МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ

РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ

ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО
ОБРАЗОВАНИЯ
«САМАРСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ
УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ АКАДЕМИКА С.П. КОРОЛЕВА»

Институт математики, информатики и электроники

Факультет электроники и приборостроения

Лабораторная работа №4 по теоретическим основам нанотехнологий

На тему “Термическая диффузия”

...

Самара 20..
Термическая диффузия

Термическая диффузия (термодиффузия, тепловая диффузия) —

диффузия, обусловленная влиянием в среде (растворе, смеси) градиента
температуры. При термической диффузии концентрация компонентов в
областях пониженной и повышенной температур различна. Если разность
температур поддерживается постоянной, то вследствие термической
диффузии в объеме смеси возникает градиент концентрации, что вызывает и
обычную диффузию.

Первый закон Фика

Предположим, что диффузия происходит только в направлении оси х (так

называемый линейный случай). Концентрация изменяется в направлении оси
х, а в плоскостях, перпендикулярных к направлению, диффузии постоянна.
Пусть далее диффузия концентрационно зависима и не осложнена наличием
особых, энергетически более выгодных областей концентрации. Температуру
предполагаем постоянной. Тогда концентрация будет функцией места и
времени: С=С(x,t). Представим себе теперь, что в какой-то точке х через
образец проведено сечение, перпендикулярное к направлению диффузии, и
определим плотность потока диффузанта, проходящего через это сечение.
Значение вектора плотности потока равно числу единиц массы,
диффундирующих в единицу времени через единицу поверхности нашей
плоскости. Тогда, как показал опыт, для не слишком больших перепадов
концентрации применим так называемый первый закон Фика, который
имеет следующий вид:
∂C
j=− DgradC =− D (1 )
∂x

где j - плотность потока диффундирующего вещества.

Градиент концентрации направлен по нормали к изоконцентрационной

поверхности, причем за положительное направление этого вектора
принимается направление в сторону возрастания концентрации.

1
Второй закон Фика

Аналитическая теория диффузии основана на дифференциальном

уравнении Фика. Физический смысл его заключается в том, что им
связывается пространственное распределение концентрации с изменением ее
во времени. Вывод дифференциального уравнения диффузии основан на
применении закона сохранения энергии, сочетаемого с 1-ым законом Фика.

Второй закон Фика имеет следующий вид:

2
∂C ∂C
=D 2 (2 )
∂t ∂x

Коэффициент диффузии

Коэффициент диффузии D - количественная характеристика скорости

диффузии, равная количеству вещества (в массовых единицах), проходящего
в единицу времени через участок единичной площади (например, 1 м²) при
градиенте концентрации, равном единице (соответствующем изменению 1
моль/л → 0 моль/л на единицу длины). Коэффициент диффузии определяется
свойствами среды и типом диффундирующих частиц.

Зависимость D(T) в простейшем случае выражается законом

Аррениуса:

D=D 0 exp ( −RTE )(3)

a

где D — коэффициент диффузии [м²/с]; Ea — энергия активации [Дж]; R —

универсальная газовая константа [Дж/К]; T — температура [K].

2
Рис 1. Графики зависимостей D ( E||a ) и D (T )

3
Двухстадийный процесс

В планарной технологии диффузию проводят в две стадии, если требуется

получить хорошо контролируемую низкую поверхностную концентрацию
примеси.

Вначале осуществляют короткую диффузию из источника с постоянной

поверхностной концентрацией - загонку. Поверхностная концентрация
определяется либо предельной растворимостью примеси, либо содержанием
примеси в источнике диффузанта.

Затем пластины извлекают из печи и удаляют стеклообразный слой,

образующийся на поверхности кремниевой пластины при загонке в
окисляющей атмосфере и имеющей состав, близкий к составу
боросиликатных или фосфорносиликатных стекол.

Чистые пластины помещают в чистую печь для проведения второй стадии

диффузии - разгонки, осуществляемой при более высокой температуре, так
что D2t2 >> D1t1. Тонкий диффузионный слой, сформированный на первой
стадии диффузии, является источником с ограниченным количеством
примеси.

Введенное при загонке количество примесных атомов N (ат/см2) служит

источником диффузанта при последующей разгонке в течение времени t2 с
изменяющейся поверхностной концентрацией

Распределение примеси после стадии разгонки определяется выражением

(4)

Загонка во многих случаях заменяется ионным легированием. Атомы

примеси внедряются в тонкий поверхностный слой с плотностью N (ат/см2).
Ионная имплантация обеспечивает точное регулирование поверхностной
концентрации примеси при последующей разгонке, так как

(5)

Достоинством двухстадийной диффузии является возможность совмещения

операции разгонки с выращиванием маскирующей пленки окисла кремния.
4
Сравнение с ионной имплантацией

Преимущества термодиффузии над ИОН ИМП

1)Недостатком процесса ИОН ИМП является то, что при постоянной энергии
ионов невозможно получить глубоко залегающий переход с одновременным
присутствием примеси на поверхности. В связи с этим на практике
применяют один из процессов:

1. Ступенчатый процесс - непрерывное и глубокое распределение

примеси от поверхности до перехода обеспечивается несколькими ступенями
легирования при различных энергиях, причем первый (глубокий) профиль
обеспечивает заданную глубину залегания p-n-перехода Хn, а последний (у
поверхности) - необходимую поверхностную концентрацию N0 .

2. Комбинированный процесс - имплантационная загонка примеси при

низкой энергии обеспечивает необходимую дозу легирования и присутствие
примеси на поверхности, а диффузионная разгонка - заданную глубину
залегания p-n-перехода Хn .

2)При ИОН ИМП необходим отжиг при температуре до 800°С для

восстановления нарушенной структуры и перевода примеси в активное
состояние;

3)Простое оборудование;

4)При ИОН ИМП затруднена обработка пластин большого диаметра из-за

расфокусировки при больших отклонениях луча.

5
Недостатки термодиффузии по сравнению с ИОН ИМП

1) процесс ИОН ИМП не требует нагрева пластин и, следовательно, не

приводит к изменению параметров ранее сформированных слоев (за счет
диффузионной разгонки);

2) При ИОН ИМП ионный пучок перпендикулярен к пластине, поэтому

размеры легированной области точно соответствуют размерам окна в
оксидной маске;

3) В ИОН ИМП количество введенной примеси точно дозируется

(контролируется в процессе облучения).