Вы находитесь на странице: 1из 7

МИНОБРНАУКИ РОССИИ

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ


ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ
«ВОРОНЕЖСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ»
(ФГБОУ ВПО «ВГУ»)

УТВЕРЖДАЮ

Заведующий кафедрой
физики твердого тела и наноструктур
(Домашевская Э.П.)
__.__.20__г.

РАБОЧАЯ ПРОГРАММА УЧЕБНОЙ ДИСЦИПЛИНЫ


М2.Б.3 Проектирование и технология электронной
компонентной базы

1. Шифр и наименование направления подготовки / специальности:


210100 «Электроника и наноэлектроника»
2. Магистерская программа: Нанотехнология в электронике
3. Квалификация (степень) выпускника: Магистр
4. Форма обучения: Очная
5. Кафедра, отвечающая за реализацию дисциплины: кафедра физики
твердого тела и наноструктур
6. Составители программы: Курганский С.И., доктор физ.-мат. наук, профессор

7. Рекомендована: НМС физического факультета ВГУ, 4 сентября 2012 г.,


Протокол № 9__

8. Учебный год: 2013/14 Семестр(ы): Второй

9. Цели и задачи учебной дисциплины: Изучение методов


автоматизированного проектирования электронной компонентной базы,
современных методов и маршрутов проектирования, средств и способов
автоматизации процесса проектирования. Формирование и закрепление
навыков проектирования с использованием современных программных
языков описания и проектирования электронной компонентной базы. Изучение
и освоение типовых базовых технологических процессов производства
микроэлектронных компонентов и устройств с использованием современных
методов моделирования с применением новейших программных продуктов.

10. Место учебной дисциплины в структуре ООП:


Дисциплина «Проектирование и технология электронной компонентной базы»
относится к базовой части профессионального цикла М2 основной образовательной
программы подготовки магистров по программе Нанотехнология в электронике
2
направления 210100 Электроника и наноэлектроника. Рабочая программа
дисциплины составлена в соответствии с Федеральным государственным
образовательным стандартом высшего профессионального образования 3
поколения (ФГОС-3) по направлению 210100 Электроника и наноэлектроника.
Профессиональный цикл М2, реквизит М2.Б.3.
Она базируется на курсах дисциплин, изучаемых в образовательных программах
бакалавриата: «Математика», «Физика», «Химия», «Информатика», «Инженерная и
компьютерная графика», «Основы проектирования электронной компонентной
базы», «Основы технологии электронной компонентной базы». Для освоения
дисциплины «Проектирование и технология электронной компонентной базы»
необходимы знания, умения и компетенции, полученные при изучении
соответствующих дисциплин основной образовательной программы бакалавра по
направлению 210100 Электроника и наноэлектроника.

11. Компетенции обучающегося, формируемые в результате освоения


дисциплины:

а) общекультурные (ОК)
способность к самостоятельному обучению новым методам исследования, к
изменению научного и научно-производственного профиля своей профессиональной
деятельности (ОК-2);
б) профессиональные (ПК)
способность использовать результаты освоения фундаментальных и
прикладных дисциплин ООП магистратуры (ПК-1);
способность понимать основные проблемы в своей предметной области,
выбирать методы и средства их решения (ПК-3);
способность самостоятельно приобретать и использовать в практической
деятельности новые знания и умения, в том числе в новых областях знаний,
непосредственно не связанных со сферой деятельности (ПК-4);
способность анализировать состояние научно-технической проблемы путем
подбора, изучения и анализа литературных и патентных источников (ПК-7);
готовность определять цели, осуществлять постановку задач проектирования
электронных приборов, схем и устройств различного функционального назначения,
подготавливать технические задания на выполнение проектных работ (ПК-8);
способность проектировать устройства, приборы и системы электронной
техники с учетом заданных требований (ПК-9);
способностью разрабатывать технические задания на проектирование
технологических процессов производства материалов и изделий электронной
техники (ПК-11);
способность владеть методами проектирования технологических процессов
производства материалов и изделий электронной техники с использованием
автоматизированных систем технологической подготовки производства (ПК-12);
готовность формулировать цели и задачи научных исследований в
соответствии с тенденциями и перспективами развития электроники и
наноэлектроники, а также смежных областей науки и техники, способностью
обоснованно выбирать теоретические и экспериментальные методы и средства
решения сформулированных задач (ПК-16);
способность разрабатывать с использованием современных языков
программирования и обеспечивать программную реализацию эффективных
алгоритмов решения сформулированных задач (ПК-17);
готовность осваивать принципы планирования и методы автоматизации
эксперимента на основе информационно-измерительных комплексов как средства
3
повышения точности и снижения затрат на его проведение, овладевать навыками
измерений в реальном времени (ПК-18).

