Вы находитесь на странице: 1из 18

Список сокращений

ДПМ – дихалькогенид переходных металлов.

ЗЩ – запрещённая зона

ЧФ – черный фосфор

2D – двумерные материалы

1
“Моделирование интерференционных эффектов в двумерных графеноподобных
структурах”

Двумерные материалы, графеновые и графеноподобные материалы

1. Двумерные материалы
1.1 Графен

Одной из быстроразвивающихся областей современной наноэлектроники


являются двумерные материалы (2D), имеющие толщину от одного до
нескольких атомных слоев. В современном мире, это самые тонкие из
возможных полупроводников, проводников и изоляторов. Использование
двумерных материалов обеспечит дальнейшую миниатюризацию устройств,
применяемых в области наноэлектроники. Двумерные материалы обладают
уникальными свойствами: рекордно высокой теплопроводностью, большой
механической прочностью высокой электропроводностью, а также
прозрачностью и гибкостью. Наиболее известным и изученным представителем
двумерных материалов является графен.

Графен квазидвумерный (2D) кристалл, состоящий из атомов углерода,


которые образуют упорядоченную гексагональную сетку. Структура графена
представлена гексагональной кристаллической решеткой, толщиной в один
атом углерода. Такие свойства графена, как высокая подвижность электронов,
низкое удельное сопротивление и другие, открывают перспективы для создания
различных электронных датчиков, фотоэлектрических устройств для
преобразования солнечной энергии, сенсорных экранов и др. [5]

Наиболее примечательными материаловедческими особенностям графена


- самого тонкого из кристаллов - являются его экстремальная прочность в
сочетании с упругостью и аномально высокая теплопроводность. Графен
отличается рядом уникальных физических свойств, которые во многом
определяются его электронной структурой: графен бесщелевой полуметалл,
носители заряда в нем безмассовые дираковские фермионы. Большое внимание
привлекают химические характеристики графена, обусловленные ero 2D-
структурой с чрезвычайно высокой удельной поверхностью - около 2675 м 2 ¿ г−1.
Все составляющие эту систему атомы (в отличие от 3D-кристаллов) –

2
поверхностные, т. е. являются химически активными и могут вступать в
различные взаимодействия, что открывает широчайшие раз. возможности для
химического модифицирования графена. Сочетание указанных свойств
обусловило высокую исследовательскую активность в изучении графена, а
также определило привлекательность этого материала для различных
технологических приложений. Полученные к настоящему времени
впечатляющие результаты. [4]
1.2 Дихалькогенидов Переходных Металлов
Ключевым и наиболее важным требованием к полупроводниковому
материалу в наноэлектронике является наличие запрещенной зоны. Атомарный
слой графена вследствие отсутствия запрещенной зоны, не подходит для ряда
применений в области электроники и оптики, поэтому в качестве других
перспективных материалов в последнее время исследователями изучаются
монослойные пленки на основе дихалькогенидов переходных металлов (ДПМ).
Дихалькогениды переходных металлов ( NbSe2, MoS 2, WS 2, WSe 2, TaS 2 и др.)
относятся к слоистым соединениям, кристаллы которых, как и графит, можно
разделять на отдельные монослои. Как и графен, ДПМ пользовались
широким вниманием для обладения мощными свойствами, которые являются
уникальным свойством, которые являются уникальным следствием их
двумерного масштаба.
Но обычные методы обработки борются за то, чтобы изменить текстуру
дихалькогенида переходных металлов таким образом, чтобы они
соответствовали новым открытиям и разработке более эффективных
технологий. Примечательно, что версии ДПМ, которые исследователи смогли
создать, были настолько малы, что они назвали их “одномерными
чтобы отличить их обычных двумерных листов. К примечательным
особенностям кристаллов, подготовленных исследователями относится высоко
дисперсионная атомная структура, что были кристаллы синтезированы в
отличие от изготовленными традиционными методами нанесения рисунка и
травления. Качество этих кристаллов могло бы сделать их более эффективными
для проведения и преобозования энергии в солнечных элементах или
катализаторах.
Толщина монослоя дисульфида молибдена MoS 2, оценивается в 0.65 нм.
Свойства зависят от структуры, толщины и меняются от металлических до
полупроводниковых. В частности, показано, что с уменьшением толщины

3
увеличивается ширина запрещенной зоны и при переходе от многослойной
структуры к монослойной непрямая структура энергетических зон
трансформируется и MoS 2 становится прямозонным полупроводником, что
проявляется в значительном усилении фотолюминесценции монослоев,
обнаруженном для MoS 2, MoSe 2, WS 2, WSe 2.

