DIODOS: COMPORTAMIENTO ESTÁTICO

1) La unión PN.
El dispositivo semiconductor de estructura más simple es el diodo de unión, que puede
esquematizarse mediante sendas muestras semiconductoras P y N puestas en contacto tal como se
indica en las figuras 1 y 2, donde se incluye su representación simbólica. Con independencia de sus
aplicaciones específicas, la unión PN constituye el elemento básico de muchos dispositivos
semiconductores de estructura más compleja (transistor bipolar, tiristor, etc.), lo que justifica el
estudio de sus características básicas de operación.

En la fabricación de diodos de unión se emplean las llamadas técnicas de difusión planar,

cuyo proceso, en síntesis, es el siguiente (figura 2): a) Crecimiento de un sustrato (100µm)
19
altamente dopado N+ (10 cm-3), dando lugar a la formación de una película delgada (5µm) de bajo
16
dopado N (10 cm-3); b) Oxidación térmica de la superficie de Si; c) Apertura de una ventana en la
capa de SiO2 y difusión a través de ella de impurezas P, de carácter opuesto a las utilizadas en el
sustrato; d) Aplicación de contactos metálicos en los extremos y colocación de envoltura externa.

SiO2
1µ
P+
5µ N 1016 cm-3

+
100µ N 1019 cm-3

Figura 1 Figura 2

De este modo, queda constituida una unión P+N, donde la designación P+ indica que el lado
P de la unión se encuentra más impurificado que el lado N. En esta estructura, los procesos
electrónicos quedan confinados, básicamente, a las proximidades de la unión física, mientras que el
sustrato actúa como elemento de soporte mecánico.

2) La unión PN en equilibrio.
Se analiza, inicialmente, lo que sucede cuando, en ausencia de potencial exterior aplicado,
se ponen en contacto dos materiales semiconductores, uno de tipo P y otro de tipo N (figura 3a),
con concentraciones de impurezas NA y ND, respectivamente. En principio, dada la situación de
equilibrio, las concentraciones de portadores mayoritarios y minoritarios, respectivamente, serían
(NA, ni2/NA) en el lado P y (ND, ni2/ND) en el lado N de la unión. Sin embargo, debido a la
diferencia de concentraciones de portadores a ambos lados de la unión, se producirán sendos flujos
de difusión de estos desde el lado en que son mayoritarios al lado en que son minoritarios, es decir,
de huecos de P a N y de electrones de N a P, lo que altera notablemente las concentraciones de
equilibrio en las regiones próximas a la unión física entre ambos materiales (figura 3b).

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Figura 3

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 Tema 2. Comportamiento estático de la unión PN

Como consecuencia de la emigración de portadores mayoritarios de esas regiones y del

acceso de minoritarios, aparece carga neta a ambos lados de la unión, positiva en el lado N y
negativa en el lado P, de modo que, suponiendo la desaparición total de portadores mayoritarios y
despreciando la concentración de portadores minoritarios (hipótesis de vaciamiento de portadores),
las densidades volúmicas de carga neta serán aproximables por +qND y -qNA en los lados N y P de
la unión, respectivamente (figura 3c). Esta densidad de carga produce un campo eléctrico dirigido
de N a P (figura 3d) y la consiguiente barrera de potencial (figura 3e). La aparición de este campo
eléctrico se opone, obviamente, al proceso de difusión de portadores, alcanzándose una situación de
equilibrio en la que los procesos de difusión y de campo se neutralizan mutuamente.

El estudio de la unión en condiciones de equilibrio se puede reducir a un problema

electrostático, para cuya resolución se admiten las siguientes hipótesis simplificadoras, reflejadas en
la figura 3:
a) El problema se considera unidimensional.
b) Los procesos están constreñidos a sendas regiones, de longitudes ln y lp, a ambos lados de la
unión.
c) Como consecuencia de la emigración por difusión de portadores mayoritarios, esas regiones
quedan prácticamente vacías de portadores móviles, de modo que las densidades volúmicas
de carga se pueden aproximar por +qND en el lado N y -qNA en el lado P (figura 3c).
d) La carga neta en cada una de las dos regiones, Q, será de la misma magnitud, de acuerdo con
la condición de neutralidad global, lo que implica NDln=NAlp (figura 3c).

