МИНОБРНАУКИ РОССИИ

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение

высшего образования
«МИРЭА - Российский технологический университет»
РТУ МИРЭА

Физико-технологический институт
Кафедра наноэлектроники

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение
высшего образования
«МИРЭА - Российский технологический университет»
РТУ МИРЭА

Физико-технологический институт
Кафедра наноэлектроники

ОТЧЕТ
ПО ПРАКТИКЕ ПО ПОЛУЧЕНИЮ ПРОФЕССИОНАЛЬНЫХ УМЕНИЙ И ОПЫТА
ПРОФЕССИОНАЛЬНОЙ ДЕЯТЕЛЬНОСТИ

Тема: «Моделирование интерференционных эффектов в двумерных

графеноподобнрых структурах…………………….»

приказ университета о направлении на практику от «___» _________ 201__г. № ______

Студент группы ЭНБО-01-16 Сайнбилэг Энхмурун.

Руководитель практики Лавров.С.Д
Старший научный сотрудник РТУ МИРЭА
 

«Отчет представлен
«__» ______202__ г.
к рассмотрению» Подпись студента

«Отчет утвержден.
«___» __________202__ г.
Допущен к защите.» Подпись руководителя

Москва, 2020
 Оглавление
1. Теоретическая часть……………………………………………………………..3
2. Практическая часть……………………………………………………...………5
2.1 Обычный пучок……………………………………………………………..……...5
2.2 Гауссовский пучок…………………………………………………………..……..8
2.3 Parametric Sweep (Параметрическое исследование)…………..………………...11
3. Вывод…..…………………………………………………………………………..14
4. Список литературы ………..........……………………………………………….15

3
 В данной работе мы моделируемстроим MoS2 на подложках SiO2/Si используя
программу Comsol Multiohysics и исследум их оптические свойства такие как поглощение,
отражение. И после моделирования можем увидеть в каком из этих материалов коэффициент
пропускания велик и в каких меньше. И также как измениться график зависимости
поглощения и отражения от длин волн. Кроме того, рассмотрим как изменится цветовые
спектры в зависимости от толщины MoS2 изменяя с 1025 нм до 50 нм,.
Мы рассматриваем распределение электрического полядлин волн под Гауссовым
пучком и плоским пучком, и сравним полученные результаты. Узнаем, что такое
Гауссовский пучок в чем отличие от плоского. Мы моделируем чтобы увидеть поглощения
света в полупроводниках и влияние внешних факторов в данном случаи при изменении длин
волн.

