Вы находитесь на странице: 1из 8

ПРАКТИЧЕСКАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

Практика применения в сварочных инверторах


драйверов мощных МОП и IGBTтранзисторов
Сергей Петров (Красноярск)
этом, что при управлении транзисто
В статье рассматривается практическая схемотехника драйверов рами с максимальным коммутируе
мощных МОП и IGBTтранзисторов на примерах промышленных мым током до 100 А отрица тельное
изделий – сварочных инверторов различных производителей. смещение за твора, как правило, не
Обсуждаются сравнительные достоинства и недостатки различных применяется из соображений эконо
типов драйверов. мии [4].
Благодаря постоянному развитию
технологии производства МОП и
ВВЕДЕНИЕ ный источник сварочного тока (ИИСТ) IGBTтранзисторов и значительному
Драйвер мощного ключевого тран представляет собой мощный ключе улучшению их характеристик, веду
зистора представляет собой импульс вой преобразова тель с широтноим щие фирмы – производители силовых
ный у силитель м ощности с игналов пульсным способом стабилизации полупроводниковых приборов пола
управления за твором транзистора, тока нагрузки и силовой частью, пост гают, что современные ключевые
формируемых б локом управления роенной на базе мостового, полумос транзисторы на дёжно запираются
ключевого преобразова теля (БУ). В тового или однотактного мостового при подаче на затвор нулевого потен
случае использования ключевого конвертера («косого моста»). В качест циала относительно истока/эмиттера
МОП/IGBTтранзистора в составе ве ключевых элементов используются и нет необх одимости использова ть
относительно маломощного ключе МОП или IGBTтранзисторы с соот отрицательное запирающее напряже
вого преобразователя с широтноим ветствующими драйверами. Выбор ние [4, 5].
пульсной модуляцией (источника пи ИИСТ в качестве примера обусловлен Следует отметить, что выбор схемо
тания) драйвер в виде отдельного уст тем обстоятельством, что преобразо техники драйвера и режима переклю
ройства, как правило, не требуется, ватели этого типа работают на дина чения ключевого транзистора зависит
так как содержится в составе интег мичную нагрузку , изменяющуюся в и от топологии силовой части преоб
рального ШИМконтроллера в виде широких пределах. Следова тельно, разователя. Если в двухтактных пре 
мощного выходного каскада микрос драйвер силовых ключей должен обес образователях включение одного из
хемы. Типичные значения втекающе печивать на дёжную работу силовой транзисторов «стойки» может спро
го/вытекающего тока вых одных кас части при изменении коэффициента воцировать несанкционированное
кадов интегральных ШИМконтрол заполнения от ну ля до максимально включение другого транзистора той
леров составляют 0,1…1 А. Этого допустимого значения для выбранной же «стойки» изза наличия у транзис
недостаточно для управления мощны топологии силовой части ИИСТ. торов ёмкости Миллера, то в однотакт
ми ключевыми транзисторами, для Поскольку МОП и IGBTтранзисто ных п реобразователях т акой с цена
которых характерна большая входная ры являются полупроводниковыми рий взаимного влияния отсутствует и
ёмкость CЗИ, и, тем более, для управле приборами с потенциальным управле целесообразность применения отри
ния группой параллельно включён нием, нагрузкой для выходного каска цательного запирающего напряжения
ных транзисторов. да драйвера является ёмкость за твора назатворе менее очевидна. Это обсто
Схемотехнике драйверов, методике CЗИЭФФ, величина которой в большин ятельство является одним из неболь
расчёта, особенностям применения и стве случаев составляет десятки нано ших преимуществ однотактных пре
принципам действия посвящено боль фарад даже без учета ёмкости Миллера. образователей по сравнению с двух
шое число пуб ликаций [1–3]. Реко Для организации оптимального ре тактными.
мендации по управлению мощными жима управления таким ключевым Выбор значения положительного
МОП/IGBTтранзисторами и примене элементом прежде всего необх одимо отпирающего напряжения также име
нию различных типов драйверов мож обеспечить оптимальный уровень ет свои особенности. Величина поро
но найти на интернетстраницах прак управляющего напряжения на за тво гового напряжения современных
тически всех производителей как ре транзистора и доста точную вели МОП и IGBTтранзисторов обычно
собственно транзисторов, так и драй чину заряда, «закачиваемого» драйве составляет 3…6 В, и при напряжении
веров в интегральном исполнении. ром в ёмкость CЗИЭФФ для получения на затворе 12…15 В транзистор практи
Цель настоящей статьи – обзор прак необходимой скорости переключения. чески полностью открыт. Вольтампер
тической реализации драйверов мощ Вопросы выбора оптимального ные характеристики показывают, что
ных ключевых транзисторов на при управляющего напряжения на за тво дальнейшее увеличе ние напряж ения
мерах серийных устройств силовой ре МОП и IGBTтранзисторов широко на за творе незначительно снижает
преобразовательной техники. В каче обсуждаются в литературе. Фирма Infi напряжение насыщения IGBTтран
стве таких устройств мы рассмотрим neon считает, что следует использовать зистора и сопротивление канала МОП
© СТА-ПРЕСС

