отрицательно заряженным ионом, вследствие
чего образуется дырка. Примеси, которые добавляют в полупроводники, вследствие чего
они превращаются в полупроводники p-типа, называются акцепторными.

113
Проводимость P-полупроводников приблизительно равна:

Использование полупроводников в радиотехнике

Полупроводниковый диод

Полупроводниковый диод состоит из двух типов полупроводников — дырочного и


электронного. В процессе контакта между этими областями из области с
полупроводником n-типа в область с полупроводником p-типа проходят электроны,
которые затем рекомбинируют с дырками. Вследствие этого возникает электрическое
поле между двумя областями, что устанавливает предел деления полупроводников — так
называемый p-n переход. В результате в области с полупроводником p-типа возникает
некомпенсированный заряд из отрицательных ионов, а в области с полупроводником n-
типа возникает некомпенсированный заряд из положительных ионов. Разница между
потенциалами достигает 0,3-0,6 В.

Связь между разницей потенциалов и концентрацией примесей выражается следующей


формулой:

где VT — термодинамическое напряжение, Nn — концентрация электронов, Np —


концентрация дырок, ni — собственная концентрация [2].

В процессе подачи напряжения плюсом на p-полупроводник и минусом на n-


полупроводник внешнее электрическое поле будет направлено против внутреннего
электрического поля p-n перехода и при достаточном напряжении электроны преодолеют
p-n переход, и в цепи диода появится электрический ток (прямая проводимость). При
подаче напряжения минусом на область с полупроводником p-типа и плюсом на область с
полупроводником n-типа между двумя областями возникает область, которая не имеет
свободных носителей электрического тока (обратная проводимость). Обратный ток
полупроводникового диода не равен нулю, так как в обоих областях всегда есть
неосновные носители заряда. Для этих носителей p-n переход будет открыт.

Таким образом, p-n переход проявляет свойства односторонней проводимости, что


обуславливается подачей напряжения с различной полярностью. Это свойство используют
для выпрямления переменного тока.

Транзистор

Транзистор — полупроводниковое устройство, которое состоит из двух областей с


полупроводниками p- или n-типа, между которыми находится область с полупроводником
n- или p-типа. Таким образом, в транзисторе есть две области p-n перехода. Область
кристалла между двумя переходами называют базой, а внешние области называют
эмиттером и коллектором. Самой употребляемой схемой включения транзистора является
схема включения с общим эмиттером, при которой через базу и эмиттер ток
распространяется на коллектор. Биполярный транзистор используют для усиления
электрического тока.

114
II семестр

Лекция № 1

115
116
117
118
Лекция № 2

119
Сила взаимодействия

параллельных проводников с током.

B M2 I2 1.Металический провод
электрически нейтрален 
Кулоновские силы
dF2 компенсируются.

r12 r 2.Движущиися заряды ( e  )
создают B -поле и возникает
dF1 магнитное взаимодействие токов.

3.Элемент тока I 1 dl1 создает поле
 
I1 M1 с индукцией, dB1 которая согласно
закону Био-Савара равна:

120
 
  0 I 1 dl  r12
dB1 
4 r123

В точке r12 всем током I 1 создается поле B1
 0  dl1 r12 sin   0  sin   dl1
4  4  r122
B1  I1 2
 I1
r123
Замена dl1   y 0 ctg 2 . В результате получим:
 I
B1  0 1
2  r
- поле прямого тока I1 (сравни с выражением, полученным выше).
Согласно закону Ампера:
   I I
dF2  I 2 dl  2 B1  0 1 2 dl 2  сила притяжения.
2 r
Итак на длину l 2 проводника приходится сила Ампера:
 I I
F  0 1 2 l2 10.1
2 r
Если токи сонаправлены, то между проводниками действует сила притяжения, если токи
имеют противоположные направления, то между ними действует сила отталкивания.

Лекция № 3

Работа перемещения проводника с током в магнитном поле

Рассмотрим участок
проводника с током, который
может перемещаться в магнитном
поле. Поле будем считать
однородным и перпендикулярным
к плоскости контура. Работа,
совершенная силой F при
перемещении на x участка проводника l с током I, будет равна:
A = Fx = BIlx = IBS = IdФ .
В случае если поле неоднородно dA = IdФ, где dФ - поток магнитной индукции
пересекаемый проводником при движении.
Можно показать, что если В не перпендикулярно плоскости контура, то формула для
расчета работы будет той же. Формула будет справедлива и для перемещения проводника
с током любой формы, в том числе и замкнутого контура с током (в этом cлучае dФ -
изменение потока, пересекающего контур). Она справедлива не только для
прямолинейного перемещения, но и для перемещения любого типа.
Примечания: 1.Если контур перемещается в однородном поле таким образом, что
поток его пересекающий остается неизменным, то работа не производится.
2.. Работа по перемещению проводника с током совершается за счет энергии источника
тока.

Сила, действующая на заряд, движущейся в магнитном поле. Сила Лоренца

На элемент тока в магнитном поле действует сила Ампера:

121
  
dF  I [d  B] .
      
Заменяя I d  j S d,имеем dF  S d[ j  B]  dV [ j  B]
, где dV - объем проводника,
к которому приложена сила dF.   
Учитывая, что j = neU, имеем dF  n e [U  B] dV , где n dV - число носителей заряда
в объеме dV.   
Сила, действующая на один заряд (сила Лоренца), равна: f  e [U  B] , или в
Л

скалярной форме: fЛ = e UB sin. Направлена сила Лоренца перпендикулярно плоскости,



в которой лежат векторы U и B . Если заряд частицы положителен, то направление силы
 
совпадает с направлением вектора [ U  B ]. В случае отрицательного заряда направление
силы Лоренца противоположно.
Поскольку в формулу силы Лоренца входит скорость электрона U,
то, следовательно, в разных системах отсчета сила Лоренца будет
разной. Сила Лоренца всегда направлена перпендикулярно к
скорости заряженной частицы иаботы не совершает.
Следовательно, действуя на заряженную частицу магнитным полем,
изменить ее энергию нельзя.

Эффект Холла

В 1880 г. Холл обнаружил следующее явление: если металлическую пластинку,


вдоль которой течет ток, поместить в перпендикулярное к ней магнитное поле, то между
боковыми гранями возникает разность
потенциалов (UAB).

Эффект Холла наблюдается во всех проводниках и полупроводниках. На заряд е,


движущийся в магнитном поле действует сила Лоренца. Под действием этой силы
положительные заряды будут отклоняться к грани В, отрицательные - к грани А. В
результате разделения зарядов в пластине возникает электрическое поле напряженностью
Е. Сила электрического взаимодействия f К = e E действует в направлении,
противоположном силе Лоренца. В случае равновесного процесса прохождения тока по
пластинке эти силы уравновешиваются fЛ = fК, отсюда: е U B sin = e E, но sin = 1, тогда
U B = E, где U - скорость движения заряда, Е - напряженность поперечного
электрического поля в проводнике, возникшего вследствие отклонения заряженных
частиц в магнитном поле.
Если пластина достаточно широкая и длинная,
электрическое поле можно считать однородным, тогда можно

122
записать формулу связи между поперечной разностью потенциалов и напряженностью
электрического поля в следующей форме:
V AB
E= , где а - расстояние между гранями А и В.
a
Отсюда VAB = E a = U B a, учитывая, что j = n e U,
получаем:
jBa I Ba IBb 1 IB IB
VAB = n e  n eS  n e  n e  b  R b .
Постоянную R называют постоянной Холла. Экспериментально измерив эту
величину, можно найти концентрацию носителей тока (их число в единице объема) и
рассчитать длину свободного пробега зарядов в проводниках.
Знак R совпадает со знаком заряда, поэтому определяя знак R можно установить характер
носителей (что особенно важно в случае полупроводников.

123
Лекция № 4

124
125
126
Лекция № 5

127
128
129
130
Лекция № 6

Переменный ток

Получение и характеристики переменного тока.


Наиболее широкое применение в технике находит не постоянный, а переменный ток,
изменяющийся со временем по гармоническому закону с частотой, как правило, равной 50
Герцам.

Такой ток создается генераторами переменного тока, в


которых электродвижущая сила (ЭДС) возникает в
результате процесса электромагнитной индукции. В
цилиндрической полости, изготовленной из мягкой стали,
вращается постоянный магнит, называемый ротором.
Неподвижный сердечник с его обмоткой называется
статором. Статор и ротор изготовлены так, что магнитная
индукция B в зазоре между ними изменяется по закону:

B = Bmcos(wt),

131
где Bm – максимальное значение вектора электромагнитной индукции.

Магнитный поток через контур катушки равен:

Фm = B*S = Bm*S*cos(wt).

В обмотке статора при изменении магнитного потока наводится ЭДС, равная

ei = - dФ/dt = Bm*S*sin(wt) = emsin(wt).

Итак, напряжение, получаемое с помощью генераторов переменного тока, изменяется по


гармоническому закону:

U = Umsin(wt).

Ток в электрических цепях изменяется аналогичным образом:

I = Imsin(wt + f).

Характеристики переменного тока

Средняя мощность переменного тока за период T равна:

Pср. = Im*Umcos(f)/2,
где f - сдвиг фаз между током и напряжением,
        Um и Im - максимальные (амплитудные) значения напряжения и силы тока.

Устройства, необратимо и полностью преобразующие электрическую энергию в другие


виды энергии, называют активной нагрузкой, а их сопротивление - активным
сопротивлением. В цепи переменного тока с активной нагрузкой колебания силы тока
совпадают по фазе с колебаниями напряжения. Если U = Umsin(wt), то I = Imsin(wt) и cos(f)
=1.