Las relaciones básicas que ligan la densidad volúmica de carga neta, ρ, el campo eléctrico,
E, y el potencial, , son las siguientes, donde  representa la constante dieléctrica del material:
1
E x  
x


x
 ( x)dx ,  ( x)    E ( x)dx
 

Consecuentemente con una densidad de carga constante, resulta un campo lineal y un

potencial cuadrático, tal como se muestra en la figura 3. En estas condiciones, la resolución del
problema electrostático conduce a los siguientes resultados en cuanto a la carga, Q, y la anchura
total, L, de la región de carga (figura 3c) y al campo eléctrico máximo, EM, en la misma (figura 3d):
1/ 2 1/ 2 1/ 2
 NAND   2 N A  N D   2q N A N D 
Q  A 2q 0  , L  l n  l p   0  , E M   0 
 NA  ND   q NAND    NA  ND 

En estas expresiones, A representa la sección transversal de la unión,  la constante

dieléctrica del material semiconductor y 0 la altura de la barrera de potencial (figura 3e). Por
tanto, todas las magnitudes previas son dependientes de 0:
Q=k1•01/2 , L=k2•01/2 , EM=k3•01/2

Por otra parte, de la condición de equilibrio termodinámico se deduce la expresión del

potencial de contacto, 0, asociado a la unión PN:
KT N A N D
0  ln
q ni2

Su valor típico, con las concentraciones habituales de impurezas, es de algunas décimas de

voltio (del orden de 0.7V en Si, a 300°K).

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De este modo, la unión queda dividida funcionalmente en tres regiones: Una región
intermedia a ambos lados de la unión entre los dos materiales, denominada CAPA DE CARGA
ESPACIAL, en la que se confinan los procesos físicos asociados al contacto PN, y sendas regiones
a ambos lados de ella, denominadas REGIONES NEUTRAS, que no resultan perturbadas por el
contacto. Por otra parte, la longitud y todas las magnitudes eléctricas características de la capa de
carga espacial (carga neta en cada una de las dos regiones, campo eléctrico máximo y barrera de
potencial) dependen, de acuerdo con las expresiones anteriores, del tipo de material semiconductor,
de la temperatura y de las concentraciones de impurezas.

3) Comportamiento estático: Curvas características.

A continuación, se estudia el comportamiento estacionario de la unión PN cuando se aplica
un potencial exterior constante V (POLARIZACIÓN), con lo que, obviamente, se rompe el estado
de equilibrio. Definiendo V como la tensión exterior del lado P respecto del lado N, se considerarán
dos importantes hipótesis simplificadoras:
a) Toda la tensión V cae entre los extremos de la capa de carga espacial, con lo que el
potencial de contacto de la unión 0 (figura 3e) pasará a ser 0-V. De este modo,
dependiendo del signo positivo o negativo de V, el efecto resultante será la disminución o
aumento, respectivamente, de la barrera de potencial de la unión.
b) Se trata de una situación de cuasi equilibrio, de modo que la unión puede seguir
caracterizándose por una capa de carga espacial cuya longitud y características eléctricas
serán las correspondientes al equilibrio con la sustitución de 0 por 0-V, y por sendas
regiones neutras a ambos lados de aquella. En consecuencia, las nuevas magnitudes de la
capa de carga espacial (carga, longitud y campo máximo) se expresarán de la forma:
Q=k1•(0-V)1/2 , L=k2•(0-V)1/2 , EM=k3•(0-V)1/2

Con estas ideas, se analizan las dos situaciones posibles según el signo de V.

 Polarización directa, V>0.