Так как моя тема является “Моделирование интерференционных эффектов в


двумерных графеноподобных структурах” рассмотрела темы использования
графенопобных материалов с использованием модули волновой оптики
COMSOL Multiphysics.

Рассмотрим пример при последовательной фокусировки монослойной


пленки оксидной наносферы под большим углом падения и систематически
обобщаем антиотражательные законы оксидной наносферной пленки.

И исследуем черный фосфор (ЧФ) как альтернативный 2D-материал для


решения проблем, с которыми сталкиваются металлы и графен для
поверхностных реакций плазменного резонанса на падающий свет в среднем и
дальнем инфракрасном диапазонах.
1.4. Моделирование антиотражения монослойной пленки
оксидной наносферы

В последние годы произошел прорыв в развитии антиотражения из-за


сильного желания улучшить характеристики оптических и оптоэлектронных
компонентов, таких как линзы, солнечные батареи и высокодигитальные
экраны. При наличии многих перестраиваемых факторов, таких как
периодичность, глубинно-поперечная геометрия, в настоящее время
субволновые структуры превратились во многие зрелые формы. Среди них
наносферы обладают способностью к самосборке и не подвержены влиянию
предела оптической дифракции в процессе подготовки.

По сравнению с получением субволновых наноструктур методом глубокого


ультрафиолетового облучения или электронно-лучевого облучения оксидная
наносферная пленка имеет более низкую стоимость, более традиционную
структуру, более короткий продуктивный период и более контролируемое
антиотражение в невизибельном свете. Затем возникает вопрос, может ли
осмонослойная пленка наносфер также привести к поразительному
антиотражающему эффекту? Ответ оказался утвердительным. Мало того, что

4
однослойная наносферная пленка может быть покрыта с обеих сторон стеклом
и работать на 300-1300 нм. По сравнению с объемной пленкой, используемой в
основном в одной длине волны, монослойная наносферная пленка обладает
более обширным антиотражающим эффектом с большим углом и широким
спектром.

Наша работа представляет собой комбинацию влиятельных факторов для


монослойной наносферной пленки. Полученные результаты не только
дополнительно подтверждают противоотражающий эффект монослойной
наносферной пленки, но и дают глубокое понимание соответствующих
исследований по количественным функциям.

Здесь моделируем используя модуль волновой оптики COMSOL


Multiphysics.и внешний вид поверхности пленки путем построения трехмерной
периодической модели. Это исследование может упростить эксперименты по
изготовлению наносферных пленок и легко применимо к различным областям,
особенно в прозрачной оптике, такой как фильтры, поляризационные элементы
и объективы камер. Среди оксидных наносфер SiO2 n S = 1.45 обладает низкой
стоимостью и стабильными химическими свойствами, используемыми в
оптических покрытиях, датчиках и других областях. Поэтому в качестве
основного объекта исследования мы выбираем наносферы SiO2.

Радиус наносферы является основным фактором, влияющим на


антиотражающий эффект пленки наносферы. На рисунках 3(а) и 3(б) показано
влияние наносфер SiO2 размером 10-80 нм на угол падения от 0° до 90°. Длина
волны падающего света выбрана как 550 нм, потому что это ключевой выбор
для спектральной калибровки. Поляризационное состояние этой системы равно
s:p = 1:1. Согласно рисунку 3(а), когда θ ≤ 45°, коэффициент отражения
увеличивается только на 1% -4,5%. Поэтому мы сосредоточимся на θ > 45°,
показанном на рисунке 2(b). При падении света длиной 550 нм на 75°
коэффициент отражения наносферной пленки SiO2 длиной 10-80 нм колеблется
от 14,1% до 25,3% по сравнению с 41,7% на обычном непокрытом стекле. Это
означает, что наносферная пленка может относительно сократить коэффициент
отражения на 39,5%-66,3% при падении большого угла.

