UNIVERSIDAD TÉCNICA DE AMBATO

FACULTAD DE INGENIERÍA EN SISTEMAS, ELECTRÓNICA E

INDUSTRIAL
CARRERA DE ELECTRÓNICA Y COMUNICACIONES

Diodo de Avalancha (o diodo IMPATT)

La historia de los diodos de avalancha se remonta a 1958, cuando W.T. Read propuso
un diodo de resistencia negativa en alta frecuencia. Sugirió una estructura n- p + i + p+.
Esta configuración se conoce ahora como estructura de Read y se muestra en la
Ilustración 1.

Ilustración 1. Estructura de Read.

El índice superior + indica impureza elevada y la i denota intrínseco (esto es, que se
dispone de igual número de huecos y electrones). La estructura se polariza inversamente
como se indica y basta para dejar libre de portadores a toda la región comprendida entre
n+ y p+. En virtud de la unión n-p abrupta, el campo eléctrico es máximo en x = O, donde
principia la ionización y tiene lugar la ruptura de avalancha. Esto conduce a la
generación de parejas electrón-hueco. Los electrones se recogen en la terminal positiva,
mientras que los huecos se desplazan a la derecha a través de la capa de depleción
restante, con velocidad casi constante, colectándose en la terminal p +. Debe notarse que
el campo eléctrico en la región intrínseca es de alrededor de 5000 V/cm o más. Para
estos valores del campo, la velocidad promedio de portador llega a ser propiamente
constante (velocidad limitada de dispersión) y el término velocidad de deriva se hace
adecuado.
La situación aquí puede compararse a un diodo de vacío, donde los electrones son
emitidos por el cátodo y viajan hacia el ánodo. En la Estructura de Read, p+ - i – n+, los
electrones se generan cerca de la región p+ y p+ y avanzan hacia la región n+.
Para comprender la operación del diodo Read, supóngase que se ajusta la polarización
de tal suerte que E0 se encuentra precisamente abajo del valor de campo crítico para la
ruptura de avalancha. Si se supone a esta polarización un voltaje de RF, el campo total
sobrepasará al de ruptura de avalancha durante el medio ciclo positivo. Durante este
intervalo, continúa un incremento exponencial de la carga de avalancha. Durante el
medio ciclo negativo, el campo total se encuentra abajo del valor crítico y decae el
proceso de avalancha. Dado que la tasa de crecimiento es exponencial, se tiene una
carga pico (en la región de avalancha cerca de x = 0) al final del ciclo positivo de C.A.
En la ilustración 2 se muestra la formación de la carga de avalancha.

Ilustración 2. Formación de la carga de avalancha.