Действующие (эффективные) значения силы тока и напряжения рассчитываются по


формулам:

Iд = Im/(2)1/2,                                   Uд = Um/(2)1/2.

Постоянный ток со значениями тока и напряжения, равными действующим значениям,


приводит к выделению в электрической цепи с активной нагрузкой за период точно такой
же энергии, как и переменный ток с амплитудными значениями Um и Im.

Мгновенная мощность в цепи переменного тока с активным сопротивлением равна:


P = I*U.

Резистор, конденсатор и катушка индуктивности в цепи переменного тока.

132
Резистор в цепи постоянного и переменного тока в любой момент времени обладает
одним и тем же значением сопротивления R = U/I. Ток и напряжение совпадают по фазе.
На векторной диаграмме направления этих векторов совпадают (рис.1).

Среднее значение мощности Pср.= Um*Im/2.

Конденсатор, включенный в цепь переменного тока, обладает емкостным сопротивлением


Xc:

Xc = 1/(wC),
где С - емкость конденсатора,
        w - частота переменного тока.

Величину емкостного сопротивления можно рассчитать по формуле Xc = U/I,


предварительно измерив напряжение на конденсаторе U и силу тока в цепи I.

При этом колебания силы тока в цепи опережают по фазе колебания напряжения на
конденсаторе на p/2. Если сила тока меняется по закону I = Imsin(wt), то напряжение - U =
Umsin(wt - p/2). Векторная диаграмма тока и напряжения на конденсаторе приведена на
рис. 2.

В цепи, содержащей конденсатор, происходит периодический обмен энергией между


генератором и конденсатором без необратимого преобразования электромагнитной
энергии, т.е. среднее значение мощности переменного тока в данном случае равно нулю
Pср. = 0.

Катушка индуктивности, включенная в цепь переменного тока обладает сопротивлением:

133
XL = wL,
где L - индуктивность катушки.

Величину индуктивного сопротивления можно рассчитать по формуле XL = U/I,


предварительно измерив напряжение на катушке U и силу тока в цепи I.

Отметим, что значение XL больше, чем сопротивление катушки в цепи постоянного тока.
Это связано с тем, что при протекании переменного тока через катушку индуктивности
благодаря явлению самоиндукции в последней возникает индукционное электрическое
поле, противодействующее полю, создаваемому генератором переменного напряжения.
Это индукционное поле и является причиной индукционного сопротивления XL.

Связь индуктивности и явления самоиндукции можно проследить, исходя из следующего


соотношения:

ec = - dФ/dt = - L*dI/dt, где ec - ЭДС самоиндукции.


L = ec, если скорость изменения тока самоиндукции равна dI/dt = 1 A/c.

В цепи, содержащей катушку индуктивности, колебания напряжения в цепи опережают по


фазе колебания силы тока на p/2. Если напряжение меняется по закону U = Umsin(wt), то
сила тока - I = Imsin(wt - p/2). Векторная диаграмма тока и напряжения на конденсаторе
приведена на рис. 3.

В цепи, содержащей катушку индуктивности, происходит периодический обмен энергией


между генератором и катушкой без необратимого преобразования электромагнитной
энергии, т.е. среднее значение мощности переменного тока в данном случае равно нулю
Pср. = 0.

Закон Ома для цепи переменного тока.

Любая реальная цепь переменного тока содержит одновременно активное сопротивление


(нагревательные приборы, лампы накаливания, соединительные провода и т.п.), емкостное
сопротивление (емкости проводников, конденсаторов и т.п.) и индуктивное
сопротивление (обмотки электродвигателей, катушки электромагнитных приборов и т.п.).

Пусть все эти элементы соединены последовательно, как показано на рис. 1.

134
Из опыта следует, что в такой цепи колебания тока и напряжения не совпадают по фазе.
Более того, разность фаз f между этими величинами зависит от индуктивности катушки и
емкости конденсатора.

U = Umsin(wt),
I = Imsin(wt + f).

С помощью метода векторных диаграмм можно получить, что полное сопротивление цепи
Z, содержащей индуктивность L и емкость С, равно:

Z = (R2 + (XL - Xc)2)1/2.

Рассчитать Z можно также по формуле Z = U/I, причем U = Uc + UL + UR.

Мощность преобразуемой энергии переменного тока определяется по формуле:

P = U*I*cos(f).

Величину cos(f) называют коэффициентом использования мощности (коэффициентом


мощности). Для уменьшения тепловых потерь необходимо найти способы уменьшения
величины cos(f). Одним из способов является включение в цепь, содержащую
электродвигатель, конденсаторов.

Трансформаторы.

Переменное напряжение можно преобразовывать - повышать или понижать. Устройства, с


помощью которых можно преобразовывать напряжение называются трансформаторами.
Трансформаторы работают на явлении электромагнитной индукции.

Трансформатор состоит из железного сердечника, на который надеты две катушки. Концы


первичной катушки подключены к источнику переменного напряжения U1; концы второй
катушки подключены к приборам, потребляющим электрическую энергию. Эти приборы
выполняют роль нагрузки и на них создается переменное напряжение U2. Если U1 > U2, то
трансформатор называется понижающим, а если U2 > U1 - то повышающим.

Переменный ток, проходящий по первичной обмотке трансформатора создает переменное


магнитное поле, пронизывающее витки как первичной, так и вторичной обмотки. При
изменении магнитного потока в обеих катушках индуцируется ЭДС электромагнитной
индукции - ei.
Если n1 и n2 - число витков в первичной и вторичной обмотках соответственно, то

135
ei1 = n1*e,
ei2 = n2*e,

где e - ЭДС индукции, возникающая в одном витке вторичной и первичной катушки.

Следовательно, справедливо соотношение:

ei1/ei2 = U1/U2 = n1/n2 = k, где k - коэффициент трансформации.

Предполагая, что затраты энергии на тепловыделение в сердечнике малы (КПД


трансфоматора около 99 %), можно считать, что энергия потребляемая от первичной
обмотки, равна энергии, которую получает потребитель от вторичной обмотки, т.е.

U1*I1 = U2*I2 или U1/U2 = I2/I1.

Таким образом повышающий трансформатор уменьшает силу тока, а понижающий ее


увеличивает.

Лекция № 7

136
137
138
139
140
Лекция № 8

141
142
Оптическая разность хода

Условия максимума и минимума интенсивности при интерференции (3.37)  и   (3.38)


справедливы, если интерферирующие лучи распространяются в вакууме (или в воздухе).
Если лучи распространяются в среде (например, в воде, в стекле), то вводятся понятия
"оптический путь" и "оптическая разность хода".

Оптическим путем называется произведение показателя преломления на


геометрический путь

Оптической разностью хода называется разность оптических длин путей

143
144
Лекция № 9

145
Ньютона кольца, интерференционные полосы равной толщины в форме колец,
расположенные концентрически вокруг точки касания двух поверхностей (двух сфер,
плоскости и сферы и т.д.). Впервые описаны в 1675 И. Ньютоном. Интерференция света
происходит в тонком зазоре (обычно воздушном), разделяющем соприкасающиеся тела;
этот зазор играет роль тонкой плёнки, см. Оптика тонких слоев. Н. к. наблюдаются и в
проходящем и — более отчётливо — в отражённом свете. При освещении
монохроматическим светом длины волны Л, Н. к. представляют собой чередующиеся
тёмные и светлые полосы. Светлые возникают в местах, где зазор вносит разность хода
между прямым и дважды отражённым лучом (в
проходящем свете) или между лучами,
отражёнными от обеих соприкасающихся
поверхностей (в отражённом свете), равную целому
числу . Тёмные кольца образуются там, где
разность хода лучей равна целому нечётному числу

/2. Разность хода определяется оптической длиной
пути луча в зазоре и изменением фазы световой

146
волны при отражении (см. Отражение света). Так, при отражении от границы воздух —
стекло фаза меняется на , а при отражении от границы стекло — воздух остаётся
неизменной. Поэтому в случае двух стеклянных поверхностей т-е тёмное Н. к. в
отражённом свете соответствует разности хода m (т. е. толщине зазора dm = m/2), где m
— целое число. При касании сферы и плоскости rm = (mR)1/2. По теореме Пифагора, для
треугольников с катетами rп и rm  R2 = (R — m/2)2 + rn2 и R2 = (R — m/2)2 + r2m, откуда
следует — в пренебрежении очень малыми членами (m/2)2 и (n/2)2 и др.— часто
используемая формула для Н. к.: R = (rn2 — r2m)/(n — m). Эти соотношения позволяют с
хорошей точностью определять  по измеренным rm и rп либо, если  известна, измерять
радиусы поверхностей линз. Н. к. используются также для контроля правильности формы
сферических и плоских поверхностей. При освещении немонохроматическим (например,
белым) светом Н. к. становятся цветными, причём чередование цветов в них существенно
отличается от обычного радужного из-за переналожения систем колец, соответствующих
разным т. Наиболее отчётливо Н. к. наблюдаются при использовании сферических
поверхностей малых радиусов кривизны (толщина зазора мала на большем расстоянии от
точки касания).

К выводу соотношения между радиусами rm колец Ньютона в отражённом свете, радиусом


R сферической линзы и длиной волны  освещающего монохроматического света. О —
точка касания сферы и плоскости; АА' = m — толщина воздушного зазора в области
образования m-го тёмного кольца. Применяя теорему Пифагора к прямоугольному
треугольнику, малый катет (равный rm) которого составляет перпендикуляр, опущенный
из A' на СО, получим rm = R2 — (R — m)2 2Rm, откуда условие m = m/2 даёт rm =
(mR)1/2

Интерферометр Майкельсона — двухлучевой интерферометр, изобретённый Альбертом


Майкельсоном. Данный прибор позволил впервые[1] измерить длину волны света. В опыте
Майкельсона интерферометр был использован Майкельсоном для проверки гипотезы о
светоносном эфире.[1]

Конструктивно состоит из светоделительного


зеркала, разделяющего входящий луч на два,
которые в свою очередь, отражаются зеркалом
обратно. На полупрозрачном зеркале
разделённые лучи вновь направляются в одну
сторону, чтобы смешавшись на экране,
образовать интерференционную картину.
Анализируя её и изменяя длину одного плеча на
известную величину, можно по изменению вида
интерференционных полос измерить длину
волны, либо, наоборот, если длина волны
известна, можно определить неизвестное
изменение длин плеч. Радиус когерентности изучаемого источника света или другого
излучения определяет максимальную разность между плечами интерферометра.