Чтобы охарактеризовать влияние длины волны на отражение, мы


построили график на рисунке 2(c) и 2(d). И также на рисунках 3 (c) и 3(d)

5
показано влияние длины волны на коэффициент отражения при 45° ≤ θ ≤ 90°.
рисунок 3(d) представляет собой двумерное изображение рисунок 3(с). Когда
радиус известен, коэффициент отражения колеблется в пределах 8% -25% на
короткой длине волны и 19% -25% на длинной длине волны.

Рисунок 2. Влияние радиуса и длины волны на коэффициент отражения.

а) влияние радиуса наносферы на коэффициент отражения при θ=0°-45°.


b) влияние радиуса наносферы на коэффициент отражения при θ=45°-90°. (c),
(d) влияние длины волны на коэффициент отражения при θ=45°-90° влияние
радиуса и длины волны на коэффициент отражения. а) влияние радиуса
наносферы на коэффициент отражения при θ=0°-45°. b) влияние радиуса
наносферы на коэффициент отражения при θ=45°-90°(c), (d) влияние длины
волны на коэффициент отражения при θ=45°-90°.[2]

Длинные волны приносит более высокую отражательную способность.


Отношение радиуса наносферы к длине волны является важным параметром.
При r ≪ λ граница раздела становится разрывной границей. Когда r ∕λ
становится больше, граница имеет тенденцию быть непрерывной, что означает,
что градуированный показатель преломления пленки становится более гладким,
что приводит к более сильному антирефлекторному эффекту. Таким образом,

6
чтобы реализовать лучший антиотражающий эффект в широком спектре, мы
можем использовать больший радиус (но все же в субволновом диапазоне)
наносфер.

Поляризация-это важнейшее физическое свойство света. Различно


поляризованный свет приводит к различному отражению поверхности в
соответствии с уравнениями Френеля. При θ=0° или 90° поляризация s и p
показывает одинаковое отражение, в то время как при θ=0°− 90° поляризация s
и p имеет разные тенденции отражения. Этот эффект поляризации на
отражении поможет выровнять полярно-частичные направления. Кроме того,
материалы обладают существенным физическим свойством-показателем
преломления, который может влиять на распространение света и
антиотражающий эффект пленки. на рисунке 3, мы смоделировали влияние
поляризации и материалов на отражение при радиусе 70 нм и λ=550 Нм.

Рисунок 3 Поляризация и влияние материалов на коэффициент


отражения. а) влияние s-поляризованных пропорций на коэффициент
отражения. b) взаимосвязь между относительной разностью показателей
преломления и коэффициентом отражения. с) распределение эффективного
показателя преломления в z-направлении с наносферой 80 нм.[2]

На рисунке 3(а) мы исследовали тенденцию отражения поверхности с


учетом доли s-поляризованного состояния в падающем свете. Отношение s к s-
поляризованному свету в падающем свете составляет от 0% до 100%. Мы
видим, что влияние поляризационного состояния на коэффициент отражения

7
находится в пределах 3%, а тенденция изменения аналогична
экспоненциальному изменению. на рисунке 3(b), мы используем
относительную разность показателей преломления Δ=(n B –n N ) ∕n B для описания
вклада материалов в коэффициент отражения. Он может вместить различные
наносферы и материалы подложки. Согласно распространенным на рынке
наносферным материалам, относительная разность показателей преломления
Δ= 0,03-0,63 для некоторых типичных оксидов с радиусом r =10-80 нм.

На рисунке 3(b), при той же стимулированной среде относительная


разница в показателе преломления делает коэффициент отражения выше 17%.
По мере увеличения разницы в показателе преломления между пленочным
материалом и подложкой абсолютное изменение коэффициента отражения
колеблется около 6%. Еще одним альтернативным способом описания
оптических свойств поверхности раздела наносфер является эффективный
показатель преломления. Когда наносферы равномерно распределены на
поверхности пленки, через эквалайзер мы постепенно вычисляем эффективный
показатель преломления пленки от подложки до воздуха, показанный на
рисунке 3(с). Через утяжеление площади рисунке 3(с), Средний эквивалентный
показатель преломления равен 1,24. При аналогичной тенденции изменения
коэффициента отражения, когда θ ≤ 30°, результаты нашего моделирования и
эффективный показатель преломления могут быть заменены друг другом,
поскольку η ≤ 2%; здесь η-относительная погрешность между приближением
показателя преломления и моделированием. Когда θ ≥ 45°, η ≥ 10%. Поэтому
эффект антиотражения при большом угловом падении в субволновом масштабе
не может быть точно рассчитан по эффективному показателю преломления. [2]

1.5. Настройка инфракрасного плазменного резонанса Черного


Фосфорена

Исследования взаимодействия света и вещества проводились для многих


материалов, обычно фокусируясь на пленках благородных металлов и
наноструктурах.