Se observará que existe un retardo de fase de /2 aproximadamente antes que el paquete
de portadores de carga positiva atraviese la muestra desde x = 0 hasta la región p+
mostrada en la ilustración 1. El movimiento de carga con velocidad constante dentro de
un campo eléctrico originará corriente constante en el circuito externo. El tiempo de
tránsito finito de los portadores conduce a corriente pulsante de duración igual al tiempo
de tránsito. Si la anchura de la capa i es tal que el tiempo de tránsito en ella es T/2, la
corriente en el circuito externo tendrá la forma de onda como la que se muestra en la
ilustración 2d. Como se ve en esta ilustración, existe la diferencia de fase de  radianes
entre el voltaje y la corriente. Esto implica que la resistencia del diodo sea negativa.
Basado en estos argumentos, Read indicó que se puede diseñar un diodo de resistencia
negativa en altas frecuencias. La anchura W de la capa de depleción sería tal que el
tiempo de transito  fuera un medio del periodo correspondiente a la frecuencia de
operación. La velocidad limitada de dispersión en el silicón es de 10 7 cm/seg,
aproximadamente, lo que significa que para operar en 5 GHz, la anchura de la capa i
sería de 10 micrones.
En 1958, cuando Read presentó su propuesta, la tecnología del silicón no estaba lo
suficientemente avanzada y no se pudo fabricar la configuración n + - p – i – p+ para
verificarla. Fue siete años más tarde (1965) que Johnston, DeLeach y Cohen elaboraron
un dispositivo de resistencia negativa en silicón, que proporciono 60 mW de potencia
pulsante en 12 GHz, aunque sorprendentemente no se empleó la configuración de Read
n+ - p – p+(o p+ - n – i – n +) sino que utilizo la unión p-n simple, polarizada
inversamente. A esas fechas, la tecnología planar de silicón se había desarrollado
bastante y se pudo fabricar ya el diodo Read, verificándose su principio de operación
por Lee (en 200Mhz) y también por DeLeach y Johnson (en 5 GHz).
No obstante cuando un diodo p-n (o p-i-n) se polariza inversamente, se produce la
ruptura de avalancha en la capa de depleción, donde quiera que el campo exceda al
valor de ruptura. Con los argumentos presentados al discutir el diodo Read, puede verse
que la corriente de avalancha está en retardo /2 radianes respecto al campo aplicado.
Las distancias que deben recorrer los diversos portadores no son iguales, aunque
cualquier corrimiento adicional de fase (entre 0 y  radianes) originado por el
desplazamiento de portadores, que hace que éstos contribuyan a ña resistencia negativa.

Ilustración 3. Capa de depleción.

En síntesis, incluye la solución de la ecuación de Poisson, tomando en cuenta la

generación de portadores originada por la ionización de impacto. Se obtuvo la relación
entre el campo y la corriente, escribiéndose la impedancia terminal como

L −1

Y=
AJ
V
= AJ
{∫ }
0
E dx

donde L es la longitud del dispositivo.

Los resultados principales son: i) Se observa una frecuencia de resonancia, debajo de la
cual la susceptancia del diodo es inductiva y arriba de ella capacitiva, y ii) la parte real
de la impedancia del diodo se hace negativa en frecuencias muy bajas de la de
resonancia, permaneciendo así en octavos del rango de frecuencias.

Circuito equivalente de los diodos IMPATT

Ilustración 4. Circuito equivalente del diodo IMPAT.

El circuito equivalente para un chip del diodo IMPATT se muestra en la ilustración 4.

Aquí la parte activa del diodo (el chip, excluyendo el envase) se muestra como la
resistencia negativa RD con la reactancia en serie XD. La región RD incluye la resistencia
serie parásita inevitable y la resistencia de la región de desplazamiento no contaminadas
(si se tiene). Enseguida se enlistan algunas propiedades importantes de este circuito
equivalente.

i. La magnitud de la resistencia neta negativa RD por lo general es mucho menor

que la reactancia XD por lo que la magnitud de la impedancia del chip es
aproximadamente XD.
ii. Para la mayoría de los casos de interés, la X D se puede aproximar, con bastante
exactitud por la reactancia de la capacitancia de unión (chip) en el voltaje de
ruptura. Esta capacitancia va desde 0,2 a 0,6 pF para diodos típicos.
 iii. En general, los voltajes de la reactancia negativa neta son pequeños comparados
con las impedancias usuales de las líneas de transmisión.
iv. Como en cualquier elemento oscilante activo, la resistencia de un diodo
IMPATT varia con el nivel de señal. El descenso de la R D con el nivel de señal
conduce al oscilaciones estables.

DIOSOS ENVASADOS

Con buena aproximación , el envase se puede describir como dos elementos reactivos:
una inductancia en serie y una capacitancia en paralelo. Esta aproximación es válida
también para envases que usan en diodos Gunn.

Ilustración 5. Circuito equivalente de un diodo IMPATT envasado.

Los valores exactos de LP y CP varían algo de un tipo de envase a otro, aunque como
valores típicos se tiene de 0,6 nF y 0,3 pF, respectivamente. El valor de la R D
corresponde a la potencia de salida de alrededor de 700 mW, operando como oscilador.