147
Лекция № 10

148
149
150
151
Лекция № 11

152
153
154
155
Лекция № 12

21.3. Поглощение света

Как было выяснено в разделе (21.1), световая волна, проходя через вещество, возбуждает
колебания электронов. Ускоренно движущиеся электроны излучают электромагнитные
волны (16.4). Эти вторичные волны имеют ту же частоту, что и частота падающей волны.
В однородной среде результат интерференции (18.3) всех вторичных волн между собой и
с падающей на вещество волной отличен от нуля только в одном направлении - в
направлении распространения преломленной волны. Скорость распространения
результирующей волны в среде становиться меньше скорости света в вакууме, так
объясняется возникновение показателя преломления. Причина поглощения света, т.е.
перехода энергии световой волны в тепловую энергию, следующая. Атомы вещества,
внутри которых происходят вызванные световой волной колебания электронов, участвуют
в хаотическом тепловом движении и сталкиваются друг с другом. При каждом
столкновении энергия колебательного движения электронов переходит в энергию
теплового движения атомов - происходит поглощение света.

Закон Бугера

Как показывает опыт интенсивность света при прохождении через вещество убывает по
экспоненциальному закону:

Здесь I0 - интенсивность света на входе в поглощающий слой вещества толщиной x,

α - коэффициент поглощения, зависящий от длины волны (частоты) света.


Величина α, в соответствии с законом Бугера, не должна зависеть от интенсивности
света. Это утверждение справедливо для очень широкого диапазона изменения
интенсивности (примерно в 1020 раз), С. И. Вавилов экспериментально показал, что при
больших интенсивностях для специально выбранных веществ коэффициент поглощения
αуменьшается с ростом интенсивности. Происходит это потому, что для своих опытов
Вавилов выбирал вещества у которых молекулы могут сравнительно долго (значительно

156
больше, чем 10-8 с.) находится в возбужденном состоянии, в котором они не могут
поглощать энергию от световой волны. В этом случае закон Бугера нарушается.

Зависимость коэффициента поглощения от частоты

Для веществ у которых атомы не взаимодействуют друг с другом, таких как газы, пары
металлов при невысоком давлении, коэффициент поглощения α для большинства частот
(длин волн) близок к нулю. Резкие максимумы обнаруживаются для очень узких областей
частот вблизи резонансных частот ω0i колебаний электронов в атомах. Качественно вид
зависимости α(ω0) для этого случая изображен на следующем рисунке:

При увеличении взаимодействия между


атомами, по мере повышения давления газов,
максимумы поглощения уширяются. В
твердых телах и жидкостях, где
взаимодействие между атомами велико,
наблюдаются широкие полосы поглощения.
Качественный вид зависимости α(ω0) для
этого случая дает следующий рисунок:

Для металлов коэффициент поглощения


имеет порядок 108м-1. Это означает, что на
расстоянии 10-8м свет ослабляется в
е = 2,73... раз, т.е. металлы практически
непрозрачны для света. Объясняется это
наличием в металлах свободных
электронов, которые под действием
электронного поля световой волны
начинают совершать колебательное
движение. Если сопротивление металла мало, то электроны почти полностью
переизлучают полученную от световой волны энергию (у серебра отражение достигает
99%). В металлах с худшей проводимостью доля от-раженной энергии меньше,
значительная часть энергии световой волны при этом переходит в джоулево тепло (у
железа отражается 30-40% энергии падающей световой волны). При увеличении частоты
света ситуация изменяется: тонкие слои металлов, совершенно непрозрачные для
видимого света становятся прозрачными для ультрафиолета.

Дисперсия света

Дисперсией света называется зависимость показателя преломления n вещества от частоты


v (длины волны ) света или зависимость фазовой скорости v световых волн от его
частоты v. Дисперсия света представляется в виде зависимости
n=f(). (185.1)
Величина
D=dn/d.

157
называемая дисперсией вещества, показывает, как быстро изменяется показатель
преломления с длиной волны. Из рис. 269 следует, что показатель преломления для
прозрачных веществ с уменьшением длины волны монотонно увеличивается;
следовательно, величина dn/d по модулю также увеличивается с уменьшением .

Такая дисперсия называется нормальной. Как будет показано ниже, ход кривой n() —
кривой дисперсии — вблизи линий и полос поглощения будет иным: n уменьшается с
уменьшением . Такой ход зависимости n от  называется аномальной дисперсией.
На явлении нормальной дисперсии основано действие призменных спектрографов.
Несмотря на их определенные недостатки (например, необходимость градуировки,
различная дисперсия в разных участках спектра) при определении спектрального состава
света, призменные спектрографы находят широкое применение в спектральном анализе.
Это объясняется тем, что изготовление хороших призм значительно проще, чем
изготовление хороших дифракционных решеток. В призменных спектрографах также
легче получить большую светосилу.
Электронная теория дисперсии света
Из макроскопической электромагнитной теории Максвелла следует, что абсолютный
показатель преломления среды
n=,
где  — диэлектрическая проницаемость среды,  — магнитная проницаемость. В
оптической области спектра для всех веществ 1 поэтому
n=.
Из формулы выявляются некоторые противоречия с опытом: величина n, являясь
переменной остается в то же время равной определенной постоянной . Кроме того,
значения n, получаемые из этого выражения, не согласуются с опытными значениями.
Трудности объяснения дисперсии света с точки зрения электромагнитной теории
Максвелла устраняются электронной теорией Лоренца. В теории Лоренца дисперсия
света рассматривается как результат взаимодействия электромагнитных волн с заря-
женными частицами, входящими в состав вещества и совершающими вынужденные
колебания в переменном электромагнитном поле волны.
Применим электронную теорию дисперсии света для однородного диэлектрика,
предположив формально, что дисперсия света является следствием зависимости  от
частоты  световых волн. Диэлектрическая проницаемость вещества по определению
равна
=1+=1+Р/(0E),
где  — диэлектрическая восприимчивость среды, 0 — электрическая постоянная, P —
мгновенное значение поляризованности. Следовательно,
n2=1+Р/(0E),
т. е. зависит от Р. В данном случае основное значение имеет электронная поляризация, т.
е. вынужденные колебания электронов под действием электрической составляющей поля

158
волны, так как для ориентационной поляризации молекул частота колебаний в световой
волне очень высока (v1015 Гц).
В первом приближении можно считать, что вынужденные колебания совершают только
внешние, наиболее слабо связанные с ядром электроны — оптические электроны. Для
простоты рассмотрим колебания только одного оптического электрона. Наведенный
дипольный момент электрона, совершающего вынужденные колебания, равен р=ех, где е
— заряд электрона, х — смещение электрона под действием электрического поля
световой волны. Если концентрация атомов в диэлектрике равна по, то мгновенное значе-
ние поляризованности
Р=n0p=n0ех.
n2=1+n0ех/(0E)
Следовательно, задача сводится к определению смещения х электрона под действием
внешнего поля Е. Поле световой волны
будем считать функцией частоты , т. е. изменяющимся по гармоническому закону:
E=E0cost.
Уравнение вынужденных колебаний электрона для простейшего случая (без учета силы
сопротивления, обусловливающей поглощение энергии падающей волны) запишется в
виде

где F0=E0 — амплитудное значение силы, действующей на электрон со стороны поля


волны, 0=k/m — собственная частота колебаний электрона, m — масса электрона.
Решив уравнение (186.5), найдем =n2 в зависимости от констант атома (е, т, 0) и
частоты  внешнего поля, т. е. решим задачу дисперсии.
Решение уравнения (186.5) можно записать в виде

в чем легко убедиться подстановкой (см. (147.8)). Подставляя (186.6) и (186.7) в (186.4),
получим

Если в веществе имеются различные заряды ei, совершающие вынужденные колебания с


различными собственными частотами 0i, то

где mi — масса i-ro заряда.


Из выражений (186.8) и (186.9) вытекает, что показатель преломления n зависит от
частоты  внешнего поля, т. е. полученные зависимости действительно подтверждают
явление дисперсии света, хотя и при указанных выше допущениях, кото-

159
302

рые в дальнейшем надо устранить. Из выражений (186.8) и (186.9) следует, что в области
от =0 до =0n2 больше единицы и возрастает с увеличением со (нормальная
дисперсия); при =0 n2= ±; в области от =0 до = n2 меньше единицы и возрастает
от - до 1 (нормальная дисперсия). График зависимости и от со представлен на рис. 270.
Подобное поведение n вблизи собственной частоты 0 получилось в результате
допущения об отсутствии сил сопротивления при колебаниях электронов. Если принять в
расчет и это обстоятельство, то график функции n () вблизи 0 задается штриховой
линией АВ. Область АВ — область аномальной дисперсии (n убывает при возрастании ),
остальные участки зависимости n от  описывают нормальную дисперсию (n возрастает с
возрастанием со).