1. Теоретическая часть
Монослой MoS2, атомарно тонкая двумерная (2D) структура с сотовой решеткой,
привлек много интересов из-за его многочисленных уникальных физических свойств, таких
как прямая запрещенная зона, сильная спин-орбитальная связь, долинно-селективный
круговой дихроизм, и приложения, такие как двумерные гетероструктурные устройства.
Кривые характеризуют количество поглощенной энергии, играющей наиболее
важную роль. Потери энергии могут быть связаны с отражением, а в случае неметаллических
материалов - с частичным прохождением излучения. Поэтому для неметаллических
материалов указывается толщина образца. Доля поглощенной энергии зависит от многих
факторов, в том числе от чистоты материала и характера обработки поверхности. Так,
например, небольшой максимум, наблюдаемый на кривые поглощения кремния в
окрестности 9,5 мкм, обусловлен примесью кислорода в кремнии. Вторичные волны от
поверхностного слоя выходят и наружу образца. Складываясь, они образуют отражённую
волну.
2. 2. Практическая часть
COMSOL Multiphysics - это мощная интерактивная среда для моделирования и
расчетов большинства научных и инженерных задач основанных на дифференциальных
уравнениях в частных производных (PDE) методом конечных элементов. С этим
программным пакетом вы можете расширять стандартные модели использующие одно
дифференциальное уравнение (прикладной режим) в мультифизические модели для расчета
связанных между собой физических явлений. Расчет не требует глубокого знания
математической физики и метода конечных элементов. Это возможно благодаря встроенным
физическим режимам, где коэффициенты PDE задаются в виде понятных физических
4
свойств и условий, таких как: теплопроводность, теплоемкость, коэффициент теплоотдачи,
объемная мощность и т.п. в зависимости от выбранного физического раздела.
Преобразование этих параметров в коэффициенты математических уравнений происходит
автоматически. Взаимодействие с программой возможно стандартным способом – через
графический интерфейс пользователя (GUI), либо программированием с помощью скриптов
на языке COMSOL Script или языке MATLAB. Данное пособие рассматривает основы
работы с программой только через графический интерфейс.
Программа основана на системе дифференциальных уравнений в частных
производных. Существует три математических способа задания таких систем:
• Коэффициентная форма, предназначенная для линейных и близких к линейным
моделей
• Генеральная форма, для нелинейных моделей
• Слабая форма (Weak form), для моделей с PDE на границах, ребрах или для моделей
использующих условия со смешанными и производными по времени.
Используя эти способы, можно изменять типы анализа, включая:
• Стационарный и переходный анализ
• Линейный и нелинейный анализ
• Модальный анализ и анализ собственных частот
Для решения PDE, COMSOL Multiphysics использует метод конечных элементов
(FEM). Программное обеспечение запускает конечноэлементный анализ вместе с сеткой
учитывающей геометрическую конфигурацию тел и контролем ошибок с использованием
разнообразных численных решателей. Так как многие физические законы выражаются в
форме PDE, становится возможным моделировать широкий спектр научных и инженерных
явлений из многих областей физики таких как: акустика, химические реакции, диффузия,
электромагнетизм. Мы используем модуль волновой оптики.[3]
Модуль волновой оптики позволяет проводить высокочастотное моделирование
электромагнитных волн. Он отличается от модуля AC/DC тем, что модуль AC/DC нацелен на
квазистатическое моделирование, где размер вычислительной области мал по сравнению с
длиной волны. Как радиочастотный, так и волновой оптический модуль может обрабатывать
моделирование высокочастотных электромагнитных волн. Однако с помощью модуля
волновой оптики вы можете выполнять гармоническое по времени моделирование областей,
которые намного больше длины волны.
Такая ситуация характерна для оптических явлений компонентов и систем. Из-за
относительно слабой связи между волнами в оптических материалах длины взаимодействия
часто намного больше длины волны. Это относится к линейным соединителям, таким как
5
направленные ответвители и волоконные брэгговские решетки. С помощью модуля волновой
оптики эти проблемы можно решить напрямую, без огромных требований к памяти
компьютера.
Как частотная область электромагнитных волн, так и электромагнитные волны,
Огибающие пучки интерфейсов, решают временные гармонические уравнения Максвелла.
Для интерфейса Частотной области зависимой переменной является полное электрическое
поле. Поскольку электрическое поле имеет пространственное изменение в масштабе длины
волны, максимальный размер элемента сетки должен составлять долю длины волны. Если
это требование к сетке выполнено, то интерфейс частотной области очень гибок для решения
как задач распространения, так и задач рассеяния.
Коэффициент пропускания для неметаллических сред будет определяться
коэффициентом отражения и коэффициентом поглощения. Для видимого диапазона
коэффициент отражения слабо зависит от длины волны, и спектральная зависимость
коэффициента пропускания в основном определяется коэффициентом поглощения. На
Графике 1 в качестве примера показана спектральная зависимость коэффициента
пропускания монослоя MoS2 на подложках SiO2/Si.
Моделирование систем с оптическими линзами с помощью стандартного метода
полного векторного волнового анализа является сложной задачей, поскольку число
элементов сетки имеет тенденцию быть чрезвычайно большим для размера обычных
оптических линз. Поскольку стандартный анализ частотной области решает для
электрического поля, сетка должна решить амплитуду быстро осциллирующего поля, чтобы
получить точное решение, которое является максимальным размером элемента, который
должен быть 1/5 длины волны или меньше. Этот стандартный метод подходит для систем,
которые сравнимы с длиной волны или до десяти раз превышают ее. По сравнению со
стандартным методом..

1) Чтобы построить график на основе результат вычисления в Comsol Multiphysics

нужно в разделе Result нажать правую кнопку мыши, выбираем 1D Plot Group и снова нажав
правую кнопку мыши выбрать график Global. В окне Settings изменяем from Parent на Study
(Исследование). В вкладке оси y появляется таблица в поле Expression(Выражение) где надо
выбрать какие параметры результатов вычисления будут отображаться, пишем ewfd.Ttotal,
что означает полное отражение и пропускание. И нажимаем Plot и получаем график.
Выражение ewfd.Ttotal мы получили с помощью Derived values (Производные значения)
которая находится в вкладке Results нажав правую кнопку мыши выбрать Global Evalution и
получаем ниже указанные выражения
6
 Рисунок 1. Настройка глобального оценка.
Используя Derived values (Производные значения) можно интегрировать или
вычислите средний максимум или минимум любого количества для вычисления
производных величин, таких как общий поток, заряды, индуктивности, силы реакции и
средние максимальные и минимальные значения. Используйте глобальную оценку(оценку
(Global Evalution) для определения оценки числового значения глобальной переменной [4].