Condiciones de circuitos

El procedimiento de diseño para los circuitos a diodo IMPATT es semejante de los

circuitos a diodo Gunn. La única diferencia se encuentra en el nivel de las impedancias
de los dispositivos es normalmente de centenares de ohms, mientras que la de los
IMPATT es sólo algunos ohms.

Ilustración 6. Cavidad sintonizable con múltiples cilindros A y B.

Ilustración 7. Transformador de acoplamiento de dos secciones.

Diodo TRAPATT
Además del modo IMPATT de operación, los diodos de avalancha se puede también
operar en modo de alta eficiencia en gran señal, llamado modo TRAPATT (Trapped
Avalanche Transist Time).

Las oscilaciones TRAPATT dependen también del retardo de la corriente de diodo

originado por el proceso de avalancha. En este caso, el retardo de avalancha hace
posible elevar el voltaje de diodo bastante arriba del voltaje normal de ruptura (por
ejemplo, dos veces mayor) siempre que el voltaje de impulsión tenga un tiempo de
crecimiento rápido. La concentración de portadores excede con mucho a la requerida
para sostener ña corriente terminal del diodo. Si se mantiene una corriente terminal, se
remueve el plasma del diodo y el voltaje del diodo se recupera. Además, si la
capacitancia parásita en la vecindad inmediata del diodo se descarga por la extracción
del plasma, la corriente del diodo debe caer a un valor bajo y el voltaje de diodo
permanecer constante (aproximadamente en su valor de ruptura).

Ilustración 8. Voltaje terminal del diodo.

Se puede realizar el análisis sencillo del operación TRAPATT suponiendo que la

corriente terminar del diodo es una onda cuadrada, enseguida se calculó la respuesta de
voltaje. Para este caso, la secuencia de eventos mencionados antes da por resultado el
voltaje terminar de diodo que se muestra en la ilustración 8.

La línea punteada indica la forma de onda calculada para el caso de una densidad de
portadores inicial más elevada. Dado que casi el producto voltaje – corriente es bajo,
este modo de operación es de alta eficiencia. Además, la forma de onda indica un
contenido armónico considerable.

En la figura 9 se muestra la configuración de circuito por el modo TRAPATT de

operación. El diodo se monta en el extremo de una línea de transmisión. La reactancia
del envase del diodo se representa por una inductancia alambre de unión L y una
capacitancia C de envase. El otro extremo de la línea se transmite en un filtro pasa
bajos, colocar aproximadamente a media longitud de onda media desde diodo. La
frecuencia de corte de filtro está juntamente arriba de la frecuencia oscilación
TRAPATT.

La operación TRAPATT interacciona con el circuito de la siguiente manera. El ascenso

de voltaje de diodo le sucede un colapso rápido del campo, que conduce a un pulso de
voltaje de excursión negativa, el cual se propaga desde el diodo por la línea hasta el
filtro pasabajos. Este filtro representa un cortocircuito para toda las armónicas del pulso
y refleja así un voltaje de excursión positiva hacia el diodo. Si este pulso positivo es de
amplitud suficiente, el diodo se impulsará rápidamente arriba desmontaje de ruptura y la
secuencia se repetirá asimismo. De esta manera el circuito mostrado en la figura 9 es
una muestra sencilla de obtener el disparo deseado del diodo.

Ilustración 9. Disparo deseado del diodo.

Los dispositivos TRAPATT han sido operados de 400 MHz hasta 12 GHz,
aproximadamente. Se espera que los TRAPATT compitan con éxito con los otros
dispositivos de microondas en aplicaciones de sistemas que requieran salimos de
potencias punzantes elevadas, alta eficiencia y anchuras demandas moderadas. Existen
algunas aplicaciones virtuales en sistemas de radar con disposición de fase, transistores
IFF (balizas), fuentes de fusibles de proximidad, radioaltímetro y sistemas de aterrizaje
por microondas.

