проектирование и моделирование

Проектирование антенной решётки

в программах электродинамического
моделирования HFSS и CST MWS
Александр Курушин (Московская обл.),
Константин Папилов (г. Москва)
В формуле (2) (kd cosθ – α) = U – это
Современные антенные решётки для радиолокаторов чаще всего обобщённая угловая координата, под
моделируют с помощью специализированных программ, которые которой понимается разность фаз
разрабатываются десятки лет. Программы электродинамического между полями двух соседних элемен-
моделирования HFSS и CST MWS позволяют решать важные научные тов в точке наблюдения, находящейся
проблемы, связанные с проектированием фазированных антенных под углом к оси антенной решётки; k –
решёток. В статье сравниваются результаты расчёта характеристик постоянная распространения; d – рас-
антенной решётки, полученные с помощью HFSS и CST MWS с учётом стояние между элементами антенной
взаимного влияния соседних элементов. решётки;  θ – угол наклона излучения
антенной решётки относительно оси z
(см. рис.  2); α – разность фаз возбуж-
Анализ многоэлементной антен- ные расстояния. Общее излучённое дения соседних элементов антенной
ной решётки можно выполнить в еди- поле антенной решётки равно сумме решётки. В терминах периодических
ной конструкции. Этот подход требу- полей, создаваемых каждым элемен- граничных условий α является разно-
ет больших вычислительных средств том, с учётом фазы, с которой эти поля стью фаз между периодическими гра-
на уровне суперкомпьютеров. Преи- приходят в точку наблюдения. Диа- ничными условиями master и slave [1].
мущество этого подхода заключается грамму направленности фазирован- Из выражения (2) следует, что мно-
в том, что элементы антенной решёт- ной антенной решётки можно пред- житель решётки в пространстве пред-
ки могут иметь произвольные положе- ставить в виде [5, 6]: ставляет собой поверхность враще-
ние и возбуждение. ния. При большом числе излучателей
В зависимости от расположения эле- , (1) (N > 10) этот множитель практиче-

ментов различают линейные, поверх- ски повторяет ДН антенной решётки,
ностные и объёмные решётки, среди где является ненормирован- поскольку отдельные элементы решёт-
которых наиболее распространены ной диаграммой направленности (ДН) ки, как правило, являются слабонаправ-
прямолинейные и плоские антенные антенной решётки с изотропными ленными антеннами. С ростом N будут
решётки (см. рис. 1). излучателями и называется множите- сужаться главный и боковые лепестки
лем решётки;  – ДН одного эле- антенной решётки.
Диаграмма направленности мента антенной решётки. Часто поль-
антенной решётки зуются нормированной ДН антенной Условие существования
с заданным периодом решётки: одного главного
Простейшей является линейная экви- лепестка
дистантная антенная решётка. У такой Предположим, необходимо, что-
решётки излучающие элементы распо- (2) бы ФАР работала в диапазоне углов
ложены на прямой линии через рав- от –60° до +60°. Определим интервал
обобщённой угловой координаты U,
соответствующий области реальных
углов сканирования антенной решётки.
Максимальное значение U будет дости-
гать при θ = 0° величины Umax = kd – α,
а минимальное – при θ = 180° величи-
ны Umax = – kd – α.
Таким образом, интервал перемен-
ной U, соответствующий области
реальных углов θ, определяется нера-
венством:
(3)
и величина:
(4)
не зависит от разности фаз между
границами master и slave, а опреде-
Рис. 1. Первый в мире истребитель, оснащённый РЛС, с пассивной ФАР, МиГ-31 ляется расстоянием между элемен-
(система «Заслон», НИИП им. Тихомирова) тами d.

