La Memoria RAM

La memoria RAM Sistemas Integrados Actualizados SIA
Memoria de acceso aleatorio
DIMM normal y corriente de memoria RAM tipo DDR3 de

240 contactos.
La memoria de acceso aleatorio (en inglés: random-

access memory, cuyo acrónimo es RAM) es la memoria
desde donde el procesador recibe las instrucciones y
guarda los resultados.
Nomenclatura
La frase memoria RAM se utiliza frecuentemente para

referirse a los módulos de memoria que se usan en los computadores personales y servidores. En el sentido estricto, los
módulos de memoria contienen un tipo, entre varios de memoria de acceso aleatorio, ya que las ROM, memorias Flash, caché
(SRAM), los registros en procesadores y otras unidades de procesamiento también poseen la cualidad de presentar retardos
de acceso iguales para cualquier posición. Los módulos de RAM son la presentación comercial de este tipo de memoria, que
se compone de circuitos integrados soldados sobre un circuito impreso, en otros dispositivos como las consolas de
videojuegos, esa misma memoria va soldada sobre la placa principal.
Su capacidad se mide en bytes, y dada su naturaleza siempre binaria, sus múltiplos serán representados en múltiplos binarios
tales como Kilobyte, Megabyte, Gigabyte... y así sucesivamente.
Historia
Integrado de silicio de 64 bits sobre un sector de memoria de núcleo
(finales de los 60).
La historia está marcada por la necesidad del volumen de datos. Originalmente,

los datos eran programados por el usuario con movimientos de interruptores. Se
puede decir que el movimiento de datos era bit a bit. Las necesidades apuntaron a
una automatización y se crearon lo que se denomina byte de palabra. Desde una
consola remota, se trasladaban los interruptores asignándoles valores de letra,
que correspondían a una orden de programación al microprocesador. Así, si se
deseaba programar una orden NOT con dos direcciones distintas de memoria, solo
se tenía que activar el grupo de interruptores asociados a la letra N, a la letra O y
a la letra T. Seguidamente, se programaban las direcciones de memoria sobre las
cuales recibirían dicho operador lógico, para después procesar el resultado. Los
interruptores evolucionaron asignándoles una tabla de direccionamiento de 16x16
bytes, en donde se daban 256 valores de byte posibles (la actual tabla ASCII). En dicha tabla, se traducen lo que antes
costaba activar 8 interruptores por letra, a na pulsación por letra (de cara al recurso humano, un ahorro en tiempos. Una sola
pulsación, predisponía 1 byte en RAM... o en otras palabras, cambiaba la posición de 8 interruptores con una sola pulsación).
Se usó el formato de máquina de escribir, para representar todo el alfabeto latino, necesario para componer palabras en
inglés; así como los símbolos aritméticos y lógicos que permitían la escritura de un programa directamente en memoria RAM
a través de una consola o teclado.
En origen, los programadores no veían en tiempo real lo que tecleaban, teniendo que imprimir de cuando en cuando el
programa residente en memoria RAM y haciendo uso del papel a la hora de ir modificando o creando un nuevo programa.
Dado que el papel era lo más accesible, los programas comenzaron a imprimirse en un soporte de celulosa más resistente,
creando lo que se denominó Tarjeta perforada. Así pues, los programas constaban de una o varias tarjetas perforadas, que se
almacenaban en archivadores de papel con las típicas anillas de sujeción. Dichas perforaciones, eran leídas por un dispositivo
de entrada, que no era muy diferente al teclado y que constaba de pulsadores que eran activados o desactivados,
dependiendo de si la tarjeta en la posición de byte, contenía una perforación o no. Cada vez que se encendía la máquina,
requería de la carga del programa que iba a ejecutar.
Dado que los datos en memoria son de 0 o 1, que esas posiciones físicamente representan el estado de un conmutador, que
la estimulación del conmutador evolucionó a pulsos electromagnéticos, el almacenamiento de los programas era cuestión de
tiempo que su almacenamiento pasara del papel a un soporte lógico, tal como las cintas de almacenamiento. Las cintas eran
secuenciales, y la composición de la cinta era de un material magnetoestático; bastaba una corriente Gauss para cambiar las
polaridades del material. Dado que el material magnético puede tener polaridad norte o sur, era ideal para representar el 0 o
el 1. Así, ahora, cargar un programa no era cuestión de estar atendiendo un lector de tarjetas en el cual se debían de ir
metiendo de forma interminable tarjetas perforadas que apenas podían almacenar apenas unos bytes. Ahora, los dispositivos
electromagnéticos secuenciales requerían la introducción de la cinta y la pulsación de una tecla para que se cargara todo el
programa de inicio a fin, de forma secuencial. Los accesos aleatorios no aparecieron hasta la aparición del disco duro y el
Arquitectura del PC Ing. Jesús René Canchala

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Floppy. Con estos medios, un cabezal lector se deslizaba por la superficie en movimiento, si dicho movimiento tenía como
consecuencia la lectura de un valor N-N (norte-norte) no generaba corriente, tampoco si era S-S (Sur-Sur), por el contrario,
si era N-S o S-N sí creaba una corriente, que era captada por el circuito que mandaba el dato a la memoria RAM.
Toda esta automatización requiso del diseño de un sistema operativo, o de un área de gestión del recurso para su
automatización. Estos sistemas requerían de un área de memoria reservada, en origen de 64 Kb (Capacidades de
representación de texto en monitor monocromo), para irse ampliando a 128 Kb (Monocromo con capacidades gráficas), 256
(Texto y gráficos a dos colores), 512 (Texto y gráficos a 4 colores) y los tradicionales 640 Kb (Texto y gráficos a 16 colores).
Esa memoria se denominó memoria base.
Es en esta parte del tiempo, en donde se puede hablar de un área de trabajo para la mayor parte del software de un
computador. La RAM continua siendo volátil por lo que posee la capacidad de perder la información una vez que se agote su
fuente de energía.1 Existe una memoria intermedia entre el procesador y la RAM, llamada caché, pero ésta sólo es una copia
(de acceso rápido) de la memoria principal (típicamente discos duros) almacenada en los módulos de RAM. 1
4MiB de memoria RAM para un computador VAX de finales de los 70. Los
integrados de memoria DRAM están agrupados arriba a derecha e izquierda.
Módulos de memoria tipo SIPP instalados directamente sobre la placa