силовую часть сварочных инверторов отрицательное смещение за твора для транзистора, поэтому использование
промышленного производства. В на повышения помех озащищённости отпирающего напряжения более 15 В
стоящее в ремя т ипичный и нвертор ключевых транзисторов, отмечая при нецелесообразно. Кроме того, увели

40 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 5 2010


ПРАКТИЧЕСКАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

чение напряжения приводит к сниже ным включениям транзисторов, нахо видно, что при таком режиме включе
нию времени наработки транзистора дящихся в выключенном состоянии на ния силового транзистора нет необхо
на отказ [6]. Производители не указы данном интервале времени, и в целом димости стремиться к уменьшению
вают в явном виде рекомендуемое снижает надёжность работы преобра номинала Rg и форсирова ть процес с
отпирающее напряжение на переходе зователя. перехода транзистора в проводящее
исток–затвор/эмиттер–затвор, тем не Все перечисленные выше нежела состояние. Более подробную инфор
менее, все параметры ключевых тран тельные эффекты, появляющиеся при мацию по расчёту величины Rg мож
зисторов, п риводимые в с правочных «излишне быстрой» коммутации, тре но найти в [7, 8].
листках, измеряются при напряжении буют особого внимания разработчи
на затворе, равном 15 В, и минималь ка. Поэтому с практической точки зре ПРИМЕРЫ СХЕМ ДРАЙВЕРОВ
ном сопротивлении затворного резис ния целесообразно выбирать величи Обратимся к схемотехническим
тора Rg, допускаемом производителем ну Rg максимально возможной на примерам драйверов МОП/IGBT
для данного транзистора. основе разумного компромисса между транзисторов, применяемых в серий
Отдельного внимания заслуживает мощностью потерь на проводимость ных изделиях – сварочных инверто
выбор значения за творного резисто и коммутацию для всех ключевых эле рах. На рисунке 1 приведена схема
ра. Попробуем сформулировать неко ментов силовой части с одной сторо драйвера силовых транзисторов сва
торые общие рекомендации. Не следу ны и устойчивостью, надёжностью ра рочного инвертора COLT 1300 произ
ет стремиться к использованию Rg боты преобразователя с другой. водства фирмы Cemont [9]. Основа
минимальной величины, что часто Анализ топологии преобразователя драйвера – трансформа тор Т1, обес
практикуется из стремления умень с учетом неидеальности реальной си печивающий гальваническую развяз
шить коммутационные потери. Умень ловой части может способствова ть ку между входом и выходом драйвера
шение величины Rg действительно оптимизации режимов работы и драй и необходимый уровень напряжения
приводит к снижению потерь пере вера, и силового транзистора. На на за творах силовых транзисторов
ключения, но одновременно способ пример, любой реальный силовой VT3, VT4. Силовая часть ИИСТ Cemont
ствует увеличению значений dICE/dt и трансформатор в составе силовой час выполнена п о с хеме « косого м оста»,
dUCE/dt. Это в свою очередь влечёт за ти ключевого преобразова теля имеет поэтому на вторичной стороне транс
собой увеличение амплитуды комму определённую индуктивность рассеи форматора гальванической развязки
тационных выбросов напряжения на вания, что приводит в том числе к затя (ТГР) организовано два канала управ
элементах силовой части, способству гиванию фронта тока через ключевой ления – для «верхнего» и «нижнего»
ет несанкционированным, паразит транзистор п ри е го в ключении. О че транзисторов «косого моста».
© СТА-ПРЕСС

СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 5 2010 WWW.SOEL.RU 41


ПРАКТИЧЕСКАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

существенно у лучшает параметры


драйвера на этапе запирания тран
зисторов VT3, VT4.
Аналогичный драйвер на основе ТГР
давно используется в линейке свароч
ных инверторов Caddy фирмы ESAB. На
рисунке 2 приведена схема драйвера
ИИСТ ESAB Caddy LHN130/140/200 [10].
В мла дшей модели, рассчитанной на
ток 130 А, использ уются два включен
ных параллельно транзистора (VT4 и
VT5) в каждом плече силового «косого
моста». В старших моделях количество
параллельных транзисторов увеличе
но до восьми.
Рис. 1. Драйвер ИИСТ COLT 1300 фирмы Cemont Главное различие драйверов ESAB и
Cemont – использование отрица тель
ного смещения на затворе выключен
ных силовых транзисторов в схеме от
ESAB. Отрица тельное смещение фор
мируется с помощью источника на
пряжения на элементах VD4 и C3. Во
время рабочего полупериода конден
сатор С3 заряжается через диоды VD2 и
VD3, зарядный ток которых ограничи
вается цепочкой R2+R3 (C2 – форси
рующий конденса тор). Применение
отрицательного смещения на за творе
позволяет использовать в качестве VT2
и VT3 транзисторы с относительно
большим напряжением насыщения
VCEsat, в том числе составные. Кроме
этого, напряжение питания вх одной
Рис. 2. Драйвер семейства сварочных инверторов ESAB Caddy LHN130/140/200 части драйвера VDRV приходится
увеличивать на величину напряжения
Данный тип драйвера на основе ТГР эти требования сложно выполнить отрицательного смещения, которое
является весьма распространённым одновременно. Для минимизации обычно выбирается в диапазоне
и часто применяется в различных ис индуктивности р ассеяния ж елатель –(3…8) В. Длительное и массовое ис
точниках питания ключевого типа на бифилярная намотка всех обмо пользование фирмой ESAB драйвера с
благодаря своей простоте и эффек ток Т1, что предполагает равенство такой схемотехникой в своих издели
тивности. Описание работы этого их в итков. Н аличие к онечной в ели ях подтверждает высокую надёжность
драйвера можно найти в литературе; чины индуктивности рассеяния при и эффективность данного решения.
мы отметим лишь некоторые особен водит к появлению индуктивных На рисунке 3 показана схема драйве
ности драйверов подобного типа. выбросов («иголок») на фронтах нап ра сварочного инвертора «Норма200»
Цепь VD1, VD2 ограничивает напря ряжения вторичных обмоток. Для производства НПП «ФЕБ» [11]. Силовая
жение на первичной обмотке ТГР на ограничения амплитуды этих выбро часть этого ИИСТ выполнена по мосто
уровне, д остаточном д ля н адёжного сов в схеме рис. 1 и спользуются ста вой топологии, поэтому на вторичной
размагничивания его магнитопрово билитроны VD5, VD6. С этой же целью стороне трансформаторов Т1 и Т2 ор
да, а также обеспечивает ограниче номинал резистора R6 выбран не ганизовано четыре канала управления
ние напряжения на стоке транзисто большим (для шунтирования затвора затворами с гальванической развяз
ра VT1. Т акое решение позволяет силовых ключей по постоянному току кой. Трансформаторы Т1 и Т2 работа
отказаться о т ис пользования д опол достаточно резистора 3…10 кОм). В ют в двухтактном режиме, что позволя
нительной размагничивающей об качестве VT2 жела тельно использо ет управлять затворами силовых тран
мотки трансформа тора Т1 и упрос вать транзистор с минимальным нап зисторов VT5 – VT8 двухполярными
титьсхему. ряжением насыщения VCEsat, макси импульсами напряжения с амплитудой
Характеристики подобных драйве мальным ко эффициентом п ередачи порядка 15 В. Демпфирующие цепочки
ров в п ервую о чередь о пределяются тока базы и граничной частотой не R7C3, R8C4, R9C5 и R10C6 снижают
параметром ТГР , который должен менее 50 МГц. Номинал затворных ре амплитуду индуктивных выбросов
иметь минимальную индуктивность зисторов R4, R5 зависит от типа при напряжения на вторичных обмотках
© СТА-ПРЕСС