12. Структура и содержание учебной дисциплины


12.1 Объем дисциплины в зачетных единицах/часах в соответствии с учебным
планом — 5 / 180.
12.2 Виды учебной работы
Трудоемкость (часы)
В том По семестрам
Вид учебной работы числе в
Всего интерактив 1 сем. 2 сем. …..
ной форме
Аудиторные занятия 56 56 56
в том числе: лекции
практические 56 56 56
лабораторные
Самостоятельная работа 97 50 97
Контроль 27 27 27
Итого: 180 133 180
Форма промежуточной аттестации Экз. Экз.

12.3. Содержание разделов дисциплины


№ Наименование раздела
Содержание раздела дисциплины
п/п дисциплины
Виды и способы проектирования электронной компонентной
базы. Этапы проектирования и возможности их
автоматизации. Вопросы эффективности
Маршруты и этапы автоматизированного проектирования. Блочно-
1
проектирования. иерархический подход к проектированию сложных систем.
Восходящее и нисходящее проектирование. Схема
процесса проектирования на конкретном иерархическом
уровне.
Возможности современных систем автоматизированного
проектирования (САПР). Общие сведения о САПР.
Средства
Структура и принципы построения САПР. Подсистемы
2 автоматизированного
САПР. Техническое, математическое, программное,
проектирования.
лингвистическое, информационное, организационное,
методическое обеспечение САПР.
Понятие модели. Внутренние и внешние параметры модели.
Требования к моделям. Модели электронной компонентой
Модели компонентов базы на различных этапах проектирования. Подключение
3
электронных схем библиотек Эквивалентные модели нелинейных элементов:
интегральных диодов, биполярных и полевых транзисторов.
Список параметров моделей.
Автоматизация схемотехнического проектирования
электронных схем. Исходные посылки. Топологическое
описание электронных схем. Представление структуры
схемы с помощью графа. Топологические матрицы
Автоматизация (структурная матрица, матрица главных сечений, матрица
схемотехнического главных контуров, матрица путей). Связь между
4
проектирования электронной топологическими матрицами. Алгебро-топологические
компонентой базы уравнения цепей. Автоматизация частотного, статического и
динамического анализа электронных схем. Задача
оптимизации электронных схем. Типы критериев
оптимальности. Типы ограничений. Методы и программы
анализа и оптимизации.
4
Описание стандартного технологического маршрута
проектирования КМОП. Технологический файл с описанием
топологических норм и ограничений проектирования.
Основы топологического описания проекта. Проверка
топологии на соответствие технологическим и
электрическим правилам проекта. Диагностика и
Автоматизация исправление ошибок проектирования. Переход к
топологического геометрической информации. СБИС типа вентильной
5
проектирования электронной матрицы. СБИС на стандартных блоках. Ограничения при
компонентой базы проектировании топологии. Критерии качества топологии.
Задачи разделения и группирования. Алгоритмы
разделения/группирования. Задача размещения.
Конструктивные и итерационные методы размещения.
Задача трассировки. Методы глобальной трассировки.
Методы индивидуальной трассировки. Методы канальной
трассировки.
Модели термического окисления. Модель Дила-Гроува.
Линейный и параболический законы роста толщины
оксидного слоя. Аномальные эффекты на начальном этапе.
Модели диффузионных процессов. Уравнения Фика.
Многомерные задачи диффузии. Моделирование
Физико-математические диффузионных процессов на этапах загонки и разгонки
модели технологических примесей. Сегрегация примесей. Диффузионное
6
процессов микро- и перерапределение примесей в окислительном процессе.
наноэлектроники Модели процесса ионной имплантации. Основные
параметры распределения ионно-имплантированных
примесей в зависимости от энергии. Распределения
имплантированных примесей. Распределение Гаусса.
Сопряженная гауссиана. Распределение Пирсон-4.
Локальное легирование. Не ортогональная имплантация.
Работа с программными пакетами. Одно-, двух- и
трехмерное моделирование технологических процессов при
проектирования активных и пассивных микроэлектронных
Технологическое
компонентов и устройств: термическое окисление кремния;
7 проектирование в среде
диффузия в кремнии при высокой и низкой концентрации
Sentaurus TCAD.
примеси; ионная имплантация; пучковый отжиг
имплантированного кремния; оптическая литография;
литография в глубокой УФ области.