base.
La denominación “de Acceso aleatorio” surgió para diferenciarlas de

las memoria de acceso secuencial, debido a que en los comienzos de
la computación, las memorias principales (o primarias) de las
computadoras eran siempre de tipo RAM y las memorias secundarias
(o masivas) eran de acceso secuencial (unidades de cinta o tarjetas
perforadas). Es frecuente pues que se hable de memoria RAM para
hacer referencia a la memoria principal de una computadora, pero
actualmente la denominación no es precisa.
Uno de los primeros tipos de memoria RAM fue la memoria de núcleo magnético, desarrollada entre 1949 y 1952 y usada en
muchos computadores hasta el desarrollo de circuitos integrados a finales de los años 60 y principios de los 70. Antes que
eso, las computadoras usaban relés y líneas de retardo de varios tipos construidas con tubos de vacío para implementar las
funciones de memoria principal con o sin acceso aleatorio.
En 1969 fueron lanzadas una de las primeras memorias RAM basadas en semiconductores de silicio por parte de Intel con el
integrado 3101 de 64 bits de memoria y para el siguiente año se presentó una memoria DRAM de 1 Kibibyte, referencia 1103
que se constituyó en un hito, ya que fue la primera en ser comercializada con éxito, lo que significó el principio del fin para
las memorias de núcleo magnético. En comparación con los integrados de memoria DRAM actuales, la 1103 es primitiva en
varios aspectos, pero tenía un desempeño mayor que la memoria de núcleos.
En 1973 se presentó una innovación que permitió otra miniaturización y se convirtió en estándar para las memorias DRAM: la
multiplexación en tiempo de la direcciones de memoria. MOSTEK lanzó la referencia MK4096 de 4 Kb en un empaque de 16
pines,2 mientras sus competidores las fabricaban en el empaque DIP de 22 pines. El esquema de direccionamiento3 se
convirtió en un estándar de facto debido a la gran popularidad que logró esta referencia de DRAM. Para finales de los 70 los
integrados eran usados en la mayoría de computadores nuevos, se soldaban directamente a las placas base o se instalaban
en zócalos, de manera que ocupaban un área extensa de circuito impreso. Con el tiempo se hizo obvio que la instalación de
RAM sobre el impreso principal, impedía la miniaturización, entonces se idearon los primeros módulos de memoria como el
SIPP, aprovechando las ventajas de la construcción modular. El formato SIMM fue una mejora al anterior, eliminando los
pines metálicos y dejando unas áreas de cobre en uno de los bordes del impreso, muy similares a los de las tarjetas de
expansión, de hecho los módulos SIPP y los primeros SIMM tienen la misma distribución de pines.

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A finales de los 80 el aumento en la velocidad de los procesadores y el aumento en el ancho de banda requerido, dejaron
rezagadas a las memorias DRAM con el esquema original MOSTEK, de manera que se realizaron una serie de mejoras en el
direccionamiento como las siguientes:
Módulos formato SIMM de 30 y 72 pines, los últimos fueron utilizados con

integrados tipo EDO-RAM.
 FPM-RAM (Fast Page Mode RAM)
Inspirado en técnicas como el "Burst Mode" usado en procesadores como el Intel 486,4 se
implantó un modo direccionamiento en el que el controlador de memoria envía una sola
dirección y recibe a cambio esa y varias consecutivas sin necesidad de generar todas las
direcciones. Esto supone un ahorro de tiempos ya que ciertas operaciones son repetitivas
cuando se desea acceder a muchas posiciones consecutivas. Funciona como si
deseáramos visitar todas las casas en una calle: después de la primera vez no seria
necesario decir el número de la calle únicamente seguir la misma. Se fabricaban con
tiempos de acceso de 70 ó 60 ns y fueron muy populares en sistemas basados en el 486 y
los primeros Pentium.
 EDO-RAM (Extended Data Output RAM)
Lanzada en 1995 y con tiempos de accesos de 40 o 30 ns suponía una mejora sobre su antecesora la FPM. La EDO, también
es capaz de enviar direcciones contiguas pero direcciona la columna que va utilizar mientras que se lee la información de la
columna anterior, dando como resultado una eliminación de estados de espera, manteniendo activo el búffer de salida hasta
que comienza el próximo ciclo de lectura.
 BEDO-RAM (Burst Extended Data Output RAM)
Fue la evolución de la EDO RAM y competidora de la SDRAM, fue presentada en 1997. Era un tipo de memoria que usaba
generadores internos de direcciones y accedía a mas de una posición de memoria en cada ciclo de reloj, de manera que
lograba un desempeño un 50% mejor que la EDO. Nunca salió al mercado, dado que Intel y otros fabricantes se decidieron
por esquemas de memoria sincrónicos que si bien tenían mucho del direccionamiento MOSTEK, agregan funcionalidades
distintas como señales de reloj.
Arquitectura base
En origen, la memoria RAM se componía de hilos de cobre que atravesaban toroides de ferrita, la corriente polariza la ferrita.
Mientras esta queda polarizada, el sistema puede invocar al procesador accesos a partes del proceso que antes (en un estado
de reposo) no es posible acceder. En sus orígenes, la invocación a la RAM, producía la activación de contactores, ejecutando
instrucciones del tipo AND, OR y NOT. La programación de estos elementos, consistía en la predisposición de los contactores
para que, en una línea de tiempo, adquiriesen las posiciones adecuadas para crear un flujo con un resultado concreto. La
ejecución de un programa, provocaba un ruido estruendoso en la sala en la cual se ejecutaba dicho programa, por ello el área
central de proceso estaba separada del área de control por mamparas insonorizadas.
Con las nuevas tecnologías, las posiciones de la ferrita se ha ido sustituyendo por, válvulas de vacío, transistores y en las
últimas generaciones, por un material sólido dieléctrico. Dicho estado estado sólido dieléctrico tipo DRAM permite que se
pueda tanto leer como escribir información.
Uso por el sistema
Se utiliza como memoria de trabajo para el sistema operativo, los programas y la mayoría del software. Es allí donde se
cargan todas las instrucciones que ejecutan el procesador y otras unidades de cómputo. Se denominan "de acceso aleatorio"
porque se puede leer o escribir en una posición de memoria con un tiempo de espera igual para cualquier posición, no siendo
necesario seguir un orden para acceder a la información de la manera más rápida posible.