En estas condiciones, debido a la disminución efectiva de la barrera de potencial, el

equilibrio inicial entre los procesos de difusión y deriva existente en ausencia de tensión externa
aplicada se rompe en favor de los primeros, dando lugar a la difusión de huecos de P a N y de
electrones de N a P. De este modo, se producirá un exceso de portadores minoritarios a ambos lados
de la capa de carga espacial (inyección), aunque disminuyendo con la distancia, tal como se indica
en la figura 4, debido a su recombinación con portadores mayoritarios de esas regiones. Por otra
parte, las magnitudes de la capa de carga espacial se reducen drásticamente, consecuentemente con
sus respectivas expresiones en función de la tensión aplicada, VF (F, de forward):
Q=k1•(0-VF)1/2 , L=k2•(0-VF)1/2 , EM=k3•(0- VF)1/2

Por tanto, la corriente a través de la unión tiene su origen en la difusión de portadores

mayoritarios, a través de la capa de carga espacial, hacia las regiones neutras en que son
minoritarios. Estos flujos de difusión, de huecos de P a N y de electrones de N a P, darán lugar a
sendas componentes de corriente de difusión de P a N (figura 5), aunque predominando claramente
la primera por la muy superior impurificación del lado P, y de valor importante al tratarse de
corrientes de portadores mayoritarios.

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IF
P N P N
NA CAPA DE
CARGA
CORRIENTE DE DIFUSIÓN
ESPACIAL
ND DE HUECOS

2 CORRIENTE DE DIFUSIÓN
ni DE ELECTRONES
2 ND
ni
NA

x VF
Figura 4 Figura 5

Puesto que al aumentar la tensión VF disminuye la anchura de la barrera de potencial,

0-VF, aumentarán consecuentemente los procesos de difusión, de modo que la corriente directa a
través de la unión, IF, se incrementará muy rápidamente con la tensión aplicada, VF. En este sentido,
cuando VF se aproxima a 0 (del orden de 0.7V en Si) la barrera de potencial tiende a anularse,
estableciéndose un estado de conducción prácticamente libre que origina un incremento muy rápido
de la corriente a través de la unión, el cual puede conducir a la destrucción de esta si no se limita la
corriente.

 Polarización inversa, V<0.

En estas condiciones, debido al aumento efectivo de la barrera de potencial, que pasa a ser
0+|V|, el equilibrio inicial entre los procesos de difusión y deriva existente en ausencia de tensión
externa aplicada se rompe en favor de los últimos, dando lugar a sendos flujos de deriva de
portadores minoritarios, es decir, de huecos de N a P y de electrones de P a N. De este modo, se
producirá un defecto de portadores minoritarios a ambos lados de la capa de carga espacial
(extracción), aunque disminuyendo con la distancia, tal como se indica en la figura 6, debido a la
generación térmica que tiende a restaurar el estado de equilibrio.

Por otra parte, al aplicar una tensión inversa, VR (R, de reverse), la anchura y carga de la
capa de carga espacial, así como el campo eléctrico máximo en su interior, aumentan muy
notablemente, y tanto más cuanto mayor sea la tensión aplicada, consecuentemente con sus
correspondientes expresiones:

Q=k1•(0+|VR|)1/2 , L=k2•(0+|VR|)1/2 , EM=k3•(0+|VR|)1/2

De acuerdo con el proceso físico, la corriente a través de la unión tiene su origen en los
flujos de deriva de portadores minoritarios, a través de la capa de carga espacial, hacia las regiones
neutras en que son mayoritarios, dando lugar a sendas corrientes de deriva de N a P (figura 7).
Puesto que se trata de corrientes de portadores minoritarios, la corriente resultante, IR, será muy
débil, y, por otra parte, prácticamente independiente de la tensión aplicada, VR, dado que la
extracción de portadores minoritarios tiene un límite marcado por la extracción total.

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Figura 6 Figura 7

De este modo, se explica el carácter unilateral o RECTIFICADOR de la unión PN

(conducción en sentido directo, pero no en inverso) como propiedad más significativa de la misma.
Esto es consecuencia directa de la bajada o subida de la barrera de potencial en equilibrio, 0,
determinada por el signo positivo o negativo, respectivamente, de la tensión exterior.