Совсем недавно черный фосфор (ЧФ), слоистый полупроводник с


двумерной “сморщенной” гексагональной структурой в каждом монослое
(известный как фосфор), привлек внимание научного сообщества в качестве
потенциального кандидата для изучения поверхностных плазмонных

8
поляритонов. Теоретические и имитационные результаты показали, что
свойства поверхностных плазмонов черного фосфора включают
поляризационную зависимость при воздействии электромагнитного поля,
зависимость от размера монослоя, квантованное магнитное поле, обозначенное
дискредитированными анизотропными магнит экситонами, а также точечные
дефекты демпфирования и потенциал для дальнодействующего беспорядка.
Эти особенности объясняются его высокой подвижностью и высокой
перестраиваемостью, зависящей от слоя, прямой полосой пропускания (от 0,3
ЭВ в объеме до 2 ЭВ в монослое), а также его высокой анизотропные в
плоскости электронные и оптические свойства. Кроме того, эти желательные
свойства сделать БП пригодным для других применений оптических
материалов, таких как гиперспектральное изображение, тепловизионное
изображение, фотоприемники в кремниевой фотонике и терагерцовые
транзисторы. На сегодняшний день эти оптоэлектронные свойства были
ограничены меньшим количеством применений из-за нестабильности ад в
окружающей среде условия

В этой статье мы исследуем ЧФ как альтернативный 2D-материал для


решения проблем, с которыми сталкиваются металлы и графен для
поверхностных реакций плазменного резонанса на падающий свет в среднем и
дальнем инфракрасном диапазонах. Мы также расширяем численное
моделирование до исследования ЧФ нановолокон, усиливающих поглощение в
различных направлениях на основе оптического изменение проводимости и
ширины ленты. Наконец, мы изучаем механизмы сохранения фосфорного
вещества от окислительных эффектов при сохранении кромки плазмона
усиливается поглощение. Хотя фонон связанные с этим пути демпфирования
для плазмонов ЧФ остаются неизвестными, в этой работе выделяются
несколько привлекательные особенности перестраиваемых ЧФ-плазмонов
среднего и дальнего инфракрасного диапазона.

Для расчета электромагнитного поля было проведено двумерное


моделирование, распределения и спектры поглощения на поперечных сечениях
нановолокон, которые предполагают бесконечную длину в y-направление. 2D
моделирование может точно приблизить расчеты 3D структур так долго так как
длина ленты достаточно велика по сравнению с длиной распространения и

9
сцепления поверхностных плазменных волн. Слева и справа применялись
периодические граничные условия ребра модели (вдоль направления x.

Распределения напряженности электрического поля, полученные в


результате конечно-элементного электромагнитного моделирования, показаны
на рисунке 4(d-f) для имитируемого освещения с помощью плоской волны при
нисходящем нормальном падении для трех различных длин волн. Ширина (𝑤)
ЧФ лента была установлена в 150 нм, период (𝑃) до 250 нм, а разрыв (𝑔) между
каждой ленты был 𝑔 = 𝑃 − 𝑤 = 100 нм. Ширина ленты и период были выбраны
таким образом, чтобы перестраиваемый диапазон длин волн проходил через
дальнюю ИК-область электромагнитного спектра. Ленту моделировали так,
чтобы она была окружена воздухом (𝑛 =1,0) на верхней поверхности и
диэлектрической подложкой (𝑛 = 1,71) толщиной 5 мкм под ней.
Диэлектрическая подложка была сделана больше, чем 𝜆 / 2, чтобы избежать
каких-либо эффектов связи локальных полей вблизи ленты BP и поверхности
золота.

Распределение поля показывает, что поверхностный плазмон сильно


ограничен по краям нановолокна, и сила удержания локализованного поля
сильно зависит от длины волны возбуждения.