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Módulos de la memoria RAM

Formato SO-DIMM.
Los módulos de memoria RAM son tarjetas de circuito impreso que tienen soldados
integrados de memoria DRAM por una o ambas caras. La implementación DRAM se
basa en una topología de Circuito eléctrico que permite alcanzar densidades altas de
memoria por cantidad de transistores, logrando integrados de decenas o cientos de
Megabits. Además de DRAM, los módulos poseen un integrado que permiten la
identificación de los mismos ante el computador por medio del protocolo de
comunicación SPD.
La conexión con los demás componentes se realiza por medio de un área de pines en
uno de los filos del circuito impreso, que permiten que el modulo al ser instalado en
un zócalo apropiado de la placa base, tenga buen contacto eléctrico con los
controladores de memoria y las fuentes de alimentación. Los primeros módulos
comerciales de memoria eran SIPP de formato propietario, es decir no había un estándar entre distintas marcas. Otros
módulos propietarios bastante conocidos fueron los RIMM, ideados por la empresa RAMBUS.
La necesidad de hacer intercambiable los módulos y de utilizar integrados de distintos fabricantes condujo al establecimiento
de estándares de la industria como los JEDEC.
 Módulos SIMM: Formato usado en computadores antiguos. Tenían un bus de datos de 16 o 32 bits
 Módulos DIMM: Usado en computadores de escritorio. Se caracterizan por tener un bus de datos de 64 bits.
 Módulos SO-DIMM: Usado en computadores portátiles. Formato miniaturizado de DIMM.
Relación con el resto del sistema
Diagrama de la arquitectura de un ordenador.
Dentro de la jerarquía de memoria la RAM se encuentra en un nivel después de los

registros del procesador y de las cachés. Es una memoria relativamente rápida y de una
capacidad media: sobre el año 2010), era fácil encontrar memorias con velocidades de
más de 1 Ghz, y capacidades de hasta 8 GB por módulo, llegando a verse memorias
pasando la barrera de los 3 Ghz por esa misma fecha mediante prácticas de overclock
extremo. La memoria RAM contenida en los módulos, se conecta a un controlador de
memoria que se encarga de gestionar las señales entrantes y salientes de los integrados
DRAM. Algunas señales son las mismas que se utilizan para utilizar cualquier memoria:
Direcciones de las posiciones, datos almacenados y señales de control.
El controlador de memoria debe ser diseñado basándose en una tecnología de memoria,

por lo general soporta solo una, pero existen excepciones de sistemas cuyos controladores
soportan dos tecnologías (por ejemplo SDR y DDR o DDR1 y DDR2), esto sucede en las
épocas transitorias de una nueva tecnología de RAM. Los controladores de memoria en
sistemas como PC y servidores se encuentran embebidos en el llamado "North Bridge" o
"Puente Norte" de la placa base; o en su defecto, dentro del mismo procesador (en el caso
de los procesadores desde AMD Athlon 64 e Intel Core i7) y posteriores; y son los
encargados de manejar la mayoría de información que entra y sale del procesador.
Las señales básicas en el módulo están divididas en dos buses y un conjunto misceláneo de líneas de control y alimentación.
Entre todas forman el bus de memoria:
 Bus de datos: Son las líneas que llevan información entre los integrados y el controlador. Por lo general están
agrupados en octetos siendo de 8,16,32 y 64 bits, cantidad que debe igualar el ancho del bus de datos del
procesador. En el pasado, algunos formatos de modulo, no tenían un ancho de bus igual al del procesador.En ese
caso había que montar módulos en pares o en situaciones extremas, de a 4 módulos, para completar lo que se
denominaba banco de memoria, de otro modo el sistema no funciona. Esa es la principal razón de haber aumentar
el número de pines en los módulos, igualando el ancho de bus de procesadores como el Pentium de 64 bits a
principios de los 90.

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 Bus de direcciones: Es un bus en el cual se colocan las direcciones de memoria a las que se requiere acceder. No
es igual al bus de direcciones del resto del sistema, ya que está multiplexado de manera que la dirección se envía en
dos etapas.Para ello el controlador realiza temporizaciones y usa las líneas de control. En cada estándar de módulo
se establece un tamaño máximo en bits de este bus, estableciendo un límite teórico de la capacidad máxima por
módulo.
 Señales misceláneas: Entre las que están las de la alimentación (Vdd, Vss) que se encargan de entregar potencia
a los integrados. Están las líneas de comunicación para el integrado de presencia que da información clave acerca
del módulo. También están las líneas de control entre las que se encuentran las llamadas RAS (row address strobe)
y CAS (column address strobe) que controlan el bus de direcciones y las señales de reloj en las memorias
sincrónicas SDRAM.
Entre las características sobresalientes del controlador de memoria, está la capacidad de manejar la tecnología de canal doble
(Dual Channel), tres canales, o incluso cuatro para los procesadores venideros; donde el controlador maneja bancos de
memoria de 128 bits. Aunque el ancho del bus de datos del procesador sigue siendo de 64 bits, el controlador de memoria
puede entregar los datos de manera intercalada, optando por uno u otro canal, reduciendo las latencias vistas por el
procesador. La mejora en el desempeño es variable y depende de la configuración y uso del equipo. Esta característica ha
promovido la modificación de los controladores de memoria, resultando en la aparición de nuevos chipsets (la serie 865 y 875
de Intel) o de nuevos zócalos de procesador en los AMD (el 939 con canal doble , reemplazo el 754 de canal sencillo). Los
equipos de gama media y alta por lo general se fabrican basados en chipsets o zócalos que soportan doble canal o superior.
Módulos de memoria instalados de 256 MiB cada uno en un sistema con