Sin embargo, la situación de corriente esencialmente nula no se mantiene para todo valor de
tensión inversa aplicada. En efecto, al aumentar la tensión inversa el campo eléctrico en la capa de
carga espacial se incrementa. Cuando este alcanza un cierto valor crítico, Ecr, característico del
material, en correspondencia con una tensión |VR|=|VRM|, se produce la denominada RUPTURA
INVERSA, en virtud de la cual la corriente pasa de tener un valor prácticamente nulo a otro en el
que se incrementa extraordinariamente con la tensión. De este modo, el diodo entra en un estado de
conducción prácticamente libre, análogamente a lo que sucede en polarización directa cuando la
tensión aplicada se aproxima al valor del potencial de contacto de la unión.

En este sentido, retomando la expresión completa del campo máximo en el interior de la

capa de carga espacial, EM, y considerando la muy fuerte asimetría en la impurificación, NA»ND, y
que la tensión inversa aplicada, |VR|, sea superior al potencial de contacto 0 (del orden de 0.7V en
Si, a temperatura ambiente), resulta:
1/ 2 1/ 2
 2q N A N D Ecr2
E M   0  VR   2qN D


VR  ; VR  VRM : E M  Ecr  VRM 
  NA  ND     2qN D

Por consiguiente, la tensión de ruptura inversa de la unión, |VRM|, resulta inversamente

proporcional a la concentración de impurezas ND en el lado menos dopado, es decir, el N.

El mecanismo físico responsable del proceso de ruptura inversa se manifiesta por una gran
generación de pares electrón-hueco en la capa de carga espacial asociada a la quiebra de enlaces
covalentes del Si y tiene su origen en un proceso de MULTIPLICACIÓN EN AVALANCHA o en
el denominado EFECTO ZENER. En el primer caso, la ruptura de enlaces se debe a la energía
transferida mediante colisión por los portadores altamente energizados por el intenso campo
eléctrico existente en la capa de carga espacial al atravesar la misma (figura 8), mientras que en el
segundo caso es el propio campo eléctrico el responsable directo de la ruptura de enlaces.

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 Tema 2. Comportamiento estático de la unión PN

En uniones PN ligeramente dopadas y, por tanto, con una tensión de ruptura inversa alta, el
mecanismo actuante es el de multiplicación en avalancha, tal como sucede en todos los diodos
convencionales, donde la tensión de ruptura inversa, de varias decenas o incluso de algunos
centenares de voltios, es un límite de operación. Por el contrario, en uniones PN altamente dopadas
y, en consecuencia, con una tensión de ruptura inversa baja, el mecanismo responsable es el efecto
Zener. El límite aproximado de tensión entre ambos procesos es de unos 5V en Si.

Figura 8

De acuerdo con cálculos detallados, aunque sin considerar el fenómeno de ruptura en

polarización inversa anteriormente descrito, la corriente I a través de la unión (definida de P a N) en
función de la tensión aplicada V (definida de P respecto de N) resulta de la forma:

I=IS(eqV/KT-1)

A partir de esta expresión, la curva característica I-V del diodo se muestra en la figura 9,
donde se incluye la zona de ruptura inversa. En función del estado de polarización, la expresión
anterior admite la siguiente aproximación:
qV/KT
 Polarización directa (V>0). Si V>(KT/q)=26mV a 27ºC: I≈IS e

 Polarización inversa (V<0). Si |V|>(KT/q)=26mV a 27ºC: I≈-IS

De este modo, en polarización directa la corriente aumenta con la tensión, y de forma

sumamente rápida, de tipo exponencial, a partir de un pequeño valor de la tensión; en inversa, la
corriente IS (CORRIENTE DE SATURACIÓN INVERSA), resulta prácticamente independiente de
la tensión y su valor es completamente despreciable (del orden de nA en Si). Estos resultados son
del todo consecuentes con el análisis cualitativo de operación realizado anteriormente.

La corriente IS es proporcional al parámetro ni2, siendo ni la denominada concentración

intrínseca de portadores (tema “Conducción en semiconductores”). De este modo, aunque su valor
resulta despreciable, se incrementa bastante rápidamente con la temperatura:

IS = bni2(T) = bAT3e-(EG/KT), b=cte.