рассеяния и достаточную электричес менённых транзисторов, в данном ТГР. В целом драйвер прост схемотех
кую прочность между первичной и случае – HGTG12N60A4. Использова нически и какихлибо особенностей
вторичной о бмотками. Н а п рактике ние «замыкающего» транзистора VT2 не имеет . Как уже отмечалось выше,

42 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 5 2010


ПРАКТИЧЕСКАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

существенное значение имеет сниже


ние индуктивности рассеяния ТГР до
минимально возможных значений.
В ИИСТ с максимальным сварочным
током более 250 А и дискретными
МОП или IGBTтранзисторами в си
ловой части приходится использовать
параллельное включение нескольких
ключевых приборов. Это приводит к
увеличению суммарной вх одной ём
кости составного ключа и необх оди
мости применять драйвер с повышен
ной нагрузочной способностью. При
мером такого ИИСТ является инвертор
Inverteс 300I производства фирмы
Lincoln Electric [12], схема драйвера ко
торого показана на рисунке 4.
Силовая часть данного ИИСТ пред
ставляет собой два «косых моста»,
работающих каждый на свою пер
вичную обмотку общего силового
трансформатора и управляемых пара
фазными сигналами ШИМконтрол
лера. Вторичная обмотка нагружена Рис. 3. Драйвер сварочного инвертора НПП ФЕБ «Норма200»
на двухтактный выпрямитель с индук
тивным филь тром. Такая топология Сигналы управления снимаются с гальваническая р азвязка между в ход
силовой части достаточно часто при вторичных обмоток трансформа тора ными и вых одными цепями реализо
меняется в мощных сварочных инвер Т1 и подаются на дополнительные уси вана с помощью оптрона. К сравни
торах с питанием от трёхфазной сети лителиформирователи А1.1, А1.2, А2.1 тельным недоста ткам драйверов с
и имеет ряд преимуществ по сравне и А2.2, к вых одам которых подключе оптронной развязкой (ДОР) можно
нию с к лассической м остовой т опо ны составные силовые ключи SW1.1, отнести необх одимость в источнике
логией. Для управления силовой SW1.2, SW2.1 и SW2.2 cиловой части. питания вых одных каска дов, невоз
частью такого типа требуется ШИМ Схема усилителяформирователя пока можность трансформации напряже
контроллер и драйвер, аналогичные зана на рисунке 5а, схема составного ний/токов и увеличенное время за
используемым для управления мосто силового ключа – на рисунке 5б. держки распространения сигнала.
вым преобразователям. Драйверы на основе ТГР , обеспечи На рисунке 6 приведена схема драй
На входы драйвера «Вход 1» и «Вход 2» вая все необх одимые требования, вера, применяемого в семействе сва
подаются парафазные сигналы от предъявляемые к подобным устрой рочных инверторов T ecnica 141161
ШИМконтроллера. Микросхема МС1 ствам, имеют , тем не менее, один не фирмы Telwin [13]. Основой данного
(МС2) выполняет функцию предвари достаток – наличие технологически ДОР является интегральный оптрон
тельного усилителя мощности. Внеш сложного м оточного и зделия в ви де ный драйвер HCPL3120 фирмы A vago
ний двухтактный эмиттерный повто трансформатора гальванической раз (бывшая Agilent) с минимально необ
ритель на транзисторах VT1, VT2 (VT3, вязки. Это является одной из причин, ходимой внешней «обвязкой». Произ
VT4) увеличивает нагрузочную спо по которой в настоящее время проис водитель использует отрица тельное
собность МС1 (МС2) до необходимого ходит частичное замещение драйве смещение на затворе, которое обеспе
уровня. ров на базе ТГР драйверами, в которых чивается источником напряжения на
© СТА-ПРЕСС