DIODO BARITT

iodo BARITT (Del inglés: BARrier Injected Transit Time)Diodo semejante al diodo
IMPATT donde los portadores de carga llamados a atravesar la región de deplexión no
provienen de una avalancha sino que son engendrados por inyección de portadores
minoritarios en uniones polarizadas en el sentido de la conducción. Diodo de avalancha
Diodo de rectificación en el que, mediante una técnica apropiada, se reparte la ruptura
inversa, debida al fenómeno de avalancha, en todo el volumen de la unión. El diodo
soporta, así, grandes corrientes en conducción inversa sin destruirse. Diodo de
capacidad variable (VARACTOR o VARICAP) Diodo semiconductor con polarización
inversa cuya capacidad entre los terminales disminuye en función de la tensión inversa
aplicada entre sus extremos. Diodo de conmutación Diodo semiconductor diseñado para
presentar una transición rápida entre el estado de conducción y el estado de bloqueo, y a
la inversa. Diodo rectificador. Diodo de potencia media o alta que se utiliza para
rectificar las corrientes alternas. Diodo semiconductor. Diodo que permite el paso de la
corriente de su zona p, rica en huecos, a su zona n, rica en electrones. Diodo de señal
Diodo semiconductor empleado para la detección o el tratamiento de una señal eléctrica
de baja potencia. Diodo de unión Diodo formado por la unión de un material
semiconductor de tipo n y otro semiconductor de tipo p. Diodo Esaki Ver diodo túnel
Diodo Gunn Dispositivo semiconductor impropiamente calificado de diodo ya que no
contiene una unión sino una sucesión de tres capas de tipo n más o menos dopadas. En
presencia de campos eléctricos elevados, el diodo Gunn es escenario de oscilaciones a
muy alta frecuencia. Diodo IMPATT (Del inglés: IMPAct Avalanche and Transit Time)
Diodo cuyo funcionamiento asocia la multiplicación por avalancha de los portadores de
carga y su tiempo de propagación en la unión. Esto conduce, para ciertas frecuencias
muy elevadas, a una resistencia negativa que permite utilizar el diodo en modo
amplificador o en modo oscilador. Diodo láser Diodo electroluminescente (LED) cuya
estructura contiene una cavidad óptica y que está concebido de modo que permita la
emisión estimulada, y por tanto la radiación de una onda luminosa quasimonocromática
y coherente (laser). Diodo PIN (Del inglés P region-Intrinsic region-N region) Unión pn
semiconductora que posee dos regiones, una fuertemente dopada n, representada como
n++, y otra fuertemente dopada p, representada por p++, y una zonaintrínseca de
dopado muy débil. Diodo Schottky Diodo formado por un contacto entre un
semiconductor y un metal, lo que elimina el almacenamiento de carga y el tiempo de
recuperación. Un diodo Schottky puede rectificar corrientes de frecuencia superior a
300 MHz. Diodo Schokley Diodo de cuatro capas p-n-p-n utilizado en los circuitos de
conmutación rápida. Además, la tensión directa de este diodo es más baja que en la de
un diodo semiconductor de dos regiones. Diodo TRAPPAT (Del inglés, TRAPped
Plasma Avalanche Transit time) Diodo de hiperfrecuencia de semiconductores que,
cuando su unión se polariza en avalancha, presenta una resistencia negativa a
frecuencias inferiores al dominio de frecuencias correspondiente al tiempo de tránsito
del diodo. Esta resistencia negativa se debe a la generación y desaparición de un plasma
de electrones y huecos que resultan de la íntima interacción entre el diodo y una cavidad
de hiperfrecuencias de resonancias múltiples. Diodo túnel Diodo semiconductor que
tiene una unión pn, en la cual se produce el efecto túnel que da origen a una
conductancia diferencial negativa en un cierto intervalo de la característica corriente-
tensión. La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilización como
componente activo (amplificador/oscilador). Diodo unitúnel Diodo túnel cuyas
corrientes de pico y valle son aproximadamente iguales. Diodo Zener Diodo
optimizado, mediante la elección del índice de dopado, para su funcionamiento en una
región de ruptura inversa, a una tensión ampliamente independiente de la intensidad.
Los diodos Zener se utilizan en reguladores de tensión. Un diodo es un dispositivo
electrónico compuesto por dos terminales a través de las cuales fluye la corriente
eléctrica. El diodo semiconductor es el más utilizado en la actualidad. Este consta de
una unión P-N, junto con un terminal de conexión a cada extremo y el encapsulado.
DIODOS RECTIFICADORES: su característica esencial consiste e que la unión P-N