52 www.soel.ru современная электроника ◆ № 2 2014


Применяемые на практике ФАР обыч-
но должны иметь только один главный
лепесток. Это означает, что на интер-
вале действительных значений U дли-
на интервала ∆U должна быть мень-
ше периода повторения множителя
2kd < 2π, откуда [3]:
(5)
Таким образом, антенная решётка, у
которой расстояние между излучате-
лями меньше половины длины волны,
всегда (при любых значениях фазово-
го сдвига между соседними элемента-
ми) будет иметь только один главный
лепесток. Однако это условие не всег-
да является необходимым. Так, для син-
фазной АР оно имеет вид:
(6)
В общем случае прослеживается сле-
дующая зависимость допустимого рас-
стояния между соседними элемента-
ми d: чем в большем секторе углов θ
должно происходить сканирование
ФАР лучом, тем меньше должно быть
расстояние между элементами в решёт-
ке. Чтобы в множителе ФАР существо-
вал только один главный лепесток, рас-
стояние между элементами должно
находиться в пределах:
современная электроника ◆ № 2 2014
проектирование и моделирование
(7)
Электродинамические методы рас- Z
M
чёта позволяют выполнить моделиро- Соседние r2
вание антенной решётки с заданным элементы фар
шагом по обеим координатам. Числен- master
ные методы расчёта, реализованные 2
slave r2
в современных комплексах HFSS, CST θ
d
и др., позволяют рассчитать диаграм-
master
мы сканирования, боковые лепестки ∆r
и влияние отдельных элементов друг slave 1
на друга для различных типов элемен-
тов антенн. Рис. 2. Связь между геометрией длин
Для простых типов излучателей уда- соседних лучей АР
ётся получить либо аналитические,
либо легко реализуемые алгоритмы таты расчётов входного сопротивле-
расчёта для ЭВМ [4–6]. Однако в тех ния излучателя в составе бесконечной
случаях, когда в излучающей структу- линейной решётки [7].
ре располагается слоистый диэлектрик,
расчёт взаимных сопротивлений между Учёт взаимного влияния
излучателями существенно усложняет- элементов антенной решётки
ся, поскольку кроме пространственных По сравнению с одиночными антен-
волн на взаимную связь между излу- нами, ФАР позволяет получить узкую
чателями оказывают влияние поверх- ДН. Поля излучения отдельных эле-
ностные волны, направляемые диэлек- ментов решётки интерферируют
трическими слоями. в пространстве: в одних направлениях
Одним из решений проблемы явля- результирующее поле усиливается бла-
ется способ определения взаимных годаря синфазному сложению полей
сопротивлений между излучателя- от источников, в других  – наоборот,
ми, в котором используются резуль- ослаб­ляется.
www.soel.ru 53
 проектирование и моделирование