Рис. 4. Драйвер инвертора Inverteс 300I фирмы Lincoln Electric

СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 5 2010 WWW.SOEL.RU 43


ПРАКТИЧЕСКАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

элементах R3, C3, C5, VD1 (R5, C4, C6,


VD2). Значение запирающего напря
жения выбрано равным –10 В. Для пи
тания выходных каскадов использует
ся два гальванически развязанных ис
точника напряжения V1 и V2. Силовая
часть инвертора Telwin Tecnica 141161
представляет собой всё тот же «косой
мост». В целом схему , показанную на
рисунке 6, можно рассма тривать как
типичную.
Сварочные инверторы Tecnica 141
161 относятся к ИИСТ «начального»
уровня. Фактически это оборудование
бытового или полупрофессиональ
а) ного назначения с минимальными
функциональными возможностями и
ценой.
Рассмотрим схемотехнику драйве
ра IGBTтранзисторов ИИСТ профес
сионального уровня – «Т ехнотрон
DC250» отечественного производите
б) ля НПП «Технотрон». Схема драйвера
показана на рисунке 7 [14]. Поскольку
Рис. 5. а) Формирователи импульсов A1.x и A2.х; б) силовые лкючи SW1.x, SW2.x сварочного максимальный сварочный ток состав
инвертора Inverteс 300I ляет 250 А, инвертор питается от трёх
фазной сети. Силовая часть выполне
на по схеме однотактного прямоходо
вого полумостового конвертера –
«косого моста», хорошо зарекомендо
вавшего себя в сварочных инверторах.
Каждый силовой ключ представляет
собой четыре параллельно включён
ных транзистора типа IRG4PSH71U с
индивидуальными затворными резис
торами 10 Ом (на рисунке 7 условно
показан только один из ключевых
транзисторов в каждом плече «косого
моста»).
Драйвер выполнен с гальванической
развязкой, которая реализована с по
мощью интегрального ДОР DA1 и DA2
Рис. 6. Драйвер сварочных инверторов Tecnica 141161 Inverter фирмы Telwin (ИС HCPL3120). Максимального вы
ходного тока микросхемы HCPL3120
недостаточно для управления приме
няемыми составными транзисторами,
поэтому использован дополнитель
ный каска д усиления мощности на
дискретных МОПтранзисторах VT3 –
VT10 в соответствии со схемой, реко
мендованной фирмой International
Rectifier. Как правило, для снижения
сквозных токов вых одного каска да
VT5/VT6 и VT9/VT10 в цепи стоков
транзисторов включаются низко
омные резисторы, отсутствующие в
данной схеме. Для более на дёжного
управления силовыми ключами исполь
зуется отрица тельное смещение на
© СТА-ПРЕСС

затворах транзисторов IRG4PSH71U, что


потребовало организации двухпо
Рис. 7. Драйвер сварочного инвертора «Технотрон DC250» лярных гальванически развязанных

