Вы находитесь на странице: 1из 4

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ

РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ


ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО
ОБРАЗОВАНИЯ
«САМАРСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ
УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ АКАДЕМИКА С.П. КОРОЛЕВА»

Институт математики, информатики и электроники

Факультет электроники и приборостроения

Лабораторная работа №2 по теоретическим основам нанотехнологий

На тему “Термовакуумное напыление”

...

Самара 20..
ТЕРМОВАКУУМНОЕ НАПЫЛЕНИЕ

Термовакуумное напыление (ТВН)— это процесс, в котором


вещество нагревается в условиях высокого вакуума (при давлении 1,3310-3
— 1,3310-5 Па) до температуры испарения. Атомы испаряемого вещества
конденсируются на подложке, температура которой значительно ниже
температуры испарения вещества. Процесс происходит в специальных
вакуумных камерах (рис. 1). Внутри вакуумная камера содержит испаритель,
держатель подложки, подогреватель подложки и устройства для измерения
давления, толщины пленок, скорости осаждения, температуры испарителя и
подложки. Для улучшения адгезии и структуры пленок подложки нагревают
до температуры 200…400 0С. Температура подложки определяется
напыляемым веществом. Для равномерного нагрева подложки размеры
нагревателя больше размеров подложки.

1
2
3
i i i
i i
4
i
5
i
6
7
8

Откачка

Рисунок 1 – Cхема процесса термовакуумного напыления: 1 - вакуумная


камера; 2 - нагреватель подложки; 3 - держатель подложки; 4 - подложка; 5 -
заслонка; 6 - частицы испаряемого вещества; 7 - испаритель с навеской
материала пленки; 8 - опорная плита

1
Процесс термовакуумного напыления можно разделить на 4 этапа:
образование пара вещества, распространение пара от испарителя к подложке,
конденсация пара на подложке, образование пленки.

Процесс напыления начинается с загрузки вакуумной камеры:


испаряемое вещество помещают в испаритель, подложки устанавливают в
держатели, маски — в маскодержатели. Затем камеру герметизируют,
откачивают воздух. При закрытой заслонке нагревают испаритель до
температуры испарения, а подложку до нужной температуры. Осуществляют
ионную очистку подложки. Откачивают остаточный газ. После этого
открывают заслонку и осуществляют напыление пленки. Когда толщина
пленки достигнет нужной величины, заслонку закрывают, и поток атомов,
конденсирующихся на подложке, прекращается. Подложки охлаждают, в
камеру напускают воздух и выгружают подложки.

Основные параметры процесса термовакуумного напыления: давление


в камере, температура испарителей, температура подложек, время
напыления.

Достоинства

Процесс термовакуумного напыления является простейшим процессом


нанесения тонких пленок. Он позволяет получать пленки металлов,
диэлектриков, полупроводников, изготовлять пассивные элементы,
металлизацию в полупроводниковых структурах и прочее. Процесс
обеспечивает высокие скорости роста пленок, высокую степень чистоты
пленок, изготовление качественных пленок при относительно низкой
температуре подложек. Сравнительно легкая автоматизация процесса
позволяет создавать сложные вакуумные установки и комплексы,
управляемые с помощью ЭВМ.

Недостатки

Трудность формирования однородных по составу пленок в процессе


напыления многокомпонентных сплавов и веществ, недостаточная
равномерность толщины пленок по поверхности подложки на подложках
больших размеров, трудность напыления тугоплавких металлов (напыления
возможно лишь для материалов с температурой испарения не большее 1800
С), относительно небольшая адгезия (прилипание) пленок, большая
продолжительность подготовки к процессу напыления (откачка воздуха,
которая составляет 1…2ч.), в сравнении с напылением пленки высокая

2
инерционность при использовании испарителей (после выключения нагрева
испарителей парообразование продолжается, поэтому процесс напыления
пленки прекращается с помощью механической заслонки), трудность
создания испарителей с большим ресурсом работы более 50...100 ч,
относительная сложность оборудования.