doble canal.
Tecnologías de memoria
La tecnología de memoria actual usa una señal de sincronización para

realizar las funciones de lectura-escritura de manera que siempre esta
sincronizada con un reloj del bus de memoria, a diferencia de las antiguas
memorias FPM y EDO que eran asíncronas. Hace más de una década toda la
industria se decantó por las tecnologías síncronas, ya que permiten
construir integrados que funcionen a una frecuencia superior a 66 MHz (A
día de hoy, se han superado con creces los 1600 Mhz).
Memorias RAM con tecnologías usadas en la actualidad.
SDR SDRAM
Memoria síncrona, con tiempos de acceso de entre 25 y 10 ns y que se

presentan en módulos DIMM de 168 contactos. Fue utilizada en los Pentium
II y en los Pentium III , así como en los AMD K6, AMD Athlon K7 y Duron.
Está muy extendida la creencia de que se llama SDRAM a secas, y que la
denominación SDR SDRAM es para diferenciarla de la memoria DDR, pero
no es así, simplemente se extendió muy rápido la denominación incorrecta.
El nombre correcto es SDR SDRAM ya que ambas (tanto la SDR como la
DDR) son memorias síncronas dinámicas. Los tipos disponibles son:
 PC100: SDR SDRAM, funciona a un máx de 100 MHz.

 PC133: SDR SDRAM, funciona a un máx de 133 MHz.
DDR SDRAM
Memoria síncrona, envía los datos dos veces por cada ciclo de reloj. De este modo trabaja al doble de velocidad del bus del
sistema, sin necesidad de aumentar la frecuencia de reloj. Se presenta en módulos DIMM de 184 contactos en el caso de
ordenador de escritorio y en módulos de 144 contactos para los ordenadores portátiles. Los tipos disponibles son:
 PC2100 o DDR 266: funciona a un máx de 133 MHz.


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DDR2 SDRAM
SDRAM DDR2.
Las memorias DDR 2 son una mejora de las memorias DDR (Double Data Rate), que
permiten que los búferes de entrada/salida trabajen al doble de la frecuencia del
núcleo, permitiendo que durante cada ciclo de reloj se realicen cuatro transferencias.
Se presentan en módulos DIMM de 240 contactos. Los tipos disponibles son:

PC2-4200 o DDR2-533: funciona a un máx de 533 MHz.



 PC2-9000 o DDR2-1200: funciona a un máx de 1200 MHz
DDR3 SDRAM
Las memorias DDR 3 son una mejora de las memorias DDR 2, proporcionan significantes mejoras en el rendimiento en
niveles de bajo voltaje, lo que lleva consigo una disminución del gasto global de consumo. Los módulos DIMM DDR 3 tienen
240 pines, el mismo número que DDR 2; sin embargo, los DIMMs son físicamente incompatibles, debido a una ubicación
diferente de la muesca. Los tipos disponibles son:
 PC3-8600 o DDR3-1066: funciona a un máx de 1066 MHz.

RDRAM (Rambus DRAM)
Memoria de gama alta basada en un protocolo propietario creado por la empresa Rambus, lo cual obliga a sus compradores a
pagar regalías en concepto de uso. Esto ha hecho que el mercado se decante por la tecnología DDR, libre de patentes,
excepto algunos servidores de grandes prestaciones (Cray) y la consola PlayStation 3. La RDRAM se presenta en módulos
RIMM de 184 contactos.
Detección y corrección de errores
Existen dos clases de errores en los sistemas de memoria, las fallas (Hard fails) que son daños en el hardware y los errores
(soft errors) provocados por causas fortuitas. Los primeros son relativamente fáciles de detectar (en algunas condiciones el
diagnóstico es equivocado), los segundos al ser resultado de eventos aleatorios, son más difíciles de hallar. En la actualidad la
confiabilidad de las memorias RAM frente a los errores, es suficientemente alta como para no realizar verificación sobre los
datos almacenados, por lo menos para aplicaciones de oficina y caseras. En los usos más críticos, se aplican técnicas de
corrección y detección de errores basadas en diferentes estrategias:
 La técnica del bit de paridad consiste en guardar un bit adicional por cada byte de datos, y en la lectura se
comprueba si el número de unos es par (paridad par) o impar (paridad impar), detectándose así el error.
 Una técnica mejor es la que usa ECC, que permite detectar errores de 1 a 4 bits y corregir errores que afecten a un
sólo bit. Esta técnica se usa sólo en sistemas que requieren alta fiabilidad.
Por lo general los sistemas con cualquier tipo de protección contra errores tiene un costo más alto, y sufren de pequeñas
penalizaciones en desempeño, con respecto a los sistemas sin protección. Para tener un sistema con ECC o paridad, el chipset
y las memorias deben tener soporte para esas tecnologías. La mayoría de placas base no poseen dicho soporte.
Para los fallos de memoria se pueden utilizar herramientas de software especializadas que realizan pruebas integrales sobre
los módulos de memoria RAM. Entre estos programas uno de los más conocidos es la aplicación Memtest86+ que detecta
fallos de memoria.
Memoria RAM registrada
Es un tipo de módulo usado frecuentemente en servidores y equipos especiales. Poseen circuitos integrados que se encargan
de repetir las señales de control y direcciones. Las señales de reloj son reconstruidas con ayuda del PLL que está ubicado en
el módulo mismo. Las señales de datos pasan directamente del bus de memoria a los CI de memoria DRAM.

