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LABORATORIO DE MICRO/NANO ELECTRONICA FIEE - UNMSM

FACULTAD : INGENIERIA ELECTRÓNICA Y ELÉCTRICA


CURSO : MICRO/ NANO ELECTRÓNICA
TEMA :
CARACTERIZACIÓN DE CIRCUITOS
BASADOS EN BJT Y MOSFET EN LTSPICE
PROFESOR : MSC. LUZ ADANAQUE
ALUMNO : JARA CANTO ANTHONY JOSEU
CODIGO : 13190011

2019 - II

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LABORATORIO DE MICRO/NANO ELECTRONICA FIEE - UNMSM

LABORATORIO DIRIGIDO NRO 01

I. OBJETIVO

El objetivo principal de esta experiencia de laboratorio es interactuar con el


software simulador de circuitos LTspice a través del diseño, la caracterización
de compuertas lógicas y la verificación de su comportamiento cuando se
somete a cambios.

II. HERRAMIENTAS

 Estación de trabajo.
 Software de simulación
LTSpice.
 Librería
cmosedu_models.txt

III. PROCEDIMIENTO
PARTE 1.

Crear una carpeta llamada MyLTspice.


1. Diseñar un inversor en LTSPICE (MyInversor_Apellido)
2. Diseñar un NAND en LTSPICE

INVERSOR
Model: nmos4 - pmos4
Fuente DC: Voltage
Fuente de entrada: Vin
.dc Vin 0 1
.include cmosedu_models.txt

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NAND(MyNAND_Apellido
)
Model: nmos4 - pmos4
Fuente DC:Voltage
Fuentes de entrada: VA y VB (pulse 1 0 0.5 0.01 0.01 1 2)
.tran 6
.include cmosedu_models.txt

PARTE 2.

ESTUDIO DE LA LIBRERÍA

¿Qué incluye la librería?

a) .MODEL configuración de un NMOS a 1u


b) .MODEL configuración de un PMOS a 1u
c) .model configuración de un NMOS a 50n
d) .model configuración de un PMOS a 50n

Completar la siguiente tabla:

Modelo A) B) C) D)
Channel N P N P
Level 3 3 54 54
VDD 5V 5V 5V 5V
Cjs 400E-6+300E- 400E-6+300E- 0.0005 0.0005
12 12

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PARTE 3.

Colocar los modelos a) y b) en el inversor y en el NAND


3.1 Agregar en la pestaña .op la siguiente línea : .include cmosedu_models.txt
3.2 Guardar el cmosedu_models.txt en la carpeta MyLTspice_Apellido.
3.3 Guardar el MOS con el mismo nombre del modelo.
3.4 Configurar el VDD correspondiente (5V o 1V)
3.5 Simular

3.6 Seleccionar Vout y Id(M2) como señales a visualizar. Guardar la gráfica como Apellido_lc

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3.7 Graficar y completar la siguiente tabla

Señal Vout Id(M2)


Vinversión 0.05v 0.5uA
Vmáx 1v 5 uA
Vcruce 0.8v 4 uA

Comente sus resultados.


El voltaje de salida varia entre 17mV a 0.99954 V

El voltaje máximo es 1V a 5uA

3.8 Cambiar el valor de VDD a 2V y repetir los pasos 3.6 y


3.7 En el NAND cambiar los valores de VA y VB también.

Vout vs Id (M1)

Vout vs Vin

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Vin vs Id (M1)

Para el inversor:

En el NAND cambiar los valores de VA y VB también


Comente sus resultados

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3.9 Cambiar el valor de VDD a 0.75V y repetir los pasos 3.6 y 3.7
Para el inversor

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En el NAND cambiar los valores de VA y VB también.

Comente sus resultados.


Parte 4: Colocar los modelos c) y d) en el inversor y en el NAND
(waveforms como Noriega_sc)
Parte 5: Modificar los valores de W y L
Colocar tres circuitos
El primero W/L = 30/1 (pmos) W/L = 10/1 (nmos) Bn/Bp = 1
Para el inversor:

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Para el NAND

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El segundo W/L = 10/1 (pmos) W/L = 10/1 (nmos) Bn/Bp = 3


El tercero W/L = 90/1 (pmos) W/L = 10/1 (nmos) Bn/Bp = 0.3333

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