Рисунок 2График 1. - Зависимость отражения от длины волны без пропускания

Оптические свойства неметаллов – полупроводников и диэлектриков -

характеризуются сложными зависимостями. Коэффициент преломления  определяется
отношением скорости света в вакууме  к скорости света  в среде. Величина скорости
света, в свою очередь, определяется диэлектрической проницаемостью  и магнитной
восприимчивостью . Поэтому коэффициент преломления будет равен [2]

7
 2) Ниже указанный график показывает зависимость коэффициента поглощения
монослоя MoS2 на подложках SiO2/Si от длины волны. Чтобы строить график 1D Plot Group
и снова нажав правую кнопку мыши выбрать график Global В вкладке оси y появляется
таблица, в поле Expression(Выражение) надо выбрать какие параметры результатов
вычисления будут отображаться, пишем ewfd.Atotal, что означает поглащение. И нажимаем
Plot и получаем график.

График 2Рисунок 3. . Зависимость поглощения от длин волн.

3) Повторяем те же шаги, но в поле Expression(Выражение) пишем ewfd.RTtotal, что означает

Отражения, пропускания, поглощения. И нажимаем Plot.

Рисунок 4.График 3- Зависимость коэффициент отражения, пропускания и

поглощения от длин волн. Отражения- красный, пропускания- зеленый, поглощения-
8
 голубой

Рисунок 52. Распределение электрического полядлины волны, под плоским пучком

Видим, что изменение цвета зависит от электрического поля. где для материала MoS2
В области слабых полей влияние поля сводится к изменению только направления скоростей
носителей заряда. В сильных электрических полях в полупроводнике могут происходит
физические процессы, приводящее к изменению удельной проводимости полупроводника.
Может возрастать концентрация носителей заряда и изменяться их
подвижностькоэффициент пропускания велик, а коэффициент отражения мал. а для SiO2,
наоборот, будет казаться красным в проходящем свете и зеленым в отраженном.

2.2 2.2 Гауссовский пучок

Гауссов пучок — пучок электромагнитного излучения, в котором распределение
электрического поля и излучения в поперечном сечении хорошо аппроксимируется
функцией Гаусса. Когерентный световой пучок с гауссовым распределением поля имеет
фундаментальное значение в теории волновых пучков. Этот пучок называют основной модой

9
в отличие от других мод более высокого порядка. Я попробовала вместо обычного светого
пучка использовать Гауссовский пучок и видим результата.
Для удобства четыре задействованные среды обозначены индексом i, а
соответствующие комплексные рефракционные характеристики представлены ~ ni, где i
=0,1,2, и 3 для воздуха, MoS2, SiO2 и Si соответственно. После включения многократных
отражений выходная интенсивность комбинационного рассеяния от верхнего слоя MoS2
(общая толщина d1) может быть выражена в виде

Рисунок 62. Гауссов пучок и основные параметры, применяемые для его описания:
диаметр перетяжки пучка w0, рэлеевская длина перетяжки zR, угол расходимости θ

График 74.- Зависимость коэффициент отражения и поглощения от длины волн при 35

10
 нм. .
Отражения- красный, пропускания- зеленый, поглощения- голубой
.

Исходя из рисунков 4,7- Зависимость коэффициент отражения и поглощения от

длины волн при Гауссовом и плоском пучке можно наблюдать отличие что, с увеличением
длины волны уменьшается экспоненциально коэффициент поглощения. А коэффициент
отражения увеличивается под действием длин волн при Гауссовом и плоском пучке.

График 8.5- Зависимость отражения от длины волны.

11
 Рисунок 93. Распределение электрического полядлины волны под Гауссовым пучком

, где для материала MoS2 коэффициент пропускания велик, а коэффициент отражения мал. а
для SiO2, наоборот, будет казаться красным в проходящем свете и зеленым в отраженном.

