Eletrônica Analógica

Aula 03

Prof. Danilo Raynal

Tempo de Recuperação Reversa

• 𝑡𝑟𝑟 - tempo de recuperação reversa (de 1ns a 1µs)

• 𝑡𝑠 - tempo de armazenamento
• 𝑡𝑡 - intervalo de transição
• 𝑡𝑟𝑟 = 𝑡𝑠 + 𝑡𝑡 2
(BOYLESTED, 2013)
Folha de Dados (datasheet)
A tensão direta 𝑉𝐹 (em corrente e temperatura específicas).
Devem
conter A corrente direta máxima 𝐼𝐹 (a uma temperatura específica).

A corrente de saturação reversa 𝐼𝑅 (a uma tensão e

temperatura específicas).
A tensão reversa nominal (PIV ou PRV).

O valor máximo de dissipação de potência a uma temperatura

específica.
Níveis de capacitância.

Tempo de recuperação reversa 𝑡𝑟𝑟 .

Faixa de temperatura de operação.

(BOYLESTED, 2013) 3
Folha de Dados (datasheet)

(BOYLESTED, 2013)

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Folha de Dados (datasheet)

→Ponto específico de operação

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Folha de Dados (datasheet)

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Notação de Diodo Semicondutor

(BOYLESTED, 2013) 7
Tipos de Diodos

(BOYLESTED, 2013) 8
Tipos de Diodos

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Função de Teste do Diodo
• Se inverter os
terminais = OL.
• Se aparecer OL com
a conexão correta,
revela um diodo
aberto (defeituoso).

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Teste com o Ohmímetro
• Resistência elevada,
em ambas
polaridades, indica
circuito aberto
(defeituoso).
• Resistência baixa,
em ambas
polaridades, sugere
que o dispositivo
está,
provavelmente, em
curto circuito.

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Traçador de Curva

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Diodo Zener
Para o diodo Zener, o
sentido de condução
é o oposto da seta do
símbolo.

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Diodo Zener

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Diodo Zener

O potencial Zener de um diodo Zener é muito sensível à

temperatura de operação.

∆𝑉𝑧 /𝑉𝑧
𝑇𝐶 = × 100 %/°𝐶
𝑇1 − 𝑇0

• 𝑇1 - novo valor da temperatura;

• 𝑇0 - temperatura ambiente em uma gabinete
fechado;
• 𝑇𝐶 - coeficiente de temperatura;
• 𝑉𝑍 - potencial zener nominal a 25 ºC. 15
(BOYLESTED, 2013)
Tensão térmica
Ex. 3.1
Analise a nova tensão do diodo Zener 𝑉′𝑍 se a temperatura
for elevada para 100 °C (ponto de ebulição da água).
𝑇𝐶 = 0,072 %/°𝐶 Resposta:
𝑇0 = 25°𝐶 ∆𝑉𝑧 /𝑉𝑧
𝑇𝐶 = × 100 %/°𝐶
𝑉𝑍 = 10 𝑉 𝑇1 −𝑇0
𝑇𝐶 ×𝑉𝑧 𝑇1 −𝑇0
∆𝑉𝑧 =
100 %/°𝐶
(90,072 %/°𝐶)×10𝑉× 100°𝐶−25°𝐶
∆𝑉𝑧 =
100 %/°𝐶
∆𝑉𝑧 = 0,54𝑉
𝑉′𝑍 = 𝑉𝑍 + ∆𝑉𝑧 = 10,54𝑉
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Diodo Zener

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LED (Diodo Emissor de Luz)
Em diodos de Si e Ge, a maior porcentagem de energia convertida durante a
recombinação na junção é dissipada na forma de calor no interior da
estrutura e a luz emitida é insignificante.

Diodos de GaAs emitem luz (invisível) na zona de infravermelho durante o

processo de recombinação na junção p-n.

• Utilizados na área de segurança, processamento industrial, comunicação (controle remoto), ...

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LED

(BOYLESTED, 2013) 19
LED

𝑐
λ=
𝑓

• 𝑐 - 3. 108 𝑚/𝑠;
• 𝑓 - frequência (Hz);
• λ – comprimento de onda (m).

(BOYLESTED, 2013) 20
Tensão térmica

Ex. 3.2
Determine a faixa de comprimento de onda para
a faixa de frequência de luz visível (400Thz –
750 Thz).
Resposta:
• 400 THz
𝑐 3 × 108 𝑚/𝑠
λ= = 12
= 750𝑛𝑚
𝑓 400 × 10 𝐻𝑧
• 750 THz
𝑐 3 × 108 𝑚/𝑠
λ= = 12
= 400𝑛𝑚
𝑓 750 × 10 𝐻𝑧

400 𝑛𝑚 𝑎 750 𝑛𝑚 (BOYLESTAD, 2013) 21

LED

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LED

• 𝐸𝑔 - joules (J) [1𝑒𝑉 = 1,6 × 10−19 𝐽];

• ℎ - constante de Planck = 6,626 × 10−34 𝐽. 𝑠
frequência (Hz);
• 𝑐 - 3. 108 𝑚/𝑠;
• λ – comprimento de onda (m).
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LED
1,6 × 10−19 𝐽
1,43𝑒𝑉 = 2,888 × 10−19 𝐽
1𝑒𝑉

• 𝑔𝑎𝑝𝐺𝑎𝐴𝑠 = 1,43𝑒𝑉
−34 8𝑚
ℎ𝑐 (6,626 × 10 𝐽. 𝑠)(3 × 10 𝑠 )
λ= =
𝐸𝑔 2,288 × 10−19 𝐽
λ = 869 nm

• 𝑔𝑎𝑝𝑆𝑖 = 1𝑒𝑉
𝑚
ℎ𝑐 (6,626 × 10−34 𝐽. 𝑠)(3 × 8
10 )
λ= = 𝑠
𝐸𝑔 1,6 × 10−19 𝐽
λ = 1130 nm (BOYLESTED, 2013) 24
LED

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Referências

• BOYLESTAD, Robert L.; NASHELSKY, Louis.

Dispositivos Eletrônicos e Teoria de
Circuitos. São Paulo: Prentice-Hall, 2013.

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