12.4 Междисциплинарные связи


№ Наименование дисциплин учебного плана, с которым № разделов дисциплины
п/п организована взаимосвязь дисциплины рабочей рабочей программы, связанных
программы с указанными дисциплинами
1 М1.Б.1 Методы математического моделирования 1–7
2 М1.В.ДВ.1 1 Цифровая электроника 1–7
3 М2.Б.1 Актуальные проблемы современной электроники 1–7
и наноэлектроники
4 М2.Б.2 Компьютерные технологии в научных 1–7
исследованиях
5 М2.В.ОД.1 Технология наноструктур и наноматериалов 1–7
6 М2.В.ОД.4 Процессы микро- и нанотехнологии 1–7
7 М2.В.ОД.7 Наноэлектроника 1–7
8 М2.В.ДВ.1 1 Программируемые логические ИС 1–7
9 М2.В.ДВ.1 2 Технология МЭМС 1–7

12.5. Разделы дисциплины и виды занятий


№ Виды занятий (часов)
Наименование раздела
п/ Самостоятельная
дисциплины Лекции Практические Лабораторные Всего
п работа
5
Маршруты и этапы
1 2 8 10
проектирования.
Средства
2 автоматизированного 2 8 10
проектирования.
Модели компонентов
3 8 16 24
электронных схем
Автоматизация
схемотехнического
4 проектирования 16 12 28
электронной
компонентой базы
Автоматизация
топологического
5 проектирования 16 12 28
электронной
компонентой базы
Физико-математические
модели
6 технологических 4 28 32
процессов микро- и
наноэлектроники
Технологическое
7 проектирование в среде 8 13 21
Sentaurus TCAD.
Итого: 56 97 153

13. Учебно-методическое и информационное обеспечение дисциплины


а) основная литература:
№ п/п Источник
Хоровиц П. Искусство схемотехники / П. Хоровиц, У. Хилл ; Пер. с англ. Б.Н. Бронина [и др.] .— Изд.
1
7-е .— Москва : Мир : БИНОМ, 2011 .— 704 с.
Казеннов, Г.Г. Основы проектирования интегральных схем и систем / Г.Г. Казеннов. – М.: БИНОМ.
2
Лаборотория знаний, 2005. – 295 с.
Опадчий, Ю. Ф. Аналоговая и цифровая электроника : полный курс : учебник для студ. вузов, обуч.
3 по специальности "Проектирование и технология радиоэлектрон. средств" / Ю. Ф. Опадчий, О. П.
Глудкин, А. И. Гуров; под ред. О. П. Глудкина .— М. : Горячая линия-Телеком, 2007 .— 768 с.
4 Угрюмов Е. Цифровая схемотехника / Е. Угрюмов. – СПб: БХВ-Петербург, 2004. – 520 с.
Алексенко, А.Г. Микросхемотехника : учебное пособие для студ. вузов, обуч. по спец.: "Физика и
технология материалов и компонентов электронной техники", "Микроэлектроника и
5
полупроводниковые приборы" / А.Г. Алексенко, И.И. Шагурин .— 2-е изд., перераб. и доп. — М. :
Радио и связь, 1990 .— 496 с.
Поляков А.К. Языки VHDL и Verilog в проектировании цифровой аппаратуры / А.К. Поляков. – М.:
6
Солон-Пресс, 2003. 320 с.
Цифровая электроника : практическое руководство : [для студ. физ. фак. нерадиофиз. профиля и
студ. фак. компьютер. наук специальностей: 010400 - Физика, 071900 - Информационные системы и
7
технологии] / Воронеж. гос. ун-т ; сост.: В.И. Захаров, Ю.П. Сбитнев .— Воронеж : ИПЦ ВГУ, 2011 .—
50 с.
Комолов Д.А. Системы автоматизированного проектирования фирмы Altera MAX+plus II и Quartus II.
8 Краткое описание и самоучитель / Д.А. Комолов, Р.А. Мялык, А.А. Зобенко, А.С. Филиппов. – М.: ИП
РадиоСофт, 2002. – 352 с.