ФАР имеют ряд преимуществ перед Моделирование антенной

другими типами антенн: решётки в HFSS Ansoft
N ●● удобное управление формой ДН Программа электродинамического
и направлением главного лепестка моделирования HFSS Ansoft [1] реша-
за счёт изменения амплитуды и фазы ет задачу распространения электро-
Y
Сканирование поля каждого излучателя АР; магнитного поля, которое подчиняет-
●● увеличение мощности излучения АР ся уравнениям Максвелла и граничным
θ за счёт пространственного сложения условиям. Выделим в антенной решётке
Излучение
полей отдельных излучателей. периодически повторяющийся канал
X
В рамках этих задач необходимо рас- Флоке и поставим на его боковые сто-
5 считать и диаграммы сканирования, роны периодические граничные усло-
4 и частотные характеристики решётки вия master и slave (см. рис. 4).
Z 3 с учётом взаимного влияния каналов. Ближние поля, рассчитываемые в ка-
2 Выбор программного обеспечения  – нале Флоке, связываются соотношени-
1d
ключевая задача, которая стоит перед ем (3). При изменении угла сканирова-
разработчиком ФАР. Выполним расчёт ния θ в режиме параметрической опти-
Рис. 3. Фрагмент антенной решётки, с помощью НFSS [1] и CST [2] и сравним мизации меняются соотношения между
составленной из антенн Вивальди результаты расчёта. полями на ведущей и ведомой границе,
На рисунке  3 приведён фрагмент что смещает поля и приводит к измене-
антенной решётки, составленной из нию угла излучения антенной решётки.
slave slave 1 Z 25 антенн Вивальди. Антенна Виваль- Рассчитаем частотные характери-
ди отличается широким диапазоном стики для серии углов сканирования
Y
рабочих частот, её параметры для (см. рис. 5), а также диаграмму скани-
Y U
произвольных функций, описываю- рования антенной решётки на частоте
щих раскрыв растра, анализируются 9,8 ГГц (см. рис. 6).
в [7]. Антенная решётка имеет линей- Из рисунка 5 видно, что диапазон
U
master ную поляризацию, и её характеристи- рабочих частот уменьшается при увели-
ки при сканировании в вертикальной чении угла сканирования. Кроме частот-
X
и в горизонтальной плоскости отлича- ных характеристик при различных углах
Рис. 4. Постановка граничных условий (угол = 0 ются. Они и будут предметом дальней- сканирования, полезным графиком явля-
соответствует вертикальной плоскости E) шего исследования. ется диаграмма сканирования, показан-
ная на рисунке 6, для двух углов ϕ.
Частотные характеристики Эти результаты демонстрируют, что
1,00
|S11|
50 0,8966 при сканировании в диапазоне углов
60
0,80
до θ = 70° влияние соседних элементов
70
2∆f не увеличивает коэффициент отраже-
ния до предельной величины КСВ = 3.
0,60
Однако рабочий частотный диапазон
40
0,4446 антенной решётки, как видно из рисун-
0,40 0,3747
U ка 5, при увеличении θ сужается и сме-
25 30 0,2258 щается в сторону более низких частот.
0,20 10 20
15 0,1337 master 1 θ
5
0
0,0746
0,0331
0,0772
0,0425
Z
Y Расчёт бесконечной антенной
0,00
8 9 10 11 12 Частота, ГГц
решётки в CST
Особенность метода конечных раз-
Рис. 5. Частотные характеристики антенной решётки для углов сканирования в диапазоне 0…70° ностей во временно′ й области, реали-
в плоскости YOZ (расчёт в HFSS) зованного в CST, приводит к тому, что
во временно′ й области можно рассчи-
5,00 тать характеристики решётки толь-
КСВ Зависимость КСВ от угла сканирования ко для нормального угла излучения
4,00 АФАР. Чтобы рассчитать характери-
стики антенной решётки для произ-
Сканирование в плоскости вольных углов сканирования, следу-
3,1399
3,00 ет применить решающее устройство
XOZ 2,6883
в частотной области и выполнить раз-
Сканирование в плоскости биение пространства на тетраэдры [2].
2,00 YOZ
В отличие от HFSS [1], в программе
θ CST понятие ведущей и ведомой гра-
1,00 ниц отсутствует, но существуют два
0,00 10,00 20,00 30,00 40,00 50,00 60,00 70,00 80,00 90,00
параметра для описания периодиче-
Град
ски изменяющегося фрагмента ФАР:
Рис. 6. Зависимость КСВ от угла сканирования (расчёт в HFSS) 1) periodic, 2) Unit Cell. Точность рас-

54 www.soel.ru современная электроника ◆ № 2 2014

 проектирование и моделирование

чёта ФАР с применением Unit Cell или

periodic, как оказалось, связана с выбо- 26,9 мм 7,15 мм
ром количества мод в канале Флоке.
Запитать антенну Вивальди можно петля

13,7 мм
различными способами. На рисунке 7 6,65 мм

2,625 мм
показано питание с помощью коак- направление
излучения 4,9 мм

2,375 мм
0,5 мм
сиальной линии, которая переходит

5,85 мм

4,85 мм
2,5 мм
в микрополосковую линию, возбуж- 0,75 мм порт
дающую щель. щели подстройки

Рассмотрим расчёт в CST с перио-

дическими граничными условиями
(см. рис. 8). В этом режиме будем изме-
нять длину положения границы излу- Рис. 7. Антенна Вивальди
чения, которая находится на стороне
излучения антенны Вивальди. Скани- Коэффициент отражения
рование в плоскости подложки антен- 1
0,9 Углы сканирования θ
ны Вивальди выполняется изменени- 60 в градусах
0,8 90
ем угла θ.
40
0,7 80
Очевидно, что частотные характери-
стики, приведённые на рисунке 8, несут 0,6 50
70
больше информации, чем диаграммы 0,5
сканирования (см. рис. 6), рассчитан- 0,4
ные на одной частоте. В частности, они 0,3