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Estas características permiten conectar múltiples módulos de memoria (más de 4) de alta capacidad sin que haya
perturbaciones en las señales del controlador de memoria, haciendo posible sistemas con gran cantidad de memoria principal
(8 a 16 GiB). Con memorias no registradas, no es posible, debido a los problemas surgen de sobrecarga eléctrica a las
señales enviadas por el controlador, fenómeno que no sucede con las registradas por estar de algún modo aisladas.
Entre las desventajas de estos módulos están el hecho de que se agrega un ciclo de retardo para cada solicitud de acceso a
una posición no consecutiva y por supuesto el precio, que suele ser mucho más alto que el de las memorias de PC. Este tipo
de módulos es incompatible con los controladores de memoria que no soportan el modo registrado, a pesar de que se pueden
instalar físicamente en el zócalo. Se pueden reconocer visualmente porque tienen un integrado mediano, cerca del centro
geométrico del circuito impreso, además de que estos módulos suelen ser algo más altos.5
Tecnologías de Memoria RAM
Memoria SDRAM.
Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM) es una

memoria dinámica de acceso aleatorio DRAM que tiene una interfaz
síncrona. Tradicionalmente, la memoria dinámica de acceso aleatorio
DRAM tiene una interfaz asíncrona, lo que significa que el cambio de
estado de la memoria tarda un cierto tiempo, dado por las características
de la memoria, desde que cambian sus entradas. En cambio, en las
SDRAM el cambio de estado tiene lugar en el momento señalado por una
señal de reloj y, por lo tanto, está sincronizada con el bus de sistema del
ordenador. El reloj también permite controlar una máquina de estados
finitos interna que controla la función de "pipeline" de las instrucciones
de entrada. Esto permite que el chip tenga un patrón de operación más
complejo que la DRAM asíncrona, que no tiene una interfaz de
sincronización.
El método de segmentación significa que el chip puede aceptar una nueva instrucción antes de que haya terminado de
procesar la anterior. En una escritura de datos, el comando "escribir" puede ser seguido inmediatamente por otra instrucción,
sin esperar a que los datos se escriban en la matriz de memoria. En una lectura, los datos solicitados aparecen después de un
número fijo de pulsos de reloj tras la instrucción de lectura, durante los cuales se pueden enviar otras instrucciones
adicionales. (Este retraso se llama latencia y es un parámetro importante a considerar cuando se compra una memoria
SDRAM para un ordenador.)
Las SDRAM son ampliamente utilizadas en los ordenadores, desde la original SDRAM y las posteriores DDR (o DDR1), DDR2 y
DDR3. Actualmente se está diseñando la DDR4 y se prevé que estará disponible en 2012.
Generaciones de SDRAM
SDRAM (Synchronous DRAM)
Este tipo de memoria SDRAM es más lento que las variantes de DDR, porque sólo una palabra de los datos se transmite por
ciclo de reloj (Single Data Rate).
DDR SDRAM (a veces llamado DDR1)
Mientras que la latencia de acceso de memoria DRAM es fundamentalmente limitada por la matriz de DRAM, DRAM tiene el
potencial de ancho de banda muy alto, porque cada lectura interior es en realidad una fila de miles de bits. Para hacer más
de este ancho de banda disponible para los usuarios, una interfaz de doble velocidad de datos se ha desarrollado. Este
sistema utiliza los mismos comandos, excepto una vez por ciclo, pero lee o escribe dos palabras de datos por ciclo de reloj.
Algunos cambios menores en el momento de interfaz de DEG se hicieron en retrospectiva, y la tensión de alimentación se
redujo en 3,3 a 2,5 V. Como resultado, DDR SDRAM no es compatible con SDR SDRAM.
DDR SDRAM (a veces llamado DDR1 para mayor claridad) se duplica la mínima unidad de lectura o escritura, y cada acceso
se refiere a al menos dos términos consecutivos.

