Вы находитесь на странице: 1из 10

Федеральное агентство связи

СибГУТИ

Кафедра ТЭ

Лабораторная работа №5
«Исследование логических интегральных микросхем
на биполярных транзисторах»

Выполнил: студент гр.ММП-81


Биденко Я.С.
Проверил: Стрельцов А.И.

Новосибирск 2020
1 Цель работы
Ознакомиться с принципом работы логических интегральных схем,
выполненных на биполярных транзисторах (БТ), исследовать их
характеристики и определить параметры.

вар Тип Тип БТ Задание 1 Задание 2 Задание 3


диодов
У = X 1 X 2 У=Х1∙Х2+Х0∙Х3
У = X1 X 3
4KD503B KT3102E
4

Рисунок 1 – Схема для снятия характеристик: входной и прямой


передачи.
4.2 Снимем характеристики: входную IВХ = f (UВХ) и прямой передачи
UВЫХ=f(UВХ) согласно схемы, приведенной на рисунке 1.
Таблица 1- Характеристики ДТЛ
UВХ, В 0 0,25 0,5 0,75 1 1,25 1,5 1.6 1,75 2

IВХ, мА -0,4425 -0,4133 -0,3716 -0,3225 -0,2704 - - 0 0,00 0,0002


0,1585 0,0015 0222 22
54
UВЫХ, 5 5 5 5 4,989 0,101 0,0701 0,07 0,07 0,0700
В 4 001 000 0
UВХ, В 2,25 2,5 2,75 3 3,25 3,5 3,75 4 4,25

IВХ, мА 0,000444 0,000444 0,000444 0,000444 0,0004 0,0004 0,0004 0,00 0,00
44 44 44 0444 0888
UВЫХ, 0,07000 0,07000 0,07000 0,07000 0,0700 0,0700 0,0700 0,07 0,07
В 0 0 0 000 000

UВХ, В 4,5 4,75 5


IВХ, мА 0,000888 0,000888 0,000888
UВЫХ, В 0,07000 0,07000 0,07000
Рисунок 2 – Входная характеристика ДТЛ

Рисунок 3 – Передаточная характеристика ДТЛ


4.3 Снимем выходные характеристики Iвых = f (Uвых). Для этого соберем
схему в соответствии с рисунком 4.
Исследования проведем для двух случаев:
а) на входе установим логический ноль (Uвх=0 В),
б) на входе установим логическую единицу (Uвх=5 В).

Рисунок 4 – Схема для снятия выходных характеристик

Таблица 2 – Выходные характеристики ДТЛ.


UВЫХ, В 0 0,1 0,25 0,5 0,75 1 3 5
UВХ=0 В IВЫХ, мА -5 -4,9 -4,75 -4,5 -4,25 -4 -2 0
UВХ=5 В IВЫХ, мА 5,22 5,84 55,93 92,3 92,99 93,5 97,8 102,
2 9 6 4 7 2

Рисунок 5 - Выходная характеристика ДТЛ


4.5 Определим потребляемую мощность от источника питания. Измерение
потребляемого тока проводится в соответствии с рисунком 6.

Рисунок 6 – Схема для измерения тока потребления


Подавая на входы уровень логического «0» (Uвх=0) измерим ток
1
потребления 𝐼потр , затем подавая уровень логической «1», т.е. Uвх=5 В,
0
измерим ток потребления нуля 𝐼потр .
Вычислим: мощности потребления Р0ПОТР=UП I0 ПОТР и Р1ПОТР=UП I1ПОТР,
среднюю потребляемую мощность РПОТР СР =(Р0ПОТР+ Р1ПОТР)/2.
Результаты поместить в таблицу 3.
Таблица 3 – Мощность потребления ДТЛ
I0ПОТР I1ПОТР Р 0ПОТР P1ПОТР PПОТР СР
5,246 мА 0,4432 мА 26,23 мВт 2,216 мВт 14,223 мВт

Р0ПОТР=UП I0 ПОТР=5*5,246=26,23 мВт


Р1ПОТР=UП I1ПОТР=5*0,4432=2,216 мВт
РПОТР СР =(Р0ПОТР+ Р1ПОТР)/2=(26,23+2,216)/2=14,223 мВт
4.6 Определим среднее время задержки распространения сигнала логического
10 01
элемента без нагрузки и с нагрузкой. Для этого измерили t ЗД Р и t ЗД Р . В
качестве нагрузки использовали ёмкость СН (рисунок 7).
Измерения производили с помощью осциллографа.

Рисунок 7 – Схема для определения времени задержки распространения


сигнала
В качестве источника входных импульсов использовали генератор
импульсов G1. Установили частоту генератора (Frequency) 1 МГц, скважность
импульсов (Duty cycle) 30%, амплитуду сигнала (Amplitude) 5 В.
Таблица 3 – Временные параметры ДТЛ
CН, пФ 0 10 20 30 50 70 90 110 130 150 Д18
t ЗД Р, нс
10
44,9 51,2 52,9 53,6 56,1 64,3 66,3 76,6 84,2 89,3 55,4
5 2 9 3 7 9 5 1 4 9 2
t ЗД Р, нс
01
134, 143, 146, 150, 158, 166, 173, 178, 181, 190, 157,
14 67 15 29 98 23 62 42 26 84 54
tЗД Р СР, нс 89,5 97,4 99,5 101, 107, 115, 119, 127, 132, 140, 106,
45 45 7 96 575 31 985 515 75 115 53
Рисунок 8 – Зависимость t10 зд р от нагрузки

Рисунок 9 – Зависимость t01 зд р от нагрузки


Рисунок 10 – Зависимость tзд р ср от нагрузки
Вывод: При добавлении в схему германиевого диода VD5 типа Д18, среднее
время задержки уменьшается. Соответственно, повышается быстродействие.
Так как при прямом смещении коллекторного перехода и, соответственно, при
прямом смещении диода основная часть прямого тока коллектора будет
проходить через диод. Этот ток связан с движением электронов из n-области
коллектора в металлический электрод и не сопровождается инжекцией дырок в
n- область коллектора.

4.8 Исследуем принцип работы логической схемы И-НЕ в соответствии с


рисунком 11.

Рисунок 11 – Схема исследования принципа работы


логического элемента И-НЕ
На входы одного из логических элементов ИМС подаем сигналы от
генератора слова в соответствии с вариантом заданий 1 (рисунок 12) и 2
(рисунок 13)

Рисунок 12 – 1 задание

Рисунок 13 – 2 задание
4.9 Используя правила преобразования логических функций, составить
структурную схему устройства, реализующего уравнение в соответствии с
заданием 3. Собрать устройство и исследовать его. Зарисовать входные
сигналы и сигналы на выходах каждого из используемых элементов.

Рисунок 14 – 3 задание
Вывод: В лабораторной работе мы ознакомились с принципом работы
логических интегральных схем, выполненных на биполярных транзисторах
0 1
(БТ). По характеристикам определили 𝐼вх , 𝐼вх, 𝑈 0 и 𝑈1 . Выяснили, что с
увеличением нагрузки среднее время задержки увеличивается. Значит, для
повышения быстродействия, емкость нагрузки должна быть, как можно
меньше. Также для повышения быстродействия можно использовать в схеме
диод.