показывают, что при больших углах 0,2 0

наклона луча в частотных характери- 0,1
стиках появляются паразитные кана- 0
9 9,2 9,4 9,6 9,8 10 10,2 10,4 10,6 10,8 11
лы пропускания, которые порождают- Частота, ГГц
ся взаимодействием между соседними
элементами и изменением величины Рис. 8. Частотные характеристики для углов сканирования бесконечной АР на антеннах Вивальди
и фазы этого взаимодействия. (расчёт в CST)
Как показывает моделирование
с применением периодических гра- Коэффициент отражения
Ед.
ничных условий, размер бокса, кото-
1
рый задаёт границы связи сосед- |S11| элемент ФАР 50 мм
0,9 u
них элементов, а также размер удале- 40 мм
0,8
ния границы поглощения влияют на H
0,7 30 мм
результаты расчёта.
0,6 Z-ud
На рисунке  9 приведены диаграм- Z-ud = 20 мм
мы сканирования при различных раз- 0,5
мерах бокса излучения или, другими 0,4
60 мм
словами, для разных величин Z-ud. На 0,3
этих же графиках (см. рис. 8 и рис. 9)
0,2
можно наблюдать появление паразит-
0,1
ных резонансов вне рабочей полосы 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
частот и их миграцию при изменении Угол сканирования
угла сканирования антенной решёт-
ки. Таким образом, расстояние Z-ud Рис. 9. Диаграмма сканирования для ряда размеров Z-ud
влияет на характеристики сканирова-
ния. Это объясняется и увеличением Многомодовые порты Флоке, реали- тов. Этот метод требует выбора коли-
пространства для заполнения тетра­ зованные в последних версиях про- чества мод в канале Флоке. С по­мощью
эдрами, и неравномерностью поля при грамм [1, 2], обеспечивают поглощение калькулятора Floquet Boundaries нужно
изменении угла сканирования антен- полей с учётом сильного искажения найти количество мод Флоке, которые
ной решётки. поля в соседних каналах. Чтобы выпол- адекватно описывают поле над антен-
Из расчётов, показанных на рисун- нить в CST расчёт характеристик АФАР, ной решёткой во всем диапазоне углов
ке 9, следует, что при малых углах ска- используя канал Флоке, поставим гра- сканирования.
нирования (θ  =  0…10°) величина Z-ud ничное условие Unit Cell, которое Отметим, что граничные условия Unit
не влияет на коэффициент отражения, периодически повторяет смоделиро- Cell применяются при расчёте в частот-
а при больших углах сканирования ванную структуру в двух направлени- ной области. Результаты расчёта диа-
коэффициент отражения имеет значи- ях x и y до бесконечности и рассчи- граммы сканирования бесконечной
тельную погрешность. Это демонстри- тывает характеристики ФАР с учётом антенной решётки, структура элемен-
рует недостатки применения периоди- фазы, устанавливаемой в виде разно- та которой показана на рисунке 7, при-
ческих граничных условий в CST. сти углов сигналов соседних элемен- ведены на рисунке 10. На график нане-