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Típico DDR SDRAM de velocidades de reloj son 133, 166 y 200 MHz (7,5, 6, y 5 ns / ciclo), generalmente descrito como DDR-
266, DDR-333 y DDR-400 (3.75, 3, y 2,5 ns por golpe). Correspondiente de 184-pines DIMM son conocidos como PC-2100,
PC-2700 y PC-3200. Un rendimiento de hasta DDR-550 (PC-4400) está disponible por un precio.
DDR2 SDRAM
DDR2 SDRAM es muy similar a la DDR SDRAM, pero duplica el mínimo de leer o escribir en la unidad de nuevo, a 4 palabras
consecutivas. El protocolo de bus también se simplificó para permitir la operación de mayor rendimiento. Comando (en
particular, el «estallido de terminar" se suprime.) Esto permite que la tasa de autobuses de la SDRAM que se duplicó, sin
aumentar la frecuencia de reloj de las operaciones de RAM interna, en cambio, las operaciones internas se realizan en las
unidades 4 veces más ancha que una SDRAM. Asimismo, un pin adicional la dirección del banco (Ba2) fue agregado para
permitir a los bancos en 8 chips de memoria RAM de gran tamaño.
Típica velocidades de reloj SDRAM DDR2 a 200, 266, 333 o 400 MHz (periodos de 5, 3,75, 3 y 2,5 ns), generalmente descrito
como DDR2-400, DDR2-533, DDR2-667 y DDR2-800 (períodos de 2,5, 1,875, 1,5 y 1,25 ns). Correspondientes DIMM 240-
pin que se conoce como PC2-3200 a través de PC2-6400. DDR2 SDRAM ahora está disponible a una velocidad de reloj de 533
MHz generalmente descrito como DDR2-1066 y los módulos DIMM correspondientes se conocen como PC2-8500 (también
llamado PC2-8600, dependiendo del fabricante). Un rendimiento de hasta DDR2-1250 (PC2-10000) está disponible por un
precio.
Tenga en cuenta que debido a las operaciones internas se encuentran en 1 / 2 la velocidad de reloj, memoria DDR2-400
(velocidad del reloj interno de 100 MHz) tiene una latencia algo más alto que los módulos DDR-400 (velocidad del reloj
interno de 200 MHz).
DDR3 SDRAM
DDR3 continúa la tendencia, duplicando el mínimo de leer o escribir en la unidad a 8 palabras consecutivas. Esto permite que
otra duplicación de la velocidad de bus de ancho de banda y externa sin tener que cambiar la velocidad de reloj de las
operaciones internas, a la anchura. Para mantener las transferencias de 800 m/s (tanto en los bordes de un reloj de 400
MHz), la matriz de RAM interna tiene que realizar 100 M obtiene por segundo.
Como ocurre con todas las generaciones de SDRAM DDR, los comandos están al alcance de un borde de reloj y las latencias
de comandos se dan en términos de ciclos de reloj, que son la mitad de la velocidad de la velocidad de transferencia por lo
general citado (una latencia CAS de 8 con DDR3-800 es de 8 / (400 MHz) = 20 ns, exactamente el mismo tiempo que CAS2
en PC100 SDRAM SDR).
Chips de memoria DDR3 se hacen comercialmente, y los sistemas informáticos están disponibles que los utilizan como de la
segunda mitad de 2007, con el uso esperado significativa en 2008. Velocidades de reloj iniciales fueron de 400 y 533 MHz, lo
que se describen como DDR3-800 y DDR3-1066 (PC3-6400 y PC3-8500 módulos), pero a 667 y 800 MHz, descrito como
DDR3-1333 y DDR3-1600 (PC3-10600 y PC3-12800 módulos) son comunes. De rendimiento de hasta DDR3-2000 está
disponible por un precio.
Sucesos de error
Además de DDR, había varias otras tecnologías de memoria propuesto para suceder a SDR SDRAM.
DRAM síncrona (SLDRAM)
SLDRAM jactó de mayor rendimiento y compitió contra la RDRAM. Se desarrolló durante la década de 1990 por el Consorcio
SLDRAM, que consistía de aproximadamente 20 fabricantes importantes de la industria informática. Es un estándar abierto y
no requiere de licencias. Las especificaciones para el llamado del bus de 64-bit funcionan a una frecuencia de 200 MHz de
reloj. Esto se logra por todas las señales están en la misma línea y evitando así el tiempo de sincronización de múltipl es
líneas. Como DDR SDRAM, SLDRAM puede operar al doble de velocidad del reloj del sistema dándole una velocidad efectiva
de 400 MHz.
Virtual Channel Memory (VCM) SDRAM
VCM era un tipo de propiedad de SDRAM que fue diseñado por NEC, pero fue liberado como un estándar abierto, sin derechos
de licencia. VCM crea un estado en el que los diferentes procesos del sistema se puede asignar su propio canal virtual,
aumentando así la eficacia global del sistema, evitando la necesidad de que los procesos de espacio de búfer acción. Esto se
logra mediante la creación de distintos "bloques" de la memoria, permitiendo que cada bloque de memoria individual a la

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interfaz por separado con el controlador de memoria y tener su espacio propio buffer. VCM tiene mayor rendimiento que la
SDRAM porque tiene latencias significativamente más bajos. La tecnología es un competidor potencial de RDRAM VCM porque
no era tan caro como se RDRAM. Un módulo VCM es mecánica y eléctricamente compatible con la SDRAM estándar, sino que
debe ser reconocido por el controlador de memoria. Placas pocos fueron producidos con el apoyo del VCM.
DDR SDRAM
Módulo de memoria DDR.
DDR (Double Data Rate) significa doble tasa de

transferencia de datos en español. Son módulos de
memoria RAM compuestos por memorias sincrónicas
(SDRAM), disponibles en encapsulado DIMM, que permite
la transferencia de datos por dos canales distintos
simultáneamente en un mismo ciclo de reloj. Los
módulos DDR soportan una capacidad máxima de 1 GiB
(1 073 741 824 bytes).
Fueron primero adoptadas en sistemas equipados con procesadores AMD Athlon. Intel con su Pentium 4 en un principio utilizó
únicamente memorias RAMBUS, más costosas. Ante el avance en ventas y buen rendimiento de los sistemas AMD basados en
DDR SDRAM, Intel se vio obligado a cambiar su estrategia y utilizar memoria DDR, lo que le permitió competir en precio. Son
compatibles con los procesadores de Intel Pentium 4 que disponen de un Front Side Bus (FSB) de 64 bits de datos y
frecuencias de reloj internas que van desde los 200 a los 400 MHz.
Comparación gráfica entre memorias DDR, DDR2 y DDR3
Se utiliza la nomenclatura PCxxxxx, dónde se indica el ancho de banda del módulo

y pueden transferir un volumen de información de 8 bytes en cada ciclo de reloj a
las frecuencias descritas. Un ejemplo de cálculo para PC1600: 100 MHz x 2 Datos
por Ciclo x 8 B = 1600 MB/s = 1 600 000 000 bytes/s
Muchas placas base permiten utilizar estas memorias en dos modos de trabajo
distintos:
 Single Memory Channel: Todos los módulos de memoria intercambian

información con el bus a través de un sólo canal, para ello sólo es necesario
introducir todos los módulos DIMMs en el mismo banco de slots.
 Dual Memory Channel: Se reparten los módulos de memoria entre los
dos bancos de slots diferenciados en la placa base, y pueden intercambiar datos
con el bus a través de dos canales simultáneos, uno para cada banco.
Especificaciones estándar
Chips y Módulos
Nombre Velocidad del Tiempo entre Velocidad del Datos transferidos Nombre del Máxima capacidad de
estándar reloj señales reloj de E/S por segundo módulo transferencia
DDR-200 100 MHz 10 ns 100 MHz 200 millones PC1600 1600 MB/s
DDR-266 133 MHz 7,5 ns 133 MHz 266 millones PC2100 2133 MB/s
DDR-300 150 MHz -ns 150 MHz 300 millones PC2400 2400 MB/s