Además de esta dependencia con la temperatura, habría que considerar la dependencia
qV/KT
explícita a través del factor exponencial en la corriente directa, e . Así, variaciones importantes
de la temperatura pueden ocasionar cambios significativos en las curvas características, siendo este
hecho común, en mayor o menor grado, a todos los dispositivos semiconductores.

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I I IFM
V
+

I
-VRM

-IS V VT V

Figura 9 Figura 10

La curva característica de la figura 9 admite una linealización a tramos, tal como se indica
en la figura 10. De este modo, en polarización inversa y hasta la tensión de ruptura inversa, VRM, el
diodo puede considerarse como un circuito abierto, mientras que en polarización directa, superada
la tensión VT, denominada TENSIÓN DE ARRANQUE (del orden de 0.7V en Si), el diodo se
puede caracterizar por una simple resistencia R, que representa el inverso de la pendiente de la recta
de conducción y cuyo valor típico, de unos pocos Ω, se desprecia generalmente. Por consiguiente,
en régimen permanente de continua (polarización), el diodo puede caracterizarse globalmente
mediante el denominado CIRCUITO EQUIVALENTE ESTÁTICO PARA GRANDES SEÑALES
de la figura 11.

Figura 11

De las curvas características (figuras 9 y 10), se deducen las magnitudes básicas que limitan
la operación del diodo y cuyos valores máximos son dados por el fabricante para cada tipo
concreto. Esas magnitudes son:
a) La corriente máxima en polarización directa, IFM, cuyo valor típico varía desde algunas
decenas de mA en diodos de pequeña señal hasta algunas decenas de A en diodos de
potencia. Este límite de operación establece un valor mínimo de la carga conectada en serie
con el diodo.
b) La tensión máxima en polarización inversa, VRM, asociada a la ruptura inversa, que puede
variar desde algunas decenas de V en diodos de pequeña señal hasta varios centenares de V
en diodos de potencia. La operación en esta zona no resulta en modo alguno destructiva si se
limita la corriente y, por tanto, la potencia disipada. No obstante, no constituye una región
propia de operación de un diodo convencional y, a este respecto, la forma de no entrar en
ella no es otra que limitar el valor negativo de la tensión externa de excitación.

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 Tema 2. Comportamiento estático de la unión PN

4) Diodos especiales.
 Diodos Zener.
Las curvas características de estos diodos son del mismo tipo que las de los diodos
convencionales aunque su región propia de trabajo es la de ruptura inversa, tal como se indica en la
figura 12, donde también se muestra su representación simbólica. A la tensión inversa, VRM=VZ, el
campo eléctrico máximo en la capa de carga espacial alcanza el valor crítico requerido para
producir la ruptura inversa. Esa tensión, denominada TENSIÓN ZENER y característica de cada
uno de estos diodos, se puede establecer sin más que controlar adecuadamente la concentración de
impurezas, ND, en el lado menos dopado, consecuentemente con la expresión obtenida en el estudio
general de la operación en inversa de los diodos:
Ecr2
VZ  VRM : E M  Ecr  VZ 
2qN D

Así como en un diodo convencional la tensión de ruptura inversa es elevada (normalmente,

no inferior a 50V), en un diodo Zener esa tensión, característica más relevante del mismo, puede
tener una multiplicidad de valores, desde muy bajos hasta relativamente altos, que vienen
determinados por la concentración de impurezas. De este modo, para tensiones Zener no muy bajas
(típicamente, superiores a unos 5V), en correspondencia con uniones PN ligeramente dopadas, el
mecanismo actuante es el de multiplicación en avalancha. Por el contrario, para tensiones Zener
muy bajas (típicamente, inferiores a unos 5V), resultantes de uniones PN altamente dopadas, el
mecanismo responsable es el efecto Zener. En los primeros, la transición entre el estado de no
conducción y el de ruptura es muy abrupta, mientras que en los segundos esa transición es suave y
con un codo intermedio muy marcado. De este modo, para garantizar la operación en zona de
ruptura inversa, especialmente para diodos con una tensión Zener muy baja, es preciso asegurar una
corriente mínima a través del mismo, (IZ)mín, a fin de salvar el codo de transición entre la región
inversa de no conducción y la zona Zener (figura 12), siendo valores típicos de esta corriente del
orden o inferiores a 1mA.