(ánodo-cátodo) es de carácter unilateral, por lo que la corriente eléctrica fluirá en un
solo sentido. Constituye una de las clases más sencillas de diodos. La capsula del mismo
estará condicionada por la potencia que emanen. Su propósito es apartar los ciclos
positivos de una señal de corriente alterna. Un sistema rectificador de corriente se
efectúa por medio de la utilización de varios diodos conectados a través de puentes.
DIODOS DE SEÑAL: es utilizado con el fin de detectar señales débiles, por lo que son
de baja potencia. El encapsulado de los diodos de señal corresponde a un pequeño
cilindro de materia plástica o vidrio, y las dos terminales de conexión se ubican a los
extremos del mismo. La tensión a partir de la cual el diodo conduce electricidad
(tensión umbral) es de 0,3 voltios. DIODOS DE ALTA FRECUENCIA: son
denominados de alta frecuencia debido a que son colocados en las secciones de un
circuito, donde la frecuencia debe ser mayor a 1 megahertz. Tienen una capacidad baja
de difusión entre las regiones semiconductoras que conforman la unión ánodo y cátodo
(P-N), cuando las mismas se encuentran polarizadas en sentido directo. DIODOS DE
CONMUTACIÓN: son aquellos que tienen un tiempo de respuesta muy breve, con
respecto al cambio del sentido de la corriente eléctrica. Es decir, que el tiempo de
recuperación inverso (TRR) es inferior a 400 nanosegundos en diodos de media
potencia, y 5 nanosegundos en aquellos de potencia baja. DIODOS ZENER: su nombre
proviene del creador de esta clase de diodos Clarence Zener. Son diodos de silicio, cuyo
fin es hacer fluir corriente eléctrica en las regiones del circuito donde se perciban
rupturas. Además, suelen utilizarse para estabilizar un determinado nivel de tensión a
fin de mantenerlo fijo. La mayor parte de la información que facilita el fabricante en las
hojas de características es solamente útil para los que diseñan circuitos, nosotros
solamente estudiaremos aquella información de la hoja de características que describe
parámetros que aparecen en este texto. Tensión inversa de ruptura Estudiaremos la hoja
de características del diodo 1N4001, un diodo rectificador empleado en fuentes de
alimentación (circuitos que convierten una tensión alterna en una tensión continua). La
serie de diodos del 1N4001 al 1N4007 son siete diodos que tienen las mismas
características con polarización directa, pero en polarización inversa sus características
son distintas. Primeramente analizaremos las "Limitaciones máximas" que son estas:
Estos tres valores especifican la ruptura en ciertas condiciones de funcionamiento. Lo
importante es saber que la tensión de ruptura para el diodo es de 50 V,
independientemente de cómo se use el diodo. Esta ruptura se produce por la avalancha y
en el 1N4001 esta ruptura es normalmente destructiva. Corriente máxima con
polarización directa Un dato interesante es la corriente media con polarización directa,
que aparece así en la hoja de características: Indica que el 1N4001 puede soportar hasta
1 A con polarización directa cuando se le emplea como rectificador. Esto es, 1 A es el
nivel de corriente con polarización directa para el cual el diodo se quema debido a una
disipación excesiva de potencia. Un diseño fiable, con factor de seguridad 1, debe
garantizar que la corriente con polarización directa sea menor de 0,5 A en cualquier
condición de funcionamiento. Los estudios de las averías de los dispositivos muestran
que la vida de éstos es tanto más corta cuanto más cerca trabajen de las limitaciones
máximas. Por esta razón, algunos diseñadores emplean factores de seguridad hasta de
10:1, para 1N4001 será de 0,1 A o menos. Caída de tensión con polarización directa
Otro dato importante es la caída de tensión con polarización directa:
Estos valores están medidos en alterna, y por ello aparece la palabra instantáneo en la
especificación. El 1N4001 tiene una caída de tensión típica con polarización directa de
0,93 V cuando la corriente es de 1 A y la temperatura de la unión es de 25 ºC. Corriente
inversa máxima En esta tabla esta la corriente con polarización inversa a la tensión
continua indicada (50 V para un 1N4001). Esta corriente inversa incluye la corriente
producida térmicamente y la corriente de fugas superficial. De esto deducimos que la
temperatura puede ser importante a la hora del diseño, ya que un diseño basado en una
corriente inversa de 0,05 A trabajará muy bien a 25 ºC con un 1N4001 típico, pero
puede fallar si tiene que funcionar en medios donde la temperatura de la unión alcance
los 100 ºC.