44 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 5 2010


ПРАКТИЧЕСКАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

источников напряжения V1/V2 и


V3/V4. Конструктивно напряжения
питания вых одных каска дов драйве
ра формируются отдельным мало
мощным стабилизированным ключе
вым преобразователем. При управле
нии менее «тяжёлыми» ключами
выходной каска д может быть упро
щён: н агрузочную с пособность м ик
росхемы HCPL3120 можно увеличить
за счёт одного дополнительного кас
када усиления мощности в виде двух
тактного эмиттерного повторителя.
Для этой цели удобно использова ть
комплементарные пары транзисторов
2SB1203/2SD1803, 2SB1204/2SD1804 Рис. 8. Драйвер сварочного инвертора GYSMI183
или КТ972/КТ973.
Кроме драйверов на основе ТГР и драйверы бутстрепного типа тоже вертора гальванически связана с сиг
оптронов, в ключевых источниках пи применяются, но, по всей видимости, нальной «землёй» – общим проводом
тания широко применяются интег редко и преимущественно в «бюджет «VIN – 15 В» источника питания б лока
ральные драйверы «верхнего» и «ниж ных» ИИСТ. управления и общим проводом вх од
него» ключей с псевдогальванической В качестве примера ИИСТ с драйве ных каскадов микросхемного драйве
развязкой и «плавающим» («бутстреп ром бутстрепного типа можно рас ра DA1 (вывод SGND). Таким образом,
ным») питанием вых одного каска да смотреть инвертор Gysmi183 фирмы рассматриваемый драйвер не обеспе
«верхнего» ключа. Фирма International GYS [15]. Схема драйвера этого инвер чивает полной гальванической развяз
Rectifier предлагает большой ассорти тора приведена на рисунке 8. Силовая ки между силовой частью инвертора и
мент д райверных м икросхем т акого часть Gysmi183 имеет топологию «ко его б локом управления (ШИМконт
типа, например серию IR21xx. В сва сой мост». Силовая «земля» «VIN – 300 В» роллером), что, по мнению автора, яв
рочных инверторах микросхемные источника питания силовой части ин ляется недостатком данного решения.
© СТА-ПРЕСС

СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 5 2010 WWW.SOEL.RU 45


ПРАКТИЧЕСКАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

Для питания БУ и драйвера в соста делителя сигнала трансформатора то вания состояния КЗ нагрузки: при воз
ве Gysmi183 предусмотрен маломощ ка и НЧфильтра, ослабляющего ком никновении короткого замыкания
ный стабилизированный многока мутационные помехи. ШИМконтроллер резко уменьшает
нальный б лок питания ключевого Напряжение, пропорциональное коэффициент заполнения импульсов
типа (БП), выраба тывающий, в част мгновенному значению тока ключа, управления, что и фиксируется схе
ности, напряжение VCC = 15 В для пи снимается с резистора R12 и подаётся мой Antistiсking.
тания входных каскадов DA1. Это же на вход CIN внутреннего компаратора
напряжение используется и для пита системы защиты микросхемы DA1. На ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ния выходного каскада, управляюще опорный вход этого компара тора по Рассмотренные выше примеры реа
го «нижним» силовым транзистором дано фиксированное опорное напря лизации драйверов мощных ключевых
(вывод LVG микросхемы DA1). Выход жение VREF = 0,5В. При превышении то транзисторов типа МОП и IGBT позво
ной каска д микросхемы, управляю ком ключа установленного значения ляют сделать несколько полезных вы
щий «верхним» силовым транзисто внутренний компаратор переключает водов.
ром (вывод HV G микросхемы D A1), ся и замыкает вывод DIA G с выводом Вопервых, можно отметить, что в
питается от отдельного, гальваничес SGND (общий провод). В результате на отношении целесообразности и необ
ки развязанного канала БП с напря вход отключения SD, соединённый с ходимости использования отрица
жением Vhi = 15 В. Бутстрепная схема DIAG, подаётся активный низкий уро тельного смещения на затворе мощно
питания в данном случае не использу вень, и драйвер D A1 перех одит в ре го ключа не наб людается единой по
ется, т.к. это не позволяет топология жим б локировки, а на за творы сило зиции как производителей ИИСТ, так и
силовой части. вых ключей подаётся запирающее производителей полупроводниковых
В общем случае, по мнению автора, напряжение. После снятия перегрузки приборов. Вероятно, двухполярный
применение бу тстрепных спос обов соединение между DIA G и SGND раз способ управления за твором можно
питания выходных каскадов драйвера рывается, и на входе SD устанавливает считать желательным при разработке
в составе ИИСТ нежела тельно изза ся напряжение высокого уровня, сни ключевых источников питания кило
особенностей режима работы ИИСТ : мающее блокировку драйвера. Возврат ваттного уровня мощности. Примене
при коротком замыкании нагрузки, драйвера в рабочий режим происх о ние же монополярного способа управ
что является шта тным режимом для дит с задержкой, определяемой посто ления – выключение МОП/IGBTтран
сварочных инверторов, на вых оде янной времени цепи R6C2, которая зистора подачей нулевого потенциала
ШИМконтроллера формируются введена для повышения помех озащи на затвор относительно истока (эмит
управляющие импульсы минимально щённости системы защиты. В данной тера) – можно рассматривать как «бюд
возможной длительности, что может схеме не используется отрицательное жетный» вариант при реализации
привести к недопустимому снижению смещение на за творах силовы х к лю драйвера.
уровня напряжения на бутстрепных чей, повидимому, в целях упрощения Вовторых, не отдаётся явного пред
конденсаторах. Для обеспечения на организации питания вых одных кас почтения какомулибо одному типу
дёжного питания всех каска дов ИС кадов, хотя это возможно реализовать драйвера: применение нах одят как
драйвера L6386 и исключения сбоев в и для бутстрепных интегральных драйверы с ТГР, так и драйверы с опто
его работе во время переходных про драйверов. электронной развязкой. К примене
цессов при включении/выключении Напряжение с вых ода LVG «нижне нию же микросхемных драйверов с
питания ИИСТ организовано дуб ли го» бу ферного каска да D A1 исполь бутстрепным питанием в составе
рование источника V СС c помощью зуется д ля ф ормирования у правляю ИИСТ, повидимому, следует относить
подачи напряжения питания непо щего сигнала Antisticking («анти ся с осторожностью. Т акже неже
средственно от силовой шины «+300 залипание электрода»). Эта функция лательно в подобных устройствах
В» через резисторы R1 – R3. Аналогич позволяет ослабить прилипание элект использовать драйверы, не обеспечи
ным образом дуб лируется источник рода к детали и защитить силовую вающие гальваническую развязку меж
питания V hi с помощью резисторов часть от перегрузки при длительном ду ШИМконтроллером и силовой
R15, R18. коротком замыкании в нагрузке. Д ля частью.
Микросхема L638 6 позволяет орга реализации функции Antisticking Обращает н а с ебя в нимание и т от
низовать защиту от перегрузки по току необходимо распознава ть коротко факт, что производители ИИСТ пред
силовых транзисторов на уровне драй замкнутое состояние нагрузки и ин почитают использовать параллельное
вера, а не ШИМконтроллера, как это формировать ШИМконтроллер о его включение группы ключевых транзис
обычно делается. Т акое решение поз наличии на вых оде ИИСТ . После торов вместо использования силовых
воляет заметно повысить быстродей обнаружения КЗ в нагрузке ШИМ модулей. П ричина з аключается в бо 
ствие системы защиты ключей. Схема контроллер продолжает поддержи лее высокой стоимости силового моду
защиты кл ючей о т п еретока с остоит вать ток дуги равным току за дания в ля с сопоставимыми параметрам по
из д атчика т ока к лючей – т рансфор течение за данного интервала време сравнению со стоимостью «дискрет
матора тока, включенного в цепь пер ни (обычно за держка реагирования ного» решения.
вичной обмотки силового трансфор ШИМконтроллера на КЗ устанавли Рассмотренные драйверы имеют как
матора «косого моста» (на рис. 8 не по вается в пределах 1…5 с), после чего свои недоста тки, так и дост оинства.
казан) и «нагрузочного резистора», ток нагрузки снижается до некоторого Драйверы на основе ТГР не требуют
© СТА-ПРЕСС