Figura 12

Dado que estos diodos están especialmente concebidos para trabajar en la región de ruptura
inversa o zona Zener, donde la corriente se incrementa muy rápidamente con la tensión, resulta
obvio que esa corriente deberá limitarse para evitar la destrucción de la unión por calentamiento. El
valor máximo de la corriente, (IZ)MÁX, queda determinado por la potencia máxima que puede disipar
el diodo, PMÁX:
(IZ)MÁX = PMÁX/VZ

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De este modo, las dos principales magnitudes características de un diodo Zener son:
a) La tensión nominal Zener, VZ, con un amplio rango desde unos pocos voltios hasta algunas
decenas.
b) La potencia máxima permisible, PMÁX, que puede variar desde 0,5W hasta algunas decenas.

Dado que en zona Zener la tensión resulta prácticamente independiente de la corriente,

aunque no totalmente, la principal aplicación de estos diodos es como fijadores de tensión al valor
Zener característico. No obstante, debe tenerse presente que la curva I-V en zona Zener no es del
todo vertical, por lo que al aumentar la corriente también se incrementa ligeramente la tensión.

 Diodos LED.

En polarización directa, existe un exceso de portadores minoritarios respecto de la situación

de equilibrio a ambos lados de la capa de carga espacial (figura 4), que son inyectados por difusión
desde la zona en que son mayoritarios. Debido a este exceso, en esas regiones tienen lugar procesos
de recombinación de portadores, con la consiguiente liberación de energía. En un diodo LED, la
estructura de bandas es tal que esa energía se encuentra en el espectro visible de radiación, con lo
cual, colocando un contacto transparente en situación apropiada, la radiación alcanzará el exterior.
Algunos de los materiales semiconductores utilizados en los diodos LED son el arseniuro de galio
(GaAs), el fosfuro de galio (GaP) y el arseniuro-fosfuro de galio (GaAsP), pudiendo construirse
diodos para emitir diferentes longitudes de onda y, por consiguiente, con radiaciones de distintos
colores (rojo, amarillo, verde, etc.). Su utilización básica es como indicadores luminosos, pudiendo
disponerse en redes para la representación visual de caracteres de distinto tipo.

La región de operación de estos diodos es, obviamente, la de polarización directa, en la que

la radiación luminosa aumenta con la corriente que atraviesa la unión, aunque la eficiencia de la
conversión es baja. Por lo que respecta a las curvas características, son del todo análogas a las de
los diodos convencionales, tal como se indica en la figura 13, con su representación simbólica, pero
deben tenerse en cuenta las siguientes precisiones funcionales:

a) La tensión típica de conducción, VF, es mayor que en un diodo de Si, del orden de 2V.
b) La corriente máxima en sentido directo, (IF)MÁX, está limitada a unas pocas decenas de
mA y, por otra parte, debe asegurarse una corriente mínima, (IF)mín, del orden de unos
pocos mA, para garantizar una cierta intensidad de la radiación luminosa.
c) La tensión inversa de ruptura, VRM, es muy baja, del orden de unos pocos V.

Figura 13

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 Tema 2. Comportamiento estático de la unión PN

 Fotodiodos.

El mecanismo básico de operación de estos dispositivos es justamente el contrario de los

diodos LED y tiene su origen en la generación de pares electrón-hueco como consecuencia de la
aplicación de una iluminación exterior. En efecto, si se aplica una iluminación en el lado N de la
unión (figura 14), esta energía radiante dará lugar a la generación de pares electrón-hueco, con lo
que se producirá un exceso de portadores minoritarios en esa región (huecos) que se difundirán
hacia la capa de carga espacial donde, mediante la acción del campo eléctrico existente (dirigido de
N a P), serán inyectados en el lado P. Se origina, así, una corriente inversa a través de la unión,
tanto mayor cuanto mayor sea la iluminación.