б) дополнительная литература:
№ п/п Источник
Рабаи, Ж.М. Цифровые интегральные схемы. Методология проектирования / Ж.М. Рабаи, А.
9
Чандракасан, Б. Николич. – 2-е изд. – М., 2007. – 912 с.
Норенков И.П. Основы автоматизированного проектирования: Учебник для студентов вузов, обуч.
по направлению подгот. дипломир. специалистов "Информатика и вычисл. техника" / И.П. Норенков.
10
– М.: Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2000.Норенков И.П. Основы теории и проектирования САПР /
И.П. Норенков, В.Б. Маничев. – М.: Высшая школа, 1990. - 334 с.
Максфилд К. Проектирование на ПЛИС. Архитектура, средства и методы / К. Максфилд. – М.:
11
Издательский дом «Додэка XXI», 2007. 408 с.
Ватанабэ М. Проектирование СБИС / М. Ватанабэ, К. Асада, К. Кани, Т. Оцуки. – М.: Мир, 1988. - 300
12
с.
6
Римский Г.В. Теория систем автоматизированного проектирования / Г.В. Римский. – Минск: Навука i
13
технiка, 1994. – 430 с.
Корячко В.П. Теоретические основы САПР / В.П. Корячко, В.М. Курейчик, И.П. Норенков. – М.:
14
Энергоатомиздат, 1987. - 400 с.
Джонсон, Г. Конструирование высокоскоростных цифровых устройств / Г. Джонсон, М. Грэхем. – М.:
15
Издательский дом "Вильямс", 2006. – 624 с.

в) информационные электронно-образовательные ресурсы:


№ п/п Источник
18 http://www.lib.vsu.ru.ru
19 http://www.intuit.ru

14. Материально-техническое обеспечение дисциплины:


Лаборатория компьютерных технологий, САПР и математического моделирования
кафедры физики твердого тела и наноструктур.

15. Форма организации самостоятельной работы:


Самостоятельная работа состоит из индивидуального освоения теории,
подготовки к лабораторным работам, выполнения индивидуальных заданий по
отдельным темам курса, написания реферата по предложенной преподавателем
теме.
Оценка результатов самостоятельной работы организуется в виде
предварительного допуска студента преподавателем к выполнению лабораторной
работы.
Для допуска к экзамену необходимо выполнить и успешно сдать отчеты по
всем лабораторным работам, а также выполнить весь объем самостоятельной
индивидуальной работы.

16. Критерии аттестации по итогам освоения дисциплины:


Оценка Критерии оценки
Полное и глубокое усвоение материала, грамотное и логичное изложение мыслей,
Отлично обоснованность выводов, умение сочетать теорию с практикой, наличие
аналитического мышления.
Твердое знание материалов учебного курса, его грамотное изложение, отсутствие
Хорошо
существенных неточностей в ответе.
Наличие пробелов в усвоении основного материала, неточности Формулировок,
Удовлетворительно
недостаточная аргументация выводов, отсутствие последовательности в ответе.
Отсутствие знаний основного материала, существенные ошибки при ответах на
Неудовлетворительно
дополнительные вопросы, неумение логически обосновать ответ.
7

Форма листа согласований рабочей программы учебной дисциплины

ЛИСТ СОГЛАСОВАНИЙ

РАБОЧАЯ ПРОГРАММА УЧЕБНОЙ ДИСЦИПЛИНЫ


Направление/специальность 210100 «Электроника и наноэлектроника»

Дисциплина М2.Б.3 Проектирование и технология электронной компонентной базы

Профиль подготовки Нанотехнология в электронике

Форма обучения Очная

Учебный год 2013/14

Ответственный исполнитель

Профессор кафедры ФТТиНС _________ С.И. Курганский __.__ 20__


должность, подразделение подпись расшифровка подписи
Исполнители
________________ __________ _______________ __.__ 20__
должность, подразделение подпись расшифровка подписи

СОГЛАСОВАНО

Куратор ООП ВПО


по направлению/специальности __________ _______________ __.__ 20__
подпись расшифровка подписи

Зав.отделом обслуживания ЗНБ __________ _______________ __.__ 20__


подпись расшифровка подписи

Программа рекомендована НМС Физического факультета

протокол № ____9_____от 04.09.2012г.