После того как мы получили результат мы можем сравнить плоскую волну от

гауссовой. Когда мы получили графики мы можем увидеть при плоской волне 0,7 является
предельным случаем коэффициент отражения, и соответственно коэффициент поглощения
0,3 является предельным. При гауссовом пучке коэффициент отражения стремится к
значению 0,85 а коэффициент поглощения 0,15. Так как по общей формуле сумма
коэффициент отражения и коэффициента поглощения должен быть равен 1. Из этого следует
при Гауссовом пучке со сравнением плоской волны большая часть волны отражается с
увеличением длины волны.
3. 3.Влияние толщины MoS2 на оптическое поглощениеParametric Sweep
(Параметрическое исследование)
На сегодняшний день двумерные графеноподобные структуры являются объектом
изучения для огромного числа исследователей, благодаря возможности изменения толщины
слоя вплоть до одного атомного слоя. Тонкие плёнки дихалькогенидов переходных металлов
из-за своей малой толщины, изменение которой может использоваться как регулятор
12
ширины запрещённой зоны около 1-2 эВ [1], вызвали широкий интерес в научной
средеМонослойный дисульфид молибдена (MoS2) обладает двумерным свойством и
вызывает большой интерес. Я меняла толщину MoS2 в диапазоне длин волн от 25 нм до 50
нм используя Parametric Sweep чтобы увидеть разницу спектра поглощения и отражения. Во
многих случаях удобно виртуально рассмотреть несколько вариантов конструкции чтобы
увидеть какой из них лучше соответствует определенным ограничениям. Поскольку длина
волны зависит от геометрии, при изменении ширины TMD_h должна изменяться длина
волна. Выполним параметрическое исследование по параметру TMD_h, чтобы изучить эти
изменения.

1. В окне Settings узла Parametric sweep под пустой таблицей параметров добавим

2. Ввести в ParametrParametric name-ввести TMD_h как из раздела Global Definitions

в таблице Geometry

3. Ввести диапазон значений параметров, чтобы исследовать значения ширины

прямоугольника в диапазоне от 25 нм до 45 нм с шагом 10 нм. Эту информацию
можно ввести разными способами:
3.1 Щелкнуть по полю Parameter value list, а затем щелкните по кнопке Range. В поле
Start ввести 25. В поле Step ввести 50. В поле укажите Stop 10. Нажмите кнопку
Replace.
4. Потом в части Geometry в материале MOS2 части Size and Shape в Height писать
TMD_h

13
Рисунок 10График 6.- Зависимость отражения от длины волны монослоя MoS2 на
подложках SiO2/Si с различной толщиной MoS2.

14
 График 7Рисунок 11.- Зависимость поглощения от длины волны монослоя MoS2 на
подложках SiO2/Si с различной толщиной MoS2

При увеличении толщины MoS2 коэффициент поглощения уменьшается. Важным

выводом здесь является наблюдение индуцированного интерференцией пика усиления
высокого порядка, который никогда не наблюдался в аналоговых системах.

4. Вывод
Таким образом, мы систематически исследовали поглощения полупроводников
многослойной пленки SiO2/Si на монослоя MoS2. Находим, что толщина монослоя MoS2
может сильно влиять на интенсивность обоих материалов. Согласно результатам работы,
можно выбрать правильную толщину монослоя MoS2 практически для любой длины волны
падающего света. Также распределение длины волны под Гауссовым пучком цветовые
контурные графики контраста и длины волны падающего света для монослоя MoS2. Эти
графики полезны как для фундаментальных исследований, так и для применения в приборах.
Наблюдали, что при распределении длины волны под Гауссовым пучком, материала MoS2
коэффициент пропускания велик, а коэффициент отражения мал. а для SiO2, наоборот, будет
казаться красным в проходящем свете и зеленым в отраженном, а при распределение длины
волны, под плоским пучком , материала MoS2 коэффициент пропускания велик, а
коэффициент отражения мал. а для SiO2, наоборот, будет казаться красным в проходящем
свете и зеленым в отраженном.

Исходя из график 3,4- Зависимость коэффициент отражения и поглощения от длины

волн при Гауссовом и плоском пучке можно наблюдать с увеличением длины волны
уменьшается экспоненциально коэффициент поглощения. А коэффициент отражения
увеличивается при Гауссовом и плоском пучке.

5. Список литературы
1. Термодинамические потенциалы. - [Электронный ресурс]-Режим доступа.
-URL :http://solidstate.karelia.ru/p/tutorial/ftt/Part11/part11.2.htm
2. Оптические характеристики металлов, диэлектриков и полупроводников. -

15
 [Электронный ресурс]-Режим доступа. -URL :
https://ozlib.com/884600/tehnika/opticheskie_harakteristiki_metallov_dielektrikov_polu
provodnikov
3. Применение ЭВМ для решения задач теплопроводности [Электронный ресурс]
4. -Режим доступа. -URL : https://books.ifmo.ru/file/pdf/107.pdf
5. Сomsol Multiphysics Reference guide [Электронный ресурс]-Режим доступа.-
URL:www.lmn.pub.ro/~daniel/ElectromagneticModelingDoctoral/Books/COMSOL4.3/
mph/COMSOLMultiphysicsReferenceGuide.pdf

16