Лекция № 13

Поляризация света

Согласно современным представлениям, свет представляет собой совокупность


электромагнитных волн, которые излучаются отдельными атомами в виде порций (или
квантов). На рис. 3.7 представлен фрагмент электромагнитной волны, излученной
отдельным атомом. Поскольку акты излучения отдельных атомов никак не связаны между
собой, то свет от естественных источников представляет собой совокупность
электромагнитных волн, световой вектор которых колеблется беспорядочно во всех
направлениях перпендикулярно лучу, причем все направления равновероятны. Такой свет
называется неполяризованным (или естественным).

Поляризованным светом называется свет, в котором колебания светового вектора каким-


то образом упорядочены. Если колебания светового вектора происходят в одной
плоскости, то такой свет называется плоскополяризованным. Плоскость, в которой
колеблется вектор , называется плоскостью поляризации. Если имеется
преимущественное (но не единственное) направление светового вектора , то такой свет
называется частично поляризованным.

160
Возможные случаи колебаний вектора в плоскости, перпендикулярной лучу,
представлены.

а) естественный свет; б) плоскополяризованный свет;


в) частично поляризованный свет

Подчеркнем, что луч перпендикулярен чертежу.

Свет естественных источников может приобрести частичную или полную поляризацию


при взаимодействии с веществом. Поляризация состоит в выделении из светового пучка
колебаний определенного направления. Для этой цели используют специальные
устройства, например, призму Николя, пластинку турмалина, поляроид и т. д. Устройства,
создающие поляризованный свет, называются поляризаторами. Глаз человека не
отличает поляризованный свет от ествественного. Для анализа поляризованного света
используется такое же, как поляризатор, устройство, которое называется анализатором.

Если плоскополяризованный свет, прошедший через поляризатор (П), падает на


анализатор (А), то через него будет пропущена составляющая

где E0 - амплитуда света, прошедшего через поляризатор, E - амплитуда света,


прошедшего через анализатор, α - угол между плоскостями пропускания колебаний
поляризатора и анализатора.

Возведем в квадрат обе части уравнения (3.46). Так как


интенсивность пропорциональна квадрату амплитуды, то
получим:

161
Уравнение (3.47) представляет собой закон Малюса.

Интенсивность света, прошедшего поляризатор и анализатор, равна


интенсивности света, прошедшего через поляризатор, умноженной на квадрат
косинуса угла между плоскостями пропускания колебаний поляризатора и
анализатора.

Если на поляризатор падает естественный свет, то интенсивность света уменьшается


наполовину

При повороте анализатора вокруг луча можно найти его положение, при котором свет

совсем не проходит. При ("скрещенные" поляризатор и анализатор) - I = 0. Это


надежный способ убедиться в том, что свет полностью поляризован.

Поляризованный свет можно также получать, если использовать лучи, отраженные от


границы раздела двух изотропных диэлектриков. При этом имеет место закон Брюстера.

Если тангенс угла падения равен относительному показателю преломления, то


отраженный луч будет полностью поляризован, т. е.

где  

iБ - называется углом Брюстера или углом полной поляризации. Преломленный луч всегда
частично поляризован

162
Эффект поляризации отраженного света используется, например, для обнаружения с
воздуха или из космоса пленок нефти на поверхности моря. Свет различных небесных
светил и космических объектов во многих случаях оказывается поляризованным.
Исследование его поляризации дает существенную информацию о свойствах планет,
звезд, туманностей и т. д.

Рассеянный свет также частично поляризован, например, солнечный свет, рассеянный на


флуктуациях плотности атмосферы. Снег, облака уменьшают степень поляризации
рассеянного света. Это обстоятельство можно использовать для прогнозирования погоды.
Также загрязненность атмосферы можно определять по степени поляризации.

Двойное лучепреломление, расщепление пучка света в анизотропной среде (например, в


кристалле) на два слагающих, распространяющихся с разными скоростями и
поляризованных в двух взаимно перпендикулярных плоскостях. Д. л. впервые обнаружено
и описано профессором Копенгагенского университета Э. Бартолином в 1669 в кристалле
исландского шпата. Если световой пучок падает перпендикулярно к поверхности
кристалла, то он распадается на 2 пучка, один из которых продолжает путь без
преломления, как и в изотропной среде, другой же отклоняется в сторону, нарушая
обычный закон преломления света . Соответственно этому лучи первого пучка
называются обыкновенными, второго — необыкновенными. Угол, образуемый
обыкновенным и необыкновенным лучами, называется углом Д. л. Если в случае
перпендикулярного падения пучка поворачивать кристалл вокруг пучка, то след
обыкновенного луча остаётся на месте, в центре, а след необыкновенного луча вращается
по кругу.

  Д. л. можно наблюдать и при наклонном падении пучка света на поверхность кристалла.


В исландском шпате и некоторых др. кристаллах существует только одно направление,
вдоль которого не происходит Д. л. Оно называется оптической осью кристалла, а такие

163
кристаллы — одноосными  Направление колебаний электрического вектора у
необыкновенного луча лежит в плоскости главного сечения (проходящей через
оптическую ось и световой луч), которая является плоскостью поляризации. Нарушение
законов преломления в необыкновенном луче связано с тем, что скорость
распространения необыкновенной волны, а, следовательно, и её показатель преломления
nе зависят от направления. Для обыкновенной волны, поляризованной в плоскости,
перпендикулярной главному сечению, показатель преломления nо одинаков для всех
направлений. Если из точки О (см. рис.) откладывать векторы, длины которых равны
значениям nе и nо в различных направлениях, то геометрические места концов этих
векторов образуют сферу для обыкновенной волны и эллипсоид для необыкновенной
(поверхности показателей преломления).

В прозрачных кристаллах интенсивности обыкновенного и необыкновенного лучей


практически одинаковы, если падающий свет был естественным. Выделив диафрагмой
один из лучей, получившихся при Д. л., и пропустив его через второй кристалл, можно
снова получить Д. л. Однако интенсивности обыкновенного и необыкновенного лучей в
этом случае будут различны, т. к. падающий луч поляризован. Отношение интенсивностей
зависит от взаимной ориентации кристаллов — от угла , образуемого плоскостями
главных сечений того и другого кристалла (плоскости, проходящие через оптическую ось
и световой луч). Если  = 0° или 180°, то остаётся только обыкновенный луч. При 90°,
наоборот, остаётся только луч необыкновенный. При  45° интенсивность обоих лучей
одинакова.

  В общем случае кристалл может иметь две оптических оси, т. е. два направления, вдоль
которых Д. л. отсутствует. В двуосных кристаллах оба луча, появляющиеся при Д. л.,
ведут себя, как необыкновенные.

  Д. л. объясняется особенностями распространения электромагнитных волн в


анизотропных средах. Электрическое поле световой волны E, проникая в вещество,
вызывает вынужденные колебания электронов в атомах и молекулах среды.
Колеблющиеся электроны, в свою очередь, являются источником вторичного излучения
света. Т. о., прохождение световой волны через вещество — результат последовательного
переизлучения света электронами. В анизотропном веществе колебания электронов легче
возбуждаются в некоторых определённых направлениях. Поэтому волны с различной
поляризацией будут распространяться в анизотропном веществе с разными скоростями.

  Помимо кристаллов, Д. л. наблюдается в искусственно анизотропных средах (в стеклах,


жидкостях и др.), помещенных в электрическое поле (Керра эффект), в магнитное поле
(Коттона — Мутона эффект), под действием механических напряжений
(Фотоупругость) и т. п. В этих случаях среда становится оптически анизотропной,
причём оптическая ось параллельна направлению электрического поля, магнитного поля и
т. п.

164
165
Лекция № 14

Жидкие кристаллы

Жи́дкие криста́ллы (сокращённо ЖК) — вещества, обладающие одновременно


свойствами как жидкостей (текучесть), так и кристаллов (анизотропия). По структуре ЖК
представляют собой жидкости, похожие на желе, состоящие из молекул вытянутой
формы, определённым образом упорядоченных во всем объёме этой жидкости. Наиболее
характерным свойством ЖК является их способность изменять ориентацию молекул под
воздействием электрических полей, что открывает широкие возможности для применения
их в промышленности. По типу ЖК обычно разделяют на две большие группы: нематики
и смектики. В свою очередь нематики подразделяются на собственно нематические и
холестерические жидкие кристаллы.

Группы жидких кристаллов

По своим общим свойствам ЖК можно разделить на две большие группы:

1. термотропные ЖК, образующиеся в результате нагревания твердого вещества и


существующие в определенном интервале температур и давлений и
2. лиотропные ЖК, которые представляют собой двух или более компонентные
системы, образующиеся в смесях стержневидных молекул данного вещества и
воды (или других полярных растворителей). Эти стержневидные молекулы имеют
на одном конце полярную группу, а большая часть стержня представляет собой
гибкую гидрофобную углеводородную цепь. Такие вещества называются
амфифилами (амфи — по-гречески означает с двух концов, филос — любящий,
благорасположенный). Примером амфифилов могут служить фосфолипиды.

Амфифильные молекулы, как правило, плохо растворяются в воде, склонны образовывать


агрегаты таким образом, что их полярные группы на границе раздела фаз направлены к
жидкой фазе. При низких температурах смешивание жидкого амфифила с водой приводит
к расслоению системы на две фазы. Одним из вариантов амфифилов со сложной
структурой может служить система мыло-вода. Здесь имеется алифатический анион СН3-
(СН2)n-2-СО2− (где n ~ 12-20) и положительный ион Nа+, К+, NН4+ и др. Полярная группа
СО2− стремится к тесному контакту с молекулами воды, тогда как неполярная группа
(амфифильная цепь) избегает контакта с водой. Это явление типично для амфифилов.

Термотропные ЖК подразделяются на три больших класса:

Схематическое изображение нематического жидкого кристалла.