10
Рисунок 4. Моделирование электромагнитного отклика, освещенного на ЧФ. а)
график действительной части мод SPP, поддерживаемой бесконечным листом
BP для четырех различных диэлектрических сред, измеренных его вакуумным
волновым вектором. b) трехмерная схема периодически образующихся
фосфористых нановолокон на диэлектрическом слое (светло-голубом) поверх
золотой отражающей поверхности. Обозначены точка, P и длина ленты, W. (c)
вид поперечного сечения (b) с обозначенными BP, Au, двумя диэлектрическими
слоями, n1 и n2, и направлениями распространения света и поляризации, E и k.
(d) - (f) расчетные распределения усиления электрического поля, которое
определяется как отношение амплитуды локального электрического поля 𝐸 к
амплитуде падающего света 𝐸. Смоделированные параметры включают 𝑤 = 150
нм, P = 250 нм, 𝑛 = 1,0 и 𝑛 = 1,71, N = 1013 см-2, при λ = (d) 31,1, (e) 27,5 и (f)
20,1 мкм.[3]

Сильное усиление поля и локализация плазменных мод в двумерной


структуре приводит к усилению спектрального поглощения в зависимости от
формы и выбора, соответствующего окружающего диэлектрического
материала. На рисунке 5(а) отображает смоделированные спектры поглощения
при нормальном падении нанокристаллов ЧФ для 𝑤 = 150 нм и 𝑃 = 250 нм.
Здесь верхняя среда была установлена на показатель преломления воздуха𝑛, а
поглощающая подложка была смещена от n2 = 1,0 до 3,32. Некоторые из
выбранных показателей преломления, n1, выбранные значения соответствуют
таким материалам, как Al2O3(1,71), KBr(1,43), PMMA(полиметилметакрилат,
1,45), PS (полистирол, 1,50) и Si (3,32). На рисунке 5(b) - график зависимости
резонансных длин волн (тех, что имеют пики поглощения) от значения 𝑛, при
которых они возникают, и рисунок 5(c) показывает значения поглощения на
этих пиках.

11
Рисунок 5. Рассчитаны результаты, показывающие влияние изменения 𝑛 на
спектр поглощения при постоянной величине𝑛. а) смоделированы спектры
поглощения электрического поля в режиме ТМ с нормальным падением для
БП-нановолокон, окруженных воздухом (n1 = 1,0) и различными материалами
подложки с показателями преломления 𝑛 и электронной плотностью БП N =
1013 см−2. (б) пик поглощения резонансной длины волны основной моды (𝑚 = 1)
по отношению к показателю преломления диэлектрического слоя подложки (n2
). Красные точки взяты из моделирования методом конечных элементов (МКЭ),
а синие-из теоретической модели, описанной в уравнении (1).Пиковая
амплитуда поглощения в зависимости от n2.[3]

При увеличении n2 положение пика поглощения смещается в сторону


более высоких инфракрасных длин волн, рисунок 5(б), и расширяется; а
амплитуда вообще уменьшается, как показано на рисунке 5(c), что указывает на
увеличение затухание.

Рисунок 6(b) и (c) иллюстрируют длину волны резонанса поглощения для


различных значений n2 полученные как с помощью имитационного
моделирования, так и теоретического расчета с помощью эквалайзера Eq (4).
Установлено, что первичный режим красное смещение линейно по мере
увеличения диэлектрической проницаемости резонансной длины волны

12
последовательный результат как в теории, так и в симуляции. Для дальнейшего
выяснения влияния окружающего диэлектрика, рисунок 5(а) и (b) показаны
рассчитанные и смоделированные спектры поглощения для диапазона 𝑛 от 1 до
1,71 для фиксированного 𝑛 = 1.71. Фазовый коэффициент первого порядка был
рассчитан с использованием эквалайзера для диапазонов между 0,41π и 0,46π, в
зависимости от диэлектрической среды. Хотя подобные ситуации
наблюдаются, спектральное уширение и резонансные сдвиги длин волн
значительно слабее по сравнению с случай изменения 𝑛. Длины волн пика
поглощения только для диполярных модов и остаются от 27% до 41% с
изменением верхней диэлектрической среды, рисунке 5(с).

Резонансные свойства в спектрах поглощения интенсивность и ширина


линии также зависят от оптической потери в лентах ЧФ, которые в основном
характеризуются реальной частью проводимости.

