EJEMPLOS.

1 Coloque el número del tema al lado de la definición a la que corresponde

---------- Dispositivo de estado sólido; Encendido y apagado no controlado.
1- IGBT 2- SCR 3- TRIAC 4- GTO 5 DIODO

---------- Dispositivo de estado sólido; Encendido y apagado controlado por compuerta.

1- SCR 2- TRIAC 3- BJT 4- GTO

---------- Dispositivo de estado sólido; utiliza las ventajas del entrada del MOSFET y la salida del
BJT, Encendido y apagado controlado por compuerta.
1- IGBT 2- SCR 3- TRIAC 4- GTO 5 DIODO

---------- Dispositivo de estado sólido unidireccional; Control de encendido por compuerta y apagado
por circuito externo.
1- IGBT 2- SCR 3- TRIAC 4- GTO 5 DIODO

---------- Dispositivo de estado sólido; Control de encendido por compuerta y apagado por circuito
externo; Capacidad de corriente bidireccional
1- IGBT 2- SCR 3- TRIAC 4- GTO 5 MOSFET

---------- Dispositivo de estado sólido; Encendido y apagado controlado.

1- BJT/SCR /GTO 2- BJT/IGBT/MOSFET 3- TRIAC/BJT/IGBT

---------- Dispositivo de estado sólido; con tiempo de recuperación inversa mayor Trr, su corriente
en conducción se debe a portadores mayoritario y minoritarios
1- IGBT 2- SCR 3- TRIAC 4- BJT 5 MOSFET

---------- ¿Cuáles son las condiciones para que un SCR conduzca?

1- Voltaje de compuerta positivo, SCR polarizado en directa, Corriente de ánodo mayor que la de
mantenimiento (IH).
2- Voltaje de compuerta negativa, SCR polarizado en directa, Corriente de ánodo mayor que la de
mantenimiento (IH).
3- Voltaje de compuerta positivo, SCR polarizado en inversa, Corriente de ánodo mayor que la de
mantenimiento (IH).
-------------- El transistor en la región de saturación tiene las siguientes características:
1. Tanto la juntura emisor –base como la juntura colector-base están polarizado en reversa.
2. Tanto la juntura base –emisor como la juntura base-colector están polarizado en directa.
3. La juntura emisor –base esta polarizado en directa y la juntura colector-base están
polarizado en reversa.
4. La juntura emisor –base esta polarizado en reversa y la juntura colector-base están
polarizado en directa.
5. Ninguna de las anteriores.

Seleccione el dispositivo de potencia para cada enunciado.

-------------- Para el diseño de un convertidor de corriente alterna a corriente directa no controlada,

con entrada de 110VAC, frecuencia de 60 Hz, la fuente lineal deberá tener alta capacidad de
corriente.
1- IGBT 2- SCR 3- DIODO 4- GTO 5 MOSFET

-------------- Para el diseño de una fuente conmutada DC a DC, se requiere utilizar una frecuencia
elevada de conmutación.
1- TRIAC 2- SCR 3- DIODO 4- IGBT 5 GTO.

-------------- Dispositivo de disparo bidireccional utilizado en los sistemas de electrónica de potencia

(TRIAC, SCR).
1- PUT 2- DIAC 3- DIODO 4- UJT

-------------- El UJT 2N4870 tiene una relación intrínseca de resistencia = .65, la resistencia RBB =10K
ohm, seleccione el valor correcto de RB2
1- RB2 = 6.5K ohm 2- RB2 = 3.5K ohm 3- RB2 = 5.5K ohm

-------------- Un TRIAC tiene tres terminales

1- Drain, Source, Gate 2- Catodo, Anodo, Gate 3- MT1, MT2, Gate

-------------- Un TRIAC es equivalente a dos SCR

1- En serie 2- Inverso en paralelo 3- Paralelo
-------------- Un TRIAC es un SWITCH
1- Bidireccional 2- Unidireccional 3- Mecánico

-------------- Un TRIAC puede pasar una porción del medio ciclo

1- Solamente positivo 2- Solamente negativo 3- Ambos positivo y negativo

-------------- Dispositivo que no tiene terminal de compuerta (Gate)

1- TRIAC 2- MOSFET 3- SCR 4- DIAC

-------------- Cuando la temperatura se incrementa la resistencia entre RBB del UJT -----
1- Incrementa 2- Decrece 3- Permanece igual

-------------- Entre el punto pico y el punto valle del UJT en las características del emisor tenemos--
región
1- Saturación 2- Resistencia negativa 3- Corte

-------------- Un DIAC en conducido a ON

1- Voltaje de ruptura 2- Voltaje de compuerta 3- Corriente de compuerta

-------------- Cuál de las siguientes no es una característica del UJT

1- Intrínseca relación 2- Negativa resistencia 3- Voltaje de Pico 4 Conducción bilateral

------------ El inversor Gamatronic modelo IPU1000 ¿Cuál dispositivo de potencia utiliza?, puede
investigar en internet.

1- TRIAC 2- SCR 3- DIODO 4- IGBT 5 GTO.