современная электроника ◆ № 2 2014 www.soel.ru 55

 проектирование и моделирование
1
|S11| Коэффициент отражения
0,9
0,8
элемент ФАР
0,7
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0 2. http://www.cst.com.
0 10 20 30
Рис. 10. Диаграммы сканирования бесконечной антенной решётки в двух плоскостях
(расчёт в CST и HFSS)
сены результаты расчёта в HFSS и CST.
Они показывают, что расчёты в про-
граммах HFSS и CST дают одинаковые
результаты, если использовать канал
Флоке с количеством мод 20. Оптими-
зация согласующей структуры меж-
ду входной коаксиальной линией
и щелью антенны Вивальди, выпол-
ненная при угле θ, позволяет получить
более широкий диапазон углов скани-
рования (см. рис. 10), который достига-
Новости мира News of the World Новости мира
Intel откладывает открытие
завода с производством
по 14-нм технологии
Завод Fab42 строился для производства
самых продвинутых версий процессоров
компании Intel по 14-нм технологии, кото-
рое планировалось запустить в конце про-
шлого года. Однако завод останется закры-
тым на неопределённый срок, в то же время
будут модернизированы другие заводы ком-
пании. Вероятно, это обусловлено ситуаци-
ей снижения спроса на некоторую продук-
цию, которая сложилась уже после приня-
тия решения о строительстве завода.
Учитывая непростое состояние рынка тра-
диционных ПК и ноутбуков и стремитель-
ное развитие производства смартфонов,
это решение имеет смысл. Intel не может
продолжать производство процессоров, на
которые нет спроса. Использование этого
завода будет регрессивным шагом.
Fab42 был предназначен для перехода
к следующему поколению размера пластин
56
Частота 9,8 ГГц
Phi_ang = 0
Phi_ang = 9C
HFSS
CST
сканирование
θ ϕ = 90
Z с искривлёнными частями (такой, как
60
ϕ=0
40 50 60 70 80
Град
ет 70°. Разница между расчётами в про-
граммах HFSS и CST не превышает 5%
по коэффициенту отражения.
Выводы
Результаты расчёта антенной решёт-
ки с помощью современного про-
граммного обеспечения показали
полное согласование как в диапазоне
частот, так и в диапазоне углов скани-
рования. Реализованный в последних
от 300 до 450 мм, который пока невозможен,
хотя Intel и другие компании работают в этом
направлении. Компания Intel решила, что не
нуждается в дополнительных производствен-
ных мощностях для микропроцессоров. По
мнению экспертов, 2013 г. стал худшим с точ-
ки зрения продажи ПК с 1980-х годов.
Специалисты и аналитики в ожидании,
какими будут капиталовложения компании
в 2014 г. Обсуждается, удержит ли Intel уро-
вень дохода в $10 млрд или нет. За послед-
ние годы только Samsung инвестировала
в производство пластин больше средств,
чем компания Intel, которая делала круп-
нейшие капиталовложения в промышлен-
ности с 1990-х годов.
www.electronics-eetimes.com
На развитие инжиниринга
будет выделено 8 млрд рублей
Министр промышленности и торговли
России Денис Мантуров, выступая на дис-
куссии «Будущая индустриальная струк-
www.soel.ru
версиях HFSS и CST Microwave Studio
канал Флоке повышает точность рас-
чёта характеристик дальнего поля, если
выбрать количество мод, равное 20.
Анализ поля в отдельных элемен-
тах антенной решётки, а также токов,
которые протекают в сложной антенне
антенна Вивальди), позволяют иссле-
довать паразитные колебания, их сме-
щение при изменении углов сканирова-
ния и другие тонкие эффекты, появля-
ющиеся из-за взаимодействия соседних
элементов.
Литература
1. http://www.ansys.com.
90
3. Пудовкин А.П., Панасюк Ю.Н., Иванков А.А.
Основы теории антенн. Тамбов: Издатель-
ство ГОУ ВПО ТГТУ, 2011.
4. Пластиков А.Н. Проектирование планар-
ной антенной решётки диапазона L1 для
систем GPS/ГЛОНАСС. Журнал радиоэлек-
троники. №8. 2012.
5. Сазонов Д.М. Антенны и устройства СВЧ.
М.: Высшая школа, 1988.
6. Антенны и устройства СВЧ. Проектиро-
вание фазированных антенных решёток:
Учеб. пособие для вузов/ред. Д.И. Воскре-
сенского. Радио и связь, 1994.
7. Гринёв А.Ю. Численные методы решения
прикладных задач электродинамики.
Радиотехника, 2012.
тура», прошедшей в РАНХиГС в рамках
V Гайдаровского форума, подчеркнул:
«Чтобы получать квалифицированные
рабочие кадры, новые современные про-
изводства, нам обязательно нужно разви-
вать инженерные специальности и инжи-
ниринг в целом». Пока в России всего
2% промышленных предприятий актив-
но используют инжиниринговые техноло-
гии. Минпромторг совместно с Минобрна-
уки, Минэкономразвития, Росстандартом,
ВЭБ и ОАО «РОСНАНО» активно участву-
ет в разработке промышленной и компью-
терной подпрограмм инжиниринга. Государ-
ство намерено инвестировать в эту сферу
8 млрд руб. в течение последующих 5 лет.
Осенью 2012 г. Минобрнауки и Минпром-
торг провели конкурс по созданию инжини-
ринговых центров на базе технологических
вузов, по итогам которого из 96 проектов
отобрано 11. На их реализацию выделено
около 500 млн руб.
http://strf.ru
современная электроника ◆ № 2 2014