Рисунок 6 Рассчитаны результаты, показывающие влияние изменения 𝑛 на


спектр поглощения при постоянной величине𝑛. а) смоделированы спектры
поглощения электрического поля в режиме ТМ с нормальным падением для
нановолокон БП, окруженных различными материалами с показателями
преломления n1, на подложке с n2 = 1,7 (Al2O3) и электронной плотностью ЧФ

13
N = 1013 см−2(b) пик поглощения резонансной длины волны основной моды (𝑚 =
1) по отношению к показателю преломления окружающего диэлектрического
слоя (n1). Красные точки взяты из моделирования метод конечных
элементов(МКЭ), а синие-из теоретической модели, описанной в уравнении Eq.
(4). (c) Пиковая амплитуда поглощения в зависимости от n1.[3]

Таким образом, мы исследовали распространяющиеся поверхностные


плазменные свойства пластинчатых и краевых плазмонов черного фосфора в
окружающих диэлектрических структурах для усиленное поглощение
перестраиваемый. Теоретические схемы плазменной дисперсии показали
зависимость от ЧФ анизотропии, направления поляризации света и
диэлектрического материала. В частности, коэффициент удержания
радиоактивности ГЭС оказывает сильное влияние-в сотни раз на
изолированные объекты. Масштабирование ЧФ до размера нановолокон
приводит к образованию краевых плазмонов, которые запускают усиленные
процессы поглощение. Результаты моделирования спектрального положения и
пиков поглощения могут быть скорректированы как по анизотропной природе
ад, так и по таким параметрам, как показатель преломления, размер ленты,
расстояние между лентами и плотность электронов; и результаты подтвердили
теоретическую теорию предсказание. Кроме того, моделирование
инкапсулированного поведения усиленного поглощения плазмонов лента ЧФ
имеет либо защитный нанослой из диэлектрического материала без потерь,
либо метаматериал hBN для устранения возможности деградации в результате
окисления. В результате показаны дальнейшие механизмы настройки
резонансных мод в инфракрасных длинах волн за счет гибридизации краевого
плазмона ленты БП и гиперболических мод hBN. Результаты исследований
показывают перспективное будущее черного фосфорена как плазменного
материала со свойствами, которые могут дать жизнеспособную платформу для
плазменно-модулированных оптоэлектронных устройств в инфракрасной
области спектра. [2]

2. Применение методик моделирования свойств двумерного материалов

14
Исследования последних лет позволили выявить и изучить ряд
чрезвычайно интересных свойств графена, таких как проводящие, термические,
механические, оптические, химические и некоторые другие. Ряд свойств
графена, связанных с его квазидвумерной структурой, например, квантовый
эффект Холла, экстремальные проводимость и теплопроводность, ранее не
наблюдали. Это придало мощный импульс развитию фундаментальной физики
и химии графена и позволило, во-первых, предложить графен как основу
материалов нового поколения для преобразования солнечной энергии
фотокатализа, для электродов литиевых источников тока, для
электрохимических и биологических сенсоров, в качестве «2D-наполнителя» в
органических матрицах, во-вторых, рассматривая графен в качестве протипа
для поиска нового класса 2 кристаллов с необычными свойствами. В настоящем
обзоре предпринята попытка обобщить результаты исследований, посвященных
модифицированию свойств собственно графена и созданию материалов на его
основе, а также поиску новых графеноподобных не углеродных материалов.

В 2018 году был разработан транзистор на экситонах, работающий при


комнатной температуре [4]. Экситоны – это квазичастицы, созданные из
возбужденного состояния электронов и обладающие потенциалом для
повышения энергоэффективности устройств. Был обнаружен способ
поляризации экситонных токов, что означает, что квазичастицы в конечном
итоге могут быть использованы для кодирования данных независимо друг от
друга путем изменения величины тока, а также его поляризации.

В ходе исследований был изготовлен светодиод на квазичастицах


полусвятого полупродукта в атомарно тонких материалах. В то время как такие
светодиоды были реализованы в других материалах при низких температурах,
это устройство работает при комнатной температуре и изготовлено с
использованием теперь хорошо известной технологии “скотч лента”. Одно из
потенциальных применений таких гибридных светодиодов является LiFi,
благодаря их высокой скорости работы. Lifi- это беспроводная оптическая
сетевая технология, которая используют светодиоды для передачи данных.
Преимущества LiFi включают более высокие скорости, чем Wi-Fi.