состоящего из элементов R7 – R14, С3, минимального значения. В ИИСТ дополнительного питания вых одных
С7 – С9. «Нагрузочный резистор» вы Gysmi183 использован самый прос каскадов, позволяют трансформиро
полняет функции масштабирующего той, но косвенный способ детектиро вать уровни напряжения/тока и харак

46 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 5 2010


ПРАКТИЧЕСКАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

теризуются минимальным временем ства силовых модулей с МОП и IGBT performance MOSFET, IGBT, and MCT Gate
задержки распространения сигнала. транзисторами и с нижения их стои drive circuit. Unitrode Corporation Applica
Недостатки драйверов с ТГР – низкая мости, силовая часть ИИСТ будет tion note slup097. http://www.smps.us/Uni
технологичность и относительно не представлять собой силовой моду ль trode.html.
высокие массогабаритные показатели. со встроенными драйверами и схе 8. Balogh L. Design and application guide for
Кроме этого, драйверы с ТГР не спо мой защиты силовых транзисторов high speed MOS FET g ate drive circuits.
собны передавать постоянную состав от аварийных режимов работы. Unitrode Corpor ation Application note
ляющую напряжения (что, следует от slup169. http://www .smps.us/Unitro
метить, требуется редко). Применение ЛИТЕРАТУРА de.html.
драйверов с ТГР в составе конвертеров, 1. Волович Г. Драйверы силовых ключей. 9. Володин В. Инверторный ис точник
работающих с коэффициентом запол Современная электроника. 2007. № 8. сварочного т ока C OLT 1 300. Р адио.
нения свыше 0,5, также может быть 2. International Rectif ier Application Note 2007. №4.
сопряжено с техническими труднос AN937. Gate drive characteristics and re 10. ESAB Service Manual Caddy 130/140/200
тями. quirements for HEXFET pow er MOSFET s. (LHN 130/140/200). ESAB AB, 2004
Драйверы на основе интегральных http://www.irf.com. http://www.esabna.com/html/down
оптронов свободны от недоста тков 3. Староверов К. Как правильно выбра ть loads/files.cfm?directoryIn=Power%20Sup
драйверов с Т ГР, но им еют б ольшое напряжение управления затвором МОП plies.
время за держки распространения транзистора. Новости электроники. 11. http://www.feb.spb.ru/forum/index.php?
сигнала, т ребуют д ополнительного 2007. № 20. topic=37.0.
источника питания выходных каска 4. Driving I GBTs w ith un ipolar g ate v oltage. 12. Lincoln Electric Invertec300I. Service Ma
дов и имеют не всег да доста точную DATAWEEK. Issue 31 May 2006. http://data nual, 1995. http://www.lincolnelectric.com.
нагрузочную способность. Тем не ме week.co.za. 13. Telwin T ecnica 141161 Inverter. T rou
нее, к аждый и з т ипов д райверов н а 5. Francis R., W ood P., Alderman A. «Positive bleshooting and repair manual. http://www.tel
ходит свою область применения, ко only» gate drive IGBTs created by Cres win.com.
торая определяется совокупностью minimization. http://www.irf.com. 14. Инверторный источник сварочного тока
технических и экономических тре 6. Clemente S., Teasdale K. Understanding and DC250.31. Техническое описание и инструк
бований, предъявляемых к конечно using power mosfet reliability data. Inter ция по эксплуа тации. НПП «Т ехнотрон»,
му изделию. national Rectifier Application Note AN976. 2002. http://www.tehnotron.ru.
Возможно, в дальнейшем, в резуль http://www.irf.com. 15. Dossier d e d epannage d u p oste a s ouder
тате развития технологии производ 7. Andreycak B. Practical considerations in high Gysmi183. GYS. http://www.gys.fr.
© СТА-ПРЕСС

СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 5 2010 WWW.SOEL.RU 47

Оценить