1. Нематические жидкие кристаллы. В этих кристаллах
отсутствует дальний порядок в расположении центров
тяжести молекул, у них нет слоистой структуры, их
молекулы скользят непрерывно в направлении своих
длинных осей, вращаясь вокруг них, но при этом сохраняют
ориентационный порядок: длинные оси направлены вдоль
одного преимущественного направления. Они ведут себя
подобно обычным жидкостям. Нематические фазы
встречаются только в таких веществах, у молекул которых
нет различия между правой и левой формами, их молекулы
166
тождественны своему зеркальному изображению (ахиральны). Примером
вещества, образующего нематический ЖК, может служить N-(пара-
метоксибензилиден)-пара-бутиланилин.

Схематическое изображение жидкого


кристалла в смектической фазе

2. Смектические жидкие кристаллы имеют


слоистую структуру, слои могут
перемещаться друг относительно друга.
Толщина смектического слоя определяется
длиной молекул (преимущественно, длиной парафинового «хвоста»), однако
вязкость смектиков значительно выше чем у нематиков и плотность по нормали к
поверхности слоя может сильно меняться. Типичным является терефтал-бис(nара-
бутиланилин):
3. Холестерические жидкие кристаллы — образуются, в основном, соединениями
холестерина и других стероидов. Это нематические ЖК, но их длинные оси
повернуты друг относительно друга так, что они образуют спирали, очень
чувствительные к изменению температуры вследствие чрезвычайно малой энергии
образования этой структуры (порядка 0,01 Дж/моль). В качестве типичного
холестерика можно назвать амил-пара-(4-цианобензилиденамино)- циннамат

Холестерики ярко окрашены и малейшее изменение температуры (до тысячных долей


градуса) приводит к изменению шага спирали и, соответственно, изменению окраски ЖК.

Во всех приведенных типах ЖК характерным является ориентация дипольных молекул в


определенном направлении, которое определяется единичным вектором — называемым
«директором».

В недавнее время открыты так называемые колончатые фазы, которые образуются только
дискообразными молекулами, расположенными слоями друг на друге в виде
многослойных колонн, с параллельными оптическими осями. Часто их называют
«жидкими нитями», вдоль которых молекулы обладают трансляционными степенями
свободы. Этот класс соединений был предсказан академиком Л. Д. Ландау, а открыт лишь
в 1977 Чандрасекаром. Схематично характер упорядоченности жидких кристаллов
названных типов представлен на рисунке.

У ЖК необычные оптические свойства. Нематики и смектики — оптически одноосные


кристаллы. Холестерики вследствие периодического строения сильно отражают свет в
видимой области спектра. Поскольку в нематиках и холестериках носителями свойств
является жидкая фаза, то она легко деформируется под влиянием внешнего воздействия, а
так как шаг спирали в холестериках очень чувствителен к температуре, то, следовательно,
и отражение света резко меняется с температурой, приводя к изменению цвета вещества.

Эти явления широко используются в различных приложениях, например, для нахождения


горячих точек в микроцепях, локализации переломов и опухолей у человека,
визуализации изображения в инфракрасных лучах и др.

167
Характеристики многих электрооптических устройств, работающих на лиотропных ЖК,
определяются анизотропией их электропроводности, которая, в свою очередь, связана с
анизотропией электронной поляризуемости. Для некоторых веществ вследствие
анизотропии свойств ЖК удельная электропроводность изменяет свой знак. Например,
для н-октилоксибензойной кислоты она проходит через нуль при температуре 146 °C, и
связывают это со структурными особенностями мезофазы и с поляризуемостью молекул.
Ориентация молекул нематической фазы, как правило, совпадает с направлением
наибольшей проводимости.

Все формы жизни так или иначе связаны с деятельностью живой клетки, многие
структурные звенья которой похожи на структуру жидких кристаллов. Обладая
замечательными диэлектрическими свойствами, ЖК образуют внутриклеточные
гетерогенные поверхности, они регулируют взаимоотношения между клеткой и внешней
средой, а также между отдельными клетками и тканями, сообщают необходимую
инертность составным частям клетки, защищая ее от ферментативного влияния. Таким
образом, установление закономерностей поведения ЖК открывает новые перспективы в
развитии молекулярной биологии.

Применение жидких кристаллов

Сегментный и точечный ЖК-дисплей.

Одно из важных направлений использования жидких кристаллов — термография.


Подбирая состав жидкокристаллического вещества, создают индикаторы для разных
диапазонов температуры и для различных конструкций. Например, жидкие кристаллы в
виде плёнки наносят на транзисторы, интегральные схемы и печатные платы электронных
схем. Неисправные элементы — сильно нагретые или холодные, неработающие — сразу
заметны по ярким цветовым пятнам. Новые возможности получили врачи:
жидкокристаллический индикатор на коже больного быстро диагностирует скрытое
воспаление и даже опухоль.

С помощью жидких кристаллов обнаруживают пары́ вредных химических соединений и


опасные для здоровья человека гамма- и ультрафиолетовое излучения. На основе жидких
кристаллов созданы измерители давления, детекторы ультразвука. Но самая
многообещающая область применения жидкокристаллических веществ —
информационная техника. От первых индикаторов, знакомых всем по электронным часам,
до цветных телевизоров с жидкокристаллическим экраном размером с почтовую открытку
прошло лишь несколько лет. Такие телевизоры дают изображение весьма высокого
качества, потребляя меньшее количество энергии.

168
Лекция № 15

169
170
171
172
173
174
Лекция № 16

КВАНТОВАЯ ФИЗИКА

Квантовая физика занимается изучением законов движения микрочастиц, которые


являются носителями как корпускулярных, так и волновых свойств.

Днем рождения квантовой физики считается 14 декабря 1900 г., когда немецкий физик
Макс Планк на заседании Берлинского физического общества изложил теорию излучения
энергии нагретыми телами. В основе теории теплового излучения лежала гипотеза о
дискретном характере излучения. Согласно этой гипотезе, атомы нагретых тел излучают
энергию в виде порций или квантов. Дальнейшее развитие квантовые представления
получили при объяснении законов фотоэффекта и строения атома.

Законы фотоэффекта

Внешним фотоэффектом называется вырывание электронов из вещества под действием


света. Законы фотоэффекта изучали с помощью схемы с двухэлектродной лампой с
освещаемым катодом. Под действием света из катода вырываются электроны, которые
под действием электрического поля перемещаются к аноду, создавая анодный ток.
175
Вольтамперная характеристика, полученная с помощью такой схемы при неизменном
световом потоке Ф

Из анализа вольтамперных характеристик получены законы фотоэффекта.

1. Свет не любой частоты вызывает фотоэффект. Для каждого вещества существует


красная граница фотоэффекта, т. е. минимальная частота v0, при которой возможен
фотоэффект.

Величина v0 зависит от химической природы вещества и состояния его


поверхности.

2. Максимальная энергия фотоэлектронов не зависит от светового потока, а линейно


зависит от частоты света.
3. Величина фототока насыщения, возникающего при освещении монохроматическим
светом, пропорциональна падающему световому потоку Ф,

Iнас = Кст · Ф - закон Столетова,

где Кст - коэффициент пропорциональности.

Эти законы невозможно было объяснить с классической точки зрения, согласно которой
электрическая компонента электромагнитной волны вызывает вынужденные колебания
свободных электронов в металле, сообщая им энергию, достаточную для вылета. Тогда
максимальная кинетическая энергия фотоэлектронов должна быть пропорциональна

176
квадрату амплитуды световой волны (см. (3.14)), т. е. должна зависеть от светового
потока, что противоречит опытным фактам.

Уравнение Эйнштейна для фотоэффекта

Объяснение законов фотоэффекта дал в 1905 г. немецкий ученый Альберт Эйнштейн на


основе гипотезы световых квантов. Вслед за Планком он предположил, что, если
излучение энергии атомами происходит дискретно в виде порций или квантов, то ее
распространение в пространстве и поглощение веществом происходит порциями
(квантами). Энергия кванта равна:

где v - частота падающего света,


     h = 6.63 ∙ 10 -34 (Дж/с) - постоянная Планка.

Заметим, что в механике есть величина, которую называют действием. Она имеет
размерность "энергия × время". Поэтому постоянную Планка иногда называют квантом
действия.

Кванты света называются фотонами.

Поэтому с квантовой точки зрения свет представляет собой поток фотонов.

Уравнение Эйнштейна объясняет все закономерности внешнего фотоэффекта. Оно


представляет собой по сути дела закон сохранения энергии. Каждый фотон
взаимодействует с одним электроном и передает ему энергию hv. Эта энергия
затрачивается на то, чтобы совершить работу выхода электрона из металла - A и сообщить
ему кинетическую энергию. Причем, если электрон вырывается с поверхности металла, а
не из глубины, то кинетическая энергия электрона будет максимальной.

Уравнение Эйнштейна для фотоэффекта имеет вид

Покажем, как из уравнения Эйнштейна можно объяснить законы фотоэффекта.

1. Из формулы (5.2) легко можно найти красную границу фотоэффекта. Если

кинетическая энергия равна нулю, т. е. если , то . Тогда


красная граница фотоэффекта равна:

177
Если частота падающего света больше или равна красной границе , то
фотоэффект наблюдается, иначе - нет. Работа выхода зависит от химической
природы вещества. Ее можно найти в справочнике. Значение работы выхода

обычно указывают в электронвольтах .

Длину волны λ  тоже называют красной границей фотоэффекта.

2. Из уравнения (5.2) можно выразить максимальную кинетическую энергию


вылетевших электронов

Из формулы следует, что максимальная кинетическая энергия вылетевших


электронов линейно зависит от частоты падающего света. Экспериментальное

значение можно найти, зная задерживающую разность потенциалов:

где e - заряд электрона, Uз - задерживающая разность потенциалов.