------------ El inversor Gamatronic modelo IPU1000 ¿Cuál el voltaje de la batería?, puede investigar
en internet
1- 12VCd 2- 24VCd 3- 48VCd 4- 64VCd 5 110VCd
-------------- Cuál de las siguientes no es una característica de los diodos de potencia
1- IF- directa 2- VF- directa 3- VBR –Ruptura Inversa 4 Trr- Recuperación Inversa 5 IH -Hold

-------------- Si usted tiene que trabajar una aplicación donde se requiere tiempos de conmutación
muy elevados que parámetro le prestaría atención.
1- IF- directa 2- VF- directa 3- VBR –Ruptura Inversa 4 Trr- Recuperación Inversa
-------------- Si usted tiene que presentar una propuesta de un convertidor AC a DC no controlado,
la aplicación manejara frecuencia de 60 HZ, se desea que se maneje la mayor cantidad de corriente,
con voltaje AC altos, que diodos usted podría iniciar su evaluación
1-Diods Schottky 2- Recuperación rápida 3- Frecuencia de línea

-------------- Si usted tiene que presentar una propuesta de un convertidor AC a DC controlado, la

aplicación manejara frecuencia de 60 HZ, se desea que se maneje la mayor cantidad de corriente,
con voltaje AC altos, que dispositivos usted podría iniciar su evaluación
1-BJT 2- MOSFET 3- SCR 4 TRIAC 5 IGBT 6 DIODO

-------------- Si usted tiene que presentar una propuesta de un convertidor AC a DC no controlado,

la aplicación manejara frecuencia muy elevadas de conmutación , se desea que se maneje la mayor
cantidad de corriente, con voltaje AC altos, que diodos usted podría iniciar su evaluación
1-Diods Schottky 2- Recuperación rápida 3- Frecuencia de línea

-------------- Si usted tiene que presentar una propuesta de un convertidor AC a DC controlado, la

aplicación manejara frecuencia de 60 HZ, se desea que se maneje la mayor cantidad de corriente,
con voltaje AC altos, que diodos usted podría iniciar su evaluación
1-BJT 2- MOSFET 3- SCR 4 TRIAC 5 IGBT 6 DIODO

-------------- Para un TBP (Transistor Bipolar de Potencia) cuando la corriente de colector aumenta
que sucede con la ganancia de corriente hfe (beta) del transistor. TIPS ver gráficas del TBP hfe
versus corriente del colector.
1- Disminuye 2-Permanece igual 3- Aumenta 4 No le afecta
-------------- Para un TBP (Transistor Bipolar de Potencia) cuando la corriente de colector aumenta
que sucede con el VCE sat, VBE del transistor. TIPS ver gráficas del TBP VBE versus corriente del
colector, VCE sat versus corriente del colector,

1- Disminuye 2-Permanece igual 3- Aumenta 4 No le afecta

____________ Los semiconductores de potencia deben cumplir los siguientes requisitos para ser
utilizados como interruptores

1-Bloqueo/ Conducción 2- Bloqueo/Control 3- Control/Conducción

-------------- Cuál de estas características no es estáticas de las curvas V_I del diodo
1- IF- directa 2- VF- directa 3- VBR –Ruptura Inversa 4 Trr- Recuperación Inversa
____________ Los diodo de potencia su corriente en polarización inversa- que sucede al aumentar
la temperatura, Como referencia ver gráficas IR versus VR con respecto a la temperatura

1- Permanece igual 2- Disminuye 3- Aumenta 4

------- Realice una investigación de mercado, puede ser por internet, para un inversor que cumpla con
las dos características seleccionadas en las preguntas
------------- Marca del Inversor y modelo.
------------- Dispositivo de electrónica de potencia utilizado
-------------- Voltaje de la batería
Prácticas.
No1 (BJT)
En TBP Q1 tiene una Beta de 5., VCE Sat = 2V, VBE=1V
Encuentre el valor de R2 y la potencia para llevar a Q1 a saturación para las siguientes.
1. J1 cerrado
2. J1 y J2 cerrado
3. J1, J2, y J3 cerrados.
A que analice llego a con la corriente de base con respecto a la carga para llevar al transistor a
saturación.
No2 (SCR)
 Encuentre el valor mínimo de V2 para poder encender las lámparas
TIPS: Tome en cuenta IGT, VGT, para su análisis
 Encuentre la Potencia del SCR en ON
APAGAR EL SCR
Caso A, manteniendo V1 = 24 V
 Encuentre el valor de R3 para poder apagar las lámparas luego de estar encendido
TIPS: IAK deberá ser menor o igual a IH.
Caso B, manteniendo R3 = 1 Ohm
 Encuentre el valor de V1 para poder apagar las lámparas luego de estar encendido
TIPS: IAK deberá ser menor o igual a IH.

IT = 50 A IGT 50 mA VGT 1.3 V IH 100 mA IL 125 mA VT = VAK on = 1.6 V

No3 (MOSFET)

Especificaciones del IRLB3036

VDS = 600V RDS (on) = 1.9m Ohm = 0.0019 Ohm, ID = 270 A
El MOSFET IRLB3036 está en ON maneja una corriente de 195 A
Encuentre la potencia del IRLB3036?
No4 (UJT)

El circuito mostrado la función de la resistencia RE es determinar el tiempo de carga del capacitor,

también determina el ciclo de oscilación del UJT

1 Encuentre RB1, RB2.

2 Encuentre el VP
3 Determine la frecuencia de oscilación para RE =5 K Ohm y RE 10 K Ohm
, TIPS: f=1/t
Parte A-- Utilice
Parte B:
Realice nuevamente pero asuma t = RxC
Compare los valores de frecuencia en la Parte A y Parte B piense que sucede cuando RE>>
RB1+R1, se puede utilizar la aproximación de t= RxC
4 Determine si los valores de RE cumplen: REmin < RE < REmax
1-Pruebe para RE=10K ohm
2-Pruebe para RE = 5 K ohm
5 Dibuje el Voltaje del capacitor VC y Vout