9
DDR-433 216 MHz 4,6 ns 216 MHz 433 Millones PC3500 3500 MB/s
No hay diferencia arquitectónica entre los DDR SDRAM diseñados para diversas frecuencias de reloj, por ejemplo, el PC-1600
(diseñado para correr a 100 MHz) y el PC-2100 (diseñado para correr a 133 MHz). El número simplemente señala la velocidad
en la cual el chip está garantizado para funcionar. Por lo tanto el DDR SDRAM puede funcionar a velocidades de reloj más
bajas para las que fue diseñado (underclock) o para velocidades de reloj más altas para las que fue diseñado (overclock).
Los DIMMs DDR SDRAM tienen 184 pines (en comparación con los 168 pines en el SDRAM, o los 240 pines en el DDR2
SDRAM), y pueden ser diferenciados de los DIMMs SDRAM por el número de muescas (el DDR SDRAM tiene una, y el SDRAM
tiene dos). El DDR SDRAM funciona con un voltaje de 2,5 V, comparado a 3,3 V para el SDRAM. Esto puede reducir
perceptiblemente el uso de energía. Nota: algunos DIMMs tiene un voltaje nominal de 2,6 o 2,7 V.1
Muchos chips nuevos usan estos tipos de memoria en configuraciones Dual Channel, lo que dobla o cuadruplica el ancho de
banda efectivo.
DDR2
DDR2 es un tipo de memoria RAM. Forma parte de la familia SDRAM de tecnologías de memoria de acceso aleatorio, que es
una de las muchas implementaciones de la DRAM.
Un módulo DDR2 de 1 GB con disipador
Los módulos DDR2 son capaces de trabajar con 4 bits por ciclo,
es decir 2 de ida y 2 de vuelta en un mismo ciclo mejorando
sustancialmente el ancho de banda potencial bajo la misma
frecuencia de una DDR SDRAM tradicional (si una DDR a 200
MHz reales entregaba 400 MHz nominales, la DDR2 por esos
mismos 200 MHz reales entrega 800 MHz nominales). Este sistema funciona debido a que dentro de las memorias hay un
pequeño buffer que es el que guarda la información para luego transmitirla fuera del
módulo de memoria, este buffer en el caso de la DDR convencional trabajaba tomando
los 2 bits para transmitirlos en 1 sólo ciclo, lo que aumenta la frecuencia final. En las
DDR2, el buffer almacena 4 bits para luego enviarlos, lo que a su vez redobla la
frecuencia nominal sin necesidad de aumentar la frecuencia real de los módulos de
memoria.
Las memorias DDR2 tienen mayores latencias que las conseguidas con las DDR
convencionales, cosa que perjudicaba su rendimiento. Reducir la latencia en las DDR2
no es fácil. El mismo hecho de que el buffer de la memoria DDR2 pueda almacenar 4
bits para luego enviarlos es el causante de la mayor latencia, debido a que se necesita
mayor tiempo de "escucha" por parte del buffer y mayor tiempo de trabajo por parte de

10
los módulos de memoria, para recopilar esos 4 bits antes de poder enviar la información.
Características
 Las memorias DDR2 son una mejora de las memorias DDR (Double Data Rate), que permiten que los búferes de
entrada/salida trabajen al doble de la frecuencia del núcleo, permitiendo que durante cada ciclo de reloj se realicen
cuatro transferencias.
 Operan tanto en el flanco alto del reloj como en el bajo, en los puntos de 0 voltios y 1,8 voltios, lo que reduce el
consumo de energía en aproximadamente el 50 por ciento del consumo de las DDR, que trabajaban a 0 voltios y a
2,5.
 Terminación de señal de memoria dentro del chip de la memoria ("Terminación integrada" u ODT) para evitar
errores de transmisión de señal reflejada.
Estándares
Módulos
Para usar en PC, las DDR2 SDRAM son suministradas en tarjetas de memoria DIMMs con 240 pines y una localización con una
sola ranura. Las tarjetas DIMM son identificadas por su máxima capacidad de transferencia (usualmente llamado ancho de
banda).
DDR2-400 100 MHz 10 ns 200 MHz 400 millones PC2-3200 3200 MB/s
DDR2-533 133 MHz 7,5 ns 266 MHz 533 millones PC2-4200 4264 MB/s
DDR2-600 150 MHz 6,7 ns 300 MHz 600 millones PC2-4800 4800 MB/s
DDR2-667 166 MHz 6 ns 333 MHz 667 Millones PC2-5300 5336 MB/s
DDR2-1000 250 MHz 3,75 ns 500 MHz 1000 Millones PC2-8000 8000 MB/s
Nota: DDR2-xxx indica la velocidad de reloj efectiva, mientras que PC2-xxxx indica el ancho de banda teórico (aunque suele
estar redondeado). El ancho de banda se calcula multiplicando la velocidad de reloj efectiva por ocho, ya que la DDR2 (como
la DDR) es una memoria de 64 bits, hay 8 bits en un byte, y 64 es 8 por 8 y por último por 2 (doble tasa de transferencia),
esto se empezó a usar para mostrar la velocidad de transferencia frente a las memorias "Rambus" que eran mas rápidas en
sus ciclos de reloj operación, pero solo eran de 16 bits
1
Algunos fabricantes etiquetan sus memorias DDR2-667 como PC2-5400 en vez de PC2-5300. Al menos un fabricante ha
reportado que esto refleja pruebas satisfactorias a una velocidad más rápida que la normal.