3. Третий закон фотоэффекта - закон Столетова - можно объяснить так: изменение


светового потока Ф пропорционально изменению числа фотонов nф, падающих на
единицу поверхности металла в единицу времени.

При этом изменяется число электронов, взаимодействующих с фотонами nф, а


значит изменяется фототок. Фототок насыщения соответствует такому состоянию,
когда все вылетевшие из катода электроны попадут на анод. Следовательно, можно
написать цепочку пропорциональностей

Если перейти от пропорциональности к равенству, получим формулу для записи


закона Столетова

178
Таким образом, в явлении фотоэффекта проявляется квантовая   природа света.

Фотоны и их свойства

Согласно современным представлениям, свет представляет собой сложное явление,


сочетающее в себе свойства электромагнитной волны и потока частиц - фотонов. Такое
двойственное сочетание свойств называется корпускулярно-волновым дуализмом.

Фотоном называется элементарная частица - квант электромагнитного поля. Отличие


фотона от других элементарных частиц состоит в том, что фотон всегда движется со

скоростью . Масса фотона равна нулю: m = 0.

Энергия фотона вычисляется по формуле

или

где λ - длина волны света.

Импульс фотона равен

Таким образом, формулы (5.1) и (5.6) отражают корпускулярно-волновой дуализм


фотонов. Подобно частице (корпускуле), фотон обладает энергией и импульсом, которые
выражены через волновые характеристики: частоту и длину волны.

179
Лекция № 17

Опыт Резерфорда. Ядерная модель атома

Первая попытка создания модели атома на основе накопленных экспериментальных


данных принадлежит Дж. Томсону (1903 г.). Он считал, что атом представляет собой
электронейтральную систему шарообразной формы радиусом примерно равным 10–10 м.
Положительный заряд атома равномерно распределен по всему объему шара, а
отрицательно заряженные электроны находятся внутри него. Для объяснения линейчатых

180
спектров испускания атомов Томсон пытался определить расположение электронов в
атоме и рассчитать частоты их колебаний около положений равновесия. Однако эти
попытки не увенчались успехом. Через несколько лет в опытах великого английского
физика Э. Резерфорда было доказано, что модель Томсона неверна.

Первые прямые эксперименты по исследованию внутренней структуры атомов были


выполнены Э. Резерфордом и его сотрудниками Э. Марсденом и Х. Гейгером в 1909–1911
годах. Резерфорд предложил применить зондирование атома с помощью α-частиц,
которые возникают при радиоактивном распаде радия и некоторых других элементов.
Масса α-частиц приблизительно в 7300 раз больше массы электрона, а положительный
заряд равен удвоенному элементарному заряду. В своих опытах Резерфорд использовал α-
частицы с кинетической энергией около 5 МэВ (скорость таких частиц очень велика –
порядка 107 м/с, но она все же значительно меньше скорости света). α-частицы – это
полностью ионизированные атомы гелия. Они были открыты Резерфордом в 1899 году
при изучении явления радиоактивности. Этими частицами Резерфорд бомбардировал
атомы тяжелых элементов (золото, серебро, медь и др.). Электроны, входящие в состав
атомов, вследствие малой массы не могут заметно изменить траекторию α-частицы.
Рассеяние, то есть изменение направления движения α-частиц, может вызвать только
тяжелая положительно заряженная часть атома.

От радиоактивного источника, заключенного в свинцовый контейнер, α-частицы


направлялись на тонкую металлическую фольгу. Рассеянные частицы попадали на экран,
покрытый слоем кристаллов сульфида цинка, способных светиться под ударами быстрых
заряженных частиц. Сцинтилляции (вспышки) на экране наблюдались глазом с помощью
микроскопа. Наблюдения рассеянных α-частиц в опыте Резерфорда можно было
проводить под различными углами φ к первоначальному направлению пучка. Было
обнаружено, что большинство α-частиц проходит через тонкий слой металла, практически
не испытывая отклонения. Однако небольшая часть частиц отклоняется на значительные
углы, превышающие 30°. Очень редкие α-частицы (приблизительно одна на десять тысяч)
испытывали отклонение на углы, близкие к 180°.

181
Этот результат был совершенно неожиданным даже для Резерфорда. Он находился в
резком противоречии с моделью атома Томсона, согласно которой положительный заряд
распределен по всему объему атома. При таком распределении положительный заряд не
может создать сильное электрическое поле, способное отбросить α-частицы назад.
Электрическое поле однородного заряженного шара максимально на его поверхности и
убывает до нуля по мере приближения к центру шара. Если бы радиус шара, в котором
сосредоточен весь положительный заряд атома, уменьшился в n раз, то максимальная сила
отталкивания, действующая на α-частицу по закону Кулона, возросла бы в n2 раз.
Следовательно, при достаточно большом значении n α-частицы могли бы испытать
рассеяние на большие углы вплоть до 180°. Эти соображения привели Резерфорда к
выводу, что атом почти пустой, и весь его положительный заряд сосредоточен в малом
объеме. Эту часть атома Резерфорд назвал атомным ядром. Так возникла ядерная
модель атома. Рис. иллюстрирует рассеяние α-частицы в атоме Томсона и в атоме
Резерфорда.

Таким образом, опыты Резерфорда и его сотрудников привели к выводу, что в центре
атома находится плотное положительно заряженное ядро, диаметр которого не превышает
10–14–10–15 м. Это ядро занимает только 10–12 часть полного объема атома, но содержит
весь положительный заряд и не менее 99,95 % его массы. Веществу, составляющему ядро
атома, следовало приписать колоссальную плотность порядка ρ ≈ 1015 г/см3. Заряд ядра
должен быть равен суммарному заряду всех электронов, входящих в состав атома.
Впоследствии удалось установить, что если заряд электрона принять за единицу, то заряд
ядра в точности равен номеру данного элемента в таблице Менделеева.
Радикальные выводы о строении атома, следовавшие из опытов Резерфорда, заставляли
многих ученых сомневаться в их справедливости. Не исключением был и сам Резерфорд,
опубликовавший результаты своих исследований только через два года (в 1911 г.) после
выполнения первых экспериментов. Опираясь на классические представления о движении
микрочастиц, Резерфорд предложил планетарную модель атома. Согласно этой модели,
в центре атома располагается положительно заряженное ядро, в котором сосредоточена
почти вся масса атома. Атом в целом нейтрален. Вокруг ядра, подобно планетам,
вращаются под действием кулоновских сил со стороны ядра электроны. Находиться в
состоянии покоя электроны не могут, так как они упали бы на ядро.

182
Планетарная модель атома, предложенная Резерфордом, несомненно
явилась крупным шагом в развитии знаний о строении атома. Она была
совершенно необходимой для объяснения опытов по рассеянию α-частиц.
Однако она оказалась неспособной объяснить сам факт длительного
существования атома, то есть его устойчивость. По законам классической
электродинамики, движущийся с ускорением заряд должен излучать
электромагнитные волны, уносящие энергию. За короткое время (порядка
10–8 с) все электроны в атоме Резерфорда должны растратить всю свою
энергию и упасть на ядро. То, что этого не происходит в устойчивых
состояниях атома, показывает, что внутренние процессы в атоме не
подчиняются классическим законам.

Постулаты Бора

Первая квантовая теория строения атома быда предложена в 1913 г. Датским физиком
Нильсом Бором. Она была основана на ядерной модели атома, согласно которой атом
состоит из положительно заряженного ядра, вокруг которого вращаются отрицательно
заряженные электроны.
Теория Бора основана на двух постулатах.

I постулат Бора – постулат стационарных состояний. В атоме существуют стационарные


(не изменяющиеся со временем) состояния, в которых он не излучает энергию. Этим
стационарным состояниям соответствуют стационарные орбиты, по которым движутся
электроны. Движение электронов по стационарным орбитам не сопровождается
излучением энергии.

II постулат Бора получил название «правило частот». При переходе электрона с одной
стационарной орбиты на другую излучается (или поглощается) квант энергии, равный
разности энергий стационарных состояний

183
где h – постоянная Планка;
      v – частота излучения (или поглощения) энергии;
      hv – энергия кванта излучения (или поглощения);
   En и Em – энергии стационарных состояний атома до и после излучения (поглощения),
соотвественно. При Em < En   происходит излучение кванта энергии, а при Em > En  -
поглощение.

По теории Бора значение энергии электрона в атоме водорода равно

где me – масса электрона,


     e – заряд электрона,
     εe – электрическая постоянная ,

     ,
   h – постоянная Планка,
   n – целое число, n = 1,2,3,…

Таким образом, энергия электрона в атоме представляет собой дискретную величину,


которая может изменяться только скачком.

Набор возможных дискретных частот квантовых переходов определяет линейчатый


спектр атома

Вычисленные по этой формуле частоты спектральных линий для водородного атома


оказались в прекрасном согласии с экспериментальными данными. Но теория не обясняла
спектры других атомов (даже следующего за водородом гелия). Поэтому теория Бора
была только переходным этапом на пути построения теории атомных явлений. Она
указывала на неприменимость классической физики к внутриатомным явлениям и
главенствующее значение квантовых законов в микромире.

184
Лекция № 18

185
Закономерности в спектре атома водорода

Опыт показывает, что спектры невзаимодействующих атомов, как это имеет место для
разреженных газов, состоят из отдельных линий, сгруппированных в серии.
На рис. 5.3 показаны линии серии спектра атома водорода, расположенные в видимой
области. Длина волны, соответствующая линиям в этой серии, называемой серией
Бальмера, выражается формулой

где, n = 3, 4, 5, …;   - постоянная Ридберга.

Рис. 5.3

Линия, соответствующая n = 3, является наиболее яркой и называется головной, а


значению n = ∞ соответствует линия, называемая границей серии.