DIODO PIN

Un diodo PIN es un elemento de control útil en frecuencias de microondas. Estos

diodos difieren considerablemente de las uniones P – N. Un diodo PIN posee regiones p
y n altamente impuras, separados por poner capa de material de alta resistivida que es
casi intrínseca, generalmente en el rango de 10 a 200 m. En la figura 10 se muestra
perfecta impureza por el dispositivo. La capa intrínseca tiene una resistividad de
aproximadamente de 100 ohm-cm es del tipo p o del n. Esta capa ligeramente impura se
llama tipo  o tipo v, dependiendo el tipo de conductividad.

Con cero polarización, se forman dos regiones de carga especial en las capas p y n
adyacentes a la capa intrínseca, Por la difusión de huecos electrones a través de las
uniones. Los espesores de estas regiones son inversamente proporcionales a las
concentraciones de impurezas. En casa de un diodo ideal la capa intrínseca carece de
impurezas, es decir, está totalmente libre de portadores de carga móvil. De esta manera,
si tiene una región con carga negativa fija en la capa p y una región con carga positiva
fija en la n con cargas iguales de las regiones. Al aplicarse polarización inversa, las
regiones de carga especial en las capas p y n se hacen más amplias.
Existe un campo eléctrico uniforme en la región intrínseca, cayendo ligeramente hacer a
través de la región de depleción en las capas p y n.

Ilustración 10. Distancia desde la superficie acuosa.

Ilustración 11. Estructura p-i-n.

Cuando la capa de alta resistividad es en realidad una capa , la situación especialmente

diferente y se ilustra con líneas punteras en la figura 11. Cuando no se aplicaron
polarización, la difusión de huecos electrones a través de la unión n- produce una
región de depresión muy delgada en la capa n y una más gruesa en la . Estas dos
regiones de presión tienen cargas fijas iguales aunque puestos. En la medida que se
aplique polarización inversa, la región de depresión en la capa  se hace cada vez más
gruesas hasta que toda la capa  quede libre de portadores móviles. El pequeño montaje
negativo que se requiere para este propósito se denomina la polarización necesaria para
limpiar la región - al aumentar la polarización inversa, aparece una región de depleción
delgada también en la capa p. El campo eléctrico se eleva bruscamente en la región n,
cae ligeramente a través de la región  y se reduce a cero con búsqueda región de
depleción p.