11
La variante GDDR2
El primer producto comercial en afirmar que usaba tecnología GDDR2 fue la tarjeta gráfica nVIDIA GeForce FX 5800. Sin
embargo, es importante aclarar que la memoria "DDR2" usada en las tarjetas gráficas (llamada oficialmente GDDR2) no es
DDR2, sino un punto intermedio entre las DDR y DDR2. De hecho, no incluye el (importantísimo) doble ratio del reloj de
entrada/salida, y tiene serios problemas de sobrecalentamiento debido a los voltajes nominales de la DDR. ATI Technologies
(ahora AMD) posteriormente ha desarrollado aún más el formato GDDR, hasta el GDDR3, que es más parecido a las
especificaciones de la DDR2, aunque con varios añadidos específicos para tarjetas gráficas.
Tras la introducción de la GDDR2 con la serie FX 5800, las series 5900 y 5950 volvieron a usar DDR, pero la 5700 Ultra usaba
GDDR2 con una velocidad de 450 MHz (en comparación con los 400 MHz de la 5800 o los 500 MHz de la 5800 Ultra).
La Radeon 9800 Pro de ATI con 256 MiB de memoria (no la versión de 128 MiB) usaba también GDDR2, porque esta memoria
necesita menos pines que la DDR. La memoria de la Radeon 9800 Pro de 256 MiB sólo va 20 MHz más rápida que la versión
de 128 MiB, principalmente para contrarrestar el impacto de rendimiento causado por su mayor latencia y su mayor número
de chips. La siguiente tarjeta, la Radeon 9800 XT, volvió a usar DDR, y posteriormente ATI comenzó a utilizar GDDR3 en su
línea de tarjetas Radeon X800 hasta la mayoría de la serie Radeon HD 4000.
Actualmente, las tarjetas de nueva generación usan el formato GDDR5; por parte de ATi, las tarjetas de alto rendimiento,
algunas serie HD4000(solo la hd4870, hd4890 y la hd4770), las gamas medio-altas de las series HD5000 y HD6000, utilizan
GDDR5. Por parte de Nvidia, las tarjeta gráficas de gama alta de las series 400 y 500
Integración
DDR2 se introdujo a dos velocidades iniciales: 200 MHz (llamada PC2-3200) y 266 MHz (PC2-4200). Ambas tienen un menor
rendimiento que sus equivalentes en DDR, ya que su mayor latencia hace que los tiempos totales de acceso sean hasta dos
veces mayores. Sin embargo, la DDR no ha sido oficialmente introducida a velocidades por encima de los 266 MHz. Existen
DDR-533 e incluso DDR-600, pero la JEDEC ha afirmado que no se estandarizarán. Estos módulos son, principalmente,
optimizaciones de los fabricantes, que utilizan mucha más energía que los módulos con un reloj más lento, y que no ofrecen
un mayor rendimiento.
Actualmente, Intel soporta DDR2 en sus chipsets 9xx. AMD incluye soporte DDR2 en procesadores de la plataforma AM2
introducidos en el 2006.
Los DIMM DDR2 tienen 240 pines, mientras que los de DDR tienen 184 y los de SDR 168.
DDR3
DDR3 es un tipo de memoria RAM. Forma parte de la familia SDRAM de tecnologías de

memoria de acceso aleatorio, que es una de las muchas implementaciones de la SDRAM.
El principal beneficio de instalar DDR3 es la habilidad de hacer transferencias de datos más

rápido, lo que permite obtener velocidades de transferencia y velocidades de bus más altas
que las versiones DDR2 anteriores. Sin embargo, no hay una reducción en la latencia, la
cual es proporcionalmente más alta. Además la DDR3 permite usar integrados de 512 MB
a 8 GB, siendo posible fabricar módulos de hasta 16 GiB. También proporciona
significativas mejoras en el rendimiento en niveles de bajo voltaje, lo que lleva consigo
una disminución del gasto global de consumo.
Se prevé que la tecnología DDR3 puede ser dos veces más rápida que la DDR2 y el alto
ancho de banda que promete ofrecer DDR3 es la mejor opción para la combinación de un
sistema con procesadores dual-core, quad-core y hexaCore (2, 4 y 6 núcleos por microprocesador). Las tensiones más bajas
del DDR3 (1,5 V frente 1,8 V de DDR2) ofrecen una solución térmica y energética más eficaces.
Estándares
Estos son los estándares de memoria DDR3 actualmente en el mercado:

12
GDDR3
La memoria GDDR3, con un nombre similar pero con una tecnología completamente distinta, ha sido usada durante varios
años en tarjetas gráficas de gama alta como las series GeForce 6x00 ó ATI Radeon X800 Pro, y es la utilizada como memoria
principal de la Xbox 360. A veces es incorrectamente citada como "DDR3".
Taller de Memoria RAM
Objetivo: Identificar las diferentes tecnologías de memoria RAM desde la más antigua hasta la mas actual
En su cuaderno desarrolle lo siguiente:
1. Cuál es la función principal de la memoria RAM.

2. Describa brevemente el origen de la memoria RAM.
3. Defina: FPM-RAM, EDO-RAM, BEDO-RAM
4. Qué usos le da el sistema de cómputo a la memoria RAM.
5. Cuál es la relación que tiene la memoria RAM con el resto de sistema de cómputo.
6. Nombre los tipos de tecnologías de memoria RAM que se utilizan en la actualidad.
7. Cuáles son los principales errores que se presentan en la memoria RAM.
8. Defina DDR y escriba el la velocidad de reloj, la cantidad de datos transferidos por segundo y nombre del
módulo de las siguientes memorias DDR: DDR-200, DDR-400, DDR-533.
9. Defina DDR2 y escriba el la velocidad de reloj, la cantidad de datos transferidos por segundo y nombre del
módulo de las siguientes memorias DDR2: DDR2-600, DDR2-800, DDR2-1200.
10. Defina DDR3 y escriba el la velocidad de reloj, la cantidad de datos transferidos por segundo y nombre del
módulo de las siguientes memorias DDR3: DDR3-1066, DDR3-1600, DDR3-2000.
11. En internet consulte algunos fabricantes de memoria RAM.

13

La Memoria RAM

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 FPM-RAM (Fast Page Mode RAM)

 EDO-RAM (Extended Data Output RAM)

 BEDO-RAM (Burst Extended Data Output RAM)

Uso por el sistema

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Relación con el resto del sistema

Diagrama de la arquitectura de un ordenador.

Dentro de la jerarquía de memoria la RAM se encuentra en un nivel después de los

El controlador de memoria debe ser diseñado basándose en una tecnología de memoria,

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Memorias RAM con tecnologías usadas en la actualidad.

Memoria síncrona, con tiempos de acceso de entre 25 y 10 ns y que se

 PC100: SDR SDRAM, funciona a un máx de 100 MHz.

 PC2100 o DDR 266: funciona a un máx de 133 MHz.

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Estos son los estándares de memoria DDR3 actualmente en el mercado:

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1. Cuál es la función principal de la memoria RAM.

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