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Facultad de ingeniería
Trabajo de la Materia
Electrónica I
INE-321-4
Tema:
Transistor bipolar BJT
Sustentado por;
Welmin Johel Monero Garabitos SD-17-10918
Facilitador:
Ing. Michel Saviñón francisco Fausto
Region de saturacion:
En esta region se verifica que tanto la union base-emisor
Como base-colector se en cuentran en directa y se deja de
cumplier las relaciones de la activa y se verifica solo lo
siguente.
Vbe=Vbe salida
Vce=Vce salida
Donde los transistores base-emisor y colector-emisor de
saturacion suelen tener valores determinados (0.8 y 0.2 voltios
habitualmente).
Cuando este se encuentra en la region de saturacion circular
tambien corriente por sus terminales, pero Ya no se cumple la
relacion IC=B.Ib.
Emisor común: se aplica ala base del transistor una señal y se extrae
por el colector. Donde el emisor se conecte al punto de tierra masa
que será común tanto en la entrada como en la salida. en esta
configuración existe ganancia de corriente como de tensión.
Tanto el Beta como el Alpha del transistor son datos que nos otorga
el fabricante en la hoja de datos del componente, a la hora de
comprar un transistor se supone que tenemos conocimientos de
que características debe de tener el transistor que necesitamos.
Tanto el Beta como el Alpha del transistor son datos que nos otorga
el fabricante en la hoja de datos del componente, a la hora de
comprar un transistor se supone que tenemos conocimientos de
que características debe de tener el transistor que necesitamos.
Gv=-Rc/Re
Gv=-Rc/Re
Ve=Vb-Vbe
Y la corriente de emisor:
Ie=Ve/Re=Vb-Vbe/Re
La corriente de emisor es igual a la de colector más la de base:
Ie=Ic+Ib=Ic+Ic/B=Ic(1+1/B)