В других областях спектра (ультрафиолетовой, инфракрасной) также были обнаружены


серии линий. Все они могут быть представлены обобщенной формулой Бальмера –
Ридберга

где m – целое число, постоянное для каждой серии.

При m = 1; n = 2,3,4, … – серия Лаймана. Наблюдается в ультрафиолетовой области.


При m = 2; n = 3,4,5, … – серия Бальмера – в видимой области.
При m = 3; n = 4,5,6, … – серия Пашена – в инфракрасной (ИК) области.
При m = 4; n = 5,6,7, … – серия Брэкета – тоже в ИК области и т. Д.

186
Дискретность в структуре атомных спектров указывает на наличие дискретности в
строении самих атомов. Для энергии квантов излучения атомов водорода можно записать
следующую формулу

При записи этого выражения использованы формулы (5.1), (3.21) и (5.8). Формула (5.9)
получена на основе анализа экспериментальных данных.

187
188
Лекция № 19

Корпускулярно-волновой дуализм микрочастиц

Двойственная корпускулярно-волновая природа характерна не только для фотонов, но и


для любых движущихся частиц. К такому выводу пришел французский физик Луи де
Бройль в 1924 г. Он предположил, что соотношение (5.6) имеет универсальный характер и
справедливо для любых волновых процессов, связанных с частицами, обладающими
импульсом p.

Длина волны де Бройля - длина волны, которой обладает движущаяся частица,


вычисляется по формуле

189
где h - постоянная Планка, p - импульс частицы.

Если скорость движущейся частицы много меньше скорости света в вакууме (v << c), то
импульс равен (см. (1.21))

где m - масса частицы.

Если скорость частицы соизмерима со скоростью света в вакууме , то импульс


вычисляется по формулам теории относительности

где m0  - масса покоя частицы.

Волновые свойства электронов впервые были обнаружены в опытах по наблюдению


дифракционной картины при рассеянии их на кристаллах, которые служили естественной
дифракционной решеткой. Дифракционные явления наблюдались также для нейтронов,
протонов и других микрочастиц.

Статистическая трактовка волн де Бройля

Опыты показали, что частицы ведут себя как волны, а волны - как частицы. Но волну
можно разделить на части, а частицы неделимы. В таком случае волновые свойства частиц
можно трактовать только статистически. Частицы остаются частицами, но вероятность их
появления в различных точках пространства подчиняется волновым законам.

Волны де Бройля - это волны вероятности. Волны вероятности описываются волновой


функцией Ψ (пси-функция). Статистическую трактовку волн де Бройля дал выдающийся
немецкий физик Макс Борн.

Квадрат модуля волновой функции характеризует вероятность нахождения частицы в


данном единичном объеме, т. е.

190
где  - плотность вероятности.

Чтобы рассчитать поведение частицы, нужно знать значение волны вероятности, т. е. Ψ


-функции, во всей интересующей нас области пространства. Вероятность dw нахождения
частицы в объеме dV равна

Вид волновой функции находится из решения уравнения Шредингера.

Уравнение Шредингера

Уравнение Шредингера лежит в основе квантовой механики. Оно, как и уравнение


Ньютона, не выводится, а является обобщением опытных фактов. Его справедливость
доказывается совпадением результатов, полученных из его решения и экспериментов.
Уравнение Шредингера для стационарных состояний, т. е. для состояний с
фиксированными значениями энергии, имеет вид

где    - сумма вторых частных производных от


волновой функции по координатам;
      me  - масса частицы;

          - постоянная Планка;


     E - полная энергия частицы;
     U - потенциальная энергия частицы.

Из решения уравнения Шредингера для конкретного случая находят вид волновой


функции Ψ, квадрат ее модуля |Ψ|2 и вероятность обнаружения частицы.

191
Лекция № 20

Атом водорода по теории Шредингера

Уравнение Шредингера позволяет решить вопрос о строении водородоподобного атома, т.


е. атома, который состоит из положительно заряженного ядра с зарядом +Ze и одного
электрона. Потенциальная энергия взаимодействия электрона с ядром, согласно формуле
(2.14), равна:

где Z - порядковый номер элемента в таблице Менделеева (для атома водорода = 1);
    e - заряд электрона;

    r - расстояние между электроном и ядром:  (см. формулу


(1.1));

      - электрическая постоянная.

Если подставить (5.17) в уравнение Шредингера (5.16), то окажется, что это уравнение
имеет решение не при всех отрицательных значениях электрона E, а только таких,
которые удовлетворяют условию:

где n = 1, 2, 3, ... - целое число.

Заметим, что формула (5.18) совпадает с формулой (5.11), полученной в теории Бора.

Из формулы (5.18) следует, что энергия электрона в атоме квантуется.

Найденная при этих значениях энергии волновая функция Ψ зависит от трех квантовых
чисел:

n - главное квантовое число, n = 1, 2, 3, ...;


l - орбитальное квантовое число, l = 1, 2, 3, ..., (n -1);
mL - магнитное квантовое число, mL = -l , -l +1, ..., 0, ..., (l -1), l .

Волновая функция определяет состояние электрона в атоме, а квадрат ее модуля -


вероятность обнаружения электрона в единице объема (см. (5.14)).

192
Вероятность обнаружения электрона в различных частях атома различна. Электрон при
своем движении как бы "размазан" по всему объему, образуя электронное облако.
Квантовые числа n и l характеризуют размер и форму электронного облака, а квантовое
число mL характеризует ориентацию электронного облака в пространстве.

В квантовой физике, по аналогии с спектроскопией, состояние электрона,


характеризующееся квантовым числом l = 0, называется S - состоянием, l = 1 - p -
состоянием, l = 2 - d - состоянием и т. д. Для обозначения различных состояний электрона
в атоме используют следующие обозначения: значения главного квантового числа
указывают перед условным обозначением орбитального квантового числа. Например,
электроны в состояниях n = 1, l = 0 обозначаются 1S, при n = 2, l = 1 обозначаются 2p и т.
д.

Квантовые числа позволяют компактно описать закономерности в спектре испускания


(поглощения) атома водорода.

Квантово-механическое объяснение закономерностей в спектре атома


водорода

Согласно квантовой теории, энергия электрона в атоме зависит от главного квантового


числа n (см. формулу (5.18)). Состояние электрона, соответствующее n = 1, называется
основным, а при больших значениях n состояние называется возбужденным. Состояния
электрона удобно изображать в виде уровней. Если электрон находится на энергетическом
уровне выше основного, то он может с определенной вероятностью испустить фотон и
перейти на более низкий энергетический уровень. Такой переход называется спонтанным
(или самопроизвольным). При этом энергия фотона равна разности энергий
энергетических уровней

Em вычисляется по формуле, аналогичной (5.18), а формула (5.19) совпадает с (5.10).

После подстановки формулы (5.18) и преобразований получим выражение для энергии


фотона:

Сравнение формул (5.20) и (5.9) показывает, что теоретическая формула (5.20) совпадает с
экспериментальной формулой (5.9).

В квантовой механике вводится правило отбора, ограничивающее число возможных


переходов электрона в атоме. Могут осуществляться только такие переходы, для которых
изменение орбитального квантового числа равно единице

193
С учетом правила отбора возможные переходы электронов в атоме изображены на рис.
5.4.

Рис.5.4

Серии Лаймана соответствуют переходы:


np → 1S (n = 2, 3, 4, ...).

Серии Бальмера соответствуют переходы:


np → 2S, nS → 2p,
nd → 2p (n = 3, 4, 5, ...).

Серии Пашена:
nS → 3p, np → 3S,
nd → 3p, np → 3d,
nf → 3d (n = 4, 5, 6, ...) и т. д.

Эти переходы описывают спектры излучения. Аналогично можно описать спектры


поглощения.

Переход электрона из основного в возбужденное состояние обусловлен увеличением


энергии атома и может происходить, например, за счет поглощения атомом фотона. При
этом частота (или длина волны) линий поглощения равна частоте (или длине волны)
соответствующей линии испускания. На спектрограммах линии поглощения проявляются
в виде темных линий.
194
Если электрон переходит из основного состояния на бесконечно удаленный уровень, то
этот переход соответствует процессу ионизации.

Итак, квантово-механическая теория полностью объясняет экспериментальные данные.

Лекция № 21

Вынужденное излучение. Лазеры

Излучать энергию атом может только в том случае, если он возбужден, т. е. переведен из
основного состояния на более высокий энергетический уровень. Возбудиться атом может
разными способами: при бомбардировке вещества частицами, при облучении, при
повышении температуры и т. д. Среднее время жизни атома в возбужденном состоянии
составляет . Последующий переход на более низкий энергетический уровень
может происходить спонтанно (самопроизвольно) или вынужденно. Спонтанные
переходы в разных атомах независимы друг от друга, а испускаемые фотоны имеют
разные направления и случайные фазы. Поэтому спонтанное излучение является
некогерентным. Все естественные источники света дают спонтанное некогерентное
излучение.

Однако в некоторых случаях возбужденные энергетические состояния могут


существовать достаточно долго . Такие состояния называются
метастабильными. Переход из метастабильного состояния в основное может достигаться
под действием внешнего излучения. Это явление ускорения атомных переходов
возбужденных атомов под действием электромагнитного излучения называется
вынужденным излучением. Более того, возникающий в результате вынужденного
излучения фотон оказывается точно в фазе с внешним фотоном, стимулировавшим это
излучение атома, и летит в том же направлении. На основе использования вынужденного
излучения Н.Г. Басовым и А.М. Прохоровым в СССР и Ч. Таунсом в США (1953 г.) были
разработаны генераторы когерентного излучения - лазеры. Слово "лазер" составлено из
первых букв английской фразы Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation -
усиление света с помощью вынужденного излучения. Другое название лазера -
оптический квантовый генератор (ОКГ). Существуют различные типы лазеров:
твердотельные, газовые, полупроводниковые, жидкостные.