М. Франкур открыл способ получения большего количества электричества


из тепла, чем считалось возможным, создав кремниевый чип, который

15
преобразует больше теплового излучения в электричество. Исследователи
ранее определили, что существует теоретический "предел черного тела" на то,
сколько энергии может быть произведено из теплового излучения. Они создали
устройство использовав две поверхности кремния очень близко расположенные
друг к другу. Был изготовлен чип размером 5 мм на 5 мм из двух кремниевых
пластин с наноскопическим зазором между ними толщиной всего 100
нанометров. Пока чип находился в вакууме, нагревалась одна поверхность и
охлаждалась другая поверхность, что создавало тепловой поток, способный
генерировать электричество. Концепция создания энергии таким образом не
является уникальной, но Франкур и его команда обнаружили способ подгонки
двух кремниевых поверхностей равномерно близко друг к другу
наноскопическом масштабе, не касаясь друг друга. Чем ближе они друг к другу,
тем большие электричества они могут генерировать.

3. Вывод

Это часть разработок, вышедших в течение последних полутора лет, но ни


одной разработки не было сделано в России. От производства электронных
устройств, основой для которых служат именно полупроводящие материалы, от
поставки электронной продукции другим предприятиям зависит целый спектр
отечественных производств, которые на данный момент являются
неконкурентоспособными.

Отмечу, что наряду с впечатляющими успехами фундаментальных


исследований последних лет и множеством прогнозов технологического
использования графена (от графеновой квантовой электроники, нанобиологии
до аэронавтики) при разработке графеновых или графеноподобных материалов,
пригодных для технологических применений, возникает много проблем,
обусловленных крайней чувствительностью свойств ДПМ к различным (даже
незначительным) изменениям его структуры, наличию дефектов, примесей,
типу подложки, а также к изменениям в окружающей среде.

Если изучить более подробно недостатки и исправить, то транзистор,


работающий на экситонах может быть применен как в кодировании, так и в
обработке данных на наноскопическом уровне. Чипы, преобразующие энергию,
могут быть использованы для повышения эффективности солнечных панелей
путем увеличения количества электроэнергии от солнечного тепла или в

16
автомобилях, чтобы взять тепло от двигателя, чтобы привести в действие
электрические системы. Они также могут быть разработаны для установки в
имплантируемые медицинские устройства, такие как кардиостимулятор,
который не требует замены батарей. Также подобная технология может
увеличить срок службы компьютерных процессоров, сохраняя их прохладными
и уменьшая износ, что сэкономит больше энергии, используемой в противном
случае для вентиляторов охлаждения процессов. И если улучшить способность
управления наноразмерными кристаллами, то может быть использована в
области хранения энергии, квантовых вычислений и квантовой криптографии.
Улучшив механические способности компонентов из полимеров нового
поколения и сделав их более комфортными можно использовать данную
разработку в медицине и нейроинтерфейсах.

В большей степени указанные проблемы касаются новых неуглеродных


графеноподобных материалов и перспектив их применения. Решение этих
проблем - задачи исследований графеноподобных материалов в ближайшее
будущее [3].

Из-за этих проблем я решила рассмотреть более подробно применение ДПМ


и изучить их интерференционные эффекты.

17
3. Список источников
1. А.Л.Ивановский, Графеновые и графенопобные материалы: Учебное
пособие. Российская акалемия наук. 2012 – 605c.
2. Desalegn Tadesse Debu University of Arkansas, Fayetteville, ‘’Plasmonic
Properties of Nanoparticle and Two Dimensional Material Integrated
Structure’’

3.Yuxiao Hou, Xiahong Li , Hang Luo, Wei Lei, Hong Lei, ‘’Simulation on
antireflection of the oxide nanosphere monolayer film’’ Vol. 58, No. 18 / 20 June
2019

4. Ермиенко Н.А., Ермиенко И.Ю., Орешенко Т.Г. Обзор новых технологий


для получения полупроводниковых приборов. 2019 -5с.

5. Александр Иванович Семочкие, “Перспективы применения и оценка


свойств двумерных материалов для наноэлектроники”

18