De este modo, la corriente a través del diodo podrá deberse tanto a una polarización
eléctrica, generadora, en su caso, de corriente directa, análogamente a un diodo convencional, como
a una radiación incidente, generadora de corriente inversa. Así, las curvas características son las
típicas de un diodo aunque desplazadas hacia abajo para dar cuenta de la corriente inversa generada
por radiación (figura 15, donde se incluye la representación simbólica). En este sentido, hay que
constatar que una corriente positiva, es decir, de P a N, solamente se puede producir en condiciones
de polarización eléctrica directa aplicada a la unión, dado que la corriente originada por radiación
es siempre una corriente inversa.

Tal como se observa en las curvas características (figura 15), si el fotodiodo opera en la
región de polarización inversa (V<0), para cada valor de la iluminación la corriente resulta
prácticamente independiente de la tensión, de modo que su comportamiento se puede representar
mediante una corriente constante dependiente de la iluminación y aumentando con esta. En general,
esta corriente inversa generada por radiación, denominada CORRIENTE EN CORTOCIRCUITO,
no suele exceder de unos pocos mA. Este pequeño valor justifica que las curvas características en
función de la iluminación aparezcan unificadas en la región de alta conducción en polarización
directa.

Por otra parte, cuando el fotodiodo sometido a iluminación se mantiene en circuito abierto
(I=0) aparece una tensión positiva entre los terminales P y N, necesaria para bloquear la corriente
generada por radiación. Esta tensión, denominada POTENCIAL FOTOVOLTAICO, es muy poco
dependiente de la iluminación incidente (figura 15), con valores de unos 0,5V en Si.

P N

HUECOS
E
L L=0
V
L1
I1
L2 > L1
I2

Figura 14 Figura 15

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La funcionalidad propia de los fotodiodos es en las zonas de corriente inversa, donde esta es
generada por una iluminación incidente. En estas condiciones, las aplicaciones asociadas son como
conversor luz-corriente (operación en el tercer cuadrante) o como célula solar (operación en el
cuarto cuadrante).

 Diodos Schottky.

Cuando un metal se pone en contacto con un semiconductor fuertemente dopado, como

sucede en la constitución de los terminales externos del diodo (figura 2), dicha conexión tiene un
carácter puramente óhmico. Sin embargo, el contacto entre un metal y un semiconductor tipo N
ligeramente dopado presenta un comportamiento rectificador semejante a una unión PN, por lo que
se le denomina diodo metal-semiconductor o diodo Schottky. La estructura básica y su
representación simbólica se indican en la figura 16.

Figura 16

Las curvas características I-V de estos diodos son similares a las de los diodos
convencionales, con la diferencia de que la tensión de conducción en sentido directo es de unos
0,3V frente a unos 0,7V en Si. Sin embargo, los mecanismos de conducción son completamente
diferentes. En este sentido, así como en una unión PN la conducción tiene lugar por electrones y
huecos, en una unión metal-semiconductor la corriente se debe únicamente a electrones, portadores
mayoritarios en ambos materiales.

De este modo, los procesos de variación de carga de portadores minoritarios en las regiones
neutras, que permiten definir la capacidad de difusión como característica importante del
comportamiento dinámico de la unión PN en polarización directa, no tienen lugar en la unión metal-
semiconductor, por lo que los efectos capacitivos resultan considerablemente disminuidos.

El hecho de que los efectos capacitivos de los diodos metal-semiconductor sean pequeños
constituye su principal característica. Esto habilita su utilización en aplicaciones de altas
frecuencias en una amplia gama de potencias, dado que existen diodos Schottky con corrientes
máximas de varias decenas de A. Sin embargo, es preciso constatar que aunque su tensión de
conducción es menor que en diodos de Si, lo que resulta ventajoso en muchas aplicaciones, las
tensiones de ruptura inversa son menores. Por otra parte, estos diodos se utilizan también como
componentes internos en circuitos integrados de alta velocidad.

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