Cuando se aplica polarización directa al diodo, tiene lugar una inyección de portadores
de la capa . Los electrones se le inyectan procedente de la capa n y los huecos de la p.
Los portadores se difunde en la capa , disminuyendo su concentración con la
profundidad dentro de de esta capa, en virtud de su recombinación. La difusión de
portadores hace que su concentración en esa capa  crezcan por arriba de sus niveles
equilibrio y que su resistividad caiga en la medida que se incrementa la polarización
directa. Las consideraciones de huecos electrones son aproximadamente iguales en toda
la capa . Si los tiempos de vida de los portadores en esta capa son relativamente largas
dicha capa no es sumamente gruesa, llega inundarse computadores con nivel de
polarización directa razonable. Cuando esto sucede, el diodo presenta bajar resistencia
y, de hecho, se comporta como cortocircuito virtual a través de una línea de transmisión
de microondas. Para alcanzar esta característica del diodo PIN, es esencial que el tiempo
de vida de los portadores de la capa  sea mayor que el periodo de la frecuencia de
operación. Por esta razón, los diodos PIN no se pueden emplear con autoridad en
frecuencias de radio bajas.

Ilustración 12. Circuitos equivalentes para el diodo PIN

El efecto de control de portadores y, por tanto la capa i, variando la polarización

positiva, se conoce como modulación de conectividad. Este fenómeno representa el
papel principal en el uso de los diodos PIN como atenuadores controlados
electrónicamente en modulación de amplitud. Se puede señalar que los diodos de unión
p-n ordinarios tienen capas de depresión relativamente delgados y no presente el
fenómeno de modulación de conductividad como los diodos PIN.

En la figura 12 se muestra el circuito equivalente para diodos PIN. Además todo los
elementos presentes en el circuito equivalente de un diodo unión p-n, este circuito
equivalente contiene: a) Ri y Ci, que representan la resistencia y capacitancia de la
porción de la capa vea esta resistividad exclusiva de la región barrida y b) la
capacitancia de difusión CD que representa el almacenamiento de carga originada por el
flujo de corriente a través de la región intrínseca. Estos aspectos característicos de la
estructura PIN se indican encerrada sin el control de líneas planteadas en la figura 12.

Las otras componentes de circuito equivalente corresponden al modelo para el día de

unión p-n. La Rj y Cj solas resistencia capacitancia reunión, respectivamente. R s es la
resistencia óhmica del diodo y Cj la capacitancia de borde asociada a la pastilla (“chip”)
del dispositivo. La inductancia serie del alambre de fleje se representa por L s y la
capacitancia Cp correspondiente a la capacitancia envase.
 Ilustración 13. Polarizaciones del diodo PIN

Baja polarización inversa pequeña, cuando sólo se despejado una parte de la capa de
alta resistividad, el circuito equivalente se puede simplificar tomando R j mucho mayor
que Xj (= 1/Cj) y Ri también con mayor que Xi (= 1/Ci). El circuito equivalente
significado bajo esas condiciones se muestra la figura 13.a. La capacitación difusión C D
ese trabajo la condición de polarización inversa.

Con cero polarización, se puede ignorar la R j y la combinación paralelo de R i y Ci se

puede representar con la resistencia X 2i / Ri en serie con la capacitancia del diodo, como
se muestra la figura 13.b.

Con la polarización directa, la resistencia Rf del diodo está formada por la resistencia de
la capa intrínseca Ri y la resistencia serie Rs. La Ri te crece con polarización directa. El
circuito equivalente se puede ahora expresar como se muestran la figura 13.c. Estas
representaciones de circuito equivalentes son útiles en el análisis y diseño de circuito a
diodo PIN.

BIBLIOGRAFÍA

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http://documents.mx/documents/diodo-baritt.html
[2].IDC. (2010). TRAPATT and BARITT DIODE.
[3]. Anónimo. Control de Microondas y componentes lógicos. Pg 101-111 y pg 209
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