Рассмотрим принцип действия твердотельного лазера на рубине, состоящем из оксида

, в кристаллическую решетку которого внедрены ионы хрома Схема


энергетических уровней хрома показана на рис. 5.5, где E1 - основной уровень; E2 и E3 -
уровни возбуждения.

195
Рис.5.5

Причем, E2 - метастабильный уровень, так как спонтанный переход E2 → E1 запрещен


правилами отбора (см. формулу (5.21)). Практически такие спонтанные переходы все-таки
существуют, но осуществляются с гораздо меньшей вероятностью. Они и дают излучение

с , которое определяет обычную окраску рубина (красную или


розовую в зависимости от концентрации хрома).

Рассмотрим процессы, которые происходят в лазере. При поглощении из-вне квантов


энергии частицы переводятся из основного уровня E1 на возбужденный E3, откуда они
спонтанно совершают безизлучательный переход на метастабильный уровень E2. Время
жизни частиц на метастабильных уровнях несравненно дольше, чем на обычных
возбужденных. Поэтому "заселенность" метастабильного уровня E2 становится больше
"заселенности" основного уровня E1, т. е. образуется так называемая инверсная
населенность.

Для создания инверсной населенности используется процесс, который называется


накачкой. В данном случае накачка осуществляется с помощью мощной ксеноновой
лампы-вспышки, которая переводит ионы хрома в возбужденное состояние (на уровень
E3). Далее происходит переход E3 → E2, при котором энергия передается кристаллической
решетке (идет на нагревание). Возникает инверсная населенность.

При воздействии на такую среду случайного кванта, соотвествующего переходу E2 → E1,


происходит вынужденное излучение. При этом из одного кванта получается два
совершенно одинаковых кванта, затем четыре, восемь и т. д. В результате образуется
каскад совершенно одинаковых по своим характеристикам фотонов.

На рис. 5.6. приведена принципиальная схема действия лазера. Как видно из этого
рисунка, если "первичные" кванты движутся под углом к оси, то они вызывают каскад
фотонов, уходящих через боковую поверхность ("первичные" фотоны В и С на рис. 5.6 а).
Коэффициент усиления таких каскадов обычно мал. Эффект усиления в лазерах
увеличивается за счет многократного отражения фотонов, движущихся параллельно оси
("первичный" фотон А). Устройство, обеспечивающее многократное отражение фотонов
только одного направления, называется резонатором.

196
Рис.5.6

Простейший резонатор представляет собой пару зеркал с общей оптической осью,


расположенных по разные стороны от активной среды. Одно из зеркал является
непрозрачным, другое - полупрозрачным. Они показаны на рис. 5.6., где приняты
следующие обозначения: 1 - активная среда, 2 - непрозрачное зеркало, 3 - полупрозрачное
зеркало.

Лазерное излучение обладает рядом замечательных свойств. Оно является


остронаправленным, полностью поляризованным, обладает большой мощностью, высокой
монохроматичностью и когерентностью.

Необычные свойства лазерного излучения находят широкое применение.

Лазеры применяют для обработки, резания и микросварки твердых материалов, например,


для высверливания в алмазах отверстий. В медицине лазерный луч успешно используют
для "приваривания" отслоившейся сетчатки к тканям глазного дна, для разрушения
опухолей и хирургических операций на внутренних органах, а в биологии, например - для
стимулирования роста растений. Острая направленность лазерного луча позволяет
применять его для космической связи, передачи энергии на большие расстояния. Лазеры
используют в программах противоракетной обороны. Лазерные дальномеры применяют
для сооружения крупногабаритных устройств (мосты, ускорители заряженных частиц,
радиотелескопы и т. д.). Таким образом, область применения лазеров огромна и с каждым
годом все расширяется.

197
Лекция № 20

198
199
Лекция № 22

200
201
Естественной радиоактивностью называется радиоактивность, наблюдающаяся у
существующих в природе неустойчивых изотопов.
Искусственной радиоактивностью называется радиоактивность изотопов, полученных в
результате ядерных реакций.

Лекция № 23

Деление ядер урана

Деление ядер урана при бомбардировке их нейтронами было открыто в 1939 г. Отто
Ганном и Фрицем Штрассманом.
Поглотив лишний нейтрон, ядро U235 возбуждается и деформируется, приобретая
вытянутую форму. Так как в ядре действуют два вида сил: электростатические силы от-
талкивания между протонами, стремящиеся разорвать ядро, и ядерные силы притяжения
между всеми нуклонами, Но ядерные силы — короткодействующие, поэтому в
вытянутом ядре они уже не могут удержать сильно удаленные друг от друга части ядра.
Под действием электростатических сил отталкивания ядро разрывается на две части
которые разлетаются в разные стороны с огромной скоростью и излучают при этом 2—3
нейтрона. часть внутренней энергии ядра переходит в кинетическую энергию
разлетающихся осколков и частиц. Осколки быстро тормозятся в окружающей среде, в
результате чего их кинетическая энергия преобразуется во внутреннюю энергию среды.
При одновременном делении большого количества ядер урана внутренняя энергия
окружающей уран среды и соответственно ее температура заметно возрастают Таким
образом, реакция деления ядер урана идет с выделением энергии в окружающую среду.
Энергия, заключенная в ядрах атомов, колоссальна. Например, при полном делении всех
ядер, имеющихся в 1 г урана, выделилось бы столько же энергии, сколько выделяется при
сгорании 2,5 т нефти.

Цепная реакция

Для преобразования внутренней энергии атомных ядер в электрическую на атомных


электростанциях используют так называемые цепные реакции деления ядер.
Ядро атома урана, которое в результате захвата нейтрона разделилось на две части,
излучив при этом три нейтрона. Два из этих нейтронов вызвали реакцию деления еще
двух ядер, при этом образовалось уже четыре нейтрона. Эти, в свою очередь, вызвали
деление четырех ядер, после чего образовалось девять нейтронов и т. д.
Цепная реакция возможна благодаря тому, что при делении каждого ядра образуется 2—3
нейтрона, которые могут принять участие в делении других ядер.

202
На рисунке показана схема цепной реакции, при которой общее число свободных
нейтронов в куске урана лавинообразно увеличивается со временем. Соответственно резко
возрастает число делений ядер и энергия, выделяющаяся в единицу времени. Поэтому
такая реакция носит взрывной характер (она протекает в атомной бомбе). Возможен
другой вариант, при котором число свободных нейтронов уменьшается со временем. В
этом случае цепная реакция прекращается. Следовательно, такую реакцию тоже нельзя
использовать для производства электроэнергии.
В мирных целях возможно использовать энергию только такой цепной реакции, в которой
число нейтронов не меняется с течением времени. С этим связаны факторы, влияющие на
увеличение и на уменьшение общего числа свободных нейтронов в куске урана, в котором
протекает цепная реакция.
Одним из таких факторов является масса урана. Не каждый нейтрон, излученный при
делении ядра, вызывает деление других ядер. Если масса (и соответственно размеры)
куска урана слишком мала, то многие нейтроны вылетят за его пределы, не успев
встретить на своем пути ядро, вызвать его деление и породить таким образом новое
поколение нейтронов, необходимых для продолжения реакции. В этом случае цепная
реакция прекратится. Чтобы реакция не прекращалась, нужно увеличить массу урана до
определенного значения, называемого критическим. Чем больше масса куска, тем больше
его размеры и тем длиннее путь, который проходят в нем нейтроны. При этом вероятность
встречи нейтронов с ядрами возрастает. Соответственно увеличивается число делений
ядер и число излучаемых нейтронов. Если масса урана больше критической, то в
результате резкого увеличения числа свободных нейтронов цепная реакция приводит к
взрыву, а если меньше критической, то реакция не протекает из-за недостатка свободных
нейтронов.
Уменьшить потерю нейтронов (которые вылетают из урана, не прореагировав с ядрами)
можно не только за счет увеличения массы урана, но и с помощью специальной
отражающей оболочки. Для этого кусок урана помещают в оболочку, сделанную из
вещества, хорошо отражающего нейтроны (например, из бериллия). Отражаясь от этой
оболочки, нейтроны возвращаются в уран и могут принять участие в делении ядер.
Помимо массы и наличия отражающей оболочки существует еще несколько факторов, от
которых зависит возможность протекания цепной реакции. Например, если кусок урана
содержит слишком много примесей других химических элементов, то они поглощают
большую часть нейтронов и реакция прекращается.
Еще одним фактором, влияющим на ход реакции, является наличие в уране так
называемого замедлителя нейтронов. Дело в том, что ядра урана-235 с наибольшей
вероятностью делятся под действием медленных нейтронов. А при делении ядер
образуются быстрые нейтроны. Если быстрые нейтроны замедлить, то большая их часть
захватится ядрами урана-235 с последующим делением этих ядер. В качестве
замедлителей используются такие вещества, как графит, вода, тяжелая вода (в состав
которой входит дейтерий — изотоп. водорода с массовым числом 2) и некоторые другие.
Эти вещества только замедляют нейтроны, почти не поглощая их.
Таким образом, возможность протекания цепной реакции определяется массой урана,
количеством примесей в нем, наличием оболочки и замедлителя и некоторыми другими
факторами.
Критическая масса шарообразного куска урана-235 приблизительно равна 50 кг. При этом
его радиус составляет всего 9 см, поскольку уран имеет очень большую плотность.
Применяя замедлитель и отражающую оболочку и уменьшая количество примесей,
удается снизить критическую массу урана до 0,8 кг.

203
204
205

Оценить